CN109686857B - 一种显示器件及其封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种显示器件及其封装方法，属于显示技术领域。本发明提供的显示器件，包括基板、发光层、盖膜和薄膜封装结构，所述发光层设置于所述基板上，所述盖膜覆盖所述发光层，所述薄膜封装结构将所述盖膜和所述发光层封装于所述基板上。本发明通过在显示器件中增设盖膜，使得沉积在盖膜上的薄膜封装结构可以具有较高的平整度，且由于盖膜和薄膜封装结构的双重作用，使得显示器件具有较好的封装性能。

Description

一种显示器件及其封装方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件及其封装方法。

背景技术

目前的可弯折装置中(如显示器件)通常直接在被封装物(如发光层)上沉积薄膜封装结构，以将被封装物封装在基板上。

然而，由于显示器件中发光层上具有支撑柱，沉积制作在支撑柱上的薄膜封装结构表面不平整，且由于显示器件的薄膜封装结构强度不足，当显示器件弯折时，支撑柱破损容易导致薄膜封装结构的性能降低。

发明内容

为了提高薄膜封装的质量，本发明提供一种显示器件及其封装方法。

为解决上述问题，本发明提供一种显示器件，包括包括基板，发光层、盖膜和薄膜封装结构，所述发光层设置于所述基板上，所述盖膜覆盖所述发光层，所述薄膜封装结构将所述盖膜和所述发光层封装于所述基板上，其中，所述盖膜包括无机膜层，所述无机膜层在100摄氏度以上的条件下单独沉积形成。

上述的显示器件，所述发光层包括发光元件和支撑柱，所述支撑柱从相邻的所述发光元件间穿过并支撑所述盖膜，所述发光元件与所述盖膜之间保持间隙。

上述的显示器件，所述无机膜层具有背离所述发光层的第一表面；所述盖膜还包括有机膜层，所述有机膜层堆叠于所述第一表面。

上述的显示器件，所述有机膜层为聚酰亚胺聚合物或亚克力类聚合物。

上述的显示器件，所述发光层具有背离所述基板的第二上表面；所述盖膜层在所述第二上表面的投影与所述第二上表面重合。

上述的显示器件，所述无机膜层在400摄氏度至800摄氏度之间的条件下沉积形成。

上述的显示器件，所述无机膜层中含有氮化硅。

上述的显示器件，所述显示器件还包括光学胶层，所述光学胶层设置于所述盖膜和所述发光层之间。

上述的显示器件，所述显示器件还包括元器件，所述元器件设置于所述基板上并位于所述发光层外围，所述薄膜封装结构将所述元器件以及所述发光层和所述盖膜封装于所述基板上。

为解决上述问题，本发明提供一种显示器件的封装方法，包括以下步骤：

在基底上盖膜；

将所述盖膜覆盖于设置在基板上的发光层上并剥离所述基底；

在所述盖膜上制作薄膜封装结构，以将所述盖膜和所述发光层封装于所述基板上，所述盖膜包括无机膜层，所述无机膜层在100摄氏度以上的条件下单独沉积形成。

与现有技术相比，本发明提供的显示器件，包括基板、发光层、盖膜和薄膜封装结构，所述发光层设置于所述基板上，所述盖膜覆盖所述发光层，所述薄膜封装结构将所述盖膜和所述发光层封装于所述基板上。本发明通过在显示器件中增设盖膜，所述盖膜包括无机膜层，所述无机膜层在100摄氏度以上的条件下单独沉积形成，使得沉积在盖膜上的薄膜封装结构可以具有较高的平整度，且由于盖膜和薄膜封装结构的双重作用，使得显示器件具有较好的封装性能。

附图说明

此处所述明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明一示范性实施例中的显示器件的结构示意图；

图2为本发明一示范性实施例中的显示器件的封装方法的流程图；

图3为本发明一示范性实施例中的显示器件的封装方法示意图；

附图标号：

100-显示器件；10-基板；20-发光层；21-第二上表面；30-盖膜；31-无机膜层；311-第一表面；32-有机膜层；40-薄膜封装结构；50-元器件。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明一示范性实施例提供的显示器件100，如图1所示，显示器件100包括：基板10、发光层20、盖膜30和薄膜封装结构40，发光层20设置于基板10上，盖膜30覆盖发光层20，薄膜封装结构40将盖膜30和发光层20封装于所述基板10上。通过在显示器件100中增设盖膜30，使得沉积在盖膜30上的薄膜封装结构40可以具有较高的平整度，由于盖膜30和薄膜封装结构40的双重作用，使得显示器件100具有较好的封装性能。

