TWI598976B - 用於多工加熱陣列之峰值電流展開架構 - Google Patents

用於多工加熱陣列之峰值電流展開架構 Download PDF

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Description

用於多工加熱陣列之峰值電流展開架構
本發明關於多工加熱陣列之峰值電流展開架構。
隨著每一相繼半導體技術世代的演進，基板直徑傾向於增加且電晶體尺寸縮小，導致在基板處理中對於準確度及可重複性之越來越高程度的需求。例如矽基板之半導體基板材料係藉由包含使用真空腔室的技術所處理。這些技術包含例如電子束沉積之非電漿應用、以及諸如濺射沉積、電漿增強化學氣相沉積法(PECVD)、抗蝕劑剝除、以及電漿蝕刻之電漿應用。
現今可用的電漿處理系統係在那些肩負改良之準確度及可重複性之增加需求的半導體製造工具之中。針對電漿處理系統之一度量為增加的均勻性，其包含在半導體基板表面上處理結果的均勻性、以及利用名義上相同之輸入參數所處理的一系列基板之處理結果的均勻性。基板上均勻性的持續改善係值得期望的。除其他的事項外，這需要具有改良的均勻性、一致性以及自我診斷的電漿腔室。
在此所描述者係一種基板支撐組件用之加熱板的操作方法，該基板支撐組件在半導體處理設備中係使用於支撐半導體基板，該加熱板包含：一第一電絕緣層、M條導電型電源供應線、N條導電型電源回路線、針對每一對i及j連接至第i電源供應線以及第j電源回路線之平面加 熱器區域Zij，其中1iM，1jN，i與j為整數，且該平面加熱器區域Zij包含一或更多加熱器元件、以及一二極體，該二極體係在第i電源供應線及第j電源回路線之間串接至每一平面加熱器區域Zij，以使該二極體不允許從第j電源回路線通過該平面加熱器區域Zij至第i電源供應線之方向中的反向電流流動，其中平面加熱器區域係橫向分布橫越該第一電絕緣層並可操作於調整在半導體基板上的空間溫度輪廓；該方法包含：(a)基於加熱器區域Zij之真實溫度及設定點溫度之間的不同，針對每一加熱器區域Zij計算一持續時間τij，以使加熱器區域Zij在被電源供應器供電達持續時間τij之後達到其設定點溫度；(b)在第i電源供應線及電源供應器之間保持連接達一持續時間Ti；(c)在該持續時間Ti期間，藉由在第j電源回路線以及電性接地之間保持連接達持續時間τij，供電給連接至第i電源供應線之每一加熱器區域Zij；(d)針對j的所有整數值重複步驟(c)，其中1jN，以致於並非所有的持續時間τij都在同樣的時間開始；(e)針對i的所有整數值重複步驟(c)及(d)，其中1iM。
101‧‧‧加熱器區域
102‧‧‧電極
103‧‧‧陶瓷層
104A‧‧‧電絕緣層
104B‧‧‧電絕緣層
105‧‧‧冷卻板
106‧‧‧通道
107‧‧‧熱阻隔層
201‧‧‧電源供應線
202‧‧‧電源回路線
250‧‧‧二極體
500‧‧‧控制器
510‧‧‧電源供應器
702‧‧‧射頻電源
703‧‧‧噴淋頭電極
704‧‧‧基板支撐組件
708‧‧‧氣體源
709‧‧‧氣體線路
710‧‧‧真空幫浦
711‧‧‧裝載埠
712‧‧‧基板
713‧‧‧腔室
1000‧‧‧多工器
2000‧‧‧多工器
5000‧‧‧處理器
圖1係基板支撐組件之橫剖面圖的示意圖，其中併入具有平面加熱器區域之陣列的加熱板，該基板支撐組件也包含靜電夾盤(ESC)。
圖2顯示在加熱板(其可併入於基板支撐組件中)之一實施例中，加熱器區域的陣列在電源供應線及電源回路線之間的拓樸連接。
圖3係示範性電漿處理腔室的示意圖，該電漿處理腔室可包含在此所描述的基板支撐組件。
圖4根據實施例顯示控制器的電路圖，其配置以控制並供電給加熱板中的每一加熱器區域。
圖5顯示通過示範性加熱板之加熱器區域的電流紀錄曲線。
為於基板上達成期望之臨界尺寸(CD)均勻性，在半導體處理設備中之徑向及方位角基板溫度控制變得更加要求。即使溫度微小的非 故意變化亦可能影響CD到不可接受的程度，尤其是在半導體製造處理中CD接近100nm以下(sub-100nm)之時。
基板支撐組件在處理期間可配置於各種功能，例如支撐基板、調整基板溫度、以及供應射頻功率。基板支撐組件可包含靜電夾盤(ESC)，靜電夾盤用以於處理期間將基板靜電夾持到基板支撐組件上。ESC可為可調式ESC(T-ESC)。一種T-ESC係描述於共同讓渡之美國專利6,847,014及6,921,724中，其係在此併入作為參考。基板支撐組件可包含陶瓷基板支持裝置、流體冷卻式吸熱設備(此後稱作為冷卻板)、以及複數同心狀平面加熱器區域以實現逐步且徑向的溫度控制。典型地，冷卻板係保持在-20℃及70℃之間，例如，0℃到30℃。加熱器係位在冷卻板上，其間具有一層熱絕緣體。加熱器可保持基板支撐組件的支撐表面在冷卻板溫度以上約0℃到80℃的溫度。藉由改變複數平面加熱器區域中的加熱器功率，基板支持裝置之溫度輪廓可在中心熱、中心冷、以及均勻之間改變。再者，平均基板支持裝置溫度可在冷卻板溫度以上0到80℃的操作範圍內逐步改變。當CD隨著半導體科技之發展而減小時，微小的殘留方位角溫度變化造成越來越大的挑戰。
