KR101092967B1

KR101092967B1 - 유기전계발광소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101092967B1
Application number: KR1020090058225A
Authority: KR
Inventors: 하영보; 신은철; 김영은; 임우빈; 박현식; 김태수
Original assignee: 네오뷰코오롱 주식회사
Priority date: 2009-05-13
Filing date: 2009-06-29
Publication date: 2011-12-12
Also published as: KR20110124180A; US20100289016A1; JP2012527083A; KR20110120850A; JP2012527084A; KR20100122828A; KR20100122834A; KR101148886B1; KR101352370B1; WO2010131854A2; KR101196329B1; KR101182673B1; US20100289017A1; KR20120073183A; CN102422454A; KR101086881B1; WO2010131854A3; KR20100122831A; EP2432040A4; EP2432041A4

Abstract

본 발명은 미발광 시 디스플레이 영역의 활용성이 증대 및 투과율이 개선되는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 제1 및 제2기판과, 제1기판 상에 형성되는 제1전극과, 제1전극과 일정 간격을 두고 제2기판에 인접하게 배치되는 제2전극과, 제1전극과 제2전극 사이에 개재되는 유기물층과, 제1기판과 유기물층 사이 및 유기물층과 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝(patterning) 되어 유기물층이 미발광될 때 시인되는 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 유기전계발광소자의 미발광 시 기판과 유기물층 사이에 패터닝된 패턴부가 시인되어 디스플레이 영역의 활용성이 증대되고, 이에 따라 제품의 활용성 및 미려성이 증대될 수 있다.

유기전계발광소자, 유기물층, 전극, 패턴

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은, 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 미발광 시의 디스플레이 영역의 활용성 증대를 위해 디자인성 부가 및 투과율의 향상을 위해 구조를 개선한 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

유기전계발광소자(organic eletroluminescence)의 일반적인 구성은 기판, 기판 상에 적층되는 하부전극, 하부전극 상에 적층되는 유기물층 및 유기물층 상에 적층되는 상부전극으로 이루어진다. 여기서, 유기물층은 하부전극 및 상부전극으로부터의 정공 및 전자의 결합에 의해 발광한다.

이러한 유기물층의 발광된 빛이 투과되는 방향에 따라 유기전계발광소자는 양면발광 유기전계발광소자(transparent OLED), 전면발광 유기전계발광소자(top emission OLED) 및 배면발광 유기전계발광소자(bottom emission OLED)로 구분된다.

한편, 일반적으로 유기전계발광소자는 전류가 공급되지 않을 때 검은색과 같은 단색으로 시인된다. 이러한 유기전계발광소자의 미발광 시 디스플레이 영역의 활용하기 위해 최근 투명한 필름이나 유리 기판 위에 디자인을 형성하여 부착하거 나 유리 기판을 추가함으로써, 미발광 시의 유기전계발광소자의 미려함을 추구하고 있다.

그런데. 종래와 같이 미발광 시 유기전계발광소자의 미려함을 부각하기 위한 필름이나 기판의 디자인 공정은 제조 공정 단계가 복잡해짐에 따라 생산 소요 시간에 따른 생산 비용이 증가되고, 또한 이러한 종래의 공정은 유기전계발광소자의 투과도 손실을 초래하는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 미발광 시 유기전계발광소자의 디스플레이 영역의 활용성 증대를 위해 디자인성을 부가함과 더불어 그 제조공정을 단순화할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 유기전계발광소자의 디스플레이 영역의 활용성 증대를 위한 디자인성 부가 시 그 제조 공정에 따른 투과도 손실 개선이 이루어질 수 있도록 구조가 개선된 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라, 제1 및 제2기판과, 상기 제1기판 상에 형성되는 제1전극과, 상기 제1전극과 일정 간격을 두고 상기 제2기판에 인접하게 배치되는 제2전극과, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되는 유기물층과, 상기 제1기판과 상기 유기물층 사이 및 상기 유기물층과 상기 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝(patterning) 되어 상기 유기물층이 미발광될 때 시인되 는 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해 이루어진다.

여기서, 상기 패턴부는 상기 제1전극과 상기 유기물층 사이 및 상기 제2전극과 상기 유기물층 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝 되는 것이 바람직하다.

그리고, 바람직하게 상기 패턴부는 상기 제1기판과 상기 제1전극 사이 및 상기 제2전극과 상기 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝 될 수 있다.

상기 패턴부는 상기 유기물층과의 색상 대비 상이한 색상으로 패터닝 되는 것이 바람직하다.

상기 패턴부는 상기 유기물층과의 투과도 대비 상이한 투과도로 패터닝 되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 유기물층과 상기 제2전극 사이 및 상기 제2전극의 상부 중 적어도 어느 하나에 형성되며, 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하는 투광층을 더 포함할 수 있다.

여기서, 상기 산화물 계열은 MoO₃, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO₂, SiO₂, WO₃, Al₂O₃, Cr₂O₃, TeO₂ 및 SrO₂ 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 질화물 계열은 SiN 및 AIN 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

그리고, 상기 염류는 Cs₂CO₃, LiCO₃, KCO₃, NaCO₃, LiF, CsF, 및 ZnSe 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

바람직하게 상기 투광층의 두께는 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성될 수 있다.