发光层20中包括发光元件，该发光元件可以为OLED器件。发光层20还包括有支撑柱，在沉积OLED器件时该支撑柱可以用于支撑掩膜板。具体的，支撑柱从相邻的发光元件间伸出，并可以用于支撑盖膜30，以使得发光元件和盖膜30之间保持间隙，从而避免盖膜30接触发光元件而降低发光元件的性能。

具体的，盖膜30中可以包括无机膜层31，无机膜层31用于阻隔水氧进入发光层20。由于无机膜层31中可以含有氮化硅，氮化硅接触到OLED器件会降低OLED器件的性能，因此，上述盖膜30与发光元件之间保持间隙，出射光经过盖膜30后不会大量衰减，也避免出射光的光色发生偏移。

传统的薄膜封装结构40具有无机层，且无机层是沉积在发光层20上方的，为了避免无机层接触OLED器件而造成OLED器件的性能降低，需要在发光层20和无机层之间设置氟化锂层，本发明实施例中，盖膜30由支撑柱支撑而不与发光层20直接接触，因此可以不需要设置隔离氟化锂层。当然，也可以不由支撑柱支撑盖膜30，在盖膜30朝向发光层20的面上制作氟化锂层。

无机膜层31具有背离发光层20的第一表面311。盖膜30还包括有机膜层32，有机膜层32可以堆叠于第一表面311上，使得盖膜30背离发光层20的面具有较高的平整度，且提从而使得沉积在盖膜30上的薄膜封装结构40具有较高的平整度。另外，有机膜层32还可以提高盖膜30的柔韧性。

本发明实施例中，无机层膜层相比有机膜层32更加靠近发光层20，在部分特殊实施例中，也可以是有机膜层32更加靠近发光层20，即可以由支撑柱支撑有机膜层32，无机膜层31覆盖有机膜层32背离发光层20的面上。

其中，有机膜层32可以为聚酰亚胺聚合物或亚克力类聚合物。当要求盖膜30的强度较大时，有机膜层32可以为聚酰亚胺聚合物。当要求盖膜30的制作过程中不会挥发大量气体时，有机膜层32可以为克力类聚合物。具体的，聚酰亚胺聚合物可以由聚酰亚胺预聚物经过光引发剂或热引发剂引发制成，亚克力类聚合物可以由无溶剂的亚克力类预聚物经过光引发剂或热引发剂引发制成。通常，热引发剂引发制得的聚合物所挥发的气体更少。

发光层20具有背离基板10的第二上表面21，盖膜30在第二上表面21上的投影与第二上表面21重合，换言之，盖膜30层叠于第二上表面21，且盖膜30与发光层20在垂直于盖膜30的延伸方向上平齐设置，使得发光层20的第二上表面21可以得到盖膜30的封装保护，且盖膜30不会影响后续沉积的薄膜封装结构40的封装效果。

其中，盖膜30中的有机膜层32和无机膜层31周边平齐，使得盖膜30覆盖发光层20时，第二上表面21可以铺满有机膜层32和无机膜层31。

当然，若盖膜30与发光层20不平齐，封装效果会减弱，但是由于盖膜30中无机膜层31的质量良好，相比现有技术的薄膜封装方法，还是具有较好的封装效果。具体的，盖膜30可以覆盖第二上表面21的一部分；或者是除了第二上表面21外，还覆盖至发光层20的外围。

发光层20朝向盖膜30的面上对封装效果有较高的要求，由于盖膜30的作用，使得薄膜封装结构40只需保证对发光层20边界的封装效果即可，且对薄膜封装结构40的质量要求可以降低，沉积薄膜封装结构40的颗粒大小对显示器件100的封装性能的影响程度也较低。

显示器件100还包括光学胶层(图未示)，光学胶层设置于盖膜30和发光层20之间并填充有光学胶，光学胶层用于防止盖膜30相对发光层20水平移动。

其中，盖膜30的无机膜层31是在100摄氏度以上的条件下单独沉积形成的。传统的薄膜封装结构40中无机层的沉积温度通常低于100摄氏度，使得无机层的致密性较差，封装效果较差。而本发明实施例中盖膜30的无机膜层31在100摄氏度以上的条件下单独沉积形成，因此，该无机膜层31具有更好的致密性，其阻隔水氧的效果更好。

显示器件100中还可以包括元器件50，该元器件50设置于基板10上并位于发光层20外围，该薄膜封装结构40可以将元器件50连同发光层20和盖膜30一并封装在基板10上。

需要说明的是，盖膜30由透光材料制成，薄膜封装结构40也由透光材料制成，使得发光层20的光线可以出射。

本发明实施例所指的薄膜封装结构40，是指由薄膜封装工艺制得的薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)。具体的，薄膜封装结构40包括相互交替沉积的无机层-有机层-无机层封装结构。

