JP2003059896A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液を用いて基板を処理する基板処理装置
において、簡単な構成で遮蔽部と基板の上面とを近接さ
せ、さらに基板とピンとの間の洗浄も実現する。 【解決手段】 ガスを噴出する微小な噴出口１２１ｂが
多数形成された遮蔽部１２、回転台１１１に固定された
ピン１１２を有する回転ベース１１、回転ベース１１を
回転させるモータ２１、および、基板９の下面に向けて
処理液を吐出する供給管３１１を基板処理装置１に設け
る。ピン１１２は基板９を強固に保持するのではなくピ
ン１１２の間で基板９が僅かに水平方向に移動可能とな
るように配置され、いずれかのピン１１２が基板９のノ
ッチ内に配置される。これにより、ベルヌーイ効果を利
用して遮蔽部１２と基板９の上面とを近接させ、さら
に、基板９が回転する際に基板９がピン１１２の間を移
動することによりピン１１２と基板９との間の洗浄も実
現される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理液を用いて基
板に処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板（以下、「基板」という。）
の片面にエッチングを行う装置やベベルエッチングを行
う装置では、従来より、基板の処理が行われない面に遮
蔽板を対向させることにより非処理面への不要な処理液
の付着が防止される。基板は、基板を挟んで遮蔽板と対
向する回転台上のチャックピンに保持され、回転台側か
ら処理液が供給されることにより基板に処理が行われ
る。遮蔽板と基板とは近接させるほど好ましいが、遮蔽
板と基板とを平行に保つ精度の限界から遮蔽板と基板と
の間の距離は１ｍｍ程度が限界とされる。

【０００３】一方で、基板を所定の面に非常に近接させ
つつ非接触にて支持する手法として、ベルヌーイ効果を
利用したものが知られている。この手法では、基板の主
面に対向する面からガスを高速で噴出することにより基
板と対向面との間隙を０．１ｍｍ程度とすることが実現
される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ベルヌーイ
効果を利用しつつ基板を遮蔽板にて支持するという手法
を考えた場合、基板と遮蔽板とを非常に近接させること
が可能となる。しかしながら、基板と遮蔽板とを非常に
近接させることが実現されても上述のように基板を保持
する回転台と遮蔽板との平行度の限界から、基板を保持
して回転させることが困難となる。

【０００５】また、基板をチャックピンによる物理的接
触により保持する場合、基板を保持するためにチャック
ピンを移動させる機構が必要となり、装置製造のコスト
アップや複雑な機構に起因する処理液の跳ね返りやパー
ティクルの増加が生じてしまう。さらに、チャック部分
の処理ができないために基板に未処理（未洗浄）部分が
残存し、後続の処理に悪影響を与えるという問題も生じ
る。

【０００６】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、ベルヌーイ効果を利用して基板を上方から支持しつ
つ簡単な構成で適切な基板処理を実現することを目的と
している。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、処理液を用いて基板に処理を行う基板処理装置であ
って、基板の上面に対向する面からガスを噴出すること
によりベルヌーイ効果を利用して前記基板を上方から支
持する非接触支持手段と、前記基板の下面に向けて処理
液を供給する処理液供給手段と、前記基板の外周に配置
された複数の当接部材と、前記複数の当接部材を前記対
向する面に平行な面内にて回転させることにより、前記
複数の当接部材の少なくとも一部を前記基板の略周方向
に当接させて前記基板を回転させる回転手段とを備え
る。

【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置であって、前記複数の当接部材の少なく
とも一部が、前記基板に形成されたノッチと当接する。

【０００９】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の基板処理装置であって、前記複数の当接部材
が前記基板の下面に対向する部材上に固定される。

【００１０】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記複数
の当接部材が前記対向する面に垂直な棒状の部材であ
る。

【００１１】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記非接
触支持手段による前記基板の支持が解除された際に前記
基板を下方から接触して支持する接触支持手段と、前記
基板の上面に処理液を供給するもう一つの処理液供給手
段とをさらに備える。