상기 유기물층은 상기 제2전극으로부터의 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑하여 형성한 전자전달층을 포함할 수 있다.

상기 일함수가 낮은 금속류는 Cs, Li, Na, K 및 Ca 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 이들의 복합물은 Li-Al, LiF, CsF, 및 Cs₂CO₃중 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 유기전계발광소자는 파장(nm)에 따라 70 내지 99%의 투과율을 나타내는 것이 바람직하다.

한편, 상기 과제 해결 수단은, 본 발명에 따라, 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 제1전극과, 상기 제1전극과 일정 간격을 두고 배치되는 제2전극과, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되는 유기물층과, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 판면에 패터닝 되어 상기 유기물층이 미발광될 때 시인되는 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해서도 이루어진다.

여기서, 바람직하게 상기 패턴부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 일 영역 두께 변경에 의해 패터닝 될 수 있다.

반면, 상기 과제 해결 수단은, 본 발명에 따라, (a) 제1기판 상에 제1전극을 형성하는 단계와, (b) 상기 제1전극 상에 유기물층을 형성하는 단계와, (c) 상기 유기물층 상에 제2전극을 형성하는 단계와, (d) 상기 제2전극 상에 제2기판을 형성 하는 단계를 포함하며, (e) 상기 제1기판과 상기 유기물층 사이 및 상기 유기물층과 상기 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝 되어 상기 유기물층이 미발광될 때 시인되는 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법에 의해서도 이루어진다.

여기서, 상기 (e) 단계는, 상기 제1전극과 상기 유기물층 사이 및 상기 유기물층과 상기 제2전극 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝하여 상기 패턴부를 형성하는 것이 바람직하다.

또한 상기 (e) 단계는, 상기 제1기판과 상기 제1전극 사이 및 상기 제2전극과 상기 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝하여 상기 패턴부를 형성하는 것이 바람직하다.

상기 패턴부는 바람직하게 상기 유기물층과의 색상 대비 상이한 색상으로 패터닝 될 수 있다.

또한, (f) 상기 유기물층과 상기 제2전극 사이 및 상기 제2전극의 상부 중 적어도 어느 하나에 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하는 투광층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

여기서, 상기 (f) 단계의 상기 산화물 계열은 MoO₃, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO₂, SiO₂, WO₃, Al₂O₃, Cr₂O₃, TeO₂ 및 SrO₂ 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 (f) 단계의 상기 질화물 계열은 SiN 및 AIN 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

그리고, 상기 (f) 단계의 상기 염류는 Cs₂CO₃, LiCO₃, KCO₃, NaCO₃, LiF, CsF, 및 ZnSe 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 (f) 단계는 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복함물 중 어느 하나의 두께를 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성하는 것이 바람직하다.

상기 (c) 단계는 상기 제2전극으로부터의 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑하여 형성한 전자전달층을 포함할 수 있다.

여기서, 상기 일함수가 낮은 금속류는 Cs, Li, Na, K 및 Ca 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

그리고, 상기 이들의 복합물은 Li-Al, LiF, CsF, 및 Cs₂CO₃중 어느 하나를 포함할 수 있다.

한편, 상기 과제 해결 수단은, 본 발명에 따라, (a) 상기 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계와, (b) 상기 제1전극 상에 유기물층을 형성하는 단계와, (c) 상기 유기물층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하며, (d) 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 판면에 패터닝 되어 상기 유기물층이 미발광될 때 시인되는 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법에 의해서도 이루어진다.

여기서, 상기 (d) 단계는, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 일 영역 두께를 변경하여 상기 패턴부를 형성하는 것이 바람직하다.

따라서, 상기 과제의 해결 수단에 따르면, 유기전계발광소자의 미발광 시 기판과 유기물층 사이에 패터닝된 패턴부가 시인되어 디스플레이 영역의 활용성이 증대되고, 제품의 활용성 및 미려성이 증대된다.

또한, 유기물층과 투과율이 상이한 패턴부가 패터닝되어 미발광 시 패터닝된 패턴부가 시인됨으로써, 제품의 미려함을 증대할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법이 제공된다.

한편, 전극의 일 영역의 두께를 변경한 패턴부를 패터닝하여 패턴부에 따른 투과율을 이용함으로써, 제품의 미려함을 부각할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법이 제공된다.

더불어, 제2전극을 사이에 두고 투광층을 형성하여 양면발광을 구현하며 투과율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법이 제공된다.

투광층을 형성하여 제2전극의 두께를 조정할 수 있고, 이에 따라 투과율 및 전기적 성능을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법이 제공된다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들로 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형 태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들에 따른 유기전계발광소자에 대해 상세히 설명한다. 참고로 본 발명의 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

설명하기 앞서, 본 발명의 바람직한 실시 예들에 따른 유기전계발광소자는 제1 내지 제5실시 예로 구분된다. 본 발명의 제1 내지 제4실시 예에 따른 유기전계발광소자는 부가되는 패턴부에 관련된 실시 예이고, 본 발명의 제5실시 예에 따른 유기전계발광소자는 전극 상에 패터닝 되는 패턴부에 관련된 실시 예이다. 이러한 본 발명의 실시 예들을 구분하기 위해 제1 내지 제4실시 예의 패턴부와 제5실시 예의 패턴부는 동일한 명칭으로 기재되었으나, 그 도면부호는 상이하게 기재되었음을 미리 밝혀둔다.

