CN110752171B - 晶圆弯曲度调整装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置和方法。对设置在圆弯曲度调整装置的固定本体上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度；所述加热部件设置在所述固定本体上。如此，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。

Description

晶圆弯曲度调整装置及方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆弯曲度调整装置及方法。
背景技术
在半导体的制造过程中，需要在晶圆的正面进行多层薄膜沉积处理以及对沉积的多层薄膜进行刻蚀处理。这些工艺处理，会导致晶圆产生弯曲，晶圆弯曲度(英文表达为bow)过大会导致一系列不良的后果。因此控制晶圆弯曲度在合理范围内具有巨大的经济效益和研究价值。
相关技术中，一般通过在晶圆背面沉积特定的薄膜(如，氮化硅薄膜、氧化硅薄膜等)以及对沉积的薄膜进行刻蚀处理来改善晶圆的应力，以调整晶圆的弯曲度。然而，相关技术中，对晶圆弯曲度的调整仅能以晶圆表面所在平面为单位进行晶圆弯曲度的调整。并不能选择调整的方向，即对晶圆弯曲度的调整并不能精确到晶圆表面所在平面上的某个特定方向上。
发明内容
为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种晶圆弯曲度调整装置和方法，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。
本发明实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：
固定本体，对晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，所述晶圆设置在所述固定本体上；
加热部件，设置在所述固定本体上；在对所述晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。
上述方案中，所述晶圆以待进行刻蚀的表面向上的方式设置在所述固定本体上，且所述晶圆与所述固定本体的上表面之间形成有中空结构；所述加热部件设置在所述固定本体的上表面上；所述固定本体上表面所在的圆的第一直径大于所述晶圆表面所在圆的第二直径。
上述方案中，所述加热部件包含多个加热子部件，所述固定本体上表面被划分成多个子区域；所述多个加热子部件按预设规则设置在所述多个子区域上。
上述方案中，所述固定本体的圆形上表面被划分成多对两两对称的扇形子区域；所述多个加热子部件对称地、间距均匀地设置在所述多个两两对称的扇形子区域上；通过调整相应扇形子区域上加热子部件的加热功率改变所述晶圆上位于所述第一方向部分的温度。
上述方案中，所述加热子部件为加热功率能够调整的发热灯。
上述方案中，所述固定本体上表面上设置有孔结构，所述加热部件通过所述孔结构设置在所述固定本体上。
上述方案中，所述加热部件通过粘接的方式设置在所述固定本体上。
上述方案中，所述装置还包含第一标记部件，所述第一标记部件设置在所述固定本体的上表面上，当所述晶圆设置在所述固定本体上时，所述第一标记部件与第二标记部件对齐；所述第二标记部件设置在所述晶圆上。
本发明实施例还提供了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：
对设置在圆弯曲度调整装置的固定本体上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度；所述加热部件设置在所述固定本体上。
上述方案中，所述固定本体的圆形上表面被划分成个多对两两对称的扇形子区域；通过调整相应扇形子区域上加热子部件的加热功率改变所述晶圆上位于所述第一方向部分的温度，以调整所述晶圆表面上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度。
