KR20130101397A - 유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치 - Google Patents

유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치 Download PDF

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Abstract

외부 환경에 대한 밀봉성이 우수하며 플렉시블 특성을 제공할 수 있는 유기 발광 장치의 제조 방법이 개시된다.

Description

유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치 {Method for preparing organic light emitting device, substrate for transiting of an inorganic film and organic light emitting device}
유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치에 관한 것이다.
유기 발광 장치(organic light emitting device)는 자발광형 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
상기 유기 발광 장치는 제1전극, 유기층 및 제2전극을 포함한 유기 발광부를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광부는 외부 환경, 예를 들면, 산소, 수분 등에 매우 취약하므로, 상기 유기 발광부를 외부 환경으로부터 밀봉시키는 밀봉 구조가 필요하다.
한편, 박형 유기 발광 장치 및/또는 플렉시블 유기 발광 장치의 개발 역시 여전히 요구되어 있다.
외부 환경에 대한 우수한 밀봉 특성 및 플렉시블 특성을 장시간 유지할 수 있는 박막 밀봉층을 포함한 유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치를 제공한다.
일 측면에 따르면, 제2기판 상에 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한 적어도 하나의 예비-무기막을 형성하는 단계와, 제1기판 상에 적어도 하나의 유기 발광부를 형성하는 단계와, 상기 제2기판 및 상기 제1기판 중 적어도 하나의 가장자리를 따라 접착제를 도포하는 단계와, 상기 예비-무기막과 상기 유기 발광부가 서로 대향하도록 상기 접착제에 의해 상기 제2기판과 상기 제1기판을 접합하는 단계와, 상기 예비-무기막을 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 힐링(healing)해 상기 유기 발광부를 덮도록 무기막을 전사하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조방법이 제공된다.
다른 일 측면에 따르면, 제2기판 상에 저온 점도변화 무기물을 포함한 적어도 하나의 예비-무기막을 형성하는 단계와, 제1기판 상에 적어도 하나의 유기 발광부를 형성하는 단계와, 상기 제1기판 및 유기 발광부 상에 상기 유기 발광부를 덮도록 적어도 하나의 제1유기막을 형성하는 단계와, 상기 제2기판 및 상기 제1기판 중 적어도 하나의 가장자리를 따라 접착제를 도포하는 단계와, 상기 예비-무기막과 상기 제1유기막이 서로 대향하도록 상기 제2기판과 상기 제1기판을 상기 접착제에 의해 결합하는 단계와, 상기 예비-무기막을 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 힐링해 상기 제1유기막을 덮도록 무기막을 전사하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조방법이 제공된다.
상기 무기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2기판은 글라스, 플라스틱 또는 메탈을 포함할 수 있다.
상기 유기막 형성 단계 및/또는 상기 제1유기막 형성 단계가, 경화성(curable) 전구체를 제공하는 단계 및 상기 경화성 전구체를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 경화성 전구체를 제공하는 단계를 플래쉬 증발법(Flash evaporator)을 이용하여 수행하는 것일 수 있다.
상기 경화성 전구체를 경화시키는 단계를 UV(자외선) 경화, 적외선 경화 또는 레이저 경화를 이용하여 수행하는 것일 수 있다.
상기 예비-무기막을 형성하는 단계는, 상기 LVT 무기물의 분말을 포함하는 페이스트를 상기 제2기판 상에 도포하는 단계와, 상기 페이스트를 소성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 예비-무기막을 형성하는 단계는, 상기 LVT 무기물의 분말을 포함하는 분산액을 상기 제2기판 상에 스프레이 방법으로 도포하는 단계와, 상기 분산액을 열처리하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 제2기판과 상기 제1기판을 접합하는 단계는, 진공, 감압 또는 수분이나 산소의 영향이 없는 불활성 분위기에서 수행되어 상기 제2기판과 상기 제1기판의 사이가 진공 상태가 되도록 하는 단계일 수 있다.
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물에 유동성을 제공할 수 있는 최소 온도일 수 있다.
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도가 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값보다 작은 것일 수 있다.
상기 LVT 무기물이 주석 산화물을 포함한 것일 수 있다.
상기 LVT 무기물이 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함한 것일 수 있다.
상기 LVT 무기물이 SnO; SnO 및 P2O5; SnO 및 BPO4; SnO, SnF2 및 P2O5; SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는 SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;을 포함한 것일 수 있다.
상기 전사 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값 미만의 범위에서 상기 예비-무기막을 열처리하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 전사 단계는, 80℃ 내지 132℃의 범위에서 1시간 내지 3시간 동안 상기 예비-무기막을 열처리하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 전사 단계를, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 수행하는 것일 수 있다.
상기 전사 단계는, 상기 예비-무기막에 레이저를 조사하며 스캐닝하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 제2기판과 상기 예비-무기막의 사이에 개재되도록 적어도 하나의 제2유기막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 무기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계는, 상기 제2유기막에 레이저를 조사해 상기 제2유기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2유기막은 상기 무기막의 적어도 일부를 덮도록 형성된 것일 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 제1기판과, 상기 제1기판의 일면에 형성되고, 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한 적어도 하나의 무기막;을 포함하는 무기막 전사용 기판이 제공된다.
상기 무기막과 상기 제1기판의 사이에 개재된 적어도 하나의 유기막을 더 포함할 수 있다.
상기 유기막은 내열 유기물을 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도일 수 있다.
상기 LVT 무기물이 주석 산화물을 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물이 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물이 SnO; SnO 및 P2O5; SnO 및 BPO4; SnO, SnF2 및 P2O5; SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는 SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;을 포함할 수 있다.
상기 제2기판은 글라스, 플라스틱 또는 메탈을 포함할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 제1기판과, 상기 제1기판의 일면에 형성된 유기 발광부와, 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함하고 상기 유기 발광부를 덮는 무기막과, 상기 무기막과 접하도록 상기 무기막 상에 위치하고 상기 제1기판과 대향된 제2기판을 포함하는 유기 발광 장치가 제공된다.
상기 무기막과 상기 유기 발광부 사이에 개재된 제1유기막을 더 포함할 수 있다.
상기 무기막은 상기 유기 발광부 덮도록 상기 유기 발광부 상에 전사된 것일 수 있다.
상기 제2기판과 상기 무기막 사이에 개재된 제2유기막을 더 포함할 수 있다.
상기 제1기판과 제2기판의 사이에 개재되고 상기 유기 발광부의 외측에 위치하는 접착제를 더 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도일 수 있다.
상기 LVT 무기물이 주석 산화물을 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물이 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물이 SnO; SnO 및 P2O5; SnO 및 BPO4; SnO, SnF2 및 P2O5; SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는 SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;을 포함할 수 있다.
상기 제2기판은 글라스, 플라스틱 또는 메탈을 포함할 수 있다.
외부 환경에 대한 우수한 밀봉 특성 및 플렉시블 특성을 장시간 유지할 수 있는 박막 밀봉층을 제공할 수 있는 바, 장수명 플렉시블 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.
생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.
유기 발광 장치의 박막 밀봉층의 제조를 더욱 용이하게 할 수 있고, 대량 생산이 가능하도록 할 수 있다.
도 1은 유기 발광 장치의 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 2는 도 1의 Ⅱ 부분에 대한 부분 단면도,
도 3은 도 1의 Ⅲ 부분에 대한 부분 단면도,
도 4는 유기 발광 장치의 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 5는 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 6a 내지 도 6j는 도 1에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법의 일 구현예를 개략적으로 도시한 도면들,
도 7은 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 8은 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 9는 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 10a 내지 도 10h는 도 9에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법의 일 구현예를 개략적으로 도시한 도면들,
도 11은 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 12는 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 13은 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 14a 내지 도 14i는 도 13에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법의 일 구현예를 개략적으로 도시한 도면들,
도 15는 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 16은 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 17은 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 18a 내지 도 18h는 도 17에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법의 일 구현예를 개략적으로 도시한 도면들,
도 19는 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
도 20은 유기 발광 장치의 또 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도,
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 상기 유기 발광 장치의 제조 방법의 구현예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 제조 방법에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ부분에 대한 부분 단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅲ 부분에 대한 부분 단면도이다.