도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)는 기판(10), 제1전극(30), 제2전극(50), 유기물층(70) 및 패턴부(90)를 포함한다.

기판(10)은 제1전극(30)에 인접하게 배치되는 제1기판(10a)과, 제2전극(50)에 인접하게 배치되는 제2기판(10b)을 포함한다. 기판(10)은 유기물층(70)에서 발광되는 빛이 유기전계발광소자(1) 외부로 투과될 수 있도록 투과도 높은 유리 또는 플라스틱 재질로 마련된다.

제1전극(30)은 통상적으로 하부전극이라 지칭하며, 기판(10) 상에 형성된다. 제1전극(30)은 정공(electron hole)이 방출되는 양극(+)인 애노드(anode)이다. 제1전극(30)은 스퍼터링(sputtering) 방식, 이온 플레이팅(ion plating) 방식 및 전자총(e-gun) 등을 이용한 열 증착법에 의해 기판(10) 상에 형성된다. 본 발명의 제2 내지 제3실시 예와 같이 배면 발광 및 양면 발광 방식에서의 제1전극(30)은 인-주석 산화물(indium tin-oxide: ITO) 또는 인-아연 산화물(indium zin-oxide: IZO)과 같은 투과성 재질이 사용되며, 본 발명의 제1실시 예와 같이 전면 발광 방식에서의 제1전극(30)은 반투과성 재질이 사용된다.

제2전극(50)은 통상적으로 제1전극(30)과 대향되는 상부전극이라 지칭하며, 유기물층(70) 상에 형성된다. 제2전극(50)은 양극(+)인 제1전극(30)과 상반된 전자(electron)를 방출하는 음극(-)인 캐소드(cathode)이다. 제2전극(50)은 본 발명의 제1, 3 및 4실시 예와 같이 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 마그네슘-은(Mg:Ag) 금속 박막의 투과성 재질이 사용되거나, 본 발명의 제2실시 예와 같이 반투과성 재질이 사용된다.

다음으로 유기물층(70)은 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이에 개재되며, 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이의 통전에 의해 발광한다. 유기물층(70)은 스핀 코팅(spin coating) 방식, 열 증착(thermal evaporation) 방식, 스핀 캐스팅(spin casting) 방식, 스퍼터링(sputtering) 방식, 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방식 및 화학 기상증착(chemical vapor deposition: CVD) 방식 등에 의해 제1전 극(30)과 제2전극(50) 사이에 개재된다.

여기서, 유기물층(70)은 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이의 통전에 의해 발광되도록 정공주입층(hole injection layer: HIL)(72), 정공전달층(hole transporting layer: HTL)(74), 전자전달층(electron transporting layer: ETL)(76), 전자주입층(electron injection layer: EIL)(78) 및 발광층(emissive layer: EML)(79)을 포함한다.

정공주입층(72)은 제1전극(30)으로부터의 정공이 주입되는 역할을 하며, 정공전달층(74)은 정공주입층(72)으로부터 주입된 정공이 제2전극(50)으로부터 방출된 전자와 만나도록 정공의 이동로 역할을 한다.

전자주입층(78)은 제2전극(50)으로부터의 전자가 주입되는 역할을 하며, 전자전달층(76)은 전자주입층(78)으로부터 주입된 전자가 정공전달층(74)으로부터 이동된 정공과 발광층(79)에서 만나도록 전자의 이동로 역할을 한다.

전자전달층(76)에는 제2전극(50)으로부터의 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑 하여 형성할 수 있으며, 이는 전자주입층(78)의 유무에 관계없이 모두 적용될 수 있다.

한편, 발광층(79)은 정공전달층(74)과 전자전달층(76) 사이에 개재되어 정공전달층(74)으로부터의 정공과 전자전달층(76)으로부터의 전자의 통전에 의해 발광한다. 즉, 발광층(79)은 각각 정공전달층(74) 및 전자전달층(76)과의 계면에서 만나는 정공과 전자의 결합에 의해 발광하는 것이다.

다음으로 본 발명의 제1 내지 제4실시 예에 따른 유기전계발광소자(1)의 패 턴부(90)는 제1기판(10a)과 유기물층(70) 사이 및 제2기판(10b)과 유기물층(70) 사이 중 적어도 어느 하나에 개재된다. 패턴부(90)는 상기 개재위치 중 적어도 어느 하나에 패터닝 되어 정공과 전자가 결합하지 않는, 즉 전류가 공급되지 않는 상태인 미발광 상태에서 시인된다.

여기서, 도 1 내지 도 4에 도시된 본 발명의 제1 내지 제4실시 예의 유기전계발광소자(1)를 참조하여 살펴보면 다음과 같다. 본 발명의 제1 내지 제3실시 예들은 전극(30, 50)과 유기물층(70) 상에 패터닝 되는 패턴부(90)에 관한 것이고, 본 발명의 제4실시 예는 기판(10)과 전극(30, 50) 사이에 패터닝 되는 패턴부(90)에 관한 것이다.