本发明实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置及方法，对设置在圆弯曲度调整装置的固定本体上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度；所述加热部件设置在所述固定本体上。本发明实施例在对所述晶圆表面上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热部件，可以调整晶圆沿特定方向的温度分布，通过晶圆沿特定方向温度的不同使薄膜在晶圆沿特定方向上的刻蚀速率不同，从而使在晶圆表面上特定方向上薄膜的刻蚀厚度不同，进而使得留存在所述晶圆表面上特定方向上的薄膜厚度不同，而特定方向上不同的薄膜厚度，可以在晶圆特定方向上产生不同的应力调整，如此，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。
附图说明
图1为本发明应用实施例晶圆的表面所在平面的X轴方向或Y轴方向以及第二标记部件示意图；
图2为相关技术中各工艺处理对晶圆整体弯曲度及晶圆X-Y弯曲度的影响的示意图；
图3a为相关技术中利用SiN薄膜调整晶圆正向弯曲度的示意图；
图3b为相关技术中利用SiO2薄膜调整晶圆负向弯曲度的示意图；
图4为相关技术中晶圆上的SIN薄膜厚度与晶圆弯曲度之间的关系的示意图；
图5为本发明实施例晶圆弯曲度调整装置的结构组成示意图；
图6为本发明实施例晶圆弯曲度调整装置中固定本体与晶圆相对位置关系的示意图；
图7a为相关技术中固定本体的示意图；
图7b为本发明实施例晶圆弯曲度调整装置中固定本体、加热部件以及第一标记部件的设置位置示意图；
图8为本发明实施例刻蚀工艺处理对晶圆整体弯曲度及晶圆X-Y弯曲度的影响的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对发明的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，本发明实施例中提到的X方向是指晶圆表面所在平面的X轴方向；本发明实施例中提到的Y方向是指晶圆表面所在平面的Y轴方向。
相关技术中，可以通过晶圆弯曲度测试设备测量得到晶圆的弯曲度情况，一般晶圆的弯曲度情况至少会采用晶圆两方面的弯曲度来表征，即晶圆整体弯曲度和晶圆X-Y弯曲度；其中，晶圆整体弯曲度表征了晶圆在整个表面上均体现出的弯曲度变化情况；晶圆X-Y弯曲度表征了晶圆在X方向及Y方向上体现出的弯曲度的一致性情况。晶圆X-Y弯曲度包括一个X方向弯曲度和一个Y方向弯曲度，其中，X方向弯曲度指晶圆在X方向上体现出的弯曲度变化情况，Y方向弯曲度指晶圆在Y方向上体现出的弯曲度变化情况。
相关技术中，各工艺处理对晶圆整体弯曲度及晶圆X-Y弯曲度的影响的示意图如图2所示。首先，由于功能需求，如，连线功能、阻挡功能等，在晶圆的正面进行了多层薄膜沉积处理，处理后晶圆表现出晶圆整体弯曲度变化，但此时X方向弯曲度与Y方向弯曲度一致，不存在差异。因此，在接下来的工艺处理中，通过在该晶圆的背面进行特定薄膜的沉积(即通过特定薄膜调整应力)来消除晶圆整体弯曲度变化。接下来，由于功能需求，又在该晶圆的正面进行了干法刻蚀，由于刻蚀处理在晶圆表面不同方向形成了不同的槽结构分布，此时，晶圆表现出晶圆整体弯曲度变化，且同时X方向弯曲度与Y方向弯曲度也存在差异，即存在晶圆X-Y弯曲度变化。在接下来的工艺处理中，需要消除晶圆整体弯曲度变化以及晶圆X-Y弯曲度变化。相关技术中，通过在晶圆背面沉积的薄膜进行湿法刻蚀(即通过薄膜的减厚，减小调整应力)来调整晶圆弯曲度，然而，传统的湿法刻蚀处理仅能以晶圆表面所在平面为单位进行薄膜厚度的刻蚀，刻蚀后留存在所述晶圆整个背面上的薄膜厚度是一致的。因此，传统的湿法刻蚀处理仅能消除晶圆整体弯曲度变化，并不能消除晶圆X-Y弯曲度的变化。
对于上述特定薄膜，需要说明的是，通过在晶圆背面沉积具有不同应力特性的薄膜是一种有效改变晶圆弯曲度的方法。如图3a所示，在晶圆背面沉积高拉应力的氮化硅(SiN)薄膜可以降低晶圆正向的弯曲度；如图3b所示，在晶背沉积高压应力的氧化硅(SiO2)薄膜可以降低晶圆负向的弯曲度。
晶圆上的薄膜厚度与晶圆弯曲度之间存在对应的关系。图4示出了晶圆上的SIN薄膜厚度与晶圆弯曲度之间的关系。从图4可以看出，结合图2的场景，当最后的湿法刻蚀留存在所述晶圆背面上的薄膜厚度越小时，晶圆的弯曲度越小。晶圆X方向弯曲度与晶圆Y方向弯曲度与晶圆上的薄膜厚度均遵循一定的线性关系，实例性的，如图4中的，在拟合优度R2＝0.9999时，y＝-0.0305x-36.41，其中，y为晶圆X方向晶圆弯曲度；x为晶圆上的薄膜厚度。另外，Y方向晶圆弯曲度与晶圆上的薄膜厚度的线性关系也可以从图4中看出。也就是说，在晶圆不同方向上留存不同的薄膜厚度，可以实现对晶圆不同方向上弯曲度的调整。
