CN102422453A - 一种有机发光二极管及其制备方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种提高了光透射比的有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管包括第一基底和第二基底、在所述第一基底上形成的第一电极、在所述第一电极上形成的有机层、在所述有机层和所述第二基底之间形成的第二电极，以及在所述第一基底和所述第二基底中的至少一个基底的至少一个表面上形成的且具有预定的折射率的抗反射层，以便在所述第一基底和所述第二基底的至少一个基底的任意外表面上的抗反射层的形成产生提高的透射比，因此提高了产品的可靠度。也提供了一种制备所述有机发光二极管的方法。

Description

一种有机发光二极管及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种除了透明阴极的光透射比之外，还提高了通过基底的光的透射比的有机发光二极管，以及所述有机发光二极管的制备方法。

背景技术

一般地，有机发光二极管(OLED)包括基底、在所述基底上形成的底电极、在所述底电极上形成的有机层以及在所述有机层上形成的顶电极。

通过利用介于在用阳极作为所述底电极和用阴极作为所述顶电极之间电传导，所述有机发光二极管发光。具体地，所述有机发光二极管的所述光发射借助于所述顶电极的电子和所述底电极的空穴在所述有机层上发生，所述有机层设置在所述顶电极和所述底电极之间。

依赖于光发射方式，将有机发光二极管分类为，通过顶电极和底电极发射光的透明有机发光二极管，通过顶电极发射光的顶有机发光二极管(topOLEDs)，以及通过底电极发射光的底有机发光二极管(bottom OLEDs)。

所述有机发光二极管的所述光发射方式是由在所述顶电极和所述底电极中的电极的两者当中的任何一个或两者是透明的来实现的。就所述透明有机发光二极管来说，所述顶电极和所述底电极都必须是透明的。一般地，所述底电极可以是透明的氧化铟锡(ITO)电极，以及所述顶电极可以是透明的金属膜。就这点而论，当降低此类金属膜的所述厚度时，可提高透射比。

然而，如果降低所述顶电极的所述厚度来提高所述顶电极的所述透射比，可能会提高所述顶电极的薄层电阻。具体地，为了提高所述顶电极的透射比，随着所述顶电极的所述厚度的降低，所述顶电极的电阻提高，令人厌恶地恶化所述发光二极管的整体性能。

此外，来自顶电极和底电极中的至少一个的光通过基底且漫射到空气层。就此点而论，因为所述基底和所述空气层的折射率的差异相对较大，全反射发生的区域增大，令人厌恶地引起降低整体透射比的问题。

发明内容

技术问题

因而本发明的施行牢记了背景技术中涉及的问题以及本发明的目的在于提供一种有机发光二极管以及一种制备有机发光二极管的方法，有效地配置所述有机发光二极管以便当光穿透时，减少全反射发生的区域，因而提高了透射比。

并且，本发明的目的是提供一种有机发光二极管以及一种有机发光二极管的制备方法，所述有机发光二极管能够提高阴极的透射比。

技术方案

本发明一方面提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一基底和第二基底、在所述第一基底上形成的第一电极、在所述第一电极上形成的有机层、在所述有机层和所述第二基底之间形成的第二电极，以及在所述第一基底和所述第二基底中的至少一个基底的至少一个表面上形成的且具有预定的折射率的抗反射层。

在这方面，所述抗反射层可以包括抗反射涂层。

就此点而论，所述抗反射涂层可以含有选自由硅石、矾土和碳的氧化物组成的组中的任何一种多孔材料。

更进一步，所述抗反射涂层可以含有无机材料或有机材料。

在这方面，当所述基底具有折射率η₁，所述抗反射层具有折射率η₂，以及来自所述有机层的光被漫射进入到的空气层具有折射率η₃时，所述抗反射层的折射率可以满足η₃≤η₂＜η₁。

