TWI592058B - 照明裝置的製造裝置和製造方法 - Google Patents

Description

照明裝置的製造裝置和製造方法

本發明係關於照明裝置的製造方法，尤其關於具備用於形成發光元件的沉積室的製造裝置及使用該製造裝置的製造方法。

近年來，不斷推進將由呈現EL(Electro Luminescence；電致發光)的化合物形成的膜用作發光層的元件的開發，並且提出了使用各種化合物的發光元件。這些發光元件引起稱為電致發光(EL)的發光現象，該發光現象藉由在用於植入電洞的電極(陽極)和用於植入電子的電極(陰極)之間設有的發光層中電洞及電子重結合而發生。

作為利用EL發光的發光元件的應用，主要被期待應用於顯示器和照明。在考慮照明的應用時，現有照明器具的白熾燈泡為點光源，而螢光燈為線光源。針對於此，由於發光元件可以提供面發光，所以認為可製造具有例如片狀照明等以往沒有的形狀的照明裝置。此外，藉由採用面光源，可以容易得到更近於自然光的照明。

這些發光元件由於其發光層(尤其由有機化合物構成的發光層)的對於氧或水分的耐性較低而容易劣化，所以被要求如下技術：以不暴露於大氣的方式連續進行在形成陽極(或陰極)之後形成發光層等，並形成陰極(或陽極)，進而進行密封(密封發光元件)的製程。在現有的製造裝置中，使沉積室或密封室多室化來提供發光元件(例如專利文獻1)。

在將利用EL發光的發光元件用於照明用途時，由於元件的尺寸等於作為照明發光的尺寸，所以與用於顯示器的情況相比不需要高精密化而需要大面積。從而，為了利用EL發光的照明裝置在市場上銷售，需要批量生產化、低成本化，並需要製造裝置進一步提高生產率。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2001-102170號公報

鑒於上述問題，本發明的一個實施例的課題之一在於提供可以處理能力高地製造利用EL發光的照明裝置的製造裝置。

本發明的一個實施例的製造裝置之一包括：真空室；用於使真空室處於減壓或高真空狀態的排氣系統；將基板向真空室傳送的傳送室。此外，真空室包括：在從傳送室傳送的基板上形成第一電極的沉積室；在第一電極上形成至少具有發光層的第一發光單元的沉積室；在第一發光單元上形成中間層的沉積室；在中間層上形成至少具有發光層的第二發光單元的沉積室；在第二發光單元上形成第二電極的沉積室；在設有第二電極的基板上形成密封膜的沉積室；用於將基板依次傳送到各個沉積室的基板傳送部件。

此外，本發明的一個實施例的製造裝置之一包括：真空室；用於使真空室處於減壓或高真空狀態的排氣系統；將基板向真空室傳送的傳送室。另外，真空室包括：在從傳送室傳送的基板上形成第一電極的沉積室；在第一電極上形成至少具有發光層的第一發光單元的沉積室；在第一發光單元上形成中間層的沉積室；在中間層上形成至少具有發光層的第二發光單元的沉積室；在第二發光單元上形成第二電極的沉積室；使用密封構件密封設有第二電極的基板的密封室；用於將基板依次傳送到各個沉積室及密封室的基板傳送部件。

此外，本發明的一個實施例的製造裝置之一包括：真空室；用於使真空室處於減壓或高真空狀態的排氣系統；將基板向真空室傳送的傳送室；與真空室藉由閘閥連接的密封室。另外，真空室包括：在從傳送室傳送的基板上形成第一電極的沉積室；在第一電極上形成至少具有發光層的第一發光單元的沉積室；在第一發光單元上形成中間層的沉積室；在中間層上形成至少具有發光層的第二發光單元的沉積室；在第二發光單元上形成第二電極的沉積室；用於將基板依次傳送到各個沉積室的基板傳送部件，在密封室中使用密封構件密封從真空室傳送的基板。

