KR20120015256A - 열압착 본딩 - Google Patents
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Abstract
열압착 본딩 방법은, 워크피스 홀더들을 포함하는 기판 캐리어를 마련하는 과정과, 다수의 제 1 워크피스들을 상기 워크피스 홀더들속에 위치시키는 과정을 포함한다. 다수의 제 2 워크피스들의 각각이 상기 다수의 제 1 워크피스들 중 하나 위에 위치하게 상기 다수의 제 2 워크피스들을 들여 올려 배열시킨다. 그 다음, 상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들 사이의 솔더 범프들이 리플로되어 상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들을 함께 동시에 본딩한다.
Description
본 개시는 일반적으로 집적회로 제조 공정에 관한 것으로, 특히 열압착 본딩에 관한 것이다.
집적 회로는 반도체 웨이퍼상에 형성된 다음 반도체 칩으로 잘라진다. 반도체 칩은 그 후 패키지 기판위로 본딩된다. 도 1 부터 도 3은 종래의 본딩 공정에서의 중간 단계의 단면도를 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 패키지 기판(100)이 마련되고 본드 패드(108)는 패키지 기판(108)의 표면에 위치한다. 칩(102)을 들어 올려 칩(102)의 표면에 있는 솔더 범프(104)가 거꾸로인 상태로 뒤집는다. 플럭스(106)는 솔더 범프(106)위에 도포된다.
다음으로, 도 2에 도시한 바와 같이, 솔더 범프(104)가 본드 패드(108)에 위치하는 상태로 칩(102)이 패키지 기판(100)상에 놓인다. 패키지 기판(100)과 솔더 범프(104)는 그 다음 리플로우 공정을 겪게 되는데 그동안 패키지 기판(100)과 칩(102) 그리고 솔더 범프(104)에 열이 가해진다. 그 결과로 생긴 본딩된 구조가 도 3에 도시되어 있다. 칩(102)과 솔더 범프(104)의 무게로 인하여 솔더 범프(104)가 녹을 때 내려앉게 되며 솔더 범프(104)의 폭(W1)은 증가한다.
종래의 본드 구조에서 발견되는 문제점 중 하나는 특히 솔더 범프(104)가 솔더 레지스트(112)와 패시베이션막(혹은 폴리이미드층)(114)에 연결되는 본딩 공정 후에 솔더 범프(104)에 균열이 종종 발생한다는 것이다. 또한, 솔더 범프(104)의폭(W1)의 증가로 인해 인접해 있는 솔더 범프들(104) 사이의 공간이 감소하여 범프들(104)을 서로 쇼트시킬 위험이 더 크다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것이다.
하나의 구성에 따르면, 방법은 워크피스 홀더들을 포함하는 기판 캐리어를 마련하는 과정과, 다수의 제 1 워크피스들을 상기 워크피스 홀더들속에 위치시키는 과정을 포함한다. 다수의 제 2 워크피스들의 각각이 상기 다수의 제 1 워크피스들 중 하나 위에 위치하게 상기 다수의 제 2 워크피스들을 들여 올려 배열시킨다. 그 다음, 상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들 사이의 솔더 범프들이 리플로되어 상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들을 함께 동시에 본딩한다.
다른 실시예들도 또한 개시된다.
상기 솔더 범프들을 리플로하는 과정은 상기 다수의 제 2 워크피스들을 동시에 가열시키도록 구성된 다수의 히팅 헤드들을 구비한 히팅 도구를 상기 다수의 제 2 워크피스들과 접촉시킴으로써 수행되는 것이 바람직하다.
상기 솔더 범프들을 리플로하는 과정은, 상기 다수의 제 2 워크피스들 모두와 접촉하며 상기 다수의 제 2 워크피스들을 동시에 가열시키도록 구성된 단일의 히팅 헤드를 구비한 히팅 도구를 상기 다수의 제 2 워크피스들과 접촉시킴으로써 수행되는 것이 바람직하다.
리플로 과정 전에, 하향의 힘을 인가하여 상기 다수의 제 1 워크피스들에 상기 다수의 제 2 워크피스들을 누르도록 하는 과정과; 리플로 공정 동안에, 상기 다수의 제 2 워크피스들을 고정된 레벨에서 유지시키는 과정과; 상기 솔더 범프들이 녹은 후에 그리고 상기 솔더 범프들이 굳기 전에, 상기 다수의 제 2 워크피스로 상향의 힘을 인가하여 상기 솔더 범프들의 높이를 증가시키기는 과정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들은 어레이로서 배열되는 것이 더 바람직하다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 또다른 방법은 기판 캐리어를 마련하는 과정과; 다수의 제 1 워크피스들을 상기 기판 캐리어의 워크피스 홀더들속에 위치시키는 과정과; 다수의 제 2 워크피스들의 각각이 상기 다수의 제 1 워크피스들 중 하나에 수직으로 정렬되게 상기 다수의 제 2 워크피스들을 들여 올려 배열시키는 과정으로서, 상기 다수의 제 1 워크피스들의 각각은 상기 다수의 제 2 워크피스들의 각각의 제 2 솔더 범프와 접촉하는 제 1 솔더 범프를 포함하며; 히팅 도구를 상기 다수의 제 2 워크피스들 위에 위치시켜 상기 다수의 제 2 워크피스들과 동시에 접촉시키는 과정과; 상기 히팅 도구를 사용하여 상기 다수의 제 2 워크피스를 가열하여 리플로 공정을 수행하기는 과정으로서, 상기 제 1 솔더 범프와 상기 제 2 솔더 범프는 녹아서 제 3 솔더 범프를 형성하며, 상기 제 3 솔더 범프가 굳기 전에, 상기 다수의 제 2 워크피스에 상향의 힘을 동시에 인가하여 상기 제 3 솔더 범프의 높이를 증가시키는 과정을 포함하는 것이다.