【００１２】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の基板処理装置であって、前記接触支持手段が、前記複
数の当接部材の下部である。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一の実施の形態に
係る基板処理装置１の主要構成を示す断面図である。基
板処理装置１は基板９を主面に平行な面内にて回転させ
つつ化学薬品、有機溶剤等の薬液や純水（以下、「処理
液」という。）を供給することにより基板９の表面に処
理を行う装置である。基板処理装置１では、基板９の下
面に対してベベルエッチングを含む様々な処理を行うこ
とが可能であり、さらに、基板９の上面に対しても処理
を行うことが可能とされている。

【００１４】図１は基板処理装置１が基板９の下面に処
理を行う様子を示している。基板９の下面は基板９を回
転させる回転ベース１１と対向し、基板９の上面は遮蔽
部１２に対向する。基板９は遮蔽部１２が退避した状態
で回転ベース１１に移載され、その後、遮蔽部１２が基
板９に近接するように移動して遮蔽部１２から窒素ガス
（以下、「ガス」という。）が噴出される。基板９はガ
スの流れにより生じるベルヌーイ効果により遮蔽部１２
に非常に近接した状態で支持される。すなわち、遮蔽部
１２は基板９を上方から支持する支持体となっている。

【００１５】回転ベース１１はモータ２１の回転軸２１
１に接続され、遮蔽部１２もモータ２２の回転軸２２１
に接続される。モータ２１の回転軸２１１は中空となっ
ており、回転軸２１１内には処理液供給部３１から供給
される処理液の流路となる供給管３１１が配置される。
供給管３１１からの処理液は基板９の下面に向けて吐出
される。モータ２２の回転軸２２１も中空となってお
り、回転軸２２１内には処理液供給部３２からの処理液
の流路となる供給管３２１が配置される。基板９の上面
の処理の際には供給管３２１から処理液が基板９の上面
に向けて吐出される。

【００１６】回転ベース１１は、基板９の下面に対向す
る板状の回転台１１１上に複数のピン１１２が基板９の
外周に沿って配置された構造となっている。各ピン１１
２の上部は遮蔽面１２１ａに垂直な棒状となってり、ピ
ン１１２は基板９の外縁と当接して基板９の水平面内の
移動範囲を拘束する部材としての役割を果たす。遮蔽部
１２は、基板９の上面に対向する遮蔽面１２１ａを有す
る遮蔽部材１２１、および、遮蔽部材１２１の上部を覆
う蓋部材１２２により構成される。遮蔽部材１２１は皿
状となっており、蓋部材１２２が嵌め合わされることに
より遮蔽部１２の内部に空間１２ａが形成される。

【００１７】遮蔽部材１２１の下部には、空間１２ａか
ら遮蔽面１２１ａに向かって伸びる複数の穴である噴出
口１２１ｂが形成されており、空間１２ａに供給される
ガスが噴出口１２１ｂから基板９に向けて勢いよく噴出
される。すなわち、空間１２ａは噴出口１２１ｂにガス
を導く流路の一部となっている。

【００１８】遮蔽部１２の上部には、空間１２ａにガス
を供給するために流路部材１３１および供給ポート１３
２が設けられており、供給ポート１３２にはガス供給部
からチューブ１３３を介してガスが供給される。流路部
材１３１は回転軸２２１に取り付けられ、供給ポート１
３２は回転軸２２１の回転とは無関係な固定部位に取り
付けられる。供給ポート１３２は流路部材１３１の外周
を覆う形状をしており、流路部材１３１と供給ポート１
３２との間には僅かな隙間が設けられる。このような構
造により、回転軸２２１および流路部材１３１を回転さ
せつつ固定設置される供給ポート１３２から流路部材１
３１内の流路に向けて絶えずガスを供給することが可能
とされる。