도 1 내지 도 3에서 볼 수 있듯이, 제1제1기판(1)의 일면에 유기 발광부(2)가 형성되어 있고, 이 유기 발광부(2)를 유기막(3)과 무기막(4)의 적층체가 덮도록 상기 적층체가 제1제1기판(1) 상에 형성된다.
상기 제1기판(1)은 글라스재 기판일 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 금속 또는 플라스틱으로 구비된 기판일 수도 있다. 상기 제1기판(1)은 밴딩 가능한 플렉시블 기판이 될 수 있는 데, 이 때 밴딩 반경이 10㎝ 이하가 되는 기판일 수 있다.
제1기판(1) 상에 형성된 유기 발광부(2)는 도 2에서 볼 수 있듯이, 제1전극(21)과 제2전극(22) 및 제1전극(21)과 제2전극(22)의 사이에 개재된 유기 발광막(23)의 적층체를 포함한다.
비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 유기 발광부(2)는 각 화소 당 하나의 화소 회로를 포함하고, 상기 화소 회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(미도시) 및 커패시터(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 제1전극(21)은 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다.
상기 제1전극(21)과 제2전극(22)은 서로 대향되고, 유기 발광막(23)에 의해 상호 전기적 절연이 유지된다. 상기 제1전극(21)은 그 가장자리가 화소 정의막(24)에 의해 덮일 수 있고, 화소 정의막(24) 및 제1전극(21)의 상부로 유기 발광막(23) 및 제2전극(22)이 형성된다. 적어도 상기 제2전극(22)은 전체 화소들을 모두 덮도록 공통 전극으로 형성될 수 있고, 상기 제1전극(21)은 화소마다 독립된 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1전극(21)은 제1기판(1) 상부에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(21)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(21)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하면, 상기 제1전극(21)을 반사형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 제1전극(21)은 단일층 또는 2 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(21)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(21) 상부로는 유기 발광막(23)이 구비되어 있다.
상기 유기 발광막(23)은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능과 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 버퍼층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 1층 이상을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광막(23)에는 예를 들면, 하기와 같은 화합물 301, 311 및 321 중 하나 이상이 포함되어 있을 수 있다.
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Figure pat00002
Figure pat00003
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유기 발광막(23) 상부로는 제2전극(22)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(22)은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 박막으로 형성하여 반사형, 반투과형 전극 또는 투과형 전극을 얻을 수 있다. 한편, 전면 발광 장치를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용한 투과형 전극을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
제1기판(1)의 방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형 구조의 경우 상기 제2전극(22)의 두께를 상대적으로 두껍게 형성하여 제1기판(1) 방향으로의 발광 효율을 높일 수 있다.
제2전극(22)의 방향으로 화상이 구현되는 전면 발광형 구조의 경우, 상기 제2전극(22)의 두께를 얇게 형성하여 제2전극(22)이 반투과 반사막이 되도록 하거나, 제2전극(22)을 전술한 물질 이외에도 투명한 도전체로 형성할 수 있다. 물론 이 경우에는 제1전극(21)이 반사막을 더 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 3에는 미도시하였으나, 상기 제2전극(22) 상부에는 보호층이 구비될 수 있다. 상기 보호층은 유기 발광부(2) 상에 제1유기막(31) 및/또는 무기막(4)과 같이 어떤 막을 형성할 때, 제2전극(22)이 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다. 예를 들면, LiF, 리튬 퀴놀레이트, Alq3 등의 물질을 이용할 수 있다.
도 1 내지 도 3에 따른 실시예에서 상기와 같은 유기 발광부(2)는 제1유기막(31), 무기막(4) 및 제2유기막(32)이 순차 적층된 적층체에 의해 덮이게 되고, 이 적층체에 따라 상기 유기 발광부(2)는 외기로부터 차단되도록 밀봉된다.
이 때 상기 적층체는 도 3에서 볼 수 있듯이 적어도 하나의 환경성 요소(51 또는 51')의 가장자리를 둘러싸도록 상기 환경성 요소(51 또는 51')와 접하도록 구비된다.
상기 환경성 요소(51 또는 51')는 본 발명의 유기 발광 표시장치의 형성 공정에서 필연적으로 부착된 입자일 수 있는 데, 유기물 및/또는 무기물을 포함한다. 예를 들면, 외부 환경으로부터 유입된 미세 입자(예를 들면, 외부 환경에 존재하는 먼지, 티끌 등), 유기 발광부(2) 형성 시 사용된 물질로서 유기 발광부(2) 상에 잔류하는 미세 입자(예를 들면, 제2전극(22) 성막 후 잔류하는 제2전극(22) 형성용 물질로 이루어진 미세 입자 등) 등일 수 있으며, 상기 환경성 요소(51 또는 51')의 성분은 각종 유기물, 무기물, 유무기/복합체일 수 있는 등, 매우 다양하다.
도 3에 도시된 실시예에서 상기 환경성 요소(51 또는 51')는 제2전극(22) 상에 위치할 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 제2전극(22) 내에 또는 하부에 위치할 수 있고 이에 따라 유기 발광부(2) 상면이 소정의 굴곡을 갖게 될 수도 있다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 환경성 요소는 제1유기막(31)의 상부면(301)에 위치할 수 있다.
상기 환경성 요소(51 또는 51')는 유기 발광부(2)가 형성된 이후에는 세정과 같은 습식 공정에 의해 상기 환경성 요소(51 또는 51')를 제거할 수 없다.
상기 환경성 요소(51 또는 51')는 크기가 1~5㎛가 되는 데, 작은 크기의 환경성 요소(51')는 제1유기막(31)에 의해 미립될 수 있고, 큰 크기의 환경성 요소(51)는 제1유기막(31) 위로 노출될 수 있다. 도 3 중 환경성 요소(51 또는 51')는 편의상 서로 다른 크기의 2개의 구형 입자로서 도시되어 있다.
상기 무기막(4)은, 제1유기막(31)의 두께보다 커서 제1유기막(31)에 의해 매립되지 않고 제1유기막(31) 위로 노출된 환경성 요소(51)를 덮을 수 있다.
상기 제1유기막(31)은 폴리머 물질일 수 있다. 상기 폴리머 물질은 아크릴을 포함할 수 있다. 도 2에서 볼 수 있듯이, 상기 제1유기막(31)의 상부면(301)은 평탄하게 형성될 수 있다. 이 때 제1유기막(31)의 하부면(302)은 화소 정의막(24)에 의해 형성된 굴곡을 따라 형성되기 때문에 평탄하지 않은 부분을 가질 수 있다. 이처럼 상기 제1유기막(31)은 상부면(301)의 평탄한 부분과 하부면(302)의 평탄하지 않은 부분이 서로 대향된다.
상기 제1유기막(31)은 이처럼 상부면(301)이 평탄하게 형성되어 있기 때문에, 도3에서 볼 수 있듯이, 상기 환경성 요소(51)와 접하는 경계에서의 두께(t31)가 상기 환경성 요소(51)와 이격된 부분에서의 두께(t32)와 대략 동일하게 된다. 이는 하부면(302)에 도 2에서와 같은 굴곡이 있는 부분을 제외하고는 균일한 두께로 형성될 수 있다는 것을 의미한다. 따라서 유기 발광부(2)를 전체 면적에 걸쳐 균일하게 보호해줄 수 있다.
상기 무기막(4)은 제1유기막(31) 상에 성막되는 데, 이에 따라 상기 무기막(4)은 상기 제1유기막(31)과 면방향으로 서로 접하도록 구비된다.
상기 무기막(4)은 저온 점도 변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한다. 상기 무기막(4)은 후술하는 바와 같이 녹은 후 응고되어 형성될 수 있다.
상기 LVT 무기물은 점도변화 온도가 낮은 무기물이다.
본 명세서 중, 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물의 점도(Viscosity)가 고체에서 액체로 완전히 변하는 온도를 의미하는 것은 아니라, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도, 즉, 상기 LVT 무기물의 점도가 변화하는 최소 온도를 의미한다.
LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 유기 발광부(13)에 포함된 물질의 변성 온도보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 유기 발광부(13)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값보다 작을 수 있다.