本发明又一示范性实施例提供的显示器件的封装方法，如图2所示，包括以下步骤：

S1：在基底上制作盖膜；

S2：将盖膜覆盖于设置在基板上的发光层上并剥离基底；

S3：在所述盖膜上制作薄膜封装结构，以将所述盖膜和所述发光层封装于所述基板上。

相比现有技术的显示器件直接采用薄膜封装结构封装发光层，本发明实施例还制作覆盖于发光层上的盖膜，通过在显示器件中增设盖膜，使得沉积在盖膜上的薄膜封装结构可以具有较高的平整度，且由于盖膜和薄膜封装结构的双重作用，使得显示器件具有较好的封装性能。

具体的，上述盖膜中可以具有无机膜层，即在一基底上制作含有无机膜层的盖膜，且无机膜层朝向发光层。则S1为：在基底上沉积表层为无机膜层的盖膜；S2为：将盖膜的无机膜层覆盖于设置在基板上的发光层并玻璃基底。当然，上述盖膜也可以仅具有有机膜层。

相比现有技术在直接在发光层上沉积制作无机层，本发明的薄膜封装方法中，盖膜中的无机膜层的沉积制作时与发光层是分离的，使得盖膜中无机膜层沉积制作的温度条件可以不受发光层的限制，因此获得的无机膜层的致密性更高，可以更好地保证水氧阻隔性能，获取更好的薄膜封装效果。

在步骤S1中，无机膜层可以在100摄氏度以上的条件下沉积形成。相对于现有技术的显示器件中，在发光层上沉积无机模层的温度通常不应该超过100摄氏度，使得现有技术显示器件的薄膜封装结构的封装性能较差。本发明实施例的无机膜层不再发光层上沉积无机膜层，而且在发光层之外的基底上单独沉积，且基底可以承受高于100摄氏度的温度，使得无机膜层可以在100摄氏度的条件下沉积制作，进而使得无机膜层具有良好的致密性。

具体的，在步骤S1中，沉积制作无机膜层的温度条件优选在400摄氏度至800摄氏度之间，例如500摄氏度，600摄氏度，700摄氏度，，沉积效果相对于现有技术的沉积温度也能够有所改善，如果温度过高，基底材料可能变形或与膜层发生反应。步骤S1中，沉积制作无机膜层所采用的沉积方法是化学气相沉积法，具体可以是等离子体增强化学气相沉积法，当然也可以是其他的沉积方法，不再赘述。

在步骤S1中，具体为，在一基底上沉积制作含无机膜层的盖膜形成盖膜，该盖膜的表层为无机膜层。具体的，该步骤S1中，包括：

S11：在基底上制作有机膜层；

S12：在有机膜层上沉积无机膜层，该无机膜层与有机膜层的平齐。

在步骤S11中，可以采用沉积或印刷的方法制作有机膜层。该有机膜层用于提高盖膜的柔韧性和平整度，有机膜层可以为聚酰亚胺聚合物或亚克力类聚合物。在步骤S12中，在有机膜层上沉积制作无机膜层，使得基底上具有有机膜层和无机膜层，得到的盖膜即包括有机膜层和无机膜层，且有机膜层贴向基底，无机膜层则裸露在外便于贴向发光层。同时，无机膜层与有机膜层平齐，使得盖膜堆叠在发光层上时可以铺满发光层背离基板的上表面上，且盖膜与该上表面平齐，使得发光层的上表面得到良好的封装，且该盖膜也不会影响后续沉积的薄膜封装结构的封装效果。

在步骤S2中，具体包括：

S21：转移盖膜使其位于设置在基板上的发光层的上方，无机膜层朝向发光层；

S22：剥离基底，盖膜脱落以覆盖发光层并由支撑柱支撑，所述支撑柱设置于发光层并从发光层中相邻的发光元件中伸出。

步骤S21可以具体为：将无机膜层朝向发光层且将盖膜与发光层对位，无机膜层位于发光层的正上方且两者平齐。即无机膜层朝向发光层，实现封装目的。且无机膜层与发光层在垂直于无机膜层的延伸平面的方向上平齐，在将两者对位后，无机膜层可以自然落下到发光层上覆盖发光层。其中，

当然，若无机膜层与发光层垂直于无机膜层的延伸平面的方向上不平齐，封装效果会减弱，但是由于无机膜层本身的质量良好，相比现有技术的薄膜封装方法，还是具有较好的封装效果。

步骤S22可以具体为：剥离基底，盖膜脱落至发光层上，且盖膜在发光层上的投影与发光层重叠。基底可以采用激光剥离的方式剥离，盖膜可以在重力作用下脱落在发光层上，且盖膜与发光层的上表面对齐，换言之，盖膜对齐覆盖该上表面，使得发光层可以被较好地封装。当然，在部分实施例中，盖膜与发光层的上表面可以不平齐，也就是盖膜在发光层上的投影与发光层可以不重叠。

