TWI825994B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI825994B
TWI825994B TW111134830A TW111134830A TWI825994B TW I825994 B TWI825994 B TW I825994B TW 111134830 A TW111134830 A TW 111134830A TW 111134830 A TW111134830 A TW 111134830A TW I825994 B TWI825994 B TW I825994B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
base
separation plate
gas
radially outward
Prior art date
Application number
TW111134830A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202320203A (zh
Inventor
中澤和彦
森岡利仁
蒲裕充
太田喬
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202320203A publication Critical patent/TW202320203A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI825994B publication Critical patent/TWI825994B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

於基板保持部中，氣體供給部對基板的下表面與基座部的基座面之間送出氣體，而形成朝向徑向外方的氣流。分離板於基座部之基座面上被配置於較基板之外周緣更徑向外側，而包圍基板的周圍。分離板之內周緣與基板之外周緣於徑向上一邊相互地分開一邊相對向。分離板之上表面位於與基板之上表面在上下方向上相同的位置、或較基板之上表面更下側。於分離板的下表面與基座部的基座面之間設有環狀流路。分離板被固定於基座部，而藉由基板旋轉機構與基座部一起被旋轉。藉此，其可抑制被供給至基板之上表面的處理液附著於基板之下表面的情形。

Description

基板處理裝置
[相關申請案的參照] 本申請案主張2021年9月22日所申請之日本專利特願JP 2021-154038號的優先權，該日本申請案的所有內容被包含於本申請案中。
本發明係關於處理基板之基板處理裝置。
過去以來，在半導體基板(以下簡稱為「基板」)之製程中，對基板實施各種處理。例如，使以水平狀態被保持於基板保持部之基板旋轉，並對旋轉中之基板的表面供給處理液，藉此進行對基板之液體處理。
在日本專利特開2009-142818號公報(文獻1)之濕式蝕刻裝置中，作為保持基板之基板保持部，使用對位於基板之下方的支撐體與基板之間供給高壓氣體，而利用沿著基板之下表面流動的氣體所形成的負壓將基板朝向支撐體吸引的白努利(Bernoulli)卡盤。該氣體從基板之外周部的下方被形成於支撐體上表面的環狀噴嘴，被供給至基板與支撐體之間的空間。於該支撐體，設有從環狀噴嘴擴展至較基板外周緣更徑向外側並且從基板朝下方分開之環狀的氣體排出部。於氣體排出部之下方，設有從上述環狀噴嘴朝向徑向外方且下方延伸之環狀的氣體排出流路。
在該濕式蝕刻裝置中，被供給至基板之上表面的蝕刻液，從基板外周緣繞向下表面側，填滿基板之下表面之周緣部與支撐體之氣體排出部之上表面的間隙。藉此，進行對基板之下表面之周緣部的蝕刻處理。繞到基板之下表面的蝕刻液，經由氣體排出流路朝向徑向外方被排出。又，從環狀噴嘴被供給至基板與支撐體之間的氣體，亦經由該氣體排出流路朝向徑向外方被排出。
然而，在對基板之液體處理中，與文獻1之蝕刻處理不同，其存在有應防止被供給至基板之上表面的處理液繞到基板之下表面的情形。然而，當藉由文獻1般之白努利卡盤來保持基板之情形時，其存在有因為在基板與支撐體之間產生的負壓，被供給至基板之上表面且從基板外周緣流下的處理液等被抽吸而繞到基板之下表面的可能。又，於基板保持部中，當在較基板之外周緣更外側設有定心銷等之突起物的情形時，其亦存在有從進行旋轉之基板所飛散的處理液與該突起物相碰撞，使得因為碰撞所產生的飛沫與霧氣等繞向基板之下方而附著於基板之下表面的可能。
本發明之目的係，對處理基板之基板處理裝置，用以抑制處理液朝向基板之下表面之附著的情形。
本發明一較佳之形態的基板處理裝置具備有：基板保持部，其將基板以水平狀態加以保持；基板旋轉機構，其以沿著上下方向延伸之中心軸為中心使上述基板保持部旋轉；及處理液供給部，其對上述基板之上表面供給處理液。上述基板保持部具備有：基座部，其具有對向於上述基板之下表面並且從上述基板之外周緣朝向徑向外方延伸的基座面；複數根支撐銷，其等在上述基座面上沿著圓周方向被排列，並且從上述基座面朝上方突出，接觸於上述基板之上述下表面的外周部；氣體供給部，其對上述基板的上述下表面與上述基座部的上述基座面之間送出氣體，而形成朝向徑向外方的氣流；及環狀之分離板，其於上述基座部之上述基座面被配置於較上述基板之外周緣更徑向外側，包圍上述基板的周圍。上述分離板之內周緣與上述基板之上述外周緣於徑向上一邊相互地分開一邊相對向。上述分離板之上表面位於與上述基板之上述上表面在上下方向上相同的位置、或較上述基板之上述上表面更下側。於上述分離板的下表面與上述基座部的上述基座面之間設有環狀流路。上述分離板被固定於上述基座部，藉由上述基板旋轉機構而與上述基座部一起被旋轉。
根據該基板處理裝置，可抑制處理液朝向基板之下表面的附著。
較佳為上述基板保持部藉由上述氣流之白努利效果，在上述基板與上述基座部之間的空間產生壓力下降而吸附上述基板。
較佳為上述分離板之上述下表面係隨著朝向徑向外方而朝向下方的傾斜面。