此外，本發明的一個實施例是一種照明裝置的製造方法，包括如下步驟：將基板傳送到真空室內，在配置在真空室內並具有共同的真空度的多個沉積室中，在基板上形成包括第一電極、第一發光單元、中間層、第二發光單元以及第二電極的發光元件，將包括發光元件的基板向配置在真空室內並具有與多個沉積室共同的真空度的密封室傳送，在密封室中使用密封構件密封從真空室傳送的包括發光元件的基板。

此外，本發明的一個實施例是一種照明裝置的製造方法，包括如下步驟：將基板傳送到真空室內，在配置在真空室內並具有共同的真空度的多個沉積室中，在基板上形成包括第一電極、第一發光單元、中間層、第二發光單元以及第二電極的發光元件，將包括發光元件的基板向與真空室藉由閘閥連接的密封室傳送，在密封室中使用密封構件密封從真空室傳送的包括發光元件的基板。

根據本發明的一個實施例的製造裝置，可以實現高速成膜或連續成膜處理。此外，根據本發明的一個實施例的製造裝置，可以提高材料的利用效率，還可以降低製造成本。

以下，參照附圖詳細說明實施例模式。但是，本說明書所公開的發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，不應該被解釋為僅限定在本說明書的實施例模式及實施例所記載的內容中。此外，在用於說明實施例模式的所有附圖中，使用相同的附圖標記來表示相同的部分或具有同樣功能的部分，而省略其重複說明。

實施例模式1

在本實施例模式中參照附圖說明具備沉積室的製造裝置的一例。

圖1是本實施例模式的製造裝置的俯視示意圖。此外，圖2A及圖2B是沿著圖1中的A-B線的截面圖。

圖1所示的製造裝置包括第一傳送室101、真空室103、第二傳送室109以及第三傳送室137。此外，在真空室103中設有具備圓筒狀的防附著板的多個沉積室115至131、密封室133以及基板傳送部件107。在圖1中，使用第一傳送室101及第二傳送室109進行基板的搬入或搬出。此外，使用第三傳送室137進行發光元件的密封構件的搬入。

此外，在本說明書中基板是指可以形成薄膜的構件或形成有薄膜的構件，最好使用盤形狀(也稱為圓形或圓盤形狀)。明確而言，可以使用由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸等構成的塑膠基板、玻璃基板、石英基板等。此外，也可以使用撓性基板。撓性基板是指可彎曲(撓性)的基板，例如可以舉出塑膠基板、或膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯樹脂、聚氟乙烯、氯乙烯等形成)、無機蒸鍍膜等。另外，在發光元件的製造製程中只要起支撐體的作用就可以使用上述以外的材料。此外，基板的尺寸可以根據照明裝置的用途來適當地設置。但是，從生產率或照明裝置的使用方面來說，最好採用與CD-R等的光碟裝置大致相同的尺寸(例如，直徑為10cm至14cm的圓形，最好為直徑為12cm的圓形)。另外，也可以使用在其中央部分有開口部的基板。

用於形成發光元件的基板從第一傳送室101使用傳送臂(未圖示)向真空室103內傳送。此外，在真空室103內使用基板傳送部件107依次向沉積室傳送，在各沉積室中形成發光元件形成用的EL層及電極等之後，使用密封膜或密封構件進行密封，使用傳送臂(未圖示)向第二傳送室109傳送。另外，將收納有多個基板的盒子收納在傳送室也可。

第一傳送室101及第二傳送室109分別有排氣系統(未圖示)，藉由排氣系統可以使第一傳送室101及第二傳送室109處於減壓狀態或高真空狀態。此外，第一傳送室101和真空室103由閘閥111分開，而第二傳送室109和真空室103由閘閥113分開。在將基板搬出/搬入第一傳送室101或第二傳送室109時，使閘閥111或閘閥113關閉。在基板結束搬出/搬入後排氣系統工作，而在到達規定壓力時，使與真空室103的閘閥開啓。

藉由使用本實施例模式所示的製造裝置，可以製造包括在一對電極之間層疊多個發光單元的結構的發光元件(所謂串聯型(tandem)元件)的照明裝置。在圖1中，可以在第一電極和第二電極之間製造包括層疊兩個發光單元的串聯型元件的照明裝置。此外，本實施例模式所示的製造裝置不侷限於此，可以適當地設定沉積室的數量並決定發光單元的層數。