并且，实际应用时，当湿法刻蚀工艺所处的温度不同时，刻蚀的速率不同，此时刻蚀掉的薄膜厚度也不相同。即在相同时间条件下，当对在晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时施以晶圆特定方向的温度控制，可以实现特定方向上的薄膜厚度的控制。
基于此，本发明的实施例对设置在圆弯曲度调整装置的固定本体上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度；所述加热部件设置在所述固定本体上。本发明实施例在对所述晶圆表面上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热部件，可以调整晶圆沿特定方向的温度分布，通过晶圆沿特定方向温度的不同使薄膜在晶圆沿特定方向上的刻蚀速率不同，从而使在晶圆表面上特定方向上薄膜的刻蚀厚度不同，进而使得留存在所述晶圆表面上特定方向上的薄膜厚度不同，而特定方向上不同的薄膜厚度，可以在晶圆特定方向上产生不同的应力调整，如此，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。
图5示出了本发明实施例晶圆弯曲度调整装置的结构组成图，本发明实施例的晶圆弯曲度调整装置500包括：固定本体501及加热部件502；其中，
所述固定本体501，对晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，所述晶圆设置在所述固定本体501上；
所述加热部件502，设置在所述固定本体501上；在对所述晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。
这里，实际应用时，所述刻蚀的方法可以是湿法刻蚀。
根据应用需求，所述第一方向可以是指晶圆表面所在平面的X轴方向，还可以是晶圆表面所在平面的Y轴方向，也可以是晶圆表面所在平面的X轴方向及Y轴方向。
所述固定本体501，为在对晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时固定晶圆的部件。实际应用时，所述固定本体501材质为不与进行刻蚀的液体发生反应，且耐高温的材质，如有机高分子材料等。
在一实施例中，所述晶圆以待进行刻蚀的表面向上的方式设置在所述固定本体501上，且所述晶圆与所述固定本体501的上表面之间形成有中空结构；所述加热部件502设置在所述固定本体501的上表面上；所述固定本体501上表面所在的圆的第一直径大于所述晶圆表面所在圆的第二直径。
这里，所述晶圆包括待进行刻蚀的表面以及不需要进行刻蚀的表面，在进行刻蚀时，需要将待进行刻蚀的表面向上设置，以便于接收刻蚀用液。
实际应用时，一般会使用刻蚀用液对晶圆上的薄膜进行刻蚀，而刻蚀后的残液容易流到固定本体501的上表面上后再进入残液收集槽，为了防止残液腐蚀晶圆不需要进行刻蚀的表面，所述晶圆不需要进行刻蚀的表面需与所述固定本体的上表面之间形成有中空结构。
需要说明的是，这里的中空结构间的缝隙不宜过大，仅保证残液不与晶圆不需要进行刻蚀的表面接触即可。当中空结构间的缝隙过大时，会影响加热部件对晶圆上位于所述第一方向部分的热传递效率。实际应用时，中空结构间的缝隙可以设置在10mm左右。
这里，所述固定本体501的上表面为正视固定本体501时，处于固定本体501顶部的表面。
所述固定本体501上表面所在的圆的第一直径大于所述晶圆表面所在圆的第二直径，可以理解为所述晶圆表面在所述固定本体501的上表面上的投影的圆的边包括在所述固定本体501所在圆的边之内。如此，可以便于利用设置在固定本体501上表面上的加热装置对所述晶圆实现全面积范围的温度控制。
实际应用时，对晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀的示意图如图6所示。如图6所示，固定本体501固定在一转台上，晶圆以待进行刻蚀的表面向上的方式设置在所述固定本体501的上。转台在进行360°旋转时，可以带动固定本体501和晶圆一起旋转。位于晶圆上方的喷嘴向晶圆待进行刻蚀的表面喷洒刻蚀用液，刻蚀用液均匀的流向晶圆的整个表面。弯曲度调整装置利用设置在固定本体501上表面上的加热部件502的加热改变晶圆上位于第一方向部分的温度分布，从而调整第一方向上的刻蚀速率。实际应用时，固定本体501可以是与转台一体的，也可以是分离的。