較佳為在上述基板與上述複數根支撐銷接觸之徑向位置的上述基板之上述下表面與上述基座面之間之上下方向距離，為小於在上述分離板之上述內周緣下方的上述分離板之上述下表面與上述基座面之間之上下方向距離。
較佳為上述基板保持部進一步具備有銷，該銷在較上述基板更徑向外側，從上述基座面朝上方突出；上述銷之上端部被插入在上述分離板所設之開口部；上述銷之上端位於上述分離板之上述上表面中與上述開口部之周圍之區域在上下方向相同的位置、或較上述區域更下側。
上述之目的及其他的目的、特徵、態樣及優點，可參照添附圖式並藉由以下本發明的詳細說明而可被明確。
圖1係表示具備本發明一實施形態之基板處理裝置之基板處理系統10中佈局之圖解的俯視圖。基板處理系統10係處理半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)的系統。基板處理系統10具備有分度區塊101、及被結合於分度區塊101的處理區塊102。
分度區塊101具備有載具保持部104、分度機器人105、及IR移動機構106。載具保持部104保持可收容複數片基板9之複數個載具107。複數個載具107(例如FOUP(前開式晶圓傳送盒))以沿著既定之載具排列方向被排列的狀態由載具保持部104所保持。IR移動機構106沿著載具排列方向使分度機器人105移動。分度機器人105進行將基板9從載具107搬出的搬出動作、及將基板9搬入由載具保持部104所保持之載具107的搬入動作。基板9藉由分度機器人105而以水平的姿勢被搬送。
處理區塊102具備有：處理基板9之複數個(例如四個以上)處理單元108、及中央機器人109。複數個處理單元108被配置為於俯視時包圍中央機器人109。在複數個處理單元108中，實施對基板9的各種處理。後述之基板處理裝置係複數個處理單元108中的一個。中央機器人109進行將基板9搬入處理單元108的搬入動作、及將基板9從處理單元108搬出的搬出動作。此外，中央機器人109在複數個處理單元108之間搬送基板9。基板9藉由中央機器人109而以水平的姿勢被搬送。中央機器人109從分度機器人105接取基板9，並且將基板9交給分度機器人105。
圖2係表示基板處理裝置1之構成的側視圖。在圖2中，以截面描繪基板處理裝置1之構成的一部分。基板處理裝置1係將基板9一次一片地加以處理之單片式的裝置。基板處理裝置1對基板9供給處理液而進行液體處理。在該液體處理中，例如於較被搬入基板處理裝置1更早的處理中，進行附著於基板9之異物的去除(即洗淨)。該異物例如係在對基板9之研磨切削處理中殘留於基板9之表面的殘渣。在以下的說明中，將圖2中之上側及下側亦簡稱為「上側」及「下側」。
基板處理裝置1具備有：基板保持部2、基板旋轉機構33、杯部4、處理部51、處理部移動機構52、控制部8、及腔室11。基板保持部2、基板旋轉機構33、杯部4及處理部51等，被收容於腔室11之內部空間。於腔室11之頂蓋部設有氣流形成部12，該氣流形成部12對該內部空間供給氣體而形成朝下方流動的氣流(所謂的降流)。氣流形成部12例如可利用FFU(風扇過濾器單元)。
控制部8被配置於腔室11的外部，對基板保持部2、基板旋轉機構33、處理部51及處理部移動機構52等進行控制。如圖3所示，控制部8例如為具備有：處理器81、記憶體82、輸入輸出部83、及匯流排84之一般的電腦系統。匯流排84係連接處理器81、記憶體82及輸入輸出部83的信號電路。記憶體82儲存程式及各種資訊。處理器81依照被儲存於記憶體82之程式等，一邊利用記憶體82等一邊執行各種處理(例如數值計算)。輸入輸出部83具備有受理來自操作者之輸入的鍵盤85及滑鼠86、顯示來自處理器81之輸出等的顯示器87、以及發送來自處理器81之輸出等的發送部(省略圖示)等。再者，控制部8亦可為可程式化邏輯控制器(PLC：Programmable Logic Controller)、或電路基板等。控制部8亦可包含有電腦系統、PLC及電路基板等之中之任意的複數個構成。
基板保持部2及基板旋轉機構33分別為保持大致圓板狀的基板9並使其旋轉之旋轉卡盤的一部分。基板保持部2將水平狀態的基板9從下側加以保持。基板保持部2例如係藉由白努利效果來吸附而保持基板9之白努利卡盤。再者，基板保持部2亦可為具有其他構造的卡盤。
圖4係表示基板保持部2的俯視圖。圖5係於圖4中之V-V位置剖開基板保持部2的剖視圖。圖6係於圖4中之VI-VI位置切斷基板保持部2的剖視圖。在圖5及圖6中，以兩點鏈線表示由基板保持部2所保持之基板9。如圖4至圖6所示，基板保持部2具備有基座部21、複數根支撐銷22、及氣體供給部23。
基座部21係以沿著上下方向延伸之中心軸J1為中心之大致圓板狀的構件。基板9係與基座部21分開地被配置於基座部21的上方。基座部21之上側的主表面211(以下亦稱為「基座面211」)，於從基板9之下側之主表面(以下亦稱為「下表面92」)朝下方分開的位置，與基板9之下表面92在上下方向上相對向。基座部21之基座面211、及基板9之下表面92呈大致水平。基座部21之直徑略大於基板9的直徑，基座面211從基板9之外周緣遍及全周地朝向徑向外方延伸。
複數根支撐銷22，於基座部21之基座面211的外周部，沿著以中心軸J1為中心之圓周方向(以下亦簡稱為「圓周方向」)一邊相互地分開一邊被排列。複數根支撐銷22被配置於以中心軸J1為中心之相同圓周上。複數根支撐銷22例如於圓周方向上大致等角度間隔地被配置。在圖4所示之例子中，複數根支撐銷22之數量為30個。複數根支撐銷22係從基座面211朝上方突出的突起部。各支撐銷22的形狀例如為大致半球狀。複數根支撐銷22被固定於基座部21，相對於基座部21不相對地移動。於基板保持部2中，複數根支撐銷22接觸於基板9之下表面92的外周部，將基板9從下側加以支撐。藉此，基板保持部2以複數根支撐銷22接觸於基板9之外周部，並且在未接觸於基板9之下表面92之中央部的狀態下，將基板9以大致水平狀態加以保持。