從第一傳送室101向真空室103內搬入的基板首先向沉積室115傳送，並在沉積室115中形成基底保護膜。作為基底保護膜，例如使用無機化合物以單層或多層形成。作為無機化合物的典型例，有氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等。或者，作為基底保護膜，也可以形成包含硫化鋅和氧化矽的膜。此外，成膜最好使用濺射法。藉由設置基底保護膜可以防止來自外部的水分或氧等的氣體向發光元件侵入。

接著，將設有基底保護膜的基板向沉積室117傳送。此外，從第一傳送室101有新基板向沉積室115搬入。在沉積室117中，在基底保護膜上形成第一電極。第一電極是用作發光元件的陽極或陰極的電極。此外，第一電極的成膜能夠最好使用濺射法。

在形成第一電極之後，將基板向沉積室119A傳送。此外，在沉積室115中設有基底保護膜的基板向沉積室117搬入。在沉積室119A至119C中形成發光元件的第一發光單元(也稱為EL層)。在本實施例模式中，藉由設有第一電極的基板依次向沉積室119A至119C傳送並進行成膜，形成層疊有包含電洞植入性高的物質的層、發光層、包含電子植入性高的物質的層這三層的第一發光單元(EL層)。

此外，發光單元的結構只要至少具有發光層，就不侷限於上述結構。藉由適當地調節沉積室的數量，既可以採用由一個發光層構成的單層結構，又可以採用由各自具有不同的功能的層構成的疊層結構。例如，除了發光層之外，還可以適當地組合具有各種功能的功能層如電洞植入層、電洞傳輸層、載子阻擋層、電子傳輸層、電子植入層等。此外，也可以包括同時具有各個層所具有的功能中的兩個以上的功能的層。或者，也可以層疊多個發光層。發光單元的各個層的成膜能夠最好使用蒸鍍法。

接著，將設有第一發光單元的基板向沉積室121A傳送。此外，形成有第一電極的基板向沉積室119A搬入。在沉積室121A及121B中形成發光元件的中間層。中間層有如下功能，即當對第一電極及第二電極施加了電壓時，電子植入到層疊的一方的發光單元，而電洞植入到另一方的發光單元。在本實施例模式中，藉由設有第一發光單元的基板依次向沉積室121A及121B傳送並進行成膜，形成層疊有包含電洞傳輸性高的有機化合物和電子受體(acceptor)的層以及包含電子傳輸性高的有機化合物和電子施體(donor)的層的中間層。中間層的各層的成膜能夠最好使用蒸鍍法。

此外，中間層的結構不侷限於此，可以採用包含電洞傳輸性高的有機化合物和電子受體的層或者包含電子傳輸性高的有機化合物和電子施體的層的單層結構。

接著，將設有中間層的基板向沉積室123A傳送。此外，形成有第一發光單元的基板向沉積室121A搬入。在沉積室123A至123D中形成發光元件的第二發光單元(EL層)。在本實施例模式中，藉由設有中間層的基板依次向沉積室123A至123D傳送並進行成膜，例如形成層疊有電洞植入層、發光層、電子傳輸層、電子植入層這四層的第二發光單元(EL層)。此外，第二發光單元與第一發光單元同樣地只要至少具有發光層即可，並不侷限於上述結構。沉積室的數量可以適當地調節。此外，在一個沉積室中也可以進行兩層以上的成膜。另外，第一發光單元和第二發光單元既可以採用相同的結構，又可以採用不同的結構。發光單元的各層的成膜能夠最好使用蒸鍍法。

此外，在從第一發光單元所得到的發光顏色以及從第二發光單元所得到的發光顏色處於互補色關係時，向外部射出的發光成為白色。或者，作為第一發光單元及第二發光單元分別有多個發光層的結構，可以採用如下結構：在多層的發光層的每個發光層中，藉由重疊彼此處於互補色關係的發光顏色，使各發光單元可以得到白色發光。作為互補色關係，可以舉出藍色和黃色或藍綠色和紅色等。

