KR20100122834A - 광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100122834A
KR20100122834A KR1020090074677A KR20090074677A KR20100122834A KR 20100122834 A KR20100122834 A KR 20100122834A KR 1020090074677 A KR1020090074677 A KR 1020090074677A KR 20090074677 A KR20090074677 A KR 20090074677A KR 20100122834 A KR20100122834 A KR 20100122834A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
getter
substrate
getter layer
Prior art date
Application number
KR1020090074677A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101086881B1 (ko
Inventor
백승환
하영보
김정수
임우빈
Original Assignee
네오뷰코오롱 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 네오뷰코오롱 주식회사 filed Critical 네오뷰코오롱 주식회사
Publication of KR20100122834A publication Critical patent/KR20100122834A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101086881B1 publication Critical patent/KR101086881B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 유기전계발광표시장치는 다수개의 단위 유기전계발광소자를 구비하는 소자 어레이가 형성된 소자기판을 갖는다. 상기 단위 유기전계발광소자는 차례로 적층된 하부전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기기능막, 상부전극, 및 상기 유기기능막과 상기 상부전극 사이와 상기 상부전극 상부 중 적어도 어느 한 부분에 형성된 금속 산화물, 금속 질화물, 금속염 및 이들의 복합물 중 적어도 하나를 함유하는 투광층을 구비한다. 상기 소자 기판 상에 봉지 기판이 배치된다. 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 상기 소자 어레이의 상부면 및 측면을 덮는 광투과성 게터층이 배치된다.