氣體供給部23具備有被設於基座部21之基座面211的複數個氣體送出口232。複數個氣體送出口232當於俯視時與基板9重疊之位置，從基板9之下表面92朝下方被分開配置。複數個氣體送出口232於從中心軸J1朝向徑向外側分開的位置上，沿著圓周方向一邊相互地分開一邊被排列。複數個氣體送出口232被配置於以中心軸J1為中心之相同的圓周上。複數個氣體送出口232的數量例如為150個。複數個氣體送出口232被配置於較複數根支撐銷22更徑向內側。複數個氣體送出口232被配置於基板9之外周部的下方。於圖5及圖6所示之例子中，氣體送出口232被設於形狀為大致V字狀之環狀溝之徑向內側的側面，而該環狀溝被形成於基座面211之縱剖面上。從垂直於該側面之方向所觀察氣體送出口232的形狀，例如為大致圓形。各氣體送出口232經由被設於基座部21之內部的氣體流路231，被連接至後述之氣體供給源235(參照圖7)。
於氣體供給部23中，氣體從複數個氣體送出口232，被送出至基板9之下表面92與基座部21之基座面211之間的空間(以下亦稱為「下方空間90」)。該氣體例如為氮氣等的惰性氣體、或空氣等。該氣體例如為高壓氣體或壓縮氣體。從複數個氣體送出口232被供給至下方空間90的氣體，沿著基板9之下表面92朝向徑向外方流動。藉此，於下方空間90中形成從徑向中央部(以下亦簡稱為「中央部」)朝向徑向外方的氣流，藉由該氣流之白努利效果而於下方空間90產生壓力下降。其結果，基板9則被吸附於基板保持部2。換言之，下方空間90的氣壓則低於基板9之上方的氣壓(即成為負壓)，基板9並藉由上下之氣壓差而被按壓於基板保持部2的複數根支撐銷22，使其位置被固定(即被保持)。在基板9由基板保持部2所保持之狀態下，基座部21及複數個氣體送出口232從基板9朝下方分開，而與基板9呈非接觸狀態。
於圖5及圖6所示之例子中，被設在基座部21內部之氣體流路231中靠近氣體送出口232的部位，朝向氣體送出口232往徑向外方且上方傾斜地延伸。因此，從氣體送出口232被送出至下方空間90之氣體，則從氣體送出口232朝向徑向外方且上方流動，並沿著基板9之下表面92朝向徑向外方大致水平地流動。藉此，如上述般，於下方空間90形成從中央部朝向徑向外方的氣流，藉由複數根支撐銷22從下方被支撐的基板9，則藉由白努利效果朝向下方被吸引而由基板保持部2所保持。
在基板保持部2中，若從複數個氣體送出口232所送出之氣體的流量變大，則作用於基板9之向下的吸引力亦變大。再者，在基板9未被吸附於基板保持部2之狀態下，基板9可容易地從複數根支撐銷22朝向上方分開，而且亦可在與複數根支撐銷22接觸之狀態下大致水平地移動(即，在複數根支撐銷22上朝側方滑動)。
如圖4及圖6所示，基板保持部2進一步具備有複數根升降銷24、及複數根定心銷25。複數根升降銷24於基板9相對於基板處理裝置1之搬出搬入時，在複數根支撐銷22之間進行基板9的交接。複數根定心銷25，藉由將被載置於複數根支撐銷22上且未被吸附之狀態之基板9的外周緣沿著水平方向推壓，以調節基板9的水平位置。
複數根升降銷24於基座部21之基座面211的外周部，沿著圓周方向一邊相互地分開一邊被排列。複數根升降銷24被配置於以中心軸J1為中心之相同的圓周上。複數根升降銷24例如於圓周方向上以大致等角度間隔地被配置。於圖4所示之例子中，複數根升降銷24的數量為6個。複數根升降銷24位在較複數根支撐銷22稍微徑向外側。複數根升降銷24從基座面211朝上方突出。各升降銷24的形狀例如為大致圓柱狀。在升降銷24之上部，徑向內側的部位被切缺，並以該上部接觸於基板9之下表面92及外周緣(即側面)。亦即，升降銷24中之徑向外側的部位，位於較基板9之外周緣更徑向外側。
複數根升降銷24可相對於基座部21之基座面211沿著上下方向進行相對移動。複數根升降銷24於較複數根支撐銷22更上側，接收基板9並加以保持。然後，藉由複數根升降銷24與基板9一起下降，基板9則被交接複數根支撐銷22。又，複數根升降銷24從較複數根支撐銷22更下側上升而將基板9加以保持，且藉由進一步上升，基板9則從複數根支撐銷22被交接複數根升降銷24。
複數根定心銷25於基座部21之基座面211的外周部，沿著圓周方向一邊相互地分開一邊被排列。複數根定心銷25被配置於以中心軸J1為中心之同一圓周上。複數根定心銷25例如於圓周方向上大致等角度間隔地被配置。在圖4所示之例子中，複數根定心銷25的數量為6個。複數根定心銷25位於稍微較複數根支撐銷22及複數根升降銷24更徑向之外側。又，複數根定心銷25位於較基板9之外周緣更徑向外側。複數根定心銷25係分別從基座面211朝上方突出的銷。
在圖6所示之例子中，定心銷25具備有大致圓柱狀的銷下部251、及從銷下部251之上端朝上方突出之大致圓柱狀的銷上部252。銷上部252較銷下部251為細(即垂直於上下方向之剖面的直徑較小)，且在從銷下部251之中心軸J2朝向徑向偏心的位置，被固定於銷下部251。銷下部251位在上下方向上較基板9之下表面92更下側。銷上部252位在上下方向上與基板9大致相同之位置。銷下部251及銷上部252位在較基板9之外周緣更徑向外側。銷下部251之徑向內側的部位在俯視時與基板9重疊。銷上部252一邊從基板9之外周緣沿著徑向分開一邊於徑向上與該外周緣相對向。
各定心銷25之銷下部251經由沿著上下方向貫通基座部21之軸桿253，被連接於銷旋轉機構254。銷旋轉機構254例如係電動旋轉式馬達。藉由軸桿253由銷旋轉機構254所旋轉，定心銷25在基座部21之基座面211上以沿著上下方向延伸之中心軸J2為中心進行旋轉。藉此，銷上部252之徑向的位置則變化。於基板保持部2中，複數根定心銷25分別藉由在使銷上部252接觸於基板9之外周緣的狀態下進行旋轉，基板9於複數根支撐銷22上沿著水平方向滑動，而調節基板9之水平方向的位置。
如圖4至圖6所示，基板保持部2進一步具備有分離板26。分離板26係以中心軸J1為中心之大致圓環狀的構件，遍及全周地包圍基板9的周圍。分離板26被配置於較基板9之外周緣更徑向外側，被固定於基座部21之基座面211上。分離板26之內周緣遍及全周地位於較基板9之外周緣更徑向外側。於俯視時，在分離板26的內周緣與基板9的外周緣之間，設有大致圓環狀之環狀間隙263。環狀間隙263之徑向的寬度，例如為1mm以上且2mm以下。