우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2전극(50)으로 빛이 투과되는 전면 발광 방식의 경우 유기물층(70)과 제2전극(50) 사이에 패턴부(90)가 패터닝 된다. 그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1전극(30)으로 빛이 투과되는 배면 발광 방식의 경우 제1전극(30)과 유기물층(70) 사이에 패턴부(90)가 패터닝 된다. 한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1전극(30) 및 제2전극(50)으로 빛이 투과되는 양면 발광 방식의 경우 제1전극(30)과 유기물층(70) 사이 및 제2전극(50)과 유기물층(70) 사이에 각각 패턴부(90)가 패터닝 된다. 물론, 제1전극(30)과 유기물층(70) 사이 및 유기물층(70)과 제2전극(50) 사이에 각각 형성되는 패턴부(90)의 패턴은 동일하거나 상이할 수도 있다.

반면, 도 4에 도시된 바와 같이, 제2전극으로 빛이 투과되는 전면 발광 방식에서 제2기판(10b)과 제2전극(50) 사이에 패턴부(90)가 패터닝 된다. 여기서, 패턴 부(90)는 본 발명의 제4실시 예는 전면 발광 방식에 대해서 설명되는 것이고, 본 발명의 제2 및 제3실시 예와 같이, 배면 발광 및 양면 발광 방식일 경우, 각각 제1기판(10a)과 제1전극(30) 사이, 그리고 제1기판(10a)과 제1전극(30) 사이 및 제2기판(10b)과 제2전극(50) 사이에 패터닝 될 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시 예로서, 패턴부(90)는 유기물층(70)의 색상 대비 상이한 색상으로 패터닝 또는 유기물층(70)의 투과도 대비 상이한 투과도로 패터닝 된다. 즉, 패턴부(90)는 유기물층(70) 상에 유기물층(70)과 상이한 색상의 물질로 유기물층(70)의 판면의 전면 또는 일부 영역에 패터닝 되거나, 유기물층(70)과 투과율이 다른 물질로 유기물층(70)의 판면의 전면 또는 일부 영역에 패터닝 되는 것이다.

상기와 같은 패터닝 방식을 구분하여 설명하면, 패턴부(90)는 미발광 시 유기물층(70)과의 색상 또는 투과율 차이에 의해 시인되는 것이다.

여기서, 유기물층(70)과의 색상 차이에 의해 시인되는 본 발명의 패턴부(90)는 일 실시 예로서, Alq3(분자식: C₂₇H₁₈AlN₃O₃), Rubrene(분자식: C₄₂H₂₈) 및 Cupc(화학명: 구리프탈로시아닌) 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, '(1)'의 패턴부(90)는 Alq3로 패터닝 되며 Alq3는 노란색을 가지므로 미발광 시 노란색 패턴으로 시인된다. 한편, '(2)'의 패턴부(90)는 Rubrene로 패터닝 되며 Rubrene는 붉은색을 가지므로 미 발광 시 붉은색 패턴으로 시인된다. 반면, '(3)'의 패턴부(90)는 Cupc로 패터닝 되며 Cupc는 푸른색을 가지므로 미발광 시 푸 른색 패턴으로 시인된다.

본 발명에는 도시되지 않았지만, 유기물층(70) 상의 일정 영역에 유기물층(70)의 투과도와 상이한 투과도로 패턴부(90)를 형성하면, 유기물층(70)과 패턴부(90)의 각 투과율에 따른 음영 차이에 의해 패턴이 시인된다.

이러한 구성에 대한 본 발명의 제1 내지 제4실시 예에 따른 유기전계발광소자(1)의 제조방법에 대해 도 6을 참조하며 설명하면 다음과 같다.

이하에서 유기전계발광소자(1)의 제조방법은 대표적으로 전면 발광 방식에 대해 설명한다.

우선, 제1기판(10a) 상에 제1전극(30)을 형성한다(S10). 그리고, 제1전극(10a) 상에 유기물층(70)을 형성한다(S30).

유기물층(70) 상에 패턴부(90)를 패터닝한다(S50). 여기서, 패턴부(90)는 유기물층(70)과 상이한 색상인 Alq3, Rubrene 및 Cupc 중 적어도 어느 하나로 패터닝 되거나, 유기물층(70)과 상이한 투과도로 패터닝 될 수 있다. 패턴부(90)를 패터닝 한 후, 패턴부(90) 상에 제2기판(10b)을 적층한다(S70). 그리고 제2전극(50) 상에 제2기판(10b)을 적층한다(S90).

다음으로 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제5실시 예에 따른 유기전계발광소자(1)의 패턴부(90')는 제2전극(50)에 패터닝 된다. 본 발명의 제5실시 예의 패턴부(90')는 전면 발광 방식인 유기전계발광소자(1)의 제2전극(50)에 패터닝 되는 패턴부(90')이다. 그러나, 패턴부(90')는 양면 발광 방식일 때 제1전극(30) 및 제2전극(50)에 모두 패터닝 될 수 있고, 배면 발광 방식일 때 제1전 극(30)에 패터닝 될 수 있다.

