CN203312371U - 用于转变无机层的基板及有机发光装置 - Google Patents

用于转变无机层的基板及有机发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN203312371U
CN203312371U CN2013200781651U CN201320078165U CN203312371U CN 203312371 U CN203312371 U CN 203312371U CN 2013200781651 U CN2013200781651 U CN 2013200781651U CN 201320078165 U CN201320078165 U CN 201320078165U CN 203312371 U CN203312371 U CN 203312371U
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
organic
layer
inorganic
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2013200781651U
Other languages
English (en)
Inventor
朴镇宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN203312371U publication Critical patent/CN203312371U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
    • C03C27/10—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/34—Masking
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本实用新型公开了用于转变无机层的基板及有机发光装置。所述有机发光装置具有对外部环境的良好的密封特性以及柔性。所述有机发光装置包括：第一基板；有机发光单元，在第一基板的一个表面上；低温粘度转变无机材料层，覆盖有机发射单元；第二基板，在低温粘度转变无机材料层上，与低温粘度转变无机材料层接触并面对第一基板。所述用于转变无机层的基板包括：基底；以及至少一个无机层，形成在基底的一个表面上，并且包括低温粘度转变无机材料。

Description

用于转变无机层的基板及有机发光装置
本申请要求于2012年3月5日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0022519号韩国专利申请的优先权及其权益，该申请的内容通过引用全部包含于此。 
技术领域
本实用新型的实施例涉及一种制备有机发光装置的方法，用于转变无机层的基板以及有机发光装置。 
背景技术
作为自发射装置的有机发光装置具有诸如宽视角、优异的对比度、快速的响应、高亮度。优异的驱动电压特性的优点，并且可显示多彩的图像。 
有机发光装置包括有机发射单元，有机发射单元包括第一电极、有机层以及第二电极。由于有机发射单元对于诸如氧和湿气的外部环境来说是脆弱的，所以使用了使有机发射单元相对于外部环境密封的密封结构。 
同时，需要开发薄的有机发光装置和/或柔性的有机发光装置。 
实用新型内容
根据本实用新型的一个实施例，提供一种可以解决上述技术问题和/或其他技术问题、并可以实现提供具有对外部环境的良好的密封特性以及柔性的有机发光显示装置的制备有机发光显示装置的方法，该方法包括下述步骤：在第二基板上形成包含低温粘度转变（LVT）无机材料的至少一个预无机层；在第一基板上形成至少一个有机发射单元；将粘合剂施加到第二基板和第一基板中的至少一个基板的边缘部分；利用粘合剂使第二基板与第一基板结合，以使预无机层与有机发射单元彼此面对；通过在大于LVT无机材料的粘度转变温度的温度条件下对预无机层执行复原工艺，使预无机层转变为无机层，以覆盖有机发射单元。 
根据本实用新型的另一实施例，提供一种制备有机发光装置的方法，该 方法包括下述步骤：在第二基板上形成包含低温粘度转变（LVT）无机材料的预无机层；在第一基板上形成至少一个有机发射单元；在第一基板以及有机发射单元上形成至少一个第一有机层，以覆盖有机发射单元；将粘合剂施加到第二基板和第一基板中的至少一个基板的边缘部分；利用粘合剂使第二基板与第一基板结合，使得预无机层和第一有机层彼此面对；通过在大于LVT无机材料的粘度转变温度的温度条件下对预无机层执行复原工艺，使预无机层转变为无机层，以覆盖第一有机层。 
所述方法还可包括将无机层与第二基板分开的步骤。 
第二基板可包含玻璃、塑料或金属。 
形成有机层的步骤和/或形成第一有机层的步骤可包括提供可固化前驱物并使可固化前驱物固化。 
可利用闪蒸器来执行提供可固化前驱物的步骤。 
可通过使用UV线、红外线和激光束来执行使可固化前驱物固化的步骤。 
形成预无机层的步骤可包括：将包含LVT无机材料粉体的糊施加到第二基板；对糊进行烧结。 
形成预无机层的步骤可包括：通过喷涂将包含LVT无机材料的粉体的分散体系施加到基板；对分散体系进行热处理。 
可在真空中、在减小的压强条件下或者在基本去除了湿气或氧的影响的不活泼气氛中执行使第二基板与第一基板结合的步骤，从而第二基板与第一基板之间的空间基本保持为真空。 
LVT无机材料的粘度转变温度可以是能够向LVT无机材料提供流动性的最低温度。 
LVT无机材料的粘度转变温度可小于有机发射单元中包含的材料的变性温度的最小值。 
LVT无机材料可包含锡的氧化物。 
LVT无机材料可包括从由磷的氧化物、硼的磷酸盐、锡的氟化物、铌的氧化物以及钨的氧化物组成的组中选择的至少一种。 
LVT无机材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。 
可通过在LVT无机材料的粘度转变温度与有机发射单元中包含的材料的变性温度的最小值之间的温度条件下对预无机层进行热处理来执行转变的 步骤。 
转变的步骤可包括在大约80℃至大约132℃的温度条件下对预无机层进行热处理长达大约1小时至3小时。 
可在真空中或在不活泼气体气氛中执行转变的步骤。 
转变的步骤可包括在利用激光束照射预无机层的同时扫描预无机层。 
所述方法还可包括在第二基板和预无机层之间形成至少一个第二有机层的步骤。 
使无机层与第二基板分开的步骤可包括通过利用激光束照射第二有机层来使第二有机层与第二基板分开。 
第二有机层可覆盖无机层的至少一部分。 
根据本实用新型的另一实施例，提供一种用于转变无机层的基板，所述基板包括：基底；至少一个无机层，形成在基底的一个表面上，并且包含低温粘度转变（LVT）无机材料。 
所述基板还可包括在无机层和基底之间的至少一个有机层。 
有机层可包含耐热有机材料。 
LVT无机材料的粘度转变温度可以是能够向LVT无机材料提供流动性的最小温度。 
LVT无机材料可包含锡的氧化物。 
LVT无机材料可包括从由磷的氧化物、硼的磷酸盐、锡的氟化物、铌的氧化物以及钨的氧化物组成的组中选择的至少一种。 
LVT无机材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。 
第二基板可包含玻璃、塑料或金属。 
根据本实用新型的另一实施例，提供一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：第一基板；有机发光单元，在第一基板的一个表面上；低温粘度转变无机材料层，覆盖有机发射单元；第二基板，在低温粘度转变无机材料层上，与低温粘度转变无机材料层接触并面对第一基板。 
有机发光装置还可包括在无机层和有机发射单元之间的第一有机层。 
无机层可转变到有机发射单元上，以覆盖有机发射单元。 
有机发光装置还可包括在第二基板和无机层之间的第二有机层。 
有机发光装置还可包括在第一基板和第二基板之间并设置在有机发光单 元外部的粘合剂。 
LVT无机材料的粘度转变温度可以是能够向LVT无机材料提供流动性的最小温度。 
LVT无机材料可包含锡的氧化物。 
LVT无机材料可包括从由磷的氧化物、硼的磷酸盐、锡的氟化物、铌的氧化物以及钨的氧化物组成的组中选择的至少一种。 
LVT无机材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。 
第二基板可包含玻璃、塑料或金属。 
附图说明
通过参照附图详细地描述本实用新型的示例性实施例，本实用新型的上述和其它特征和方面将变得明显，在附图中： 
图1是根据本实用新型实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图2是图1的部分II的剖视图； 