接著，將設有第二發光單元的基板向沉積室125傳送。此外，形成有中間層的基板向沉積室123A搬入。在沉積室125中，在第二發光單元上形成第二電極。另外，第一電極及第二電極中的一方用作陽極，而另一方用作陰極。第二電極的成膜能夠最好使用濺射法。

藉由上述製程，可以在基板上形成在一對電極之間層疊有多個發光單元的結構的發光元件。

接著，將設有第二電極的基板向沉積室127傳送。此外，形成有第二發光單元的基板向沉積室125搬入。在沉積室127中，在第二電極上設置乾燥劑層。藉由形成乾燥劑層，可以防止因水分等導致的發光元件的劣化。作為用於乾燥劑層的乾燥劑，可以使用由化學吸附作用吸附水分的物質，諸如氧化鈣或氧化鋇等鹼土金屬的氧化物。作為其他乾燥劑，也可以使用諸如沸石或矽膠等的由物理吸附作用吸附水分的物質。乾燥劑層最好利用濺射法向第二電極層上設置。此外，不一定必須設置乾燥劑層。

接著，設有乾燥劑層的基板向沉積室129傳送。此外，設有第二電極的基板向沉積室127搬入。在沉積室129中，在乾燥劑層上形成密封膜。密封膜可以使用與基底保護膜同樣的材料形成，最好利用濺射法形成。藉由設置密封膜，可以防止來自外部的水分或雜質等的侵入。

接著，將設有密封膜的基板向沉積室131傳送。此外，設有乾燥劑層的基板向沉積室129搬入。在沉積室131中，在設有發光元件的基板形成密封材料。密封材料用於貼合設有發光元件的基板和密封構件而設置，例如可以使用熱固化樹脂或紫外光固化樹脂等。

接著，將包括發光元件的基板向密封室133傳送。此外，形成有密封膜的基板向沉積室131搬入。在密封室133中，重疊包括發光元件的基板和密封構件，藉由進行紫外線照射或加熱使密封材料固化來使包括發光元件的基板和密封構件壓合。密封構件從由閘閥139與真空室103分隔的第三傳送室137向真空室103傳送。密封室133最好包括用於收納密封構件的盒子。或者，除了密封室133以外還可以設置用於收納密封構件的預備室。此外，當在密封室133中藉由進行紫外線照射使密封材料固化時，使用掩模，以便不對發光元件照射紫外線。

作為密封構件，例如可以使用塑膠(撓性基板)、玻璃或石英等。作為塑膠，可以舉出由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸等構成的構件。此外，也可以使用膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯樹脂、聚氟乙烯、氯乙烯等構成)、無機蒸鍍膜。此外，只要用作密封材料的材料就也可以使用上述以外的材料。此外，與包括發光元件的基板同樣地，密封構件為直徑為10cm至14cm的圓形，最好直徑為12cm的圓形。

此外，密封構件不一定必須設置，在使用密封膜密封發光元件之後，從製造裝置搬出基板也可。此外，在設置密封構件時，不一定必須設置密封膜。另外，密封材料不一定必須設置在包括發光元件的基板一側，而也可以設置在密封構件一側。此外，將預先設有密封材料的密封構件從密封構件傳送部向真空室中傳送也可。

藉由上述製程，在真空室103內連續進行發光元件的各層的成膜以及發光元件的密封，可以得到照明裝置。

圖2A和圖2B示出具體的成膜製程的一例。圖2A和圖2B是沿著圖1中的A-B線的製造裝置的截面圖。圖2A和圖2B示出在沉積室117中的利用濺射法的成膜以及沉積室119A中的利用蒸鍍法的成膜作為成膜製程的一例。沉積室分別包括圓筒狀的防附著板209。此外，在圖2A和圖2B中未圖示的其他沉積室中，進行根據圖2A和圖2B的成膜。

