KR20120073183A - 유기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

투명 캐소드의 광 투과율을 개선한 유기전계발발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 유기전계발광소자는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 투과성을 갖는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성되는 유기물층, 상기 유기물층 상에 형성되는 투과성을 갖는 제 2 전극 및 상기 유기물층과 상기 제 2 전극 사이 및 상기 제 2 전극의 상부 중 어느 하나에 형성되며, 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제 2 전극의 면저항을 감소하고 투과율을 향상시키는 투광층을 포함한다. 이에 의하여, 본 발명은 캐소드 전극에 투광층을 형성하여 광 투과율의 증대 및 저항의 감소를 실현함으로써 제품의 전기적 성능을 향상시킬 수 있다.

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은, 유기전계발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 투명 캐소드의 광 투과율을 개선한 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기전계발광소자(organic light emitting diode: OLED)는 기판, 기판 상에 적층되는 하부전극, 하부전극 상에 적층되는 유기물층 및 유기물층 상에 적층되는 상부전극을 포함한다.
이러한 유기전계발광소자는 하부전극으로 사용되는 애노드(anode)와 상부전극으로 사용되는 캐소드(cathode) 사이의 통전에 의해 발광한다. 즉, 유기전계발광소자의 발광은 상부전극의 전자 및 하부전극의 정공에 의해 상부전극과 하부전극 사이에 개재된 유기물층에서 일어나는 것이다.
여기서, 유기전계발광소자는 발광 방식에 따라 상부전극 및 하부전극을 통해 발광하는 양면발광 유기전계발광소자(transparent OLED), 상부전극을 통해 발광하는 전면발광 유기전계발광소자(top OLED) 및 하부전극을 통해 발광하는 배면발광 유기전계발광소자(bottom OLED)로 구분된다.
유기전계발광소자의 발광 방식은 상부전극 및 하부전극 중 투과성을 갖는 전극을 통해 이루어진다. 양면발광 방식의 경우 상부전극 및 하부전극이 모두 투과성을 가지고 있어야 한다. 일반적으로 하부전극은 투과성이 있는 인-주석 산화물 전극(indium-tin oxide: ITO)이 사용된다. 상부전극은 투과성이 있는 금속 박막을 사용하며, 이러한 금속 박막의 두께를 감소시킬 경우 투과율이 증가된다.
그런데, 상부전극의 투과율을 증가하기 위한 상부전극의 두께 감소는 상부전극의 면저항의 증가를 가져온다. 즉, 상부전극의 투과율을 높이기 위해 그 두께를 감소시키면 이에 따라 저항이 높아져 전체적인 유기전계발광소자의 성능 저하를 가져오는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 캐소드 전극의 투과율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 캐소드 전극의 투과율 증가에 따른 저항의 증가를 저지할 수 있도록 구조가 개선된 유기전계발광소자를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기와 같은 유기전계발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광소자는, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 투과성을 갖는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성되는 유기물층, 상기 유기물층 상에 형성되는 투과성을 갖는 제 2 전극 및 상기 유기물층과 상기 제 2 전극 사이 및 상기 제 2 전극의 상부 중 어느 하나에 형성되며, 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제 2 전극의 면저항을 감소하고 투과율을 향상시키는 투광층을 포함하며, 양면으로 발광할 수 있다.
여기서, 상기 산화물 계열은 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, SrO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 질화물 계열은 SiN, AIN 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 염류는 Cs2CO3, LiCO3, KCO3, NaCO3, LiF, CsF, ZnSe 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 투광층의 두께는 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유기물층은 상기 제2전극으로부터의 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑하여 형성한 전자 전달층을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 일함수가 낮은 금속류는 Cs, Li, Na, K, Ca 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 이들의 복합물은 Li-Al, LiF, CsF, Cs2CO3 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 파장(nm)에 따라 70~99%의 투과율을 나타낼 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은, 기판 상에 투과성을 갖는 제1전극을 형성하는 단계, 상기 제1전극 상에 유기물층을 형성하는 단계, 상기 유기물층과 상에 투과성을 갖는 제 2 전극을 형성하는 단계, 상기 유기물층과 상기 제 2 전극 사이 및 상기 제 2 전극의 상부 중 적어도 어느 하나에 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제 2 전극의 면저항을 감소하고 투과율을 향상시키는 투광층을 형성하는 단계를 포함하며, 양면으로 발광할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하는 투광층을 유기물층과 제2전극(케소드 전극) 사이 및 제2전극의 상부 중 적어도 어느 하나에 형성함으로써, 양면발광을 구현하는 동시에 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 투광층을 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하는 물질로 구성함으로써, 제2전극의 내부 저항의 증가를 저지할 수 있어 제품의 전기적 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구성 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 투광층에 따른 투과율 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 투광층에 따른 휘도 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계발광소자에 산화물 계열과, 염류 및 이들의 복합물로 각각 투광층을 형성할 때의 투과율 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조방법에 대한 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 유기전계발광소자(1)는 기판(10), 제1전극(30), 제2전극(50), 유기물층(70) 및 투광층(90) 등을 포함할 수 있다.