图3是图1的部分III的剖视图； 
图4是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图5是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图6A至图6J是描述图1的有机发光装置的制备方法的图； 
图7是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图8是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图9是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图10A至图10H是描述图9的有机发光装置的制备方法的图； 
图11是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图12是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图13是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图14A至图14I是描述图13的有机发光装置的制备方法的图； 
图15是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图16是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图17是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图18A至图18H是描述图17的有机发光装置的制备方法的图； 
图19是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图； 
图20是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图。 
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述本实用新型，在附图中示出了本实用新型的示例性实施例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和全部组合。当诸如“至少一个”的描述引导一列元件时，其修饰整列的元件，而不修饰该列中的单个元件。 
图1是根据本实用新型示例性实施例的有机发光装置的示意性剖视图。图2是图1的部分II的剖视图，图3是图1的部分III的剖视图。 
参照图1至图3，有机发射单元2形成在第一基板1的一个表面上，有机层3和无机层4的层叠件形成在基板1上，使得该层叠件覆盖有机发射单元2。 
第一基板1由玻璃形成，然而不限于此。第一基板1还可由金属或塑料形成。第一基板1可以是能够弯曲的柔性基板。在一个实施例中，第一基板1的弯曲半径可以是10cm或更小。 
如图2中所示，形成在第一基板1上的有机发射单元2包括层叠件，该层叠件包括第一电极21、第二电极22以及设置在第一电极21和第二电极22之间的有机发射层。 
虽然未在这里示出，但是有机发射单元2包括多个像素，并且每个像素包括一个像素电路，像素电路可包括至少一个薄膜晶体管（TFT）（未示出）和电容器（未示出）。 
第一电极21电连接到TFT。 
第一电极21和第二电极22彼此面对并且通过有机发射层23彼此绝缘。第一电极21的边缘可由像素限定层24覆盖，有机发射层23和第二电极22形成在像素限定层24和第一电极21上。第二电极22可以是用于覆盖全部像素的共电极，第一电极21可形成在彼此独立的每个像素中。 
第一电极21可通过在基板1上沉积或溅射用于形成第一电极21的材料来形成。当第一电极21是阳极时，用于形成第一电极21的材料可以是高功函数材料，以有助于空穴注入。第一电极21可以是反射电极、半透明电极或透明电极。透明且导电的材料可被用于形成第一电极21，例如氧化铟锡 （ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锡（SnO2）和氧化锌（ZnO）。可使用镁（Mg）、铝（Al）、铝-锂（Al-Li）、钙（Ca）、镁-铟（Mg-In）或镁-银（Mg-Ag）等来将第一电极21形成为反射电极。 
第一电极21可具有单层或多层结构。例如，第一电极21可具有ITO/Ag/ITO的三层结构，然而不限于此。 
有机发射层23形成在第一电极21上。 
有机发射层23可包括从由空穴注入层、空穴传输层、同时具有空穴注入和空穴传输能力的功能层、缓冲层、电子阻挡层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一个层。 
例如，有机发射层23可包括下面的化合物301、311或321中的至少一种。 
第二电极22形成在有机发射层23上。第二电极22可以是作为电子注入电极的阴极。用于形成第二电极22的材料可以是具有低功函数的金属、合金、导电化合物或它们的混合物。例如，第二电极22可以是通过利用锂（Li）、镁（Mg）、铝（Al）、铝-锂（Al-Li）、钙（Ca）、镁-铟（Mg-In）或镁-银（Mg-Ag）等形成的薄膜的反射电极、透明电极或半透明电极。为了制造顶部发射式有机发光装置，可使用由ITO或IZO形成的透明第二电极22，并可对此进行各种修改。 
在朝第一基板1形成图像的底部发射式有机发光装置中，第二电极22 可以相对厚，从而可提高朝第一基板1的发射效率。 
在朝第二基板电极22形成图像的顶部发射式有机发光装置中，第二电极22可以相对薄，从而第二电极22可以是反射层，或者可由透明导电材料形成第二电极22。在这种情况下，第一电极21还可包括反射层。 
虽然未在图1至图3中示出，但是可在第二电极22上形成保护层。例如，保护层可由LiF、羟基喹啉锂或Alg3等形成。 
根据参照图1至图3描述的实施例，有机发射单元2覆盖有顺序地堆叠的第一有机层31、无机层4和第二有机层32的层叠件，因此有机发射单元2通过层叠件而被相对于外部空气进行了密封。 
这样，如图3中所示，层叠件与环境元件51或51'接触，以围绕环境元件51或51'中的至少一个的边界。 
环境元件51或51'可以是在形成有机发光显示装置的过程中附着的不期望的颗粒，并且可包括有机材料和/或无机材料。例如，环境元件51或51'可以是来自外部环境的微小颗粒（例如，外部环境中存在的灰尘和尘埃），或者用于形成有机发射单元2并且残留在有机发射单元2上的材料的微小颗粒（例如，由用于形成第二电极22并且在形成第二电极22之后残留的材料形成的微小颗粒）等。环境元件51或51'可包括各种有机材料、无机材料和有机/无机复合物。 
在图3中，环境元件51或51'可设置在第二电极22上。虽然未在这里示出，但是其它环境元件可设置在第二电极22中或第二电极22下。有机发射单元2的上表面可具有弯曲部分。虽然未在这里示出，但是其它环境元件可形成在第一有机层31的上表面301上。 
在形成有机发射单元2之后，环境元件51或51'不能通过诸如洗涤的湿法工艺去除。 
环境元件51或51'的尺寸在1μm至5μm的范围内。小于环境元件51的环境元件51'可被第一有机层31覆盖，环境元件51可通过第一有机层31暴露。在图3中，为了便于描述，将环境元件51或51'概念性地示出为两个具有不同尺寸的球形颗粒。 
无机层4可覆盖因环境元件51的厚度大于第一有机层31的厚度而未被第一有机层31覆盖并且通过第一有机层31暴露的环境元件51。 
第一有机层31可由聚合物材料形成。聚合物材料可包括丙烯酸材料 （acrylic material）。如图2中所示，第一有机层31的上表面301可为基本平坦的。这里，第一有机层31的下表面302由于像素限定层24的弯曲部分而可以是不平坦的。基本平坦的上表面301和不平坦的下表面302是第一有机层31的相对的表面。 
由于第一有机层31的上表面301是基本平坦的，所以第一有机层31的在环境元件51的周围的厚度t31与有机层31的在远离环境元件51的部分处的厚度t32基本相同，如图3中所示。这表明除了如图2中所示的下表面302的弯曲部分之外，有机层3可具有均匀的厚度。因此，有机发射单元2的整个表面可被均匀地保护。 
无机层4形成在有第一有机层31上，因此，无机层4沿平面方向与第一有机层31接触。 
无机层4可包括低温粘度转变（LVT）无机材料。可通过熔化并固化来形成无机层4，这将在后面进行描述。 
LVT无机材料是具有低的粘度转变温度的无机材料。 
如在这里使用的，“粘度转变温度”不是LVT无机材料的相从固相完全改变为液相的温度，而是使LVT无机材料具有流动性的最低温度，即，使LVT无机材料的粘度改变的最低温度。 
