KR20100105473A - 조명 장치 제조 장치 및 제조 방법 - Google Patents

조명 장치 제조 장치 및 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 스루풋 좋게 EL 발광을 이용한 조명 장치를 제조할 수 있는 제조 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
진공실과, 진공실을 감압 혹은 고진공 상태로 하는 배기계와, 진공실로 기판을 반송하는 반송실을 갖는 조명 장치의 제조 장치를 제공한다. 이 제조 장치에 있어서, 진공실은 반송실로부터 반송된 기판 위에 제1 전극을 성막하는 성막실과, 제1 전극 위에 적어도 발광층을 갖는 제1 발광 유닛을 성막하는 성막실과, 제1 발광 유닛 위에 중간층을 성막하는 성막실과, 중간층 위에 적어도 발광층을 갖는 제2 발광 유닛을 성막하는 성막실과, 제2 발광 유닛 위에 제2 전극을 성막하는 성막실과, 제2 전극이 형성된 기판 위에 봉지막을 성막하는 성막실과, 성막실 각각에 기판을 순차 반송하기 위한 기판 반송 수단을 가진다.

Description

조명 장치 제조 장치 및 제조 방법{MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHTING DEVICE}
본 발명은, 조명 장치 제조 장치, 특히 발광 소자의 성막에 이용되는 성막실을 구비한 제조 장치 및 그 제조 장치를 이용한 제조 방법에 관한 것이다.
근년, EL(Electro Luminescence)을 나타내는 화합물로 구성되는 박막을 발광층으로서 이용한 소자의 개발이 진행되어, 다양한 화합물을 이용한 발광 소자가 제안되고 있다. 이러한 발광 소자는 정공을 주입하기 위한 전극(양극)과 전자를 주입하기 위한 전극(음극) 사이에 형성된 발광층에서, 정공 및 전자를 재결합시킴으로써, 일렉트로루미네선스(EL)라고 불리는 발광 현상을 발생시키는 것이다.
EL 발광을 이용한 발광 소자의 응용으로서는, 주로 디스플레이와 조명이 기대되고 있다. 조명의 응용을 생각한 경우, 종래의 조명기구인 백열구는 점광원이며, 형광등은 선상(線狀)의 광원이다. 이것에 대하여, 발광 소자는 면상(面狀)의 발광을 부여할 수 있기 때문에, 예를 들면, 시트상의 조명 등, 종래에 없는 형상을 갖는 조명 장치를 제작하는 것이 가능하다고 생각된다. 또한, 면광원이므로, 보다 자연광에 가까운 조명을 간편하게 얻는 것이 가능하게 된다.
이들 발광 소자는 그 발광층(특히, 유기 화합물로 이루어진 발광층)이 산소나 수분에 매우 약하고, 용이하게 열화(劣化)하기 때문에, 양극(혹은 음극)을 형성한 후, 발광층 등을 형성하고, 음극(혹은 양극)을 형성하고, 또한, 봉지할(발광 소자를 밀봉할) 때까지의 프로세스를 일관적으로 대기 개방하지 않고 행하는 기술이 요구된다. 종래의 제조 장치에서는, 성막실이나 봉지실을 멀티 체임버화함으로써, 발광 소자를 제공하였다(예를 들면, 특허문헌 1).
EL 발광을 이용한 발광 소자를 조명 용도로 이용하는 경우, 소자의 크기는 조명으로서 발광하는 크기와 동일하기 때문에, 디스플레이로 이용되는 경우와 비교하면, 고정세화를 필요로 하지 않는 한편, 큰 면적을 필요로 하게 된다. 따라서, EL 발광을 이용한 조명 장치가 시장에 유통하기 위해서는, 양산화, 저비용화가 요구되고, 제조 장치의 생산성의 향상이 더욱 필요하게 된다.
일본국 특개 2001-102170호 공보
상기 문제를 감안하여, 본 발명의 일 양태는, EL 발광을 이용한 조명 장치를 스루풋(throughput) 좋게 제조하는 것이 가능한 제조 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
본 발명의 일 양태의 제조 장치의 하나는, 진공실과, 진공실을 감압 혹은 고진공 상태로 하는 배기계와, 진공실로 기판을 반송하는 반송실을 가진다. 또한, 진공실은 반송실로부터 반송된 기판 위에 제1 전극을 성막하는 성막실과, 제1 전극 위에 적어도 발광층을 갖는 제1 발광 유닛을 성막하는 성막실과, 제1 발광 유닛 위에 중간층을 성막하는 성막실과, 중간층 위에 적어도 발광층을 갖는 제2 발광 유닛을 성막하는 성막실과, 제2 발광 유닛 위에 제2 전극을 성막하는 성막실과, 제2 전극이 형성된 기판 위에 봉지막을 성막하는 성막실과, 성막실 각각에 기판을 순차 반송하기 위한 기판 반송 수단을 가진다.
또한, 본 발명의 일 양태의 제조 장치의 하나는, 진공실과, 진공실을 감압 혹은 고진공 상태로 하는 배기계와, 진공실로 기판을 반송하는 반송실을 가진다. 또한, 진공실은 반송실로부터 반송된 기판 위에 제1 전극을 성막하는 성막실과, 제1 전극 위에 적어도 발광층을 갖는 제1 발광 유닛을 성막하는 성막실과, 제1 발광 유닛 위에 중간층을 성막하는 성막실과, 중간층 위에 적어도 발광층을 갖는 제2 발광 유닛을 성막하는 성막실과, 제2 발광 유닛 위에 제2 전극을 성막하는 성막실과, 제2 전극이 형성된 기판을 봉지 부재에 의해 봉지하는 봉지실과, 성막실의 각각 및 봉지실에 기판을 순차 반송하기 위한 기판 반송 수단을 가진다.
또한, 본 발명의 일 양태의 제조 장치의 하나는, 진공실과, 진공실을 감압 혹은 고진공 상태로 하는 배기계와, 진공실로 기판을 반송하는 반송실과, 진공실과 게이트 밸브를 통하여 접속된 봉지실을 가진다. 또한, 진공실은 반송실로부터 반송된 기판 위에 제1 전극을 성막하는 성막실과, 제1 전극 위에 적어도 발광층을 갖는 제1 유닛을 성막하는 성막실과, 제1 발광 유닛 위에 중간층을 성막하는 성막실과, 중간층 위에 적어도 발광층을 갖는 제2 발광 유닛을 성막하는 성막실과, 제2 발광 유닛 위에 제2 전극을 성막하는 성막실과, 성막실 각각에 기판을 순차 반송하기 위한 기판 반송 수단을 가지고, 봉지실에 있어서, 진공실로부터 반송된 기판을 봉지 부재에 의해 봉지한다.
또한, 본 발명의 일 양태는, 기판을 진공실 내로 반송하고, 진공실 내에 배치되고, 공통의 진공도를 갖는 복수의 성막실에 있어서, 기판 위에 제1 전극, 제1 발광 유닛, 중간층, 제2 발광 유닛, 및 제2 전극을 갖는 발광 소자를 형성하고, 진공실 내에 배치되고, 복수의 성막실과 공통의 진공도를 갖는 봉지실로 발광 소자를 갖는 기판을 반송하고, 봉지실에 있어서, 진공실로부터 반송된 발광 소자를 갖는 기판을 봉지 부재에 의해 봉지하는 조명 장치의 제조 방법이다.
또한, 본 발명의 일 양태는, 기판을 진공실 내로 반송하고, 진공실 내에 배치되고, 공통의 진공도를 갖는 복수의 성막실에 있어서, 기판 위에 제1 전극, 제1 발광 유닛, 중간층, 제2 발광 유닛, 및 제2 전극을 갖는 발광 소자를 형성하여, 발광 소자를 갖는 기판을 진공실과 게이트 밸브를 통하여 접속한 봉지실로 반송하고, 봉지실에 있어서, 진공실로부터 반송된 발광 소자를 갖는 기판을 봉지 부재에 의해 봉지하는 조명 장치의 제조 방법이다.
본 발명의 일 양태인 제조 장치에 의해, 고속 성막, 또는 연속 성막 처리가 가능하게 된다. 또한, 본 발명의 일 양태인 제조 장치에 의해, 재료의 이용 효율의 향상, 또한, 제조 비용의 삭감을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 양태의 제조 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 양태의 제조 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 양태의 제조 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 양태의 제조 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 양태의 제조 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 양태를 나타낸 성막실의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 양태를 나타낸 제조 장치의 타이밍 차트를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 양태를 나타낸 제조 장치의 타이밍 차트를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 양태를 나타낸 성막실의 일부의 단면도 및 상면도이다.
도 10은 본 발명의 일 양태를 나타낸 성막실의 단면도이다.
도 11은 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 12는 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 13은 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 14는 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 15는 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 16은 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 17은 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 18은 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 19는 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 20은 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 21은 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 22는 조명 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 23은 발광 소자의 일례를 나타낸 도면이다.
도 24는 조명 장치의 단면의 일례를 나타낸 도면이다.
도 25는 조명 장치의 적용예를 나타낸 도면이다.
도 26은 조명 장치의 적용예를 나타낸 도면이다.
도 27은 조명 장치의 적용예를 나타낸 도면이다.
이하에, 실시양태에 대하여 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 단, 본 명세서에서 개시하는 발명은 이하의 설명에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지 및 그 범위로부터 일탈하는 일 없이 그 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은, 당업자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서의 실시형태 및 실시예의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 실시형태를 설명하기 위한 모든 도면에서, 동일 부분 또는 동일한 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 그 반복 설명은 생략한다.
[실시형태 1]
본 실시형태에서는, 성막실을 구비한 제조 장치의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 실시형태의 제조 장치의 상면 개략도이다. 또한, 도 2(A) 및 도 2(B)는 도 1에서의 A-B선에 따른 단면도이다.
도 1에 나타낸 제조 장치는 제1 반송실(101), 진공실(103), 제2 반송실(109), 및 제3 반송실(137)을 가진다. 또한, 진공실(103) 중에는, 원통형의 방착판을 구비한 복수의 성막실(115∼131)과, 봉지실(133)과, 기판 반송 수단(107)이 설치되어 있다. 도 1 중, 제1 반송실(101), 및 제2 반송실(109)을 이용하여, 기판의 반입 또는 반출을 행한다. 또한, 제3 반송실(137)을 이용하여 발광 소자의 봉지 부재의 반입을 행한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 기판은 박막을 성막할 수 있는 부재, 또는 박막이 성막된 부재를 나타내고, 디스크 형상(원형 또는 원반 형상이라고도 표기함)을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리 에테르술폰 등으로 이루어진 플라스틱 기판, 유리 기판, 석영 기판 등을 이용할 수 있다. 또한, 가요성 기판을 이용해도 좋다. 가요성 기판은 접어 구부릴 수 있는(flexible) 기판을 말하며, 예를 들면, 플라스틱 기판, 또는, 필름(폴리프로필렌, 폴리에스테르, 비닐, 폴리불화비닐, 염화비닐 등으로 이루어짐), 무기 증착 필름 등을 들 수 있다. 또한, 발광 소자의 제작 공정에 있어서 지지체로서 기능하는 것이라면, 이것들 이외의 것이어도 좋다. 또한, 기판의 크기는 조명 장치의 용도에 따라 적절히 설정하는 것이 가능하다. 단, CD-R 등의 광디스크 디바이스와 동일한 정도의 크기(예를 들면, 직경 10 cm 내지 14 cm의 원형, 바람직하게는 직경 12 cm의 원형)이라면, 생산성, 또는 조명 장치의 취급의 면에서 바람직하다. 또한, 중앙부에 개구부를 갖는 기판을 이용해도 상관없다.
발광 소자를 형성하기 위한 기판은, 제1 반송실(101)로부터 반송 암(도시하지 않음)에 의해 진공실(103) 내로 반송된다. 또한, 진공실(103) 내에서, 기판 반송 수단(107)에 의해 성막실로 순차로 반송되어, 각 성막실에서 발광 소자를 형성하는 EL층 및 전극 등이 성막된 후, 봉지막 또는 봉지 부재에 의해 봉지되어, 반송 암(도시하지 않음)에 의해 제2 반송실(109)로 반송된다. 또한, 기판이 복수장 수납된 카세트를 반송실에 수납해도 좋다.
제1 반송실(101) 및 제2 반송실(109)은 각각 배기계(도시하지 않음)를 가지고, 배기계에 의해 감압 상태, 혹은 고진공 상태로 할 수 있다. 또한, 제1 반송실(101)과 진공실(103)은 게이트 밸브(111)에 의해 나누어져 있고, 제2 반송실(109)과 진공실(103)은 게이트 밸브(113)에 의해 나누어져 있다. 제1 반송실(101) 또는 제2 반송실(109)로 기판을 반출입할 때는 게이트 밸브(111) 또는 게이트 밸브(113)를 폐쇄한 상태로 한다. 반출입을 끝낸 후, 배기계가 동작하여, 소정의 압력에 달하면, 진공실(103)과의 경계의 게이트 밸브를 개방한다.
본 실시형태에 나타내는 제조 장치를 이용하여, 한 쌍의 전극간에 복수의 발광 유닛을 적층한 구성의 발광 소자(소위, 탠덤형 소자(tamdem element)라고 함)를 갖는 조명 장치를 제조할 수 있다. 도 1에서는 제1 전극과 제2 전극과의 사이에, 2개의 발광 유닛을 적층한 탠덤형 소자를 갖는 조명 장치를 제조하는 것이 가능하다. 또한, 본 실시형태에 나타내는 제조 장치는 이것에 한정되는 것은 아니고, 성막실의 개수를 적절히 설정하여 발광 유닛의 층수를 결정하는 것이 가능하다.
제1 반송실(101)로부터 진공실(103) 내로 반입된 기판은, 먼저 성막실(115)로 반송되고, 성막실(115)에서 하지 보호막이 성막된다. 하지 보호막으로서는, 예를 들면, 무기 화합물을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성한다. 무기 화합물의 대표예로서는, 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 질화산화규소 등이 있다. 또는, 하지 보호막으로서, 황화아연과 산화규소를 포함하는 막을 형성해도 좋다. 또한, 성막에는 스퍼터링법을 바람직하게 이용할 수 있다. 하지 보호막을 형성함으로써 발광 소자에 외부로부터 수분이나, 산소 등의 기체가 침입하는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 하지 보호막이 형성된 기판을 성막실(117)로 반송한다. 또한, 성막실(115)에는 제1 반송실(101)로부터 새로운 기판이 반입된다. 성막실(117)에서, 하지 보호막 위에 제1 전극이 성막된다. 제1 전극은 발광 소자의 양극 또는 음극으로서 이용되는 전극이다. 또한, 제1 전극의 성막에는 스퍼터링법을 바람직하게 이용할 수 있다.
제1 전극을 성막한 후, 기판을 성막실(119A)로 반송한다. 또한, 성막실(117)에는 성막실(115)에서 하지 보호막이 형성된 기판이 반입된다. 성막실(119A∼119C)에서 발광 소자의 제1 발광 유닛(EL층이라고도 표기함)이 성막된다. 본 실시형태에서는, 제1 전극이 형성된 기판이 성막실(119A∼119C)로 순차 반송 및 성막됨으로써, 정공 주입성이 높은 물질을 포함하는 층, 발광층, 전자 주입성이 높은 물질을 포함하는 층의 3층이 적층된 제1 발광 유닛(EL층)을 형성하는 것으로 한다.
또한, 발광 유닛의 구성은 적어도 발광층을 가지고 있으면, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 성막실의 개수를 적절히 조정함으로써, 발광층이 일층으로 이루어진 단층 구조로 해도, 또는, 각각 다른 기능을 갖는 층으로 이루어진 적층 구조로 해도 좋다. 예를 들면, 발광층 외에, 정공 주입층, 정공 수송층, 캐리어 블로킹층, 전자 수송층, 전자 주입층 등, 각각의 기능을 갖는 기능층을 적절히 조합하여 구성할 수 있다. 또한, 각각의 층이 갖는 기능을 2개 이상 동시에 갖는 층을 포함하고 있어도 좋다. 또는, 발광층을 복수층 적층시켜도 좋다. 발광 유닛의 각층의 성막에는, 증착법을 바람직하게 이용할 수 있다.
다음에, 제1 발광 유닛이 설치된 기판을 성막실(121A)로 반송한다. 또한, 성막실(119A)에는 제1 전극이 성막된 기판이 반입된다. 성막실(121A 및 121B)에서 발광 소자의 중간층이 성막된다. 중간층은 제1 전극과 제2 전극에 전압을 인가했을 때에, 적층된 한쪽의 발광 유닛에 전자를 주입하고, 다른 한쪽의 발광 유닛에 정공을 주입하는 기능을 가진다. 본 실시형태에서는, 제1 발광 유닛이 설치된 기판이 성막실(121A 및 121B)로 순차 반송 및 성막됨으로써, 정공 수송성이 높은 유기 화합물과 전자 수용체(억셉터)를 포함하는 층과, 전자 수송성이 높은 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 포함하는 층이 적층된 중간층을 형성하는 것으로 한다. 중간층의 각층의 성막에는, 증착법을 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 중간층의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니고, 정공 수송성이 높은 유기 화합물과 전자 수용체(억셉터)를 포함하는 층, 또는, 전자 수송성이 높은 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 포함하는 층의 단층 구조로 해도 좋다.
다음에, 중간층이 형성된 기판을 성막실(123A)로 반송한다. 또한, 성막실(121A)에는 제1 발광 유닛이 성막된 기판이 반입된다. 성막실(123A∼123D)에서 발광 소자의 제2 발광 유닛(EL층)이 성막된다. 본 실시형태에서는, 중간층이 형성된 기판이 성막실(123A∼123D)로 순차 반송 및 성막됨으로써, 예를 들면, 정공 주입층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층의 4층이 적층된 제2 발광 유닛(EL층)을 형성하는 것으로 한다. 또한, 제2 발광 유닛은 제1 발광 유닛과 마찬가지로, 적어도 발광층을 가지고 있으면 좋고, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 성막실의 실(室)의 수는 적절히 조정하는 것이 가능하다. 또한, 하나의 성막실에서 2층 이상의 성막을 행하여도 좋다. 또한, 제1 발광 유닛과 제2 발광 유닛은 같은 구성이어도 다른 구성이어도 좋다. 발광 유닛의 각층의 성막에는, 증착법을 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 제1 발광 유닛으로부터 얻어지는 발광의 발광색과 제2 발광 유닛으로부터 얻어지는 발광의 발광색이 보색의 관계에 있는 경우, 외부로 취출되는 발광은 백색이 된다. 또는, 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛의 각각이 복수의 발광층을 갖는 구성으로서, 복수층의 발광층 각각에 있어서, 서로 보색이 되는 발광색을 중첩시킴으로써, 각 발광 유닛이 백색 발광을 얻을 수 있는 구성으로 해도 좋다. 보색의 관계로서는, 청색과 황색, 혹은 청록색과 적색 등을 들 수 있다.
다음에, 제2 발광 유닛이 설치된 기판을 성막실(125)로 반송한다. 또한, 성막실(123A)에는 중간층이 성막된 기판이 반입된다. 성막실(125)에서, 제2 발광 유닛 위에 제2 전극이 성막된다. 또한, 제1 전극 및 제2 전극은 한쪽을 양극으로서 이용하고, 다른 한쪽을 음극으로서 이용한다. 제2 전극의 성막에는, 스퍼터링법을 바람직하게 이용할 수 있다.
이상의 공정으로, 한 쌍의 전극간에 복수의 발광 유닛을 적층한 구성의 발광 소자를 기판 위에 형성할 수 있다.