由於若干原因，控制溫度並非簡單的任務。第一，許多因素可影響熱轉移，例如熱源及吸熱器的位置、介質的移動、材料以及形狀。第二，熱轉移係動態的過程。除非正在考慮的系統處於熱平衡中，否則熱轉移將發生且溫度輪廓及熱轉移將隨時間而改變。第三，非平衡現象(例如理所當然總在電漿處理中出現之電漿)使得任何實際電漿處理設備之熱轉移行為的理論預測變得非常困難(假使其預測並非不可能)。
電漿處理設備中的基板溫度輪廓係被許多因素影響，例如電漿密度輪廓、RF功率輪廓以及夾盤中各種加熱或冷卻元件的細部結構，因此基板溫度輪廓係時常不均勻且難以用少量的加熱或冷卻元件加以控制。此缺點轉化為橫越整個基板之處理速率中的非均勻性以及基板上元件晶粒之臨界尺寸中的非均勻性。
考慮到溫度控制的複雜特性，在基板支撐組件中併入多個可獨立控制之平面加熱器區域會有利於使設備能有效地產生並保持期望的空 間及時間溫度輪廓，並針對其他影響CD均勻性的有害因素(例如由上游或下游處理所造成之非均勻性)進行補償。
一種用於半導體處理設備中之基板支撐組件的加熱板係揭露於共同擁有之美國專利公開案第2011/0092072及2011/0143462號中，該加熱板具有多個可獨立控制之平面加熱器區域，其揭露之內容係在此併入作為參考。此加熱板包括加熱器區域之可縮放多工布局圖架構以及電源供應及電源回路線。藉由調整加熱器區域的功率，甚至可在處理期間將溫度輪廓同時徑向地及方位角地加以塑造為高度的顆粒性。理論上大量且提供逐晶粒解析度之足夠小的加熱器區域可被達成。雖然此加熱板係主要針對電漿處理設備而描述，但此加熱板也可使用於其他不使用電漿的半導體處理設備中。例如，加熱板係用於補償由電漿加熱基板、化學反應、邊際效應等所造成之不均勻熱流。
在此加熱板中的平面加熱器區域係較佳地以定義的圖案進行排列，例如矩形網格、六角形網格、極性陣列、同心環或其組合或任意圖案。例如，可能期望在晶圓的邊緣增加解析度。每一平面加熱器區域可具有任何適合的尺寸且可具有一或更多加熱器元件。若平面加熱器區域具有二或更多加熱器元件，則在該平面加熱器區域中的加熱器元件係一起開啟或關閉。為了最小化電性連接的數量，電源供應線及電源回路線係安排以使每一電源供應線係連接至平面加熱器區域的不同群組，以及每一電源回路線係連接至平面加熱器區域的不同群組，其中每一平面加熱器區域存在於連接至特定電源供應線之群組的其中一者與連接至特定電源回路線之群組的其中一者之中。不會有兩平面加熱器區域連接至相同對的電源供應及電源回路線。因此，特定的加熱器區域可藉由導入電流通過此特定平面加熱器區域所連接之一對電源供應及電源回路線而啟動。加熱器元件的功率係較佳地小於20W，更佳地為5至10W。加熱器元件可為電阻式加熱器，例如聚醯亞胺加熱器、矽氧橡膠加熱器、雲母加熱器、金屬加熱器(例如，W、Ni/Cr合金、Mo或Ta)、陶瓷加熱器(例如，WC)、半導體加熱器或碳加熱器。該等加熱器元件可為絲網印製、線繞變阻器或蝕刻金屬薄片加熱器。在一實施例中，每一平面加熱器區域係不大於在半導體基板上所製造 的四元件晶粒、或不大於在半導體基板上所製造的兩元件晶粒、或不大於在半導體基板上所製造的一元件晶粒、或面積為16至100cm2、或面積為1至15cm2、或面積為2至3cm2以對應在基板上之該等元件晶粒。加熱器元件之厚度範圍可在2微米到1毫米之間，較佳地為5-80微米。為容許在加熱器區域及/或電源供應及電源回路線之間的空間，平面加熱器區域的總面積可達基板支撐組件上表面之面積的90%，例如，該面積的50-90%。電源供應線或電源回路線(統稱電源線)可安排在平面加熱器區域之間大小範圍為1至10mm的間隙中，或安排在透過電絕緣層與該平面加熱器區域平面分離的不同平面中。電源供應線及電源回路線係較佳地於空間允許下盡量作寬，以傳送大電流並減少焦耳熱。在一實施例中，其中電源線係在與平面加熱器區域相同的平面中，電源線的寬度係較佳地在0.3mm及2mm之間。在另一實施例中，其中電源線係在與平面加熱器區域不同之平面上，電源線的寬度可與平面加熱器區域一樣大，例如，對於300mm夾盤而言，寬度可為1至2吋。電源線的材料可與加熱器元件之材料相同或不同。較佳地，電源線的材料係具低阻值的材料，例如Cu、Al、W、英高鎳(Inconel®)或Mo。
圖1-2顯示包含加熱板之一實施例的基板支撐組件，該加熱板具有併入兩電絕緣層104A及104B中之加熱器區域101的陣列。電絕緣層可為聚合物材料、無機材料、例如氧化矽、氧化鋁、氧化釔、氮化鋁之陶瓷或其他合適的材料。基板支撐組件更包含：(a)具有陶瓷層103(靜電夾持層)之ESC，其中電極102(例如，單極或雙極)係嵌入以利用DC電壓靜電地夾住基板至陶瓷層103之表面、(b)熱阻隔層107、(c)包含通道106以供冷媒流動之冷卻板105。