需要说明的是，如图6所示，所述晶圆是固定在所述固定本体501的上表面上，即晶圆在固定后与固定本体501之间不存在相对运动。换句话说，位于固定本体501上表面的加热部件502与晶圆的相对位置保持不变，不随转台的转动而变化。而基于加热部件502与晶圆的相对位置保持不变，当位于晶圆第一方向对应位置处加热部件502的加热功率设置好后，即可将功率对应的热量传递给晶圆上位于所述第一方向部分的温度，不受转台转动的影响。
所述加热部件502为所述晶圆弯曲度调整装置500的关键部件，本发明实施例正是在传统的固定本体(传统的固定本体的俯视图的示意如图7a所示)的基础上增加了加热部件502的设置来实现本发明实施的晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。下面将详细介绍加热部件502的布设位置、固定方式以及组成材料。
关于所述加热部件502的布设位置：
实际应用时，考虑到晶圆X方向弯曲度和Y方向弯曲度可能均需要进行不同程度的调整，即需要对晶圆上待进行温度设置的方向部分对应于所述固定本体501表面上的位置处均布设加热部件502。
在一实施例中，所述加热部件502包含多个加热子部件，所述固定本体501上表面被划分成多个子区域；所述多个加热子部件按预设规则设置在所述多个子区域上。
实际应用时，所述子区域的个数以及所述加热子部件的个数可以根据实际情况进行调整。
这里，所述预设规则可以为多个加热子部件对称地、间距均匀地设置在所述多个子区域上。这样设置的目的是为了对晶圆上待进行温度设置的方向部分对应于所述固定本体501表面上的位置处均布设加热部件502。
在一实施例中，所述固定本体501的圆形上表面被划分成多对两两对称的扇形子区域；所述多个加热子部件对称地、间距均匀地设置在所述多对两两对称的扇形子区域上；通过调整对应扇形子区域上加热子部件的加热功率改变所述晶圆上位于所述第一方向部分的温度。
这里，所述对称是指每两个对称子扇区中的加热子部件的设置位置以固定本体501的上表面所在圆的圆心以及指该两个对称子扇区的所在的交叉边也互为对称；所述间距均匀是指各加热子部件之间的间距相等。
实际应用时，多对两两对称的扇形子区域的对数以及所述加热子部件的个数可以根据实际情况进行调整。如图7b中示出了两对两两对称的扇形子区域及16个加热子部件的示例。
如图7b所示，固定本体501的上表面被划分成四个相同的扇形子区域，即扇形子区域A、扇形子区域B、扇形子区域C、扇形子区域D，并且扇形子区域A与扇形子区域C对称，扇形子区域B与扇形子区域D对称，每个扇子区域中设置有4个子加热部件，当将扇形子区域A、扇形子区域C所在区域与图1中晶圆的Y方向对应时，扇形子区域B、扇形子区域D所在区域则可与图1中晶圆的X方向对应，此时，调整A、C扇形子区域上加热子部件的加热功率即能改变所述晶圆上位于X方向部分的温度；调整B、D扇形子区域上加热子部件的加热功率即能改变所述晶圆上位于Y方向部分的温度；调整A、C以及B、D扇形子区域上加热子部件的加热功率即能改变所述晶圆上位于X方向上及Y方向部分的温度。也就是说，只需要调整对应扇形子区域的加热功率即能改变所述晶圆上位于X方向上、或者Y方向上、或者X方向上及Y方向上的部分的温度，以得到不同方向上的不同蚀刻量。从而通过控制X方向和Y方向不同的蚀刻量来补偿晶圆X-Y方向的弯曲度值，使得晶圆的弯曲度尽可能接近水平。
需要说明的是，当所述多对两两对称的扇形子区域的对数大于两对时，晶圆方向的选择控制可以更为精细。
实际应用时，为了防止温度过高损坏晶圆，加热部件502的设置后的高度可以高出所述固定本体的上表面，但不能与晶圆直接接触。
关于所述加热部件502的固定方式：
所述加热部件502的固定方式有多种，实际应用时，可以根据实际需求进行选择。
在一实施中，所述加热部件通过粘接的方式设置在所述固定本体501上。
实际应用时，加热部件502可以通过粘接的方式设置在所述固定本体501的上表面上。
在一实施中，固定在所述固定本体501上的方式还可以是：所述固定本体501上表面上设置有孔结构，所述加热部件通过所述孔结构设置在所述固定本体上。
实际应用时，所述固定本体501上设置有多个与加热子部件形状对应的孔结构，所述加热子部件通过所述孔结构设置在所述固定本体上。
通过粘接的方式进行固定相较于其它固定方式更为简单。
关于所述加热部件502的组成材料：