就此点而论，所述抗反射层的所述折射率η₂可以为1.0～1.46。

所述抗反射层的所述折射率η₂可以为1.19～1.36。

所述有机发光二极管可以进一步包括在所述有机层和所述第二电极之间的位置和所述第二电极和所述第二基底之间的位置的两者中的任何一个或者两者上形成的透明层，透明层含有选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种。

所述氧化物可以含有选自由MoO₃、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO₂、SiO₂、WO₃、Al₂O₃、Cr₂O₃、TeO₂和SrO₂组成的组中的任何一种。

所述氮化物可以含有选自由SiN和AlN组成的组中的任何一种。

所述盐可以含有选自由Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF和ZnSe组成的组中的任何一种。

所述透明层可以具有的厚度范围为0.1nm到小于100nm之间。

更进一步，所述有机层可以包括通过掺杂选自由具有低逸出功(havinglow work function)的金属及其化合物组成的组中的任何一种而形成的电子传输层，以促进来自所述第二电极的电子的注入。

就此点而论，所述具有低逸出功的金属可以含有选自由Cs、Li、Na、K和Ca组成的组中的任何一种。

金属的所述化合物可以含有选自由Li-Al、LiF、CsF和Cs₂CO₃组成的组中的任何一种。

依赖于波长(nm)，所述有机发光二极管的透射比可以为70～99％。

本发明另一方面提供了一种有机发光二极管的制备方法，所述有机发光二极管的制备方法包括在一对基底的任何一个基底上形成第一电极、在所述第一电极上形成有机层、以及在所述一对基底的至少一个基底的至少一个表面上形成具有预定折射率的抗反射层。

在这方面，所述抗反射层可以包括抗反射涂层。

所述抗反射涂层可以含有选自由硅石、矾土和碳的氧化物组成的组中的任何一种多孔材料。

所述抗反射涂层可以含有无机材料或有机材料。

当所述基底具有折射率η₁，所述抗反射层具有折射率η₂，以及来自所述有机层的光被漫射进入到的空气层具有折射率η₃时，所述抗反射层的折射率可以满足η₃≤η₂＜η₁。

所述抗反射层的折射率η₂可以为1.0～1.46。

所述抗反射层的折射率η₂可以为1.19～1.36。

所述方法可以进一步包括在所述有机层和所述基底对的另一个基底上形成第二电极，以及在所述有机层和所述第二电极之间的位置和所述第二电极和所述基底对的另一个基底之间的位置的两者中的任何一个或两者上形成含有选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种的透明层。

就此点而论，所述氧化物可以含有选自由MoO₃、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO₂、SiO₂、WO₃、Al₂O₃、Cr₂O₃、TeO₂和SrO₂组成的组中的任何一种。

所述氮化物可以含有选自由SiN和AlN组成的组中的任何一种。

所述盐可以含有选自由Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF和ZnSe组成的组中的任何一种。

在所述方法中，所述透明层的形成通过将选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种的形成为厚度范围为0.1nm到不少于100nm之间来实现。

所述有机层可以包括通过掺杂选自由具有低逸出功(having low workfunction)的金属及其化合物组成的组中的任何一种而形成的电子传输层，以促进来自所述第二电极的电子的注入。

就此点而论，所述具有低逸出功的金属可以含有选自由Cs、Li、Na、K和Ca组成的组中的任何一种。

金属的所述化合物可以含有选自由Li-Al、LiF、CsF和Cs₂CO₃组成的组中的任何一种。

有益效果

根据本发明，配置所述有机发光二极管以便抗反射层形成于第一基底和第二基底的至少一个基底的任何外表面上，因而提高了所述透射比，因此提高了产品的可靠性。

更进一步，含有选自氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物中的任何一种的透明层形成于有机层和第二电极(阴极)之间的位置以及所述第二电极的所述上表面上的位置的两者中的任何一个或两者上，因此实现两面光发射和提高透射比。

并且，根据本发明，因为所述透明层是由选自氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物中的任何一种形成的，所以能够预防所述第二电极的内电阻的提高，因而提高了产品的电性能。