기판(10)은 제1전극(30), 제2전극(50), 유기물층(70) 및 투광층(90)을 지지한다. 기판(10)은 발광되는 빛이 투과할 수 있도록 투과성을 가지고 있는 유리 재질 또는 플라스틱 재질을 사용한다.
제1전극(30)은 통상적으로 하부전극이라고 지칭하기도 하며, 기판(10) 상에 형성된다. 제1전극(30)은 양극(+)인 애노드(anode)이며 스퍼터링(sputtering) 방식, 이온 플레이팅(ion plating) 방식 및 전자총(e-gun) 등을 이용한 열 증착법에 의해 기판(10) 상에 형성된다. 여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 제1전극(30)은 투과성을 가진 인-주석 산화물(indium tin-oxide) 전극을 사용하나, 투과성을 가진 인-아연 산화물(indium zin-oxide) 전극을 사용할 수도 있다.
제2전극(50)은 통상적으로 제1전극(30)과 대향되는 상부전극이라 지칭하기도 하며, 유기물층(70) 상에 형성된다. 제2전극(50)은 양극(+)인 제1전극(30)과 상반된 음극(-)인 캐소드(cathode)이다. 제2전극(50)은 투과성을 갖는 금속인 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 마그네슘-은(Mg:Ag) 합금 중에 어느 하나를 선택하여 사용한다.
유기물층(70)은 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이에 개재되어, 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이의 통전에 의해 발광한다. 유기물층(70)은 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이의 통전에 의해 발광하도록 정공 주입층(hole injection layer: HIL)(72), 정공 전달층(hole transporting layer: HTL)(74), 발광층(emissive layer: EML)(76), 전자 전달층(electron transporting layer: ETL)(78) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL)(79)으로 형성된다.
여기서, 유기물층(70)은 스핀코팅(spin coating) 방식, 열 증착(thermal evaporation) 방식, 스핀캐스팅(spin casting) 방식, 스퍼터링(sputtering) 방식, 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방식 및 화학기상증착(chemical vapor deposition: CVD) 방식 등에 의해 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이에 개재된다.
정공 주입층(72)은 제1전극(30)으로부터의 정공이 주입되는 역할을 하며, 정공 전달층(74)은 정공 주입층(72)으로부터 주입된 정공이 제2전극(50)의 전자와 만나도록 정공의 이동로 역할을 한다.
전자 주입층(79)은 제2전극(50)으로부터의 전자가 주입되는 역할을 하며, 전자 전달층(78)은 전자 주입층(79)으로부터 주입된 전자가 정공 전달층(74)으로부터 이동하는 정공과 발광층(76)에서 만나도록 전자의 이동로 역할을 한다.
전자 전달층(78)에는 제 2 전극(50)으로부터 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑하여 형성할 수 있으며, 이는 전자 주입층(79)의 유무에 관계없이 모두 적용될 수 있다.
여기서, 상기 일함수가 낮은 금속류는 Cs, Li, Na, K, Ca 등을 포함할 수 있으며, 상기 이들의 복합물은 Li-Al, LiF, CsF, Cs2CO3 등을 포함할 수 있다.
한편, 발광층(76)은 정공 전달층(74)과 전자 전달층(78) 사이에 개재되어 정공 전달층(74)으로부터의 정공과 전자 전달층(78)으로부터의 전자에 의해 발광한다. 즉, 발광층(76)은 각각 정공 전달층(74) 및 전자 전달층(78)과의 계면에서 만나는 정공과 전자에 의해 발광하는 것이다.
투광층(90)은 유기물층(70)과 제2전극(50) 사이 및 제 2 전극(50)의 상부 중 적어도 어느 하나에 형성될 수 있다. 예를 들어, 투광층(90)은 제2전극(50)의 상면과 하면에 모두 형성될 수 있거나, 제2전극(50)의 하면 및 상면 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다.
이하, 본 실시예에서는 투광층(90)이 제2전극(50)을 사이에 두고 상면과 하면에 모두 형성되는 구성을 예시하였으나, 이에 한정되지 않고 제2전극(50)의 하면 및 상면 중 어느 하나에만 형성되는 구성도 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다.
투광층(90)은 유기물층(70)과 제2전극(50) 사이에 형성되는 제1투광층(91)과, 제2전극(50)의 상부에 형성되는 제2투광층(92)을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 제 1투광층(91)은 유기물층(70) 중 전자 주입층(79)과 제2전극(50) 사이에 형성될 수 있으며, 전자 주입층(79) 자체에 형성될 수도 있다. 또한, 제2투광층(92)은 제1투광층(91)에 대향된 제2전극(50)의 상면에 적층될 수 있다.