【００１９】図２は、遮蔽部材１２１の下面（すなわ
ち、遮蔽部１２の下面）を示す図である。遮蔽部材１２
１の遮蔽面１２１ａには基板９の周縁部に沿って微小な
噴出口１２１ｂが多数（好ましくは３０個以上）形成さ
れる。具体的には、穴の形成方向（穴が伸びる方向）に
垂直な断面において直径０．３〜１ｍｍ程度の円形の噴
出口１２１ｂが、１〜６ｍｍの範囲内で環状に等間隔で
形成される。また、噴出口１２１ｂの向きは基板９の外
縁に向かって傾斜する方向とされる（図１参照）。好ま
しくは、遮蔽面１２１ａに対して角度αが２０°〜４０
°の範囲で形成される。これにより、噴出口１２１ｂか
らガスが勢いよく噴出されるとベルヌーイ効果により基
板９が遮蔽面１２１ａから０．１ｍｍ程度離れた状態で
上方から支持される。

【００２０】また、微小な噴出口１２１ｂが基板９の周
縁部に対向して等間隔に多数形成されることから、基板
９が大型であってもガスの消費量を抑えつつ基板９の周
縁部に均一かつ高速のガスの流れを生じさせることがで
き、安定して基板９を支持することが実現される。

【００２１】遮蔽部材１２１は処理液に対する耐腐食性
を有する樹脂にて一体成型される。好ましくは、ＰＶＣ
（ポリ塩化ビニル）や、硬めのフッ素樹脂としてＰＣＴ
ＦＥ（ポリクロロフルオロエチレン）や、フッ素樹脂よ
り機械強度が高いＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケト
ン）により一体成型される。噴出口１２１ｂは一体成型
時に形成されてもよく、遮蔽部材１２１の原型に対して
ドリルを用いて形成されてもよい。いずれの手法を用い
ても精度のよい噴出口１２１ｂを有する遮蔽部材１２１
を容易に作製することができる。その結果、基板処理装
置１の製造コストを削減しつつ、処理性能の向上および
安定化を図ることができる。

【００２２】図３は、遮蔽部１２側からの回転ベース１
１および基板９の様子を示す図である。回転台１１１上
には３つのピンが取り付けられており、１つのピン１１
２ａは基板９のノッチ９１内に位置するように配置さ
れ、２つのピン１１２ｂは基板９の外縁に近接して配置
される。以下の説明においてこれらのピンを総称する際
に「ピン１１２」という。

【００２３】３つのピン１１２は、基板９の姿勢を固定
するように基板９を強固に保持するのではなく、いずれ
かのピン１１２と基板９の外縁との間に隙間が生じるよ
うに（いわゆるガタを持たせるように）配置される。す
なわち、基板９がピン１１２の間で僅かに水平方向に移
動可能にピン１１２が配置される。したがって、各ピン
１１２は回転台１１１に固定されるが、この状態で基板
９を３つのピン１１２の間に挿入可能とされる。

【００２４】一方で、ピン１１２と基板９との間の隙間
は基板９の回転を拘束するように設定される。すなわ
ち、ピン１１２ａがノッチ９１から外れないように３つ
のピン１１２の間隔が設定される。したがって、回転台
１１１と共に３つのピン１１２が遮蔽面１２１ａに平行
な面内にて回転を開始すると、ピン１１２ａがノッチ９
１と当接するとともに他の２つのピン１１２ｂのうちの
いずれか一方が基板９の外縁に当接し、基板９が主面に
平行な面内にて回転する。このとき、他方のピン１１２
ｂと基板９との間には隙間が生じる。このように、基板
処理装置１ではノッチ９１を利用することにより略円形
の基板９を強固に保持することなく容易に回転させるこ
とができる。

【００２５】回転台１１１の回転が減速する際には、基
板９と当接していなかったピン１１２ｂと基板９とが当
接し、基板９と接していたピン１１２ｂが基板９から離
れる。また、ノッチ９１内のピン１１２ａは回転の加速
時と減速時とで接触位置が変化する。

【００２６】図１に示すように基板９の下面に処理が行
われる場合、基板９はガスの噴出によるベルヌーイ効果
により遮蔽部１２と非接触の状態で支持され、基板９の
水平方向の位置はピン１１２により制限される。そし
て、モータ２１による回転ベース１１の回転により遮蔽
部１２に支持された状態で基板９がピン１１２に当接し
て回転する。このとき、回転ベース１１側の供給管３１
１から基板９の下面に向けて処理液が吐出されることに
より、基板９の下面および側面、さらには、側面から僅
かに上面に至る部位に処理が施される。