附图说明

图1是显示根据本发明的一种具体实施方式的有机发光二极管的横截面图；

图2是显示依赖于根据本发明的所述有机发光二极管的透明层的透射比的曲线图；

图3是显示依赖于根据本发明的所述有机发光二极管的透明层的发光性的曲线图；

图4是显示当根据本发明的所述有机发光二极管的所述透明层由氧化物、盐或它们的混合物形成时的透射比的曲线图；

图5是显示依赖于折射率和全反射的临界角的示意图；

图6至10是显示根据本发明包括在多种位置上形成的所述抗反射层的有机发光二极管的横截面图；以及

图11是显示根据本发明的所述有机发光二极管的制备方法的流程图。

附图中参考数字的描述：

1：有机发光二极管

12：第一基底

14：第二基底

30：第一电极

50：第二电极

70：有机层

72：空穴注入层

74：空穴传输层

76：发光层

78：电子传输层

79：电子注入层

90：透明层

91：第一透明层

92：第二透明层

100：抗反射层

具体实施方式

以下结合附图的详细描述将使本发明的特点和优势变得更易于理解。虽然为了说明目的公开本发明的优选实施方式，但这些优选实施方式是为了专门解释本发明，本领域技术人员应当理解，在不偏离随附的权利要求书中公开的本发明的范围和精神的情况下，各种修改、补充和替换都是可能的。在附图中，相同的参考数字表示相同的或相似的组件，多余的描述将被省略。

以下，参考附图将具体描述根据本发明的有机发光二极管以及制备方法。并且在说明书中，如与本发明相关的熟知的技术被看作是不必要的，因为它们将使本发明的特点不清楚且也是为了说明书的利益，该详细描述将被省略。

如图1所示，根据本发明所述有机发光二极管1可以包括基底10，第一电极30、第二电极50、有机层70、透明层90以及抗反射层100。

所述基底10包括与所述第一电极30相邻设置的第一基底12，以及与所述第二电极50相邻设置的第二基底14。设置在所述第一基底12和所述第二基底14之间的所述有机层70和所述透明层90也由所述第一基底12和所述第二基底14支撑着。所述基底10可以由透明的玻璃材料或塑料材料形成，以便通过被发射的光。

所述第一电极30通常称为底电极，且是在所述第一基底12上形成的。所述第一电极30为是正电极的阳极，且通过喷镀、离子电镀法或使用电子枪(e-gun)热蒸发在所述第一基底12上形成。就此点而论，根据本发明的的示例性实施方式，所述第一电极30可以是透明的氧化铟锡ITO电极，或者可选择地位透明的氧化铟锌(indium-zinc-oxide)电极。

所述第二电极50通常称为顶电极，面向所述第一电极30设置，且在所述有机层70上形成。所述第二电极50为是负电极的阴极，所述负电极与所述为正电极的第一电极30带有相反电荷。所述第二电极50与所述第二基底14相邻设置。所述第二电极50可以由选自银(Ag)、铝(Al)以及镁银合金(Mg-Ag)中的任何一种形成以便所述第二电极50是透明的。

所述有机层70设置于所述第一电极30和所述第二电极50之间，且利用在所述第一电极30和所述第二电极50之间的电传导发射光。所述有机层70包括空穴注入层(HIL)72、空穴传输层(HTL)74、发光层(EML)76、电子传输层(ETL)78以及电子注入层(EIL)79，以便使用在所述第一电极30和所述第二电极50之间的电传导发射光。

所述有机层70可以使用旋涂(spin coating)、热蒸发、旋转涂膜(spincasting)、喷镀、电子束蒸发或化学气相沉积(CVD)形成于所述第一电极30和所述第二电极50之间。

具体地，所述空穴注入层72的功能是注射来自所述第一电极30的空穴，以及所述空穴传输层74的功能是传输所述空穴注入层72注入的空穴以便与所述第二电极50的电子相遇。