상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도란 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 화학적 및/또는 물리적 변성을 초래할 수 있는 온도를 의미하는 것으로서, 유기 발광부에 포함된 물질의 종류 및 갯수에 따라, 복수개 존재할 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 및 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도는 LVT 무기물 및 유기 발광부(13)의 유기층(13b)에 포함된 유기물의 유리 전이 온도(Tg)를 의미할 수 있다. 상기 유리 전이 온도는, LVT 무기물 및 유기 발광부(13)의 유기층(13b)에 포함된 유기물에 대하여 열중량분석법(Thermo Gravimetric Analysis : TGA)를 수행함으로써, 측정될 수 있다.
상기 유리 전이 온도는, 예를 들면, 유기 발광부(2)에 포함된 물질에 대하여 TGA(Thermo Gravimetric Analysis) 및 DSC(Differential Scanning Calorimetry)를 이용한 열분석(N2 분위기, 온도구간 : 상온~ 600℃ (10℃/min)-TGA ,상온에서 400℃까지-DSC, Pan Type : Pt Pan in 일회용 Al Pan(TGA) , 일회용 Al pan(DSC))을 수행한 결과로부터 도출될 수 있으며, 이는 당업자가 용이하게 인식할 수 있는 것이다.
상기 유기 발광부(2)에 포함된 물질의 변성 온도는 예를 들면, 130℃를 초과할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광부(2)에 포함된 물질에 대하여 상술한 바와 같은 TGA 분석을 통하여 용이하게 측정할 수 있는 것이다.
상기 유기 발광부(2)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은 예를 들면, 130℃ 내지 140℃일 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광부(2)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은 132℃일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 유기 발광부(2)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은, 유기 발광부(2)에 포함된 물질에 대하여 상술한 바와 같은 TGA 분석을 통하여 Tg를 구한 다음, 다양한 Tg 중 최소값을 선택함으로써, 결정될 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 80℃ 이상, 예를 들면, 80℃ 이상 및 132℃ 미만의 범위일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 예를 들면, 80℃ 내지 120℃ 또는 100℃ 내지 120℃일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 110℃일 수 있다.
상기 LVT 무기물은 1종의 화합물로 이루어지거나, 2종 이상의 화합물로 이루어진 혼합물일 수 있다.
상기 LVT 무기물은 주석 산화물(예를 들면, SnO 또는 SnO2)을 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물이 SnO를 포함할 경우, 상기 SnO의 함량은 20중량% 내지 100중량%일 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물은, 인 산화물(예를 들면, P2O5), 보론 포스페이트(BPO4), 주석 불화물(예를 들면, SnF2), 니오브 산화물(예를 들면, NbO) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO3) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물은,
- SnO;
- SnO 및 P2O5;
- SnO 및 BPO4;
- SnO, SnF2 및 P2O5;
- SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는
- SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;
를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물은 하기 조성을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
1) SnO(100wt%);
2) SnO(80wt%) 및 P2O5(20wt%);
3) SnO(90wt%) 및 BPO4(10wt%);
4) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%) 및 P2O5(10-30wt%) (여기서, SnO, SnF2 및 P2O5의 중량 합은 100wt%임);
5) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 NbO(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 NbO의 중량 합은 100wt%임); 또는
6) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 WO3(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 WO3의 중량 합은 100wt%임).
예를 들어, 상기 LVT 무기물은, SnO(42.5wt%), SnF2 (40wt%), P2O5(15wt%) 및 WO3(2.5wt%)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 조성으로 무기막(4)을 형성할 경우 점도 변화 온도를 상기 유기 발광부(2)에 포함된 물질의 변성 온도보다 낮게 유지할 수 있어 후술하는 무기막에 대한 힐링(healing) 공정에서 무기막(4)에 형성될 수 있는 여러 형태의 결함(defect)을 힐링할 수 있다.
상기 무기막(4)은 도 3에서 볼 수 있듯이 성막성 요소(52)를 포함할 수 있다. 상기 성막성 요소(52)는 무기막(4)의 성막 공정 상에 제1유기막(31) 상에 증착된 무기물 파티클일 수 있는 데, 이는 후술하는 바와 같이 힐링 공정에서 치유되어 무기막(4)의 일 부분을 이룰 수 있다.
상기 무기막(4)은 도 3에서 볼 수 있듯이 상기 환경성 요소(51)를 타고 넘을 수 있기 때문에 그 하부면(402)이 평탄하지 않은 굴곡을 가질 수 있다. 이 때 무기막(4)의 상부면(401)이 평탄하게 형성된다. 이는 후술하는 바와 같이 무기막에 대한 힐링 공정에서 무기막이 유동성을 갖게 된 후 응고되기 때문이다. 따라서 상기 무기막(4)은 상부면(401)의 평탄한 부분과 하부면(402)의 평탄하지 않은 부분이 서로 대향된다.
상기 무기막(4)은 이처럼 상부면(401)이 평탄하게 형성되어 있기 때문에, 도3에서 볼 수 있듯이, 상기 환경성 요소(51)와 접하는 경계에서의 두께(t41)가 상기 환경성 요소(51)와 이격된 부분에서의 두께(t42)와 동일하게 된다. 이는 하부면(402)에 도 3에서와 같은 굴곡이 있는 부분을 제외하고는 균일한 두께로 형성될 수 있다는 것을 의미한다. 따라서 유기 발광부(2)를 전체 면적에 걸쳐 균일하게 보호해줄 수 있다.
상기 무기막(4)은 도 1에서 볼 수 있듯이 제1유기막(31)보다 넓은 면적으로 형성되어 그 가장자리가 모두 제1기판(1)과 접하도록 하는 것이 바람직하다. 따라서 제1유기막(31)은 무기막(4)에 의해 완전히 덮인 구조가 되며, 이 때 무기막(4)이 제1기판(1)과 접해 있기 때문에 무기막(4)의 제1기판(1)과의 접합 특성이 향상되고, 외기의 유기 발광부(2)로의 침투를 더욱 견고히 차단할 수 있다. 비록 도면으로 도시하지는 않았지만 상기 유기 발광부(2)는 전술한 바와 같이 박막 트랜지스터를 포함하는 화소 회로를 더 구비할 수 있으므로, 상기 무기막(4)은 상기 화소 회로를 구성하는 막, 예컨대 박막 트랜지스터를 구성하는 층들 중 어느 절연막과도 접하도록 할 수 있다. 예컨대 박막 트랜지스터를 구성하는 층들 중 게이트 절연막의 연장된 부분과 상기 무기막(4)이 접하도록 할 수도 있다. 이 경우에도 박막 트랜지스터를 구성하는 절연막들이 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드와 같은 무기 절연막이기 때문에 무기막(4)이 제1기판(1)과 접하는 경우와 동일 및/또는 유사한 특성을 나타낼 수 있다.
상기 무기막(4)의 적어도 일부가 제2유기막(32)에 의해 덮인다.
상기 제1유기막(31)과 제2유기막(32)은 서로 동일한 유기물일 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제2유기막(32)은 내열성 유기물을 사용할 수 있다. 물론 이 경우에도 상기 내열성 유기물의 기본 조성은 상기 제1유기막(31)의 조성과 동일 및/또는 유사하도록 할 수 있다.
상기 제2유기막(32)의 구조는 도 1에서 볼 수 있듯이 무기막(4)의 상부면을 덮게 형성될 수 있는 데 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 4에서 볼 수 있듯이, 제2유기막(32')이 무기막(4)의 전체를 덮도록 형성될 수도 있다. 이 때 도 4에서와 같이 제2유기막(32')이 무기막(4)의 가장자리를 일부 덮지 않도록 할 수도 있는 데 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 무기막(4)을 그 가장자리까지 포함하여 완전히 덮을 수 있다.
또 도 5에서 볼 수 있듯이, 제2유기막(32')이 무기막(4)의 상부면을 포함한 측면의 일부를 덮도록 형성될 수도 있다.
도 1, 도 4 및 도 5에서 볼 수 있는 구조의 제2유기막들(32)(32')(32")은 무기막(4)을 외부 충격 등으로부터 보호해주고, 전술한 바와 같이 무기막(4)의 밴딩 특성을 보완해줄 수 있다.