分離板26之內周緣與基板9之外周緣，位在上下方向之大致相同位置。亦即，分離板26之內周緣與基板9之外周緣，於徑向上一邊相互地分開一邊相對向。分離板26之上表面261，位在與基板9之上側之主表面(以下亦稱為「上表面91」)在上下方向上相同的位置、或者位在稍微較基板9之上表面91更下側。分離板26之上表面261從分離板26之內周緣朝向徑向外方大致水平地擴展，而且朝向徑向外方且下方擴展，到達分離板26的外周緣。分離板26之外周緣與基座部21之外周緣(即基座面211之外周緣)，於俯視時大致相重疊。
分離板26被配置於從基座部21之基座面211朝上方分開的位置，經由複數個分離板支撐部212而被固定於基座部21之基座面211。各分離板支撐部212例如係從基座面211朝上方突出之大致圓柱狀的構件，被連接於分離板26之下表面262而將分離板26從下側加以支撐。複數個分離板支撐部212於基座部21之基座面211的外周部，沿著圓周方向一邊相互地分開一邊被排列。複數個分離板支撐部212例如被配置於以中心軸J1為中心之相同的圓周上。複數個分離板支撐部212例如於圓周方向大致等角度間隔地被配置。複數個分離板支撐部212的數量例如為6個。複數個分離板支撐部212例如被配置於與複數根定心銷25於圓周方向大致相同的位置。分離板支撐部212之圓周方向的位置，不一定必須與定心銷25之圓周方向的位置相同，其可適當地變更。於分離板26的下表面262與基座部21的基座面211之間，設有大致圓環狀的間隙(以下亦稱為「環狀流路264」)。
在圖5所示之例子中，基座部21之基座面211從中心軸J1朝向徑向外方大致水平地擴展，並於設有複數個氣體送出口232之位置，成為朝向徑向外方且下方擴展的傾斜面。基座面211從該傾斜面之下端朝向徑向外方且上方擴展，並於設有支撐銷22之位置，朝向徑向外方大致水平地擴展。基座面211於支撐銷22之徑向外側，成為朝向徑向外方且下方擴展的傾斜面。該傾斜面係隨著朝向徑向外方而急遽地朝向下方的面，位在基板9之外周緣的大致鉛直下方。基座面211成為從該傾斜面之下端朝向徑向外方大致水平地擴展的水平面，並於從環狀間隙263及分離板26朝下方分開的位置上，與環狀間隙263及分離板26的下表面262沿著上下方向相對向。基座面211成為從該水平面之徑向外端朝向徑向外方且下方擴展之傾斜面，直至基座部21的外周緣。
分離板26之下表面262，從分離板26之內周緣朝向徑向外方且下方擴展，直至分離板26的外周緣。換言之，分離板26之下表面262係隨著朝向徑向外方而朝向下方的傾斜面。在圖5所示之例子中，分離板26之下表面262，從分離板26之內周緣朝向徑向外方且下方擴展，並於分離板26之徑向中央部朝向大致鉛直下方擴展，而且朝向徑向外方且下方擴展，直至分離板26的外周緣。環狀流路264之上下方向的高度(即基座面211與分離板26的下表面262之間之上下方向的距離)，於分離板26的內周緣與徑向中央部之間大致固定，於分離板26之徑向中央部急遽地減少，並於分離板26的徑向中央部與外周緣之間大致固定。
在圖5所示之例子中，於基板9與複數根支撐銷22相接觸之徑向位置的下方空間90之上下方向的高度(即基座面211與基板9的下表面262之間之上下方向的距離)，係小於分離板26之內周緣上之環狀流路264之上下方向的高度。如上述般，基座面211由於具有位在基板9之外周緣大致鉛直下方之險峻的傾斜面213，因此下方空間90於基板9之外周緣大致鉛直下方，上下方向的高度被急遽地擴大，而連續至環狀流路264。換言之，下方空間90於較複數根支撐銷22更徑向外側且較分離板26之內周緣更徑向內側(即環狀間隙263附近)，將上下方向的高度急遽地擴大，且連續至環狀流路264。再者，傾斜面213亦可位在較複數根支撐銷22更徑向外側且較基板9之外周緣更徑向內側。
如圖4所示，於分離板26之內周緣，在各定心銷25附近形成大致半圓狀的開口部265(即切缺部)，以嵌入開口部265之方式被配置定心銷25。在圖6所示之例子中，定心銷25之上端部被插入分離板26之開口部265。定心銷25之上端位在分離板26之上表面261中，其與開口部265周圍之區域在上下方向大致相同的位置。定心銷25之上端亦可位在分離板26之上表面261中，較開口部265周圍的區域更下側。
圖2所示之基板旋轉機構33被配置於基板保持部2之下方。基板旋轉機構33以中心軸J1為中心將基板9與基板保持部2一起旋轉。基板旋轉機構33具備有軸桿331、及馬達332。軸桿331係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀的構件。軸桿331朝上下方向延伸地被連接至基板保持部2之基座部21的下表面中央部。馬達332係使軸桿331旋轉之電動旋轉式馬達。藉由馬達332使軸桿331旋轉，被連接於軸桿331之基座部21及被固定於基座部21之分離板26被一起旋轉。再者，基板旋轉機構33亦可具備具有其他構造之馬達(例如中空馬達等)。
杯部4具備有以中心軸J1為中心之環狀的杯體41。杯體41在基板9及基板保持部2之周圍遍及全周地被配置，覆蓋基板9及基板保持部2的側方。杯體41係承接從旋轉中基板9朝向周圍飛散之處理液等液體的液體承接容器。杯體41無論是基板保持部2在旋轉及靜止，於圓周方向上均靜止而不旋轉。於杯體41之底部設有將由杯體41所承接之處理液等朝向腔室11之外部排出的排液埠(省略圖示)。
杯體41藉由省略圖示之升降機構而沿著上下方向移動。該升降機構例如具備有電動線性馬達、氣缸、或滾珠螺桿及電動旋轉式馬達。杯部4亦可具備有沿著徑向被積層之複數個杯體41。於杯部4具備有複數個杯體41時，複數個杯體41可分別獨立地沿著上下方向移動，且對應於從基板9飛散之處理液的種類，而可切換複數個杯體41以用於處理液之液體承接。