Description

광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법{Organic light emitting display device having light transmissive getter layer and method of fabricating the same}
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
유기전계발광소자는 애노드, 캐소드 및 이들 사이에 위치하는 유기기능막을 구비하는 소자이다. 상기 유기기능막은 유기발광층을 구비한다. 상기 애노드에서 주입된 정공과 상기 캐소드에서 주입된 전자가 상기 유기발광층 내에서 재결합함으로써, 광이 방출된다. 이러한 유기전계발광소자는 액정표시소자와는 달리 자체발광소자이므로 백라이트가 필요 없고, 플라즈마 디스플레이 소자와는 달리 구동전압이 매우 낮아 전력소모가 낮은 장점이 있다.
그러나, 상기 유기기능막은 수분에 의해 쉽게 열화될 수 있다. 이를 해결하기 위해, 상기 유기전계발광소자를 봉지시키는 봉지기판 내에 게터(getter)층을 배치하기도 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 내습력이 더욱 향상되면서도 전면발광이 가능한 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기전계발광표시장치를 제공한다. 상기 유기전계발광표시장치는 다수개의 단위 유기전계발광소자를 구비하는 소자 어레이가 형성된 소자기판을 갖는다. 상기 단위 유기전계발광소자는 차례로 적층된 하부전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기기능막, 상부전극, 및 상기 유기기능막과 상기 상부전극 사이와 상기 상부전극 상부 중 적어도 어느 한 부분에 형성된 금속 산화물, 금속 질화물, 금속염 및 이들의 복합물 중 적어도 하나를 함유하는 투광층을 구비한다. 상기 소자 기판 상에 봉지 기판이 배치된다. 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 상기 소자 어레이의 상부면 및 측면을 덮는 광투과성 게터층이 배치된다.
상기 금속 산화물은 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, 또는 SrO2일 수 있고, 상기 금속 질화물은 SiN 또는 AlN일 수 있으며. 상기 금속염은 Cs2CO3, Li2CO3, K2CO3, Na2CO3, LiF, CsF, 또는 ZnSe일 수 있다.
상기 투광층은 상기 유기기능막과 상기 상부전극 사이에 위치하는 제1 투광층과 상기 상부전극 상부에 위치하는 제2 투광층을 구비하고, 상기 제1 투광층은 금속염 또는 금속산화물을 함유하고, 상기 제2 투광층은 금속산화물을 함유할 수 있다. 일 예로서, 상기 제1 투광층은 MoO3 또는 Cs2CO3를 함유하고, 상기 제2 투광층은 MoO3를 함유할 수 있다.
상기 소자 어레이의 주변부에 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 연결하는 실런트를 더 포함하고, 상기 게터층은 상기 소자 기판, 상기 봉지 기판 및 상기 실런트 사이의 빈 공간을 채울 수 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 봉지 기판 상에 광투과성 게터층을 형성하는 것을 포함한다. 다수개의 단위 유기전계발광소자를 구비하는 소자 어레이가 형성된 소자 기판을 제공한다. 상기 단위 유기전계발광소자는 차례로 적층된 하부전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기기능막, 상부전극, 및 상기 유기기능막과 상기 상부전극 사이와 상기 상부전극 상부 중 적어도 어느 한 부분에 형성된 금속 산화물, 금속 질화물, 금속염 및 이들의 복합물 중 적어도 하나를 함유하는 투광층을 구비한다. 상기 게터층이 상기 소자 어레이를 바라보도록 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합착하여 모듈을 형성한다. 상기 소자 어레이의 상부면 및 측면을 덮도록 상기 게터층에 유동성을 부여한다.
상기 모듈을 열처리하여 상기 게터층에 유동성을 부여할 수 있다. 상기 게 터층은 다공성 나노 입자 및 고분자 바인더를 함유하는 층이고, 상기 모듈을 열처리하는 것은 상기 고분자 바인더의 유리전이온도 이상의 온도에서 수행하는 것일 수 있다.
상기 모듈을 형성하기 전에, 상기 게터층 상에 불활성 기체를 분사할 수 있다. 상기 모듈을 형성하기 전에, 상기 게터층을 열처리할 수 있다.
본 발명에 따르면, 게터층에 유동성을 부여하여 상기 소자 어레이의 상부면 및 측면을 덮도록 함으로써, 유기전계발광표시장치의 내습성을 크게 향상시킬 수 있다. 이와 더불어서, 유기발광표시장치의 전면 발광 효율을 더 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
습식법을 사용한 게터층 형성방법을 포함한 유기전계발광표시장치 제조방법
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 순차적으로 나타낸 개략도들이다. 구체적으로, 도 1b는 도 1a의 절단선 A-A′를 따라 취해진 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 원장 봉지 기판(10)이 제공된다. 상기 원장 봉지 기판(10)은 스크라이빙 라인(10a)에 의해 정의된 다수개의 단위 봉지 기판(10u) 을 구비한다. 상기 단위 봉지 기판(10u)은 상기 원장 봉지 기판(10)과 구별하기 위해 사용된 용어로서, 봉지 기판으로도 지칭될 수 있다. 상기 원장 봉지 기판(10)은 유리 또는 플라스틱과 같은 광투과성 절연 기판일 수 있다.
상기 단위 봉지 기판(10u)을 식각하여 각 단위 봉지 기판(10u) 내에 홈(10b)을 형성할 수 있다. 상기 홈(10b)을 형성하는 것은 화학적 식각법 또는 샌드블라스트법을 사용하여 수행할 수 있다. 상기 홈(10b)은 후술하는 유기전계발광소자의 면적에 대응하여 형성될 수 있다.
상기 홈(10b) 내에 게터층(G)을 형성한다. 상기 게터층(G)은 습식법을 사용하여 형성할 수 있다. 습식법의 일 예로서, 상기 홈(10b) 내에 토출기(dispenser, 50)를 사용하여 액상 게터(LG)를 토출함으로써 형성할 수 있다. 상기 토출기(50)는 하나의 노즐을 구비하는 일반 디스펜서, 또는 다수개의 노즐들을 구비하는 잉크젯 프린팅 장치일 수 있다. 이 경우, 노즐의 교체만으로 상기 원장 봉지 기판(10)의 크기 변화에 유연하게 대응할 수 있으며, 상기 게터층(G) 형성을 위한 얼라인 마진(align margin)이 큰 장점이 있다.
상기 액상 게터(LG) 및 상기 게터층(G)은 광투과성 게터일 수 있고, 흡습성 나노 입자와 고분자 바인더를 구비할 수 있다. 상기 액상 게터(LG)는 무용제성 게터일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 상기 액상 게터(LG)는 용제를 함유할 수도 있다.
상기 흡습성 나노 입자는 금속 산화물, 금속 할로겐화물, 금속염, 오산화 인(P2O5), 또는 탄소화합물을 포함할 수 있으며, 다공성 물질일 수 있다.
상기 금속 산화물은 알칼리금속 산화물 또는 알칼리토금속 산화물일 수 있다. 상기 알칼리금속 산화물은 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O) 또는 산화칼륨(K2O)일 수 있고, 상기 알칼리토금속 산화물은 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO), 또는 산화마그네슘(MgO)일 수 있다. 그 외, 상기 금속 산화물은 알루미나, 실리카, 또는 산화셀레늄(SeO)일 수 있다.
상기 금속 할로겐화물은 일 예로서, 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스토론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl2), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr3), 브롬화세륨(CeBr4), 브롬화셀레늄(SeBr2), 브롬화바나듐(VBr2), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화 바륨(BaI2) 또는 요오드화 마그네슘(MgI2)일 수 있다.
상기 금속염은 금속 황산염 또는 금속 과염소산염일 수 있다. 상기 금속 황산염은 일 예로서, 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2), 또는 황산니켈(NiSO4)일 수 있다. 상기 금속 과염소산염은 일 예로서, 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산 마그네슘(Mg(ClO4)2)일 수 있다.
상기 흡습성 나노 입자는 평균입경이 100nm 이하, 예를 들어 20 내지 100nm 일 수 있다.
상기 바인더는 유기 바인더, 또는 유무기 복합 바인더일 수 있다. 상기 유기 바인더는 저분자 또는 고분자로서, 일 예로서, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 또는 셀롤로오즈계 수지일 수 있다.
상기 아크릴계 수지는 일 예로서, 부틸아크릴레이트, 또는 에틸헥실아크릴레이트 일 수 있고, 상기 메타크릴계 수지는 일 예로서, 프로필렌글리콜메타크릴레이트, 또는 테트라하이드로퍼프리 메타크릴레이트일 수 있고, 상기 비닐계 수지는 일 예로서 비닐아세테이트, 또는 N-비닐피롤리돈일 수 있고, 상기 에폭시계 수지는 일 예로서 싸이클로알리파틱 에폭사이드일 수 있고, 상기 우레탄계 수지는 일 예로서 우레탄 아크릴레이트일 수 있고, 상기 셀룰로오즈계 수지는 일 예로서, 셀룰로오즈나이트레이트일 수 있다.