상기 히팅 도구는 상기 다수의 제 2 워크피스들을 동시에 가열시키도록 구성된 다수의 히팅 헤드들을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 히팅 도구는, 상기 다수의 제 2 워크피스들 모두와 접촉하며 상기 다수의 제 2 워크피스들을 동시에 가열시키도록 구성된 단일의 히팅 헤드를 포함하는 것이 바람직하다.
리플로 공정전과 리플로 공정 동안에, 하향의 힘을 인가하여 상기 다수의 제 1 워크피스들에 상기 다수의 제 2 워크피스들을 누르도록 하는 과정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들은 어레이로서 배열되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면 본딩 공정의 처리량(throughput)이 매우 향상되는 효과가 있다.
실시예와 그 이점을 더 완전히 이해하기 위하여 첨부한 도면과 함께 다음의 설명을 참조한다.
도 1 내지 도 3은 종래의 본딩 공정에서의 중간 단계의 단면도이고,
도 4a는 기판 캐리어의 평면도이고,
도 4b 내지 도 7은 여러 실시예에 따른 열압착 본딩(TCB) 공정에서의 중간 단계의 단면도이다.
도 1 내지 도 3은 종래의 본딩 공정에서의 중간 단계의 단면도이고,
도 4a는 기판 캐리어의 평면도이고,
도 4b 내지 도 7은 여러 실시예에 따른 열압착 본딩(TCB) 공정에서의 중간 단계의 단면도이다.
본 개시의 실시예를 만들고 사용하는 것이 이하 상세히 논의된다. 그러나, 그 실시예는 광범위한 다양한 특정 맥락에서 구현될 수 있는 많은 응용 가능한 발명적 개념을 제공한다는 것을 알아야한다. 논의되는 특정 실시예는 단지 설명을 위한 것이지 본 개시의 범위를 한정하는 것은 아니다.
새로운 열압착 본딩(thermal compression bonding: TCB) 공정이 제공된다. 다양한 실시예를 제조하는 중간 단계가 도시되어 있다. 다양한 도면 및 예시적인 실시예에 걸쳐 같은 참조 번호는 같은 요소를 나타내기 위하여 사용된다.
도 4a 및 4b는 기판 캐리어(20)의 평면도 및 단면도를 각각 나타낸 것이다. 기판 캐리어(20)는 행과 열을 가진 어레이로서 배열될 수 있는 다수의 워크피스 홀더(22)를 포함한다. 도 4b에 도시한 바와 같이, 워크피스 홀더(22)는 그 안에 위치하게 될 워크피스(26)(도 4a 및 도 4b에는 도시하지 않음. 도 5 참조)의 크기를 가진 홀(hole)일 수 있다. 일 실시예에서, 히터(24)가 워크피스 홀더(22)내에 위치하는 워크피스를 가열하기 위한 기판 캐리어(20) 아래에 위치하거나 혹은 기판 캐리어(20) 내에 장착된다. 또 다른 실시예에서는 기판 캐리어(20)가 히터를 포함하지 않는다.
도 5를 참조하면, 워크피스(26)가 워크피스 홀더(22) 안에 놓인다. 일 실시예에서, 워크피스(26)는 그 안에 트랜지스터와 같은 액티브 장치를 가지지 않는 패키지 기판 혹은 인터포저이다. 또 다른 실시예에서, 워크피스(26)는 그 안에 트랜지스터(도시하지 않음)와 같은 액티브 장치를 가지는 디바이스 다이이다. 금속 범프(28)가 워크피스(26)의 상부 표면위에 형성된다. 일 실시예에서, 모든 워크피스 홀더(22)가 워크피스(26)로 채워진다. 또 다르게는. 워크피스 홀더(22) 전부가 아닌 일부가 채워진다.