비록 도면으로 도시하지는 않았지만 상기 제2유기막들(32)(32')(32")을 덮도록 별도의 무기막 및/또는 무기막/유기막의 적층체를 적어도 하나 이상 더 성막할 수 있다. 이 때의 무기막은 전술한 LVT 무기물을 이용한 힐링 공정으로 형성된 것일 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 실리콘계 산화물 및/또는 실리콘계 질화물 및/또는 알루미늄계 산화물 및/또는 알루미늄계 질화물과 같이, 무기막(4)과는 다른 성분의 무기물도 적용 가능하다.
다음으로 도 6a 내지 도 6j를 참조하여 도 1에 따른 유기 발광 장치의 제조방법의 일 예를 설명한다.
먼저, 제2기판(11) 상에 제2유기막(32)을 적어도 하나 이상 형성한다. 도 6a에는 제2기판(11) 상에 제2유기막(32)이 세 개가 형성되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 적어도 하나 이상 형성되어 있으면 무방하다. 제2기판(11) 상에 제2유기막(32)이 복수개 형성될 경우에는 동시에 복수의 유기 발광 장치를 제조할 수 있어 생산성이 향상된다.
상기 제2기판(11)은 투명한 글라스 기판이 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 플라스틱 기판도 적용 가능하다.
제2유기막(32)은 상기 제2기판(11)의 미리 설정된 영역 상에 형성되는 데, 스크린 인쇄 또는 슬릿 코팅 공정을 거쳐 형성된다. 상기 제2유기막(32)은 투명 아크릴 또는 내열성 고분자 물질 등으로 1~100㎛ 두께로 형성될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 전술한 바와 같이 제1유기막(31)과 동일 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2유기막(32)은 후술하는 바와 같이 무기막(4)을 제2기판(11)으로부터 박리시키기 위한 기능 및/또는 제2기판(11)의 평탄화 기능을 갖는다. 레이저에 의한 제2기판(11)과의 박리 시 손상되지 않도록 내열성 유기물을 포함할 수 있다.
상기 제2유기막(32)은 예를 들어, 1~100㎛두께로 형성될 수 있는 데, 도 6a에서 볼 수 있듯이, 부분적으로 코팅되어 패터닝되어 있기 때문에 엣지가 후술하는 제1유기막(31)과는 달리 제2기판(11)의 표면으로부터 직각으로 연장될 수 있다.
상기 제2유기막(32)의 면적은 후술하는 무기 페이스트(4')의 면적보다 크게 되어 무기 페이스트(4')를 모두 덮을 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 상기 제2유기막(32)의 면적은 무기 페이스트(4')의 면적보다 작아 무기 페이스트(4')가 제2유기막(32)을 모두 덮을 수 있다.
도 6a에서는 상기 제2유기막(32)이 편평한 막으로 형성되도록 하였는 데 이는 도 1에 따른 유기 발광 장치를 제조하기 위한 것으로, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 4 및/또는 도 5에 따른 유기 발광 장치를 제조하는 경우에는 제2유기막(32)을 중앙이 오목하게 되도록 형성할 수 있다.
다음으로, 도 6b에서 볼 수 있듯이, 상기 각 제2유기막(32) 상에 LVT 무기물을 포함하는 무기 페이스트(4')를 인쇄한다.
상기 무기 페이스트(4')는 전술한 LVT 무기물을 포함하는 데, 일예에 따르면, SnO-SnF2-P2O5-WO3 조성의 LVT무기물을 포함한다. 상기 LVT무기물을 분말 상태로 잘 섞어 500℃, 1시간 동안 용융시킨 후 상온 급랭하여, 균질한 유리질 물질을 확보한다. 이 유리질 물질을 다시 잘게 부수어 분말 상태로 준비한다. 이 분말을 바인더 및 솔벤트 등과 적당량 섞어 일정한 점도의 무기 페이스트(4')를 만든다. 상기 바인더로는 에틸셀룰로스(ethylcellulose) 바인더가 사용될 수 있고, 솔벤트로는 테르피네올(Terpineol)이 사용될 수 있다. 무기 페이스트(4')의 점도는 대략 10,000~100,000 CP 정도가 될 수 있다.
이러한 무기 페이스트(4')를 통상 20,000~100,000 CP 정도의 점도에서 3~10㎛ 정도의 두께가 되도록 인쇄한다. 인쇄는 스크린 프린팅법 또는 슬릿 코팅법이 사용될 수 있다. 슬릿 코팅법에서는 부분적으로 슬릿이 오픈되어 원하는 영역만 부분적으로 코팅할 수 있다.
다음으로, 도 6c에서 볼 수 있듯이, 인쇄된 무기 페이스트(4')를 질소 분위기, 또는 진공 분위기, 또는 아르곤 분위기에서 소성하여, 무기 페이스트(4') 내에 혼합되어 있던 솔벤트와 바인더를 제거한 후, 온도를 올려 소결시켜 예비-무기막(4")이 되도록 한다. 소결 후의 예비 무기막(4")은 표면이 어느 정도의 균질성을 갖는 유리질이 된다.
상기 무기 페이스트(4')는 상기 LVT 무기물의 분말을 포함하는 분산액을 상기 제2유기막(32) 상에 스프레이 코팅하여 형성한 막일 수 있다. 이 경우, 상기 분산액으로 형성된 무기 페이스트(4')의 소성 및/또는 소결 대신 열처리 공정을 통해 예비 무기막(4')을 형성할 수 있다.
도 6b 및 도 6c에서는 상기 예비 무기막(4")을 무기 페이스트(4')를 이용한 인쇄법을 예시하였으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, LVT 무기물을 스퍼터링, 진공 증착법, 저온 증착법, 플라즈마 강화 화학적 기상 증착법(PCVD), 플라즈마 이온 지원 증착법(PIAD), 플래시 증착법(flash evaporator), 전자 빔 코팅법 또는 이온 플레이팅법 등의 방법으로 상기 제2유기막(32) 상에 성막할 수 있다. 물론, 이 경우, 마스크를 이용하여 특정 영역, 예를 들면 제2유기막(32) 상부에만 형성되도록 할 수 있다.
도 6d에서 볼 수 있듯이, 제2기판(11)의 가장자리에 접착제(12)를 도포한다. 접착제(12)는 폐루프상으로 형성되고, 폐루프의 내측에는 전술한 제2유기막(32)들과 예비 무기막(4")들이 위치한다.
다음으로, 도 6e에서 볼 수 있듯이, 유기 발광부(2) 및 제1유기막(31)이 형성된 원장 기판(1')을 준비한다. 유기 발광부(2)는 전술한 바와 같다.
상기 제1유기막(31)을 형성하는 단계는, 상기 제1유기막(31)에 포함된 경화성(curable) 전구체를 제공하는 단계 및 상기 경화성 전구체를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 전구체는 상온에서 1-100cp의 점도를 갖고, 300℃ 내지 500℃의 끓는점을 갖는 전구체로서, 열경화성 또는 광경화성 전구체일 수 있다. 예를 들면, 상기 전구체는 아크릴레이트계 전구체(모노아크릴레이트, 디메타크릴레이트, 트리아크릴레이트 등)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 경화성 전구체는 1종의 화합물로 이루어지거나, 2종 이상의 서로 상이한 화합물의 혼합물일 수 있다.
상기 경화성 전구체를 유기 발광부(2) 상에 제공하는 단계는 플래쉬 증발법(Flash evaporator)을 이용하여 수행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 유기 발광부(3) 상에 제공된 경화성 전구체를 공지의 경화 방법을 이용하여 경화시킨다. 예를 들어, 상기 전구체는 UV(자외선) 경화, 적외선 경화, 레이저 경화 등에 의하여 경화되어 제1유기막(31)으로 성막될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1유기막(31)의 두께는 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 상기 제1유기막(31) 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 상기 유기막(31) 내에 도 3에 나타낸 바와 같은 환경성 요소(51 또는 51')의 일부 이상이 매립되고, 무기막(4)의 벤딩 특성 향성에 기여할 수 있게 된다.