圖2所示之處理部51係對基板9之上表面91供給處理液(例如洗淨液)的處理液供給部。處理部51具備有朝向基板9之上表面91吐出處理液的上噴嘴511。上噴嘴511例如係將處理液與氣體混合並將該處理液朝向基板9之上表面91進行噴霧的雙流體噴嘴。於處理部51中，處理液會因為與氣體的高速流動碰撞而被粉碎，而以被微粒化的狀態高速地被吹抵至基板9之上表面91。藉此，其對基板9之上表面91進行物理性的洗淨，以去除附著於基板9之上表面91的異物。該處理液例如係DIW(去離子水)或CO 2水。該氣體例如係氮氣等之惰性氣體、或空氣等。該氣體例如係高壓氣體或壓縮氣體。
處理部移動機構52係將處理部51之上噴嘴511在基板9上方之空間大致水平地擺動的擺動機構。處理部移動機構52具備有臂521、及臂旋轉機構522。臂521係大致水平地延伸之棒狀構件。於臂521之一端部固定有上噴嘴511，而另一端部被連接至位在杯部4之徑向外側的臂旋轉機構522。臂旋轉機構522以沿著上下方向延伸之旋轉軸為中心使臂521大致水平地旋轉。
處理部移動機構52使對旋轉中之基板9吐出處理液的上噴嘴511在第一位置與第二位置之間往返移動；該第一位置沿著上下方向與基板9之上表面91的中央部相對向；而該第二位置位在較該第一位置更徑向外側。該第二位置較佳係沿著上下方向與基板9之上表面91的外周部相對向。藉此，遍及基板9之上表面91的大致全面，被進行上述之物理性的洗淨處理。當洗淨處理結束，處理部移動機構52則將處理部51從基板9上方之空間，朝向較基板9之外周緣更徑向外側的退避位置移動。處理部移動機構52之臂旋轉機構522，例如具備有電動旋轉式馬達。處理部移動機構52亦可具有其他構造。
圖7係用以說明基板處理裝置1中之氣體及液體供給之構成的方塊圖。於圖7中，被示意性地描繪各構成，其與圖2、圖4至圖6所示之基板處理裝置1的構造並不一定一致。上噴嘴511經由配管513及閥514被連接至處理液供給源515。上噴嘴511亦經由配管516及閥517被連接至氣體供給源518。於處理部51中，閥514、517藉由控制部8(參照圖2)控制所開啟，則被利用於基板9之洗淨處理的處理液及氣體被供給至雙流體噴嘴即上噴嘴511，被微粒化之處理液則從上噴嘴511朝向基板9之上表面91被噴霧。
氣體供給部23之氣體流路231經由配管233及閥234被連接至氣體供給源235。於基板保持部2中，閥234藉由控制部8控制所開啟，則被利用於基板9之吸附的氣體被供給至氣體流路231，而從複數個氣體送出口232被噴出。
再者，當被供給至上噴嘴511的氣體與被供給至基板保持部2之氣體流路231的氣體為相同種類之情形時，一個氣體供給源可被作為氣體供給源518及氣體供給源235而被共用。
圖8係表示由基板處理裝置1所處理之基板9之一例的俯視圖。圖9係將圖8之基板9於IX-IX之位置剖開所得的剖視圖。於圖9中，基板9之厚度被描繪成比實際還厚。圖8及圖9所示之基板9具有周緣部94、及主體部95。於圖8中，以細線來表示周緣部94與主體部95的界線。周緣部94包含基板9之外周緣，並且係在俯視時沿著該外周緣之大致圓環狀的部位。主體部95係位於周緣部94之徑向內側在俯視時，大致圓形的部分。主體部95從周緣部94之內周緣朝向徑向內方擴展。主體部95之周圍遍及全周地由周緣部94所包圍。例如，基板9之直徑為300mm，主體部95之直徑為290mm以上且296mm以下，而周緣部94之徑向上的寬度為2mm以上且5mm以下。
基板9之上表面91，於主體部95較周緣部94朝下方凹陷。基板9之下表面92位於與主體部95及周緣部94在上下方向上大致相同的位置。亦即，於基板9，主體部95之上方的空間係凹部。主體部95處之基板9的厚度例如為200μm以下。亦即，基板9係徑向中央部之厚度為200μm以下的薄型基板。主體部95處之基板9的厚度例如為10μm以上且200μm以下。周緣部94處之基板9的厚度例如為600μm以上且1000μm以下。基板9例如相對於具有大致均勻厚度之基板，係藉由對相當於主體部95的部位進行研磨切削(grind)處理所形成。
圖10係表示基板處理裝置1中對基板9處理之流程圖。於基板處理裝置1中，首先，基板9由圖2所示之基板保持部2所保持 (步驟S11)。基板保持部2如上述般，以複數根支撐銷22接觸於基板9之下表面92的外周部，並且在與基板9之下表面92的中央部，藉由從氣體供給部23所送出之氣體的白努利效果，以非接觸之狀態將基板9保持為水平狀態。於基板保持部2中，圖5所示之下方空間90的氣體，通過基板9之外周緣的下方朝向徑向外方流出，並通過環狀間隙263之下方朝向環狀流路264流入。然後，該氣體係於環狀流路264內朝向徑向外方流動，而從環狀流路264之外周緣(即基板保持部2之外周緣)朝向徑向外方流出，並朝向杯部4(參照圖2)之內部流入。
如圖2所示，若基板9由基板保持部2所保持，基板9便藉由基板旋轉機構33而以中心軸J1為中心與基板保持部2一起被旋轉(步驟S12)。然後，從上噴嘴511，開始處理液對旋轉中之基板9之上表面91的噴霧。上噴嘴511藉由處理部移動機構52，在第一位置與第二位置之間持續地被往返移動，該第一位置與基板9之上表面91的中央部沿著上下方向相對向，而該第二位置位於較第一位置更徑向外側。第二位置例如係與供複數根支撐銷22配置之假想的圓周沿著上下方向相對向的位置。藉此，進行對基板9之上表面91之物理性的洗淨處理(步驟S13)。
被供給至旋轉中之基板9之上表面91的處理液，藉由離心力而從基板9之中央部朝向外周緣移動。該處理液從基板9之外周緣通過環狀間隙263之上方朝向分離板26之上方移動而傳送至分離板26之上表面261、或者通過分離板26之上表面261之上方朝向徑向外方移動。藉此，由於可抑制該處理液移動至較基板9之下表面92更下側的情形，因此可抑制處理液朝向基板9之下表面92的附著。於分離板26上朝向徑向外方移動的處理液，被從分離板26之外周緣(即基板保持部2之外周緣)朝向徑向外方飛散，而由杯部4所承接。