所述电子注入层79的功能是注射来自所述第二电极50的电子，以及所述电子传输层78的功能是传输所述电子传输层79注入的电子以便所述电子传输层79注入的电子在所述发光层76与所述空穴传输层74传输的空穴相遇。

所述电子传输层78可以通过掺杂选自由具有低逸出功的金属及其化合物组成的组中的任何一种来形成，以便促进来自所述第二电极50的电子的注入，并且不管是否提供了所述电子注入层79，能够应用所述电子传输层78。

就此点而论，所述具有低逸出功的金属的实例可以含有Cs、Li、Na、K和Ca，以及金属的所述化合物的实例可以含有有Li-Al、LiF、CsF和Cs₂CO₃。

所述发光层76设置于所述空穴传输层74和所述电子传输层78之间，因而，所述发光层76通过来自所述空穴传输层74的空穴和来自所述电子传输层78的电子的方式来发光。具体地，借助于所述空穴和所述电子在所述发光层76彼此相遇和重新结合来发生光发射，也就是说，在所述空穴传输层74和所述电子传输层78之间的界面发生光发射。

所述透明层90可以在所述有机层70和所述第二电极50之间的位置和所述第二电极50的上表面上的位置的两者中的任何一个或两者上形成。例如，所述透明层90可以既在所述第二电极50的上表面又在所述第二电极50的下表面上形成，或可选择性地仅在所述第二电极50的上表面和下表面中的任一表面上形成。

在本发明的具体实施方式中，解释说明了所述透明层90既在所述第二电极50的上表面又在下表面形成的这种构造。然而，本发明不仅仅限定于此，毫无疑问，所述透明层仅在所述第二电极50的下表面和上表面的两者当中的任何一个上形成的这种构造也能应用得很好。

所述透明层90可以包括在所述有机层70和所述第二电极50之间形成的第一透明层91，以及在所述第二电极50的上表面上形成的第二透明层92。

特别地，所述第一透明层91可以形成于所述有机层70的所述电子注入层79和所述第二电极50之间，或者可以在所述电子注入层79本身的内部形成。同样地，所述第二透明层92可以形成于与形成所述第一透明层91的表面相对的所述第二电极50的上表面上。

在本文中，所述透明层90在赋予所述第二电极50透明性和高透射比方面起重要作用。所述透明层90以薄膜的形式提供因而减少了所述第二电极50的薄层电阻，因此防止了所述有机发光二极管1的性能退化。所述透明层90的性能参考图2至4在下面列举的氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的描述之后具体描述。

根据本发明所述透明层90可以含有选自氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物中的任何一种。

所述氧化物的实例可以含有MoO₃，ITO，IZO，IO，ZnO，TO，TiO₂，SiO₂，WO₃，Al₂O₃，Cr₂O₃，TeO₂，和SrO₂，所述氮化物的实例可以含有SiN和AlN。以及，所述盐可以含有Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF和ZnSe。

如图2至4所示，当所述发光层90是由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物形成时，所述透明层90优先展示出优良的透射比和发光性。除了上述的材料外，只要所述第二电极50是透明的且具有高的透射比，可以使用任何材料。

至于所述透明层90，所述第一透明层91和所述第二透明层92可以由同一种材料形成，或者可选择地可以由不同种材料形成。例如，所述第一透明层91可以含有氧化物、以及所述第二透明层92可以含有氮化物、盐以及它们的混合物。可选择地，所述第一透明层91可以含有氮化物，以及所述第二透明层92可以含有氧化物、盐以及它们的混合物。可选择地，所述第一透明层91可以含有盐，以及所述第二透明层92可以含有氧化物、氮化物以及它们的混合物。

所述透明层90的厚度可以设置在从0.1nm到小于100nm之间的范围内。为什么限定所述透明层90的所述厚度的原因是如果所述透明层90的厚度小于0.1nm，透射比提高但是电阻也可能成比例地提高，令人厌恶地恶化所述有机发光二极管1的性能。