实际应用时，所述加热部件材料可以为加热丝、或者为加热片、或者为发热灯。
在一实施例，所述加热子部件为加热功率能够调整的发热灯。
实际应用时，由于晶圆加热控制方向需与加热部件502上扇形区域的加热功率设置的方位进行对应，因此，需要根据预设的方位安装所述晶圆。
基于此，在一实施例中，所述装置500还包含第一标记部件，所述第一标记部件设置在所述固定本体501的上表面上，当所述晶圆设置在所述固定本体501上时，所述第一标记部件与第二标记部件对齐；所述第二标记部件设置在所述晶圆上。
这里，所述第一部件与第二标记部件对齐式，即认为所述晶圆已经按照预设的方位安装在了固定本体501上。图中1中示出了设置在所述晶圆上的所述第二标记部件，图7b中示出了设置在所述固定本体501的上表面上的第二标记部件。
实际应用时，所述第一部件和第二部件可以为任何具有标记功能的部件，如，三角形的凹槽结构等。
实际应用时，承接图2中示出的相关技术中各工艺处理对晶圆整体弯曲度及晶圆X-Y弯曲度的影响，按照本发明实施例的方法，进行最后一步的湿法刻蚀处理后，基于晶圆背面薄膜厚度的降低即应力减小可以消除晶圆整体弯曲度变化，进一步的，由于实施了对X方向和Y方向的不同的温度控制，实现圆晶背面X方向薄膜厚度和Y方向薄膜厚度的不同层度的降低，从而也可以消除晶圆X-Y弯曲度的变化。图8示出了本发明实施例刻蚀工艺处理对晶圆整体弯曲度及晶圆X-Y弯曲度的影响的示意图。
本发明实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：固定本体，对晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，所述晶圆设置在所述固定本体上；加热部件，设置在所述固定本体上；在对所述晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。本发明实施例在对所述晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热部件，可以调整晶圆沿特定方向的温度分布，通过晶圆沿特定方向温度的不同使薄膜在晶圆沿特定方向上的刻蚀速率不同，从而使在晶圆上特定方向上薄膜的刻蚀厚度不同，进而使得留存在所述晶圆表面上特定方向上的薄膜厚度不同，而特定方向上不同的薄膜厚度，可以在晶圆特定方向上产生不同的应力调整，如此，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。
基于上述装置，本发明实施例还提供了一种晶圆弯曲度调整方法，所述晶圆弯曲度调整方法包括以下步骤：
对设置在圆弯曲度调整装置的固定本体501上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件502调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度；所述加热部件502设置在所述固定本体501上。
在一实施例中，所述固定本体501的圆形上表面被划分成个多对两两对称的扇形子区域；通过调整相应扇形子区域上加热子部件的加热功率改变所述晶圆上位于所述第一方向部分的温度，以调整所述晶圆表面上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度。
实际应用时，可以利用晶圆弯曲度测量设备获取所述晶圆晶圆整体弯曲度和晶圆X-Y弯曲度。当确定X方向弯曲度与Y方向弯曲度存在差异时，可以根据X方向弯曲度的值与薄膜厚度的关系以及Y方向弯曲度的值与薄膜厚度的关系分别决定X方向及Y方向上的蚀刻厚度，接下来根据X方向及Y方向上的蚀刻量确定对应的刻蚀速率，再根据温度与刻蚀速率的关系，确定X方向及Y方向上应该设置的温度，此时可以根据温度反推出每个扇形子区域上加热子部件应该设置的加热功率。