제2전극(50)에 패터닝 되는 패턴부(90')는 제2전극(50)의 일 영역의 두께 변경에 따라 패터닝 된다. 즉, 패턴부(90')는 제2전극(50) 일부 영역의 두께를 변경하여 일정 패턴을 패터닝하고, 이렇게 패터닝된 패턴부(90')는 미패터닝된 영역과의 투과율의 차이에 의해 시인된다. 즉, 도 7에서와 같이, 도 8의 'Ⅷ-Ⅷ' 선의 단면도를 살펴보면 패턴부(90')의 두께가 제2전극의 두께보다 얇은 것을 알 수 있다. 이렇게 패턴부(90')의 두께가 미패터닝된 영역보다 얇으므로, 높은(high) 투과도를 가지고 미패터닝된 영역은 패턴부(90')보다 상대적으로 낮은(low) 투과도를 갖는다.

즉, 도 9의 전극의 두께에 따른 투과율을 나타낸 그래프를 참조하여 살펴보면(여기서, 도 7 및 도 8을 참조한 설명은 일반적인 실험 데이터이므로 전극에 대한 도면부호를 기재하지 않음), 'a'와 같이 전극의 두께가 400

[여기서,

(angstrom) =

] 일 때 파장 400nm 내지 700nm 사이에서 약 10%의 투과율을 나타내고 'b'와 같이 전극의 두께가 350

일 때 400nm 내지 700nm 파장 범위에서 약 10 내지 15%투과율을 나타낸다. 그리고, 각각'c', 'd', 'e', 'f' 및 'g'의 전극의 두께 300

, 250

, 200

, 150

및 100

에서 상기 파장의 범위 에 대해 약 15 내지 20%, 약 25%, 약 35 내지 40%, 약 45% 내지 50%, 및 약 70% 내지 75%의 투과율을 나타낸다.

상기와 같이, 전극의 두께 150

내지 400

범위에서 전극의 두께 50A 차이 마다 약 5% 정도 투과율의 차이에서 알 수 있듯 전극의 두께를 조정한 패턴부를 패터닝하면 두께에 의한 투과율 차이에 의해 패턴부가 시인된다.

이러한 구성에 대한 본 발명의 제5실시 예에 따른 유기전계발광소자(1)의 제조방법에 대해 도 10을 참조하여 이하에서 설명하면 다음과 같다.

이하에서 설명되는 본 발명의 제5실시 예는 전면 발광, 배면 발광 및 양면 발광 방식 중 대표적으로 전면 발광 방식에 적용되는 것이나, 배면 발광 및 양면 발광 방식에도 모두 적용될 수 있다. 따라서, 배면 발광 방식일 때는 제1전극(30)에 패턴부(90')가 패터닝 되고, 양면 발광 방식일 때는 제1전극(30) 및 제2전극(50)에 각각 패턴부(90')가 패터닝 된다.

우선, 기판(10) 상에 제1전극(30)을 적층한다(S100). 제1전극(30) 상에 유기물층(70)을 적층 형성한다(S120). 그리고, 유기물층(70) 상에 제2전극(50)을 적층한다(S140).

그리고, 제2전극(50)의 판면에 패턴부(90')를 패터닝한다(S160). 여기서, 패턴부(90')는 제2전극(50)이 유기물층(70) 상에 적층된 후 패터닝 되나, 제2전극(50)에 먼저 패터닝될 수 있다. 이렇게 유기물층(70) 상에 적층되기 전에 제2전극(50)에 패턴부(90')를 패터닝하고, 패턴부(90')가 패터닝된 제2전극(50)을 유기물층(70) 상에 적층할 수 있다.

본 발명의 제5실시 예에서는 본 발명의 제1 내지 제4실시 예와는 달리, 제2기판(10b)이 명시되어 있지 않으나 제2기판(10b)이 구성되어도 본 발명의 사상은 안출될 수 있음을 알려둔다.

한편, 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 내지 제5실시 예에 따른 유기전계발광소자(1)는 투광층(100)을 더 포함한다. 여기서, 도 11은 대표적으로 본 발명의 제1실시 예에 따른 유기전계발광소자(1)에 포함된 투광층(100)을 도시한 것이다. 그러나, 이것은 일 실시 예일 뿐, 전술한 본 발명의 제2 내지 제5실시 예에 따른 유기전계발광소자(1)에도 투광층(100)이 적용될 수 있다.

투광층(100)은 유기물층(70)과 제2전극(50) 사이 및 제2전극(50)의 상부 중 적어도 어느 하나에 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예로서, 투광층(100)은 패턴부(90) 상 및 제2전극(50) 상에 형성된다.

이하, 본 실시 예에서는 투광층(100)이 제2전극(50)을 사이에 두고 상면과 하면에 모두 형성되는 구성을 예시하였으나, 이에 한정되지 않고 제2전극(50)의 하면 및 상면 중 어느 하나에만 형성되는 구성도 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다.

투광층(100)은 유기물층(70)과 제2전극(50) 사이에 형성되는 제1투광층(102)과, 제2전극(50)의 상부에 형성되는 제2투광층(104)을 포함할 수 있다. 정확히 설명하자면, 제1투광층(102)은 패턴부(90)와 제2전극(50) 사이에 개재되고, 제2투광층(104)은 제2기판(10b)과 제2전극(50) 사이에 개재된다.