일 예에 따르면, 유기 발광부(2) 상에, 경화성 전구체로서, 모노아크릴레이트(mono-acrylate), 디메타크릴레이트(dimethacrylate), 트리아크릴레이트(triacryrate)가 적정 비율로 배합된 경화성 전구체 혼합물(상온에서 1~100cp 정도의 점도를 갖고, 끓는점은 300 내지 500℃임)을 플래시 증착(Flash evaporating) 방법(성막 속도: 약 200Å/s / 성막 시간: 3 내지 4분)을 이용하여 제공한다. 이 때, 상기 경화성 전구체 혼합물은 유기 발광부(2)에 제공되자마자 바로 응축되어 액상 형태로 존재하게 되므로, 상기 환경성 요소(51 또는 51')와의 사이에 빈 공간이 없이 상기 환경성 요소(51 또는 51') 표면의 일부 이상은 상기 경화성 전구체에 의하여 둘러싸이게 된다. 이어서, 유기 발광부(2) 상에 제공된 경화성 전구체 혼합물을 바로 UV 경화 장치(자외선 파장: 390nm / 광량: 500mJ)를 이용하여 경화시켜 제1유기막(31)을 형성할 수 있다.
다음으로 원장 기판(1')과 제2기판(11)을 서로 대향시켜 각 제1유기막(31)들과 예비-무기막들(4")이 서로 대향되도록 한다.
그리고 도 6f에서 볼 수 있듯이, 원장 기판(1')과 제2기판(11)을 서로 접합시킨다. 접합 공정은 진공 또는 감압 상태에서 수행되도록 하는 것이 바람직하며, 이에 따라 원장 기판(1')과 제2기판(11)의 사이 공간이 진공 또는 감압 상태가 되도록 한다. 예를 들어, 이러한 진공 접합은 20Kpa 이하의 압력에서 실시될 수 있다. 이 때, 상기 각 제1유기막(31)들과 상기 각 예비-무기막(4")들이 서로 접해 있도록 한다.
상기 접합 공정은 상기 접착제(12)에 UV를 조사하여 접착제(12)를 경화시키는 단계를 포함한다.
도 6g에서 볼 수 있듯이 이러한 원장 기판(1')과 제2기판(11)의 조립체를 뒤집은 다음, 예비-무기막(4")에 대하여 힐링 공정을 수행함으로써 상기 예비-무기막(4")을 제1유기막(31)상에 전사해 제1유기막(31)을 덮도록 무기막(4)을 형성한다(도 6h 참조). 상기 힐링 단계는 제1힐링 단계 및 제2힐링 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1힐링 단계는 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 수행된다. 예를 들어, 상기 제1힐링 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도 미만의 범위에서 상기 예비-무기막(4')을 열처리함으로써 수행될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1힐링 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값 미만의 범위에서 상기 예비-무기막(4")을 열처리함으로써 수행될 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 제1힐링 단계는, LVT 무기물의 점도변화 온도에서 수행될 수 있다.
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 상기 LVT 무기물의 조성에 따라 상이하고, 유기 발광부에 포함된 물질의 변성온도 및 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도의 최소값은 상기 유기 발광부(2)에 포함된 물질에 따라 상이할 것이나, LVT 무기물의 조성 및 유기 발광부(2)에 포함된 물질의 성분에 따라 당업자가 용이하게 인식(예를 들면, 유기 발광부(2)에 포함된 물질에 대한 TGA 분석 결과로부터 도출되는 Tg 온도 평가 등)할 수 있는 것이다.
예를 들어, 상기 제1힐링 단계는, 80℃ 이상 및 132℃ 미만의 범위(예를 들면, 80℃ 내지 120℃ 또는 100℃ 내지 120℃의 범위)에서 1시간 내지 3시간 동안(예를 들면, 110℃에서 2시간 동안) 상기 예비-무기막을 열처리함으로써 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1힐링 단계의 온도가 상술한 바와 같은 범위를 만족함으로써, 상기 예비-무기막(4")의 LVT 무기물의 유동화가 가능해 지고, 유기 발광부(2)의 변성이 방지될 수 있다.
상기 제1힐링 단계는, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기(예를 들면, N2 분위기, Ar 분위기 등) 하의 IR 오븐에서 수행될 수 있다.
상기 제1힐링 단계에 의하여, 상기 예비-무기막(4")에 포함된 LVT 무기물은 유동화(fluidized)될 수 있다. 유동화된 LVT 무기물은 흐름성(flowability)를 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1힐링 단계시, 예비-무기막(4")의 유동화된 LVT 무기물이 흘러 제1유기막(31)을 감쌀 수 있다. 이에 따라 제1유기막(31)을 완전히 감싸고 원장 기판(1')에 접합된 무기막(4)이 형성된다. 상기 제2기판(11)과 원장 기판(1')의 사이는 진공 상태이므로 무기막(4)은 보이드(void)없이 상기 원장 기판(1')에 밀착될 수 있다.
그리고 이 과정에서 도 3에서 볼 수 있듯이 무기막(4)이 상기 환경성 요소(51)를 둘러싸도록 밀착될 수 있고, 무기막(4) 내의 핀홀이나 간극 등의 결함(defect)에 상기 유동화된 LVT 무기물이 흘러 충진되어 이 결함이 제거된 제1힐링된 무기막(4)이 형성될 수 있다.
상기 제1힐링된 무기막(4)에는 환경성 요소와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역이 존재할 수 있다. 상기 환경성 요소와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역은 외부 환경, 예를 들면 수분 및 산소의 이동 통로가 되어 유기 발광 장치의 보관 및 구동 시 진행성 암점 발생의 원인이 될 수 있는 바, 유기 발광 장치 수명 저하의 원인이 될 수 있다.
따라서, 환경성 요소와 LVT 무기물 간의 활발한 치환 반응 및 LVT 무기물 간의 활발한 치환 반응을 가속화시킬 수 있고, 제1힐링된 무기막(4)의 내열성 및 기계적 강도 등을 강화시킴으로써, 상기 환경성 요소와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역을 제거할 수 있는 제2힐링 단계를 수행할 수 있다.
상기 제2힐링 단계는, 화학적 처리법, 플라즈마 처리법, 산소-함유 고온 챔버 처리법, 산소 및 수분-함유 고온 챔버 처리법을 이용하여 수행될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 무기막(4)을 산 용액, 알칼리 용액 및 중성 용액 중 1종 이상과 접촉시키는 화학적 처리법을 이용하여 수행될 수 있다. 여기서, 상기 알칼리 용액은 질산염(예를 들면, 질산 칼륨액)일 수 있다.
다른 예로서, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 무기막(4)을 진공 하 O2 플라즈마, N2 플라즈마 및 Ar 플라즈마 중 1종 이상으로 처리하는 플라즈마 처리법을 이용하여 수행될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 무기막(4)을 대기압 하 O2 플라즈마, N2 플라즈마 및 Ar 플라즈마 중 1종 이상으로 처리하는 플라즈마 처리법을 이용하여 수행될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 무기막(4)을 2% 내지 100%의 산소 분압(예를 들면, 대기 분위기 중 산소 분압) 및 25℃ 내지 150℃의 온도를 갖는 챔버 내에 노출시킴으로써 수행될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 무기막(4)을 2% 내지 100%의 산소 분압(예를 들면, 대기 분위기 중 산소 분압), 10% 내지 100%의 상대 습도 및 25℃ 내지 150℃의 온도를 갖는 챔버 내에 노출시킴으로써 수행될 수 있다.
상기 산소 분압은 챔버 내 압력 100% 대비 압력을 나타낸 것이다.
상기와 같은 힐링 단계는 반드시 위와 같이 2단계로 이루어질 필요는 없으며, 제1힐링 단계만을 수행할 수도 있다.
한편, 상기 전사 단계는 이 외에도 상기 예비-무기막(4")에 대하여 레이저를 조사하고, 이를 스캐닝함으로써 수행될 수 있다. 즉, 예비-무기막(4")에 레이저를 조사하여 예비-무기막(4")의 온도를 높이고 이에 따라 예비-무기막(4")에 유동성을 부여함으로써 전사 단계를 수행하는 것이다.
다음으로, 도 6h에서 볼 수 있듯이 제2기판(11) 외측에서 제2유기막(32)에 레이저를 조사해 제2기판(11)으로부터 제2유기막(32)을 분리시킨다. 레이저는 제2기판(11)과 제2유기막(32)의 사이에 포커스되도록 깊이(depth)를 조절하여 제2기판(11)의 상부 전면에서 조사될 수 있다. 예를 들어 실리콘 결정화 공정인 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서 사용되는 308nm 레이저가 사용될 수 있다. 이 때, 상기 제2유기막(32)과 제2기판(11) 사이의 계면에서 제2유기막(32) 표면의 레이저 흡수가 일어나면서 표면의 일부가 타게 되고, 이에 따라 제2기판(11)과 제2유기막(32)의 분리가 일어나게 된다.