如以上所說明，基板處理裝置1具備有：基板保持部2、基板旋轉機構33、及處理液供給部(即處理部51)。基板保持部2將基板9保持為水平狀態。基板旋轉機構33以沿著上下方向延伸之中心軸J1為中心使基板保持部2旋轉。處理部51對基板9之上表面91供給處理液。基板保持部2具備有基座部21、複數根支撐銷22、氣體供給部23、及環狀的分離板26。基座部21具有基座面211。基座面211與基板9之下表面92相對向且從基板9之外周緣朝向徑向外方延伸。複數根支撐銷22於基座面211上沿著圓周方向被排列，並且從基座面211朝上方突出。複數根支撐銷22接觸於基板9之下表面92的外周部。氣體供給部23對基板9的下表面92與基座部21的基座面211之間送出氣體，形成朝向徑向外方的氣流。分離板26於基座部21之基座面211上，被配置於較基板9之外周緣更徑向外側，將基板9之周圍加以包圍。
分離板26之內周緣與基板9之外周緣，於徑向上一邊相互分開一邊相對向。分離板26之上表面261位在與基板9之上表面91於上下方向上相同的位置、或者位在較基板9之上表面91更下側。於分離板26的下表面262與基座部21的基座面211之間，設有環狀流路264。分離板26被固定於基座部21，藉由基板旋轉機構33與基座部21一起被旋轉。
藉此，如上所述，從基板9與基座部21之間的下方空間90朝向徑向外方流出的氣體，則通過環狀間隙263之下方朝向環狀流路264流入，並朝向徑向外方流動。另一方面，被供給至旋轉中基板9之上表面91的處理液，則通過環狀間隙263之上方朝向分離板26的上方移動，並通過分離板26之上方朝向徑向外方飛散。因此，由於其可抑制基板9之上表面91上的處理液與從基板9之外周緣飛散的處理液等繞向基板9之下方的情形，因此可抑制處理液朝向基板9之下表面92的附著。
如上所述，基板保持部2較佳係藉由上述氣流之白努利效果而於基板9與基座部21之間的空間(即下方空間90)產生壓力下降，來吸附基板9。如此，在藉由白努利卡盤來保持基板9之基板處理裝置1中，由於下方空間90成為負壓，因此處理液容易因為該負壓而發生繞向基板9之下表面的情形。如上述般，在基板處理裝置1中，由於可抑制處理液繞向基板9之下方的情形，因此基板處理裝置1之構造特別可適於具有白努利卡盤之基板處理裝置。
如上所述，分離板26之下表面262較佳係隨著朝向徑向外方而朝向下方之傾斜面。藉此，可將從基板9與基座部21之間的下方空間90朝向徑向外方流出的氣體，從基板9之外周緣附近朝向斜下方導引。其結果，由於可使基於白努利效果之基板9的吸附力增大，因此可穩固地保持基板9。
如上所述，較佳係基板9與複數根支撐銷22接觸之徑向位置的基板9之下表面92與基座面211之間在上下方向上的距離，小於分離板26內周緣下方的分離板26下表面262與基座面211之間在上下方向的距離。如此，於基板9之外周緣附近，藉由使從基板9與基座部21之間的下方空間90朝向徑向外方流出之氣體之流路的截面積增大，可使氣體的流速減低。藉此，於基板9之外周緣附近(即環狀間隙263附近)，可抑制因該氣體之流動所引起之壓力下降。其結果，可抑制通過環狀間隙263之上方的處理液基於該壓力下降而經由環狀間隙263朝向基板9之下方被吸入的情形。因此，其可進一步抑制處理液朝向基板9之下表面92的附著。
如上所述，基板保持部2進一步具備有銷(在上述例子中為定心銷25)，該銷於較基板9更徑向外側從基座面211朝上方突出。該銷之上端部較佳係被插入在分離板26所設置之開口部265，且該銷之上端位於分離板26之上表面261與開口部265周圍之區域在上下方向的相同位置、或者位於較該區域更下側。藉此，其可抑制從基板9之外周緣朝向徑向外方飛散之處理液與該銷碰撞的情形，而可抑制處理液因為與該銷之碰撞而朝向徑向內方(即朝向基板9)彈回的情形。其結果，可進一步抑制處理液朝向基板9之下表面92的附著。
於上述之基板處理裝置1中，可進行各種變更。
例如，支撐銷22之數量及形狀並非被由上述例子所限定者，其可進行各種變更。升降銷24及定心銷25亦同。
複數根定心銷25之上端亦可位於分離板26之上表面261之中，較開口部265之周圍的區域更上側。換言之，複數根定心銷25亦可從分離板26之上表面261朝上方突出。
於基板保持部2中，氣體送出口232的數量、形狀及配置並非被上述例子所限定者，其可進行各種變更。例如，氣體送出口232之數量亦可為一個。於該情形時，例如，在與基板9之下表面92中央部沿著上下方向相對向的位置，既可為俯視時形狀為大致圓形的一個氣體送出口232被設於中心軸J1上、或者亦可為俯視時呈大致圓環狀的一個氣體送出口232被設於中心軸J1的周圍。
於基板保持部2中，基座面211的形狀並不受由上述例子所限定，其可進行各種變更。又，分離板26之上表面261及下表面262的形狀亦不被由上述例子所限定，而可進行各種變更。例如，分離板26之下表面262並不一定有隨著朝向徑向外方而朝向下方之傾斜面的必要，而其亦可為大致水平地擴展的面。
在基板9與複數根支撐銷22接觸之徑向位置之下方空間90的高度，亦可為分離板26之內周緣之下方之環狀流路264的高度以上。
於基板處理裝置1中，亦可當在基座部21之中央部(即基板9之中央部的下方)設有下部噴嘴之情形時，氣體在藉由白努利效果而於下方空間90產生壓力下降之狀態下，從該下部噴嘴與基座部21之間的間隙等以小流量流入至下方空間90。
於基板處理裝置1中，基板保持部2不一定被限定為白努利卡盤，例如亦可為機械性卡盤等。於該情形時，來自氣體供給部23之氣體，則基於例如利用該氣體對下方空間90進行沖洗等的目的，被供給至下方空間90之徑向中央部等，而形成朝向徑向外方的氣流。
由基板處理裝置1所處理之基板9，不一定有係如圖8及圖9所示之主體部95較周緣部94更薄之基板的必要，例如其亦可為厚度大致遍及全面地大致均等的基板。又，基板9的厚度、直徑及形狀亦可進行各種變更。
基板處理裝置1除了半導體基板以外，亦可被利用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence；電致發光)顯示裝置等之平面顯示裝置(Flat Panel Display)所使用之玻璃基板、或其他顯示裝置所使用之玻璃基板的處理。又，上述之基板處理裝置1亦可被利用於光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽能電池用基板等的處理。