【００２７】基板９はベルヌーイ効果を利用して支持さ
れ、かつ、基板９は回転ベース１１のピン１１２に保持
されないことから、遮蔽部１２の遮蔽面１２１ａと回転
台１１１との平行度に多少の誤差が存在したり遮蔽面１
２１ａが多少上下したとしても基板９は遮蔽面１２１ａ
に沿う状態で回転する。したがって、基板９と遮蔽面１
２１ａとが接することはない。また、基板９を回転させ
るピン１１２は回転台１１１に固定されているだけであ
る。

【００２８】その結果、極めて簡素化された構成により
基板９と遮蔽面１２１ａとを０．１ｍｍ程度まで安定し
て近づけることが可能となり、基板９の上面の雰囲気制
御（パーティクルの上面側への進入防止を含む。）を適
切に行うことができるとともに、基板９から飛散する処
理液が基板処理装置１内で跳ね返った後に基板９の上面
に付着することが確実に防止される。

【００２９】なお、基板９が回転する際には、基板９の
回転にほぼ合わせるようにして遮蔽部１２がモータ２２
により回転する。これにより、基板９の上面と遮蔽面１
２１ａとの間の速度差をなくし、基板９と遮蔽面１２１
ａとの間に外気が引き込まれてしまうことが防止され
る。

【００３０】また、基板９の下面に施される処理として
洗浄（例えば、ベベルエッチングによる洗浄）が行われ
る場合には、処理中に基板９と各ピン１１２とが接した
り離れたりするとともに基板９がピン１１２に対して僅
かに上下動することから、基板９と各ピン１１２との間
の洗浄が特別な機構（例えば、ピン１１２を移動させる
機構）を設けることなく行うことが可能となる。すなわ
ち、未洗浄部分が基板９に残存したり、メカニカルなチ
ャックで基板９が搬送される際にチャックを介して後続
の基板９が汚染されることが、特別な機構を用いずに防
止することが実現される。

【００３１】さらに、基板処理装置１は既述のように簡
素化された構成であることから、基板処理装置１の製造
コストの削減およびフットプリントの削減も実現され
る。

【００３２】図４は基板９の下面に処理が行われた後に
上面に処理が行われる際の基板処理装置１の様子を示す
断面図である。

【００３３】基板９の上面に処理が行われる際には、ま
ず、図１に示す状態において遮蔽部１２へのガスの供給
が停止され、基板９が回転台１１１側へと落下する。図
５はピン１１２の形状を示す図である。ピン１１２は上
部が径の小さい当接部１１２１となっており、下部が径
の大きい支持部１１２２となっている。すなわち、ピン
１１２はいわゆる２段ピンとされる。

【００３４】当接部１１２１は、基板９が遮蔽部１２に
支持される際に基板９の外縁に当接して基板９を回転さ
せる。一方、支持部１１２２は、遮蔽部１２による基板
９の支持が解除されて図５中の二点差線にて示す状態か
ら実線にて示すように基板９が落下すると、基板９を下
方から接触して支持する役割を果たす。このように、ピ
ン１１２を２段ピンとすることにより、下面処理時の基
板９の回転および上面処理時の基板９の支持が簡単な構
成で実現される。

【００３５】基板９がピン１１２の支持部１１２２に支
持されると、図４に示すように遮蔽部１２が基板９から
遠ざけられ、遮蔽部１２側の供給管３２１から基板９の
上面に向けて処理液が供給される。その後、モータ２１
が回転することにより基板９が回転ベース１１と共に高
速で回転し、基板９の表面に処理が施される。

【００３６】以上のように、基板処理装置１では回転ベ
ース１１に支持部１１２２を有するピン１１２が配置さ
れ、供給管３１１から処理液を吐出することが可能であ
るため、基板９の下面の処理のみならず上面の処理も行
うことが実現される。

【００３７】以上、本発明の一の実施の形態に係る基板
処理装置１について説明してきたが、本発明は上記実施
の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能で
ある。