如圖2所示，每一加熱器區域101係連接至電源供應線201之其中一者以及電源回路線202之其中一者。沒有二加熱器區域101會共用相同對的電源供應線201及電源回路線202。藉由適合的電開關裝置，係可連接一對電源供應線201及電源回路線202至電源供應器(未顯示)，因此只有連接至此對線之加熱器區域被打開。每一加熱器區域的時間平均加熱功率可藉由時域多工(time domain multiplexing)個別地調整。為避免不同加 熱器區域之間的干擾，二極體250係串接在每一加熱器區域及連接至該加熱器區域之電源供應線之間(如圖2所示)、或串接在每一加熱器區域及連接至該加熱器區域之電源回路線之間(未顯示)。
基板支撐組件可包含加熱板之實施例，其中加熱板的每一平面加熱器區域係有類似於基板上單一元件晶粒或元件晶粒之群組的尺寸或較小於基板上單一元件晶粒或元件晶粒之群組，俾使基板溫度、以及隨後發生地電漿蝕刻處理可針對每一元件晶粒位置而加以控制以最大化出自基板之元件的良率。加熱板的可縮放結構可容易地容納針對逐晶粒基板溫度控制所需之平面加熱器區域的數量(一般在300mm直徑的基板上超過100個晶粒)，利用最小量的電源供應線、電源回路線、以及在冷卻板中的連接線，因此減少對基板溫度的干擾、基板支撐組件的製造成本以及複雜度。雖未顯示，但基板支撐組件可包括例如用來提起基板之升降銷、氦背部冷卻、用以提供溫度回授訊號之溫度感測器、用以提供加熱功率回饋訊號之電壓及電流感測器、針對加熱器及/或夾持電極之功率饋送、及/或射頻(RF)濾波器之特徵。
作為電漿處理腔室如何運作之概觀，圖3顯示包括其中設置上噴淋頭電極703及基板支撐組件704之腔室713之電漿處理腔室的示意圖。基板712係通過裝載埠711裝載於基板支撐組件704上。氣體線路709供應處理氣體至傳送處理氣體進入腔室之上噴淋頭電極703。氣體源708(例如，供應適合的氣體混合物之質量流量控制器)係連接至氣體線路709。RF電源702係連接至上噴淋頭電極703。在操作中，腔室係藉由真空幫浦710抽空且RF功率係電容性耦合於上噴淋頭電極703與在基板支撐組件704中的下電極之間，以在基板712及上噴淋頭電極703之間的空間中激發處理氣體成為電漿。電漿可使用於蝕刻元件晶粒特徵部於基板712上的層中。基板支撐組件704包含在此所敘述的加熱板並可具有併入其中的附加主加熱器。應理解雖然電漿處理腔室的細部設計可能改變，但RF功率係透過基板支撐組件704而耦合。電漿處理腔室可依賴各種機制以產生電漿，例如感應耦合(變壓器耦合)、螺旋波、電子迴旋共振、電容性耦合(平行板)。例如，高密度電漿可在變壓器耦合電漿(TCPTM)處理腔室中、或在電子迴旋共 振(ECR)處理腔室中產生。變壓器耦合電漿處理腔室(其中RF能量係感應耦合於腔室中)係可用的。並且，電漿處理設備可配置與射頻(RF)偏壓基板電極結合之例如感應耦合電漿(ICP)源之高密度電漿源。電漿處理腔室係不限制於以上所描述之範例。
圖4顯示控制器500的電路圖，其配置以控制並供電給在加熱板中的每一加熱器區域101俾產生期望溫度輪廓。為簡化，只顯示四加熱器區域。此控制器500可與任何數量的加熱器區域一起運作。
控制器500包含連接至所有電源回路線202之多工器1000、連接至所有電源供應線201之多工器2000。多工器2000可獨立於其他電源供應線而將每一電源供應線201連接至電源510或電隔離端。多工器1000可獨立於其他電源回路線而將每一電源回路線202連接至電性接地或電隔離端。處理器5000(例如，微控制器單元、電腦等)控制多工器1000及2000。當且只有當連接至加熱器區域101之電源供應線201係連接至電源供應器510且連接至此加熱器區域101之電源回路線202係連接至電性接地時，此加熱器區域101係供電。
控制器500更包含一或更多配置以讀取各個位置真實溫度的溫度感測器。溫度感測器之位置與每一加熱器區域101之位置可一致或可不一致。每一加熱器區域101的溫度可基於理論或實驗模型藉由真實的量測值、校正或內插法而獲得或估算。例如，估算的量測值可基於校準估算、預測估算或模型化的估算。
控制器500基於在加熱器區域101所獲得或估算的溫度以及設定點溫度之間的不同針對每一加熱器區域101計算持續時間τ，俾使加熱器區域101在供電達該持續時間τ之後達到其設定點溫度。每一加熱器區域101的設定點溫度係藉由整個加熱板的期望溫度輪廓所決定。可選擇地，每一加熱器功率可基於逐區域基礎上的即時回饋以基於模型的形式、或基於由先前校正所導出之模型的結果以內插的形式進行計算，俾使針對每一加熱器區域之持續時間τ的計算顧及先前或隨後發生之基板處理程序的前饋效應。