여기서, 투광층(90)은 제2전극(50)이 투과성을 가지는 동시에 높은 투과율을 가질 수 있도록 기능을 한다. 그리고, 투광층(90)은 박막으로 형성되어 제2전극(50)의 면저항을 감소함으로써, 유기전계발광소자(1)의 성능 저하를 저지한다. 이러한 투광층(90)의 특성에 대해서는 후술할 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물을 설명한 후, 도 2 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 투광층(90)은 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 산화물 계열은 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, SrO2 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 질화물 계열은 SiN, AIN 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 염류는 Cs2CO3, LiCO3, KCO3, NaCO3, LiF, CsF, ZnSe 등을 포함할 수 있다.
상기와 같이 투광층(90)을 구성하는 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물을 사용하게 되면, 도2 내지 도4에 도시된 바와 같이 우수한 투과율과 휘도 효과를 나타내므로 바람직하지만, 상기와 같은 물질들 이외에도 제2전극(50)이 투과성을 가지는 동시에 높은 투과율을 가질 수 있도록 하는 물질은 모두 포함할 수 있다.
투광층(90)은 제1투광층(91)과 제2투광층(92)이 동일한 물질로 구성되지만, 서로 상이한 물질로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제1투광층(91)은 산화물 계열을 포함하고 제2투광층(92)은 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물을 포함할 수 있다. 또는 제1투광층(91)은 질화물 계열을 포함하고 제2투광층(92)은 산화물 계열, 염류 및 이들의 복합물을 포함할 수 있다. 또는 제1투광층(91)은 염류를 포함하고 제2투광층(92)은 산화물 계열, 질화물 계열 및 이들의 복합물을 포함할 수 있다.
투광층(90)의 두께는 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 투광층(90)의 두께 수치 한정 이유를 예를 들어 설명하면, 투광층(90)의 두께가 0.1nm 미만으로 작아질 경우 투과율은 증가하나, 이에 비례하여 저항도 증가하므로 유기전계발광소자(1)의 성능이 저하된다.
반면, 투광층(90)의 두께가 100nm 이상으로 커질 경우에는 저항이 감소하여 성능 저하는 발생하지 않으나, 투광층(90) 두께의 증가에 따라 투과율이 감소한다. 그리고, 본 발명의 실시 예에 따른 투광층(90)은 열 증착법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
다음으로 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 이러한 구성에 대해 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 특성을 이하에서 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 유기전계발광소자(1)에 형성된 투광층(90) 유무에 따른 투과율 그래프이다. 여기서, 도 2의 'a'는 투광층(90)을 형성한 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 선도이고, 'b'는 본 발명과 달리 투광층(90)이 없는 유기전계발광소자(1)의 선도이다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)는 파장(nm)에 따라 70~99%의 투과율을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 파장(nm)에 따른 투과율을 살펴보면, 550nm에서 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 투과율은 약 80%를 나타내고, 투광층(90)이 없는 유기전계발광소자(1)는 약 47%를 나타내고 있다. 이러한 결과에 대해 투광층(90)이 있는 유기전계발광소자(1)의 투과율은 투광층(90)이 없는 유기전계발광소자(1)에 대비 1.7배가 더 높음을 알 수 있다.
그리고, 도 3은 투광층(90) 유무에 따른 유기전계발광소자(1)의 휘도 그래프이다. 도 3에 도시된 'c'는 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 선도이고, 'd'는 투광층(90)이 없는 유기전계발광소자(1)의 선도이다.
전압(V) 10V에 따른 휘도를 살펴보면, 투광층(90)이 있는 유기전계발광소자(1)는 약 25000을 나타내고, 투광층(90)이 없는 유기전계발광소자(1)는 약 20000을 나타내고 있다. 투광층(90)의 유무에 따라 휘도는 1.25배가 차이 남을 알 수 있다.
다음으로 도 4의 'e' 선도는 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, SrO2 등의 산화물 계열로 형성된 투광층(90)에 대한 투과율이고, 'f' 선도는 Cs2CO3, LiCO3, KCO3, NaCO3, LiF, CsF, ZnSe 등의 염류로 형성된 투광층(90)에 대한 투과율이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 산화물 계열로 투광층(90)을 형성할 때 약80%의 투과율을 가지고 있고, 염류로 투광층(90)을 형성할 때 약75%의 차이가 있다. 산화물 계열을 포함하는 투광층(90)이 염류를 포함하는 투광층(90)보다 5% 정도 투과율이 높기는 하나 미차일 뿐이므로, 본 발명의 실시예와 같이 산화물 계열과 염류 및 이들의 복합물을 선택적으로 사용하는 것이 바람직할 것이다.