LVT无机材料的粘度转变温度可小于有机发射单元2中包含的材料的变性温度。例如，LVT无机材料的粘度转变温度可小于有机发射单元2中包含的材料的变性温度的最小值。 
“有机发射单元2中包含的材料的变性温度”表示能够导致有机发射单元2中包含的材料发生化学和/或物理变性的温度，根据包含在其中的材料的种类和数量，该材料可具有多个变性温度。 
例如，“LVT无机材料的粘度转变温度”和“有机发射单元2中包含的材料的变性温度”可指LVT无机材料和有机发射单元2的有机层23中包含的有机材料的玻璃化转变温度Tg。可通过对LVT无机材料和有机发射单元2的有机层23中包含的有机材料进行热重分析（TGA）来测量Tg。 
例如，可通过在N2气氛下的TGA和差式扫描量热法（DSC）对有机发射单元2中包含的材料进行热分析来获得Tg，其中，对于TGA来说，温度范围为从室温至大约600℃（10℃/分钟），对DSC来说，温度范围为从室温至大约400℃（盘类型（Pan Type）：一次性Al盘（Al Pan）中的Pt盘（Pt Pan） （TGA）、一次性Al盘（Al Pan）（DSC）），这些条件是本领域普通技术人员应当理解的。 
有机发射单元2中包含的材料的变性温度可以是但不限于大于大约130℃，并可如上所述地通过对有机发射单元2中包含的材料的TGA分析来有效地测量。 
基板1中包含的材料的变性温度的最小值可在大约130℃至大约140℃的范围内。有机发射单元2中包含的材料的变性温度的最小值可以是但不限于大约132℃，并且通过如上所述的经对有机发射单元2中包含的材料的TGA分析来测量该材料的Tg、并选择最小的Tg，可以进行有效地确定。 
例如，LVT无机材料的粘度转变温度可为大约80℃或更高，例如，在大约80℃至大约132℃的范围内，然而不限于此。例如，LVT无机材料的粘度转变温度可以在大约80℃至大约120℃的范围内，或可以在大约100℃至大约120℃的范围内，然而不限于此。例如，LVT无机材料的粘度转变温度可为大约110℃。 
LVT无机材料可以是单种化合物或者至少两种化合物的混合物。 
LVT无机材料可包括诸如SnO或SnO2的锡的氧化物。 
如果LVT无机材料包括SnO，则SnO的含量可在按重量计大约20%至按重量计大约100%的范围内。 
在一个实施例中，LVT无机材料还可包括从由磷的氧化物（例如P2O5）、硼的磷酸盐（例如BPO4）、锡的氟化物（例如SnF2）、铌的氧化物（例如NbO）以及钨的氧化物（例如WO3）组成的组中选择的至少一种，然而不限于此。 
在多种实施例中，LVT无机材料可包括： 
SnO； 
SnO和P2O5； 
SnO和BPO4； 
SnO、SnF2和P2O5； 
SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者 
SnO、SnF2、P2O5和WO3， 
然而不限于此。 
在多种实施例中，LVT无机材料可包括下面的成分，然而不限于此。 
SnO（100wt%）； 
SnO（80wt%）和P2O5（20wt%）； 
SnO（90wt%）和BPO4（10wt%）； 
SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）和P2O5（10-30wt%），其中，SnO、SnF2、和P2O5的重量百分比的和为100wt%； 
SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）、P2O5（10-30wt%）和NbO（1-5wt%）,其中，SnO、SnF2、P2O5和NbO的重量百分比的和为100wt%；或者 
SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）、P2O5（10-30wt%）和WO3（1-5wt%）,其中，SnO、SnF2、P2O5和WO3的重量百分比的和为100wt%。 
在多种实施例中，LVT无机材料可包括SnO（42.5wt%）、SnF2(40wt%）、P2O5（15wt%）和WO3（2.5wt%），然而不限于此。 
如果无机层4具有上述成分，则粘度转变温度可保持为低于有机发射单元2中包含的材料的变性温度，从而可以通过复原（healing）工艺来纠正可在无机层4中形成的各种缺陷，这将在下面描述。 
如图3中所示，无机层4可包括膜形成元件52。膜形成元件52可以是在无机层4的形成过程中沉积在第一有机层31上的无机材料的颗粒，并且膜形成元件52可通过将在下面描述的复原工艺来纠正，从而构成无机层4的一部分。 
如图3中所示，环境元件51由无机层4围绕，因此，无机层4的下表面402可以是不平坦的。更具体地说，无机层4的上表面401是基本平坦的。这是由于无机层4是这样形成的，即，通过在复原工艺过程中使无机层4具有流动性，并使无机层4固化。因此，基本平坦的上表面401和不平坦的下表面402是无机层4的相对表面。 
由于无机层4的上表面401基本平坦，所以无机层4的在环境元件51附近的厚度t41与无机层4的在远离环境元件51的部分处的厚度t42基本相同，如图3中所示。这表示除了如图3中所示的下表面402的弯曲部分之外，无机层4可具有均匀的厚度。因此，有机发射单元2的整个表面可以被均匀地保护。 
如图1中所示，无机层4可具有比第一有机层31的面积大的面积，从而无机层4的所有边缘均与第一基板1接触。因此，第一有机层31完全被无机层4覆盖。这里，由于无机层4与第一基板1接触，所以提高了无机层4和第一基板1之间的粘合强度，并且可以更有效地阻挡或减少外部空气渗透到 有机发射单元2中。虽然未在这里示出，但是有机发射单元2还可包括如上所述的包括TFT的像素电路，无机层4可接触像素电路（例如TFT）的任意绝缘层。例如，在TFT的层中，从栅极绝缘层延伸的部分可与无机层4接触。这样，由于构成TFT的绝缘层是诸如氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层的无机绝缘层，所以它们的特性可以与当无机层4与第一基板1接触时的特性相同或相似。 
无机层4的至少一部分被第二有机层32覆盖。 
第一有机层31和第二有机层32可由相同的有机材料形成。然而，本实用新型不限于此，第二有机层32可包括耐热有机材料。这样，耐热有机材料可具有与第一有机层31的组成相同或相似的组成。 
第二有机层32的结构可被形成为覆盖无机层4的上表面，如图1中所示，然而不限于此。在一个实施例中，如图4中所示，第二有机层32'可被形成为覆盖无机层4的整个表面。这样，如图4中所示，第二有机层32'可以不覆盖无机层4的边缘的一部分，然而本实用新型不限于此。第二有机层32'可以完全地覆盖无机层4，包括其边缘。 
在一个实施例中，如图5中所示，第二有机层32''可被形成为覆盖无机层4的上表面以及侧部的一部分。 
如图1、图4和图5中分别示出的第二有机层32、32'和32''可保护无机层免受外部冲击等的影响，并且可补偿无机层4的弯曲特性。 
虽然没有在此示出，但是还可形成至少一个无机层和/或无机层/有机层的堆叠件，以覆盖第二有机层32、32'和32''。可通过复原工艺利用LVT无机材料来形成无机层，然而不限于此。也可应用与无机层4不同的无机材料，例如基于硅的氧化物、基于硅的氮化物、基于铝的氧化物和/或基于铝的氮化物。 
将参照图6A至图6J描述制备图1的有机发光装置的方法。 
首先，在第二基板11上形成至少一个第二有机层32。在图6A中，三个第二有机层32形成在第二基板11上，然而本实用新型不限于此，只要在第二基板11上形成至少一个第二有机层32即可。如果在第二基板11上形成多个第二有机层32，则可同时地制备多个有机发光装置，从而提高生产率。 
第二基板11可以是透明玻璃基板，然而不限于此，其也可为塑料基板。 
利用诸如丝网印刷或狭缝涂覆工艺在第二基板11的预选的或预定的区域上形成第二有机层32。第二有机层32可由透明的丙烯酸（acrylic）或耐热 聚合物形成为具有范围在大约1μm至大约100μm的厚度，然而不限于此。如上所述，第二有机层32可由与用于形成第一有机层31的材料相同的材料形成。 
第二有机层32可使无机层4与第二基板11隔离和/或使第二基板11平坦化，这将在下面描述。第二有机层32可包括耐热有机材料，以在利用激光束将无机层4与第二基板11分离时防止第二有机层32损坏。 
在不同的实施例中，第二有机层32可具有范围在大约1μm至大约100μm内的厚度。如图6A中所示，由于将第二有机层32局部地涂覆在第二基板11上，所以第二有机层32的边缘可相对于第二基板11的表面成直角地延伸，这与第一有机层31不同，并且将在下面描述。 