그 다음, 도 6a 및 6b에 도시한 바와 같이, 워크피스(30)를 집어 올려 워크피스(26) 위에 배열된다. 워크피스(30)의 하부 표면에 있는 금속 범프(32)가 금속 범프(28)와 접촉한다. 워크피스(30)는 트랜지스터일 수도 있는 액티브 장치(도시하지 않음)로 구성된 디바이스 다이(칩)일 수 있다. 이와 달리, 워크피스(30)는 인터포저 혹은 패키지 기판 등이 될 수도 있다. 금속 범프(32)는 비록 구리 범프와 같이 다른 타입의 범프일 수도 있지만 일 실시예에서는 솔더 범프이다. 그러나, 적어도 하나의 그리고 둘 다가 될 수 있는 금속 범프(28, 32)는 모두 솔더 범프이다.다음에 설명하는 일 구체예에서, 금속 범프(28, 32)는 모두 솔더 범프이다.
히팅 도구(36)가 워크피스(30) 위에 위치하여 그것과 접촉하며 (화살표(39)로 나타낸) 하강 힘을 워크피스(30)로 인가하여 금속 범프(28, 32)가 서로를 눌러서 워크피스(30)가 미끄러지는 것을 방지한다. 도 6A에서, 히팅 도구(36)는 다수의 히팅 헤드(38)를 포함한다. 히팅 도구(36)가 워크피스(30) 위에 놓이면, 히팅 헤드(38)의 각각이 워크피스(30) 중 하나와 정렬하고 그와 접촉한다. 도 6b에서는, 히팅 도구(36)가 모든 워크피스(30)와 접촉하기에 충분할 정도로 큰 크기를 가지는 단지 하나의 히팅 헤드를 포함한다.
다음으로, 도 7에 도시한 바와 같이, 본딩이 수행된다. 히팅 도구(36)는 워크피스(30)를 가열시키고 그 열이 솔더 범프(28, 32)에 전도되어 솔더 범프(28, 32)의 리플로우를 일으킨다. 그 결과로서 결합된 솔더 범프(28, 32)로 형성된 솔더 범프를 솔더 범프(40)라 칭한다. 도 6a에 나타낸 실시예에서, 모든 히팅 헤드(38)는 동일한 온도에 있기 때문에 모든 솔더 범프(28, 32)가 녹는다. 도 6b에 나타낸 실시예에서, 서로 다른 워크피스(30)에 접촉하는 히팅 헤드(38)의 표면 부분은 실질적으로 일정한 온도를 가지기 때문에 모든 솔더 범프(28, 32)가 실질적으로 동시에 녹는다. 솔더 범프(28, 32)가 녹는 동안에, 히팅 도구(36)(및 워크피스(30))는 고정된 레벨을 유지할 수 있어 인접한 범프(28/32)가 서로 쇼트되게도 할 수 있는녹은 범프(28, 32)의 내려앉음을 방지한다. 솔더 범프(40)를 형성하는 리플로우 후에, 히팅 도구(36)는 화살표(42)에 의하여 나타낸 바와 같이 상향의 힘을 인가하여 솔더범프(40)의 높이(H)는 증가되고 솔더 범프(40)의 수평 크기(W2)는 감소된다. 상향의 힘의 인가는 예를 들어 워크 피스(30)를 위로 빨아들이도록 히팅 도구(36)에 파이프(31)에서 발생할 수도 있는 진공을 일으켜서 달성할 수 있다. 리플로우 공정 동안에, 히터(24)는 상승된 온도를 가져 워크피스(26)를 가열시킬 수 있다. 또 다르게는, 히터(24)는 가열되지 않는다. 그러면, 히팅 도구(36)의 온도는 솔더 범프(40)가 굳어질 때까지 낮아진다. 그런 다음, 본딩 공정이 완료된다.
도 4a에서 부터 도 7까지에 나타낸 실시예에서, 기판 캐리어(20) 상의 모든 워크피스는 동시에 본딩된다. 또 다른 실시예이서, 기판 캐리어(20)는, 각각이 다수의 워크피스 홀더(22)를 포함하고 있는 다수의 영역으로 나누어질 수 있다. 동일한 영역에 있는 다수의 워크피스는 도 4a 부터 도 7까지에 나타낸 것과 실질적으로 동일한 방법을 사용하여 동시에 본딩될 수 있는 반면 서로 다른 영역에 있는 워크피스는 서로 다른 시간대에서 본딩될 수도 있다.
본 실시예를 사용함으로써 본딩 공정의 처리량(throughput)이 매우 향상된다. 예를 들어, 열 개의 칩이 열 개의 패키지기판에 본딩되고 단지 하나의 칩이 한번에 본딩된다고 가정하자. 각 칩을 들어올리고 놓는데 2초 걸리고 각 칩을 가열하고 리플로우 하는데 30초 걸린다. 열 개의 칩 모두를 본딩하는데 필요한 전체 시간은 (2+30)*10, 즉 320초가 될 것이다. 비교로서, 본 실시예를 사용하면 비록 열 개의 칩을 들어올리고 놓는데 전체적으로 20초가 걸리지만 열 개의 칩을 가열하고 리플로우하는 데는 모든 칩을 동시에 리플로우하기 때문에 단지 30초만 걸린다. 이와 같이, 전체 시간은 단지 50초이다. 만일 더 많은 칩이 동시에 본딩된다면, 처리량에서의 향상은 더욱 크다. TCB 본딩의 비용이 매우 크기 때문에 향상된 처리률로 인한 본딩 공정의 비용 감소 또한 크다.