在步骤S2中，在剥离基底之前，还可以包括步骤S20：在无机膜层背向基底的面上涂覆光学胶。从而使得盖膜可以粘合于发光层上，避免盖膜在发光层上发生位移。具体的，光学胶可以通过喷涂或刷涂的方式涂覆在无机膜层背向基底的面上。

在步骤S2中，该发光层可以为OLED器件。发光层为OLED器件时，该OLED器件具有发光区，发光区具有朝向盖膜方向的出光面。发光层20具有朝向盖膜方向延伸且突出于出光面的支撑柱，当盖膜堆叠在OLED发光物件上时，盖膜是与发光区在竖直方向上是对齐的，且盖膜与支撑柱贴合。相对现有薄膜封装方法中直接在OLED器件上沉积无机膜层和有机膜层的技术方案，本发明实施例中最贴向OLED器件的无机膜层在支撑柱的定位下与出光面保持间隙，从而避免出光面直接贴合盖膜，避免OLED器件的出射光经过薄膜封装后大量衰减，也避免出射光的光色发生偏移。

步骤S3中，薄膜封装结构的设置使得发光层垂直于盖膜延伸方向的侧面得到良好封装。此外，在步骤S2中，该基板上还设置有位于相邻的发光层之间的元器件。在步骤S3中：薄膜封装结构还覆盖该元器件。其中，元器件可以是电路或其他物件。

本发明的实施例中，盖膜中的无机膜层的沉积制作时与发光层是分离的，使得盖膜中的沉积制作无机膜层的温度条件可以不受发光层中发光元件的限制，能够在较高的温度调节下沉积制作无机膜层，因此沉积获得的无机膜层的致密性更高，可以更好地保证水氧阻隔性能，为发光层提供更好的薄膜封装效果。

图3为本发明实施例中一个在显示器件的封装方法示意图(支撑柱未示出)。图3中，用玻璃(图3中Glass)作为基底，PI为聚酰亚胺(PolyimideFilm)，即采用聚酰亚胺为有机膜层，PECVD无机层为沉积制得的无机膜层，LTPS Glass为显示器件上的基板，LTPSGlass上设置有OLED AA区，OLED AA区为发光层,tfe为薄膜封装结构。

参图3，具体步骤包括：首先，可以在玻璃上沉积有机膜层后沉积无机膜层，且沉积无机膜层是可以在较高温度下进行，如400摄氏度到500摄氏度。为了避免聚酰亚胺挥发释放气体，可以采用无溶剂的聚酰亚胺预聚物经过热引发制得聚酰亚胺聚合物；其次，将玻璃玻璃后，无机膜层和有机膜层作为盖膜，覆盖发光层，且盖膜由支撑柱(图未示)支撑，在无机膜层和发光层之间可以填充光学胶，防止盖膜和发光层之间水平移动，具体的，先将盖膜与发光层对位后剥离基底；最后，利用薄膜封装结构对发光层外边界、发光层和盖膜进行封装。

以上的具体实例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示器件，其特征在于，包括基板，发光层、盖膜和薄膜封装结构，所述发光层设置于所述基板上，所述盖膜覆盖所述发光层，所述薄膜封装结构将所述盖膜和所述发光层封装于所述基板上，其中，所述盖膜包括无机膜层，所述无机膜层在100摄氏度以上的条件下沉积形成；

其中，所述无机膜层在沉积制作时与所述发光层是分离的。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述发光层包括发光元件和支撑柱，所述支撑柱从相邻的所述发光元件间穿过并支撑所述盖膜，所述发光元件与所述盖膜之间保持间隙。

3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述无机膜层具有背离所述发光层的第一表面；所述盖膜还包括有机膜层，所述有机膜层堆叠于所述第一表面。

4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述有机膜层为聚酰亚胺聚合物或亚克力类聚合物。

5.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述无机膜层在400摄氏度至800摄氏度之间的条件下沉积形成。

6.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述无机膜层中含有氮化硅。

7.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述发光层具有背离所述基板的第二上表面；所述盖膜层在所述第二上表面的投影与所述第二上表面重合。

8.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括光学胶层，所述光学胶层设置于所述盖膜和所述发光层之间。

9.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括元器件，所述元器件设置于所述基板上并位于所述发光层外围，所述薄膜封装结构将所述元器件以及所述发光层和所述盖膜封装于所述基板上。

10.一种显示器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基底上制作盖膜；

将所述盖膜覆盖于设置在基板上的发光层上并剥离所述基底；

在所述盖膜上制作薄膜封装结构，以将所述盖膜和所述发光层封装于所述基板上；所述盖膜包括无机膜层，所述无机膜层在100摄氏度以上的条件下沉积形成。

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