由于第二有机层32的面积大于将在下面描述的无机糊4'的面积，所以第二有机层32可完全覆盖无机糊4'。然而，本实用新型不限于此。在多个实施例中，第二有机层32的面积可以小于无机糊4'的面积，从而无机糊4'可以完全覆盖第二有机层32。 
图6A的被形成为基本平坦的层的第二有机层32是用于制造图1的有机发光装置的示例性结构，然而本实用新型不限于此。例如，在图4和/或图5中示出的有机发光装置中，第二有机层32的中心可以凹陷。 
然后，如图6B中所示，可在每个第二有机层32上印刷包含LVT无机材料的无机糊4'。 
无机糊4'包含LVT无机材料。根据一个实施例，无机糊4'包含包括SnO、SnF2、P2O5或WO3或它们的组合的LVT无机材料。混合LVT无机材料的粉体，并在大约500℃的条件下熔化大约1小时，然后快速地冷却，以获得基本均质的玻璃状材料。将玻璃状材料破碎成粉体。将该粉体与适当量的粘合剂和溶剂混合，以制备具有预选的或预定的粘度的无机糊4'。粘合剂可包括乙基纤维素（ethylcellulose），溶剂可包括萜品醇（terpineol）。无机糊4'的粘度可在大约10000CP至大约100000CP的范围内。 
在一个实施例中，具有范围在大约20000CP至大约100000CP的范围内的粘度的无机糊4'被印刷为范围在大约3μm至10μm的厚度。可通过使用丝网印刷或狭缝涂覆来执行这样的印刷。在狭缝涂覆中，可通过部分地打开狭缝来涂覆期望的区域。 
然后，如图6C中所示，在N2气氛、真空或Ar气氛中烧结印刷的无机 糊4'，以去除包含在无机糊4'中的溶剂和粘合剂，然后通过热处理来烧结所得物，以形成预无机层4"。在烧结之后，预无机层4"的表面具有玻璃状表面，该透明表面具有预选的或预定的均质性。 
无机糊4'可以是通过在第二有机层32上旋涂包含LVT无机材料的粉体的分散体系而形成的层。这样，可通过热处理形成预无机层4"，而不用对由分散体系形成的无机糊4'进行烧结和/或煅烧。 
图6B和图6C示出了利用无机糊4'来印刷预无机层4"的方法，然而本实用新型不限于此。可利用溅射、真空沉积、低温沉积、等离子体化学气相沉积（PCVD）、等离子体-离子辅助沉积（PIAD）、闪蒸器、电子束涂覆或离子镀覆来将LVT无机材料涂覆到第二有机层32上。在本实施例中，利用掩模将LVT无机材料仅涂覆在预选的或预定的区域，例如，仅在第二有机层32上。 
如图6D中所示，将粘合剂12涂覆到第二基板11的边缘部分。粘合剂12被形成为封闭回路形状，其中设置有第二有机层32和预无机层4''。 
然后，如图6E中所示，制备其上形成有有机发射单元2和第一有机层31的母基板1'。有机发射单元2如上所述。 
形成第一有机层31的步骤可包括提供第一有机层31的可固化前驱物并使可固化前驱物固化。 
前驱物可以是在室温条件下具有范围在大约1cp至大约100cp的粘度并且沸点在大约300℃至大约500℃的范围内的热固化或光固化前驱物。例如，前驱物可以是丙烯酸酯前驱物（acrylate precursor），例如，单丙烯酸酯（mono-acrylate）、二甲基丙烯酸酯（dimethacrylate）和三丙烯酸酯（triacrylate），然而不限于此。可固化前驱物可以是单种化合物或至少两种不同的化合物的混合物。 
可通过使用闪蒸法将可固化前驱物设置在有机发射单元2上，然而本实用新型不限于此。 
然后，利用已知的固化方法使设置在有机发射单元2上的可固化前驱物固化。例如，可通过UV线、红外线和激光束使前驱物固化，以形成第一有机层31，然而本实用新型不限于此。 
第一有机层31的厚度可在大约1μm至大约10μm的范围内。如果第一有机层31的厚度在上述范围内，则环境元件51或51'的至少一部分被第一有机 层31覆盖，并且可提高无机层4的弯曲特性。 
根据一个实施例，可通过使用闪蒸法（膜形成速率：大约
Figure DEST_PATH_GDA00003583394400141
膜形成时间：3至4分钟）在有机发射单元2上形成可固化前驱物的混合物以作为可固化前驱物，该混合物包括适当的重量比的单丙烯酸酯（mono-acrylate）、二甲基丙烯酸酯（dimethacrylate）和三丙烯酸酯（triacrylate），在室温条件下具有范围为大约1cp至大约100cp的粘度和范围为大约300℃至大约500℃的沸点。这样，在将可固化前驱物的混合物设置到有机发射单元2上时，可固化前驱物的混合物马上凝聚为液相，因此环境元件51或51'的表面的至少一部分被可固化前驱物围绕，而在环境元件51和51'之间不存在空的空间。然后，通过使用例如UV固化装置（波长：390nm；光量：500mJ）使设置到有机发射单元2上的可固化前驱物的混合物固化，以形成第一有机层31。 
然后，将母基板1'设置为与第二基板11相对，使得每个第一有机层31面对对应的预无机层4"。 
然后，如图6F中所示，通过粘合剂12将母基板1'与第二基板11彼此结合。可以在真空中或降低的压强下执行结合工艺，因此，母基板1'与第二基板11之间的空间是真空的或处于减小的压强下。例如，可以在大约20Kpa或更低的压强条件下执行这种真空结合。这样，每个第一有机层31与对应的预无机层4''接触。 
结合工艺包括通过用UV线照射粘合剂12来使粘合剂12固化。 
如图6G中所示，将母基板1'和第二基板11的组装体翻转，然后对预无机层4''执行复原工艺，使预无机层4''转变为第一有机层31，以形成覆盖第一有机层31的无机层4（参照图6H）。复原工艺可包括第一复原工艺和第二复原工艺。 
以大于LVT无机材料的粘度转变温度的温度执行第一复原工艺。例如，可通过以LVT无机材料的粘度转变温度至有机发射单元2中包含的材料的变性温度的范围内的温度对预无机层4''进行热处理来执行第一复原工艺。 
可选地，可通过以LVT无机材料的粘度转变温度至有机发射单元2中包含的材料的变性温度的最小值的范围内的温度对预无机层4''进行热处理来执行第一复原工艺。可选地，可以以LVT无机材料的粘度转变温度执行第一复原工艺。 
LVT无机材料的粘度转变温度可根据LVT无机材料的组成而改变，有机 发射单元2中包含的材料的变性温度以及有机发射单元2中包含的材料的变性温度的最小值可根据有机发射单元2中使用的材料而改变。然而，根据LVT无机材料的组成以及有机发射单元2中使用的材料，它们可被本领域技术人员容易地理解，例如，通过使用由有机发射单元2中包含的材料的TGA分析结果获得的Tg评估。 
在一些实施例中，可通过以大约80℃至大约132℃的范围内（例如，在大约80℃至大约120℃或大约100℃至大约120℃的范围内）的温度对预无机层4''进行热处理1至3小时来执行第一复原工艺，例如，以110℃执行2小时，然而不限于此。如果第一复原工艺在上面的示例中描述的范围内，则预无机层4''的LVT无机材料可以流体化，并且可防止有机发射单元2的变性。 
可以在真空中或在不活泼气体气氛（例如，N2气氛或Ar气氛）中利用IR炉执行第一复原工艺。 
预无机层4''中包含的LVT无机材料可通过第一复原工艺而被流体化。流体化的LVT无机材料可具有流动性。因此，在第一复原工艺过程中，预无机层4''的流体化的LVT无机材料流动成围绕第一有机层31。因此，无机层4被形成为完全围绕第一有机层31，并可结合到母基板1'。由于第二基板11和母基板1'之间的空间保持为真空，所以无机层4可以与母基板1'接触，而在它们之间不形成间隙。 
另外，如图3中所示，无机层4与母基板1'接触，以围绕环境元件51，流体化的LVT无机材料流至无机层4的诸如针孔或间隙的缺陷中。因此，可制备基本去除了缺陷的无机层4。 
无机层4可包括在环境元件51或51'与LVT无机材料之间或者在LVT无机材料之间具有弱粘合力的区域。在有机发光装置被存储或进行操作时，在环境元件51或51'与LVT无机材料之间或者在LVT无机材料之间具有弱粘合力的区域可能为诸如湿气和氧的外部环境材料提供入口，以引起累积暗斑的形成，从而可能缩短有机发光装置的寿命。 
因此，执行第二复原工艺，以通过加快环境元件51或51'与LVT无机材料之间或者在LVT无机材料之间的剧烈取代反应（vigorous substitution reaction），来去除在环境元件51或51'与LVT无机材料之间或者在LVT无机材料之间具有弱粘合力的区域，并提高无机层4的耐热性和机械强度。 
可通过使用化学处理、等离子体处理、包括氧的热室处理或者包括氧和 湿气的热室处理来执行第二复原工艺。 
在一个实施例中，可通过使用化学处理来执行第二复原工艺，通过这样的化学处理来利用酸性溶液、碱性溶液或中性溶液中的至少一种来处理无机层4。这样，中性溶液可以是硝酸盐溶液，例如，硝酸钾溶液。 
在另一实施例中，可利用等离子体处理来执行第二复原工艺，通过等离子体处理来利用O2等离子体、N2等离子体或Ar等离子体中的至少一种在真空中处理无机层4。 