다음에, 제2 전극이 형성된 기판을 성막실(127)로 반송한다. 또한, 성막실(125)에는 제2 발광 유닛이 성막된 기판이 반입된다. 성막실(127)에서, 제2 전극 위에 건조제층을 형성한다. 건조제층을 형성함으로써, 수분 등에 의한 발광 소자의 열화를 막을 수 있다. 건조제층에 이용하는 건조제로서는 산화칼슘이나 산화바륨 등의 알칼리토류 금속의 산화물과 같은 화학 흡착에 의해 수분을 흡수하는 물질을 이용하는 것이 가능하다. 그 외의 건조제로서, 제올라이트나 실리카 겔 등의 물리 흡착에 의해 수분을 흡착하는 물질을 이용해도 좋다. 건조제층은 스퍼터링법을 이용하여 제2 전극 위에 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 건조제층은 반드시 형성할 필요는 없다.
다음에, 건조제층이 형성된 기판을 성막실(129)로 반송한다. 또한, 성막실(127)에는 제2 전극이 성막된 기판이 반입된다. 성막실(129)에서, 건조제층의 위에 봉지막이 성막된다. 봉지막은 하지 보호막과 같은 재료를 이용하여 성막할 수 있고, 스퍼터링법에 의해 성막하는 것이 바람직하다. 봉지막을 형성함으로써, 외부로부터의 수분이나, 불순물 등이 침입하는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 봉지막이 형성된 기판을 성막실(131)로 반송한다. 또한, 성막실(129)에는 건조제층이 형성된 기판이 반입된다. 성막실(131)에서, 발광 소자가 형성된 기판에 시일재가 성막된다. 시일재는 발광 소자가 설치된 기판, 및 봉지 부재와의 부착을 위해 제공되고, 예를 들면, 열 경화성 수지 또는 자외광 경화성 수지 등을 이용할 수 있다.
다음에, 발광 소자를 갖는 기판을 봉지실(133)로 반송한다. 또한, 성막실(131)에는 봉지막이 성막된 기판이 반입된다. 봉지실(133)에서, 발광 소자를 갖는 기판과 봉지 부재를 중첩하여, 자외선 조사 또는 가열에 의해 시일재를 경화시켜, 발광 소자를 갖는 기판과 봉지 부재를 압착시킨다. 봉지 부재는 게이트 밸브(139)에 의해 진공실(103)과 분단된 제3 반송실(137)로부터 진공실(103)로 반송된다. 봉지실(133)은 봉지 부재를 수납하는 카세트를 가지고 있는 것이 바람직하다. 또는, 봉지실(133)과는 별도로 봉지 부재를 수납하는 예비실을 설치해도 좋다. 또한, 봉지실(133)에서 자외선 조사로 시일재를 경화시키는 경우에는, 발광 소자에 자외선을 조사하지 않도록 마스크를 이용하는 것으로 한다.
봉지 부재로서는, 예를 들면, 플라스틱(가요성 기판), 유리, 또는, 석영 등을 이용할 수 있다. 플라스틱으로서는, 예를 들면, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰 등으로 이루어진 부재를 들 수 있다. 또한, 필름(폴리프로필렌, 폴리에스테르, 비닐, 폴리불화비닐, 염화비닐 등으로 이루어짐), 무기 증착 필름을 이용할 수도 있다. 또한, 봉지재로서 기능하는 재질의 것이라면, 이것들 이외의 것을 이용할 수도 있다. 또한, 봉지 부재는 발광 소자를 갖는 기판과 마찬가지로, 직경 10 cm 내지 14 cm의 원형, 바람직하게는 직경 12 cm의 원형인 것이 바람직하다.
또한, 봉지 부재는 반드시 형성할 필요는 없고, 발광 소자를 봉지막에 의해 봉지한 후, 기판을 제조 장치로부터 반출해도 좋다. 또한, 봉지 부재를 형성하는 경우에는, 봉지막은 반드시 형성할 필요는 없다. 또한, 시일재는 반드시 발광 소자를 갖는 기판측에 형성할 필요는 없고, 봉지 부재측에 형성해도 좋다. 또한, 미리 시일재가 형성된 봉지 부재를 봉지 부재 반송부로부터 진공실 중으로 반송해도 좋다.
이상의 공정에 의해, 진공실(103) 내에서 연속적으로 발광 소자의 각층의 성막, 및 발광 소자의 봉지를 행하여, 조명 장치를 얻을 수 있다.
도 2에, 구체적인 성막 공정의 일례를 나타낸다. 도 2는 도 1에서의 A-B선에 따른 제조 장치의 단면도이다. 도 2에서는 성막 공정의 일례로서, 성막실(117)에서의 스퍼터링법을 이용한 성막과, 성막실(119A)에서의 증착법을 이용한 성막을 도시하고 있다. 성막실은 각각, 원통형의 방착판(209)을 가지고 있다. 또한, 도 2에 도시하지 않은 다른 성막실에서도, 도 2에 준한 성막을 하고 있는 것으로 한다.
도 2(A)는 진공실(103) 내에서의 성막 공정을 나타내고 있다. 진공실(103)은 밀폐된 구조를 가지고, 배기계(201)에 의해 감압 상태, 혹은 고진공 상태로 할 수 있다. 또한, 진공실 내에 설치된 복수의 성막실 및 봉지실은 배기계(201)에 의해 감압되어 있고, 공통의 진공도를 가진다. 배기계(201)로서는, 자기 부상형의 터보 분자 펌프, 크라이오 펌프, 또는 드라이 펌프를 이용한다. 진공 배기 수단에 의해 진공실(103)의 도달 진공도를 10-5∼10-6 Pa로 하는 것이 가능하다. 또한, 배기계(201)는 복수 설치해도 상관없다.
기판 반송 수단(107)은 기판 홀더(215)를 복수 가지고, 기판 홀더(215)에 의해 기판(221)이 보유되어 있다. 기판 홀더(215)는 예를 들면, 정전 척 등의 흡착 수단, 또는, 클램프 등의 고정 지그(jig)에 의해 기판을 보유하고 있다. 또한, 기판(221)이 중앙부에 개구부를 갖는 경우에는, 이 개구부로부터 기판을 보유하는 폴(pawl)을 기판 홀더(215)에 설치해도 좋다.
기판 홀더(215)는 도시하지 않은 상하 구동 기구에 의해, 상하로 이동하는 것이 가능하다. 또한, 기판 홀더(215)를 회전시키는 회전 기구를 형성하는 것이 바람직하다. 성막 처리를 행할 때에는, 기판 홀더(215)가 하강하여, 각 성막실의 원통형의 방착판(209) 위에 설치된 성막용의 마스크(211) 상방으로 기판(221)을 배치한다. 마스크(211)는 정렬 마커(alignment marker)를 가지고 있는 것이 바람직하다. 또한, 각 성막실에서 동시에 복수장의 기판을 처리함으로써, 스루풋의 향상을 더욱 도모할 수 있다.
본 실시형태에서, 성막실(117)에서는 스퍼터링법을 이용하여 제1 전극이 성막된다. 성막실(117)에 설치된 방착판(209)의 내측에는, 스퍼터 타겟(203), 고주파 전원(205), 가스 도입 수단(207)이 설치되어 있다. 기판 위에 균일한 막을 성막하기 위해, 성막을 행할 때는 기판 홀더(215)를 회전시키는 것이 바람직하다.
스퍼터링법은 DC(직류) 스퍼터링법이어도 좋고, RF(고주파) 스퍼터링법의 어느 것을 이용해도 좋다. DC 스퍼터링법을 행하는 경우, 스퍼터 타겟(203)이 부(負)로 인가되고, 기판(221)은 접지 전위로 한다. RF 스퍼터링법을 행하는 경우, 기판(221)은 전기적으로 플로팅(접지 전위로부터 뜬) 상태로 하여 이용한다. 또한, 성막실(117) 및 성막실(125)에서, 금속 박막으로 이루어진 전극을 성막하는 경우에는, DC 스퍼터링을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 성막실(115), 성막실(127), 및 성막실(129)에서 무기 재료를 타겟으로 이용하여 성막하는 경우에는, RF 스퍼터링을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 성막실(119A)에서는, 증착법을 이용하여 정공 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이 성막된다. 성막실(119A)에 설치된 방착판(209)의 내측에는, 용기(60) 및 용기를 가열하는 히터(59)를 설치한다. 용기(60)는 열용량이 작은 물질을 이용하여, 고온, 고압, 감압에 견딜 수 있는 것으로 한다. 또한, 용기 내부에는 공급관의 선단에 설치된 노즐(58)로부터 재료 혼합 가스(56)가 공급된다. 재료 혼합 가스(56)는 봄베나 밸브나 유량계 등을 거쳐 공급된다.
방착판(209)의 재료로서는, 철, 알루미늄, 스테인리스 스틸 등의 금속을 바람직하게 이용할 수 있다. 또한, 방착판(209)의 외주에는, 세관(細管) 히터(54)가 설치되어 있다. 기판(221)을 원형으로 함으로써, 막 두께 편차가 억제된 막을 성막하는 것이 가능하게 된다. 또한, 증착 시에는, 기판 홀더(215)를 회전시키는 것이 바람직하다.
각각의 성막실에서 성막을 끝낸 후, 도 2(B)에 나타낸 바와 같이 기판 홀더(215)를 상승시켜, 기판 반송 수단(107)을 도면의 화살표 방향으로 소정의 각도만큼 회전시켜, 기판(221)을 다음 성막실의 상방으로 반송한다. 또한, 기판 홀더(215) 대신에, 기판 반송 수단(107)에 상하 구동 기구를 설치해도 좋다. 도 2(B)에서는 기판 반송 수단(107)이 반시계 방향으로 회전함으로써, 성막실(117)에서 제1 전극이 성막된 기판이 성막실(119A)의 상방으로 반송되고, 성막실(119A)에서 증착을 끝낸 기판이 성막실(119B)의 상방으로 반송된다. 또한, 성막실(115)로부터, 하지 보호막의 성막을 끝낸 기판을 성막실(117)의 상방으로 반송된다. 또한, 기판 반송 수단의 회전 각도는 성막실의 실의 수 등에 따라 적절히 설정할 수 있다. 또한, 기판 반송 수단의 회전 방향은 도 2에 한정되는 것은 아니다.
본 실시형태에 나타내는 제조 장치는, 성막실(115∼131), 및 봉지실(133)이 진공실(103)에서 공통의 진공도를 가지기 때문에, 게이트 밸브를 사이에 두고 복수 설치된 성막실을 이용하는 경우와 비교하여, 반송 수단의 단순화, 반송 시간 및 반송 거리의 단축화를 할 수 있어, 스루풋을 현격히 향상시킬 수 있다. 또한, 진공실 내에 복수의 성막실 및 봉지실을 배치함으로써, 성막실 및 봉지실의 각각에 배기계를 형성하는 경우와 비교하여, 배기계의 수를 생략할 수 있다. 또한, 진공실에 불활성 가스를 도입하는 불활성 가스 도입 수단의 수를 생략할 수 있어, 제조 장치를 간략화할 수 있다. 따라서, 조명 장치의 생산성이 향상된다. 또한, 각각의 성막실의 사이에 게이트 밸브가 설치되지 않기 때문에, 장치 전체적으로 비용 저감을 가능하게 하고, 또한, 메인트넌스도 간단하고 쉬운 것으로 할 수 있다.
또한, 기판으로서 중앙부에 개구부를 갖는 기판을 이용하는 경우에는, 기판 홀더(215)에 개구부의 내측으로부터 기판을 지지하는 폴(pawl)을 설치해도 좋다. 또한, 이 폴을 마스크로서 이용하는 것도 가능하다. 이 경우의 반송예를 도 3을 이용하여 설명한다.
기판 홀더(215)에는, 각 성막실에 대응하여 각각 다른 크기(직경)를 갖는 폴(227)이 설치되어 있다. 도 3에서는 폴(227a)이 성막실(117)에, 폴(227b)이 성막실(119A)에, 폴(227c)이 성막실(119B)(도시하지 않음)에 각각 대응한 크기를 가진다.
도 3(A)에 나타낸 바와 같이, 각각의 성막실에서 성막을 끝낸 후, 마스크(211) 위에 기판(221)을 재치(載置)하여, 기판 홀더(215)가 상승한다. 그리고 기판을 반송하는 경우와는 반대 방향(시계 방향)으로 기판 반송 수단(107)을 소정의 각도만큼 회전시켜, 인접하기 직전의 성막실의 상방에 기판 홀더(215)를 배치한다. 예를 들면, 폴(227a)을 갖는 기판 홀더를 성막실(115)(도시하지 않음)의 상방에, 폴(227b)을 갖는 기판 홀더를 성막실(117)의 상방에, 폴(227c)을 갖는 기판 홀더를 성막실(119A)의 상방에 각각 배치한다.
다음에, 기판 홀더(215)를 하강시켜, 각 성막실 방착판(209) 위에 설치된 기판(221)을 지지한 후, 기판 반송 수단을 도 3(A)와 반대 방향(반시계 방향)으로 소정의 각도만큼 회전시켜, 각각의 폴의 크기에 대응한 성막실의 상방으로 기판을 반송한다. 그 후, 기판 홀더를 하강시켜, 성막을 행함으로써, 각각의 성막실에 대응한 폴을 마스크로서 이용한 성막을 행할 수 있고, 원형의 기판의 개구부의 주위에 취출 단자 등의 패터닝을 행하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시형태의 제조 장치에서, 마스크(211) 및 방착판(209)에 부착한 재료를 유기용매 등으로 세정하고 회수하여, 재이용해도 좋다. 세정액으로부터 발광층에 포함되는 이리듐 등의 재료를 회수해 재이용함으로써, 자원의 낭비를 없애고, 비교적 고가의 EL 재료를 효율적으로 사용, 또는 재이용할 수 있다. 따라서, 조명 장치를 저비용화할 수 있다
또한, 본 실시형태에서, 복수의 성막실은 원주상으로 배치된 구성을 나타냈지만, 제조 장치의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니고, 클린 룸의 레이아웃 등에 의해 적절히 변경할 수 있다. 예를 들면, 진공실(103)을 직방체 형상으로 하고, 복수의 성막실을 직선 위에 배치해도 좋다. 혹은 도 4에 도시한 바와 같이 성막실을 U자형으로 배치해도 좋다. 또한, 도 4에 도시한 제조 장치는, 제1 반송실(101), 진공실(103), 제2 반송실(109)을 가진다. 또한, 도 1에 나타낸 제조 장치와 마찬가지로 진공실(103) 내에서, 조명 장치에 포함되는 발광 소자의 각층의 성막과, 발광 소자의 봉지를 연속적으로 행한다. 제조 장치를 U자형으로 하는 경우, 예를 들면, 각 성막실 위에 배치된 레일(400) 등을 이용하여 기판을 각 성막실에 연속적으로 반송하는 것이 가능하다.
또한, 도 4에서, 성막실(131) 및 봉지실(133)은 발광 소자를 봉지 부재를 이용하여 봉지하기 위해 설치되어 있고, 발광 소자를 봉지막에 의해 봉지하는 경우에는, 반드시 형성할 필요는 없다. 또한, 발광 소자를 봉지 부재를 이용하여 봉지하는 경우, 발광 소자를 갖는 기판 또는 봉지 부재에 시일재를 성막하는 성막실(131)과, 봉지실(133)을 진공실(103)과는 다른 체임버로서 설치해도 좋다. 또는, 성막실(131) 대신에, 시일재가 설치된 봉지 부재를 수납하는 예비실을 설치해도 좋다.
본 실시형태에서는, 진공실(103) 내에서 조명 장치를 봉지하는 예를 나타냈지만, 제조 장치의 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 진공실(103)과는 별도로 봉지실을 형성한 제조 장치로 해도 좋다. 도 5에서는, 게이트 밸브(401)에 의해 제2 반송실(109)과 구분된 봉지실(403)을 가진다.
도 5에 나타낸 제조 장치를 이용하여, 진공실(103)의 성막실(115∼127)에서, 기판 위에 하지 보호층, 제1 전극, 제1 발광 유닛, 중간층, 제2 발광 유닛, 제2 전극 및 건조제층을 연속적으로 성막한 후, 봉지실(403)에서 대기에 노출하는 일 없이 봉지 부재로 봉지하기 위한 가공을 행한다. 또한, 진공실(103)에 봉지막을 성막하는 성막실을 더 형성하여, 봉지막에 의해 봉지된 발광 소자를 봉지실(403)로 반송해도 상관없다. 봉지실(403)은 질소 분위기 하로 하여 봉지 부재와 소자 기판과의 사이의 공간에는 건조된 질소 등의 불활성 기체를 충전해도 좋다.
봉지 부재로서는 유리, 세라믹, 플라스틱 혹은 금속 등을 이용할 수 있다. 또는, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 아라미드, 프리프레그 등의 유기 수지 재료를 이용해도 좋다. 단, 봉지 부재측에 광을 방사시키는 경우는 투광성을 갖는 봉지 부재를 이용하는 것으로 한다. 또한, 봉지 부재와 발광 소자가 형성된 기판은 열 경화성 수지 또는 자외광 경화성 수지 등의 시일재를 이용하여 부착할 수 있고, 열처리 또는 자외광 조사 처리에 의해 수지를 경화시켜 밀폐 공간을 형성한다. 이 밀폐 공간 중에 산화바륨 등의 건조재를 형성하는 것도 유효하다.
또한, 봉지 부재와 발광 소자가 형성된 기판과의 공간을 열 경화성 수지 혹은 자외광 경화성 수지 등의 시일재로 충전하는 것도 가능하다. 이 경우, 열 경화성 수지 혹은 자외광 경화성 수지 중에 건조재를 첨가해도 좋다.
이상에 나타낸 본 실시형태의 제조 장치는, 제조 장치의 소형화, 풋프린트의 공간절약화를 도모할 수 있다. 또한, 이 제조 장치를 이용하여 조명 장치를 제조함으로써, 생산성 향상, 제조 비용 저감을 도모할 수 있다. 또한, 이 제조 장치를 이용함으로써, 자원의 낭비를 없앨 수 있어, 지구 환경에 적응한 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 제조 장치는, 연결된 인-라인(in-line) 처리가 가능한 장치이기 때문에, 고속 성막, 또는 연속 성막 처리가 가능하다. 또한, 재료의 이용 효율을 향상시킬 수 있어, 조명 장치의 제조 비용의 삭감을 실현한다.
또한, 본 실시형태는, 다른 실시형태와 적절히 조합하는 것이 가능하다.
[실시형태 2]
본 실시형태에서는, 제조 장치에 설치된 성막실의 일례에 대하여 설명한다. 구체적으로는, 유기 재료를 증착법을 이용하여 성막하고, 발광 소자의 발광 유닛, 또는 중간층의 형성을 행하는 성막실의 일례에 대하여 설명한다. 도 6은 개략 구성도의 단면이다.
성막실(11)은 진공 배기 수단이 설치된 진공실 중에 설치되어 있고, 불활성 가스 도입 수단이 설치되어 있다. 진공 배기 수단으로서는, 자기 부상형의 터보 분자 펌프, 크라이오 펌프, 또는 드라이 펌프를 이용한다. 진공 배기 수단에 의해 성막실(11)의 도달 진공도를 10-5∼10-6 Pa로 하는 것이 가능하다. 또한, 성막실(11) 내부에 불순물이 도입되는 것을 막기 위해, 도입하는 가스로서는, 질소나 희가스 등의 불활성 가스를 이용한다. 성막실(11) 내부에 도입되는 이러한 가스는, 장치 내로 도입되기 전에 가스 정제기에 의해 고순도화된 것을 이용한다. 따라서, 가스가 고순도화된 후에 성막 장치에 도입되도록 가스 정제기를 준비해 둘 필요가 있다. 이것에 의해, 가스 중에 포함되는 산소나 물, 그 외의 불순물을 미리 제거할 수 있기 때문에, 장치 내부에 이러한 불순물이 도입되는 것을 막을 수 있다.