需要说明的是，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的方法的具体步骤，可以参考前述晶圆弯曲度调整装置实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本发明实施例提供了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：对设置在圆弯曲度调整装置的固定本体上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度；所述加热部件设置在所述固定本体上。本发明实施例在对所述晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过控制晶圆弯曲度调整装置中的加热部件的功率来控制晶圆在特定方向上的温度分布，以有选择性的控制特定方向上薄膜的刻蚀速率，从而使在晶圆表面上特定方向上薄膜的刻蚀厚度不同，进而使得最终留存在所述晶圆表面上特定方向上的薄膜厚度不同，而特定方向上不同的薄膜厚度，可以在晶圆特定方向上产生不同的应力调整，如此，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。
需要说明的是：“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
另外，本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种晶圆弯曲度调整装置，其特征在于，所述装置包括：
固定本体，对晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，所述晶圆设置在所述固定本体上；
加热部件，设置在所述固定本体上；在对所述晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，使所述薄膜在第一方向上的刻蚀厚度与所述晶圆上其它方向上的刻蚀厚度不同，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶圆以待进行刻蚀的表面向上的方式设置在所述固定本体上，且所述晶圆与所述固定本体的上表面之间形成有中空结构；所述加热部件设置在所述固定本体的上表面上；所述固定本体上表面所在的圆的第一直径大于所述晶圆表面所在圆的第二直径。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述加热部件包含多个加热子部件，所述固定本体上表面被划分成多个子区域；所述多个加热子部件按预设规则设置在所述多个子区域上。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述固定本体的圆形上表面被划分成多对两两对称的扇形子区域；所述多个加热子部件对称地、间距均匀地设置在所述多个两两对称的扇形子区域上；通过调整相应扇形子区域上加热子部件的加热功率改变所述晶圆上位于所述第一方向部分的温度。
5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述加热子部件为加热功率能够调整的发热灯。
6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述固定本体上表面上设置有孔结构，所述加热部件通过所述孔结构设置在所述固定本体上。
7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述加热部件通过粘接的方式设置在所述固定本体上。
8.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装置还包含第一标记部件，所述第一标记部件设置在所述固定本体的上表面上，当所述晶圆设置在所述固定本体上时，所述第一标记部件与第二标记部件对齐；所述第二标记部件设置在所述晶圆上。
9.一种晶圆弯曲度调整方法，其特征在于，所述方法包括：
对设置在晶圆弯曲度调整装置的固定本体上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，使所述薄膜在第一方向上的刻蚀厚度与所述晶圆上其它方向上的刻蚀厚度不同，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度；所述加热部件设置在所述固定本体上。
10.根据权利要求9的方法，其特征在于，所述固定本体的圆形上表面被划分成多对两两对称的扇形子区域；通过调整相应扇形子区域上加热子部件的加热功率改变所述晶圆上位于所述第一方向部分的温度，以调整所述晶圆表面上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度。
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