在另一实施例中，可利用等离子体处理来执行第二复原工艺，通过等离子体处理来利用O2等离子体、N2等离子体或Ar等离子体中的至少一种在大气压条件下处理无机层4。 
在另一实施例中，可通过将无机层4暴露于氧分压在大约2%至大约100%的范围内（例如，空气中的氧分压）并且温度在大约25℃至大约150℃的范围内的室来执行第二复原工艺。 
在另一实施例中，可通过将无机层4暴露于氧分压在大约2%至大约100%的范围内（例如，空气中的氧分压）、相对湿度在大约10%至大约100%的范围内并且温度在大约25℃至大约150℃的范围内的室来执行第二复原工艺。 
相对于100%的室的压强来表示氧分压。 
在一些实施例中，复原工艺可不包括上述两个步骤，而是可以仅执行第一复原工艺。 
在不同的实施例中，还可通过利用激光束照射预无机层4"然后利用激光束扫描预无机层4"来执行转变步骤。即，可通过利用激光束照射预无机层4"来提高预无机层4"的温度，并因此向预无机层4"提供流动性，以执行转变步骤。 
然后，如图6H中所示，从第二基板11的外部施加激光束，以照射第二有机层32，从而使第二有机层32与第二基板11分离。通过调节激光束的深度，可将激光束聚焦在第二基板11和第二有机层32之间的界面上，并照射到第二基板11的上表面的整个表面。例如，激光束可具有在作为硅结晶化工艺的准分子激光退火（ELA）工艺中通常使用的308nm的波长。这样，由于第二有机层32的表面在第二有机层32与第二基板11之间的界面处吸收激光束，所以第二有机层32的表面被部分地灼烧，从而第二基板11与第二有机 层32彼此分开。 
为了纠正或修复在第二基板11与第二有机层32的分离工艺中产生的边界缺陷或分离缺陷，还可在照射激光束之后执行热处理。 
然后，如图6I中所示，沿切割线13切割第二基板11和母基板1'，以制备如图6J中所示的单独的装置。 
然后，虽然未在这里示出，但是还可形成单独的有机层，以覆盖无机层4和/或第二有机层32。如果形成单独的有机层来覆盖无机层4和/或第二有机层32，则可提高有机发光装置的弯曲特性和结构强度。可在将第二基板11与母基板1'分离之后立即对母基板1'执行有机层的形成，或者对单独的装置执行有机层的形成。有机材料的示例包括可以是透明或不透明的丙烯酸有机材料（acrylic organic material）或聚酰亚胺（polyimide）。 
利用第二基板11通过转变来执行的无机层4的形成可以比直接形成无机层4的方法更加有效。即，由于其上形成有预无机层的第二基板11利用与其上形成有有机发射单元的母基板1'的工艺不同的工艺来制备和/或其上形成有预无机层的第二基板11与其上形成有有机发射单元的母基板1'处于分开的位置，然后通过将第二基板11与母基板1'结合来使无机层转变，所以与直接在其上形成有有机发射单元的母基板1'上形成预无机层的工艺相比，可提高生产率和/或可缩短处理时间。这种效果也可根据下面的实施例来获得。 
这里，根据前述实施例，第二基板11和母基板1'彼此分开，然而本实用新型不限于此。如果期望，则可保持第二基板11和母基板1'之间的结合。 
例如，如图7中所示，第一基板1和第二基板11通过设置粘合剂12而彼此固定，以围绕有机发射单元2。这样，可保持第二基板11和第二有机层32之间的结合。因此，可进一步提高密封特性，并且第二基板11可提供另外的强度。 
例如，如图8中所示，第二基板11可被切割并保持为与有机层32结合的状态。在这种情况下，第二基板11可提供另外的强度。 
这样，如果基板11不与母基板1'分开，则激光束不穿过第二基板11，从而第二基板11可以是不透明的。因此，第二基板11可以是不透明的玻璃基板、塑料基板或金属基板。 
图9是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图。 
图9的有机发光装置不包括图1的第二有机层32，而包括覆盖有机发射 单元2的第一有机层31和覆盖第一有机层31的无机层4。 
图10A至图10H是用于描述图9的有机发光装置的制造方法的图。在此将不重复有机发光装置的与图6A至图6J中所示的描述相同的描述。 
首先，如图10A中所示，至少一个预无机层4"形成在第二基板11上。预无机层4"如上所述。这样，预无机层4"还可包括具有激光束吸收性质的材料，从而预无机层4"可以与第二基板11分开，这将在下面描述。由玻璃材料形成的第二基板11可吸收具有不同波长的激光束。 
然后，如图10B中所示，将粘合剂12涂覆到第二基板11的边缘部分。 
如图10C中所示，制备其上形成有有机发射单元2和第一有机层31的母基板1'，然后将母基板1'设置为与第二基板11相对。 
然后，如图10D中所示，在真空中将母基板1'与第二基板11结合，将UV线照射到其上以使粘合剂12固化。这样，每个第一有机层31与对应的预无机层4''接触。 
然后，如图10E所示，通过转变工艺而具有流动性的预无机层4''覆盖第一有机层31，以形成与母基板1'的表面接触的无机层4。即，无机层4中包含的低温粘度转变无机材料层覆盖第一有机层31。 
如图10F中所示，利用激光束照射第二基板11和无机层4之间的界面，以使无机层4与第二基板11分开。 
然后，如图10G中所示，沿切割线13切割第二基板11和母基板1'，以制备如图10H所示的单独的装置。 
然后，虽然未在这里示出，但是，还可形成单独的有机层，以覆盖无机层4。这样，有机发光装置可具有与图4的有机发光装置的结构相同的结构。如果形成单独的有机层来覆盖无机层4，则可提高有机发光装置的弯曲特性和结构强度。可在将第二基板11与母基板1'分离之后立即对母基板1'执行有机层的形成，或者对单独的装置执行有机层的形成。有机材料的示例可以包括可以是透明或不透明的丙烯酸有机材料（acrylic organic material）或聚酰亚胺（polyimide）。 
与前述实施例相似，第二基板11和母基板1'可以彼此分开，然而本实用新型不限于此。如果期望，则可保持第二基板11和母基板1'之间的结合状态。 
例如，如图11中所示，通过设置粘合剂12，使第一基板1'与第二基板11彼此固定，以围绕有机发射单元2。这样，可保持第二基板11和无机层4 之间的结合状态。因此，还可提高密封特性，并且第二基板11可提供另外的强度。 
在一个实施例中，如图12中所示，第二基板11可被切割并保持结合到无机层4的状态。在这种情况下，第二基板11可提供另外的强度。 
图13是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图。 
图13的有机发光装置不包括图1的第一有机层31，而是包括覆盖有机发射单元2的无机层4以及覆盖无机层4的第二有机层32。 
图14A至图14I是用于描述图13的有机发光装置的制造方法的图。在此将不重复有机发光装置的与图6A至图6J中所示的描述相同的描述。 
首先，如图14A中所示，在第二基板11上形成至少一个第二有机层32。然后，在第二有机层32上形成预无机层4"，如图14B中所示。预无机层4"如上述。 
然后，如图14C中所示，将粘合剂12涂覆到第二基板11的边缘部分。 
如图14D中所示，制备其上形成有有机发射单元2的母基板1'，然后将母基板1'设置为与第二基板11相对。 
然后，如图14E所示，在真空中将母基板1'与第二基板11彼此结合，并对其照射UV线以使粘合剂12固化。这样，每个有机发射单元2与对应的预无机层4''接触。 
然后，如图14F中所示，通过转变工艺而具有流动性的预无机层4''覆盖有机发射单元2，以形成与母基板1'的表面接触的无机层4。 
如图14G中所示，利用激光束照射第二基板11和第二有机层32之间的界面，以使第二有机层32与第二基板11分离。 
然后，如图14H中所示，沿切割线13切割第二基板11和母基板1'，以制备如图14I中所示的单独的装置。 
然后，虽然未在这里示出，但是还可形成单独的有机层，以覆盖无机层4和/或第二有机层32。如果形成单独的有机层来覆盖无机层4和/或第二有机层32，则可提高有机发光装置的弯曲特性和结构强度。可在将第二基板11与母基板1'分离之后立即对母基板1'执行有机层的形成，或者对单独的装置执行有机层的形成。有机材料的示例可以包括可以是透明或可以是不透明的丙烯酸有机材料（acrylic organic material）或聚酰亚胺（polyimide）。 
这里，与前述实施例相似，第二基板11和母基板1'可以彼此分开，然而 本实用新型不限于此。如果需要，可保持第二基板11和母基板1'之间的结合状态。 
在一个实施例中，如图15中所示，第一基板1和第二基板11通过设置粘合剂12而彼此固定，以围绕有机发射单元2。这样，可保持第二基板11和第二有机层32之间的结合状态。因此，可进一步改善密封特性，并且第二基板11可提供另外的强度。 