또한, 성막실(11)에는 기판(10)을 고정하는 기판 보유 수단(기판 홀더)(12)이 설치되어 있다. 기판 보유 수단(12)은 정전 척 등으로 기판을 고정하고, 또한, 기판 보유 수단(12)에는 일부에 투명창부가 설치되어 있고, 기판 보유 수단(12)의 투명창부와 중첩되는 위치에 설치된 촬상 수단(CCD 카메라 등)에 의해 기판(10)의 위치 확인을 가능하게 하고 있다. 또한, 기판(10)의 위치 확인이 필요하지 않은 경우에는, 특히 투명창부 및 촬상 수단은 형성하지 않아도 좋다.
또한, 기판 보유 수단(12)에는 성막의 균일성을 높이기 위해 기판 회전 제어부(13)가 설치되어 있다. 성막시에 기판(10)을 회전시킴으로써 막 두께 균일성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 기판 회전 제어부(13)는 성막 전후에 기판의 반송을 행할 수 있는 기구로 해도 좋고, 그 경우는 기판 이동 제어부라고도 부를 수 있다. 예를 들면, 성막 전에 다른 처리실로부터 진공을 유지한 채로 기판을 성막실(11)에 도입해도 좋고, 성막 후에 성막실(11)로부터 다른 처리실에 진공을 유지한 채로 기판을 반출해도 좋다.
또한, 성막시에 유기 재료, 대표적으로는 유기 화합물이 성막실(11)의 내벽에 부착되는 것을 방지하기 위한 방착판(15)이 설치되어 있다. 이 방착판(15)을 설치함으로써, 기판 위에 성막되지 않았던 유기 화합물을 부착시킬 수 있다. 또한, 방착판(15)의 주위에는, 전열선 등의 세관 히터(14)가 접하여 설치되어 있고, 세관 히터(14)에 의해, 방착판(15) 전체를 가열할 수 있다. 성막 시, 방착판(15)의 온도(TB)는, 기판의 온도(TS)보다 10℃ 이상 높게 제어하는 것이 바람직하다.
또한, 기판(10)의 하방과 중첩되도록 용기(20) 및 용기를 가열하는 히터(19)를 형성한다. 용기(20)는 열용량이 작은 물질을 이용하고, 고온, 고압, 감압에 견딜 수 있는 것으로 한다. 또한, 용기 내부에는 공급관의 선단에 설치된 노즐(18)로부터 재료 혼합 가스(16)가 공급된다. 재료 혼합 가스(16)는 봄베나 밸브나 유량계 등을 거쳐 공급된다. 또한, 노즐(18)의 배치는 도 6에 한정되지 않고, 예를 들면, 도 2에 도시한 바와 같이 성막실의 하부로부터 가스를 도입해도 좋다.
또한, 용기의 온도를 정밀하게 제어하기 위해, 히터에 더하여 제어부에 의해 제어 가능한 냉각 기구를 구비해도 좋다. 냉각 기구로서는 예를 들면, 펠티에 소자(Peltier element)를 이용할 수 있다. 또는, 용기의 주변에 세관을 설치하고, 세관에 냉각수를 도입하여 용기의 냉각을 행하도록 구성해도 좋다. 냉각 기구를 제공함으로써, 보다 정밀한 온도 제어가 가능하게 된다. 예를 들면, 히터에 의한 급속한 가열에 의해 용기가 소망의 온도를 너무 초과하는 것을 방지하여, 냉각 기구에 의해 용기의 온도를 일정하게 제어할 수 있다. 열용량이 작은 용기를 이용하기 때문에, 히터와 냉각 기구의 양쪽을 제어한 용기의 온도를 유기 재료의 온도에 재빠르게 반영할 수 있다.
재료 혼합 가스(16)는 적어도 유기 재료의 분말과, 캐리어 가스를 포함하는 혼합 가스로서, 노즐(18)로부터 용기 내부에 공급될 때에는, 예비 가열해 두는 것이 바람직하다. 유기 재료를 예비 가열하는 것에 의해, 기판으로의 증착을 개시할 수 있을 때까지 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다. 예비 가열하는 방법으로서는, 히터로 가열된 캐리어 가스와 유기 재료의 분말을 혼합하여 재료 혼합 가스(16)를 예비 가열하는 방법, 또는 공급관의 외측에 설치된 히터 등에 의해 재료 혼합 가스(16)를 예비 가열하는 방법이 있다.
또한, 재료 혼합 가스(16)에 불순물이 도입되는 것을 방지하기 위해, 캐리어 가스로서는, 질소나 희가스 등의 불활성 가스를 이용한다. 캐리어 가스는 성막실(11) 내에 공급되기 전, 또는 유기 재료와 혼합하기 전에 가스 정제기에 의해 고순도화된 것을 이용한다. 따라서, 가스가 고순도화된 후에 성막 장치에 도입되도록 가스 정제기를 구비해 두는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 캐리어 가스 중에 포함되는 산소나 물, 그 외의 불순물을 미리 제거할 수 있기 때문에, 공급관 내부 및 노즐 내부에 이러한 불순물이 부착되는 것을 막을 수 있다.
또한, 재료 혼합 가스(16)의 유량은 밸브의 개폐나, 유량계나 봄베의 압력 등을 이용하여 제어할 수 있고, 제어부(21)에 의해 재료 혼합 가스(16)의 유량과 히터(19)의 온도를 모두 제어한다. 또한, 도 6에서는 밸브의 개폐를 제어부(21)에 의해 제어함으로써, 재료 혼합 가스(16)의 유량을 조절하는 예를 나타내고 있다. 단, 제어부(21)에 의해 재료 혼합 가스(16)의 유량을 조절하는 방법은, 도 6에 나타낸 구성에 한정되지 않는다.
용기(20)는 열용량이 작은 물질(텅스텐, 몰리브덴 등)로 이루어지는 도가니나 접시를 이용하고, 제어부(21)에 의해 제어된 히터(19)의 온도에 의해 용기에 공급되는 유기 재료의 온도와, 재료 혼합 가스(16)의 유량의 양쪽 모두를 조정하여, 안정적인 유기 재료의 증착을 행할 수 있다. 또한, 도가니란, 개구부를 갖는 통 모양의 용기를 가리킨다.
또한, 히터(19)와 기판(10)과의 사이에는 도 6 중에 점선으로 나타낸 셔터 또는 게이트가 설치되어 있다. 셔터는 기화한 유기 재료의 증착을 제어하기 위해, 증착원으로부터의 승화 속도가 안정될 때까지, 기판(10)을 덮어 두기 위한 셔터이다. 또한, 도 6에서는 셔터축(17)을 회전시킴으로써 셔터의 개폐를 행하는 예를 나타내고 있다. 단, 셔터를 개폐하는 방법은 도 6에 나타낸 구성에 한정되지 않는다.
또한, 도 6에서는 페이스 다운 방식으로 기판(10)을 세트하는 예를 나타내고 있다. 페이스 다운 방식이란, 기판의 피성막면이 아래를 향한 상태로 성막하는 방식을 말하고, 이 방식에 의하면 오물의 부착 등을 억제할 수 있다.
또한, 도 7(A), 도 7(B), 및 도 7(C)은 기판(10)으로의 증착 전부터 증착 후의 수순 및 2번째장의 기판의 증착을 개시하는 수순을 나타낸 타이밍 차트이다. 도 7(A)은 종축이 히터의 전원 전력, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 도 7(B)는 종축이 용기의 온도, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 또한, 도 7(C)는 성막실(11)로의 기판의 도입 타이밍 및 다른 처리실(반송실도 포함함)로의 기판의 반출 타이밍을 나타내는 도면이다.
이하에, 도 6 및 도 7을 참조하면서 유기 박막을 형성하는 수순에 대하여 설명한다. 도 7의 설명은 반응실에 기판을 반입하기 전의 단계부터 도시되어 있고, 그 후에 행해지는 각 처리가 시계열적으로 도시되어 있다.
먼저, 성막실(11) 내로의 기판의 도입전의 성막실(11) 내의 압력을 1×10-4 Pa보다 낮게 하는 진공 배기를 행한다. 단, 대기압으로부터 진공 배기하는 것에 한정되지 않고, 상시 어느 정도의 진공도로 진공실을 유지해 두는 것이, 대량생산을 행함에 있어 바람직하다. 또는, 단시간에 도달 진공도를 낮추는데 있어서 바람직하다.
다음에, 히터(19)의 전원을 온으로 하여 제1 전력(P1)으로 설정하고, 히터(19)의 열로 용기(20)(도가니)를 가열하고, 용기의 온도를 제1 온도(T1)로 한다. 이 제1 온도(T1)로 하는 시간을 단축하기 위해 일시적으로 높은 제1 전력(P1)에 히터(19)의 전원을 설정하고 있다.
용기(20)의 온도를 제1 온도(T1)로 한 후, 히터(19)의 전원을 제1 전력(P1)보다 낮은 제2 전력(P2)으로 설정하여, 가열을 계속한다. 이 시점이 스탠바이 상태의 시점(70)을 나타낸다.
다음에, 노즐(18)로부터 재료 혼합 가스(16)를 용기(20) 내로 도입한다. 도입하면 용기 내에 공급되는 재료량에도 의하지만, 일시적으로 용기(20)의 온도가 낮아져, 제2 온도(T2)가 된다. 이 시점이 재료 혼합 가스(16) 공급 후 상태의 온도 변화점(71)을 나타낸다. 또한, 재료 혼합 가스(16)의 온도도 제1 온도(T1)에 맞춘 온도로 하는 것이 바람직하다.
다음에, 용기(20)의 가열을 계속 행하여, 용기(20)의 온도가 제1 온도(T1)와 같은 제3 온도(T3)로 복귀된 후, 성막실(11)에 기판(10)을 도입한다. 이 시점이 기판(10)의 도입 시점(80)을 나타낸다. 제3 온도(T3)로 복귀되었을 때의 히터(19)의 전원은, 제2 전력(P2)과 같은 제3 전력(P3)으로 설정되어 있다.
다음에, 단시간에 용기(20)의 온도를 제4 온도(T4)로 상승시키기 위해, 일시적으로 높은 제4 전력(P4)에 히터(19)의 전원을 설정한다. 이 때의 상승을 위해 전력(△P)의 분을 추가하여 단시간에 제4 온도(T4)로 안정시킨다. 여기에서는, 선형 제곱법의 근사식에 기초하여 승온의 가속을 붙이기 위한 전력을 투입한다. 또한, 용기(20)의 온도가 제4 온도(T4)가 되면 자동적으로 증착이 개시된다. 이 시점이 용기(20)의 온도가 제4 온도(T4)에 도달한 시점(72)을 나타낸다. 이 시점 이후에, 셔터를 열어, 기판으로의 증착을 개시한다. 도 7(B)에서 점선으로 그린 곡선은, 전력(△P)의 분을 추가하지 않는 경우의 용기의 온도 변화를 나타낸다.
다음에, 용기(20)의 온도가 제4 온도(T4)로 안정된 단계에서, 제4 전력(P4)보다 낮은 제5 전력(P5)으로 설정하여, 가열을 계속한다. 이 시점의 용기(20)의 온도는 제5 온도(T5)이며, 제4 온도(T4)와 같은 온도, 증착을 시키는 지정 온도이다. 또한, 제5 온도(T5), 제3 온도(T3), 제1 온도(T1)는 공급하는 유기 재료에 따라 다르기 때문에, 최적의 온도로 적절히 실시자가 설정한다.
다음에, 일정한 가열을 행하여, 기판 셔터를 닫아 기판으로의 성막을 종료시킨다. 성막 종료 직전의 히터(19)의 전원은 제6 전력(P6)으로 설정되어 있다. 또한, 제6 전력(P6)은 제5 전력(P5)과 같다. 또한, 증착 종료 직전 시점의 용기(20)의 온도는 제6 온도(T6)이며, 제5 온도(T5)와 같은 온도이다.
다음에, 기판을 반출한 후, 제6 전력(P6)보다 낮은 제7 전력(P7)으로 설정하여, 유기 재료의 증발을 종료시킨다. 또한, 제7 전력(P7)으로 설정하기 전에 기판 셔터를 닫게 해둔다.
또한, 기판 반출 시점(81)에서는, 제6 전력(P6)보다 낮은 제7 전력(P7)으로 설정되어 있기 때문에, 가열은 계속되고, 다시 스탠바이 상태(스탠바이 상태의 시점(70)과 같은 상태)로 할 수 있다. 기판 반출 시점(81)은 스탠바이 상태이며, 제7 온도(T7)는 증착을 시작하기 직전의 온도이다. 또한, 제7 전력(P7)은 제3 전력(P3)과 같다.
이상의 수순으로 1번째장의 기판(10)에 성막을 행할 수 있다. 성막을 끝낸 기판은 다음의 성막실로 반송된다.
또한, 상기 수순은 용기에 노즐로부터 유기 재료를 공급한 후, 히터(19)로 용기의 온도를 상승시킴으로써 증착을 행하는 예를 나타내고 있다. 도 6에 나타낸 제조 장치를 이용하면, 기판 한 장분의 최소한으로 필요한 양을 노즐로부터 용기에 공급하여, 최소한의 전력을 이용한 가열로 증착을 행할 수 있기 때문에, 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 노즐로부터 용기에 공급하는 유기 재료의 양 및 히터(19)의 전력 및 그 전력 투입 타이밍을 제어부(21)에서 정밀하게 조절하는 것이 바람직하다. 필요하다면 막 두께 모니터를 성막실 내에 형성하고, 제어부(21)에서 모니터하면서, 유기 재료의 공급량, 히터(19)의 전력, 및 그 전력 투입 타이밍을 조절한다.
또한, 2번째장의 기판을 성막실에서 성막하는 경우에는, 1번째장의 기판의 성막이 종료된 후, 기판 반출 시점(81)에서 1번째장의 기판을 성막실로부터 반출하고, 용기에 2번째의 재료 공급을 행하여, 스탠바이 상태로 한 후, 2번째장의 기판을 성막실로 도입해 성막을 행한다.
2번째의 재료 공급 시점이 재료 혼합 가스(16) 공급 후의 상태의 온도 변화점(74)을 나타내고 있다. 또한, 재료 혼합 가스(16) 공급 후에 용기(20)의 온도가 제8 온도(T8)에 도달한 시점으로부터 2번째장의 기판으로의 성막을 개시한다. 단시간에 용기(20)의 온도를 제8 온도(T8)로 상승시키기 때문에, 일시적으로 높은 제8 전력(P8)으로 히터(19)의 전원을 설정한다. 또한, 제8 전력(P8)은 제4 전력(P4)과 같다.
또한, 도 6에서는, 방착판과 공급관이 접촉하고 있는 예를 나타내고 있다. 공급관 외벽에 증착막이 형성되면 열이 확산되고 공급관의 온도의 저하를 부를 우려가 있기 때문에, 공급관도 가열하는 것이 바람직하다. 공급관 내부에 가열된 재료 혼합 가스를 흘리는 경우, 가열된 재료 혼합 가스에 의해 공급관도 가열된다. 바람직하게는, 공급관의 온도를 방착판과 같은 온도(TS)로 하기 때문에, 방착판과 공급관을 용착하여 고정하고, 방착판에 설치된 세관 히터의 열을 이용하여 공급관도 가열할 수 있다. 적어도 성막실 내에 설치되어 있는 공급관의 부분을 방착판에 설치된 세관 히터의 열을 이용하여 가열하고, 공급관 내벽에 재료 고착에 의한 관의 막힘, 및 공급관 외벽의 재료 부착을 방지할 수 있다. 또한, 성막실 외부에 설치되어 있는 공급관에는 별도 히터를 형성하여 가열하고, 공급관 내벽에 재료 고착에 의한 관의 막힘을 방지하는 것이 바람직하다. 또한, 도 6의 방착판과 공급관이 접촉하는 구조에 한정되지 않고, 성막실 내에 설치되어 있는 공급관의 부분에 세관 히터 등의 가열 수단을 감는 것이라면, 성막실의 상면을 관통시켜 공급관을 설치해도 좋고, 성막실의 하면을 관통시켜 공급관을 설치해도 좋다.
또한, 열의 확산을 막기 위해, 공급관이 성막실의 벽과 접촉하는 부분에는, 공급관을 둘러싸도록 단열재를 형성하여, 공급관의 온도를 보유하는 것이 바람직하다. 공급관과 성막실의 벽의 사이에 단열재를 형성함으로써, 공급관의 열이 성막실의 스테인리스 스틸 부재(또는 알루미늄 부재)에 전해져, 국소적으로 공급관이 냉각되는 것을 막을 수 있다.
또한, 성막실 내벽 또는 방착판에 부착된 피막이나 분말을 제거하기 위해서는, 클리닝을 행한다. 또한, 성막실 내벽 또는 방착판에 부착된 피막이나 분말을 회수해 재이용할 수도 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 자유롭게 조합할 수 있다.
[실시형태 3]
실시형태 2에서는 1장의 기판을 처리하는 수순을 주로 나타냈지만, 본 실시형태에서는, 복수장의 기판의 증착을 연속하여 행하여, 간헐적으로 용기에 유기 재료를 공급하는 수순을 나타낸다. 또한, 실시형태 1, 및 2와 공통되는 부분은 같은 부호를 이용하여 설명한다.
또한, 도 8(A), 도 8(B), 및 도 8(C)는 기판(10)으로의 증착 전부터 증착 후의 수순 및 복수장의 기판의 증착을 개시하는 수순을 나타낸 타이밍 차트이다. 도 8(A)는 종축이 히터의 전원 전력, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 도 8(B)는 종축이 용기의 온도, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 또한, 도 8(C)는 성막실(11)의 기판의 도입 타이밍 및 다른 처리실(반송실도 포함함)로의 기판의 반출 타이밍을 나타내고 있는 도면이다.
본 실시형태에서는, 1번째장의 기판의 성막이 종료된 후, 1번째장의 기판을 성막실로부터 반출하고, 용기에 2번째의 재료 공급을 행하고, 스탠바이 상태로 한 후, 2번째장의 기판을 성막실에 도입하여 성막을 행하는 예를 나타낸다. 또한, 진공실 내에 기판을 대기시키는 예비실을 설치해도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 6에 나타낸 제조 장치를 이용하여, 한 번에 기판 복수장분의 필요한 양을 노즐로부터 용기에 공급해 둔다. 이 시점이 재료 혼합 가스(16) 공급 후 상태의 온도 변화점(71)을 나타내고 있다.
1번째장의 기판의 증착을 행하여, 제5 전력(P5)으로 설정하고, 용기를 제5 온도(T5)로 할 때까지의 수순은 실시형태 2와 동일하기 때문에, 그 이후의 수순을 이하에 설명한다.
1번째장의 성막을 끝낸 후, 간헐적으로 2번째장의 기판, 3번째장의 기판을 순차로 성막실 내로 도입한다. 도 8(C)에 2번째장의 기판 도입 시점(82), 2번째장의 기판 반출 시점(83), 3번째장의 기판 도입 시점(84), 3번째장의 기판 반출 시점(85)을 나타낸다. 본 실시형태에서는 1회의 재료 공급으로 3장의 기판으로의 성막을 행하지만, 특별히 한정되는 것은 아니고, 1회의 재료 공급으로 3장 이상의 기판에 성막을 행하여도 좋다.
그 후, 2번째의 재료 공급을 행한 후, 4번째장의 기판을 도입한다. 또한, 도 8(B)에는 2번째의 재료 공급 후의 상태의 온도 변화점(74)을 나타내고 있다. 또한, 도 8(C)에 4번째장의 기판 도입 시점(86)을 나타내고 있다. 또한, 재료 혼합 가스(16) 공급 후에 용기(20)의 온도가 제8 온도(T8)에 도달한 시점에서 4번째장의 기판의 성막을 개시한다. 단시간에 용기(20)의 온도를 제8 온도(T8)로 상승시키기므로, 일시적으로 높은 제8 전력(P8)에 히터(19)의 전원을 설정한다. 또한, 제8 전력(P8)은 제4 전력(P4)과 같다.