在時域多工的架構中，控制器500每次在一電源供應線201 與電源供應器510之間保持連接達一持續時間T，在該持續時間T期間控制器500於電性接地以及連接至該電源供應線201的每一加熱器區域101之間保持連接達針對該加熱器區域101所計算之持續時間τ。若電源供應器510輸出固定的DC電壓V0且所有加熱器區域101具有一相同的電阻R0，則加熱器區域101的平均加熱功率係與其τ/T的平均成比例。控制器500在持續時間T開始時即針對每一加熱器區域101開始持續時間τ，然而其在持續時間T開始的時候在經由該電源供應線201所傳送的總電流中引起峰值。較佳地，在根據實施例之時域多工架構中，控制器可於時間上在整個持續時間T中分散持續時間τ的起始，也就是並非所有的持續時間τ在同樣的時間上開始，以便減少在整個持續時間T中該供應線201所傳送之最大總電流。
為方便，根據實施例將使用示範性加熱板描述時域多工架構，該加熱板具有M條(例如，從2到100)電源供應線、N條(例如，從2到100)電源回路線及M×N個加熱器區域、以及針對每一對i及j(1iM，1jN，i與j為整數)連接至第i電源供應線及第j電源回路線的加熱器區域Zij。加熱器區域Zij的持續時間τ係標示為τij。第i電源供應線的持續時間T係標示為Ti。
根據一實施例在時域多工架構中，控制器在Ti(當時) 期間依序對加熱器區域Zi1至ZiN供電。也就是在所有連接至第i電源供應線的加熱器區域Zi1至ZiN之中，於Ti期間任何特定的時間上不會對超過一個加熱器區域進行供電。
根據另一實施例在時域多工架構中，其中，控制器 500可使用如下的方法以決定在Ti中τij的位置，俾減少由第i電源供應線所傳送的最大總電流。為方便，αij及βij代表τij相對於持續時間Ti之起始的起始時間點與終止時間點，其中0αij βij Ti。控制器500根據以下規則決定αij與βij：(i)αi1=0；(i)若(αi(j+1)+τi(j+1))Ti，則αi(j+1)=βij且βi(j+1)=(αi(j+1)+τi(j+1))；(iii)若(αi(j+1)+τi(j+1))>Ti，則將τi(j+1)分成介於αi(j+1)與Ti之間的一持續時間以及介於0跟(αi(j+1)+τi(j+1)-Ti)之間的另一持續時間，其中j從1迭代至(N-1)。由第i電源供應線所傳送之最大總電流Ii因此滿足下列條件：
，其中""為頂函數(ceiling function)，也就 是這假設其所有電阻係相同且最小的整數不小於x。然而，電壓V可能隨增加之負載而下降且加熱器可能並不具有精確相同的面積，在該情況中對於每一加熱器區域的V跟R係不相同且方程式應加以修改以使V0/R0在中括號內。
圖5顯示應用此架構至一示範性加熱板之結果，該加熱板具有連結至第i電源供應線之Zi1至Zi6的六加熱器區域。電流紀錄曲線顯示通過Zi1、Zi2、Zi3、Zi4、Zi5、Zi6之電流以及由第i電源供應線所傳送之總電流Ii(作為時間的函數)。在Ti期間任何特定的時間上，Ii至多為3V0/R0。
根據另一實施例在時域多工架構中，控制器500從一持續時間Ti移動一或更多τij至下一持續時間Ti。
根據又另一實施例在時域多工架構中，控制器500調整每一 Ti以滿足條件，並在Ti期間依序供電給加熱器區域Zi1至ZiN，俾 使在Ti期間任何特定的時間上這些加熱器區域Zi1至ZiN其中僅有一者被供 電，且因此在整個Ti中Ii=V0/R0。因為在加熱器區域Zij上將Ti減少至 降低了溫度波動，所以此架構係特別適用於其中持續時間τij係相對短的應用，也就是在加熱器區域Zij的真實溫度與設定點溫度之間的差異很小。
減少藉由供應線所傳送之最大電流的益處包含較小的電源供應器、電源供應線之較小的覆蓋區、以及由電源供應線所傳送之電流所產生之較低的磁場強度。
描述之架構也可修正以使控制器500一次在一電源回路線202與電性接地之間保持連接達一持續時間T，於該持續時間T期間控制器 500在電源供應器510以及連接至該電源回路線202的每一加熱器區域101之間保持連接達針對該加熱器區域101所計算之持續時間τ。
為避免可探測之溫度調變，開關頻率以及整個多工架構係較佳足夠地迅速以使每一加熱器區域頻繁地獲得處理(至少1Hz)。
雖然一控制器(其配置以控制並供電給加熱板中的每一加熱器區域)以及針對具有加熱器區域陣列之加熱板的時域多工架構已藉由參考其特定之實施例而被詳細描述，但對熟悉該領域者將顯而易見：在沒有違背隨附之申請項之範圍的情況下，不同的改變及修正以及所使用之均等物可被製作。
101‧‧‧加熱器區域
102‧‧‧電極
103‧‧‧陶瓷層
104A‧‧‧電絕緣層
104B‧‧‧電絕緣層
105‧‧‧冷卻板
106‧‧‧通道
107‧‧‧熱阻隔層

Claims (10)