제2기판(11)과 제2유기막(32)의 분리과정에서 발생하는 엣지(Edge) 결함이나 분리 시 결함을 치유하기 위해 상기 레이저 조사 후 추가 열처리를 실시할 수 있다.
이후, 도 6i에서 볼 수 있듯이, 컷팅 라인들(13)을 따라 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 컷팅하여 도 6j와 같이 개별 소자들로 분리시킨다.
이 후, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 무기막(4) 및/또는 제2유기막(32)을 덮도록 별도의 유기막을 더 형성할 수 있다. 이렇게 무기막(4) 및/또는 제2유기막(32)을 덮도록 유기막을 형성한 경우, 유기 발광 장치의 밴딩 특성이 향상되고 기구적 강도도 개선된다. 상기 유기막을 형성하는 공정은 제2기판(11)만 분리시킨 상태의 원장 기판(1')에 대하여 적용하거나, 개별 소자들로 분리된 이후 적용할 수 있다. 사용되는 유기물은 투명 또는 불투명의 아크릴계 유기물 또는 폴리이미드가 될 수 있다.
이처럼 상기 제2기판(11)을 사용하여 무기막(4)을 형성하는 방식은 무기막(4)을 직접 성막하는 것이 아니라 전사를 하는 방식이기 때문에 성막 공정에 비해 생산 효율을 더욱 높일 수 있다. 즉, 전술한 바와 같이 예비-무기막이 형성되어 있는 제2기판(11)을 유기 발광부가 형성된 원장 기판(1')과는 다른 공정 및/또는 별도의 장소에서 제작하여 서로 결합시켜 전사시키는 것이기 때문에 예비-무기막을 유기 발광부가 형성된 원장 기판(1')에 직접 성막시키는 것에 비해 생산 효율을 향상시키고 및/또는 공정 시간을 더욱 단축시킬 수 있는 것이다. 이러한 효과는 이하 실시예들에서도 동일하다.
한편, 전술한 실시예에서는 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 분리시켰으나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 경우에 따라서는 제2기판(11)을 원장 기판(1')과 접합시킨 상태를 유지할 수 있다.
예를 들면, 도 7에 도시된 바와 같이 유기 발광부(2)를 둘러싸도록 접착제(12)가 위치해 제1기판(1)과 제2기판(11)을 고정시킨 상태가 될 수 있다. 이 경우 제2기판(11)은 제2유기막(32)과 접합 상태를 유지할 수 있다. 이러한 실시예는 밀봉 효과를 더욱 높일 수 있고, 제2기판(11)으로 인해 강도를 보완할 수 있다.
다른 예로서, 도 8에 도시된 바와 같이 제2기판(11)이 절단되어 제2유기막(32)에 접합된 상태를 유지할 수 있다. 이 경우 제2기판(11)으로 인해 강도를 보완할 수 있다.
이렇게 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 분리시킬 필요가 없는 경우에는 상기 제2기판(11)은 레이저가 투과할 필요가 없으므로 반드시 투명할 필요는 없으며, 불투명한 글라스 기판, 플라스틱 기판, 또는 메탈 기판이 사용될 수 있다.
도 9는 상기 유기 발광 장치의 다른 실시예이다.
도 9는 도 1에 따른 실시예와 달리 제2유기막을 포함하지 않으며, 유기 발광부(2)를 덮는 제1유기막(31)과 상기 제1유기막(31)을 덮도록 무기막(4)을 포함한다.
도 10a 내지 도 10h는 도 9에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법의 구현예를 순서대로 설명한 도면들이다. 도 6a 내지 도 6j와 중복되는 설명은 생략한다.
먼저, 도 10a에서와 같이 제2기판(11) 상에 적어도 하나 이상의 예비-무기막(4")을 형성한다. 상기 예비-무기막(4")은 전술한 실시예에서와 같다. 이 때, 상기 예비-무기막(4")은 후술하는 바와 같이 제2기판(11)과의 탈착을 위해 레이저 흡수 특성을 갖는 물질을 더 포함시킬 수 있다. 제2기판(11)이 글라스 재질일 경우에는 제2기판(11)과는 다른 파장대의 흡수 특성을 갖도록 한다.
다음으로 도 10b에서 볼 수 있듯이, 제2기판(11)의 가장자리를 따라 접착제(12)를 형성한다.
그리고 도 10c에서 볼 수 있듯이, 유기 발광부(2) 및 제1유기막(31)이 형성된 원장 기판(1')을 준비한 후, 상기 원장 기판(1')을 상기 제2기판(11)과 대향시킨다.
이후 도 10d에서 볼 수 있듯이, 진공 분위기에서 상기 원장 기판(1')과 상기 제2기판(11)을 서로 접합시킨 후, UV를 조사하여 접착제(12)를 경화시킨다. 이 때, 상기 각 제1유기막(31)들과 상기 각 예비-무기막(4")들이 서로 접해 있도록 한다.
다음으로 도 10e에서 볼 수 있듯이, 전사 단계를 통해 유동성을 갖게 된 예비-무기막(4")들이 제1유기막(31)을 덮어 원장 기판(1')의 표면에 접합해 무기막(4)을 형성한다.
도 10f에서 볼 수 있듯이 레이저를 제2기판(11)과 무기막(4) 사이 계면에 조사하여 무기막(4)을 제2기판(11)으로부터 분리시킨다.
도 10g에서 볼 수 있듯이 컷팅 라인(13)을 따라 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 컷팅하여 도 10h와 같이 개별 소자들로 분리시킨다.
이 후, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 무기막(4)을 덮도록 유기막을 더 형성할 수 있다. 이 경우, 형성된 유기 발광 장치의 모습은 도 4와 같을 것이다. 이렇게 무기막(4)을 덮도록 유기막을 형성한 경우, 유기 발광 장치의 밴딩 특성이 향상되고 기구적 강도도 개선된다. 상기 유기막을 형성하는 공정은 제2기판(11)만 분리시킨 상태의 원장 기판(1')에 대하여 적용하거나, 개별 소자들로 분리된 이후 적용할 수 있다. 사용되는 유기물은 투명 또는 불투명의 아크릴계 유기물 또는 폴리이미드가 될 수 있다.
전술한 실시예에서는 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 분리시켰으나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 경우에 따라서는 제2기판(11)을 원장 기판(1')과 접합시킨 상태를 유지할 수 있다.
예를 들면, 도 11에 도시된 바와 같이 유기 발광부(2)를 둘러싸도록 접착제(12)가 위치해 제1기판(1)과 제2기판(11)을 고정시킨 상태가 될 수 있다. 이 경우 제2기판(11)은 무기막(4)과 접합 상태를 유지할 수 있다. 이러한 실시예는 밀봉 효과를 더욱 높일 수 있고, 제2기판(11)으로 인해 강도를 보완할 수 있다.
다른 예로서, 도 12에 도시된 바와 같이 제2기판(11)이 절단되어 무기막(4)에 접합된 상태를 유지할 수 있다. 이 경우 제2기판(11)으로 인해 강도를 보완할 수 있다.
도 13은 상기 유기 발광 장치의 또 다른 실시예이다.
도 13은 도 1에 따른 실시예와 달리 제1유기막을 포함하지 않으며, 유기 발광부(2)를 덮는 무기막(4)과 상기 무기막(4)을 덮도록 제2유기막(32)을 포함한다.
도 14a 내지 도 14i는 도 13에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법의 구현예를 순서대로 설명한 도면들이다. 도 6a 내지 도 6j와 중복되는 설명은 생략한다.
먼저, 도 14a에서와 같이 제2기판(11) 상에 적어도 하나 이상의 제2유기막(32)을 형성한다. 그리고, 각 제2유기막(32) 상에 도 14b와 같이 예비-무기막(4")들을 형성한다. 상기 예비-무기막(4")은 전술한 실시예에서와 같다.