圖2A示出真空室103內的成膜製程。真空室103有密封結構，可以使用排氣系統201使真空室103處於減壓狀態或高真空狀態。此外，使用排氣系統201使設置在真空室內的多個沉積室及密封室減壓並有共同的真空度。作為排氣系統201，使用磁浮型渦輪分子泵、低溫泵或乾燥泵(dry pump)。使用真空排氣部件可以使真空室103的真空度達到10^-5Pa至10^-6Pa。此外，也可以設置多個排氣系統201。

基板傳送部件107具有多個基板支架215，使用基板支架215保持基板221。基板支架215例如利用靜電吸盤(chuck)等的吸附部件或夾具等的固定工具來保持基板。此外，在基板221的中央部分具有開口部時，也可以在基板支架215中設置從該開口部保持基板的卡爪。

基板支架215可以使用未圖示的上下驅動機構而上下方向移動。此外，最好設置旋轉基板支架215的旋轉機構。在進行成膜處理時，基板支架215下降，將基板221向設置在各沉積室的圓筒狀的防附著板209上的成膜用掩模211上方配置。掩模211最好具有對準標記。此外，藉由在各個沉積室中同時對多個基板進行處理，可以進一步提高生產量。

在本實施例模式中，在沉積室117中利用濺射法形成第一電極。在設置在沉積室117的防附著板209的內側設有濺射靶子203、高頻電源205、氣體引入部件207。最好在進行成膜時旋轉基板支架215，以便在基板上形成均勻的膜。

濺射法既可以使用DC(直流)濺射法又可以使用RF(高頻)濺射法。在進行DC濺射法時，對濺射靶子203施加負電壓，基板221為接地電位。在進行RF濺射法時，基板221處於電浮置(比接地電位浮置)狀態。此外，在沉積室117及沉積室125中，在形成由金屬膜形成的電極時，最好使用DC濺射法。此外，當在沉積室115、沉積室127以及沉積室129中無機材料用作靶子進行成膜時，最好使用RF濺射法。

此外，在沉積室119A中，利用蒸鍍法形成包含電洞植入性高的物質的層。在設置在沉積室119A中的防附著板209內側設置容器60及用於加熱容器的加熱器59。作為容器60使用熱容量小並能夠耐高溫、高壓、減壓的物質。另外，在容器內部中，從設置在供給管的前端的噴嘴58供給材料混合氣體56。經過氣瓶或閥或流量計等供給材料混合氣體56。

作為防附著板209的材料，最好使用鐵、鋁、不鏽鋼等的金屬。此外，在防附著板209的外周，設有細管加熱器54。藉由使基板221的形狀成為圓形，可以形成抑制膜厚度的不均勻的膜。另外，在進行蒸鍍時，最好旋轉基板支架215。

在各沉積室中結束成膜之後，如圖2B所示使基板支架215上升，往附圖中的箭頭方向使基板傳送部件107僅旋轉規定角度，將基板221向下一個沉積室的上方傳送。此外，也可以在基板傳送部件107設置上下驅動機構代替基板支架215。在圖2B中，藉由使基板傳送部件107沿逆時針方向旋轉，在沉積室117中形成有第一電極的基板向沉積室119A的上方傳送，在沉積室119A中結束蒸鍍的基板向沉積室119B的上方傳送。此外，從沉積室115將結束形成基底保護膜的基板向沉積室117的上方傳送。另外，基板傳送部件的旋轉角度可以根據沉積室的數量而適當地設定。此外，基板傳送部件的旋轉方向不侷限於圖2A和圖2B。

在本實施例模式所示的製造裝置中，由於沉積室115至沉積室131以及密封室133在真空室103中有共同的真空度，所以與使用隔著閘閥設置多個沉積室的情況相比，可以實現傳送部件的簡化、傳送時間及傳送距離的縮短化，並可以格外提高生產量。此外，藉由在真空室內配置多個沉積室及密封室，與在沉積室及密封室中分別設置排氣系統的情況相比，可以減少排氣系統的數量。另外，可以減少用於在真空室內引入惰性氣體的惰性氣體引入部件的數量，而可以實現製造裝置的簡化。從而，可以提高照明裝置的生產率。此外，由於在各沉積室之間不設置閘閥，可以減少裝置整體的成本，並還可以容易進行維護。