  1. 一種基板支撐組件用之加熱板的操作方法，該基板支撐組件在半導體處理設備中係使用於支撐半導體基板，其中該加熱板包含：一第一電絕緣層、M條導電型電源供應線、N條導電型電源回路線、一平面加熱器區域之陣列，其中各別的平面加熱器區域Zij係連接至一第i電源供應線以及一第j電源回路線，其中1iM，1jN，i與j為整數，且該平面加熱器區域Zij包含一或更多加熱器元件、以及一二極體，該二極體係在第i電源供應線以及第j電源回路線之間串接至該平面加熱器區域Zij，以使該二極體不允許從第j電源回路線通過該平面加熱器區域Zij至第i電源供應線之方向中的反向電流流動，且其中該等平面加熱器區域係橫向分布橫越該第一電絕緣層且可操作以調整半導體基板上的空間溫度輪廓，且其中沒有二平面加熱器區域會連接至相同對的第i電源供應線以及第j電源回路線；該方法包含：(a)基於該平面加熱器區域之陣列中的平面加熱器區域Zij之真實溫度或估算溫度與設定點溫度之間的不同，針對平面加熱器區域Zij計算一持續時間τij，以使該平面加熱器區域Zij在被電源供應器供電達持續時間τij之後達到其設定點溫度；(b)在第i電源供應線及電源供應器之間保持連接達一持續時間Ti；及(c)在持續時間Ti期間，藉由在第j電源回路線以及電性接地之間保持連接達持續時間τij，供電給連接至第i電源供應線之該平面加熱器區域Zij。 (d)針對j的所有整數值重複步驟(c)，其中1jN，以致於並非所有的持續時間τij都在同樣時間開始；(e)針對i的所有整數值重複步驟(c)及(d)，其中1iM。
  2. 如申請專利範圍第1項的基板支撐組件用之加熱板的操作方法，其中N係介於2及100之間(包含2及100)的整數，以及M係介於2及100之間(包含2及100)的整數。
  3. 如申請專利範圍第1項的基板支撐組件用之加熱板的操作方法，其中 ，且其中步驟(d)更包含：依序供電給連接至第i電源供應線的每一平 面加熱器區域Zij，以使在Ti期間的任何特定時間上不會對超過一者之平面 加熱器區域Zij進行供電。
  4. 如申請專利範圍第1項的基板支撐組件用之加熱板的操作方法，其中 ，且持續時間τij相對於持續時間Ti之起始開始於時間點αij並終止 於時間點βij，在步驟(d)中根據以下規則決定αij及βij：(i)αi1=0；(ii)若(αi(j+1)+τ i(j+1))Ti，則αi(j+1)=βij且βi(j+1)=(αi(j+1)+τ i(j+1))；(iii)若(αi(j+1)+τ i(j+1))>Ti，則將τ i(j+1)分為介於αi(j+1)與Ti之間的一持續時間以及介於0跟(αi(j+1)+τi(j+1)-Ti)之間的另一持續時間。
  5. 如申請專利範圍第1項的基板支撐組件用之加熱板的操作方法，其中步驟(d)更包含從一持續時間Ti移動一或更多τij到下一持續時間Ti。
  6. 如申請專利範圍第1項的基板支撐組件用之加熱板的操作方法，其中在 步驟(c)中更包含調整Ti，以使且其中步驟(d)更包含依序供電給連接 至第i電源供應線的每一平面加熱器區域Zij，以使在Ti期間任何特定的時間上平面加熱器區域Zij其中僅有一者被供電。
  7. 如申請專利範圍第1項的基板支撐組件用之加熱板的操作方法，其中加熱器區域Zij的估算溫度係基於加熱器區域Zij的即時回饋而以基於模型的形式進行計算。
  8. 如申請專利範圍第1項的針對基板支撐組件操作加熱板之方法，其中該加熱器區域Zij的估算溫度係基於先前所量測的校準資料而計算。
  9. 如申請專利範圍第1項的基板支撐組件用之加熱板的操作方法，其中加熱器區域Zij的估算溫度係基於由先前校正所導出之模型的結果以內插的形式進行計算，俾使針對每一加熱器區域Zij之持續時間τij的計算顧及先前之基板處理程序的前饋效應。
  10. 如申請專利範圍第1項的基板支撐組件用之加熱板的操作方法，其中加熱器區域Zij的估算溫度係基於由先前校正所導出之模型的結果以內插的形 式進行計算，俾使針對該每一加熱器區域Zij之持續時間τij的計算顧及隨後之基板處理程序的前饋效應。
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WO (1) WO2013154987A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
US9307578B2 (en) 2011-08-17 2016-04-05 Lam Research Corporation System and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array
MX2014002435A (es) * 2011-08-30 2014-11-14 Watlow Electric Mfg Sistema y metodo para controlar un arreglo termico.