다음으로 도 14c에서 볼 수 있듯이, 제2기판(11)의 가장자리를 따라 접착제(12)를 형성한다.
그리고 도 14d에서 볼 수 있듯이, 유기 발광부(2)가 형성된 원장 기판(1')을 준비한 후, 상기 원장 기판(1')을 상기 제2기판(11)과 대향시킨다.
이후 도 14e에서 볼 수 있듯이, 진공 분위기에서 상기 원장 기판(1')과 상기 제2기판(11)을 서로 접합시킨 후, UV를 조사하여 접착제(12)를 경화시킨다. 이 때, 상기 각 유기 발광부(2)들과 상기 각 예비-무기막(4")들이 서로 접해 있도록 한다.
다음으로 도 14f에서 볼 수 있듯이, 전사 단계를 통해 유동성을 갖게 된 예비-무기막(4")들이 유기 발광부(2)들을 덮어 원장 기판(1')의 표면에 접합해 무기막(4)을 형성한다.
도 14g에서 볼 수 있듯이 레이저를 제2기판(11)과 제2유기막(32) 사이 계면에 조사하여 제2유기막(32)을 제2기판(11)으로부터 분리시킨다.
도 14h에서 볼 수 있듯이 컷팅 라인(13)을 따라 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 컷팅하여 도 14i와 같이 개별 소자들로 분리시킨다.
이 후, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 무기막(4) 및/또는 제2유기막(32)을 덮도록 별도의 유기막을 더 형성할 수 있다. 이렇게 무기막(4) 및/또는 제2유기막(32)을 덮도록 유기막을 형성한 경우, 유기 발광 장치의 밴딩 특성이 향상되고 기구적 강도도 개선된다. 상기 유기막을 형성하는 공정은 제2기판(11)만 분리시킨 상태의 원장 기판(1')에 대하여 적용하거나, 개별 소자들로 분리된 이후 적용할 수 있다. 사용되는 유기물은 투명 또는 불투명의 아크릴계 유기물 또는 폴리이미드가 될 수 있다.
한편, 전술한 실시예에서는 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 분리시켰으나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 경우에 따라서는 제2기판(11)을 원장 기판(1')과 접합시킨 상태를 유지할 수 있다.
예를 들면, 도 15에 도시된 바와 같이 유기 발광부(2)를 둘러싸도록 접착제(12)가 위치해 제1기판(1)과 제2기판(11)을 고정시킨 상태가 될 수 있다. 이 경우 제2기판(11)은 제2유기막(32)과 접합 상태를 유지할 수 있다. 이러한 실시예는 밀봉 효과를 더욱 높일 수 있고, 제2기판(11)으로 인해 강도를 보완할 수 있다.
다른 예로서, 도 16에 도시된 바와 같이 제2기판(11)이 절단되어 제2유기막(32)에 접합된 상태를 유지할 수 있다. 이 경우 제2기판(11)으로 인해 강도를 보완할 수 있다.
이렇게 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 분리시킬 필요가 없는 경우에는 상기 제2기판(11)은 레이저가 투과할 필요가 없으므로 반드시 투명할 필요는 없으며, 불투명한 글라스 기판, 플라스틱 기판, 또는 메탈 기판이 사용될 수 있다.
도 17은 상기 유기 발광 장치의 또 다른 실시예이다.
도 17은 도 7에 따른 실시예와 달리 제1유기막을 포함하지 않으며, 유기 발광부(2)를 덮는 무기막(4)을 포함한다.
도 18a 내지 도 18h는 도 17에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법의 구현예를 순서대로 설명한 도면들이다. 도 8a 내지 도 8h와 중복되는 설명은 생략한다.
먼저, 도 18a에서와 같이 제2기판(11) 상에 적어도 하나 이상의 예비-무기막(4")을 형성한다. 상기 예비-무기막(4")은 전술한 실시예에서와 같다. 이 때, 상기 예비-무기막(4")은 후술하는 바와 같이 제2기판(11)과의 탈착을 위해 레이저 흡수 특성을 갖는 물질을 더 포함시킬 수 있다. 제2기판(11)이 글라스 재질일 경우에는 제2기판(11)과는 다른 파장대의 흡수 특성을 갖도록 한다.
다음으로 도 18b에서 볼 수 있듯이, 제2기판(11)의 가장자리를 따라 접착제(12)를 형성한다.
그리고 도 18c에서 볼 수 있듯이, 유기 발광부(2)가 형성된 원장 기판(1')을 준비한 후, 상기 원장 기판(1')을 상기 제2기판(11)과 대향시킨다.
이후 도 18d에서 볼 수 있듯이, 진공 분위기에서 상기 원장 기판(1')과 상기 제2기판(11)을 서로 접합시킨 후, UV를 조사하여 접착제(12)를 경화시킨다. 이 때, 상기 각 유기 발광부(2)들과 상기 각 예비-무기막(4")들이 서로 접해 있도록 한다.
다음으로 도 18e에서 볼 수 있듯이, 전사 단계를 통해 유동성을 갖게 된 예비-무기막(4")들이 각 유기 발광부(2)들을 덮어 원장 기판(1')의 표면에 접합해 무기막(4)을 형성한다.
도 18f에서 볼 수 있듯이 레이저를 제2기판(11)과 무기막(4) 사이 계면에 조사하여 무기막(4)을 제2기판(11)으로부터 분리시킨다.
도 18g에서 볼 수 있듯이 컷팅 라인(13)을 따라 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 컷팅하여 도 18h와 같이 개별 소자들로 분리시킨다.
이 후, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 무기막(4)을 덮도록 유기막을 더 형성할 수 있다. 이렇게 무기막(4)을 덮도록 유기막을 형성한 경우, 유기 발광 장치의 밴딩 특성이 향상되고 기구적 강도도 개선된다. 상기 유기막을 형성하는 공정은 제2기판(11)만 분리시킨 상태의 원장 기판(1')에 대하여 적용하거나, 개별 소자들로 분리된 이후 적용할 수 있다. 사용되는 유기물은 투명 또는 불투명의 아크릴계 유기물 또는 폴리이미드가 될 수 있다.
한편, 전술한 실시예에서는 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 분리시켰으나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 경우에 따라서는 제2기판(11)을 원장 기판(1')과 접합시킨 상태를 유지할 수 있다.
예를 들면, 도 19에 도시된 바와 같이 유기 발광부(2)를 둘러싸도록 접착제(12)가 위치해 제1기판(1)과 제2기판(11)을 고정시킨 상태가 될 수 있다. 이 경우 제2기판(11)은 무기막(4)과 접합 상태를 유지할 수 있다. 이러한 실시예는 밀봉 효과를 더욱 높일 수 있고, 제2기판(11)으로 인해 강도를 보완할 수 있다.
다른 예로서, 도 20에 도시된 바와 같이 제2기판(11)이 절단되어 무기막(4)에 접합된 상태를 유지할 수 있다. 이 경우 제2기판(11)으로 인해 강도를 보완할 수 있다.