相比之下，如果所述透明层90的厚度是100nm或更高，电阻可能下降并且因此所述有机发光二极管的所述性能没有退化，但是随所述透明层90的厚度的增加所述透射比反比例地下降。并且，根据本发明的一个具体实施方式，所述透明层90可以使用热蒸发来形成。

下面参考图2至4描述根据本发明的所述有机发光二极管1的性能。

图2显示了依赖于是否提供了所述透明层90的所述有机发光二极管1的透射比的曲线图。在图2中，曲线“a”描述了根据本发明带有所述透明层90的所述有机发光二极管1的透射比，以及曲线“b”描述了不同于本发明的没有带所述透明层90的所述有机发光二极管1的透射比。

依赖于波长(nm)，根据本发明所述有机发光二极管1的透射比可以为70～99％。例如，如图2所示，根据本发明所述有机发光二极管1在550nm可以显现出约80％的透射比，以及没有所述透明层90的所述有机发光二极管1在550nm可以显现出约47％的透射比。因此，能够看出带有所述透明层90的有机发光二极管1的透射比较没有所述透明层90的所述发光二极管1的透射比高1.7倍。

图3显示了依赖于是否提供了所述透明层90的所述有机发光二极管1的发光性的曲线图。在图3中，曲线“c”描述了根据本发明带有所述透明层90的所述有机发光二极管1的发光性，以及曲线“d”描述了没有带所述透明层90的所述有机发光二极管1的发光性。

带有所述透明层90的所述有机发光二极管1在10V的电压下显示约25000的发光性，而没有所述透明层90的所述有机发光二极管1在10V的电压下显示约20000的发光性。由此，能够看出依赖于是否提供了所述透明层90的发光性存在的差异为1.25倍。

在图4中，曲线“e”描述了当所述透明层90是由氧化物例如MoO₃，ITO，IZO，IO，ZnO，TO，TiO₂，SiO₂，WO₃，Al₂O₃，Cr₂O₃，TeO₂，或SrO₂形成的时候的透射比，以及曲线“f”描述了当所述透明层90是由盐例如Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF或ZnSe形成的时候的透射比。

如图4所示，所述透明层90当由氧化物形成时测得的透射比为约80％，当所述透明层90由盐形成时测得的透射比为约75％。尽管当由氧化物形成的所述透明层90比由盐形成的所述透明层90的透射比约高5％，这个差异是细小的。因此可以选择性地使用如本发明的具体实施方式中的氧化物、盐以及它们的混合物。

所述抗反射层100具有预定的折射率，在所述第一基底12和第二基底14的至少一个基底的至少一个表面上形成，以阻碍全反射。

“全反射”是指当光从光密介质传播到光疏介质，入射光的入射角比具体的临界角大，没有产生折射但100％反射。因此，所述临界角是能够产生全反射的所述入射角的最小值。

至于根据本发明所述抗反射层100，下面参考图5具体描述所述临界角和全反射。

所述基底10具有折射率η₁，所述抗反射层100具有折射率η₂，以及所述空气层具有折射率η₃。光基于介于所述抗反射层100和所述空气层之间的分界线的法线P的入射角θ₁、θ₂和θ₃传播。光在介于所述抗反射层100和所述空气层之间的分界线上折射，因为所述抗反射层100和所述空气层折射率不同。当光以所述入射角θ₂传播时，发生全反射。当光以所述入射角θ₃传播时，也发生全反射。因此，把能发生全反射的所述入射角称作所述临界角Φ。

所述临界角Φ由斯涅耳定律所描述的sinΦ＝η₁/η₂来定义。根据斯涅耳定律，当所述临界角Φ是90度时，全反射很少发生。具体地，如果根据本发明所述抗反射层100的所述折射率η₂与所述空气层的折射率η₃相同，所述临界角Φ变为90度，因而没有发生全反射。