바람직하게는, 제 1투광층(100)은 유기물층(70) 중 전자주입층(78)과 제2전극(50) 사이에 형성될 수 있으며, 전자주입층(78) 자체에 형성될 수도 있다. 또한, 제2투광층(104)은 제1투광층(102)에 대향된 제2전극(50)의 상면에 적층될 수 있다.

여기서, 투광층(100)은 제2전극(50)이 투과성을 가지는 동시에 높은 투과율 을 가질 수 있도록 기능을 한다. 그리고, 투광층(100)은 박막으로 형성되어 제2전극(50)의 면저항을 감소함으로써, 유기전계발광소자(1)의 성능 저하를 저지한다. 이러한 투광층(100)의 특성에 대해서는 후술할 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물을 설명한 후, 도 12 내지 도 14를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

본 발명의 투광층(100)은 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 산화물 계열은 MoO₃, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO₂, SiO₂, WO₃, Al₂O₃, Cr₂O₃, TeO₂, SrO₂ 등을 포함할 수 있다.

또한, 상기 질화물 계열은 SiN, AIN 등을 포함할 수 있다. 더불어, 상기 염류는 Cs₂CO₃, LiCO₃, KCO₃, NaCO₃, LiF, CsF, ZnSe 등을 포함할 수 있다.

상기와 같이 투광층(100)을 구성하는 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들 의 복합물을 사용하게 되면, 도12 내지 도14에 도시된 바와 같이 우수한 투과율과 휘도 효과를 나타내므로 바람직하지만, 상기와 같은 물질들 이외에도 제2전극이 투과성을 가지는 동시에 높은 투과율을 가질 수 있도록 하는 물질은 모두 포함할 수 있다.

투광층(100)은 제1투광층(102)과 제2투광층(104)이 동일한 물질로 구성되지만, 서로 상이한 물질로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제1투광층(102)은 산화물 계열을 포함하고 제2투광층(104)은 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물을 포함할 수 있다. 또는 제1투광층(102)은 질화물 계열을 포함하고 제2투광층(104)은 산화물 계열, 염류 및 이들의 복합물을 포함할 수 있다. 또는 제1투광층(102)은 염류를 포함하고 제2투광층(104)은 산화물 계열, 질화물 계열 및 이들의 복합물을 포함할 수 있다.

투광층(100)의 두께는 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 투광층(100)의 두께 수치 한정 이유를 예를 들어 설명하면, 투광층(100)의 두께가 0.1nm 미만으로 작아질 경우 투과율은 증가하나, 이에 비례하여 저항도 증가하므로 유기전계발광소자(1)의 성능이 저하된다.

반면, 투광층(100)의 두께가 100nm 이상으로 커질 경우에는 저항이 감소하여 성능 저하는 발생하지 않으나, 투광층(100) 두께의 증가에 따라 투과율이 감소한다. 그리고, 본 발명의 실시 예에 따른 투광층(100)은 열 증착법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.

다음으로 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 이러한 구성에 대해 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 특성을 이하에서 살펴보면 다음과 같다.

도 12는 본 발명의 유기전계발광소자(1)에 형성된 투광층(100) 유무에 따른 투과율 그래프이다. 여기서, 도 12의 'a'는 투광층(100)을 형성한 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 선도이고, 'b'는 본 발명과 달리 투광층(100)이 없는 유기전계발광소자의 선도이다.

본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)는 파장(nm)에 따라 70~99%의 투과율을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 파장(nm)에 따른 투과율을 살펴보면, 550nm에서 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 투과율은 약 80%를 나 타내고, 투광층(100)이 없는 유기전계발광소자(1)는 약 47%를 나타내고 있다. 이러한 결과에 대해 투광층(100)이 있는 유기전계발광소자(1)의 투과율은 투광층(100)이 없는 유기전계발광소자(1)에 대비 1.7배가 더 높음을 알 수 있다.

그리고, 도 13은 투광층(100) 유무에 따른 유기전계발광소자(1)의 휘도 그래프이다. 도 13에 도시된 'c'는 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 선도이고, 'd'는 투광층(100)이 없는 유기전계발광소자(1)의 선도이다.

전압(V) 10V에 따른 휘도를 살펴보면, 투광층(100)이 있는 유기전계발광소자(1)는 약 25000을 나타내고, 투광층(100)이 없는 유기전계발광소자(1)는 약 20000을 나타내고 있다. 여기서, 투광층(100)의 유무에 따라 휘도는 1.25배가 차이 남을 알 수 있다.

다음으로 도 14의 'e' 선도는 MoO₃, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO₂, SiO₂, WO₃, Al₂O₃, Cr₂O₃, TeO₂, SrO₂ 등의 산화물 계열로 형성된 투광층(100)에 대한 투과율이고, 'f' 선도는 Cs₂CO₃, LiCO₃, KCO₃, NaCO₃, LiF, CsF, ZnSe 등의 염류로 형성된 투광층(100)에 대한 투과율이다.