在一个实施例中，如图16中所示，第二基板11可被切割并保持结合到第二有机层32的状态。这样，第二基板11可提供另外的强度。 
这样，当第二基板11不与母基板1'分开时，激光束不穿过第二基板11，从而第二基板11可以是不透明的。因此，第二基板11可以是不透明的玻璃基板、塑料基板或金属基板。 
图17是根据本实用新型另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图。 
图17的有机发光装置不包括图7的第一有机层31，而是包括覆盖有机发射单元2的无机层4。 
图18A至图18H是描述制造图17的有机发光装置的方法的图。 
在此将不重复有机发光装置的与图8A至图8H中所示的描述相同的描述。 
首先，如图18A中所示，在第二基板11上形成至少一个预无机层4"。预无机层4"如上所述。这样，预无机层4"还可包括具有激光束吸收性质的材料，从而预无机层4"可与第二基板11分开，这将在下面描述。由玻璃材料形成的第二基板11可吸收具有不同波长的激光束。 
然后，如图18B中所示，将粘合剂12涂覆到第二基板11的边缘部分。 
如图18C中所示，制备其上形成有有机发射单元2的母基板1'，并将母基板1'布置为与第二基板11相对。 
然后，如图18D中所示，在真空中将母基板1'与第二基板11彼此结合，并向其照射UV线来使粘合剂12固化。这样，每个有机发射单元2与对应的预无机层4''接触。 
然后，如图18E中所示，通过转变工艺而具有流动性的预无机层4''覆盖有机发射单元2，以形成与母基板1'的表面接触的无机层4。 
如图18F中所示，利用激光束照射第二基板11和无机层4之间的界面，以使无机层4与第二基板11分开。 
然后，如图18G中所示，沿切割线13切割第二基板11和母基板1'，以制备如图18H中所示的单独的装置。 
然后，虽然为在此示出，但是还可形成单独的有机层，以覆盖无机层4。如果形成单独的有机层来覆盖无机层4，则可提高有机发光装置的弯曲特性和结构强度。可在将第二基板11与母基板1'分离之后立即对母基板1'执行有机层的形成，或者对单独的装置执行有机层的形成。有机材料的示例可以包括可以是透明或可以不是透明的丙烯酸有机材料（acrylic organic material）或聚酰亚胺（polyimide）。 
这里，与前述实施例相似，第二基板11和母基板1'可以彼此分开，然而本实用新型不限于此。如果期望，则可保持第二基板11和母基板1'之间的结合状态。 
在一个实施例中，如图19中所以，通过设置粘合剂12来使母基板1'和第二基板11彼此固定，以围绕有机发射单元2。这样，可保持第二基板11和无机层4之间的结合状态。因此，可进一步改善密封特性，并且第二基板11可提供另外的强度。 
在一个实施例中，如图20中所示，第二基板11可被切割并保持与无机层4结合的状态。在这种情况下，第二基板11可提供另外的强度。 
这样，当第二基板11不与母基板1'分开时，激光束不穿过第二基板11，从而第二基板可以是不透明的。因此，第二基板11可以是不透明的玻璃基板、塑料基板或金属基板。 
虽然已经参照本实用新型的示例性实施例特别示出并描述了本实用新型，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离如权利要求及其等同物限定的本实用新型的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。 

Claims (11)

1.一种用于转变无机层的基板，所述基板包括： 
基底；以及 
至少一个无机层，形成在基底的一个表面上，并且包括低温粘度转变无机材料。 
2.如权利要求1所述的基板，所述基板还包括在无机层和基底之间的至少一个有机层。 
3.如权利要求1所述的基板，其中，有机层包括耐热有机材料。 
4.如权利要求1所述的基板，其中，低温粘度转变无机材料的粘度转变温度是能够向低温粘度转变无机材料提供流动性的最小温度。 
5.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括： 
第一基板； 
有机发光单元，在第一基板的一个表面上； 
低温粘度转变无机材料层，覆盖有机发射单元； 
第二基板，在低温粘度转变无机材料层上，与低温粘度转变无机材料层接触并面对第一基板。 
6.如权利要求5所述的有机发光装置，其中，低温粘度转变无机材料层转变到有机发光单元上，以覆盖有机发光单元。 
7.如权利要求5所述的有机发光装置，所述有机发光装置还包括在低温粘度转变无机材料层和有机发光单元之间的第一有机层。 
8.如权利要求7所述的有机发光装置，其中，低温粘度转变无机材料层覆盖第一有机层。 
9.如权利要求5所述的有机发光装置，所述有机发光装置还包括在第二基板和低温粘度转变无机材料层之间的第二有机层。 
10.如权利要求5所述的有机发光装置，所述有机发光装置还包括在第一基板和第二基板之间并设置在有机发光单元外部的粘合剂。 
11.如权利要求5所述的有机发光装置，其中，低温粘度转变无机材料的粘度转变温度是能够向低温粘度转变无机材料提供流动性的最小温度。 
CN2013200781651U 2012-03-05 2013-02-20 用于转变无机层的基板及有机发光装置 Expired - Lifetime CN203312371U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0022519 2012-03-05
KR1020120022519A KR101333138B1 (ko) 2012-03-05 2012-03-05 유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203312371U true CN203312371U (zh) 2013-11-27

Family

ID=47191603

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013200781651U Expired - Lifetime CN203312371U (zh) 2012-03-05 2013-02-20 用于转变无机层的基板及有机发光装置
CN201310054330.4A Active CN103311457B (zh) 2012-03-05 2013-02-20 用于转变无机层的基板、有机发光装置及其制备方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310054330.4A Active CN103311457B (zh) 2012-03-05 2013-02-20 用于转变无机层的基板、有机发光装置及其制备方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8791452B2 (zh)
EP (2) EP2637230B1 (zh)
JP (2) JP6080613B2 (zh)
KR (1) KR101333138B1 (zh)
CN (2) CN203312371U (zh)
TW (1) TW201338233A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108365117A (zh) * 2018-01-31 2018-08-03 昆山国显光电有限公司 封装结构与封装方法及封装结构制备装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102051103B1 (ko) * 2012-11-07 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101971202B1 (ko) * 2012-11-22 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101473310B1 (ko) * 2012-12-06 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102033612B1 (ko) * 2012-12-27 2019-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102103421B1 (ko) * 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140120541A (ko) * 2013-04-03 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102072805B1 (ko) * 2013-04-15 2020-02-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