상기 유무기 복합 바인더는 실리콘, 알루미늄, 티타늄, 지르코늄 등과 같은 무기 재료와 유기물이 공유결합으로 연결되어 있는 물질로서, 예를 들어 에폭시 실란 또는 그 유도체, 비닐 실란 또는 그 유도체, 아민실란 또는 그 유도체, 메타크릴레이트 실란 또는 이들의 부분 경화 반응 결과물일 수 있다. 상기 에폭시 실란 또는 그 유도체의 구체적인 예로서, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane) 또는 그 중합체를 들 수 있다. 상기 비닐 실란 또는 그 유도체의 구체적인 예로서, 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilnae) 또는 그 중합체를 들 수 있다. 또한, 상기 아민실란 또는 그 유도체의 구체적인 예 로서, 3-아미노프로필트리메톡시실란(3-Aminopropyltriethoxysilnae) 및 그 중합체를 들 수 있다. 상기 메타크릴레이트 실란 또는 그 유도체의 구체적인 예로서, 3-트리(메톡시실릴)프로필 아크릴레이트{3-(Trimethoxysilyl)propyl acrylate} 및 그 중합체 등이 있다.
이러한 바인더는 프린팅이 가능한 요변성과 레벨성이 우수하며, 상기 흡습성 나노 입자와 혼화성이 우수하고 성막성이 우수할 수 있다.
상기 토출기(50)는 홈들(10b)의 열들에 대응하여 복수개로 사용될 수도 있다. 한편, 상기 게터층(G)은 모든 홈들(10b) 내에 형성되지 않고 일부 홈들(10b) 내에 선택적으로 형성될 수도 있다.
상기 홈(10b) 내에 토출된 게터층(G)은 표면 장력에 의해 반원 형태를 가질 수 있어서, 상기 홈(10b) 내부를 완전히 채우지 못하고 또한 두께 편차를 가질 수 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 게터층(G)의 두께 편차를 감소시키기 위한 공정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 상기 토출기(50)를 사용하여 상기 액상 게터(LG)를 토출시키는 과정에서 상기 봉지 원장 기판(10)의 하부를 적당한 온도로 가열하여, 열에 의해 상기 게터층(G)이 퍼질 수 있도록 할 수 있다. 또는 상기 게터층(G)이 토출된 기판을 회전시켜 원심력에 의해 상기 게터층(G)이 퍼질 수 있도록 할 수 있다. 또는 에어 나이프(60)를 사용하여 상기 게터층(G) 상에 불활성 기체를 분사하여 물리적 힘에 의해 상기 게터층(G)이 퍼질 수 있도록 할 수 있다.
이어서, 상기 게터층(G)를 열처리할 수 있다. 상기 열처리는 핫 플레이트, 챔버 또는 에어 나이프를 사용하여 수행할 수 있다. 이 결과, 상기 게터층(G) 내에 포함된 수분 또는 용제를 제거할 수 있고, 나아가 상기 게터층(G)의 표면 상태를 개선할 수 있다.
이 후, 상기 게터층(G)를 냉각시켜 고화시킬 수 있다. 이러한 고화과정은 취급 용이성을 위해 수행되는 것이며, 생략될 수도 있다.
상기 게터층(G)을 형성하는 과정에서 수행되는 열처리는 상기 게터층(G) 내의 바인더를 경화시키는 것은 아니다. 따라서, 상기 게터층(G)은 추후 열처리에 의해 다시 유동성을 가질 수 있다.
도 1d를 참조하면, 상기 원장 봉지 기판(10)을 스크라이브 라인(10a)을 따라 절단하여 단위 봉지 기판(10u) 별로 분리시킨다.
상기 게터층(G)의 중심부의 두께(T_G)는 상기 홈의 깊이(D_10b) 보다 클 수 있다. 상기 게터층(G)은 그의 성능에 따라 두께가 결정된다. 따라서, 상기 홈의 깊이(D_10b)가 상기 게터층(G)의 결정된 두께(T_G)보다 작도록 상술한 홈(10b) 형성 공정을 진행하는 것이 바람직하다.
도 1e를 참조하면, 다수개의 단위 유기전계발광소자(23)를 구비하는 소자 어레이(ELa)가 형성된 소자 기판(20u)을 제공한다.
상기 단위 유기전계발광소자(23)는 하부전극(23a), 상부전극(23c) 및 이들 전극들 사이에 위치하는 유기기능막(23b)을 구비한다. 상기 단위 유기전계발광소자(23)에 대한 자세한 설명은 도 7을 참조하여 더욱 자세하게 설명하기로 한다.
상기 소자 기판(20u) 상에 소자 어레이(ELa)를 형성하는 일 예를 자세하게 설명하면 다음과 같다. 먼저, 소자 기판(20u) 상에 제1 방향으로 연장된 하부 전극(23a)을 형성할 수 있다. 상기 하부 전극(23a) 상에 화소 정의막(25)을 형성할 수 있다. 상기 화소정의막(25) 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 분리패턴(27)을 형성할 수 있다. 상기 하부 전극(23a) 상에 유기기능막(23b) 및 상부 전극(23c)을 차례로 형성할 수 있다. 이 때, 상기 분리패턴(27) 상에도 유기기능막(23b) 및 상부 전극(23c)이 차례로 형성될 수 있다.
이어서, 소자 어레이(ELa)의 주변영역 상에 실런트(30)를 도포한다. 상기 실런트(30)가 도포된 소자 기판(20u) 상에 상기 게터층(G)이 상기 소자 기판(20u)을 바라보도록 봉지 기판(10u)을 위치시킨다. 진공에서 상기 봉지 기판(10u)과 상기 소자 기판(20u)을 가압하여 합착시켜 단위 모듈(M)을 형성한다. 상기 단위 모듈(M) 내부 즉, 상기 봉지 기판(10u)과 상기 소자 기판(20u) 사이는 진공 상태일 수 있다. 위에서 상기 실런트(30)를 상기 소자 기판(20u) 상에 도포한 것으로 기술하였으나, 이에 한정되지 않고 상기 실런트(30)는 상기 봉지 기판(10u) 상에 도포될 수도 있다. 또한, 상기 실런트(30)을 상기 봉지 기판(10u) 상에 도포한 후 상기 게터층(G)을 형성할 수도 있다.
도 1f를 참조하면, 상기 게터층(G)에 유동성을 부여하여, 상기 소자 어레이(ELa)의 상부면 및 측면을 덮도록 한다. 상기 게터층(G)에 유동성을 부여하는 공정은 진공보다 높은 압력 예를 들어, 상압 상태에서 진행할 수 있다. 이 경우, 진공 상태인 단위 모듈(M)의 내부보다 외부의 압력이 크다. 따라서, 상기 게터층(G)에 유동성을 부여하면 상기 봉지 기판(10u)과 상기 소자 기판(20u) 사이의 간 격이 줄어들면서, 상기 게터층(G)이 상기 소자 어레이(ELa)의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다.
이 경우, 외부에서 침투하는 수분 등 오염물질은 상기 게터층(G)을 통과하여야 상기 유기기능막(23b)에 이르게 되므로, 상기 게터층(G)은 상기 유기기능막(23b)을 수분 및 오염물질로부터 충분히 보호할 수 있다. 결론적으로, 유기전계발광소자(23)의 내습성이 크게 향상될 수 있다. 나아가, 상기 게터층(G)은 상기 소자 기판(20u), 상기 봉지 기판(10u) 및 상기 실런트(30) 사이의 빈공간을 모두 채울 수 있다.
상기 게터층(G)에 유동성을 부여하는 것은 단위 모듈(M)을 열처리함으로써 구현할 수 있다. 상기 열처리 단계에서 열처리 온도는 상기 게터층(G)이 유동성을 가질 수 있는 온도, 예를 들어 상기 게터층(G) 내에 함유된 고분자 바인더의 유리전이온도(Tg) 이상의 온도일 수 있다. 그러나, 단위 모듈을 열처리하는 과정에서 상기 유기기능막(23b)이 손상될 수 있으므로, 최대한 낮은 온도에서 수행하는 것이 바람직하다. 일 예로서, 상기 열처리 온도는 40 내지 100 ℃, 구체적으로는 70 내지 100 ℃일 수 있다. 상기 단위 모듈을 열처리하는 것은 핫 플레이트, 챔버, 또는 에어 나이프를 사용하여 수행할 수 있다. 이러한 열처리는 상기 게터층(G)에 유동성을 부여할 뿐, 상기 게터층(G) 내의 바인더를 경화시키는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 제조방법을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 제조방법은 후술하는 것을 제외하고는 도 1a 내지 도 1f를 참조하여 설명한 실시예에 따른 제조방법과 유사하다.
도 2를 참조하면, 단위 봉지 기판(10u)을 식각하여 홈을 형성하는 대신, 상기 단위 봉지 기판(10u) 상에 뱅크(bank, 10c)를 형성하여 게터층(G)이 형성될 홈을 정의할 수 있다. 상기 뱅크(10c)는 실런트일 수도 있다.
그러나, 상기 뱅크(10c)를 형성하지 않고 플랫한 단위 봉지 기판(10u) 상에 게터층(G)을 형성하는 것도 가능하다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 제조방법을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 제조방법은 후술하는 것을 제외하고는 도 1a 내지 도 1f를 참조하여 설명한 실시예에 따른 제조방법과 유사하다.
도 3을 참조하면, 게터층(G)은 단위 봉지 기판(10u)의 홈(10b) 내에 분사기(70)를 사용하여 액상 게터(LG)를 분사함으로써 형성할 수 있다. 상기 분사기(70)는 하나의 노즐을 구비하는 일반 스프레이, 또는 다수개의 노즐들을 구비하는 샤워 노즐일 수 있다. 이 경우, 노즐의 교체만으로 상기 원장 봉지 기판(10)의 크기 변화에 유연하게 대응할 수 있으며, 상기 게터층(G) 형성을 위한 얼라인 마진이 큰 장점이 있다.
상기 분사기(70)는 홈들(10b)의 열들에 대응하여 복수개로 사용될 수도 있다. 한편, 상기 게터층(G)은 모든 홈들(10b) 내에 형성되지 않고 일부 홈들(10b) 내에 선택적으로 형성될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 제조방법을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 제조방법은 후술하는 것을 제외하고는 도 1a 내지 도 1f를 참조하여 설명한 실시예에 따른 제조방법과 유사하다.
도 4를 참조하면, 게터층(G)은 단위 봉지 기판(10u)의 홈(10b) 내에 스크린 프린터를 사용하여 액상 게터를 프린팅함으로써 형성할 수 있다. 상기 스크린 프린터는 원장 봉지 기판(10) 상에 배치되고 상기 홈(10b)에 대응하는 메쉬부(80a)를 갖는 스크린 마스크(80) 및 상기 스크린 마스크(80) 상에 배치된 스퀴이저(squeezer; 90)을 구비할 수 있다. 상기 스크린 마스크(80) 상에 액상 게터가 토출되고, 상기 스퀴이저(90)가 상기 매쉬부(80a)를 통해 상기 액상 게터를 스퀴이징하여, 상기 홈(10b) 내에 상기 게터층(G)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 원장 봉지 기판(10)의 모든 단위 봉지 기판들(10u) 상에 상기 게터층(G)을 한번에 프린트할 수 있는 장점이 있다.