비록 본 실시예와 그 이점을 상세히 설명하였지만 여러 가지 변경, 대체 및 변형이 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 정의되는 바와 같이 본 실시예의 사상과 범위를 벗어나지 않고 이 안에서 만들어질 수 있다. 또한 본 출원의 범위가 본 명세서에 기술된 공정, 기계, 제조물, 조성물, 수단, 그리고 방법과 단계의 특정 실시예로 한정되는 것으로 의도한 것은 아니다. 당업자라면 본 개시로부터 쉽게 알 수 있듯이, 여기에 서술된 해당 실시예와 실질적으로 동일한 기능을 수행하거나 실질적으로 동일한 결과를 달성하는 현존하는 혹은 추후에 전개될 공정, 기계, 제조물, 조성물, 수단, 및 방법 혹은 단계는 본 개시에 따라 사용될 수 있다. 따라서, 후술하는 청구의 범위는 그 범위내에서 그와 같은 공정, 기계, 제조물, 조성물, 수단, 방법 혹은 단계를 포함하도록 의도한 것이다. 또한, 각 청구항은 별개의 실시예를 구성하며, 여러 청구항과 실시예의 조합은 본 개시의 범위 내에 있다.
20...기판 캐리어 22...워크피스 홀더
24...히터 26...워크피스
28...솔더 범프 30...워크피스
32...솔더 범프 36...히팅 도구
38...히팅 헤드
24...히터 26...워크피스
28...솔더 범프 30...워크피스
32...솔더 범프 36...히팅 도구
38...히팅 헤드
Claims (10)
- 워크피스 홀더들을 포함하는 기판 캐리어를 마련하는 과정과;
다수의 제 1 워크피스들을 상기 워크피스 홀더들속에 위치시키는 과정과;
다수의 제 2 워크피스들의 각각이 상기 다수의 제 1 워크피스들 중 하나 위에 위치하게 상기 다수의 제 2 워크피스들을 들여 올려 배열하는 과정과;
상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들 사이에 솔더 범프들을 리플로하여 상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들을 함께 동시에 본딩하는 과정을 포함하는 방법. - 제 1항에 있어서, 상기 솔더 범프들을 리플로하는 과정은 상기 다수의 제 2 워크피스들을 동시에 가열시키도록 구성된 다수의 히팅 헤드들을 구비한 히팅 도구를 상기 다수의 제 2 워크피스들과 접촉시킴으로써 수행되는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 솔더 범프들을 리플로하는 과정은, 상기 다수의 제 2 워크피스들 모두와 접촉하며 상기 다수의 제 2 워크피스들을 동시에 가열시키도록 구성된 단일의 히팅 헤드를 구비한 히팅 도구를 상기 다수의 제 2 워크피스들과 접촉시킴으로써 수행되는 방법.
- 제 1 항에 있어서,
리플로 과정 전에, 하향의 힘을 인가하여 상기 다수의 제 1 워크피스들에 상기 다수의 제 2 워크피스들을 누르도록 하는 과정과;
리플로 공정 동안에, 상기 다수의 제 2 워크피스들을 고정된 레벨에서 유지시키는 과정과;
상기 솔더 범프들이 녹은 후에 그리고 상기 솔더 범프들이 굳기 전에, 상기 다수의 제 2 워크피스로 상향의 힘을 인가하여 상기 솔더 범프들의 높이를 증가시키기는 과정을 더 포함하는 방법. - 제 1항에 있어서, 상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들은 어레이로서 배열되는 방법.
- 기판 캐리어를 마련하는 과정과;
다수의 제 1 워크피스들을 상기 기판 캐리어의 워크피스 홀더들속에 위치시키는 과정과;
다수의 제 2 워크피스들의 각각이 상기 다수의 제 1 워크피스들 중 하나에 수직으로 정렬되게 상기 다수의 제 2 워크피스들을 들여 올려 배열시키는 과정으로서, 상기 다수의 제 1 워크피스들의 각각은 상기 다수의 제 2 워크피스들의 각각의 제 2 솔더 범프와 접촉하는 제 1 솔더 범프를 포함하며;
히팅 도구를 상기 다수의 제 2 워크피스들 위에 위치시켜 상기 다수의 제 2 워크피스들과 동시에 접촉시키는 과정과;
상기 히팅 도구를 사용하여 상기 다수의 제 2 워크피스를 가열하여 리플로 공정을 수행하기는 과정으로서, 상기 제 1 솔더 범프와 상기 제 2 솔더 범프는 녹아서 제 3 솔더 범프를 형성하며,
상기 제 3 솔더 범프가 굳기 전에, 상기 다수의 제 2 워크피스에 상향의 힘을 동시에 인가하여 상기 제 3 솔더 범프의 높이를 증가시키는 과정을 포함하는 방법. - 제 6항에 있어서, 상기 히팅 도구는 상기 다수의 제 2 워크피스들을 동시에 가열시키도록 구성된 다수의 히팅 헤드들을 포함하는 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 히팅 도구는, 상기 다수의 제 2 워크피스들 모두와 접촉하며 상기 다수의 제 2 워크피스들을 동시에 가열시키도록 구성된 단일의 히팅 헤드를 포함하는 방법.