【００３８】上記実施の形態では、基板処理装置１は半
導体基板に処理を行うが、処理対象は、液晶ディスプレ
イやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプ
レイ用のガラス基板であってもよい。

【００３９】図６は、ガラス基板のような角形基板の場
合の遮蔽部１２の構造を示す図であり、図７は回転ベー
ス１１の構造を示す図である。図６に示すように、角形
の基板９を取り扱う場合、基板９に覆われる領域内にて
環状に多数の噴出口１２１ｂが遮蔽面１２１ａに形成さ
れる。これは、回転ベース１１の回転と遮蔽部１２の回
転とを同期させることができなくても基板９の周縁部全
体にベルヌーイ効果を発生させるためである。もちろ
ん、回転ベース１１と遮蔽部１２との回転を完全に同期
させることができる場合には、噴出口１２１ｂは基板９
の外周に沿って矩形状に配列されることが好ましい。

【００４０】一方、図７に示すように回転ベース１１の
回転台１１１上には６個のピン１１２が配置される。こ
れらのピン１１２は略円形の基板の場合と同様に基板９
を強固に保持するのではなく、基板９との間に僅かな隙
間が生じるように配置される。これにより、基板９が回
転する際には、各ピン１１２が基板９の外縁に当接した
り離れたりすることにより、ピン１１２と基板９との間
においても適切に処理が行われる。

【００４１】図７に示すように、基板９を回転させるた
めにはいずれかのピン１１２を周方向（回転方向）に対
してほぼ垂直な方向から基板９に当接させる必要はな
い。複数のピン１１２の少なくとも一部が基板９と当接
し、当接する際に生じる力が周方向の成分を有すること
により基板９を回転させることが実現される。すなわ
ち、基板９を非固定状態とし、基板９に当接させる複数
の部材のうちの少なくとも一部を基板９の略周方向に当
接させることにより、ベルヌーイ効果を利用しつつ基板
９を回転させることが実現される。

【００４２】上記実施の形態では、ピン１１２が回転ベ
ース１１に設けられるが、ピン１１２を遮蔽部１２に設
けることも可能である。この場合、遮蔽部１２の回転と
基板９の回転とを完全に同期させることが可能となる。

【００４３】また、ピン１１２は加工の容易さおよび構
造の簡素化の観点から棒状であることが好ましいが、棒
状に限定されるものではなく、任意の形状であってよ
い。例えば、図８に示すように、平面１１２ｄを円形の
基板９の外縁に当接させるピン１１２ｃが用いられても
よい。なお、図８に示すピン１１２ｃは縦断面において
Ｌ字状となっており、上面処理の際にはピン１１２ｃの
下部が基板９を下方から当接して支持する。

【００４４】さらに、ピン１１２の下部が支持部とされ
る必要はなく、図９に示すように円筒状のピン１１２ｅ
を配置し、基板９を下方から支持する支持部材１１２ｆ
が別途設けられてもよい。

【００４５】上記実施の形態では、供給管から処理液を
吐出することにより基板９に処理液を付与するが、処理
液の供給はどのような手法が利用されてもよい。例え
ば、スプレー式、スリット式等が利用されてもよい。

【００４６】上記実施の形態において噴出口１２１ｂの
直径は０．３〜１ｍｍが好ましいと説明したが、２ｍｍ
以下であれば８インチ以上の大型の基板９に対しても適
切な支持が可能である。噴出口１２１ｂはドリルを用い
ることにより穴の形成方向に垂直な断面において円形と
なるものが容易に形成できるが、穴の形状は円形に限定
されない。例えば、耐腐食性樹脂を用いて金型で一体成
形する際に噴出口１２１ｂを形成する場合には矩形等で
あっても容易に形成することができる。この場合であっ
ても穴の形成方向に垂直な断面において最大幅を２ｍｍ
以下とすることにより、基板９を適切に支持することが
できる。