다만, 상기 메쉬부(80a)는 모든 홈들(10b)에 대응하여 형성된 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되지 않고, 일부 홈들(10b)에 대응하여 형성될 수도 있다.
건식법을 사용한 게터층 형성방법을 포함한 유기전계발광표시장치 제조방법
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 순차적으로 나타낸 개략도들이다. 구체적으로, 도 5b는 도 5a의 절단선 A-A′를 따라 취해진 단면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 원장 봉지 기판(10)이 제공된다. 상기 원장 봉 지 기판(10)은 스크라이빙 라인(10a)에 의해 정의된 다수개의 단위 봉지 기판(10u)을 구비한다. 상기 봉지 기판(10u) 상에 건식법을 사용하여 게터층(G)을 형성한다. 이 경우, 상기 원장 봉지 기판(10)이 대형인 경우에 적합하며, 다양한 형태의 게터층(G)을 형성할 수 있다.
건식법의 일 예로서, 상기 게터층(G)은 게터 필름(GF)을 상기 봉지 기판(10u) 상에 압착함으로써 형성할 수 있다.
상기 게터 필름(GF)은 그의 적어도 일면 상에 보호필름이 제공된 것일 수 있다. 이 경우, 게터 필름을 상기 봉지 기판(10u) 상에 압착하기 전에 상기 보호필름을 제거할 수 있다. 구체적으로, 상부면 및 하부면 상에 각각 상부 보호필름 및 하부 보호필름이 제공된 게터 필름(GF)을 적절한 크기로 절단하고, 진공흡착기(50)를 사용하여 상기 게터 필름(GF)의 상부면을 흡착한 후, 상기 게터 필름(GF)의 하부면 상에 제공된 하부 보호필름을 제거할 수 있다. 상기 게터 필름(GF)의 하부면을 열처리하여 표면 상태를 개선할 수 있다. 그 후, 상기 게터 필름(GF)을 상기 봉지 기판(10u) 상에 압착하여 게터층(G)을 형성할 수 있다. 이 때, 상기 봉지 기판(10u) 또는 상기 진공흡착기(50)를 예를 들어, 40 ~ 100℃로 가열하여 상기 게터층(G)과 상기 봉지 기판(10u) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 이어서, 상기 봉지 기판(10u)을 상온 이하로 냉각시킨 후, 상기 게터층(G)의 상부면 상에 위치하는 상부 보호필름 또한 제거할 수 있다.
상기 진공흡착기(50)는 상기 단위 봉지 기판(10u)의 열들에 대응하여 복수개로 사용될 수도 있다. 한편, 상기 게터층(G)은 모든 단위 봉지 기판들(10u) 상에 형성되지 않고 일부 단위 봉지 기판들(10u) 상에 선택적으로 형성될 수도 있다. 상기 게터층(G)은 광투과성 게터일 수 있고, 흡습성 나노 입자와 바인더를 구비할 수 있다.
상기 게터 필름(GF)은 상기 하부 보호 필름 상에 액상 게터를 코팅한 후, 코팅된 액상 게터 상에 상부 보호 필름을 코팅하여 제조될 수 있다. 상기 액상 게터는 도 1a 내지 도 1b를 참조하여 설명한 액상 게터와 유사할 수 있다.
이어서, 상기 게터층(G)를 열처리할 수 있다. 상기 열처리는 핫 플레이트, 챔버 또는 에어 나이프를 사용하여 수행할 수 있다. 이 결과, 상기 게터층(G) 내에 포함된 수분 또는 용매를 제거할 수 있고, 나아가 상기 게터층(G)의 표면 상태를 개선할 수 있다.
이 후, 상기 게터층(G)를 냉각시켜 고화시킬 수 있다. 이러한 고화과정은 취급 용이성을 위해 수행되는 것이며, 생략될 수도 있다.
상기 게터층(G)을 형성하는 과정에서 수행되는 열처리는 상기 게터층(G) 내의 바인더를 경화시키는 것은 아니다. 따라서, 상기 게터층(G)은 추후 열처리에 의해 다시 유동성을 가질 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 원장 봉지 기판(10)을 스크라이브 라인(10a)을 따라 절단하여 단위 봉지 기판(10u) 별로 분리시킨다.
도 5d를 참조하면, 다수개의 단위 유기전계발광소자(23)를 구비하는 소자 어레이(ELa)가 형성된 소자 기판(20u)을 제공한다.
상기 단위 유기전계발광소자(23)는 하부전극(23a), 상부전극(23c) 및 이들 전극들 사이에 위치하는 유기기능막(23b)을 구비한다. 상기 단위 유기전계발광소자(23)에 대한 자세한 설명은 도 7을 참조하여 더욱 자세하게 설명하기로 한다. 또한, 상기 소자 기판(20u) 상에 소자 어레이(ELa)를 형성하는 것은 도 1d를 참조하여 설명한 방법과 실질적으로 동일하다.
이어서, 소자 어레이(ELa)의 주변영역 상에 실런트(30)를 도포한다. 상기 실런트(30)가 도포된 소자 기판(20u) 상에 상기 게터층(G)이 상기 소자 기판(20u)을 바라보도록 봉지 기판(10u)을 위치시킨다. 진공에서 상기 봉지 기판(10u)과 상기 소자 기판(20u)을 가압하여 합착시켜 단위 모듈(M)을 형성한다. 상기 단위 모듈(M) 내부 즉, 상기 봉지 기판(10u)과 상기 소자 기판(20u) 사이는 진공 상태일 수 있다. 위에서 상기 실런트(30)를 상기 소자 기판(20u) 상에 도포한 것으로 기술하였으나, 이에 한정되지 않고 상기 실런트(30)는 상기 봉지 기판(10u) 상에 도포될 수도 있다. 또한, 상기 실런트(30)을 상기 봉지 기판(10u) 상에 도포한 후 상기 게터층(G)을 형성할 수도 있다.
도 5e를 참조하면, 상기 게터층(G)에 유동성을 부여하여, 상기 소자 어레이(ELa)의 상부면 및 측면을 덮도록 한다. 상기 게터층(G)에 유동성을 부여하는 공정은 진공보다 높은 압력 예를 들어, 상압 상태에서 진행할 수 있다. 이 경우, 진공 상태인 단위 모듈(M)의 내부보다 외부의 압력이 크다. 따라서, 상기 게터층(G)에 유동성을 부여하면 상기 봉지 기판(10u)과 상기 소자 기판(20u) 사이의 간격이 줄어들면서, 상기 게터층(G)이 상기 소자 어레이(ELa)의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다.
이 경우, 외부에서 침투하는 수분 등 오염물질은 상기 게터층(G)을 통과하여야 상기 유기기능막(23b)에 이르게 되므로, 상기 게터층(G)은 상기 유기기능막(23b)을 수분 및 오염물질로부터 충분히 보호할 수 있다. 결론적으로, 유기전계발광소자(23)의 내습성이 크게 향상될 수 있다. 나아가, 상기 게터층(G)은 상기 소자 기판(20u), 상기 봉지 기판(10u) 및 상기 실런트(30) 사이의 빈공간을 모두 채울 수 있다.
상기 게터층(G)에 유동성을 부여하는 것은 단위 모듈(M)을 열처리함으로써 구현할 수 있다. 상기 열처리 단계에서 상기 게터층(G)은 유동성을 가질 뿐 경화되는 것은 아니다. 따라서, 상기 열처리 단계에서 처리 온도는 상기 게터층(G)이 유동성을 가질 수 있는 온도, 예를 들어 상기 게터층(G) 내에 함유된 고분자 바인더의 유리전이온도(Tg) 이상의 온도일 수 있다. 그러나, 단위 모듈을 열처리하는 과정에서 상기 유기기능막(23b)이 손상될 수 있으므로, 최대한 낮은 온도에서 수행하는 것이 바람직하다. 일 예로서, 상기 열처리 온도는 40 내지 100 ℃일 수 있다. 상기 단위 모듈을 열처리하는 것은 핫 플레이트, 챔버, 또는 에어 나이프를 사용하여 수행할 수 있다. 이러한 열처리는 상기 게터층(G)에 유동성을 부여할 뿐, 상기 게터층(G) 내의 바인더를 경화시키는 것은 아니다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 제조방법을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 제조방법은 후술하는 것을 제외하고는 도 5a 내지 도 5e를 참조하여 설명한 실시예에 따른 제조방법과 유사하다.
도 6을 참조하면, 게터층(G)은 게터 필름(GF)을 상기 봉지 기판(10u) 상에 압착함으로써 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 게터 필름(GF)은 베이스 필름(70)의 하부면 상에 배치될 수 있다. 상기 베이스 필름(70)은 관통홀(70a)을 구비하여 상기 각 게터 필름(GF)을 단위 봉지 기판(10u)에 대응하도록 분리시킬 수 있다.
상기 게터 필름(GF)의 하부면 상에 보호필름이 제공되었을 수 있다. 이 경우, 게터 필름을 상기 봉지 기판(10u) 상에 압착하기 전에 상기 보호필름을 제거할 수 있다. 상기 게터 필름(GF)의 하부면을 열처리하여 표면 상태를 개선할 수 있다.
그 후, 가압기 예를 들어, 롤러(80)를 사용하여 상기 베이스 필름(70)의 상부면을 가압하여 게터층(G)을 형성할 수 있다. 이 때, 상기 봉지 기판(10u) 또는 상기 롤러(80)를 예를 들어, 40 ~ 100℃로 가열하여 상기 게터층(G)과 상기 봉지 기판(10u) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 이어서, 상기 봉지 기판(10u)을 상온 이하로 냉각시킨 후, 상기 게터층(G)의 상부면 상에 위치하는 베이스 필름(70)을 제거할 수 있다.
상기 롤러(80)는 상기 단위 봉지 기판(10u)의 열들에 대응하여 복수개로 사용될 수도 있다. 한편, 상기 게터층(G)은 모든 단위 봉지 기판들(10u) 상에 형성되지 않고 일부 단위 봉지 기판들(10u) 상에 선택적으로 형성될 수도 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 유기전계발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 7을 참조하면, 단위 유기전계발광소자(23)는 하부전극(23a), 상부전극(23c) 및 이들 전극들 사이에 위치하는 유기기능막(23b)을 구비한다. 상기 유기기능막(23b)은 적어도 유기발광층(23b3)을 구비하고, 상기 하부전극(23a) 및 상기 상부전극(23c)은 각각 애노드 및 캐소드일 수 있다.