- 제 6항에 있어서, 리플로 공정전과 리플로 공정 동안에, 하향의 힘을 인가하여 상기 다수의 제 1 워크피스들에 상기 다수의 제 2 워크피스들을 누르도록 하는 과정을 더 포함하는 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 다수의 제 1 및 제 2 워크피스들은 어레이로서 배열되는 방법.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101419690B1 (ko) * | 2012-04-17 | 2014-07-17 | 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디 | 반도체 칩들의 열 압착 본딩 |
KR20160140184A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 삼성전기주식회사 | 패키지 기판 및 그 제조 방법 |
US9591744B2 (en) | 2012-08-06 | 2017-03-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, and method and apparatus for mounting driver IC |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8381965B2 (en) | 2010-07-22 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thermal compress bonding |
US8104666B1 (en) | 2010-09-01 | 2012-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes |
TW201301412A (zh) * | 2011-06-20 | 2013-01-01 | Walsin Lihwa Corp | 晶片結合方法 |
TW201301413A (zh) * | 2011-06-20 | 2013-01-01 | Walsin Lihwa Corp | 晶片結合設備 |
JP5865639B2 (ja) * | 2011-09-15 | 2016-02-17 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びボンディング方法 |
US8794501B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-08-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of transferring a light emitting diode |
US8573469B2 (en) | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
US9620478B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Method of fabricating a micro device transfer head |
US8349116B1 (en) | 2011-11-18 | 2013-01-08 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
US9773750B2 (en) * | 2012-02-09 | 2017-09-26 | Apple Inc. | Method of transferring and bonding an array of micro devices |
US9842817B2 (en) | 2012-02-27 | 2017-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Solder bump stretching method and device for performing the same |
US9475145B2 (en) | 2012-02-27 | 2016-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Solder bump joint in a device including lamellar structures |
US9548332B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack |
US8912045B2 (en) * | 2012-06-12 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | Three dimensional flip chip system and method |
US9538582B2 (en) | 2012-07-26 | 2017-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Warpage control in the packaging of integrated circuits |
US9162880B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Mass transfer tool |
US9558721B2 (en) | 2012-10-15 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays |
US9153171B2 (en) | 2012-12-17 | 2015-10-06 | LuxVue Technology Corporation | Smart pixel lighting and display microcontroller |
JP5874683B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2016-03-02 | ソニー株式会社 | 実装基板の製造方法、および電子機器の製造方法 |
ES2952036T3 (es) | 2013-06-12 | 2023-10-26 | Rohinni Inc | Teclado de retroiluminación con fuentes generadoras de luz depositadas |
US9367094B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
US9450147B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-09-20 | Apple Inc. | LED with internally confined current injection area |
US9583466B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-28 | Apple Inc. | Etch removal of current distribution layer for LED current confinement |
US9343420B2 (en) | 2014-02-14 | 2016-05-17 | Globalfoundries Inc. | Universal solder joints for 3D packaging |
US9583533B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | LED device with embedded nanowire LEDs |
US9522468B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-12-20 | Apple Inc. | Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance |
US9318475B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Flexible display and method of formation with sacrificial release layer |
US9741286B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Interactive display panel with emitting and sensing diodes |
US9624100B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-04-18 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements |
US9425151B2 (en) | 2014-06-17 | 2016-08-23 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with spring support layer |
US9570002B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-02-14 | Apple Inc. | Interactive display panel with IR diodes |
US10104772B2 (en) * | 2014-08-19 | 2018-10-16 | International Business Machines Incorporated | Metallized particle interconnect with solder components |
US9828244B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-11-28 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with defined cavity |
US9705432B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-07-11 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount design for strain amplification |
KR101619460B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-11 | 주식회사 프로텍 | 적층형 반도체 패키지의 제조장치 |
US9478583B2 (en) | 2014-12-08 | 2016-10-25 | Apple Inc. | Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate |
WO2017124109A1 (en) | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Rohinni, LLC | Apparatus and method of backlighting through a cover on the apparatus |