이렇게 제2기판(11)과 원장 기판(1')을 분리시킬 필요가 없는 경우에는 상기 제2기판(11)은 레이저가 투과할 필요가 없으므로 반드시 투명할 필요는 없으며, 불투명한 글라스 기판, 플라스틱 기판, 또는 메탈 기판이 사용될 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
1: 제1기판 1': 원장 기판
11: 제2기판 12: 접착제
2: 유기 발광부 21: 제1전극
22: 제2전극 23: 유기 발광막
24: 화소 정의막 31: 제1유기막
32, 32', 32": 제2유기막 4: 무기막
4': 무기 페이스트 4": 예비-무기막
51, 51': 환경성 요소 52: 성막성 요소

Claims (58)

  1. 제2기판 상에 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한 적어도 하나의 예비-무기막을 형성하는 단계;
    제1기판 상에 적어도 하나의 유기 발광부를 형성하는 단계;
    상기 제2기판 및 상기 제1기판 중 적어도 하나의 가장자리를 따라 접착제를 도포하는 단계;
    상기 예비-무기막과 상기 유기 발광부가 서로 대향하도록 상기 접착제에 의해 상기 제2기판과 상기 제1기판을 접합하는 단계; 및
    상기 예비-무기막을 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 힐링(healing)해 상기 유기 발광부를 덮도록 무기막을 전사하는 단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계를 더 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2기판은 글라스, 플라스틱 또는 메탈을 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 예비-무기막을 형성하는 단계는,
    상기 LVT 무기물의 분말을 포함하는 페이스트를 상기 제2기판 상에 도포하는 단계; 및
    상기 페이스트를 소성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 예비-무기막을 형성하는 단계는,
    상기 LVT 무기물의 분말을 포함하는 분산액을 상기 제2기판 상에 스프레이 방법으로 도포하는 단계; 및
    상기 분산액을 열처리하는 단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2기판과 상기 제1기판을 접합하는 단계는, 진공, 감압 또는 수분이나 산소의 영향이 없는 불활성 분위기에서 수행되어 상기 제2기판과 상기 제1기판의 사이가 진공 상태가 되도록 하는 단계인 유기 발광 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도인, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 LVT 무기물의 점도변화 온도가 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값보다 작은, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 주석 산화물을 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 SnO; SnO 및 P2O5; SnO 및 BPO4; SnO, SnF2 및 P2O5; SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는 SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;을 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 전사 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값 미만의 범위에서 상기 예비-무기막을 열처리하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 전사 단계는, 80℃ 내지 132℃의 범위에서 1시간 내지 3시간 동안 상기 예비-무기막을 열처리하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 전사 단계를, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 수행하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 전사 단계는, 상기 예비-무기막에 레이저를 조사하며 스캐닝하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2기판과 상기 예비-무기막의 사이에 개재되도록 적어도 하나의 유기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  17. 제2항에 있어서,
    상기 제2기판과 상기 예비-무기막의 사이에 개재되도록 적어도 하나의 유기막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 무기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계는, 상기 유기막에 레이저를 조사해 상기 유기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 유기막은 상기 무기막의 적어도 일부를 덮도록 형성된 유기 발광 장치의 제조 방법.
  19. 제2기판 상에 저온 점도변화 무기물을 포함한 적어도 하나의 예비-무기막을 형성하는 단계;
    제1기판 상에 적어도 하나의 유기 발광부를 형성하는 단계;
    상기 제1기판 및 유기 발광부 상에 상기 유기 발광부를 덮도록 적어도 하나의 제1유기막을 형성하는 단계;
    상기 제2기판 및 상기 제1기판 중 적어도 하나의 가장자리를 따라 접착제를 도포하는 단계;
    상기 예비-무기막과 상기 제1유기막이 서로 대향하도록 상기 제2기판과 상기 제1기판을 상기 접착제에 의해 결합하는 단계; 및
    상기 예비-무기막을 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 힐링해 상기 제1유기막을 덮도록 무기막을 전사하는 단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 무기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계를 더 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제2기판은 글라스, 플라스틱 또는 메탈을 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 제1유기막 형성 단계가, 경화성(curable) 전구체를 제공하는 단계 및 상기 경화성 전구체를 경화시키는 단계를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 경화성 전구체를 제공하는 단계를 플래쉬 증발법(Flash evaporator)을 이용하여 수행하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 경화성 전구체를 경화시키는 단계를 UV(자외선) 경화, 적외선 경화 또는 레이저 경화를 이용하여 수행하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 예비-무기막을 형성하는 단계는,
    상기 LVT 무기물의 분말을 포함하는 페이스트를 상기 제2기판 상에 도포하는 단계; 및
    상기 페이스트를 소성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  26. 제19항에 있어서,
    상기 예비-무기막을 형성하는 단계는,
    상기 LVT 무기물의 분말을 포함하는 분산액을 상기 제2기판 상에 스프레이 코팅하는 단계; 및
    상기 분산액을 열처리하는 단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  27. 제19항에 있어서,
    상기 제2기판과 상기 제1기판을 접합하는 단계는, 진공, 감압 또는 수분이나 산소의 영향이 없는 불활성 분위기에서 수행되어 상기 제2기판과 상기 제1기판의 사이가 진공 상태가 되도록 하는 단계인 유기 발광 장치의 제조 방법.
  28. 제19항에 있어서,
    상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물에 유동성을 제공할 수 있는 최소 온도인, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  29. 제19항에 있어서,
    상기 LVT 무기물의 점도변화 온도가 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값보다 작은, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  30. 제19항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 주석 산화물을 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  32. 제19항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 SnO; SnO 및 P2O5; SnO 및 BPO4; SnO, SnF2 및 P2O5; SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는 SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;을 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  33. 제19항에 있어서,
    상기 전사 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값 미만의 범위에서 상기 예비-무기막을 열처리하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  34. 제19항에 있어서,
    상기 전사 단계는, 80℃ 내지 132℃의 범위에서 1시간 내지 3시간 동안 상기 예비-무기막을 열처리하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  35. 제19항에 있어서,
    상기 전사 단계를, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 수행하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  36. 제19항에 있어서,
    상기 전사 단계는, 상기 예비-무기막에 레이저를 조사하며 스캐닝하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  37. 제19항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2기판과 상기 예비-무기막의 사이에 개재되도록 적어도 하나의 제2유기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  38. 제20항에 있어서,
    상기 제2기판과 상기 예비-무기막의 사이에 개재되도록 적어도 하나의 제2유기막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 무기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계는, 상기 제2유기막에 레이저를 조사해 상기 제2유기막을 상기 제2기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  39. 제37항에 있어서,
    상기 제2유기막은 상기 무기막의 적어도 일부를 덮도록 형성된 유기 발광 장치의 제조 방법.
  40. 기판; 및
    상기 기판의 일면에 형성되고, 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한 적어도 하나의 무기막;을 포함하는 무기막 전사용 기판.
  41. 제40항에 있어서,
    상기 무기막과 상기 기판의 사이에 개재된 적어도 하나의 유기막을 더 포함하는 무기막 전사용 기판.
  42. 제40항에 있어서,
    상기 유기막은 내열 유기물을 포함하는 무기막 전사용 기판.
  43. 제40항에 있어서,
    상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도인, 무기막 전사용 기판.
  44. 제40항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 주석 산화물을 포함한, 무기막 전사용 기판.
  45. 제44항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함한, 무기막 전사용 기판.
  46. 제40항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 SnO; SnO 및 P2O5; SnO 및 BPO4; SnO, SnF2 및 P2O5; SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는 SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;을 포함한, 무기막 전사용 기판.
  47. 제40항에 있어서,
    상기 기판은 글라스, 플라스틱 또는 메탈을 포함한, 무기막 전사용 기판.
  48. 제1기판;
    상기 제1기판의 일면에 형성된 유기 발광부;
    저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함하고 상기 유기 발광부를 덮는 무기막; 및
    상기 무기막과 접하도록 상기 무기막 상에 위치하고 상기 제1기판과 대향된 제2기판;을 포함하는 유기 발광 장치.
  49. 제48항에 있어서,
    상기 무기막은 상기 유기 발광부 덮도록 상기 유기 발광부 상에 전사된 유기 발광 장치.
  50. 제48항에 있어서,
    상기 무기막과 상기 유기 발광부 사이에 개재된 제1유기막을 더 포함하는 유기 발광 장치.
  51. 제50항에 있어서,
    상기 무기막은 상기 제1유기막을 덮도록 상기 제1유기막 상에 전사된 유기 발광 장치.
  52. 제48항에 있어서,
    상기 제2기판과 상기 무기막 사이에 개재된 제2유기막을 더 포함하는 유기 발광 장치.
  53. 제48항에 있어서,
    상기 제1기판과 제2기판의 사이에 개재되고 상기 유기 발광부의 외측에 위치하는 접착제를 더 포함하는 유기 발광 장치.
  54. 제48항에 있어서,
    상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도인, 유기 발광 장치.
  55. 제48항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 주석 산화물을 포함한, 유기 발광 장치.
  56. 제55항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함한, 유기 발광 장치.
  57. 제48항에 있어서,
    상기 LVT 무기물이 SnO; SnO 및 P2O5; SnO 및 BPO4; SnO, SnF2 및 P2O5; SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는 SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;을 포함한, 유기 발광 장치.
  58. 제48항에 있어서,
    상기 제2기판은 글라스, 플라스틱 또는 메탈을 포함한, 유기 발광 장치.
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