JP2000040592A - 電界発光素子 - Google Patents
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光開始電圧や発光効率が向上した電界発光
素子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１上に形成した、高仕事関数
のＩＴＯでなる透明電極２の上に、１０ｎｍ以下の膜厚
のＬｉ2Ｏでなる絶縁膜３が形成されている。この絶縁
膜３の上に、電子輸送層４、発光層５、正孔輸送層６で
なる有機ＥＬ層８が積層され、正孔輸送層６の上に背面
電極７が形成されている。このような構成にしたことに
より、背面電極７から電子輸送層４への電子注入効率の
向上が図れ、発光開始電圧や発光効率を向上させること
ができる。
素子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１上に形成した、高仕事関数
のＩＴＯでなる透明電極２の上に、１０ｎｍ以下の膜厚
のＬｉ2Ｏでなる絶縁膜３が形成されている。この絶縁
膜３の上に、電子輸送層４、発光層５、正孔輸送層６で
なる有機ＥＬ層８が積層され、正孔輸送層６の上に背面
電極７が形成されている。このような構成にしたことに
より、背面電極７から電子輸送層４への電子注入効率の
向上が図れ、発光開始電圧や発光効率を向上させること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電界発光素子に関
し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス
（以下、有機ＥＬという）材料を用いる電界発光素子に
関する。
し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス
（以下、有機ＥＬという）材料を用いる電界発光素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電界発光素子として、ガラス基板
の上にアノード電極が形成され、その上に、例えば、正
孔輸送層と発光層と電子輸送層との３層からなる有機層
が形成され、この電子輸送層の上に、極薄い膜厚の絶縁
膜が形成され、この絶縁膜の上に低仕事関数金属でなる
カソード電極が形成された構造の電界発光素子がある。
このような電界発光素子においては、アノード電極から
正孔輸送層へ正孔が注入され、カソード電極から絶縁膜
を介して電子輸送層へ電子が注入され、発光層で電子と
正孔とが再結合して発光を起こすようになっている。こ
のような構造の電界発光素子では、極薄い膜厚の絶縁膜
が介在されていない電界発光素子に比べて発光開始電圧
や発光効率を向上させることが知られている。
の上にアノード電極が形成され、その上に、例えば、正
孔輸送層と発光層と電子輸送層との３層からなる有機層
が形成され、この電子輸送層の上に、極薄い膜厚の絶縁
膜が形成され、この絶縁膜の上に低仕事関数金属でなる
カソード電極が形成された構造の電界発光素子がある。
このような電界発光素子においては、アノード電極から
正孔輸送層へ正孔が注入され、カソード電極から絶縁膜
を介して電子輸送層へ電子が注入され、発光層で電子と
正孔とが再結合して発光を起こすようになっている。こ
のような構造の電界発光素子では、極薄い膜厚の絶縁膜
が介在されていない電界発光素子に比べて発光開始電圧
や発光効率を向上させることが知られている。
【０００３】本発明は、カソード電極の電子注入面での
酸化が抑制されての成長を抑制でき、発光開始電圧や発
光効率を向上した電界発光素子を提供することを目的と
している。
酸化が抑制されての成長を抑制でき、発光開始電圧や発
光効率を向上した電界発光素子を提供することを目的と
している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
電子注入電極と正孔注入電極との間に有機ＥＬ層が介在
された電界発光素子であって、前記電子注入電極と前記
有機ＥＬ層との間に絶縁薄膜が介在され、前記電子注入
電極及び前記絶縁薄膜は、可視光に対し透過性を示すこ
とを特徴としている。
電子注入電極と正孔注入電極との間に有機ＥＬ層が介在
された電界発光素子であって、前記電子注入電極と前記
有機ＥＬ層との間に絶縁薄膜が介在され、前記電子注入
電極及び前記絶縁薄膜は、可視光に対し透過性を示すこ
とを特徴としている。
【０００５】従って、請求項１記載の発明では、電子注
入電極と絶縁薄膜が可視光に対し透過性を示すので、電
子注入電極側からキャリアを良好に注入できるとともに
有機ＥＬ層の発光を電子注入電極及び絶縁薄膜を介して
照射することが可能となる。
入電極と絶縁薄膜が可視光に対し透過性を示すので、電
子注入電極側からキャリアを良好に注入できるとともに
有機ＥＬ層の発光を電子注入電極及び絶縁薄膜を介して
照射することが可能となる。
【０００６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の電
界発光素子であって、前記絶縁薄膜は、酸化リチウム
（Ｌｉ2Ｏ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化
銀（Ａｇ2Ｏ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、フッ
化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（Ｃａ
Ｆ2）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フタロシアニ
ン銅（ＣｕＰｃ）などから選択されることを特徴として
いる。
界発光素子であって、前記絶縁薄膜は、酸化リチウム
（Ｌｉ2Ｏ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化
銀（Ａｇ2Ｏ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、フッ
化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（Ｃａ
Ｆ2）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フタロシアニ
ン銅（ＣｕＰｃ）などから選択されることを特徴として
いる。
【０００７】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２に記載の電界発光素子であって、前記絶縁薄膜は、
膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴としている。
項２に記載の電界発光素子であって、前記絶縁薄膜は、
膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴としている。
【０００８】従って、請求項３記載の発明は、絶縁薄膜
の膜厚が１０ｎｍの極薄い膜厚であるため、可視光に対
し透過性を有し、電子注入電極から有機ＥＬ層への電子
注入効率を向上することが可能になる。
の膜厚が１０ｎｍの極薄い膜厚であるため、可視光に対
し透過性を有し、電子注入電極から有機ＥＬ層への電子
注入効率を向上することが可能になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る電界発光素
子の詳細を図１〜図３に示す実施形態に基づいて製造工