TWI607587B (zh) * | 2016-09-13 | 2017-12-01 | 台灣琭旦股份有限公司 | 固晶穩固製程 |
US10312126B1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-04 | Micron Technology, Inc. | TCB bond tip design to mitigate top die warpage and solder stretching issue |
JP6916525B2 (ja) * | 2018-02-06 | 2021-08-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Ledディスプレイの製造方法 |
US10593581B2 (en) * | 2018-02-26 | 2020-03-17 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Transfer head and method for transferring micro devices |
US10593582B2 (en) * | 2018-02-26 | 2020-03-17 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Transfer head and method for transferring micro devices |
KR20200114573A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 삼성전자주식회사 | 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
US11652080B2 (en) * | 2021-05-27 | 2023-05-16 | Intel Corporation | Thermal compression bonder nozzle with vacuum relief features |
Family Cites Families (104)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL219101A (ko) * | 1956-10-31 | 1900-01-01 | ||
US3458102A (en) | 1967-08-09 | 1969-07-29 | Kulicke & Soffa Ind Inc | Semiconductor wafer pickup and bonding tool |
US4607779A (en) * | 1983-08-11 | 1986-08-26 | National Semiconductor Corporation | Non-impact thermocompression gang bonding method |
US4763827A (en) * | 1984-08-13 | 1988-08-16 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method |
US4878611A (en) * | 1986-05-30 | 1989-11-07 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Process for controlling solder joint geometry when surface mounting a leadless integrated circuit package on a substrate |
US4865245A (en) * | 1987-09-24 | 1989-09-12 | Santa Barbara Research Center | Oxide removal from metallic contact bumps formed on semiconductor devices to improve hybridization cold-welds |
US5059559A (en) * | 1987-11-02 | 1991-10-22 | Hitachi, Ltd. | Method of aligning and bonding tab inner leads |
JPH02206138A (ja) | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Shimadzu Corp | フリップチップ実装方法 |
US5113581A (en) | 1989-12-19 | 1992-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Outer lead bonding head and method of bonding outer lead |
JPH0493041A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Fujitsu Ltd | 熱圧着方法 |
DE69117891T2 (de) * | 1990-11-20 | 1996-07-25 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zum Montieren von Halbleiterelementen |
JPH0770565B2 (ja) * | 1990-12-17 | 1995-07-31 | 松下電器産業株式会社 | 部品のフィルムキャリアへの接合装置 |
US5148968A (en) | 1991-02-11 | 1992-09-22 | Motorola, Inc. | Solder bump stretch device |
JP2890335B2 (ja) | 1991-07-15 | 1999-05-10 | 株式会社新川 | テープクランプ機構 |
JPH05144870A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Fujitsu Ltd | バンプ転写方法 |
JP3423727B2 (ja) * | 1992-01-16 | 2003-07-07 | 富士通株式会社 | フリップチップ接合方法 |
US5346857A (en) * | 1992-09-28 | 1994-09-13 | Motorola, Inc. | Method for forming a flip-chip bond from a gold-tin eutectic |
US5397423A (en) | 1993-05-28 | 1995-03-14 | Kulicke & Soffa Industries | Multi-head die bonding system |
JP3331570B2 (ja) * | 1993-09-08 | 2002-10-07 | ソニー株式会社 | 熱圧着装置と熱圧着方法および液晶表示装置の生産方法 |
US5346118A (en) | 1993-09-28 | 1994-09-13 | At&T Bell Laboratories | Surface mount solder assembly of leadless integrated circuit packages to substrates |
JPH07170094A (ja) | 1993-12-14 | 1995-07-04 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | 電子素子チップの収納トレイ |
US5385291A (en) * | 1994-01-10 | 1995-01-31 | Micron Custom Manufacturing Services, Inc. | Method employing an elevating of atmospheric pressure during the heating and/or cooling phases of ball grid array (BGA) soldering of an IC device to a PCB |
US5441195A (en) | 1994-01-13 | 1995-08-15 | Unisys Corporation | Method of stretching solder joints |
US5435482A (en) * | 1994-02-04 | 1995-07-25 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit having a coplanar solder ball contact array |
JP3393562B2 (ja) * | 1994-05-13 | 2003-04-07 | ソニー株式会社 | 熱圧着装置 |
JPH0832296A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Ibiden Co Ltd | 電子部品を実装する際の位置合わせ方法 |
JP3348528B2 (ja) * | 1994-07-20 | 2002-11-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置 |
JP2774068B2 (ja) * | 1994-08-19 | 1998-07-09 | 光洋産業株式会社 | 集合体の熱圧成形方法 |
DE19510746A1 (de) | 1995-03-24 | 1996-09-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der Bremsanlage eines Fahrzeugs |
US5632434A (en) * | 1995-06-29 | 1997-05-27 | Regents Of The University Of California | Pressure activated diaphragm bonder |
KR0152607B1 (ko) | 1995-08-17 | 1998-12-01 | 김주용 | 윈도우 클램프 및 그를 이용한 리드 프레임 스트립의 정렬방법 |
US5639696A (en) | 1996-01-31 | 1997-06-17 | Lsi Logic Corporation | Microelectronic integrated circuit mounted on circuit board with solder column grid array interconnection, and method of fabricating the solder column grid array |
JP3330037B2 (ja) | 1996-11-29 | 2002-09-30 | 富士通株式会社 | チップ部品の接合方法および装置 |
US6068174A (en) | 1996-12-13 | 2000-05-30 | Micro)N Technology, Inc. | Device and method for clamping and wire-bonding the leads of a lead frame one set at a time |