【００４７】上記実施の形態では噴出口１２１ｂの間隔
は１〜６ｍｍが好ましいと説明したが、実用上は３０ｍ
ｍ以下という条件が満たされると基板９を適切に支持す
ることができる。また、噴出口１２１ｂは等間隔に形成
される必要はなく、さらに、円環状に配置されなくても
基板９を支持することができる。もちろん、ベルヌーイ
効果を基板９の周縁部にて均等に発生するには、噴出口
１２１ｂが基板９の周縁部に沿って等間隔に形成される
ことが好ましい。

【００４８】上記実施の形態では、基板９の周縁部に対
向する位置からガスを噴出するようにしているが、ガス
は基板９の中心に対向する位置からも噴出されてよい。
これにより、大型の基板９の中央部に生じるたわみを制
御することができる。

【００４９】上記実施の形態では、噴出口１２１ｂから
ガスを噴出することによりベルヌーイ効果を発生するよ
うにしているが、ガスの噴出はスリット状の噴出口から
行われてもよい。すなわち、噴出口１２１ｂの形状は任
意の形状であってよい。

【００５０】

【発明の効果】請求項１ないし６の発明では、簡単な構
成で基板と非接触支持手段とを近接させることができ、
基板の上面の雰囲気制御を適切に行うことができるとと
もに、基板から飛散する処理液が跳ね返った後に基板の
上面に付着することが確実に防止される。

【００５１】また、請求項２の発明では、ノッチを利用
して基板を容易に回転させることができ、請求項３およ
び４の発明では、基板処理装置の構造を簡素化すること
ができる。

【００５２】また、請求項５の発明では、基板の上面に
も処理を行うことができ、請求項６の発明では、簡単な
構成で下面処理時の基板の回転および上面処理時の基板
の支持が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板処理装置の主要構成を示す断面図である。

【図２】遮蔽部材の下面を示す図である。

【図３】遮蔽部側からの回転ベースおよび基板の様子を
示す図である。

【図４】基板の上面に処理が行われる際の基板処理装置
の様子を示す断面図である。

【図５】ピンを示す図である。

【図６】遮蔽部の他の構造を示す図である。

【図７】回転ベースの他の構造を示す図である。

【図８】ピンの他の形状を説明するための図である。

【図９】支持部材を設けた様子を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ９ 基板 １１ 回転ベース １２ 遮蔽部 ２１ モータ ３１，３２ 処理液供給部 ９１ ノッチ １１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ，１１２ｅ ピ
ン １１２ｆ 支持部材 １２１ａ 遮蔽面 ３１１，３１２ 供給管 １１２１ 当接部 １１２２ 支持部

フロントページの続き (72)発明者 泉 昭 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 梶野 一樹 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB34 AB47 BB24 BB93 BB95 CD33 5F031 CA02 CA05 HA08 HA09 HA14 HA48 HA59 MA24 PA30 5F043 DD13 EE07 EE08 EE27 EE35

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液を用いて基板に処理を行う基板処
   理装置であって、 基板の上面に対向する面からガスを噴出することにより
   ベルヌーイ効果を利用して前記基板を上方から支持する
   非接触支持手段と、 前記基板の下面に向けて処理液を供給する処理液供給手
   段と、 前記基板の外周に配置された複数の当接部材と、 前記複数の当接部材を前記対向する面に平行な面内にて
   回転させることにより、前記複数の当接部材の少なくと
   も一部を前記基板の略周方向に当接させて前記基板を回
   転させる回転手段と、を備えることを特徴とする基板処
   理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記複数の当接部材の少なくとも一部が、前記基板に形
   成されたノッチと当接することを特徴とする基板処理装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板処理装置
   であって、 前記複数の当接部材が前記基板の下面に対向する部材上
   に固定されることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
   板処理装置であって、 前記複数の当接部材が前記対向する面に垂直な棒状の部
   材であることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
   板処理装置であって、 前記非接触支持手段による前記基板の支持が解除された
   際に前記基板を下方から接触して支持する接触支持手段
   と、 前記基板の上面に処理液を供給するもう一つの処理液供
   給手段と、をさらに備えることを特徴とする基板処理装
   置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記接触支持手段が、前記複数の当接部材の下部である
   ことを特徴とする基板処理装置。