다음에, 4번째장의 증착을 끝낸 후, 이어서 5번째장 이후의 기판에 대하여 성막 처리를 행하는 경우에는, 반복 재료 공급과 기판의 도입 및 반출이 마찬가지로 행해진다. 본 실시형태는 대량생산에 적합하고, 복수장의 기판에 대하여 수율 좋게 성막을 행하여, 스루풋도 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 수순에 한정되지 않고, 미리, 성막실에 복수장의 기판을 대기시켜 두고, 연속적으로 성막을 행하여, 모든 기판으로의 성막이 전부 끝난 후에 순차 성막실에 반출하는 수순으로 해도 좋다. 여기서, 연속적으로 성막이란, 성막실 내를 진공으로 유지한 채로 복수의 기판에 순차 성막을 행하는 것을 가리킨다.
또한, 성막실의 사이즈가 커지게 되지만, 성막실에 복수장의 기판을 세트할 수 있는 구성으로 하여, 각각에 대하여 중첩되는 용기를 복수 설치하여, 복수의 노즐로부터 공급하는 것에 의해, 동시에 복수장의 성막을 단시간에 행하는 것도 할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 자유롭게 조합할 수 있다.
[실시형태 4]
본 실시형태에서는, 공증착을 행하는 용기의 일례를 도 9에 나타낸다.
도 9(A)는 제1 용기(31)와, 제1 용기를 둘러싸는 히터(34)와, 제1 용기에 연결한 제1 공급관(38)과, 제1 공급관(38)을 둘러싸는 세관 히터(36)를 나타내고 있는 단면도이다. 제1 공급관(38)으로부터 공급되는 재료 혼합 가스(30)는, 제1 용기(31) 내로 도입된 후, 히터(34)의 열에 의해 승화되어 비산한다.
또한, 도 9(A)는 제2 용기(32)와, 제2 용기를 둘러싸는 히터(35)와, 제2 용기에 연결한 제2 공급관(39)과, 제2 공급관(39)을 둘러싸는 세관 히터(37)도 나타내고 있는 단면도이다.
제2 공급관(39)으로부터 공급되는 재료 혼합 가스(40)는 제2 용기(32) 내로 도입된 후, 히터(35)의 열에 의해 승화되어 비산한다.
또한, 제1 공급관(38)으로부터 공급되는 재료 혼합 가스(30)와, 제2 공급관(39)으로부터 공급되는 재료 혼합 가스(40)의 재료를 다르게 함으로써, 공증착을 행할 수 있다. 제2 용기(32)의 개구로부터 비산하는 제1 유기 화합물 재료와 제1 용기(31)의 개구로부터 비산하는 제2 유기 화합물 재료가 기판에 도달하는 동안에 혼합되어, 기판에 공증착이 행해진다.
또한, 제1 공급관(38)을 둘러싸는 세관 히터(36)와 제2 공급관(39)을 둘러싸는 세관 히터(37)는 가열을 행하여 공급관의 온도를 실시형태 2에 나타낸 제3 온도(T3)와 같은 온도가 되도록 제1 공급관(38)으로부터 공급되는 재료 혼합 가스(30) 및 제2 공급관(39)으로부터 공급되는 재료 혼합 가스(40)를 가열한다.
제1 공급관(38)으로부터 공급되는 재료 혼합 가스(30)는 질소, 아르곤, 헬륨 등의 캐리어 가스를 공급하는 에어 건으로 유기 재료가 송출된다. 또한, 제1 공급관(38)을 둘러싸는 세관 히터(36)와 제2 공급관(39)을 둘러싸는 세관 히터(37)는 용기의 열용량을 고려하여, 공급관의 온도를 실시형태 2에 나타낸 제5 온도(T5) 또는 그것에 가까운 온도가 되도록 설정하는 것도 가능하다.
제1 용기를 둘러싸는 히터(34), 및 제2 용기를 둘러싸는 히터(35)는 각각 전력 제어되어, 제1 용기(31) 및 제2 용기(32)를 각각 실시형태 2에 나타낸 제1 온도(T1) 내지 제7 온도(T7)의 온도 조절을 하여 증착을 행한다.
또한, 제1 용기의 개구 부근과 제2 용기의 개구 부근은 증착물이 달라붙지 않도록 제1 용기를 둘러싸는 히터(34), 및 제2 용기를 둘러싸는 히터(35)를 제5 온도(T5) 이상의 온도로 하는 것이 바람직하다.
또한, 도 9(A)의 상면도를 도 9(B)에 나타내고 있다. 도 9(B)에는 제1 용기(31)와, 제1 용기에 연결한 제1 공급관(38)과, 제2 용기(32)와, 제2 용기에 연결한 제2 공급관(39)이 도시되어 있다.
도 9(A) 및 도 9(B)에 나타낸 용기, 공급관, 및 히터를 실시형태 2의 노즐(18), 용기(20), 및 히터(19) 대신에 제조 장치를 구성할 수 있다.
또한, 3개의 용기를 이용하여 공증착을 행하는 경우, 도 9(C)에 나타낸 바와 같이 제1 용기(41), 제2 용기(42), 및 제3 용기(43)을 배치하면 좋다. 도 9(C)는 상면도를 나타내고 있다. 3개의 용기에 각각 설치되는 히터나 공급관은 도 9(A)에 나타낸 바와 같은 것을 이용하면 좋다. 도 9(C)에 나타낸 3개의 용기를 이용하여 각각 다른 재료를 공급하는 것에 의해 3 종류의 유기 화합물을 포함하는 막을 성막할 수 있다.
또한, 도 9(C)에 나타낸 용기, 공급관, 및 히터를 실시형태 2의 노즐(18), 용기(20), 및 히터(19) 대신에 제조 장치를 구성할 수도 있다.
또한, 본 실시형태는 다른 실시형태와 자유롭게 조합할 수 있다.
[실시형태 5]
본 실시형태에서는, 유기 재료를 증착하는 성막실의 다른 일례에 대하여 설명한다. 도 10은 개략 구성도의 단면이다.
도 10에서, 성막실(51)은 진공 배기 수단이 설치된 진공실 중에 설치되어 있고, 불활성 가스 도입 수단이 설치되어 있다. 또한, 불활성 가스 도입 수단은 성막실(51) 내의 진공 배기를 행한 후에 불활성 가스로 충전할 때에 이용된다. 또한, 성막실(51)에는 기판(50)을 고정하는 기판 보유 수단(52)이 설치되고, 또한, 성막의 균일성을 높이기 위해 기판 회전 제어부(53)가 설치되어 있다. 또한, 성막실(51)의 내벽에 부착되는 것을 방지하기 위한 방착판(55)에는 전열선 등의 세관 히터(54)가 접하여 설치된다. 또한, 셔터축(57)을 회전함으로써 셔터의 개폐를 행한다.
본 실시형태에서는, 용기(60)를 가열하는 히터(59)가 유기 재료(61)의 예비 가열을 행하고, 히터(59)에 의해 유기 재료(61)는, 유기 재료(61)의 승화 온도 미만으로 가열된다. 그리고, 노즐(58)로부터 유기 재료(61)를 향하여 가열 가스(56)를 도입함으로써, 유기 재료(61)의 승화 온도 이상으로 가열한다. 또한, 노즐로부터 공급된 가열 가스는 용기의 온도(TC)보다 높은 온도로 하고, 용기(60) 내의 유기 재료(61)를 유기 재료(61)의 승화 온도 이상으로 가열한다.
또한, 본 실시형태에서는, 유기 재료(61)를 용기(60) 내에 공급하는 방식은 기류에 의해 공급하는 방식에 한정되지 않고, 유기 재료(61)를 로드상(狀), 와이어상, 가요성 필름에 부착한 상태, 분말상의 유기 재료(61)를 기계적 기구(공급관 내에 설치된 스크류를 회전하는 기구 등)에 의해 공급하는 방식 등을 이용할 수 있다. 또한, 가열 가스(56)를 공급하는 노즐(58)과는 별도로, 기류에 의해 유기 재료를 용기 내에 공급하는 노즐을 설치해도 좋다.
또한, 제어부(63)는 2개의 밸브의 사이에 설치된 유량계(62)의 유량과 히터(59)의 온도를 조절한다. 또한, 제어부(63)는 공급관에 흐르는 가스의 온도도 조절할 수 있도록 공급관 내에 형성한 온도 센서를 모니터할 수 있는 기능을 갖게해도 좋다.
또한, 노즐(58)의 배출구로부터 공급하는 불활성 가스를 가열하지 않으면, 진공실 내의 진공 배기를 행한 후에 불활성 가스로 충전할 때에 이용하는 불활성 가스 도입 수단으로 할 수 있어, 공급계를 하나 줄일 수 있다.
또한, 본 실시형태는 다른 실시형태와 자유롭게 조합할 수 있다.
[실시형태 6]
본 실시형태에서는, 상기 실시형태에 나타낸 제조 장치를 이용하여 제조된 조명 장치의 일 양태에 대하여 도 11 및 도 12를 이용하여 설명한다.
도 11은 조명 장치의 평면도이며, 도 12(A)는 도 11에서의 선 E-F, 도 12(B)는 도 11에서의 선 G-H의 단면도이다.
하지 보호막(배리어층)으로서 절연막(902)이 형성된 기판(900) 위에 제1 전극층(904), EL층(906), 및 제2 전극층(908)을 포함하는 발광 소자(932)가 형성되고, 발광 소자(932)는 제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)의 일부를 제외하고 절연막(910)으로 덮여 있다. 절연막(910)은 발광 소자의 EL층(906)을 외부로부터의 물 등의 오염 물질로부터 보호하는 보호층, 봉지막으로서 기능한다. 또한, 기판(900)은 환형(디스크 형상, 원반형, 또는 원형) 형상을 가지고 있고, 발광 소자(932)를 형성하기 위한 박막을 성막할 수 있는 부재를 이용한다.
기판(900)은 환형 형상의 기판이기 때문에, 기판(900) 위에 적층되는 절연막(902), 제1 전극층(904), EL층(906), 제2 전극층(908), 및 절연막(910)도 그 형상을 반영하여, 개략 환형 형상으로 형성된다.
제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)은 절연막(910) 위에 형성되는 제1 보조 배선(911), 제2 보조 배선(913)과 각각 접속하기 위해, 기판(900)의 외주부까지 연장하여 설치하고 있고, 이 연장 설치 영역에 있어서 절연막(910)은 덮지 않고, 제1 전극층(904), 및 제2 전극층(908)이 노출하고 있다. 이 제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)의 노출 영역은 각각 제1 전극층(904)과 제1 보조 배선(911)과의 접속부, 제2 전극층(908)과 제2 보조 배선(913)과의 접속부가 된다.
제1 전극층(904)이 연장되어 설치된 노출 영역에 접하여 제1 보조 배선(911)이 형성되고, 마찬가지로 제2 전극층(908)이 연장되어 설치된 노출 영역에 접하여 제2 보조 배선(913)이 형성되어 있다. 제1 보조 배선(911) 및 제2 보조 배선(913)은 외부 전원의 단자와의 접속을 위한 조명 장치측의 단자로서 기능하고, 외부 전원의 단자와의 제1 접속부(912)(조명 장치의 제1 단자부라고도 함), 제2 접속부(914)(조명 장치의 제2 단자부라고도 함)를 가지고 있다. 제1 보조 배선(911) 및 제2 보조 배선(913)에 의해, 제1 전극층(904)의 접속부인 제1 접속부(912), 및 제2 전극층(908)의 접속부인 제2 접속부(914)는 발광 소자(932)와 동일면 위에서 원형의 기판 중앙부에 형성할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 기판이나 조명 장치의 중앙부는 중앙 및 중앙 부근을 포함하는 영역을 말한다.
기판(900)의 외주부(E)에 있어서는, 절연막(902) 위에, 제1 전극층(904)이 형성되고, 제1 전극층(904) 위에 제1 전극층(904)의 단부를 덮도록 EL층(906)이 적층되고, EL층(906) 위에 EL층(906)의 단부를 덮어 기판(900)의 외주부(E)측으로 연장 설치하여, 제2 전극층(908)이 형성되어 있다. 제2 전극층(908)이 연장 설치된 영역은 제2 전극층(908) 위에 적층되는 절연막(910)은 형성되지 않고 노출되어 있다. 그 노출된 제2 전극층(908)에 접하여 절연막(910) 위에 제2 보조 배선(913)이 기판(900) 중앙부까지 형성되어 있다. 따라서 제2 전극층(908)과 전기적으로 접속된 제2 보조 배선(913)에 의해, 기판(900) 중앙부에 외부 전원과의 제2 접속부(914)를 형성할 수 있다.
기판(900)의 외주부(F)에 있어서는, 절연막(902) 위에, 제1 전극층(904)이 기판(900)의 외주부(F)측으로 연장 설치하여 형성되어 있다. 제1 전극층(904) 위에 EL층(906), 제2 전극층(908)이 적층되고, EL층(906) 및 제2 전극층(908) 위에 EL층(906) 및 제2 전극층(908)의 단부를 덮도록 절연막(910)이 형성된다. 외주부(F)에 있어서, 제1 전극층(904)의 연장 설치된 영역은 제1 전극층(904) 위에 적층되는 EL층(906), 제2 전극층(908), 절연막(910)은 형성되지 않고 노출되어 있다. 그 노출된 제1 전극층(904)에 접하여 절연막(910) 위에 제1 보조 배선(911)이 기판(900) 중앙부까지 형성되어 있다. 따라서 제1 전극층(904)과 전기적으로 접속된 제1 보조 배선(911)에 의해, 기판(900) 중앙부에 외부 전원과의 제1 접속부(912)를 형성할 수 있다.
기판(900)의 외주부(G) 및 외주부(H)에 있어서는, 절연막(902) 위에, 제1 전극층(904)이 형성되고, 제1 전극층(904) 위에 제1 전극층(904)을 덮도록 EL층(906)이 형성되고, EL층(906) 위에 제2 전극층(908)이 형성된다. 제1 전극층(904), EL층(906), 및 제2 전극층(908) 위에, EL층(906) 및 제2 전극층(908)의 단부를 덮도록 절연막(910)이 형성되어 있다.
이와 같이, 조명 장치에서, EL층(906)은 제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)이 접하지 않도록, 제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)의 사이에 형성되어 있다. 또한, EL층(906)의 단부는 절연막(910) 또는 제2 전극층(908)에 의해 덮이는 구조로 되어 있다.
따라서, 발광 소자(932)에서, 제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)은 접촉에 의한 쇼트를 발생시키지 않고, 발광 소자(932)로부터 안정적인 발광을 얻을 수 있다. 또한, EL층이 물 등에 의해 열화하는 것을 막아, 조명 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.
본 실시형태의 조명 장치는, EL층(906)으로부터의 광을 제1 전극층(904), 절연막(902), 기판(900)을 투과하여 취출하는 조명 장치이다. 따라서, 제1 전극층(904), 절연막(902), 기판(900)은 EL층(906)으로부터의 광을 투과하는 투광성일 필요가 있다. 또한, 본 명세서에서 투광성이란, 적어도 가시광의 파장 영역의 광에 대하여 광을 투과하는 성질을 가리킨다.
한편, 제2 전극층(908), 절연막(910), 제1 보조 배선(911), 및 제2 보조 배선(913)은 반드시 투광성을 가질 필요는 없다. 제2 전극층(908)이 반사성을 가지면, 기판(900)측으로부터의 광의 취출 효율을 높일 수 있다.
기판(900)에 이용하는 부재의 구체적인 예로서는, 플라스틱(가요성 기판), 유리, 또는, 석영 등을 이용할 수 있다. 플라스틱으로서는, 예를 들면, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰 등으로 이루어지는 부재를 들 수 있다. 또한, 필름(폴리프로필렌, 폴리에스테르, 비닐, 폴리불화비닐, 염화비닐 등으로 이루어짐), 무기 증착 필름을 이용할 수도 있다. 또한, 발광 소자의 제작 공정에서 지지체로서 기능하는 것이면, 이것들 이외의 것을 이용할 수도 있다.
또한, 기판(900)의 크기로서는, 조명 장치의 용도에 따라 적절히 설정하는 것이 가능하지만, 생산성, 및 취급의 면에서 CD-R 등의 광디스크 디바이스와 동일한 정도의 크기(예를 들면, 직경 10 cm 내지 14 cm, 바람직하게는 직경 12 cm의 원반 형상)로 하는 것이 보다 바람직하다.
따라서, 도 11 및 도 12에 나타낸 조명 장치는, 직경 10 cm 내지 14 cm, 바람직하게는 직경 12 cm이며, 1.2 mm 내지 1.5 mm의 두께의 원반 형상을 갖는 조명 장치로 할 수 있다.
하지 보호막으로서 기능하는 절연막(902)은, 예를 들면, 무기 화합물을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성한다. 무기 화합물의 대표예로서는, 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 질화산화규소 등이 있다. 또한, 절연막(902)으로서, 황화아연 및 산화규소를 포함하는 막(ZnS·SiO2막)을 이용해도 좋다. 또한, 절연막(902)으로서, 질화규소, 질화산화규소, 산화질화규소 등을 이용함으로써, 외부로부터 EL층에 수분이나, 산소 등의 기체가 침입하는 것을 방지할 수 있다.
보호막, 봉지막으로서 기능하는 절연막(910)으로서는, 예를 들면, 무기 화합물, 유기 화합물을 이용할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성한다. 무기 화합물을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성한다. 무기 화합물의 대표예로서는, 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 질화산화규소, 질화알루미늄, 산화질화알루미늄, 질화산화알루미늄 또는 산화알루미늄, 다이아몬드 라이크 카본(DLC), 질소 함유 탄소 등이 있다. 또한, 절연막(910)으로서, 황화아연 및 산화규소를 포함하는 막(ZnS·SiO2막)을 이용해도 좋다.
또한, 유기 화합물로서는, 폴리이미드, 아크릴, 벤조시클로부텐, 폴리아미드, 에폭시 등을 이용할 수 있다. 또한, 상기 유기 재료 외에, 저유전율 재료(low-k 재료), 실록산계 수지, PSG(phosphosilicate glass: 인 유리), BPSG(borophosphosilicate glass: 인 붕소 유리) 등을 이용할 수 있다.
또한, 실록산계 수지란, 실록산계 재료를 출발 재료로서 형성된 Si-O-Si 결합을 포함하는 수지에 상당한다. 실록산계 수지는 치환기로서, 유기기(예를 들면, 알킬기나 아릴기)나 플루오로기를 이용해도 좋다. 또한, 유기기는 플루오로기를 가지고 있어도 좋다.
제1 보조 배선(911), 제2 보조 배선(913)은 도전성 재료를 이용하면 좋고, 예를 들면, 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 니켈(Ni), 구리(Cu)로부터 선택된 재료 또는 이것들을 주성분으로 하는 합금 재료를 이용하여, 단층으로 또는 적층하여 형성할 수 있다. 또한, 산화텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화티탄을 포함하는 인듐 산화물, 산화티탄을 포함하는 인듐 주석 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화규소를 첨가한 인듐 주석 산화물 등의 도전성 재료를 이용해도 좋다.
본 실시형태의 조명 장치는 간편한 제조 공정에 의한 제작이 가능하므로, 양산화를 실현할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 조명 장치는, 소자 열화하기 어려운 구조를 가지므로 장수명인 조명 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 조명 장치는, 박막 경량화를 실현함과 동시에 외부 전원과의 전기적인 접속을 용이하게 할 수 있으므로, 다양한 용도에 이용할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 다른 실시형태와 자유롭게 조합할 수 있다.
[실시형태 7]
본 실시형태에서는, 실시형태 6에 나타낸 조명 장치와 외부 전원을 접속하기 위해, 조명 장치에 접속 부재를 형성하는 예를 도 13 내지 도 16에 나타낸다.