此外，在作為基板使用其中央部分具有開口部的基板時，也可以在基板支架215設置從開口部內側基底基板的卡爪。此外，也可以將該卡爪用作掩模。參照圖3A和圖3B說明此時的傳送例。

在基板支架215中分別設有對應於各沉積室具有不同尺寸(直徑)的卡爪227。在圖3A和圖3B中，卡爪227a、卡爪227b、卡爪227c的尺寸分別對應於沉積室117、沉積室119A、沉積室119B(未圖示)。

如圖3A所示，在各沉積室中結束成膜之後，在掩模211上承載基板221，而基板支架215上升。然後，在與傳送基板時的方向相反的方向(順時針方向)使基板傳送部件107僅旋轉規定角度，將基板支架215向相鄰的之前的沉積室的上方配置。例如，將具有卡爪227a的基板支架、具有卡爪227b的基板支架、具有卡爪227c的基板支架分別向沉積室115(未圖示)的上方、沉積室117的上方、沉積室119A的上方配置。

接著，使基板支架215下降，並支撐設置在各沉積室的防附著板209上的基板221之後，使基板傳送部件朝向與圖3A相反的方向(逆時針方向)僅旋轉規定角度，將基板向對應於各個卡爪的尺寸的沉積室的上方傳送。然後，使基板支架下降，並藉由進行成膜，可以進行將對應於各個沉積室的卡爪用作掩模的成膜，可以對圓形基板的開口部周圍進行取出端子等的構圖。

此外，在本實施例模式的製造裝置中，也可以用有機溶劑等對附著在掩模211及防附著板209上的材料進行洗滌並回收，而再利用。藉由從洗滌溶液回收包含在發光層中的銥等的材料並再利用，可以減少資源的浪費，並有效率地使用或再利用較昂貴的EL材料。從而，可以實現照明裝置的低成本化。

此外，雖然在本實施例模式中示出多個沉積室配置為圓周狀的結構，但是製造裝置的結構不侷限於此，可以根據潔淨室(clean room)的設計等適當地改變。例如，也可以使真空室103的形狀成為長方體形狀，並在直線上配置多個沉積室。或者，如圖4所示也可以以U字形配置沉積室。此外，圖4所示的製造裝置具有第一傳送室101、真空室103、第二傳送室109。另外，與圖1所示的製造裝置同樣在真空室103內連續進行照明裝置所包含的發光元件的各層的成膜以及發光元件的密封。在製造裝置的結構為U字形時，例如可以使用配置在各沉積室上的軌道400等將基板連續傳送到各個沉積室。

此外，在圖4中，沉積室131及密封室133是為了使用密封構件密封發光元件而設置的，在使用密封膜密封發光元件時，不一定必須設置沉積室131及密封室133。另外，在使用密封構件密封發光元件時，也可以將密封材料形成在包括發光元件的基板或密封構件上的沉積室131和密封室133設置成與真空室103分開的處理室。或者，也可以設置用於收納設有密封材料的密封構件的預備室代替沉積室131。

在本實施例模式中，示出在真空室103內密封照明裝置的例子，但是製造裝置的實施例模式不侷限於此。例如如圖5所示，也可以作成與真空室103分開地設置密封室的製造裝置。在圖5中具有由閘閥401與第二傳送室109分隔的密封室403。

使用圖5所示的製造裝置，在真空室103的沉積室115至沉積室127中，在基板上連續形成基底保護層、第一電極、第一發光單元、中間層、第二發光單元、第二電極以及乾燥劑層之後，在密封室403中以不暴露於大氣的方式進行使用密封構件密封的加工。此外，也可以在真空室103中還設置形成密封膜的沉積室，將使用密封膜密封的發光元件向密封室403傳送。密封室403也可以在密封構件和元件基板之間的空間填充乾燥的氮等的惰性氣體作為氮氣氛圍。