이 경우, 상기 유기기능막(23b)은 상기 하부전극(23a)과 상기 유기발광층(23b3) 사이에 정공주입층(23b1) 및/또는 정공수송층(23b2)을 더 구비할 수 있으며, 상기 유기발광층(23b3)과 상기 상부전극(23c) 사이에 전자주입층(23b5) 및/또는 전자수송층(23b4)을 더 구비할 수 있다.
상기 전극들(23a, 23c) 중 적어도 상부전극(23c)은 광투과성 전극일 수 있다. 이러한 상부전극(23c)이 캐소드인 경우, 광이 투과할 수 있을 정도의 두께를 갖는 Ag막, Al막, 또는 MgAg막일 수 있다. 일함수의 차이를 고려하면, 상기 애노드인 하부전극(23a)은 ITO막일 수 있다.
상기 유기기능막(23b)은 스핀코팅(spin coating) 방식, 열 증착(thermal evaporation) 방식, 스핀캐스팅(spin casting) 방식, 스퍼터링(sputtering) 방식, 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방식 또는 화학기상증착(chemical vapor deposition: CVD) 방식을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 정공주입층(23b1)은 상기 하부전극(23a)에서 정공이 주입되는 것을 용이하게 하며, 상기 정공수송층(23b2)은 정공의 전달을 용이하게 하는 역할을 한다. 상기 전자주입층(23b5)은 상기 상부전극(23c)에서 전자가 주입되는 것을 용이하게 하며, 상기 전자수송층(23b4)은 전자의 전달을 용이하게 하는 역할을 한다. 또한, 상기 유기발광층(23b3)에서는 상기 정공주입층(23b1) 및/또는 상기 정공수송층(23b2)을 통해 전달된 정공과 상기 전자주입층(23b5) 및/또는 상기 전자수송층(23b4)을 통해 전달된 전자가 재결합하면서 광을 발생시킬 수 있다.
상기 유기기능막(23b)과 상기 상부전극(23c) 사이 및/또는 상기 상부전극(23c) 상에 금속 산화물, 금속 질화물, 금속염 및 이들의 복합물을 함유하는 투광층(23d)이 배치될 수 있다. 여기서, 금속은 준금속(metalloid)을 포함하는 개념이다. 상기 금속 산화물은 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, 또는 SrO2일 수 있다. 상기 금속 질화물은 SiN 또는 AlN일 수 있다. 상기 금속염은 Cs2CO3, Li2CO3, K2CO3, Na2CO3, LiF, CsF, ZnSe일 수 있다.
상기 투광층(23d)은 상기 유기기능막(23b)과 상기 상부전극(23c) 사이에 형성된 제1 투광층(23d1)과 상기 상부전극(23c) 상에 형성된 제2 투광층(23d2) 중 적어도 어느 하나를 구비할 수 있다. 또한, 상기 제1 투광층(23d1)과 상기 제2 투광층(23d2)은 같은 물질로 형성되거나, 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 투광층(23d1)과 상기 제2 투광층(23d2)은 같은 물질 예를 들어 금속 산화물을 함유하도록 형성될 수 있고, 상기 제1 투광층(23d1)과 상기 제2 투광층(23d2)은 다른 물질 예를 들어 상기 제1 투광층(23d1)은 금속 염류를 함유하고 상기 제2 투광층(23d2)은 금속 산화물을 함유하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 투광층(23d1)은 상기 상부전극(23c)으로부터 상기 유기기능막(23b)으로 전자의 주입이 가능할 정도의 두께, 예를 들어 0.1 내지 10 nm의 두께 로 형성할 수 있다. 상기 제2 투광층(23d2)은 면저항 및 투과율을 고려할 때 0.1nm 내지 100nm으로 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 상기 투광층(23d)은 열 증착법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
유기전계발광소자
<제조예 1>
유리기판 상에 ITO를 증착하여 하부전극을 형성한 후, 상기 하부전극 상에 60nm의 정공주입층, 20nm의 정공수송층, 30mn의 발광층, 25nm의 두께를 갖고 n형 도펀트가 10%정도 도핑된 전자수송층을 차례로 형성하였다. 상기 전자수송층 상에 Cs2CO3를 1nm의 두께로 형성하여 제1 투광층을 형성하였으며, 상기 제1 투광층 상에 Ag를 10nm의 두께로 형성하여 상부전극을 형성하였으며, 상기 상부전극 상에 MoO3를 8nm의 두께로 형성하여 제2 투광층을 형성하였다. 상기 제2 투광층 상에 NPB (N,N'-bis(lnaphthyl)N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)를 40nm의 두께로 형성하였다.
<제조예 2>
제1 투광층으로서 MoO3를 0.5nm의 두께로 형성한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 제조하였다.
<비교예>
유리기판 상에 ITO를 증착하여 하부전극을 형성한 후, 상기 하부전극 상에 60nm의 정공주입층, 20nm의 정공수송층, 30mn의 발광층, 25nm의 두께를 갖고 n형 도펀트가 10%정도 도핑된 전자수송층을 차례로 형성하였다. 상기 전자수송층 상에 Mg:Ag를 10nm의 두께로 형성하여 상부전극을 형성하였으며, 상기 상부전극 상에 NPB (N,N'-bis(lnaphthyl)N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)를 40nm의 두께로 형성하였다.
도 8은 제조예 1과 비교예에 따른 유기전계발광소자의 파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 8을 참조하면, 425nm 내지 700nm의 파장 영역에서 제조예 1에 따른 유기전계발광소자는 60% 내지 80%의 투과율을 나타내는 반면, 비교예에 따른 유기전계발광소자는 35% 내지 50%의 투과율을 나타낸 것을 알 수 있다. 이러한 결과로부터, 제조예 1과 같이 광투과성 상부전극의 상부 및/또는 하부에 투광층을 추가로 형성함으로써, 유기전계발광소자 전체의 투과율을 크게 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 9는 제조예 1과 비교예에 따른 유기전계발광소자의 인가전압에 따른 휘 도를 나타낸 그래프이다.
도 9를 참조하면, 약 9V 이상의 인가전압에서 제조예 1에 따른 유기전계발광소자는 비교예에 따른 유기전계발광소자에 비해 높은 휘도를 나타낸다. 구체적으로, 인가전압이 10V일 때 제조예 1에 따른 유기전계발광소자는 약 25000 cd/㎡의 휘도를 나타낸 반면 비교예에 따른 유기전계발광소자는 약 20000 cd/㎡의 휘도를 나타내었다. 이러한 결과로부터, 제조예 1과 같이 광투과성 상부전극의 상부 및/또는 하부에 투광층을 추가로 형성함으로써, 유기전계발광소자의 휘도를 크게 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 10은 제조예 1과 제조예 2에 따른 유기전계발광소자들의 파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 10을 참조하면, 제조예 1에 따른 유기전계발광소자에 비해 제조예 2에 따른 유기전계발광소자의 투과율은 파장에 따라 최대 5% 정도 향상된 것을 알 수 있다. 이러한 결과로부터, 광투과성 상부전극의 하부에 형성하는 제1 투광층을 제조예 2와 같이 금속산화물로 형성하는 경우에 제조예 1과 같이 금속염으로 형성하는 경우에 비해 투과율이 약간 향상되는 것을 알 수 있다.
유기전계발광표시장치
<제조예 3>
흡습성 나노 입자인 다공성 알루미나(AlOX) 20 중량부를 고분자 바인더인 우 레탄 아크릴레이트 100중량부와 혼합하여 액상 게터 조성물을 준비하였다. 단위 봉지기판의 테두리를 따라 에폭시 수지를 도포하여 실런트 라인들 형성한 후, 상기 액상 게터 조성물을 상기 실런트 라인에 의해 정의된 영역 내에 도포하여 게터층을 형성하였다. 진공상태에서 유기전계발광소자가 형성된 소자기판과 상기 봉지기판을 합착하여 모듈을 형성한 후, 상압에서 상기 모듈을 90℃에서 열처리하였다.
도 11은 제조예 3에 따른 유기전계발광표시장치를 가속조건에서 동작시킨 시간에 따른 휘도를 나타낸 그래프이고, 도 12는 소정 시간 경과 후의 유기전계발광표시장치를 촬영한 사진이다. 이 때, 가속조건은 온도 70℃, 습도 80%로 진행하였다.
도 11 및 도 12을 참조하면, 420 시간에 이르러서야 휘도의 급격한 감소가 나타났다. 이러한 휘도 감소는 불량 스팟의 발생에 기인한다. 이로부터 일반조건에서의 소자 수명은 21,000 시간으로 예상되었다.
이는 진공상태에서 유기전계발광소자가 형성된 소자기판과 상기 봉지기판을 합착하여 모듈을 형성한 후 상압에서 상기 모듈을 열처리하여 게터층에 유동성을 부여함으로써 상기 게터층이 유기전계발광소자의 상부면 및 측면을 덮도록 형성되어, 외부에서 침투하는 수분 등 오염물질이 상기 게터층에 의해 충분히 제거됨에 따른 것이다.
이상 본 발명을 바람직한 특정 실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 순차적으로 나타낸 개략도들이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 순차적으로 나타낸 개략도들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 유기전계발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 8은 제조예 1과 비교예에 따른 유기전계발광소자의 파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 9는 제조예 1과 비교예에 따른 유기전계발광소자의 인가전압에 따른 휘도를 나타낸 그래프이다.
도 10은 제조예 1과 제조예 2에 따른 유기전계발광소자들의 파장에 따른 투 과율을 나타낸 그래프이다.
도 11은 제조예 3에 따른 유기전계발광표시장치를 가속조건에서 동작시킨 시간에 따른 휘도를 나타낸 그래프이다.
도 12는 제조예 3에 따른 유기전계발광표시장치를 가속조건에서 동작시키면서 소정 시간 경과 후의 유기전계발광표시장치를 촬영한 사진이다.