도 14(A), 도 14(B)는 조명 장치에 접속 부재를 형성하는 예이며, 도 13은 조명 장치와 접속 부재와의 접속부를 상세하게 설명한 도면이다.
도 14(A), 도 14(B)에서, 조명 장치(930)에 접속 부재(950)(캡이라고도 함)가 장착되어 있다. 접속 부재(950)는 제어 회로(952), 제1 접속 배선(954), 제2 접속 배선(956), 제1 취출 배선(958), 제2 취출 배선(960)을 가지고 있고, 조명 장치(930)는 발광 소자(932)를 포함하여, 절연막(910)에서 접속부를 제외하고 봉지되어 있다. 조명 장치(930)는 실시형태 1 내지 5에 제조 방법을 나타낸 조명 장치를 적용할 수 있다. 접속 부재(950)는 직경 10 mm∼40 mm, 대표적으로는 25 mm 정도의 것을 이용하면 좋다. 실시형태 1 내지 5에 제조 방법을 나타낸 조명 장치는 접속 부재와의 접속부를 중앙부에 형성하는 것이 가능하기 때문에, 접속 부재를 조명 장치 중앙부에 형성할 수 있다.
도 13에 나타낸 바와 같이, 접속 부재(950)는 조명 장치(930)에서 발광 소자(932)의 제1 전극층과 접속하는 제1 접속부(912), 제2 전극층과 접속하는 제2 접속부(914)와, 이방성 도전막(962)을 통하여 전기적으로 접속한다. 제1 접속부(912)와 제1 접속 배선(954), 제어 회로(952)를 통하여 제1 취출 배선(958)이 전기적으로 접속하고, 제2 접속부(914)와 제2 접속 배선(956), 제어 회로(952)를 통하여 제2 취출 배선(960)이 전기적으로 접속한다. 접속 부재(950)를 외부 전원에 접속함으로써, 외부 전원으로부터 전력의 공급을 받을 수 있고, 조명 장치를 점등시킬 수 있다.
제어 회로(952)는, 일례로서, 외부 전원으로부터 공급되는 전원 전압을 바탕으로, 발광 소자(932)를 일정한 휘도로 점등시키기 위한 기능을 갖는 회로이다. 제어 회로(952)는, 일례로서, 정류 평활 회로, 정전압 회로, 정전류 회로를 갖는다. 정류 평활 회로는 외부의 교류 전원으로부터 공급되는 교류 전압을 직류 전압으로 하기 위한 회로이다. 정류 평활 회로는, 일례로서, 다이오드 브릿지 회로, 평활 용량 등을 조합하여 구성하면 좋다. 정전압 회로는 정류 평활 회로로부터 출력되는 리플을 포함한 직류 전압을, 안정화된 정전압의 신호로서 출력하는 회로이다. 정전압 회로는 스위칭 레귤레이터, 또는 시리즈 레귤레이터 등을 이용하여 구성하면 좋다. 정전류 회로는 정전압 회로의 전압에 따라 정전류를 발광 소자(932)에 출력하는 회로이다. 정전류 회로는 트랜지스터 등을 이용하여 구성하면 좋다. 또한, 여기에서는 외부의 전원으로서 상용 교류 전원을 상정하여, 정류 평활 회로를 형성하는 구성을 나타냈지만, 외부의 전원이 직류 전원인 경우, 정류 평활 회로를 형성하지 않아도 좋다. 또한, 제어 회로(952)에는, 필요에 따라, 휘도를 조정하기 위한 회로, 서지 대책으로서 보호 회로 등을 설치해도 좋다.
도 13에서는 접속 부재(950)와 조명 장치(930)의 접속부와의 접속에 이방성 도전막(962)을 이용하는 예를 나타내지만, 접속 부재(950)와 조명 장치(930)의 접속부와의 전기적 접속을 할 수 있는 방법 및 구성이라면 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 접속 부재(950) 및 조명 장치(930)의 접속부에 이용하는 도전막을 땜납 접속이 가능한 재료로 형성하여, 땜납을 이용하여 접속해도 좋다.
도 14(A)와 도 14(B)는 접속 부재(950)의 형상이 다른 것이며, 접속 부재(950)는 조명 장치(930)와의 전기적 접속을 할 수 있는 접속 배선 및 외부 전원으로부터 전력을 공급할 수 있는 취출 배선을 가지고 있으면 다양한 형상을 이용할 수 있다.
도 15(A), 도 15(B)는 조명 장치에 접속 부재를 형성하는 예이며, 도 14(A), 도 14(B)에서 조명 장치(930)의 절연막(910) 위에 봉지 기판(934)을 더 형성하여, 발광 소자(932)를 봉지하는 예이다.
봉지 기판(934)에 의해 발광 소자(932)를 기판(900)과의 사이에 봉지함으로써, 외부로부터의 수분이나, 발광 소자를 열화시키는 물질이 침입하는 것을 더욱 방지할 수 있다. 또한, 외부로부터의 물리적인 충격을 완화할 수 있기 때문에, 조명 장치로서 물리적 강도를 높일 수 있다. 따라서, 조명 장치의 신뢰성이 향상되므로, 사용할 수 있는 환경이 넓어져, 다용도로 이용할 수 있다.
도 15(A), 도 15(B)의 접속 부재(950)가 형성된 조명 장치(930)의 사용 형태의 예를 도 16(A), 도 16(B)에 나타낸다. 도 16(A)는 접속 부재(950)의 형상에 맞추어, 천정(940)에 나사 고정형으로 설치한 예이며, 도 16(B)는 천정(940)에 걸이형(걸이 실링(twist locking socket)이라고도 함)으로 설치한 예이다. 도 16(A), 도 16(B)에서도, 접속 부재(950)의 제1 취출 배선과 제2 취출 배선은, 각각 제1 외부 전극(942), 제2 외부 전극(944)에 접속하여, 전력을 조명 장치(930)에 공급한다.
봉지 기판(934)으로서는 발광 소자(932)를 협지하여 대향하는 기판(900)과 같은 형상이 바람직하고, 환형(디스크 형상, 원반형, 또는 원형) 형상을 가지면 좋다. 또한, 봉지 기판(934)은 접속 부재(950)를 부착하는 개구를 가진다. 봉지 기판(934)을 단면이 오목형의 형상으로 하여, 도 15(A), 도 15(B)와 같이 봉지 기판(934) 내측에 조명 장치(930)를 끼워 넣도록 하면 바람직하다. 봉지 기판(934)의 조명 장치(930)측의 면에 건조제가 되는 흡수 물질을 제공해도 좋다. 예를 들면, 산화바륨 등의 흡수 물질의 막을 봉지 기판(934)에 스퍼터법에 의해 형성하면 좋다. 이러한 건조제로서 기능하는 막은 절연막(910) 위에 형성해도 좋다.
봉지 기판(934)에 이용하는 부재의 구체적인 예로서는, 플라스틱(가요성 기판), 유리, 석영, 세라믹, 금속 등을 이용할 수 있다. 플라스틱으로서는 예를 들면, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰 등으로 이루어진 부재를 들 수 있다. 또한, 필름(폴리프로필렌, 폴리에스테르, 비닐, 폴리불화비닐, 염화비닐 등으로 이루어짐), 무기 증착 필름을 이용할 수도 있다. 또한, 발광 소자의 봉지 기판으로서 기능하는 것이면, 이것들 이외의 것을 이용할 수도 있다.
본 실시형태의 조명 장치는, 간편한 제조 공정에 의한 제작이 가능하므로, 양산화를 실현할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 조명 장치는, 소자 열화하기 어려운 구조를 가지므로 장수명의 조명 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 조명 장치는, 박막 경량화를 실현함과 동시에 외부 전원과의 전기적인 접속을 용이하게 할 수 있으므로, 다양한 용도에 이용할 수 있다.
본 실시형태는, 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시하는 것이 가능하다.
[실시형태 8]
본 실시형태에서는, 개구부가 설치된 기판 위에 형성된 일렉트로루미네선스(EL) 재료를 갖는 조명 장치의 일례에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시형태에 나타내는 조명 장치는, 중앙부에 개구부를 갖는 기판 위에, 제1 전극층과, EL층과, 제2 전극층이 적층하여 형성되고, 기판의 중앙부에 제1 접속부 및 제2 접속부를 갖는 것이다. 또한, 본 실시형태에 나타내는 조명 장치는, 상기 실시형태에 나타낸 제조 장치를 이용하여 제조할 수 있다.
이하, 구체적인 구성에 관하여, 도 17, 도 18을 참조해 설명한다. 또한, 도 17은 조명 장치의 평면의 모식도를 나타내고, 도 18(A)는 도 17에서의 A-B간의 단면의 모식도를 나타내고, 도 18(B)는 도 17에서의 C-D간의 단면의 모식도를 나타내고 있다.
도 17, 도 18에 나타낸 조명 장치(930)는 중앙부에 개구부(909)를 가지고, 또한, 원반상의 기판(901)과, 기판(901) 위에 절연막(902)을 통하여 형성된 발광 소자(932)와, 발광 소자(932)를 덮도록 형성된 절연막(910)과, 기판(901) 위에 형성된 제1 접속부(912) 및 제2 접속부(914)를 가지고 있다.
발광 소자(932)는 제1 전극층(904), EL층(906) 및 제2 전극층(908)의 적층 구조로 형성되어 있고, 여기에서는, 기판(901) 위에 절연막(902)을 통하여 제1 전극층(904)이 형성되고, 제1 전극층(904) 위에 EL층(906)이 형성되고, EL층(906) 위에 제2 전극층(908)이 형성되는 경우를 나타내고 있다.
절연막(910)은 기판(901)의 중앙부에서 개구부(915)를 가지고 있고, 이 개구부(915)에 제1 접속부(912) 및 제2 접속부(914)가 형성되어 있다. 또한, 절연막(910)의 개구부(915)는 기판(901)에 형성된 개구부(909)보다 그 면적(기판(901)의 표면과 평행한 면에서의 개구 부분의 면적)이 커지도록 형성한다.
제1 접속부(912)는 개구부(915)까지 인출된(연장된) 제1 전극층(904)에 의해 형성되고, 제2 접속부(914)는 개구부(915)까지 인출된 제2 전극층(908)에 의해 형성되어 있다. 즉, 제1 전극층(904)의 일부가 절연막(910)의 개구부(915)까지 인출되어(연장되어) 제1 접속부(912)가 형성되고, 제2 전극층(908)의 일부가 절연막(910)의 개구부(915)까지 인출되어 제2 접속부(914)가 형성되어 있다.
이와 같이, 기판(901) 위에 형성된 제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)을 인출하여, 기판(901) 위에 제1 접속부(912) 및 제2 접속부(914)를 형성함으로써, 조명 장치(930)를 박막화할 수 있다.
또한, 기판(901) 위에 형성된 제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)을 제1 접속부(912) 및 제2 접속부(914)로서 이용함으로써, 조명 장치(930)의 구조를 간략화하여, 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 개구부(909)를 갖는 기판(901)을 이용하여, 이 기판(901)의 중앙부(보다 구체적으로는, 개구부(909)의 근방 영역)에 제1 접속부(912) 및 제2 접속부(914)를 형성함으로써, 기판(901)에 형성된 개구부(909)를 통하여 외부로부터 전원의 공급을 행하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 조명 장치에서, 1개소(기판의 중앙부)에서 발광 소자(932)에 전원을 공급할 수 있다.
또한, 도 17, 도 18에 나타낸 구성에서는, 제1 전극층(904), EL층(906) 및 제2 전극층(908)에도, 절연막(910)과 마찬가지로 기판의 중앙부에 개구부가 형성되어 있고, 제1 전극층(904), EL층(906) 및 절연막(910)의 개구부에 제2 전극층(908)의 일부가 인출됨으로써, 기판(901) 위에 제2 접속부(914)가 형성되어 있다. 이 때, 제2 전극층(908)의 일부가, 제1 전극층(904)의 단부 및 EL층(906)의 단부를 넘는(횡단하는) 부분에서는, 제1 전극층(904)과 제2 전극층(908)이 접촉하지 않도록, 제1 전극층(904)의 단부를 EL층(906)이 덮도록 형성할 수 있다.
또한, 도 17, 도 18에 나타낸 구성에서는, 기판(901)의 외주부에서, EL층(906)이 제1 전극층(904)보다 내측에 형성되고. 제2 전극층(908)이 EL층(906)의 내측에 형성되는 경우를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 제1 전극층(904)과 제2 전극층(908)이 절연되도록 형성하면 어떻게 형성해도 좋다.
예를 들면, 기판(901)의 외주부에서, 제1 전극층(904)의 단부를 덮도록 EL층(906)을 형성하고, 이 EL층(906)의 단부를 덮도록 제2 전극층(908)을 형성해도 좋다. 이 경우, 기판(901)의 외주부에서, 제2 전극층(908)의 내측에 EL층(906)이 형성되고, EL층(906)의 내측에 제1 전극층(904)이 형성된다.
그 밖에도, 기판(901)의 외주부에서, 제1 전극층(904)의 단부를 덮도록 EL층(906)을 형성하고, 제2 전극층(908)은 EL층(906)의 단부를 넘지 않게 형성해도 좋다. 이 경우, 기판(901)의 외주부에서, EL층(906)의 내측에 제1 전극층(904) 및 제2 전극층(908)이 형성된다.
또한, 상기 도 17에서는, 제1 전극층(904)에서 형성되는 제1 접속부(912)와, 제2 전극층(908)에서 형성되는 제2 접속부(914)를 대향하여 형성하는 경우를 나타냈지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 적어도 절연막(910)의 개구부(915)에, 제1 접속부(912)와 제2 접속부(914)를 형성하는 구성으로 하면 좋다.
또한, 제1 접속부(912)와 제2 접속부(914)의 수를 각각 복수 형성한 구성으로 해도 좋다. 제1 접속부와 제2 접속부를 복수 형성함으로써, 제1 접속부, 제2 접속부에 전기적으로 접속되는 배선 등과의 접속을 양호하게 행할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 각각의 도면에 설명한 내용은 다른 실시형태에 설명한 내용에 대하여, 적절히 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다.
[실시형태 9]
본 실시형태에서는, 조명 장치의 사용 형태의 일례로서, 상기 실시형태 8에 나타낸 조명 장치(930)에 접속 부재(950)를 형성한 구성에 대하여 도 19, 도 20, 도 21을 참조하여 설명한다. 또한, 접속 부재(950)는 캡이라고 불리는 경우도 있다. 또한, 조명 장치(930)와 접속 부재(950)를 합하여 조명 장치라고 부르는 경우도 있다.
접속 부재(950)는 제어 회로(952)와, 이 제어 회로(952)와 전기적으로 접속된 제1 접속 배선(954), 제2 접속 배선(956), 제1 취출 배선(958) 및 제2 취출 배선(960)을 가지고 있다.
제어 회로(952)는 외부 전원으로부터 공급되는 전원 전압을 바탕으로, 발광 소자(932)를 일정한 휘도로 점등시키기 위한 기능을 갖는 회로이다.
제1 접속 배선(954), 제2 접속 배선(956)은 조명 장치(930)에 형성된 발광 소자(932)와 제어 회로(952)를 전기적으로 접속하는 배선으로서 기능한다. 구체적으로는, 제1 접속 배선(954)은 기판(901) 위에 형성된 제1 접속부(912)와 전기적으로 접속되고, 제2 접속 배선(956)은 기판(901) 위에 형성된 제2 접속부(914)와 전기적으로 접속된다(도 21 참조).
제1 접속 배선(954)과 제1 접속부(912)와의 전기적인 접속, 제2 접속 배선(956)과 제2 접속부(914)와의 전기적인 접속은, 도 21에 나타낸 바와 같이 이방 도전성 페이스트(957)를 이용하여 행할 수 있다. 또한, 전기적인 접속은 이방 도전성 페이스트(ACP(Anisotropic Conductive Paste))에 한정되지 않고, 이방 도전성 필름(ACF(Anisotropic Conductive Film)) 등으로 압착시킴으로써 전기적으로 접속할 수 있다. 또한, 그 밖에도, 은 페이스트, 구리 페이스트 또는 카본 페이스트 등의 도전성 접착제나, 땜납 접합 등을 이용하여 접속을 행하는 것도 가능하다.
제1 취출 배선(958), 제2 취출 배선(960)은 제어 회로(952)와 전기적으로 접속되고, 외부로부터 조명 장치(930)에 전원을 공급하기 위한 배선으로서 기능한다.
도 19(A)에서는 기판(901)이 설치된 면(절연막(910)이 설치된 면과 반대측의 면)측으로부터 이 기판(901)을 통하여 광을 취출하는 구성(보텀 에미션 구조)을 나타내고 있고, 이 경우, 접속 부재(950)의 제어 회로(952)는 절연막(910)의 상방에 형성한 구성으로 할 수 있다.
또한, 발광 소자(932)로부터의 광의 취출은 도 19(A)에 나타낸 구성에 한정되지 않는다. 도 19(B)에 나타낸 바와 같이, 절연막(910)이 설치된 면(기판(901)과 반대측의 면)측으로부터 광을 취출하는 구성(탑 에미션 구조)으로 해도 좋다. 이 경우, 기판(901)의 이면(발광 소자(932)가 설치된 면과 반대측의 면)측에 제어 회로(952)가 설치되고, 기판(901)에 설치된 개구부를 통하여 제1 접속 배선(954) 및 제2 접속 배선(956)이 발광 소자(932)와 전기적으로 접속되는 구성으로 할 수 있다.
또한, 도 19(A), 도 19(B)의 구성에서, 광이 취출되는 면과 반대측의 면 위(도 19(A)에서는 절연막(910) 위, 도 19(B)에서는 기판(901)의 이면 위)에 건조제를 형성해 두는 것이 바람직하다. 건조제는 스퍼터 등을 이용하여 형성할 수 있다. 특히, 기판(901)의 이면측에 형성하는 경우에는, 스퍼터에 의해 전면에 형성할 수 있다.
또한, 도 19(A), 도 19(B)에서는 접속 부재(950)의 접합부가 제1 취출 배선(958)을 겸하고, 접속 부재(950)의 접점이 제2 취출 배선(960)에 접속하는 구성으로 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 다른 구성으로서는, 예를 들면, 도 19(C), 도 19(D)에 나타낸 바와 같이, 접속 부재(950)의 2개의 접속부가 제1 취출 배선(958)과 제2 취출 배선(960)을 겸하는 구성으로 해도 좋다.
또한, 도 19(C)는 도 19(A)의 구성에서의 접속 부재(950)의 구성을 치환한 것이고, 도 19(D)는 도 19(B)의 구성에서의 접속 부재(950)의 구성을 치환한 것이다.
또한, 조명 장치(930)에 봉지 기판(936)을 형성한 구성으로 해도 좋다(도 20 참조). 기판(901)과 대향하여 발광 소자(932)를 끼우도록 봉지 기판(936)을 형성함으로써, 발광 소자(932)에 수분 등이 침수하는 것을 억제할 수 있다.
봉지 기판(936)으로서는 중심부에 개구부를 갖는 디스크 형상(원반 형상)의 기판을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 유리 기판, 세라믹 기판, 석영 기판, 금속 기판 등을 들 수 있다. 또한, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰 등으로 이루어지는 플라스틱 기판 등을 이용할 수 있다. 또한, 필름(폴리프로필렌, 폴리에스테르, 비닐, 폴리불화비닐, 염화비닐 등으로 이루어짐), 무기 증착 필름을 이용할 수도 있다.
또한, 봉지 기판(936)으로서 가요성 기판을 이용해도 좋다. 가요성 기판은 접어 구부릴 수 있는(flexible) 기판이다. 또한, 스테인리스 스틸 합금 등의 도전성을 갖는 기판을 이용할 수도 있지만, 제1 접속 배선(954), 제2 접속 배선(956), 제1 취출 배선(958) 및 제2 취출 배선(960)과는 절연된 구성으로 한다. 또한, 봉지 기판으로서 기능하는 것이라면, 이것들 이외의 것이어도 좋다.