上述實施形態及各變形例中之構成，只要不相互矛盾則可被適當地加以組合。
以上雖已對本發明詳細地描述並進行說明，但上述之說明係例示性者而非限定性者。因此，只要不脫離本發明的範圍，其可實施多種變形及態樣。
1:基板處理裝置 2:基板保持部 4:杯部 8:控制部 9:基板 10:基板處理系統 11:腔室 12:氣流形成部 21:基座部 22:支撐銷 23:氣體供給部 24:升降銷 25:定心銷 26:分離板 33:基板旋轉機構 41:杯體 51:處理部 52:處理部移動機構 81:處理器 82:記憶體 83:輸入輸出部 84:匯流排 85:鍵盤 86:滑鼠 87:顯示器 90:下方空間 91:(基板之)上表面 92:(基板之)下表面 94:周緣部 95:主體部 101:分度區塊 102:處理區塊 104:載具保持部 105:分度機器人 106:IR移動機構 107:載具 108:處理單元 109:中央機器人 211:基座面(主表面) 212:分離板支撐部 213:傾斜面 231:氣體流路 232:氣體送出口 233:配管 234:閥 235:氣體供給源 251:銷下部 252:銷上部 253:軸桿 254:銷旋轉機構 261:(分離板之)上表面 262:(分離板之)下表面 263:環狀間隙 264:環狀流路 265:開口部 331:軸桿 332:馬達 511:上噴嘴 513:配管 514:閥 515:處理液供給源 516:配管 517:閥 518:氣體供給源 521:臂 522:臂旋轉機構 J1:中心軸 J2:中心軸
圖1係表示一實施形態之基板處理系統的俯視圖。 圖2係表示基板處理裝置之構成的側視圖。 圖3係表示控制部之構成圖。 圖4係表示基板保持部的俯視圖。 圖5係表示基板保持部之一部分的剖視圖。 圖6係表示基板保持部之一部分的剖視圖。 圖7係用以說明氣體及液體之供給之構成的方塊圖。 圖8係表示基板的俯視圖。 圖9係表示基板的剖視圖。 圖10係表示對基板之處理之流程圖。
2:基板保持部
9:基板
21:基座部
22:支撐銷
23:氣體供給部
26:分離板
90:下方空間
91:(基板之)上表面
92:(基板之)下表面
211:基座面(主表面)
213:傾斜面
231:氣體流路
232:氣體送出口
261:(分離板之)上表面
262:(分離板之)下表面
263:環狀間隙
264:環狀流路
J1:中心軸

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，係處理基板者；其具備有：基板保持部，其將基板以水平狀態加以保持；基板旋轉機構，其以沿著上下方向延伸之中心軸為中心使上述基板保持部旋轉；及處理液供給部，其對上述基板之上表面供給處理液；上述基板保持部具備有：基座部，其具有對向於上述基板之下表面並且從上述基板之外周緣朝向徑向外方延伸的基座面；複數根支撐銷，其等在上述基座面上沿著圓周方向被排列，並且從上述基座面朝上方突出，接觸於上述基板之下表面的外周部；氣體供給部，其對上述基板的下表面與上述基座部的上述基座面之間送出氣體，而形成朝向徑向外方的氣流；及環狀之分離板，其於上述基座部之上述基座面上被配置於較上述基板之外周緣更徑向外側，包圍上述基板的周圍；上述分離板之內周緣與上述基板之上述外周緣於徑向上一邊相互地分開一邊相對向；上述分離板之上表面位於與上述基板之上表面在上下方向相同的位置、或較上述基板之上表面更下側；於上述分離板的下表面與上述基座部的上述基座面之間設有環狀流路；且上述分離板被固定於上述基座部，藉由上述基板旋轉機構而與上述基座部一起被旋轉。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述基板保持部藉由上述氣流之白努利效果，在上述基板與上述基座部之間的空間產生壓力下降而吸附上述基板。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述分離板之下表面係隨著朝向徑向外方而朝向下方的傾斜面。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，在上述基板與上述複數根支撐銷接觸之徑向位置的上述基板之下表面與上述基座面之間之上下方向距離，為小於在上述分離板之上述內周緣下方的上述分離板之下表面與上述基座面之間之上下方向距離。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述基板保持部進一步具備有銷，該銷在較上述基板更徑向外側，從上述基座面朝上方突出；上述銷之上端部被插入在上述分離板所設之開口部；上述銷之上端位於上述分離板之上表面中與上述開口部之周圍區域在上下方向相同的位置、或較上述區域更下側。
TW111134830A 2021-09-22 2022-09-15 基板處理裝置 TWI825994B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021154038A JP2023045549A (ja) 2021-09-22 2021-09-22 基板処理装置
JP2021-154038 2021-09-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202320203A TW202320203A (zh) 2023-05-16
TWI825994B true TWI825994B (zh) 2023-12-11

Family

ID=85770840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111134830A TWI825994B (zh) 2021-09-22 2022-09-15 基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230290670A1 (zh)