JPH10223693A (ja) | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Toshiba Corp | 電子部品実装方法および電子部品実装装置 |
JP2947220B2 (ja) | 1997-05-26 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | フリップチップ接続方法及びフリップチップ搭載装置 |
JP3094948B2 (ja) | 1997-05-26 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | 半導体素子搭載用回路基板とその半導体素子との接続方法 |
US7654432B2 (en) * | 1997-05-27 | 2010-02-02 | Wstp, Llc | Forming solder balls on substrates |
US5984166A (en) | 1997-07-09 | 1999-11-16 | Mask Technology, Inc. | Process for creating fine and coarse pitch solder deposits on printed ciruit boards |
US5964396A (en) * | 1997-08-12 | 1999-10-12 | International Business Machines Corporation | Enhanced ceramic ball grid array using in-situ solder stretch with clip |
US5975409A (en) | 1997-08-12 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | Ceramic ball grid array using in-situ solder stretch |
US5968670A (en) * | 1997-08-12 | 1999-10-19 | International Business Machines Corporation | Enhanced ceramic ball grid array using in-situ solder stretch with spring |
SE511873C2 (sv) * | 1997-08-27 | 1999-12-13 | Akzo Nobel Nv | Katjoniska sockertensider från etoxilerade ammoniumföreningar och reducerande sackarider samt användning därav som hydrotoper för tensider |
JP2997231B2 (ja) * | 1997-09-12 | 2000-01-11 | 富士通株式会社 | マルチ半導体ベアチップ実装モジュールの製造方法 |
US6131795A (en) | 1997-11-10 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal compression bonding method of electronic part with solder bump |
JP2000036501A (ja) | 1998-05-12 | 2000-02-02 | Sharp Corp | ダイボンド装置 |
US6213376B1 (en) * | 1998-06-17 | 2001-04-10 | International Business Machines Corp. | Stacked chip process carrier |
JP2000100837A (ja) | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Miyagi Oki Denki Kk | 半導体素子の実装装置 |
EP1030349B2 (de) | 1999-01-07 | 2013-12-11 | Kulicke & Soffa Die Bonding GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von auf einem Substrat angeordneten elektronischen Bauteilen, insbesondere von Halbleiterchips |
JP2000332060A (ja) | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2001014811A1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-01 | Radiant Technology Corporation | Continuous-conduction wafer bump reflow system |
US6237832B1 (en) | 1999-10-18 | 2001-05-29 | Henry Chung | Wave soldering fixture |
EP1255292A1 (en) * | 2000-01-14 | 2002-11-06 | Toray Engineering Co., Ltd. | Chip mounting method |
US6186392B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Method and system for forming contacts on a semiconductor component by aligning and attaching ferromagnetic balls |
JP4194227B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2008-12-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 電子部品の熱圧着装置 |
US6666368B2 (en) * | 2000-11-10 | 2003-12-23 | Unitive Electronics, Inc. | Methods and systems for positioning substrates using spring force of phase-changeable bumps therebetween |
JP2002158257A (ja) | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | フリップチップボンディング方法 |
US6495397B2 (en) | 2001-03-28 | 2002-12-17 | Intel Corporation | Fluxless flip chip interconnection |
JP4050478B2 (ja) | 2001-03-29 | 2008-02-20 | マツダ株式会社 | 摩擦撹拌を用いた加工制御方法、並びに当該方法を実行するコンピュータプログラム並びに当該コンピュータプログラムを格納した記憶媒体 |
US6550665B1 (en) * | 2001-06-06 | 2003-04-22 | Indigo Systems Corporation | Method for electrically interconnecting large contact arrays using eutectic alloy bumping |
TW508644B (en) | 2001-11-19 | 2002-11-01 | Advanced Semiconductor Eng | Die bonding device |
US7235886B1 (en) | 2001-12-21 | 2007-06-26 | Intel Corporation | Chip-join process to reduce elongation mismatch between the adherents and semiconductor package made thereby |
US6871394B2 (en) * | 2002-01-31 | 2005-03-29 | Texas Instruments Incorporated | Method for aligning substrates in a tray |
JP3809125B2 (ja) | 2002-04-11 | 2006-08-16 | 新光電気工業株式会社 | 半導体チップボンディング用ヘッドおよび半導体チップボンディング方法 |
US7271497B2 (en) * | 2003-03-10 | 2007-09-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Dual metal stud bumping for flip chip applications |
JP4334892B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2009-09-30 | パナソニック株式会社 | 部品実装方法 |
JPWO2004107432A1 (ja) * | 2003-05-29 | 2006-07-20 | 富士通株式会社 | 電子部品の実装方法、取外し方法及びその装置 |
US7077908B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate holder |
JP3921459B2 (ja) | 2003-07-11 | 2007-05-30 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 電気部品の実装方法及び実装装置 |
JP2005064205A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Niigata Seimitsu Kk | 回路基板の移載装置および移載方法、半田ボール搭載方法 |
JP4206320B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2009-01-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
TWI244419B (en) | 2003-09-25 | 2005-12-01 | Unaxis Internat Tranding Ltd | Wire bonder with a downholder for pressing the fingers of a system carrier onto a heating plate |
JP3891297B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2007-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置製造用治具 |
US6942137B2 (en) | 2003-10-16 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Die removal method and apparatus |