도 14에 도시된 바와 같이, 산화물 계열로 투광층(100)을 형성할 때 약80%의 투과율을 가지고 있고, 염류로 투광층(100)을 형성할 때 약75%의 차이가 있다. 산화물 계열을 포함하는 투광층(100)이 염류를 포함하는 투광층보다 5% 정도 투과율이 높기는 하나 미차일 뿐이므로, 본 발명의 실시예와 같이 산화물 계열과 염류 및 이들의 복합물을 선택적으로 사용하는 것이 바람직할 것이다.

이러한 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 제조방법을 도 15를 참조하여 이하에서 살펴보면 다음과 같다.

우선, 제1기판(10a) 상에 양극(+)인 제1전극(30)을 형성한다(S300).

기판(10) 상에 제1전극(30)을 형성한 후, 제1전극(30) 상에 유기물층(70)을 형성한다(S320). 여기서, 제1전극(30) 상에 형성하는 유기물층(70)은 정공주입층(72), 정공전달층(74), 발광층(79), 전자전달층(76) 및 전자주입층(78) 순서로 형성한다.

유기물층(70) 상에 패턴부(90)를 패터닝 한다(S340). 패터닝된 패턴부(90) 상에 제1투광층(102)을 형성한다(S360). 본 발명의 일 실시 예로서, 제1투광층(102)은 산화물 계열인 MoO₃, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO₂, SiO₂, WO₃, Al₂O₃, Cr₂O₃, TeO₂, SrO₂ 등을 포함할 수 있다. 제 1 투광층(100)은 저항 및 투과율을 고려하여 0.1nm 이상 100nm 미만의 두께로 형성한다.

그리고, 제1투광층(102) 상에 제2전극(50)을 형성한다(S380). 제2전극(50)은 음극(-)으로서 금속 박막을 사용한다. 제2전극(50)으로 사용되는 금속 박막은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 마그네슘-은(Mg:Ag) 합금 중 어느 하나를 사용한다.

제2전극(50) 상에 제2투광층을 형성한다(S400). 제2투광층(104)은 'S360' 단계와 같이 산화물 계열을 포함할 수 있다. 그러나, 제2전극(50) 상에 형성되는 제2투광층(104)은 SiN, AIN 등의 질화물 계열을 포함하거나, Cs₂CO₃, LiCO₃, KCO₃, NaCO₃, LiF, CsF, ZnSe 등의 염류 및 이들의 복합물을 포함할 수 있다.

끝으로, 제2투광층(104) 상에 제2기판(10b)을 적층한다(S420).

이에, 유기전계발광소자의 미발광 시 기판과 유기물층 사이에 패터닝된 패턴부가 시인되어 디스플레이 영역의 활용성이 증대되고, 제품의 활용성 및 미려성이 증대된다.

또한, 유기물층과 투과율이 상이한 패턴부가 패터닝 되어 미발광 시 패터닝된 패턴부가 시인됨으로써, 제품의 미려함을 증대할 수 있다.

한편, 전극의 일 영역의 두께를 변경한 패턴부를 패터닝하여 패턴부에 따른 투과율을 이용함으로써, 제품의 미려함을 부각할 수 있다.

더불어, 제2전극을 사이에 두고 투광층을 형성하여 양면발광을 구현하며 투과율을 향상시킬 수 있다.

투광층을 형성하여 제2전극의 두께를 조정할 수 있고, 이에 따라 투과율 및 전기적 성능을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예 중 제1실시 예에 따른 유기전계발광소자의 개략 구성도,

도 2는 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기전계발광소자의 개략 구성도,

도 3은 본 발명의 제3실시 예에 따른 유기전계발광소자의 개략 구성도,

도 4는 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기전계발광소자의 개략 구성도,

도 5는 본 발명의 제1 내지 제4실시 예에 따른 유기전계발광소자의 미발광 시의 개략 평면 구성도,

도 6은 본 발명의 제1 내지 제4실시 예 중 대표적인 제1실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법에 대한 순서도,

도 7은 본 발명의 제5실시 예에 따른 유기전계발광소자의 개략 평면 구성도,

도 8은 도 7의 'Ⅷ-Ⅷ' 선에 따른 제2전극의 단면도,

도 9는 유기전계발광소자에 사용되는 전극의 두께에 따른 투과율을 나타낸 그래프,

도 10은 본 발명의 제5실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법에 대한 순서도,

도 11은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 유기전계발광소자에 투광층이 형성된 개략 구성도,

도 12는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 투광층에 따른 투과율 그래프,

도 13은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 투광층에 따른 휘도 그래프,

도 14는 본 발명에 따른 유기전계발광소자에 산화물 계열과, 염류 및 이들의 복합물로 각각 투광층을 형성할 때의 투과율 그래프,

도 15는 본 발명의 투광층이 포함된 유기전계발광소자의 제조방법에 대한 순서도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10: 기판 10a: 제1기판

10b: 제2기판 30: 제1전극

50: 제2전극 70: 유기물층

72: 정공주입층 74: 정공전달층

76: 전자전달층 78: 전자주입층

79: 발광층 90: 패턴부

90': 패턴부 100: 투광층

102: 제1투광층 104: 제2투광층

Claims

제1 및 제2기판과;