US10388493B2 (en) * 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US9435692B2 (en) 2014-02-05 2016-09-06 Lam Research Corporation Calculating power input to an array of thermal control elements to achieve a two-dimensional temperature output
US11158526B2 (en) * 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
JP6219227B2 (ja) * 2014-05-12 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法
JP6219229B2 (ja) * 2014-05-19 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構
US9543171B2 (en) 2014-06-17 2017-01-10 Lam Research Corporation Auto-correction of malfunctioning thermal control element in a temperature control plate of a semiconductor substrate support assembly that includes deactivating the malfunctioning thermal control element and modifying a power level of at least one functioning thermal control element
KR101605717B1 (ko) * 2014-07-16 2016-03-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US9864361B2 (en) 2015-06-22 2018-01-09 Lam Research Corporation Flexible temperature compensation systems and methods for substrate processing systems
US10386821B2 (en) 2015-06-22 2019-08-20 Lam Research Corporation Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values
US9779974B2 (en) 2015-06-22 2017-10-03 Lam Research Corporation System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
US10381248B2 (en) 2015-06-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity
US10763142B2 (en) 2015-06-22 2020-09-01 Lam Research Corporation System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter
US10237916B2 (en) 2015-09-30 2019-03-19 Tokyo Electron Limited Systems and methods for ESC temperature control
JP6584286B2 (ja) * 2015-10-26 2019-10-02 日本発條株式会社 ヒータユニット
US10690414B2 (en) 2015-12-11 2020-06-23 Lam Research Corporation Multi-plane heater for semiconductor substrate support
CN107534012B (zh) * 2016-03-29 2020-06-09 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
US11382180B2 (en) * 2017-11-21 2022-07-05 Watlow Electric Manufacturing Company Multi-zone pedestal heater having a routing layer
JP7213080B2 (ja) * 2018-12-19 2023-01-26 東京エレクトロン株式会社 載置台
KR102403198B1 (ko) * 2019-07-19 2022-05-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN115020300B (zh) * 2022-06-29 2023-09-19 江苏实为半导体科技有限公司 一种基于化合物半导体设备的分区式加热盘

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3440883A (en) 1966-12-01 1969-04-29 Monsanto Co Electronic semiconductor thermometer
US4010412A (en) * 1972-03-27 1977-03-01 St. Paul's Engineering Company Control of electrical power supplies
IT1052903B (it) 1975-02-24 1981-08-31 Kendall & Co Raccordo perfezionato per collegare una siringa ad un catetere
US4499557A (en) * 1980-10-28 1985-02-12 Energy Conversion Devices, Inc. Programmable cell for use in programmable electronic arrays
US5151871A (en) * 1989-06-16 1992-09-29 Tokyo Electron Limited Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same
US5059770A (en) 1989-09-19 1991-10-22 Watkins-Johnson Company Multi-zone planar heater assembly and method of operation
US5436848A (en) * 1990-09-03 1995-07-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method of and device for transporting semiconductor substrate in semiconductor processing system
US5536918A (en) 1991-08-16 1996-07-16 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers
US5197375A (en) * 1991-08-30 1993-03-30 The Middleby Corporation Conveyor oven control
FR2682253A1 (fr) 1991-10-07 1993-04-09 Commissariat Energie Atomique Sole chauffante destinee a assurer le chauffage d'un objet dispose a sa surface et reacteur de traitement chimique muni de ladite sole.