JP2005190601A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Hitachi Ltd | 回転磁気ヘッド型記録再生装置 |
US6890795B1 (en) | 2003-12-30 | 2005-05-10 | Agency For Science, Technology And Research | Wafer level super stretch solder |
US7357293B2 (en) * | 2004-03-24 | 2008-04-15 | Intel Corporation | Soldering an electronics package to a motherboard |
US7257887B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-08-21 | David Lee | Die holding apparatus for bonding systems |
DE102004034421A1 (de) | 2004-07-15 | 2006-02-09 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur wechselseitigen Kontaktierung von zwei Wafern |
US7287685B2 (en) * | 2004-09-20 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Structure and method to gain substantial reliability improvements in lead-free BGAs assembled with lead-bearing solders |
WO2006082744A1 (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 電気部品の実装装置 |
JP4397947B2 (ja) | 2005-03-28 | 2010-01-13 | パナソニック株式会社 | フリップチップ実装体とフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装装置 |
JP4534062B2 (ja) | 2005-04-19 | 2010-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US7370258B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-05-06 | Sandbridge Technologies Inc. | Iterative concatenated convolutional Reed-Solomon decoding method |
KR100634869B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2006-10-17 | 삼성전자주식회사 | 멀티 다이 접착 장치 |
JP4539454B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | 電子部品の熱圧着ツールおよび電子部品の実装装置ならびに実装方法 |
US7135771B1 (en) | 2005-06-23 | 2006-11-14 | Intel Corporation | Self alignment features for an electronic assembly |
US20070000592A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Intel Corporation | Apparatus and method to operate on one or more attach sites in die package assembly |
JP4669371B2 (ja) | 2005-10-12 | 2011-04-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JP2007142097A (ja) | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
JP4185960B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2008-11-26 | 松下電器産業株式会社 | 回路基板に対する作業装置及び作業方法 |
US7470904B1 (en) * | 2006-03-20 | 2008-12-30 | Flir Systems, Inc. | Infrared camera packaging |
JP4720608B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-07-13 | パナソニック株式会社 | 部品実装装置および部品実装方法 |
US7614538B2 (en) | 2006-05-15 | 2009-11-10 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Device clamp for reducing oxidation in wire bonding |
TWI322476B (en) | 2006-10-05 | 2010-03-21 | Advanced Semiconductor Eng | Die bonder and die bonding method thereof |
JP4930049B2 (ja) | 2006-12-27 | 2012-05-09 | 富士通株式会社 | 高さ調節装置及び実装方法 |
US20090091025A1 (en) | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Agency For Science, Technology And Research | Method for forming and releasing interconnects |
JP2009123835A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP5167779B2 (ja) | 2007-11-16 | 2013-03-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2009141269A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Sony Chemical & Information Device Corp | 電気部品の実装方法及び実装装置 |
JP5040746B2 (ja) | 2008-03-14 | 2012-10-03 | 日本電気株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
US8381965B2 (en) | 2010-07-22 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thermal compress bonding |
US8104666B1 (en) | 2010-09-01 | 2012-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes |
US8177862B2 (en) | 2010-10-08 | 2012-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Thermal compressive bond head |
-
2010
- 2010-07-22 US US12/841,858 patent/US8381965B2/en active Active
- 2010-11-26 TW TW099140942A patent/TWI430374B/zh active
- 2010-12-17 CN CN201510333393.2A patent/CN104966679A/zh active Pending
- 2010-12-17 CN CN2010106020975A patent/CN102347254A/zh active Pending
- 2010-12-27 KR KR1020100135783A patent/KR101214336B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-01-15 US US13/742,082 patent/US8556158B2/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101419690B1 (ko) * | 2012-04-17 | 2014-07-17 | 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디 | 반도체 칩들의 열 압착 본딩 |
US9591744B2 (en) | 2012-08-06 | 2017-03-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, and method and apparatus for mounting driver IC |
KR20160140184A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 삼성전기주식회사 | 패키지 기판 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104966679A (zh) | 2015-10-07 |
US20130126591A1 (en) | 2013-05-23 |
KR101214336B1 (ko) | 2012-12-24 |
US8381965B2 (en) | 2013-02-26 |
CN102347254A (zh) | 2012-02-08 |
US20120018494A1 (en) | 2012-01-26 |
TW201205696A (en) | 2012-02-01 |
TWI430374B (zh) | 2014-03-11 |
US8556158B2 (en) | 2013-10-15 |
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---|---|---|
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US8104666B1 (en) | Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes | |
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US20150014863A1 (en) | Dam Structure for Enhancing Joint Yield in Bonding Processes | |
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