상기 제1기판 상에 형성되는 제1전극과;

상기 제1전극과 일정 간격을 두고 상기 제2기판에 인접하게 배치되는 제2전극과;

상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되는 유기물층과;

상기 제1기판과 상기 유기물층 사이 및 상기 유기물층과 상기 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝(patterning) 되어, 상기 유기물층이 미발광될 때 시인되는 패턴부를 포함하며,

상기 패턴부는 상기 유기물층과의 색상 대비 상이한 색상으로 패터닝 되거나, 상기 패턴부는 상기 유기물층과의 투과도 대비 상이한 투과도로 패터닝 되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제1항에 있어서,

상기 패턴부는 상기 제1전극과 상기 유기물층 사이 및 상기 제2전극과 상기 유기물층 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝 되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제1항에 있어서,

상기 패턴부는 상기 제1기판과 상기 제1전극 사이 및 상기 제2전극과 상기 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝 되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
삭제
삭제
제1항에 있어서,

상기 유기물층과 상기 제2전극 사이 및 상기 제2전극의 상부 중 적어도 어느 하나에 형성되며, 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하는 투광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제6항에 있어서,

상기 산화물 계열은 MoO₃, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO₂, SiO₂, WO₃, Al₂O₃, Cr₂O₃, TeO₂ 및 SrO₂ 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제6항에 있어서,

상기 질화물 계열은 SiN 및 AIN 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제6항에 있어서,

상기 염류는 Cs₂CO₃, LiCO₃, KCO₃, NaCO₃, LiF, CsF, 및 ZnSe 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제6항에 있어서,

상기 투광층의 두께는 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제1항에 있어서,

상기 유기물층은 상기 제2전극으로부터의 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑하여 형성한 전자전달층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제11항에 있어서,

상기 일함수가 낮은 금속류는 Cs, Li, Na, K 및 Ca 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제11항에 있어서,

상기 이들의 복합물은 Li-Al, LiF, CsF, 및 Cs₂CO₃중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
제6항에 있어서,

상기 유기전계발광소자는 파장(nm)에 따라 70 내지 99%의 투과율을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
기판과;

상기 기판 상에 형성되는 제1전극과;

상기 제1전극과 일정 간격을 두고 배치되는 제2전극과;

상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되는 유기물층과;

상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 판면에 패터닝 되어, 상기 유기물층이 미발광될 때 시인되는 패턴부를 포함하며,

상기 패턴부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 일 영역 두께 변경에 의해 패터닝 되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
삭제
(a) 제1기판 상에 제1전극을 형성하는 단계와;

(b) 상기 제1전극 상에 유기물층을 형성하는 단계와;

(c) 상기 유기물층 상에 제2전극을 형성하는 단계와;

(d) 상기 제2전극 상에 제2기판을 형성하는 단계를 포함하며,

(e) 상기 제1기판과 상기 유기물층 사이 및 상기 유기물층과 상기 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나의 면을 패터닝하여 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 패턴부는 상기 유기물층이 미발광될 때 시인되고,

상기 패턴부는 상기 유기물층과의 색상 대비 상이한 색상으로 패터닝 되거나, 상기 유기물층과의 투과도 대비 상이한 투과도로 패터닝 되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제17항에 있어서,

상기 (e) 단계는,

상기 제1전극과 상기 유기물층 사이 및 상기 유기물층과 상기 제2전극 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝하여 상기 패턴부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제17항에 있어서,

상기 (e) 단계는,

상기 제1기판과 상기 제1전극 사이 및 상기 제2전극과 상기 제2기판 사이 중 적어도 어느 하나에 패터닝하여 상기 패턴부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
삭제
삭제
제17항에 있어서,

(f) 상기 유기물층과 상기 제2전극 사이 및 상기 제2전극의 상부 중 적어도 어느 하나에 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하는 투광층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제22항에 있어서,

상기 (f) 단계의 상기 산화물 계열은 MoO₃, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO₂, SiO₂, WO₃, Al₂O₃, Cr₂O₃, TeO₂ 및 SrO₂ 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제22항에 있어서,

상기 (f) 단계의 상기 질화물 계열은 SiN 및 AIN 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제22항에 있어서,

상기 (f) 단계의 상기 염류는 Cs₂CO₃, LiCO₃, KCO₃, NaCO₃, LiF, CsF, 및 ZnSe 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제22항에 있어서,

상기 (f) 단계는 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복함물 중 어느 하나의 두께를 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제17항에 있어서,

상기 (c) 단계는 상기 제2전극으로부터의 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑하여 형성한 전자전달층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제27항에 있어서,

상기 일함수가 낮은 금속류는 Cs, Li, Na, K 및 Ca 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제27항에 있어서,

상기 이들의 복합물은 Li-Al, LiF, CsF, 및 Cs₂CO₃중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
(a) 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계와;

(b) 상기 제1전극 상에 유기물층을 형성하는 단계와;

(c) 상기 유기물층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하며,

(d) 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 판면을 패터닝하여 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 패턴부는 상기 유기물층이 미발광될 때 시인되고,

상기 (d) 단계는,

상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 일 영역 두께를 변경하여 상기 패턴부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
삭제