因此，所述基底10、所述抗反射层100以及所述空气层的折射率可表示为η₃≤η₂＜η₁。

所述抗反射层100的折射率比所述基底10的折射率相对地小，以及所述空气层的折射率比所述抗反射层100的折射率相对地小。因此，当光通过所述抗反射层100传播到所述空气层比当光从所述基底10直接地传播到所述空气层的所述临界角Φ增大的多。随着所述临界角Φ的增大，所述全反射发生的区域相对地减少，因此按本发明所预计的提高所述透射比。

所述抗反射层100的折射率是1.0～1.46。因为所述玻璃基底的折射率是1.5以及所述空气层的折射率是1.0，根据斯涅耳定律当光从所述抗反射层100传播到所述空气层时所述临界角Φ增大。具体地，根据本发明所述抗反射层100的折射率是1.19～1.36时，上述的效果进一步提高。

此种抗反射层100可以如图6至10所示的在多种位置上形成。

如图6所示，所述抗反射层100可以在所述第一基底12的两个表面上形成，因此同时提高了所述第一电极30的透射比和所述第一基底12的透射比。如图7所示，所述抗反射层100可以在所述第二基底14上在光传播的方向上形成，因此提高了所述第二基底14的透射比。

并且，如图8所示，所述抗反射层100可以在所述第二基底14的两个表面上形成，因而同时提高了所述第二电极50的透射比和所述第二基底14的透射比。如图9所示，所述抗反射层100可以在所述第一基底12和所述第二基底14的外表面上形成，因而提高了所述第一基底12和所述第二基底14的透射比。

进一步，如图10所示，所述抗反射层100可以在所述第一基底12的两个表面上和所述第二基底14的两个表面上形成，因而提高了所述第一基底12、所述第二基底14、所述第一电极30以及所示第二电极50中的每一个的透射比。

根据本发明所述抗反射层100可以包括AR(抗反射)涂层。根据本发明的示例性实施方式，所述AR涂层是由选自硅石、矾土和碳的氧化物中的任何一种多孔材料形成的。

另外，所述AR涂层可以使用无机材料或有机材料形成，上述均纳入在本发明的范围内。

现在转向图11，下面描述了根据本发明所述有机发光二极管1的制备方法。

首先，在第一基底12上形成第一电极30(S10)，所述第一电极30是正电极。

随后，在形成于所述第一基底12上的第一电极30的上面形成有机层70(S30)。在所述第一电极30上形成的所述有机层70包括依次形成的空穴注入层72、空穴传输层74、发光层76、电子传输层78以及电子注入层79。

随后，在所述有机层70上形成第一透明层91(S50)。根据本发明的示例性实施方式，所述第一透明层91可以包括氧化物例如MoO₃，ITO，IZO，IO，ZnO，TO，TiO₂，SiO₂，WO₃，Al₂O₃，Cr₂O₃，TeO₂，或SrO₂。考虑到所述电阻和透射比，形成的所述第一透明层91的厚度为从0.1nm到小于100nm之间的范围内。

随后，在所述第一透明层91上形成第二电极50(S70)。为负电极的所述第二电极50可以包括金属膜。用作所述第二电极50的所述金属膜可以含有选自银、铝以及镁-银合金中的任何一种。

随后，在所述第二电极50上形成第二透明层92(S90)。所述第二透明层92可以含有如S50中的氧化物。然而，在所述第二电极50上形成的所述第二透明层92可以包括氮化物例如SiN或AlN，盐例如Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF或ZnSe或它们的混合物。

随后，形成的抗反射层100是为了提高传播到所述空气层中的光的临界角。所述抗反射层100基本上是在所述第一基底12和所述第二基底14中至少一个基底的至少一个表面的外表面上形成的。然而，所述抗反射层100也可以在介于所述第一基底12和所述第一电极30之间或介于所述第二基底14和所示第二电极50之间形成。

Claims (31)

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：

第一基底和第二基底；

在所述第一基底上形成的第一电极；

在所述第一电极上形成的有机层；

在所述有机层和所述第二基底之间形成的第二电极；以及

在所述第一基底和所述第二基底中的至少一个基底的至少一个表面上形成的且具有预定的折射率的抗反射层。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述抗反射层包括抗反射涂层。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中，所述抗反射涂层含有选自由硅石、矾土和碳的氧化物组成的组中的任何一种多孔材料。