JP (1) JP2023045549A (zh)
CN (1) CN115910849A (zh)
TW (1) TWI825994B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202115773A (zh) * 2019-07-19 2021-04-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法
TW202116126A (zh) * 2019-09-20 2021-04-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
TW202125685A (zh) * 2019-11-27 2021-07-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
TW202131437A (zh) * 2017-05-18 2021-08-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
TW202133249A (zh) * 2020-01-31 2021-09-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202131437A (zh) * 2017-05-18 2021-08-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
TW202115773A (zh) * 2019-07-19 2021-04-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法
TW202116126A (zh) * 2019-09-20 2021-04-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
TW202125685A (zh) * 2019-11-27 2021-07-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
TW202133249A (zh) * 2020-01-31 2021-09-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230290670A1 (en) 2023-09-14
CN115910849A (zh) 2023-04-04
TW202320203A (zh) 2023-05-16
JP2023045549A (ja) 2023-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9508567B2 (en) Cleaning jig and cleaning method for cleaning substrate processing apparatus, and substrate processing system
CN109390252B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
CN111446150B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
KR102091726B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5726686B2 (ja) 液処理装置、及び液処理装置の制御方法
KR20120103465A (ko) 2 유체 노즐, 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
US10546763B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
JP5580805B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
TWI825994B (zh) 基板處理裝置
CN115565925A (zh) 基板处理装置和防雾件的清洗方法
JP7187268B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN110076119B (zh) 基板处理方法
TW202342188A (zh) 基板處理裝置
JP2023045548A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2023035431A (ja) 保持機構、及び加工装置
JP5824225B2 (ja) 基板処理装置
JP5970102B2 (ja) 液処理装置
TW202213607A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2024044924A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR20230012426A (ko) 기판 세정 장치, 기판 세정 시스템, 기판 처리 시스템, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법
KR101582566B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW202221767A (zh) 下表面刷、刷基座及基板洗淨裝置
JP2024044905A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
CN112133663A (zh) 保持装置
KR101236806B1 (ko) 기판 연마 장치 및 방법