이러한 본 발명에 따른 유기전계발광소자(1)의 제조방법을 도 5를 참조하여 이하에서 살펴보면 다음과 같다.
우선, 기판(10) 상에 양극(+)인 제1전극(30)을 형성한다(S10).
기판(10) 상에 제1전극(30)을 형성한 후, 제1전극(30) 상에 유기물층(70)을 형성한다(S30). 여기서, 제1전극(30) 상에 형성하는 유기물층(70)은 정공 주입층(72), 정공 전달층(74), 발광층(76), 전자 전달층(78) 및 전자 주입층(79) 순서로 형성한다.
유기물층(70) 상에 제1투광층(91)을 형성한다(S50). 본 발명의 일 실시 예로서, 제1투광층(91)은 산화물 계열인 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, SrO2 등을 포함할 수 있다. 제 1 투광층(91)은 저항 및 투과율을 고려하여 0.1nm 이상 100nm 미만의 두께로 형성한다.
그리고, 제1투광층(91) 상에 제2전극(50)을 형성한다(S70). 제2전극(50)은 음극(-)으로서 금속 박막을 사용한다. 제2전극(50)으로 사용되는 금속 박막은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 마그네슘-은(Mg:Ag) 합금 중 어느 하나를 사용한다.
제2전극(50) 상에 제2투광층(92)을 다시 형성한다(S90). 제2투광층(92)은 'S50' 단계와 같이 산화물 계열을 포함할 수 있다. 그러나, 제2전극(50) 상에 형성되는 제2투광층(92)은 선도는 SiN, AIN 등의 질화물 계열을 포함하거나, Cs2CO3, LiCO3, KCO3, NaCO3, LiF, CsF, ZnSe 등의 염류 및 이들의 복합물을 포함할 수 있다.
이에, 제2전극(50)을 사이에 두고 투광층(90)을 형성하여 양면발광을 구현하며 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 투광층(90)을 형성하여 제2전극(50)의 두께를 조정할 수 있고, 이에 따라 투과율 및 전기적 성능을 향상시킬 수 있다.
1 : 유기전계발광소자 10 : 기판
30 : 제1전극 50 : 제2전극
70 : 유기물층 72 : 정공 주입층
74 : 정공 전달층 76 : 발광층
78 : 전자 전달층 79 : 전자 주입층
90 : 투광층 91 : 제1 투광층
92 : 제2투광층

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 투과성을 갖는 제 1 전극;
    상기 제 1 전극 상에 형성되는 유기물층;
    상기 유기물층 상에 형성되는 투과성을 갖는 제 2 전극; 및
    상기 유기물층과 상기 제 2 전극 사이 및 상기 제 2 전극의 상부 중 어느 하나에 형성되며, 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제 2 전극의 면저항을 감소하고 투과율을 향상시키는 투광층;을 포함하며,
    양면으로 발광하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화물 계열은 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, SrO2 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 질화물 계열은 SiN, AIN 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 염류는 Cs2CO3, LiCO3, KCO3, NaCO3, LiF, CsF, ZnSe 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 투광층의 두께는 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기물층은 상기 제2전극으로부터의 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑하여 형성한 전자 전달층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 일함수가 낮은 금속류는 Cs, Li, Na, K, Ca 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자.
  8. 제6항에 있어서, 상기 이들의 복합물은 Li-Al, LiF, CsF, Cs2CO3 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 유기전계발광소자는 파장(nm)에 따라 70~99%의 투과율을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  10. 기판 상에 투과성을 갖는 제1전극을 형성하는 단계;
    상기 제1전극 상에 유기물층을 형성하는 단계;
    상기 유기물층과 상에 투과성을 갖는 제 2 전극을 형성하는 단계;
    상기 유기물층과 상기 제 2 전극 사이 및 상기 제 2 전극의 상부 중 어느 하나에 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제 2 전극의 면저항을 감소하고 투과율을 향상시키는 투광층을 형성하는 단계;를 포함하며,
    양면으로 발광하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 산화물 계열은 MoO3, ITO, IZO, IO, ZnO, TO, TiO2, SiO2, WO3, Al2O3, Cr2O3, TeO2, SrO2 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 질화물 계열은 SiN, AIN 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 염류는 Cs2CO3, LiCO3, KCO3, NaCO3, LiF, CsF, ZnSe 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 투광층을 형성하는 단계는 산화물 계열, 질화물 계열, 염류 및 이들의 복합물 중 어느 하나의 두께를 0.1nm 이상 100nm 미만으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 유기물층은 상기 제2전극으로부터의 전자 주입을 원활하게 하기 위해 일함수가 낮은 금속류 및 이들의 복합물 중 어느 하나를 도핑하여 형성한 전자 전달층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 일함수가 낮은 금속류는 Cs, Li, Na, K, Ca 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 이들의 복합물은 Li-Al, LiF, CsF, Cs2CO3 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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