Claims (12)

  1. 다수개의 단위 유기전계발광소자를 구비하는 소자 어레이가 형성되되, 상기 단위 유기전계발광소자는 차례로 적층된 하부전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기기능막, 상부전극, 및 상기 유기기능막과 상기 상부전극 사이와 상기 상부전극 상부 중 적어도 어느 한 부분에 형성된 금속 산화물, 금속 질화물, 금속염 및 이들의 복합물 중 적어도 하나를 함유하는 투광층을 구비하는 소자기판;
    상기 소자 기판 상에 배치된 봉지 기판; 및
    상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 상기 소자 어레이의 상부면 및 측면을 덮는 광투과성 게터층을 포함하는 유기전계발광표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, 또는 SrO2인 유기전계발광표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 금속 질화물은 SiN 또는 AlN인 유기전계발광표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속염은 Cs2CO3, Li2CO3, K2CO3, Na2CO3, LiF, CsF, 또는 ZnSe인 유기전계발광표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투광층은 상기 유기기능막과 상기 상부전극 사이에 위치하는 제1 투광층과 상기 상부전극 상부에 위치하는 제2 투광층을 구비하고,
    상기 제1 투광층은 금속염 또는 금속산화물을 함유하고, 상기 제2 투광층은 금속산화물을 함유하는 유기전계발광표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 투광층은 MoO3 또는 Cs2CO3를 함유하고, 상기 제2 투광층은 MoO3를 함유하는 유기전계발광표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 소자 어레이의 주변부에 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 연결하는 실런트를 더 포함하고,
    상기 게터층은 상기 소자 기판, 상기 봉지 기판 및 상기 실런트 사이의 빈 공간을 채우는 유기전계발광표시장치.
  8. 봉지 기판 상에 광투과성 게터층을 형성하는 단계;
    다수개의 단위 유기전계발광소자를 구비하는 소자 어레이가 형성되되, 상기 단위 유기전계발광소자는 차례로 적층된 하부전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기기능막, 상부전극, 및 상기 유기기능막과 상기 상부전극 사이와 상기 상부전극 상부 중 적어도 어느 한 부분에 형성된 금속 산화물, 금속 질화물, 금속염 및 이들의 복합물 중 적어도 하나를 함유하는 투광층을 구비하는 소자 기판을 제공하는 단계;
    상기 게터층이 상기 소자 어레이를 바라보도록 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합착하여 모듈을 형성하는 단계; 및
    상기 소자 어레이의 상부면 및 측면을 덮도록 상기 게터층에 유동성을 부여하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 모듈을 열처리하여 상기 게터층에 유동성을 부여하는 유기전계발광표시장치 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 게터층은 다공성 나노 입자 및 고분자 바인더를 함유하는 층이고,
    상기 모듈을 열처리하는 것은 상기 고분자 바인더의 유리전이온도 이상의 온도에서 수행하는 것인 유기전계발광표시장치 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 모듈을 형성하기 전에, 상기 게터층 상에 불활성 기체를 분사하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 모듈을 형성하기 전에, 상기 게터층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.
KR1020090074677A 2009-05-13 2009-08-13 광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 KR101086881B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20090041540 2009-05-13
KR1020090041540 2009-05-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100122834A true KR20100122834A (ko) 2010-11-23
KR101086881B1 KR101086881B1 (ko) 2011-11-24