程順に従って構成を説明する。本実施形態では、図１に
示すように、ガラス基板１の上に、電子注入電極として
の、高仕事関数のＩＴＯ（indium tinoxide）でなる透
明導電膜２が所定のパターンに形成されている。なお、
この透明導電膜２の材料としては、ＩＴＯの他に、例え
ば、Ｉｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）ｘ（但しｘ＞０）などの高仕事
関数の導電性材料を用いることができる。また、透明導
電膜２の上には、所定のパターンで１０ｎｍ以下の膜厚
の酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）でなる絶縁膜３が形成され
ている。なお、この絶縁膜３の材料は、酸化リチウム
（Ｌｉ2Ｏ）の他に、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ
2Ｏ3）、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）、酸素の組成比の高いＩＴＯやＩｎ2Ｏ3（Ｚｎ
Ｏ）ｘ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム
（ＣａＦ2）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フタロ
シアニン銅（ＣｕＰｃ）などから選択することができ
る。これらの材料からなる絶縁膜３は１０ｎｍ以下であ
るのでいずれも可視光に対し高い透過性を示す。また、
この絶縁膜３の成膜方法は、化学蒸着法や物理蒸着法を
用いて極薄い膜に形成することができる。
子の詳細を図１〜図３に示す実施形態に基づいて製造工
程順に従って構成を説明する。本実施形態では、図１に
示すように、ガラス基板１の上に、電子注入電極として
の、高仕事関数のＩＴＯ（indium tinoxide）でなる透
明導電膜２が所定のパターンに形成されている。なお、
この透明導電膜２の材料としては、ＩＴＯの他に、例え
ば、Ｉｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）ｘ（但しｘ＞０）などの高仕事
関数の導電性材料を用いることができる。また、透明導
電膜２の上には、所定のパターンで１０ｎｍ以下の膜厚
の酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）でなる絶縁膜３が形成され
ている。なお、この絶縁膜３の材料は、酸化リチウム
（Ｌｉ2Ｏ）の他に、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ
2Ｏ3）、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）、酸素の組成比の高いＩＴＯやＩｎ2Ｏ3（Ｚｎ
Ｏ）ｘ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム
（ＣａＦ2）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フタロ
シアニン銅（ＣｕＰｃ）などから選択することができ
る。これらの材料からなる絶縁膜３は１０ｎｍ以下であ
るのでいずれも可視光に対し高い透過性を示す。また、
この絶縁膜３の成膜方法は、化学蒸着法や物理蒸着法を
用いて極薄い膜に形成することができる。
【００１０】絶縁膜３の上には、図２に示すように、順
次、電子輸送層４、発光層５、正孔輸送層６が積層され
てなる有機ＥＬ層８が形成されている。本実施形態で
は、電子輸送層４が、N,N'-ジ（α-ナフチル）-N,N'-ジ
フェニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミンで形成されて
いる。また、発光層５は、９６重量％の4,4'-ビス（2,2
-ジフェニルビニレン）ビフェニル及び４重量％の4,4'-
ビス（（2-カルバゾール）ビニレン）ビフェニルからな
る。さらに、正孔輸送層６は、アルミニウム-トリス（8
-ヒドロキシキノリネート）からなる。これら電子輸送
層４、発光層５、正孔輸送層６は、蒸着により積層して
形成することができる。なお、これらの積層構造の有機
ＥＬ層８では、電圧が印加されることにより青色波長域
の光を発する。
次、電子輸送層４、発光層５、正孔輸送層６が積層され
てなる有機ＥＬ層８が形成されている。本実施形態で
は、電子輸送層４が、N,N'-ジ（α-ナフチル）-N,N'-ジ
フェニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミンで形成されて
いる。また、発光層５は、９６重量％の4,4'-ビス（2,2
-ジフェニルビニレン）ビフェニル及び４重量％の4,4'-
ビス（（2-カルバゾール）ビニレン）ビフェニルからな
る。さらに、正孔輸送層６は、アルミニウム-トリス（8
-ヒドロキシキノリネート）からなる。これら電子輸送
層４、発光層５、正孔輸送層６は、蒸着により積層して
形成することができる。なお、これらの積層構造の有機
ＥＬ層８では、電圧が印加されることにより青色波長域
の光を発する。
【００１１】さらに、図３に示すように、正孔輸送層６
の上には、例えばクロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａ
ｌ）、金（Ａｕ）でなる正孔注入電極としての背面電極
７が形成されて電界発光素子１０が構成されている。な
お、背面電極７は、ハードマスクを用いて蒸着すること
により所定のパターンに形成されている。
の上には、例えばクロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａ
ｌ）、金（Ａｕ）でなる正孔注入電極としての背面電極
７が形成されて電界発光素子１０が構成されている。な
お、背面電極７は、ハードマスクを用いて蒸着すること
により所定のパターンに形成されている。
【００１２】本実施形態の電界発光素子１０において
は、透明導電膜２の材料であるＩＴＯやＩｎ2Ｏ3（Ｚｎ
Ｏ）ｘは仕事関数が高く、電子注入性が高くないが、１
０ｎｍ以下の膜厚の絶縁膜３を透明導電膜２と電子輸送
層４との間に介在させたことにより、絶縁膜３を介在さ
せていない素子に比較して電子注入効率が向上して、発
光開始電圧と発光効率を向上することができる。また透
明導電膜２及び極薄い絶縁膜３はいずれも可視光に対し
高い透過性を示すので有機ＥＬ層８の発光をガラス基板
１側へ照射することができる。
は、透明導電膜２の材料であるＩＴＯやＩｎ2Ｏ3（Ｚｎ
Ｏ）ｘは仕事関数が高く、電子注入性が高くないが、１
０ｎｍ以下の膜厚の絶縁膜３を透明導電膜２と電子輸送
層４との間に介在させたことにより、絶縁膜３を介在さ
せていない素子に比較して電子注入効率が向上して、発
光開始電圧と発光効率を向上することができる。また透
明導電膜２及び極薄い絶縁膜３はいずれも可視光に対し
高い透過性を示すので有機ＥＬ層８の発光をガラス基板
１側へ照射することができる。
【００１３】以上、実施形態について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の変更が可能である。例えば、上記した実施形
態では、有機ＥＬ層を電子輸送層４、発光層５、正孔輸
送層６の３層構造としたが、単層構造、２層構造、４層
以上の積層構造のものを適用してもよい。また、背面電
極７の材料としては、Ｃｒの他に、例えばＡｕ、ＩＴ