US5255520A (en) 1991-12-20 1993-10-26 Refir Technologies Advanced thermoelectric heating and cooling system
US5414245A (en) 1992-08-03 1995-05-09 Hewlett-Packard Corporation Thermal-ink heater array using rectifying material
DE4231702C2 (de) 1992-09-22 1995-05-24 Litef Gmbh Thermoelektrische, beheizbare Kühlkammer
KR100290748B1 (ko) 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5504471A (en) 1993-09-16 1996-04-02 Hewlett-Packard Company Passively-multiplexed resistor array
JP3257328B2 (ja) 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5667622A (en) 1995-08-25 1997-09-16 Siemens Aktiengesellschaft In-situ wafer temperature control apparatus for single wafer tools
JPH0997783A (ja) * 1995-09-28 1997-04-08 Nec Corp プラズマ処理装置
EP0879547B1 (en) * 1996-01-31 2004-03-24 ASM America, Inc. Model-based predictive control of thermal processing
JPH09213781A (ja) 1996-02-01 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及びそれを用いた処理装置
US6095084A (en) 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5740016A (en) 1996-03-29 1998-04-14 Lam Research Corporation Solid state temperature controlled substrate holder
US5802856A (en) * 1996-07-31 1998-09-08 Stanford University Multizone bake/chill thermal cycling module
US5994675A (en) 1997-03-07 1999-11-30 Semitool, Inc. Semiconductor processing furnace heating control system
JP3502233B2 (ja) * 1997-03-10 2004-03-02 シャープ株式会社 ヒーター制御装置
JP3526184B2 (ja) 1997-03-17 2004-05-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6091060A (en) 1997-12-31 2000-07-18 Temptronic Corporation Power and control system for a workpiece chuck
US6222161B1 (en) 1998-01-12 2001-04-24 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
US6091062A (en) * 1998-01-27 2000-07-18 Kinetrix, Inc. Method and apparatus for temperature control of a semiconductor electrical-test contractor assembly
US5886866A (en) 1998-07-06 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing
JP3892609B2 (ja) 1999-02-16 2007-03-14 株式会社東芝 ホットプレートおよび半導体装置の製造方法
DE19907497C2 (de) 1999-02-22 2003-05-28 Steag Hamatech Ag Vorrichtung und Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten
US6353209B1 (en) 1999-03-04 2002-03-05 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Temperature processing module
US6523493B1 (en) 2000-08-01 2003-02-25 Tokyo Electron Limited Ring-shaped high-density plasma source and method
US6191394B1 (en) * 1999-05-19 2001-02-20 Tokyo Electron Ltd. Heat treating apparatus
US6100506A (en) 1999-07-26 2000-08-08 International Business Machines Corporation Hot plate with in situ surface temperature adjustment
US6175175B1 (en) 1999-09-10 2001-01-16 The University Of Chicago Levitation pressure and friction losses in superconducting bearings
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
WO2001031978A1 (fr) 1999-10-22 2001-05-03 Ibiden Co., Ltd. Plaque chauffante en ceramique
US6271459B1 (en) 2000-04-26 2001-08-07 Wafermasters, Inc. Heat management in wafer processing equipment using thermoelectric device
US6403403B1 (en) 2000-09-12 2002-06-11 The Aerospace Corporation Diode isolated thin film fuel cell array addressing method
US6475336B1 (en) 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
AU2002212963A1 (en) 2000-10-25 2002-05-06 Tokyo Electron Limited Method of and structure for controlling electrode temperature
US6501052B2 (en) 2000-12-22 2002-12-31 Chrysalis Technologies Incorporated Aerosol generator having multiple heating zones and methods of use thereof
JP5000842B2 (ja) 2001-03-02 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 サセプタの駆動温度制御のための方法並びに装置
US6746616B1 (en) 2001-03-27 2004-06-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for providing etch uniformity using zoned temperature control
US6741446B2 (en) 2001-03-30 2004-05-25 Lam Research Corporation Vacuum plasma processor and method of operating same
US6902622B2 (en) * 2001-04-12 2005-06-07 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
JP3582518B2 (ja) 2001-04-18 2004-10-27 住友電気工業株式会社 抵抗発熱体回路パターンとそれを用いた基板処理装置
WO2002089531A1 (en) 2001-04-30 2002-11-07 Lam Research, Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US7161121B1 (en) 2001-04-30 2007-01-09 Lam Research Corporation Electrostatic chuck having radial temperature control capability
US6847014B1 (en) 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US20050211385A1 (en) 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
US6795292B2 (en) 2001-05-15 2004-09-21 Dennis Grimard Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
US20060191637A1 (en) 2001-06-21 2006-08-31 John Zajac Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control
US6483690B1 (en) 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
JP3755814B2 (ja) * 2001-08-07 2006-03-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP3897563B2 (ja) 2001-10-24 2007-03-28 日本碍子株式会社 加熱装置
US6739138B2 (en) 2001-11-26 2004-05-25 Innovations Inc. Thermoelectric modules and a heating and cooling apparatus incorporating same
US6835290B2 (en) 2002-02-13 2004-12-28 Seagate Technology Llc System and method for controlling thin film defects
US6921724B2 (en) 2002-04-02 2005-07-26 Lam Research Corporation Variable temperature processes for tunable electrostatic chuck
JP3603896B2 (ja) * 2002-04-19 2004-12-22 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法、デバイス製造装置、デバイス及び電子機器
US6612673B1 (en) 2002-04-29 2003-09-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for predicting dynamic thermal conditions of an inkjet printing system
JP3808407B2 (ja) 2002-07-05 2006-08-09 住友大阪セメント株式会社 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法
JP4403073B2 (ja) 2002-07-11 2010-01-20 テンプトロニック コーポレイション 熱電気モジュールのための隙間を作る層間スペーサを有する熱制御アセンブリを備えるワークピースチャック