또한, 도 20(B) 및 도 20(D)는 가시광을 투과하는 봉지 기판(936)을 이용한 구성을 나타내고 있다.
봉지 기판(936)은 절연막(910) 위에 형성하면 좋고, 예를 들면, 절연막(910)에 부착시켜 형성할 수 있다. 또한, 도 20에서는 기판(901)의 측면도 덮도록 봉지 기판(936)을 형성하는 경우를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다.
또한, 도 20(A)∼도 20(D)는 각각 도 19(A)∼도 19(D)의 구성에 봉지 기판(936)을 형성한 구성을 나타내고 있다.
다음에, 접속 부재(950)가 제공된 조명 장치(930)의 사용 형태의 일례를 나타낸다(도 22 참조).
도 22(A), 도 22(B)에는 조명 장치(930)에 부착된 접속 부재(950)를 천정(970)에 형성하는 경우를 나타내고 있다. 천정(970)에는 제1 외부 전극(972)과 제2 외부 전극(974)이 형성되어 있고, 이 제1 외부 전극(972)과 접속 부재(950)에 설치된 제1 취출 배선(958)이 전기적으로 접속하고, 또한, 제2 외부 전극(974)과 제2 취출 배선(960)이 전기적으로 접속함으로써, 외부로부터 제어 회로(952)를 통하여 발광 소자(932)에 전원이 공급되어, 조명 장치로서 이용할 수 있다.
또한, 도 22(A)에 나타낸 구성에서, 접속 부재(950)의 직경(기판(901) 표면에 평행한 방향의 길이)은 천정(970)의 부착 부분의 사이즈에 맞추어 결정하면 좋고, 10 mm∼40 mm(예를 들면, 26 mm)로 할 수 있다.
또한, 도 22(A)는 도 20(A)에 나타낸 구조를 천정(970)에 부착하고, 도 22(B)는 도 20(C)에 나타낸 구조를 천정(970)에 부착하는 경우를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, 다른 구성도 이와 같이 부착할 수 있다.
또한, 도 22에서는 조명 장치(930)를 천정(970)에 부착하는 경우를 나타냈지만, 본 실시형태에 나타내는 조명 장치(930)는 얇기 때문에, 천정(970)에 한정되지 않고 벽면이나 마루에 매설하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시형태에서, 각각의 도면에 설명한 내용은 다른 실시형태에 설명한 내용에 대하여, 적절히 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다.
[실시형태 10]
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 양태인 제조 장치에 형성되는 조명 장치에 이용하는 발광 소자의 소자 구조의 일례에 대하여 설명한다.
도 23(A)에 나타낸 소자 구조는 한 쌍의 전극(제1 전극(1001), 제2 전극(1002)) 간에 발광 영역을 포함하는 EL층(1003)이 끼워진 구조를 가진다. 또한, 이하의 본 실시형태의 설명에서는, 예로서, 제1 전극(1001)을 양극으로서 이용하고, 제2 전극(1002)을 음극으로서 이용하는 것으로 한다.
또한, EL층(1003)은 적어도 발광층(1013)을 포함하여 형성되어 있으면 좋고, 발광층(1013) 이외의 기능층을 포함하는 적층 구조이어도 좋다. 발광층(1013) 이외의 기능층으로서는, 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 바이폴러성의 물질(전자 및 정공의 수송성이 높은 물질) 등을 포함하는 층을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 정공 주입층(1011), 정공 수송층(1012), 발광층(1013), 전자 수송층(1014), 전자 주입층(1015) 등의 기능층을 적절히 조합하여 이용할 수 있다.
다음에, 상술한 발광 소자에 이용할 수 있는 재료에 대하여, 구체적으로 설명한다.
제1 전극(1001)(양극)으로서는, 일 함수가 큰(구체적으로는 4.0 eV 이상이 바람직하다) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 산화인듐-산화주석(ITO: Indium Tin Oxide), 규소 혹은 산화규소를 함유한 산화인듐-산화주석, 산화인듐-산화아연(IZO : Indium Zinc Oxide), 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐 등을 들 수 있다.
이러한 도전성 금속 산화물막은 통상 스퍼터에 의해 성막되지만, 졸-겔법 등을 응용하여 제작해도 상관없다. 예를 들면, 산화인듐-산화아연(IZO)은 산화인듐에 대하여 1∼20 wt%의 산화아연을 첨가한 타겟을 이용하여 스퍼터링법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐은 산화인듐에 대하여 산화텅스텐을 0.5∼5 wt%, 산화아연을 0.1∼1 wt% 함유한 타겟을 이용하여 스퍼터링법에 의해 형성할 수 있다.
이 외에, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 티탄(Ti), 또는 금속 재료의 질화물(예를 들면, 질화티탄 등), 몰리브덴 산화물, 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물, 티탄 산화물 등을 들 수 있다.
제2 전극(1002)(음극)으로서는, 일 함수가 작은(구체적으로는 3.8 eV 이하인 것이 바람직하다) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용할 수 있다. 음극 재료의 구체적인 예로서는, 원소 주기표의 제 1 족 또는 제 2 족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리토류 금속, 및 이것들을 포함하는 합금(MgAg, AlLi), 유로퓸(Eu), 이테르븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이것들을 포함하는 합금 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 이것들을 포함하는 합금의 막은 진공 증착법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속을 포함하는 합금은 스퍼터링법에 의해 형성하는 것도 가능하다. 또한, 은페이스트 등을 잉크젯법 등에 의해 성막하는 것도 가능하다.
이 외에, 알칼리 금속 화합물, 알칼리토류 금속 화합물, 또는 희토류 금속의 화합물(예를 들면, 불화리튬(LiF), 산화리튬, 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2), 불화에르븀(ErF3) 등)의 박막과, 알루미늄 등의 금속막을 적층하는 것에 의해, 제2 전극(1002)을 형성하는 것도 가능하다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 발광 소자에서, 제1 전극(1001) 및 제2 전극(1002) 중, 적어도 한쪽이 투광성을 가지면 좋다.
다음에, EL층(1003)을 구성하는 각층에 이용하는 재료에 대하여, 이하에 구체적인 예를 나타낸다.
정공 주입층(1011)은 정공 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 정공 주입성이 높은 물질로서는, 예를 들면, 몰리브덴 산화물이나 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물 등을 이용할 수 있다. 이 외, 프탈로시아닌(약칭: H2Pc)이나 구리 프탈로시아닌(CuPc) 등의 프탈로시아닌계의 화합물, 4,4'-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DPAB), N,N'-비스[4-[비스(3-메틸페닐)아미노]페닐]-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(약칭: DNTPD) 등의 방향족 아민 화합물, 혹은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술폰산)(PEDOT/PSS) 등의 고분자 등에 의해도 정공 주입층(1011)을 형성할 수 있다. 또한, 트리스(p-에나민 치환-아미노페닐)아민 화합물, 2,7-디아미노-9-플루오레닐리덴 화합물, 트리(p-N-에나민 치환-아미노페닐)벤젠 화합물, 아릴기가 적어도 하나 치환한 에테닐기가 하나 또는 두개 치환한 피렌 화합물, N,N'-디(비페닐-4-일)-N,N'-디페닐비페닐-4,4'-디아민, N,N,N',N'-테트라(비페닐-4-일)비페닐-4,4'-디아민, N,N,N',N'-테트라(비페닐-4-일)-3,3'-디에틸비페닐-4,4'-디아민, 2,2'-(메틸렌디-4,1-페닐렌)비스[4,5-비스(4-메톡시페닐)-2H-1,2,3-트리아졸], 2,2'-(비페닐-4,4'-디일)비스(4,5-디페닐-2H-1,2,3-트리아졸), 2,2'-(3,3'-디메틸비페닐-4,4'-디일)비스(4,5-디페닐-2H-1,2,3-트리아졸), 비스[4-(4,5-디페닐-2H-1,2,3-트리아졸-2-일)페닐](메틸)아민 등을 이용하여 정공 주입층(1011)을 형성할 수 있다.
또한, 정공 주입층(1011)으로서, 유기 화합물과 무기 화합물을 복합하여 이루어지는 복합 재료를 이용할 수 있다. 특히, 유기 화합물과, 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타내는 무기 화합물을 포함하는 복합 재료는, 유기 화합물과 무기 화합물과의 사이에 전자의 수수가 행해져, 캐리어 밀도가 증대되기 때문에, 정공 주입성, 정공 수송성이 뛰어나다.
또한, 정공 주입층(1011)으로서 유기 화합물과 무기 화합물을 복합하여 이루어지는 복합 재료를 이용한 경우, 제1 전극(1001)과 옴 접촉을 하는 것이 가능하게 되기 때문에, 일 함수에 상관없이 제1 전극(1001)을 형성하는 재료를 선택할 수 있다.
복합 재료에 이용하는 무기 화합물로서는, 천이 금속의 산화물인 것이 바람직하다. 또한, 원소 주기표에서의 제 4 족 내지 제 8 족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화바나듐, 산화니오브, 산화탄탈, 산화크롬, 산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화망간, 산화레늄은 전자 수용성이 높기 때문에 바람직하다. 그 중에서도 특히, 산화몰리브덴은 대기 중에서 안정적이고, 흡습성이 낮고, 취급하기 쉽기 때문에 바람직하다.
복합 재료에 이용하는 유기 화합물로서는, 방향족 아민 화합물, 카르바졸 유도체, 방향족 탄화수소, 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등) 등 다양한 화합물을 이용할 수 있다. 또한, 복합 재료에 이용하는 유기 화합물로서는, 정공 수송성이 높은 유기 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 10-6 cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질인 것이 바람직하다. 단, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이라면, 이것들 이외의 것을 이용해도 좋다. 이하에서는, 복합 재료에 이용할 수 있는 유기 화합물을 구체적으로 열거한다.
예를 들면, 방향족 아민 화합물로서는, N,N'-디(p-톨릴)-N,N'-디페닐-p-페닐렌디아민(약칭: DTDPPA), 4,4'-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DPAB), N,N'-비스[4-[비스(3-메틸페닐)아미노]페닐]-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B) 등을 들 수 있다.
복합 재료에 이용할 수 있는 카르바졸 유도체로서는, 구체적으로는, 3-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCN1) 등을 들 수 있다.
또한, 4,4'-디(N-카르바졸릴)비페닐(약칭: CBP), 1,3,5-트리스[4-(N-카르바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 9-[4-(N-카르바졸릴)]페닐-10-페닐안트라센(약칭: CzPA), 1,4-비스[4-(N-카르바졸릴)페닐]-2,3,5,6-테트라페닐벤젠 등을 이용할 수 있다.
또한, 복합 재료에 이용할 수 있는 방향족 탄화수소로서는, 예를 들면, 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 2-tert-부틸-9,10-디(1-나프틸)안트라센, 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 2-tert-부틸-9,10-비스(4-페닐페닐)안트라센(약칭: t-BuDBA), 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 9,10-디페닐안트라센(약칭: DPAnth), 2-tert-부틸안트라센(약칭: t-BuAnth), 9,10-비스(4-메틸-1-나프틸)안트라센(약칭: DMNA), 2-tert-부틸-9,10-비스[2-(1-나프틸)페닐]안트라센, 9,10-비스[2-(1-나프틸)페닐]안트라센, 2,3,6,7-테트라메틸-9,10-디(1-나프틸)안트라센, 2,3,6,7-테트라메틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센, 9,9'-비안트릴, 10,10'-디페닐-9,9'-비안트릴, 10,10'-비스(2-페닐페닐)-9,9'-비안트릴, 10,10'-비스[(2,3,4,5,6-펜타페닐)페닐]-9,9'-비안트릴, 안트라센, 테트라센, 루브렌, 페릴렌, 2,5,8,11-테트라(tert-부틸)페릴렌 등을 들 수 있다. 또한, 이 외에, 펜타센, 코로넨 등도 이용할 수 있다. 이와 같이, 1×10-6 cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 가지고, 탄소수 14∼42인 방향족 탄화수소를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 복합 재료에 이용할 수 있는 방향족 탄화수소는, 비닐 골격을 가지고 있어도 좋다. 비닐기를 가지고 있는 방향족 탄화수소로서는, 예를 들면, 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐(약칭: DPVBi), 9,10-비스[4-(2,2-디페닐비닐)페닐]안트라센(약칭: DPVPA) 등을 들 수 있다.
또한, 폴리(N-비닐카르바졸)(약칭: PVK)나 폴리(4-비닐트리페닐아민)(약칭: PVTPA) 등의 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.
정공 수송층(1012)은 정공 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 정공 수송성이 높은 물질로서는, 예를 들면, 방향족 아민(즉, 벤젠환-질소의 결합을 갖는 것)의 화합물인 것이 바람직하다. 널리 이용되고 있는 재료로서, 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐, 그 유도체인 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(이하, NPB라고 기재함), 4,4',4''-트리스(N,N-디페닐-아미노)트리페닐 아민, 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민 등의 스타 버스트형 방향족 아민 화합물을 들 수 있다. 여기에 설명한 물질은 주로 10-6 cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질이다. 단, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이라면, 이것들 이외의 것을 이용해도 좋다. 또한, 정공 수송층(1012)은 단층의 것뿐 아니라, 상기 물질의 혼합층, 혹은 2층 이상 적층한 것이어도 좋다.
또한, PMMA와 같은 전기적으로 불활성인 고분자 화합물에, 정공 수송성 재료를 첨가해도 좋다.
또한, 폴리(N-비닐카르바졸)(약칭: PVK)이나 폴리(4-비닐트리페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-디페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아미드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 이용해도 좋고, 상기 고분자 화합물에 상기 정공 수송성 재료를 적절히 더 첨가해도 좋다. 또한, 트리스(p-에나민 치환-아미노페닐)아민 화합물, 2,7-디아미노-9-플루오레닐리덴 화합물, 트리(p-N-에나민 치환-아미노페닐)벤젠 화합물, 아릴기가 적어도 1개 치환된 에테닐기가 1개 또는 2개 치환된 피렌 화합물, N,N'-디(비페닐-4-일)-N,N'-디페닐비페닐-4,4'-디아민, N,N,N',N'-테트라(비페닐-4-일)비페닐-4,4'-디아민, N,N,N',N'-테트라(비페닐-4-일)-3,3'-디에틸비페닐-4,4'-디아민, 2,2'-(메틸렌디-4,1-페닐렌)비스[4,5-비스(4-메톡시페닐)-2H-1,2,3-트리아졸], 2,2'-(비페닐-4,4'-디일)비스(4,5-디페닐-2H-1,2,3-트리아졸), 2,2'-(3,3'-디메틸비페닐-4,4'-디일)비스(4,5-디페닐-2H-1,2,3-트리아졸), 비스[4-(4,5-디페닐-2H-1,2,3-트리아졸-2-일)페닐](메틸)아민 등도 정공 수송층(1012)에 이용할 수 있다.
발광층(1013)은 발광성의 물질을 포함하는 층으로서, 여러 재료를 이용할 수 있다. 예를 들면, 발광성의 물질로서는, 형광을 발광하는 형광성 화합물이나 인광을 발광하는 인광성 화합물을 이용할 수 있다. 이하에, 발광층에 이용할 수 있는 유기 화합물 재료를 설명한다. 단, 발광 소자에 적용할 수 있는 재료는 이것들에 한정되는 것은 아니다.
청색∼청록색의 발광은, 예를 들면, 페릴렌, 2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌(약칭: TBP), 9,10-디페닐안트라센 등을 게스트 재료로서 이용하여, 적당한 호스트 재료에 분산시키는 것에 의해 얻을 수 있다. 또한, 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐(약칭: DPVBi) 등의 스티릴아릴렌 유도체나, 9,10-디-2-나프틸안트라센(약칭: DNA), 9,10-비스(2-나프틸)-2-t-부틸안트라센(약칭: t-BuDNA) 등의 안트라센 유도체로부터 얻을 수 있다. 또한, 폴리(9,9-디옥틸플루오렌) 등의 폴리머를 이용해도 좋다. 또한, 청색 발광의 게스트 재료로서는, 스티릴아민 유도체가 바람직하고, N,N'-비스[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N,N'-디페닐스틸벤-4,4'-디아민(약칭: YGA2S)이나, N,N'-디페닐-N,N'-비스(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)스틸벤-4,4'-디아민(약칭: PCA2S) 등을 들 수 있다. 특히 YGA2S는 450 nm 부근에 피크를 가지고 있어 바람직하다. 또한, 호스트 재료로서는, 안트라센 유도체가 바람직하고, 9,10-비스(2-나프틸)-2-t-부틸안트라센(약칭: t-BuDNA)이나, 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA)이 적합하다. 특히, CzPA는 전기 화학적으로 안정적이기 때문에 바람직하다.
청록색∼녹색의 발광은, 예를 들면, 쿠마린 30, 쿠마린 6 등의 쿠마린계 색소나, 비스[2-(2,4-디플루오로페닐)피리디나토]피콜리나토이리듐(약칭: FIrpic), 비스(2-페닐피리디나토)아세틸아세토나토이리듐(Ir(ppy)2(acac)) 등을 게스트 재료로서 이용하여, 적당한 호스트 재료에 분산시키는 것에 의해 얻을 수 있다. 또한, 상술한 페릴렌이나 TBP를 5 wt% 이상의 고농도로 적당한 호스트 재료에 분산시키는 것에 의해서도 얻어진다. 또한, BAlq, Zn(BTZ)2, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)클로로갈륨(Ga(mq)2Cl) 등의 금속 착체로부터도 얻을 수 있다. 또한, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 등의 폴리머를 이용해도 좋다. 또한, 청록색∼녹색의 발광층의 게스트 재료로서는, 안트라센 유도체가 효율이 높은 발광을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다. 예를 들면, 9,10-비스{4-[N-(4-디페닐아미노)페닐-N-페닐]아미노페닐}-2-tert-부틸안트라센(약칭: DPABPA)을 이용함으로써, 고효율의 청록색 발광을 얻을 수 있다. 또한, 2위(位)에 아미노기가 치환된 안트라센 유도체는 고효율의 녹색 발광을 얻을 수 있기 때문에 바람직하고, N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA)이 특히 장수명이며 적합하다. 이러한 호스트 재료로서는 안트라센 유도체가 바람직하고, 앞에서 설명한 CzPA가 전기 화학적으로 안정적이기 때문에 바람직하다. 또한, 녹색 발광과 청색 발광을 조합하여, 청색으로부터 녹색의 파장 영역에 2개의 피크를 갖는 발광 소자를 제작하는 경우, 청색 발광층의 호스트에 CzPA와 같은 전자 수송성의 안트라센 유도체를 이용하고, 녹색 발광층의 호스트에 NPB와 같은 홀 수송성의 방향족 아민 화합물을 이용하면, 청색 발광층과 녹색 발광층과의 계면에서 발광을 얻어지기 때문에 바람직하다. 즉, 이 경우, 2PCAPA와 같은 녹색 발광 재료의 호스트로서는, NPB와 같은 방향족 아민 화합물이 바람직하다.
황색∼오렌지색의 발광은, 예를 들면, 루브렌, 4-(디시아노메틸렌)-2-[p-(디메틸아미노)스티릴]-6-메틸-4H-피란(약칭: DCM1), 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(9-줄롤리딜)에테닐-4H-피란(약칭: DCM2), 비스[2-(2-티에닐)피리디나토]아세틸아세토나토이리듐(Ir(thp)2(acac)), 비스(2-페닐퀴놀리나토)아세틸아세토나토이리듐(Ir(pq)2(acac)) 등을 게스트 재료로서 이용하여, 적당한 호스트 재료에 분산시킴으로써 얻을 수 있다. 특히, 게스트 재료로서 루브렌과 같은 테트라센 유도체가, 고효율이고 화학적으로 안정적이기 때문에 바람직하다. 이 경우의 호스트 재료로서는, NPB와 같은 방향족 아민 화합물이 바람직하다. 다른 호스트 재료로서는, 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(약칭: Znq2)이나 비스[2-신나모일-8-퀴놀리놀라토]아연(약칭: Znsq2) 등의 금속 착체를 이용할 수 있다. 또한, 폴리(2,5-디알콕시-1,4-페닐렌비닐렌) 등의 폴리머를 이용해도 좋다.