Ｏ、Ｉｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）ｘ（但しｘ＞０）などを用いる
ことができる。
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の変更が可能である。例えば、上記した実施形
態では、有機ＥＬ層を電子輸送層４、発光層５、正孔輸
送層６の３層構造としたが、単層構造、２層構造、４層
以上の積層構造のものを適用してもよい。また、背面電
極７の材料としては、Ｃｒの他に、例えばＡｕ、ＩＴ
Ｏ、Ｉｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）ｘ（但しｘ＞０）などを用いる
ことができる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、発光開始電圧や発光効率が向上した電界発
光素子を実現することができる。
明によれば、発光開始電圧や発光効率が向上した電界発
光素子を実現することができる。
【図１】本発明に係る電界発光素子の実施形態の製造工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図２】本実施形態の製造工程を示す断面図。
【図３】本実施形態の電界発光素子の要部断面図。
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ 絶縁膜 ４ 電子輸送層 ５ 発光層 ６ 正孔輸送層 ７ 背面電極 ８ 有機ＥＬ層 １０ 電界発光素子
Claims (3)
- 【請求項１】 電子注入電極と正孔注入電極との間に有
機ＥＬ層が介在された電界発光素子であって、前記電子
注入電極と前記有機ＥＬ層との間に絶縁薄膜が介在さ
れ、前記電子注入電極及び前記絶縁薄膜は、可視光に対
し透過性を示すことを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項２】 前記絶縁薄膜は、酸化リチウム（Ｌｉ2
Ｏ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化銀（Ａ
ｇ2Ｏ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチ
ウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、フッ
化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フタロシアニン銅（Ｃｕ
Ｐｃ）から選択されることを特徴とする請求項１記載の
電界発光素子。 - 【請求項３】 前記絶縁薄膜は、膜厚が１０ｎｍ以下で
あることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電
界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093671A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Korea Electronics Telecommun | 二重絶縁層を有する有機電界発光素子 |
| JP2005019338A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Tadahiro Omi | 有機ｅｌ発光素子、その製造方法および表示装置 |
| WO2010134237A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH053080A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPH06163158A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH0917574A (ja) * | 1995-04-27 | 1997-01-17 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH10125474A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Tdk Corp | 有機ｅｌ発光素子 |
| JPH10162959A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH10340787A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Sharp Corp | 有機発光素子及びその製造方法 |
| JPH11224783A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1998
- 1998-07-21 JP JP10219896A patent/JP2000040592A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH053080A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPH06163158A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH0917574A (ja) * | 1995-04-27 | 1997-01-17 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH10125474A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Tdk Corp | 有機ｅｌ発光素子 |
| JPH10162959A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH10340787A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Sharp Corp | 有機発光素子及びその製造方法 |
| JPH11224783A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093671A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Korea Electronics Telecommun | 二重絶縁層を有する有機電界発光素子 |
| JP2005019338A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Tadahiro Omi | 有機ｅｌ発光素子、その製造方法および表示装置 |
| JP4603780B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-12-22 | キヤノン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| WO2010134237A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| US8822983B2 (en) | 2009-05-22 | 2014-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof |
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