Family

ID=43407665

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090047786A KR101182673B1 (ko) 2009-05-13 2009-05-29 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020090047783A KR101148886B1 (ko) 2009-05-13 2009-05-29 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020090058225A KR101092967B1 (ko) 2009-05-13 2009-06-29 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020090074677A KR101086881B1 (ko) 2009-05-13 2009-08-13 광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR1020110097094A KR101352370B1 (ko) 2009-05-13 2011-09-26 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020110099879A KR101196329B1 (ko) 2009-05-13 2011-09-30 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020120054911A KR20120073183A (ko) 2009-05-13 2012-05-23 유기전계발광소자 및 그 제조방법

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090047786A KR101182673B1 (ko) 2009-05-13 2009-05-29 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020090047783A KR101148886B1 (ko) 2009-05-13 2009-05-29 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020090058225A KR101092967B1 (ko) 2009-05-13 2009-06-29 유기전계발광소자 및 그 제조방법

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110097094A KR101352370B1 (ko) 2009-05-13 2011-09-26 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020110099879A KR101196329B1 (ko) 2009-05-13 2011-09-30 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR1020120054911A KR20120073183A (ko) 2009-05-13 2012-05-23 유기전계발광소자 및 그 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20100289017A1 (ko)
EP (2) EP2432040A4 (ko)
JP (2) JP2012527084A (ko)
KR (7) KR101182673B1 (ko)
CN (2) CN102422453A (ko)
WO (2) WO2010131853A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160012412A (ko) * 2014-07-24 2016-02-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20210013532A (ko) * 2019-07-24 2021-02-04 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 디스플레이 디바이스 및 그 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011145344A (ja) 2010-01-12 2011-07-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置とその駆動方法、及び電子機器
WO2012138181A2 (ko) * 2011-04-06 2012-10-11 네오뷰코오롱 주식회사 광학기기용 정보 표시 스크린
CN103137878A (zh) * 2011-11-29 2013-06-05 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
US20150188078A1 (en) * 2012-06-14 2015-07-02 Konica Minolta, Inc. Electroluminescent Element and Lighting Apparatus Comprising the Same
KR20140040650A (ko) * 2012-09-24 2014-04-03 네오뷰코오롱 주식회사 유기발광 표시장치
WO2014046514A1 (ko) * 2012-09-24 2014-03-27 네오뷰코오롱 주식회사 유기발광 표시장치
KR102133451B1 (ko) * 2013-02-22 2020-07-14 삼성전자주식회사 광전 소자 및 이미지 센서
CN104183753A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法
CN104183715A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法
CN104183760A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法
KR20150019620A (ko) 2013-08-14 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치
KR20160116121A (ko) 2015-03-25 2016-10-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2016182370A1 (ko) * 2015-05-14 2016-11-17 서울대학교산학협력단 웨어러블 양자점 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 웨어러블 전자 장치
CN109360903A (zh) * 2018-10-31 2019-02-19 武汉华星光电技术有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
JP2023540880A (ja) * 2020-08-20 2023-09-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｏｌｅｄ光照射野アーキテクチャ
CN113707821A (zh) * 2021-07-08 2021-11-26 合肥福纳科技有限公司 用于电子传输层的组合物及其制备方法和应用