오렌지색∼적색의 발광은, 예를 들면, 4-(디시아노메틸렌)-2,6-비스[p-(디메틸아미노)스티릴]-4H-피란(약칭: BisDCM), 4-(디시아노메틸렌)-2,6-비스[2-(줄롤리딜-9-일)에테닐]-4H-피란(약칭: BisDCJ), 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(9-줄롤리딜)에테닐-4H-피란(약칭: DCM2), 비스[2-(2-티에닐)피리디나토]아세틸아세토나토이리듐(Ir(thp)2(acac)) 등을 게스트 재료로서 이용하여, 적당한 호스트 재료에 분산시키으로써 얻을 수 있다. 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(약칭: Znq2)이나 비스[2-신나모일-8-퀴놀리놀라토]아연(약칭: Znsq2) 등의 금속 착체로부터도 얻을 수 있다. 또한, 폴리(3-알킬티오펜) 등의 폴리머를 이용해도 좋다. 적색 발광을 나타내는 게스트 재료로서는, 4-(디시아노메틸렌)-2,6-비스[p-(디메틸아미노)스티릴]-4H-피란(약칭: BisDCM), 4-(디시아노메틸렌)-2,6-비스[2-(줄롤리딜-9-일)에테닐]-4H-피란(약칭: BisDCJ), 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(9-줄롤리딜)에테닐-4H-피란(약칭: DCM2), {2-이소프로필-6-[2-(2,3,6,7-테트라하이드로-1,1,7,7-테트라메틸-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-이리덴}프로판디니트릴(약칭: DCJTI), {2,6-비스[2-(2,3,6,7-테트라하이드로-8-메톡시-1,1,7,7-테트라메틸-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-이리덴}프로판디니트릴(약칭: BisDCJTM)과 같은 4H-피란 유도체가 고효율이며, 바람직하다. 특히, DCJTI, BisDCJTM은 620 nm 부근에 발광 피크를 가지기 때문에 바람직하다.
또한, 발광층(1013)으로서는, 상술한 발광성의 물질(게스트 재료)을 다른 물질(호스트 재료)에 분산시킨 구성으로 해도 좋다. 발광성이 높은 물질을 분산시키기 위한 물질로서는, 각종의 것을 이용할 수 있고, 발광성이 높은 물질보다 최저 공궤도 준위(LUMO 준위)가 높고, 최고 피점유 궤도 준위(HOMO 준위)가 낮은 물질을 이용하는 것이 바람직하다.
발광성의 물질을 분산시키기 위한 물질로서는, 구체적으로는, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(4-페닐페놀라토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤조옥사졸릴)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조티아졸릴)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체, 2-(4-비페니릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-비페니릴)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1H-벤조이미다졸)(약칭: TPBI), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP) 등의 복소환 화합물이나, 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA), 3,6-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-비안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트리일)트리피렌(약칭: TPB3), 9,10-디페닐안트라센(약칭: DPAnth), 6,12-디메톡시-5,11-디페닐크리센 등의 축합 방향족 화합물, N,N-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: DPhPA), N,9-디페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-디페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), NPB(또는 α-NPD), TPD, DFLDPBi, BSPB 등의 방향족 아민 화합물 등을 이용할 수 있다.
또한, 발광성의 물질을 분산시키기 위한 물질은 복수종 이용할 수 있다. 예를 들면, 결정화를 억제하기 위해 루브렌 등의 결정화를 억제하는 물질을 더 첨가해도 좋다. 또한, 발광성의 물질로의 에너지 이동을 보다 효율 좋게 행하기 위해 NPB, 혹은 Alq 등을 더 첨가해도 좋다.
발광성의 물질을 다른 물질에 분산시킨 구성으로 함으로써, 발광층(1013)의 결정화를 억제할 수 있다. 또한, 발광성의 물질의 농도가 높은 것에 의한 농도 소광을 억제할 수 있다.
전자 수송층(1014)은 전자 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 수송성이 높은 물질로서는, 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(4-페닐페놀라토)알루미늄(약칭: BAlq) 등, 퀴놀린 골격 또는 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체 등으로 이루어지는 층이다. 또한, 이 외에, 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조옥사졸라토]아연(약칭: Zn(BOX)2), 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조티아졸라토]아연(약칭: Zn(BTZ)2) 등의 옥사졸계, 티아졸계 배위자를 갖는 금속 착체 등도 이용할 수 있다. 또한, 금속 착체 이외에도, 2-(4-비페니릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD)이나, 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-비페니릴)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 비스[3-(1H-벤조이미다졸-2-일)플루오렌-2-올라토]아연(II), 비스[3-(1H-벤조이미다졸-2-일)플루오렌-2-올라토]베릴륨(II), 비스[2-(1H-벤조이미다졸-2-일)디벤조[b,d]퓨란-3-올라토](페놀라토)알루미늄(III), 비스[2-(벤조옥사졸-2-일)-7,8-메틸렌디옥시디벤조[b,d]퓨란-3-올라토](2-나프톨라토)알루미늄(III) 등도 이용할 수 있다. 여기에 설명한 물질은 주로 10-6 cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이다. 또한, 정공보다 전자의 수송성이 높은 물질이라면, 상기 이외의 물질을 전자 수송층(1014)으로서 이용해도 상관없다. 또한, 전자 수송층(1014)은 단층의 것 뿐만 아니라, 상기 물질로 이루어진 층이 2층 이상 적층한 것으로 해도 좋다.
전자 주입층(1015)은 전자 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 주입성이 높은 물질로서는, 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CF2) 등의 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 또는 이들의 화합물을 들 수 있다. 또한, 전자 수송성을 갖는 유기 화합물과 무기 화합물(예를 들면, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 희토류 금속, 또는 그들의 화합물)과의 복합 재료, 예를 들면, Alq 중에 마그네슘(Mg)을 함유시킨 것 등을 이용할 수도 있다. 이와 같은 구조로 함으로써, 제2 전극(1002)으로부터의 전자 주입 효율을 보다 높일 수 있다.
또한, 전자 주입층(1015)으로서, 상술한 유기 화합물과 무기 화합물과의 복합 재료를 이용한 경우에는, 일 함수에 상관없이 Al, Ag, ITO, 규소 혹은 산화규소를 함유한 ITO 등 다양한 도전성 재료를 제2 전극(1002)의 재료로서 이용할 수 있다.
이상의 층을 적절히 조합하여 적층함으로써, EL층(1003)을 형성할 수 있다. 또한, 발광층(1013)을 2층 이상의 적층 구조로 해도 좋다. 발광층(1013)을 2층 이상의 적층 구조로 하여, 각각의 발광층에 이용하는 발광 물질의 종류를 바꿈으로써 다양한 발광색을 얻을 수 있다. 또한, 발광 물질로서 발광색이 다른 복수의 발광 물질을 이용함으로써, 넓은 스펙트럼의 발광이나 백색 발광을 얻을 수도 있다. 특히, 고휘도가 필요하게 되는 조명 용도에는, 발광층을 적층시킨 구조가 적합하다.
또한, EL층(1003)의 형성 방법으로서는, 이용하는 재료에 따라 여러 가지 방법(예를 들면, 건식법이나 습식법 등) 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 진공 증착법, 스퍼터링법, 잉크젯법, 스핀 코트법 등을 이용할 수 있다. 또한, 각층에서 다른 방법을 이용하여 형성해도 좋다.
또한, 본 실시형태에 나타낸 발광 소자의 제작 방법으로서는, 건식 공정(예를 들면, 진공 증착법, 스퍼터링법), 습식 공정(예를 들면, 잉크젯법, 스핀 코트법 등)을 불문하고, 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
이상과 같은 구성을 갖는 본 실시형태의 발광 소자의 각층은, 도 1에 일례를 나타낸 본 발명의 일 양태의 제조 장치를 이용하여 각각 형성하는 것이 가능하다. 본 발명의 일 양태의 제조 장치를 이용함으로써, 1실의 진공실 내에서 발광 소자의 각층을 연속적으로 성막하는 것이 가능하기 때문에, 스루풋 좋게 발광 소자, 및 그 발광 소자를 이용한 조명 장치를 생산할 수 있다. 또한, 소자를 구성하는 각 기능층의 적층수에 따라, 제조 장치에 설치된 성막실의 실의 수를 적절히 설정할 수 있다.
도 23에 나타낸 발광 소자는, 제1 전극(1001)과 제2 전극(1002)과의 사이에 생긴 전위차에 의해 전류가 흘러, 발광성이 높은 물질을 포함하는 층인 발광층(1013)에서 정공과 전자가 재결합하여, 발광하는 것이다. 즉 발광층(1013)에 발광 영역이 형성되는 구성으로 되어 있다.
또한, 본 실시형태에 나타내는 발광 소자의 구성은 도 23(B)에 나타낸 바와 같이 한 쌍의 전극간에 EL층(1003)이 복수 적층된 구조, 소위, 적층형 소자의 구성이어도 좋다. 단, EL층(1003)이, 예를 들면, n(n은 2 이상의 자연수)층의 적층 구조를 갖는 경우에는, m(m은 자연수, 1 이상 (n-1) 이하)번째의 EL층과, (m＋1)번째의 EL층과의 사이에는, 각각 중간층(1004)이 끼워진 구조를 가진다.
또한, 중간층(1004)은 제1 전극(1001)과 제2 전극(1002)에 전압을 인가했을 때에, 중간층(1004)에 접하여 형성되는 한쪽의 EL층(1003)에 대하여 정공을 주입하는 기능을 가지고, 다른 한쪽의 EL층(1003)에 전자를 주입하는 기능을 가진다.
중간층(1004)은 유기 화합물과 금속 산화물의 복합 재료, 금속 산화물, 유기 화합물과 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 또는 이들의 화합물과의 복합 재료 외에, 이것들을 적절히 조합하여 형성할 수 있다. 유기 화합물과 금속 산화물의 복합 재료로서는, 예를 들면, 유기 화합물과 V2O5나 MoO3나 WO3 등의 금속 산화물을 포함한다. 유기 화합물로서는, 방향족 아민 화합물, 카르바졸 유도체, 방향족 탄화수소, 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등) 등, 다양한 화합물을 이용할 수 있다. 또한, 유기 화합물로서는, 정공 수송성 유기 화합물로서 정공 이동도가 10-6 cm2/Vs 이상인 것을 적용하는 것이 바람직하다. 단, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이라면, 이것들 이외의 것을 이용해도 좋다. 또한, 중간층(1004)에 이용하는 이들 재료는, 캐리어 주입성, 캐리어 수송성이 뛰어나기 때문에, 발광 소자의 저전압 구동, 및 저전류 구동을 실현할 수 있다.
적층형 소자의 구성에서, EL층이 2층 적층된 구성을 갖는 경우에, 제1 EL층으로부터 얻어지는 발광의 발광색과 제2 EL층으로부터 얻어지는 발광의 발광색을 보색의 관계로 하는 것에 의해, 백색 발광을 외부로 취출할 수 있다. 또한, 제1 EL층 및 제2 EL층의 각각이 보색의 관계에 있는 복수의 발광층을 갖는 구성으로 해도, 백색 발광을 얻을 수 있다. 보색의 관계로서는, 청색과 황색, 혹은 청록색과 적색 등을 들 수 있다. 청색, 황색, 청록색, 적색으로 발광하는 물질로서는, 예를 들면, 앞에 열거한 발광 물질 중에서 적절히 선택하면 좋다.
이하에, 제1 EL층 및 제2 EL층의 각각이 보색의 관계에 있는 복수의 발광층을 가지고, 백색 발광을 얻을 수 있는 구성의 일례를 나타낸다.
예를 들면, 제1 EL층은 청색∼청록색의 파장 영역에 피크를 갖는 발광 스펙트럼을 나타내는 제1 발광층과, 황색∼오렌지색의 파장 영역에 피크를 갖는 발광 스펙트럼을 나타내는 제2 발광층을 가지고, 제2 EL층은 청록색∼녹색의 파장 영역에 피크를 갖는 발광 스펙트럼을 나타내는 제3 발광층과, 오렌지색∼적색의 파장 영역에 피크를 갖는 발광 스펙트럼을 나타내는 제4 발광층을 갖는 것으로 한다.
이 경우, 제1 EL층으로부터의 발광은 제1 발광층 및 제2 발광층의 양쪽 모두로부터의 발광을 맞춘 것이므로, 청색∼청록색의 파장 영역 및 황색∼오렌지색의 파장 영역의 양쪽 모두에 피크를 갖는 발광 스펙트럼을 나타낸다. 즉, 제1 EL층은 2 파장형의 백색 또는 백색에 가까운 색의 발광을 나타낸다.
또한, 제2 EL층으로부터의 발광은 제3 발광층 및 제4 발광층의 양쪽으로부터의 발광을 합한 것이므로, 청록색∼녹색의 파장 영역 및 오렌지색∼적색의 파장 영역의 양쪽에 피크를 갖는 발광 스펙트럼을 나타낸다. 즉, 제2 EL층은 제1 EL층과는 다른 2 파장형의 백색 또는 백색에 가까운 색의 발광을 나타낸다.
따라서, 제1 EL층으로부터의 발광 및 제2 EL층으로부터의 발광을 중첩시킴으로써, 청색∼청록색의 파장 영역, 청록색∼녹색의 파장 영역, 황색∼오렌지색의 파장 영역, 오렌지색∼적색의 파장 영역을 커버하는 연색성이 양호한 백색 발광을 얻을 수 있다.
또한, 상술한 적층형 소자의 구성에 있어서, 적층되는 EL층의 사이에 중간층을 배치함으로써, 전류 밀도를 낮게 유지한 채로, 고휘도 영역에서의 장수명 소자를 실현할 수 있다. 또한, 전극 재료의 저항에 의한 전압강하를 작게 할 수 있으므로, 대면적에서의 균일 발광이 가능하게 된다.
또한, 도 24는 도 23(B)에 나타낸 탠덤 구조의 발광 소자를 갖는 조명 장치의 단면도의 일례이다. 도 24에 나타낸 바와 같이, 조명 장치는 제1 전극(2102)과 제2 전극(2109)과의 사이에 제1 EL층(2103), 중간층(2104), 및 제2 EL층(2107)을 가진다.
도 24에 나타낸 발광 소자는, 제1 및 제2 EL층과, 중간층을 갖는 소위 탠덤형의 발광 소자이며, 제1 및 제2 EL층이 각각 발광층을 2층 갖는 구성을 나타낸다. 도 24에 나타낸 바와 같이, 발광층을 2층 이상의 적층 구조로 하고, 각각의 발광층에 이용하는 발광 물질의 종류를 바꿈으로써 다양한 발광색을 나타내는 조명 장치를 얻을 수 있다. 또한, 발광 물질로서 발광색이 다른 복수의 발광 물질을 이용함으로써, 넓은 스펙트럼의 발광이나 백색 발광을 얻을 수도 있다. 특히, 고휘도가 필요하게 되는 조명 용도에는, 발광층을 적층시킨 구조가 적합하다.
기판(2100) 위에는, 하지 보호막(2101)이 형성되어 있다. 하지 보호막(2101)은, 예를 들면, 실시형태 1에 나타낸 제조 장치에 있어서, 성막실(115)에서 스퍼터법에 의해 성막할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 질화규소를 이용하여 100 nm의 막 두께로 하지 보호막을 성막하는 것으로 한다.
하지 보호막(2101) 위에는, 제1 전극(2102)이 형성되어 있다. 제1 전극(2102)은, 예를 들면, 실시형태 1에 나타낸 제조 장치에 있어서, 성막실(117)에서 스퍼터법에 의해 성막할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제1 전극(2102)을 양극으로서 이용하는 것으로 한다.
제1 전극(2102) 위에는, 제1 EL층(2103)이 형성되어 있다. 제1 EL층(2103)은, 예를 들면, 실시형태 1에 나타낸 제조 장치에 있어서, 성막실(119A∼119C)에서 증착법에 의해 성막할 수 있다. 또한, 제1 EL층(2103)은 적어도 발광층을 가지고 있으면 좋고, 그 적층수에 따라 성막실의 실의 수를 적절히 조정하는 것이 가능하다. 본 실시형태에 있어서는, 제1 정공 주입층(2103a), 제1 정공 수송층(2103b), 청색을 나타내는 발광 물질을 포함하는 제1 발광층(2103c), 청색을 나타내는 발광 물질을 포함하는 제2 발광층(2103D), 제1 전자 수송층(2103e)의 5층을 적층시켜, 제1 EL층(2103)을 구성하는 것으로 한다. 각 기능층의 재료는, 예를 들면, 앞에 열거한 물질 중에서 각각 적절히 선택하면 좋다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 제1 정공 주입층(2103a)과 제1 정공 수송층(2103b)은 동일한 성막실에서 성막해도 좋다.
제1 EL층(2103) 위에는, 중간층(2104)이 형성되어 있다. 중간층(2104)은, 예를 들면, 실시형태 1에 나타낸 제조 장치에 있어서, 성막실(121A, 121B)에서 증착법에 의해 성막할 수 있다. 중간층(2104)은 유기 화합물과 금속 산화물의 복합 재료가 포함되어 있다. 이 유기 화합물과 금속 산화물의 복합 재료는, 유기 화합물과 V2O5나 MoO3나 WO3 등의 금속 산화물을 포함한다. 유기 화합물로서는, 앞에 설명한 재료를 이용할 수 있다. 유기 화합물과 금속 산화물의 복합 재료는, 캐리어 주입성, 캐리어 수송성이 뛰어나기 때문에, 저전압 구동, 저전류 구동을 실현할 수 있다. 본 실시형태에 있어서 중간층(2104)은 유기 화합물과 금속 산화물의 복합 재료를 포함하는 제1 중간층(2104a)과, 전자 공여성 물질 중에서 선택된 하나의 화합물과 전자 수송성이 높은 화합물을 포함하는 제2 중간층(2104b)을 조합한 것으로 한다. 또한, 본 실시형태에 있어서 제1 중간층(2104a)과 제2 중간층(2104b)은, 동일한 성막실에서 성막해도 좋다.
중간층(2104) 위에는, 제2 EL층(2107)이 형성되어 있다. 제2 EL층(2107)은, 예를 들면, 실시형태 1에 나타낸 제조 장치에 있어서, 성막실(123A∼123D)에서 증착법에 의해 성막할 수 있다. 또한, 제2 EL층(2107)은 적어도 발광층을 가지고 있으면 좋고, 그 적층수에 따라 성막실의 실의 수를 적절히 조정하는 것이 가능하다. 본 실시형태에 있어서는, 제2 정공 주입층(2107a), 제2 정공 수송층(2107b), 적색을 나타내는 발광 물질을 포함하는 제3 발광층(2107c), 녹색을 나타내는 발광 물질을 포함하는 제4 발광층(2107d), 제2 전자 수송층(2107e), 전자 주입층(2107f)의 6층을 적층시켜, 제2 EL층(2107)을 구성하는 것으로 한다. 각 기능층의 재료는, 예를 들면, 앞에 열거한 물질 중에서 적절히 선택하면 좋다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 제2 정공 주입층(2107a)과 제2 정공 수송층(2107b)은 동일한 성막실에서 성막해도 좋다.
제2 EL층(2107) 위에는, 제2 전극(2109)이 형성되어 있다. 제2 전극(2109)은, 예를 들면, 실시형태 1에 나타낸 제조 장치에 있어서, 성막실(125)에서 스퍼터법에 의해 성막할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 제2 전극(2109)은 음극으로서 이용하는 것으로 한다.