US6825681B2 (en) 2002-07-19 2004-11-30 Delta Design, Inc. Thermal control of a DUT using a thermal control substrate
US7504006B2 (en) 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US7372001B2 (en) 2002-12-17 2008-05-13 Nhk Spring Co., Ltd. Ceramics heater
US6979805B2 (en) 2003-01-08 2005-12-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fuel-cell resistors and methods
US6825617B2 (en) 2003-02-27 2004-11-30 Hitachi High-Technologies Corporation Semiconductor processing apparatus
WO2004095531A2 (en) 2003-03-28 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd Method and system for temperature control of a substrate
US6989210B2 (en) 2003-04-23 2006-01-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fuel cartridge with thermo-degradable barrier system
US8974630B2 (en) 2003-05-07 2015-03-10 Sungkyunkwan University Inductively coupled plasma processing apparatus having internal linear antenna for large area processing
US20050016465A1 (en) 2003-07-23 2005-01-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having electrode with rounded edge
TWI247551B (en) 2003-08-12 2006-01-11 Ngk Insulators Ltd Method of manufacturing electrical resistance heating element
JP2005123286A (ja) 2003-10-15 2005-05-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20100257871A1 (en) 2003-12-11 2010-10-14 Rama Venkatasubramanian Thin film thermoelectric devices for power conversion and cooling
US7250309B2 (en) 2004-01-09 2007-07-31 Applied Materials, Inc. Integrated phase angle and optical critical dimension measurement metrology for feed forward and feedback process control
US6870728B1 (en) 2004-01-29 2005-03-22 Tdk Corporation Electrolytic capacitor
JP4349952B2 (ja) * 2004-03-24 2009-10-21 京セラ株式会社 ウェハ支持部材とその製造方法
US7141763B2 (en) 2004-03-26 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for rapid temperature change and control
US7697260B2 (en) 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
JP2005294237A (ja) 2004-04-05 2005-10-20 Aun:Kk 面状ヒーター
JP4281605B2 (ja) 2004-04-08 2009-06-17 住友電気工業株式会社 半導体加熱装置
US20050229854A1 (en) 2004-04-15 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for temperature change and control
US7415312B2 (en) * 2004-05-25 2008-08-19 Barnett Jr James R Process module tuning
US7278120B2 (en) * 2004-07-23 2007-10-02 Synplicity, Inc. Methods and apparatuses for transient analyses of circuits
JP4343151B2 (ja) * 2004-08-11 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム
US7396431B2 (en) 2004-09-30 2008-07-08 Tokyo Electron Limited Plasma processing system for treating a substrate
US7475551B2 (en) 2004-12-23 2009-01-13 Nanocoolers, Inc. System employing temporal integration of thermoelectric action
US20060226123A1 (en) 2005-04-07 2006-10-12 Applied Materials, Inc. Profile control using selective heating
JP4667158B2 (ja) 2005-08-09 2011-04-06 パナソニック株式会社 ウェーハレベルバーンイン方法
US7349647B2 (en) 2005-08-31 2008-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Image forming apparatus
US20070125762A1 (en) 2005-12-01 2007-06-07 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
JP4699283B2 (ja) * 2006-05-23 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度制御方法、プログラム及び熱処理板の温度制御装置
US8168050B2 (en) 2006-07-05 2012-05-01 Momentive Performance Materials Inc. Electrode pattern for resistance heating element and wafer processing apparatus
JP4394667B2 (ja) 2006-08-22 2010-01-06 日本碍子株式会社 ヒータ付き静電チャックの製造方法
US7723648B2 (en) 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
US7297894B1 (en) 2006-09-25 2007-11-20 Tokyo Electron Limited Method for multi-step temperature control of a substrate
US7557328B2 (en) 2006-09-25 2009-07-07 Tokyo Electron Limited High rate method for stable temperature control of a substrate
JP4850664B2 (ja) 2006-11-02 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置
JP2008141071A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
KR20080058109A (ko) 2006-12-21 2008-06-25 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 가열장치 및 가열방법
US8222574B2 (en) 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US20080197015A1 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Terry Bluck Multiple-magnetron sputtering source with plasma confinement
KR100849069B1 (ko) 2007-04-20 2008-07-30 주식회사 하이닉스반도체 정전기 방전 보호 장치
US8057602B2 (en) 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
US20090000738A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Neil Benjamin Arrays of inductive elements for minimizing radial non-uniformity in plasma
JP4486135B2 (ja) 2008-01-22 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 温度制御機構およびそれを用いた処理装置
JP5351479B2 (ja) 2008-01-28 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 加熱源の冷却構造
US20100116788A1 (en) 2008-11-12 2010-05-13 Lam Research Corporation Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support
JP2010153730A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Omron Corp 配線構造、ヒータ駆動装置、計測装置および制御システム
GB2470063B (en) 2009-05-08 2011-09-28 Siemens Magnet Technology Ltd Quench propagation circuit for superconducting magnets
US10049859B2 (en) 2009-07-08 2018-08-14 Aixtron Se Plasma generating units for processing a substrate
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
KR101952065B1 (ko) 2009-11-06 2019-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
KR101841378B1 (ko) 2009-12-15 2018-03-22 램 리써치 코포레이션 Ｃｄ 균일성을 향상시키기 위한 기판 온도의 조절
US8791392B2 (en) 2010-10-22 2014-07-29 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
JP6067705B2 (ja) * 2011-08-17 2017-01-25 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 多重ヒータ配列の温度監視及び制御のためのシステムと方法

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