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125469A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
DE69727987T2 (de) * 1996-11-29 2005-01-20 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Organische elektrolumineszente Vorrichtung
US5739545A (en) 1997-02-04 1998-04-14 International Business Machines Corporation Organic light emitting diodes having transparent cathode structures
JP3374035B2 (ja) * 1997-03-21 2003-02-04 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6468676B1 (en) * 1999-01-02 2002-10-22 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device
US6639357B1 (en) * 2000-02-28 2003-10-28 The Trustees Of Princeton University High efficiency transparent organic light emitting devices
JP2001338755A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP4632628B2 (ja) * 2000-09-07 2011-02-16 出光興産株式会社 有機電界発光素子
TW574110B (en) * 2001-10-25 2004-02-01 Matsushita Electric Works Ltd Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and panel light emitting body
JP2003142262A (ja) * 2001-11-06 2003-05-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器
US6833667B2 (en) * 2002-02-27 2004-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and image forming apparatus or portable terminal unit using thereof
KR100480361B1 (ko) * 2002-04-18 2005-03-30 네오뷰코오롱 주식회사 박막형 게터층이 형성된 밀봉형 유기 발광 소자 및 그제조방법
JP4165145B2 (ja) * 2002-08-07 2008-10-15 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
KR100662297B1 (ko) * 2002-10-18 2007-01-02 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
JP2004140267A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
DE10252903A1 (de) * 2002-11-12 2004-05-19 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Organische elektrolumineszente Lichtquelle mit Antireflexionsschicht
JP4429917B2 (ja) * 2002-12-26 2010-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置及び電子機器
JP4186688B2 (ja) * 2003-04-17 2008-11-26 三菱化学株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
KR100527191B1 (ko) * 2003-06-03 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자
KR100563058B1 (ko) * 2003-11-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
GB0401613D0 (en) * 2004-01-26 2004-02-25 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting diode
JP4131243B2 (ja) * 2004-02-06 2008-08-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
JP4792732B2 (ja) * 2004-11-18 2011-10-12 株式会社日立製作所 反射防止膜及び反射防止膜を用いた光学部品及び反射防止膜を用いた画像表示装置
KR100629259B1 (ko) * 2004-03-19 2006-09-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP3813616B2 (ja) * 2004-03-22 2006-08-23 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4564773B2 (ja) * 2004-04-07 2010-10-20 株式会社 日立ディスプレイズ 発光素子及びその表示装置
KR100730114B1 (ko) * 2004-04-19 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
WO2005112515A1 (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Zeon Corporation エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および表示装置
JP4461367B2 (ja) * 2004-05-24 2010-05-12 ソニー株式会社 表示素子
JP2008226859A (ja) * 2004-10-22 2008-09-25 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006139932A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Pentax Corp 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
KR100968191B1 (ko) * 2004-11-16 2010-07-06 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 유전체 캐핑층들을 포함하는 유기 발광 소자들
KR100623356B1 (ko) * 2004-12-29 2006-09-19 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
KR20060091648A (ko) * 2005-02-16 2006-08-21 삼성에스디아이 주식회사 다층 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자
US7602118B2 (en) * 2005-02-24 2009-10-13 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
EP1701395B1 (de) * 2005-03-11 2012-09-12 Novaled AG Transparentes lichtemittierendes Bauelement
JP2006269387A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Aitesu:Kk 有機ｅｌ素子
JP5266514B2 (ja) * 2005-03-29 2013-08-21 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007046246A1 (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Hirose Engineering Co., Ltd. 発光性組成物及び発光素子
JP4736890B2 (ja) * 2006-03-28 2011-07-27 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5021998B2 (ja) * 2006-05-15 2012-09-12 ペンタックスリコーイメージング株式会社 ファインダー装置
JP2008041209A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Tdk Corp 受光素子及びそれを用いた光ヘッド並びにそれを用いた光記録再生装置
US20080049431A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Heather Debra Boek Light emitting device including anti-reflection layer(s)
JP2008065984A (ja) * 2006-09-04 2008-03-21 Shin Etsu Polymer Co Ltd Ｅｌシートおよび押釦スイッチ用カバー部材
JP2008098475A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機発光素子の構造
KR100777744B1 (ko) * 2006-10-27 2007-11-19 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR100796603B1 (ko) * 2006-11-28 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP2008153590A (ja) * 2006-12-20 2008-07-03 Canon Inc 有機発光表示装置
KR20080067877A (ko) * 2007-01-17 2008-07-22 삼성전자주식회사 표시장치
JP5042685B2 (ja) * 2007-03-30 2012-10-03 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子及びその製造方法
DE102007024152A1 (de) * 2007-04-18 2008-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement
JP2008282652A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Canon Inc 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2009088419A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Canon Inc 電界発光素子及びその製造方法、並びに表示装置
KR101528242B1 (ko) * 2007-10-10 2015-06-15 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치
JP5551369B2 (ja) * 2008-02-28 2014-07-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160012412A (ko) * 2014-07-24 2016-02-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20210013532A (ko) * 2019-07-24 2021-02-04 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 디스플레이 디바이스 및 그 제조 방법
US11239305B2 (en) 2019-07-24 2022-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Display device and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101092967B1 (ko) 2011-12-12
KR20110124180A (ko) 2011-11-16
JP2012527084A (ja) 2012-11-01
CN102422453A (zh) 2012-04-18
KR20100122829A (ko) 2010-11-23
KR101148886B1 (ko) 2012-05-29
KR101196329B1 (ko) 2012-11-01
EP2432041A2 (en) 2012-03-21
EP2432041A4 (en) 2013-10-23
WO2010131854A2 (ko) 2010-11-18
KR20120073183A (ko) 2012-07-04
WO2010131853A3 (ko) 2011-01-27
CN102422454A (zh) 2012-04-18
KR20100122831A (ko) 2010-11-23
KR101182673B1 (ko) 2012-09-14
US20100289016A1 (en) 2010-11-18
KR20100122828A (ko) 2010-11-23
US20100289017A1 (en) 2010-11-18
WO2010131853A2 (ko) 2010-11-18
KR101352370B1 (ko) 2014-01-27
JP2012527083A (ja) 2012-11-01
WO2010131854A3 (ko) 2011-01-27
KR20110120850A (ko) 2011-11-04
EP2432040A4 (en) 2013-10-23
EP2432040A2 (en) 2012-03-21
KR101086881B1 (ko) 2011-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101086881B1 (ko) 광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
EP1804310B1 (en) Organic light emiting device and method of manufacturing the same
US7663313B2 (en) Organic electroluminescent display device with porous material layer
US8052499B2 (en) Organic electroluminescence device and manufacturing method thereof
JP5165800B2 (ja) 活性有機材料を含む電子デバイスのための気密シール
CN203312371U (zh) 用于转变无机层的基板及有机发光装置
EP3016162B1 (en) Substrate for organic electronic devices and production method therefor
JP2000003783A (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP3975739B2 (ja) 有機ｅｌディスプレイ用対向基板の製造方法および有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR102332428B1 (ko) 플렉서블 표시장치
US7626328B2 (en) Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
KR100544126B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2000357587A (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR101182434B1 (ko) 유기 전계 발광 소자용 투명 흡습막 형성용 조성물의제조방법
KR20050117049A (ko) 유기 전계 발광 소자
KR100683674B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR100544128B1 (ko) 다공성 물질층을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치
US20070120119A1 (en) Light emitting device
KR101086880B1 (ko) 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 제조방법
JP2013206613A (ja) 有機ｅｌ装置およびその製造方法
JP2006172837A (ja) 封止部材、自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法
KR20040087937A (ko) 유기 ｅｌ 패널 및 그 제조 방법
KR20060023652A (ko) 막 흡수제를 이용한 유기 발광 표시장치의 봉지기술
CN109686857B (zh) 一种显示器件及其封装方法
KR20030089749A (ko) 폴리아마이드를 포함하는 엔캡슐레이션 박막을 갖춘 유기전기발광 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140912

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151014

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161013

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171101

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181105

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191104

Year of fee payment: 9