제2 전극(2109) 위에는, 건조제층(2111)이 형성되어 있다. 건조제층(2111)은, 예를 들면, 실시형태 1에 나타낸 제조 장치에 있어서, 성막실(125)에서 스퍼터법에 의해 성막할 수 있다. 또한, 건조제층(2111)은 반드시 형성할 필요는 없다. 또는, 건조제층(2111)을 기판(2100)과 하지 보호막(2101)과의 사이에 형성해도 좋다. 또한, 건조제층(2111)을 기판(2100)과 하지 보호막(2101)과의 사이, 및 제2 전극(2109) 위의 쌍방에 형성해도 좋다.
건조제층(2111) 위에는, 봉지막(2113)이 형성되어 있다. 봉지막(2113)은, 예를 들면, 실시형태 1에 나타낸 제조 장치에 있어서, 성막실(127)에서 스퍼터법에 의해 성막할 수 있다. 또한, 봉지막(2113) 대신에 봉지 부재에 의해 발광 소자를 봉지하는 것도 가능하고, 봉지막과 봉지 부재를 병용하는 것도 가능하다.
도 24에 나타낸 조명 장치는, 제1 EL층(2103)으로부터의 발광 및 제2 EL층(2107)으로부터의 발광이 합해진 결과, 청색의 파장 영역, 적색의 파장 영역, 녹색의 파장 영역을 커버하는 백색 발광을 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태는, 다른 실시형태와 적절히 조합하는 것이 가능하다.
[실시형태 11]
본 실시형태에서는, 조명 장치의 응용예를 나타낸다.
도 25는 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를 실내의 조명 장치로서 이용한 일례를 나타내고 있다. 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치는, 천정용 조명 장치(8202)로서 뿐만 아니라, 벽용 조명 장치(8204)로서도 이용하는 것이 가능하다. 또한, 이 조명 장치는, 탁상 조명 장치(8206)로서도 이용하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치는, 면광원의 광원을 가지기 때문에, 점광원의 광원을 이용한 경우에 비해, 광반사판 등의 부재를 삭감할 수 있고, 또는 열의 발생이 백열전구에 비해 작다는 점 등, 실내의 조명 장치로서 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치는, 자동차, 자전거 등의 헤드라이트로서 이용하는 것이 가능하다. 도 26(A)∼도 26(C)는 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를 자동차의 헤드라이트로서 이용한 일례를 나타내고 있다. 도 26(A)는 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를 헤드라이트(8212)로서 이용한 자동차의 외관도이다. 또한, 도 26(B), 도 26(C)는 도 26(A)의 헤드라이트(8212)의 단면도이다. 도 26(B), 도 26(C)에서, 전원 공급용 커넥터(8216)에 접속된 조명 장치(8214)는, 광원으로서 이용되고 있다. 도 26(B)에서는 복수의 조명 장치(8214)가 이용되고 있기 때문에 고휘도의 광을 외부로 취출할 수 있다. 한편, 도 26(C)에서는 반사판(8218)에 의해 조명 장치로부터의 광이 집광되어 있어, 지향성을 갖는 고휘도의 광을 외부로 취출할 수 있다.
다음에, 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를, 신호기, 유도등 등의 조명 장치로서 적용한 예에 대하여 도 27에 나타낸다.
도 27(A)는, 일례로서, 신호기의 외관에 대하여 나타낸 도면이다. 신호기(8228)는, 청색의 조명부(8222), 황색의 조명부(8224), 적색의 조명부(8226)를 가진다. 신호기(8228)는, 각 조명부에서의 조명 장치에 청, 황, 적의 삼색에 대응하는 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를 가진다.
본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를 피난구 유도등에 적용한 예에 대하여 도 27(B)에 나타낸다.
도 27(B)은 일례로서, 피난구 유도등의 외관에 대하여 나타낸 도면이다. 피난구 유도등(8232)은 조명 장치와 형광부가 설치된 형광판을 조합하여 구성할 수 있다. 또한, 특정색을 발광하는 조명 장치와, 도면과 같은 형상의 투과부가 설치된 차광판을 조합해 구성할 수도 있다. 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치는, 일정한 휘도로 점등할 수 있기 때문에, 상시 점등이 요구되는 피난구 유도등으로서 바람직하다.
본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를 옥외용 조명에 적용한 예에 대하여 도 27(C)에 나타낸다.
옥외용 조명의 하나로서, 예를 들면, 가로등을 들 수 있다. 가로등은, 예를 들면, 도 27(C)에 나타낸 바와 같이, 케이스(8242)와 조명부(8244)를 갖는 구성으로 할 수 있다. 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치는, 조명부(8244)에 복수 배치해 이용할 수 있다. 도 27(C)에 나타낸 바와 같이, 가로등은, 예를 들면, 도로가에 설치하여 조명부(8244)에 의해 주위를 비출 수 있기 때문에, 도로를 포함하여 주위의 시인성을 향상시킬 수 있다.
또한, 가로등에 전원 전압을 공급하는 경우에는, 예를 들면, 도 27(C)에 나타낸 바와 같이, 전주(8246)의 송전선(8248)을 통하여 전원 전압을 공급할 수 있다. 단, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 광전 변환 장치를 케이스(8242)에 형성하여, 광전 변환 장치에 의해 얻어진 전압을 전원 전압으로서 이용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를 휴대용 조명에 적용한 예에 대하여 도 27(D) 및 도 27(E)에 나타낸다. 도 27(D)는 장착형 라이트의 구성을 나타낸 도면이며, 도 27(E)는 휴대형 라이트의 구성을 나타낸 도면이다.
도 27(D)에 나타낸 장착형 라이트는, 장착부(8252)와 조명부(8254)를 가지고, 조명부(8254)는 장착부(8252)에 고정되어 있다. 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치는, 조명부(8254)에 이용할 수 있다. 도 27(D)에 나타낸 장착형 라이트는, 장착부(8252)를 두부(頭部)에 장착하여, 조명부(8254)를 발광시킬 수 있다. 또한, 조명부(8254)로서 면광원의 광원을 이용함으로써, 주위의 시인성을 향상시킬 수 있다. 또한, 조명부(8254)는 경량이기 때문에, 두부에 장착하여 사용할 때의 부담을 경감할 수 있다.
또한, 도 27(D)에 나타낸 장착형 라이트의 구성에 한정되지 않고, 예를 들면, 장착부(8252)를 링 형상으로 한 평끈이나 고무끈의 벨트로 하고, 이 벨트에 조명부(8254)를 고정하고, 이 벨트를 두부에 직접 감는 구성으로 할 수도 있다.
도 27(E)에 나타낸 휴대형 라이트는, 케이스(8262)와 조명부(8266)와 스위치(8264)를 가진다. 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치는, 조명부(8266)에 이용할 수 있다. 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치를 조명부(8266)에 이용함으로써, 조명부(8266)의 두께를 얇게 할 수 있고, 소형으로 할 수 있기 때문에, 휴대하기 쉽게 할 수 있다.
스위치(8264)는 조명부(8266)의 발광 또는 비발광을 제어하는 기능을 가진다. 또한, 스위치(8264)는, 예를 들면, 발광시의 조명부(8266)의 휘도를 조절하는 기능을 가질 수도 있다.
도 27(E)에 나타낸 휴대형 라이트는 스위치(8264)에 의해 조명부(8266)를 발광시킴으로써, 주위를 비출 수 있기 때문에, 주위의 시인성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 양태인 제조 장치를 이용하여 제조한 조명 장치는, 면광원의 광원을 가지기 때문에, 점광원의 광원을 이용한 경우에 비해, 광반사판 등의 부재를 삭감하는 것도 가능하다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 각각의 도면에 설명한 내용은, 다른 실시형태에 설명한 내용에 대하여, 적절히 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다.
101: 반송실 103: 진공실
107: 기판 반송 수단 109: 반송실
111: 게이트 밸브 113: 게이트 밸브
115: 성막실 117: 성막실
119A∼119C: 성막실 121A, 121B: 성막실
123A∼123D: 성막실 125: 성막실
127: 성막실 129: 성막실
131: 성막실 133: 봉지실
137: 반송실 139: 게이트 밸브

Claims (15)

  1. 진공실과,
    상기 진공실을 감압 상태로 하는 배기계와,
    상기 진공실로 기판을 반송하는 반송실을 포함하고,
    상기 진공실은,
    상기 기판 위에 제1 전극을 성막하는 성막실과,
    상기 제1 전극 위에 적어도 발광층을 갖는 제1 발광 유닛을 성막하는 성막실과,
    상기 제1 발광 유닛 위에 중간층을 성막하는 성막실과,
    상기 중간층 위에 적어도 발광층을 갖는 제2 발광 유닛을 성막하는 성막실과,
    상기 제2 발광 유닛 위에 제2 전극을 성막하는 성막실과,
    상기 제2 전극이 형성된 상기 기판 위에 봉지막을 성막하는 성막실과,
    성막실의 각각에 상기 기판을 순차 반송하기 위한 기판 반송 수단을 구비한, 조명 장치 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공실은 건조제층을 성막하는 성막실을 더 구비한, 조명 장치 제조 장치.
  3. 진공실과,
    상기 진공실을 감압 상태로 하는 배기계와,
    상기 진공실로 기판을 반송하는 반송실을 포함하고,
    상기 진공실은,
    상기 기판 위에 제1 전극을 성막하는 성막실과,
    상기 제1 전극 위에 적어도 발광층을 갖는 제1 발광 유닛을 성막하는 성막실과,
    상기 제1 발광 유닛 위에 중간층을 성막하는 성막실과,
    상기 중간층 위에 적어도 발광층을 갖는 제2 발광 유닛을 성막하는 성막실과,
    상기 제2 발광 유닛 위에 제2 전극을 성막하는 성막실과,
    상기 제2 전극이 형성된 상기 기판을 봉지 부재에 의해 봉지하는 봉지실과,
    상기 성막실의 각각 및 상기 봉지실에 상기 기판을 순차 반송하기 위한 기판 반송 수단을 갖는, 조명 장치 제조 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 진공실은 건조제층을 성막하는 성막실을 더 구비한, 조명 장치 제조 장치.
  5. 진공실과,
    상기 진공실을 감압 상태로 하는 배기계와,
    상기 진공실로 기판을 반송하는 반송실과,
    상기 진공실과 게이트 밸브를 통하여 접속된 봉지실을 포함하고,
    상기 진공실은,
    상기 기판 위에 제1 전극을 성막하는 성막실과,
    상기 제1 전극 위에 적어도 발광층을 갖는 제1 발광 유닛을 성막하는 성막실과,
    상기 제1 발광 유닛 위에 중간층을 성막하는 성막실과,
    상기 중간층 위에 적어도 발광층을 갖는 제2 발광 유닛을 성막하는 성막실과,
    상기 제2 발광 유닛 위에 제2 전극을 성막하는 성막실과,
    상기 기판을 각각 성막실로 연속적으로 반송하는 기판 반송 수단을 구비하고,
    상기 봉지실에서, 상기 진공실로부터 반송된 상기 기판은 봉지 부재로 봉지하는, 조명 장치 제조 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 진공실은 건조제층을 성막하는 성막실을 더 구비한, 조명 장치 제조 장치.
  7. 기판을 진공실 내로 반송하고,
    상기 진공실 내에 배치되어, 복수의 성막실에 있어서, 상기 기판 위에 제1 전극, 제1 발광 유닛, 중간층, 제2 발광 유닛 및 제2 전극을 갖는 발광 소자와, 상기 발광 소자를 봉지하는 봉지막을 연속적으로 성막하는 단계를 구비한, 조명 장치 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판으로서 원형의 기판을 이용하는, 조명 장치 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판은 중앙부에 개구부를 갖는, 조명 장치 제조 방법.
  10. 기판을 진공실 내로 반송하고,
    상기 진공실 내에 배치되어, 복수의 성막실에 있어서, 상기 기판 위에 제1 전극, 제1 발광 유닛, 중간층, 제2 발광 유닛 및 제2 전극을 갖는 발광 소자를 형성하고,
    상기 발광 소자를 갖는 상기 기판을 상기 진공실 내에 배치되어 있는 봉지실로 반송하고,
    상기 봉지실에서 상기 기판을 봉지 부재에 의해 봉지하는, 조명 장치 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판으로서 원형의 기판을 이용하는, 조명 장치 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판은 중앙부에 개구부를 갖는, 조명 장치 제조 방법.
  13. 기판을 진공실 내로 반송하고,
    상기 진공실 내에 배치되어, 복수의 성막실에 있어서, 상기 기판 위에 제1 전극, 제1 발광 유닛, 중간층, 제2 발광 유닛 및 제2 전극을 갖는 발광 소자를 형성하고,
    상기 발광 소자를 갖는 상기 기판을 게이트 밸브를 통하여 상기 진공실에 접속된 봉지실로 반송하고,
    상기 기판을 상기 봉지실 내에서 봉지 부재로 봉지하는, 조명 장치 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판으로서 원형의 기판을 이용하는, 조명 장치 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판은 중앙부에 개구부를 갖는, 조명 장치 제조 방법.
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Families Citing this family (325)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8847480B2 (en) 2009-03-18 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
US8405116B2 (en) 2009-03-18 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR101849786B1 (ko) * 2009-03-18 2018-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명 장치
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR102113251B1 (ko) 2011-02-16 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5839556B2 (ja) * 2011-11-18 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
JP6245724B2 (ja) * 2012-09-05 2017-12-13 三菱重工業株式会社 照明装置及び機体
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
KR102255195B1 (ko) * 2013-04-16 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 필름 건조 장치 및 필름 건조 방법
DE102013107057B4 (de) * 2013-07-04 2022-05-25 Pictiva Displays International Limited Organische Leuchtdiode und Anordnung mit einer solchen Leuchtdiode
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
CN104120397B (zh) * 2014-07-31 2018-03-16 深圳市豪威薄膜技术有限公司 氧化铟锡低温沉积方法及系统
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US20160168699A1 (en) * 2014-12-12 2016-06-16 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing metal-containing film using particle-reduction step
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
CN107316946A (zh) * 2017-07-12 2017-11-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机电致发光器件及有机电致发光显示面板
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
CN108565196B (zh) * 2018-05-17 2023-11-14 汕头市金茂电光源实业有限公司 一种灯头自动涂黑烧结设备
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US20210375650A1 (en) * 2020-06-01 2021-12-02 Applied Materials, Inc. High temperature and vacuum isolation processing mini-environments
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
DE102021200421A1 (de) * 2021-01-18 2022-07-21 Alethia-Group Gmbh Sprüheinheit und Verfahren zum Aufsprühen eines aus einem Festkörper gewonnenen Materials
CN114850003B (zh) * 2021-02-03 2023-06-27 芝浦机械电子装置株式会社 加热处理装置
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115709156B (zh) * 2022-11-15 2023-06-30 中科伟通智能科技（江西）有限公司 一种贯穿式车灯用uv固化生产线

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1192913A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Shibaura Mechatronics Corp 汚損防止手段を備えた成膜装置
JP2001102170A (ja) 1999-07-23 2001-04-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置の作製方法及び薄膜形成装置
JP2002256432A (ja) * 2001-02-26 2002-09-11 Stanley Electric Co Ltd 多層膜成膜装置
JP2002302757A (ja) * 2001-02-01 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2003338367A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Seiko Instruments Inc Ｅｌ素子封止板、ｅｌ表示装置、及びその製造方法

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04120270A (ja) 1990-09-10 1992-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd クラスタイオンビーム発生方法およびクラスタイオンビーム発生装置
JPH04120271A (ja) 1990-09-10 1992-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd クラスタイオンビーム発生方法およびクラスタイオンビーム発生装置
US5757127A (en) 1994-06-10 1998-05-26 Nippondenso Co., Ltd. Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means
US6158868A (en) * 1998-03-27 2000-12-12 Chien; Tseng-Lu Night light with analog time piece
JP4166902B2 (ja) 1999-04-27 2008-10-15 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
TW449085U (en) * 1999-08-07 2001-08-01 Ritek Corp Disk with light emitting
TWI226205B (en) 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
US7517551B2 (en) 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
TW577813B (en) 2000-07-10 2004-03-01 Semiconductor Energy Lab Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
US20020139303A1 (en) 2001-02-01 2002-10-03 Shunpei Yamazaki Deposition apparatus and deposition method
US20030010288A1 (en) 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
US6664137B2 (en) 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
JP4704605B2 (ja) 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
TWI264473B (en) 2001-10-26 2006-10-21 Matsushita Electric Works Ltd Vacuum deposition device and vacuum deposition method
JP3735287B2 (ja) 2001-10-26 2006-01-18 松下電工株式会社 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
KR100430336B1 (ko) * 2001-11-16 2004-05-03 정광호 양산용 유기 전계 발광소자의 제작장치
SG149680A1 (en) 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
JP4294305B2 (ja) 2001-12-12 2009-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置および成膜方法
JP2003231963A (ja) 2002-02-12 2003-08-19 Sanyo Shinku Kogyo Kk 真空蒸着方法とその装置
SG113448A1 (en) 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
JP2003293121A (ja) 2002-04-05 2003-10-15 Cluster Ion Beam Technology Kk 蒸着材料供給手段を備えた蒸着用坩堝
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
TWI336905B (en) 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
JP2003338366A (ja) 2002-05-21 2003-11-28 Seiko Instruments Inc Ｅｌ装置、ｅｌ装置の製造方法、及びｅｌ表示装置
US6772700B2 (en) * 2002-08-16 2004-08-10 Hsin-Chuan Wong Control structure of supporting foot for collapsible furniture
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US7067170B2 (en) * 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
CN1498049A (zh) 2002-10-09 2004-05-19 伊斯曼柯达公司 具有改善电压稳定性的级联有机电致发光器件
JP5072184B2 (ja) 2002-12-12 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
US6936961B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers
WO2005072064A2 (en) * 2004-01-28 2005-08-11 Merina Benny Antony A preparation, process and a regenerative method and technioue for prevention, treatment and glycemic control of diabetes melletus
JP4653418B2 (ja) 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置および光ディスクの製造方法
JP4653419B2 (ja) 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
US7440091B2 (en) * 2004-10-26 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Sensors for dynamically detecting substrate breakage and misalignment of a moving substrate
US7271537B2 (en) 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
JP4507964B2 (ja) 2005-04-15 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP4797438B2 (ja) 2005-05-17 2011-10-19 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
US20060273713A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
JP2007043080A (ja) 2005-06-29 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp 有機電界発光素子を用いた光源
US20070001590A1 (en) 2005-06-29 2007-01-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light source using organic electroluminescent device
JP4582711B2 (ja) 2005-08-30 2010-11-17 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置及び真空処理方法
JP4974504B2 (ja) 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
JP4770450B2 (ja) 2005-12-21 2011-09-14 パナソニック電工株式会社 有機ｅｌ照明装置
US20080057183A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Spindler Jeffrey P Method for lithium deposition in oled device
US7524226B2 (en) * 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
JP2008218306A (ja) 2007-03-07 2008-09-18 Pioneer Electronic Corp 光デバイス
JP2009067048A (ja) 2007-08-21 2009-04-02 Nippon Paper Industries Co Ltd 感熱記録体
US8847480B2 (en) 2009-03-18 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1192913A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Shibaura Mechatronics Corp 汚損防止手段を備えた成膜装置
JP2001102170A (ja) 1999-07-23 2001-04-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置の作製方法及び薄膜形成装置
JP2002302757A (ja) * 2001-02-01 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2002256432A (ja) * 2001-02-26 2002-09-11 Stanley Electric Co Ltd 多層膜成膜装置
JP2003338367A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Seiko Instruments Inc Ｅｌ素子封止板、ｅｌ表示装置、及びその製造方法

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