4.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中，所述抗反射涂层含有无机材料或有机材料。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，当所述基底具有折射率η₁，所述抗反射层具有折射率η₂，以及来自所述有机层的光被漫射进入到的空气层具有折射率η₃时，所述抗反射层的折射率满足η₃≤η₂＜η₁。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中，所述抗反射层的折射率η₂为1.0～1.46。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述抗反射层的所述折射率η₂为1.19～1.36。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管进一步包括在所述有机层和所述第二电极之间的位置和所述第二电极和所述第二基底之间的位置的两者中的任何一个或者两者上形成的透明层，并且所述透明层含有选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述氧化物含有选自由MoO₃、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO₂、SiO₂、WO₃、Al₂O₃、Cr₂O₃、TeO₂和SrO₂组成的组中的任何一种。

10.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述氮化物含有选自由SiN和AlN组成的组中的任何一种。

11.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述盐含有选自由Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF和ZnSe组成的组中的任何一种。

12.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述透明层具有的厚度范围为0.1nm到小于100nm之间。

13.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述有机层包括通过掺杂选自由具有低逸出功的金属及其化合物组成的组中的任何一种而形成的电子传输层，以促进来自所述第二电极的电子的注入。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述具有低逸出功的金属含有选自由Cs、Li、Na、K和Ca组成的组中的任何一种。

15.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，金属的所述化合物含有选自由Li-Al、LiF、CsF和Cs₂CO₃组成的组中的任何一种。

16.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，依赖于以nm计的波长，所述有机发光二极管的透射比为70～99％。

17.一种有机发光二极管的制备方法，该方法包括：

在一对基底的任何一个基底上形成第一电极；

在所述第一电极上形成有机层；

在所述基底对的另一个基底和所述有机层之间形成第二电极；以及

在所述基底对的至少一个基底的至少一个表面上形成具有预定折射率的抗反射层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述抗反射层包括抗反射涂层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述抗反射涂层含有选自由硅石、矾土和碳的氧化物组成的组中的任何一种多孔材料。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述抗反射涂层含有无机材料或有机材料。

21.根据权利要求17所述的方法，其中，当所述基底具有折射率η₁，所述抗反射层具有折射率η₂，以及来自所述有机层的光被漫射进入到的空气层具有折射率η₃时，所述抗反射层的折射率满足η₃≤η₂＜η₁。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述抗反射层的折射率η₂为1.0～1.46。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述抗反射层的折射率η₂为1.19～1.36。

24.根据权利要求17所述的方法，其中，该方法进一步包括在所述有机层和所述第二电极之间的位置以及所述第二电极和所述基底对的另一个基底之间的位置的两者中的任何一个或两者上形成含有选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种的透明层。

25.根据权利要求23所述的方法，其中，所述氧化物含有选自由MoO₃、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO₂、SiO₂、WO₃、Al₂O₃、Cr₂O₃、TeO₂和SrO₂组成的组中的任何一种。

26.根据权利要求24所述的方法，其中，所述氮化物含有选自由SiN和AlN组成的组中的任何一种。

27.根据权利要求24所述的方法，其中，所述盐含有选自由Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF和ZnSe组成的组中的任何一种。

28.根据权利要求24所述的方法，其中，所述透明层的形成通过将选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种形成为厚度范围为0.1nm到不少于100nm之间来实现。

29.根据权利要求17所述的方法，其中，所述有机层包括通过掺杂选自由具有低逸出功的金属及其化合物组成的组中的任何一种而形成的电子传输层，以促进来自所述第二电极的电子的注入。

30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述具有低逸出功的金属含有选自由Cs、Li、Na、K和Ca组成的组中的任何一种。

31.根据权利要求29所述的方法，其中，金属的所述化合物含有由Li-Al、LiF、CsF和Cs₂CO₃组成的组中的任何一种。

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