KR101784468B1 (ko) 2014-05-23 2017-10-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102409748B1 (ko) 2015-07-28 2022-06-17 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN105742327B (zh) * 2016-02-15 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示装置及其制备方法
JPWO2018042960A1 (ja) * 2016-09-01 2019-03-22 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ表示装置
WO2019082355A1 (ja) * 2017-10-26 2019-05-02 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法および製造装置
WO2019082357A1 (ja) * 2017-10-26 2019-05-02 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法および製造装置
US10944074B2 (en) 2017-12-26 2021-03-09 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescent display device and method for producing same
JP6556298B2 (ja) * 2018-06-15 2019-08-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法および製造装置
JP7314658B2 (ja) * 2018-07-30 2023-07-26 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の酸化第一錫の製造方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664137B2 (en) * 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
KR100942038B1 (ko) 2002-04-15 2010-02-11 쇼오트 아게 유기 광전 소자 및 유기 광전 소자 제조 방법
US7268486B2 (en) 2002-04-15 2007-09-11 Schott Ag Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements
EP1539825A4 (en) * 2002-07-24 2007-05-02 Adhesives Res Inc TRANSFORMABLE ADHESIVE TAPE AND USE OF IT IN SCREENS
US20040048033A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. Oled devices with improved encapsulation
US20040229051A1 (en) 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
JP2005011794A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP2005044613A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法および発光装置
KR100563057B1 (ko) 2003-11-14 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100615228B1 (ko) * 2004-06-29 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 흡습 능력이 개선된 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2006049308A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置、その製造方法、及びその製造装置
JP2006253055A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用フレキシブル基板及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070040501A1 (en) 2005-08-18 2007-02-22 Aitken Bruce G Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device
US7722929B2 (en) 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
US20080206589A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Bruce Gardiner Aitken Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device
EP1925444A4 (en) * 2005-08-25 2009-08-05 Asahi Glass Co Ltd BASE WITH FILM AND GLASS FOR FILMING
JP2007113043A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材とそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2007067402A2 (en) * 2005-12-06 2007-06-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
JP4624309B2 (ja) * 2006-01-24 2011-02-02 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2007277631A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性薄膜積層体の製造方法、ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス
US20080048178A1 (en) 2006-08-24 2008-02-28 Bruce Gardiner Aitken Tin phosphate barrier film, method, and apparatus
US7615506B2 (en) 2006-10-06 2009-11-10 Corning Incorporated Durable tungsten-doped tin-fluorophosphate glasses
JP4809186B2 (ja) * 2006-10-26 2011-11-09 京セラ株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
US8115326B2 (en) * 2006-11-30 2012-02-14 Corning Incorporated Flexible substrates having a thin-film barrier
KR20080051756A (ko) * 2006-12-06 2008-06-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20080055243A (ko) * 2006-12-15 2008-06-19 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US20080290798A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Mark Alejandro Quesada LLT barrier layer for top emission display device, method and apparatus
JP2009047879A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
JP2009076232A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Fujifilm Corp 環境感受性デバイス、環境感受性素子の封止方法
WO2010016331A1 (ja) * 2008-08-05 2010-02-11 東レ株式会社 デバイスの製造方法
JP2010121144A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Seiko Epson Corp 成膜装置
KR20100064870A (ko) * 2008-12-05 2010-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100989133B1 (ko) * 2009-01-07 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8084380B2 (en) 2009-02-27 2011-12-27 Corning Incorporated Transition metal doped Sn phosphate glass
JP2010244694A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、電子機器
US8440479B2 (en) * 2009-05-28 2013-05-14 Corning Incorporated Method for forming an organic light emitting diode device
JP2011018686A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR101074806B1 (ko) * 2009-12-10 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101097321B1 (ko) 2009-12-14 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101108161B1 (ko) * 2009-12-24 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101084180B1 (ko) * 2009-12-28 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 편광판 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치
WO2011114335A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Hanita Coatings R.C.A. Ltd Polymeric substrate with laminated glass layer
KR101745644B1 (ko) * 2010-05-28 2017-06-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5988974B2 (ja) * 2010-08-07 2016-09-07 ティーピーケイ ホールディング カンパニー リミテッド 表面埋込添加物を有する素子構成要素および関連製造方法
EP2445029A1 (en) * 2010-10-25 2012-04-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Multilayered protective layer, organic opto-electric device and method of manufacturing the same
KR101521114B1 (ko) * 2010-12-03 2015-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
US20130330531A1 (en) * 2012-06-06 2013-12-12 Cheil Industries, Inc. Barrier stacks and methods of making the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108365117A (zh) * 2018-01-31 2018-08-03 昆山国显光电有限公司 封装结构与封装方法及封装结构制备装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140332785A1 (en) 2014-11-13
KR101333138B1 (ko) 2013-11-26
JP2013187191A (ja) 2013-09-19
JP6559166B2 (ja) 2019-08-14
CN103311457A (zh) 2013-09-18
US8791452B2 (en) 2014-07-29
US20130228754A1 (en) 2013-09-05
EP2682998A1 (en) 2014-01-08
JP6080613B2 (ja) 2017-02-15
CN103311457B (zh) 2017-09-12
JP2017063064A (ja) 2017-03-30
EP2637230B1 (en) 2017-01-11
TW201338233A (zh) 2013-09-16
US9343703B2 (en) 2016-05-17
EP2637230A1 (en) 2013-09-11
KR20130101397A (ko) 2013-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203312371U (zh) 用于转变无机层的基板及有机发光装置
KR101086881B1 (ko) 광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN203351601U (zh) 有机发光显示装置
KR101503401B1 (ko) 유기 발광 장치의 제조 방법
US20150021568A1 (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
TWI580094B (zh) 準備有機發光裝置的方法
CN101009303A (zh) 有机发光显示器及其制造方法
KR20150002037A (ko) 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자
WO2016169153A1 (zh) 显示面板及其封装方法、显示装置
KR20140118009A (ko) 유기발광장치 및 그 제조방법
TW201507144A (zh) 有機發光顯示設備
CN109087999A (zh) 柔性基底及其制备方法、柔性有机发光二极管显示基板
KR20140123859A (ko) 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
CN104347672A (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
EP2437327A2 (en) Fabrication method of organic electroluminescence display device having a getter layer
KR20140100844A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN114883369A (zh) 显示面板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20131127

CX01 Expiry of patent term