作為密封構件，可以使用玻璃、陶瓷、塑膠或金屬等。或者也可以使用有機樹脂材料諸如聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)、芳族聚醯胺、預浸料等。但是，在光發射到密封構件一側時，使用具有透光性的密封構件。此外，密封構件和形成有發光元件的基板使用熱固化樹脂或紫外線固化樹脂等的密封材料而貼合，藉由進行熱處理或紫外線照射處理使樹脂固化而形成密封空間。在該密封空間中設置氧化鋇等的乾燥劑也是有效的。

此外，也可以在密封構件和形成有發光元件的基板之間的空間填充熱固化樹脂或紫外線固化樹脂等的密封材料。此時，在熱固化樹脂或紫外線固化樹脂中添加乾燥劑也可。

如上所示的本實施例模式的製造裝置可以實現製造裝置的小型化、占地面積(footprint)的節省化。此外，藉由使用該製造裝置製造照明裝置，可以提高生產率，並減少製造成本。再者，藉由使用該製造裝置，可以減少資源的浪費，並可以提供適應地球環境的製造方法。

此外，本實施例模式所示的製造裝置是連結並能夠進行線上處理的裝置，因此可以進行高速成膜或連續成膜處理。再者，還可以提高材料的利用效率，並減少製造照明裝置的製造費用。

此外，本實施例模式可以與其他實施例模式適當地組合。

實施例模式2

在本實施例模式中說明設置在製造裝置的沉積室的一例。明確而言，對利用蒸鍍法形成有機材料的膜，並形成發光元件的發光單元或中間層的沉積室的一例進行說明。圖6是示意結構圖的截面。

沉積室11設置在設有真空排氣部件的真空室中，並設有惰性氣體引入部件。作為真空排氣部件，使用磁浮型渦輪分子泵、低溫泵或乾燥泵。使用真空排氣部件可以使沉積室11的真空度達到10^-5Pa至10^-6Pa。此外，為了防止雜質引入到沉積室11內部，使用氮或稀有氣體等的惰性氣體作為要引入的氣體。作為引入到沉積室11內部的這些氣體，使用在被引入到裝置內之前用氣體精製器高度提純的氣體。因而，需要具備氣體精製器使得氣體被高度提純後被引入到成膜裝置中。由此，可以預先除去氣體中所包含的氧或水以及其他雜質，因而，可以防止這些雜質引入到裝置內部。

此外，在沉積室11中設有固定基板10的基板保持部件(基板支架)12。基板保持部件12利用靜電吸盤等固定基板。此外，在基板保持部件12的一部分設有透明視窗部，使用設置在與基板保持部件12中的透明視窗部重疊的位置上的攝像部件(CCD相機等)來可以確認到基板10的位置。另外，在沒有必要確認基板10的位置時，也可以不用特別設置透明視窗部及攝像部件。

此外，在基板保持部件12設有基板旋轉控制部13，以便提高成膜的均勻性。藉由在成膜時使基板10旋轉，可以提高膜厚度的均勻性。另外，可以將基板旋轉控制部13用作在成膜之前及成膜之後傳送基板的機構，在此情況下，也可以稱為基板移動控制部。例如，既可以在成膜之前從其他沉積室以維持真空的狀態下將基板引入到沉積室11，又可以在成膜之後從沉積室11以維持真空的狀態下將基板搬出到其他處理室。

此外，設有防附著板15，以便防止在成膜時有機材料，典型為有機化合物附著在沉積室11的內牆。藉由設置該防附著板15，可以使未成膜的有機化合物附著在基板上。另外，在防附著板15的周圍接觸地設置電熱線等的細管加熱器14，使用細管加熱器14可以加熱整個防附著板15。在成膜時，最好控制防附著板15的溫度(T_B)比基板的溫度(T_S)高10℃以上。

此外，重疊於基板10的下方地設置容器20及加熱容器的加熱器19。作為容器20使用熱容量小並能夠耐高溫、高壓、減壓的物質。另外，從設置在供給管的前端的噴嘴18對容器內部，供給材料混合氣體16。經過氣瓶或閥或流量計等供給材料混合氣體16。此外，噴嘴18的配置不侷限於圖6，例如也可以如圖2A和圖2B所示那樣從沉積室的下部引入氣體。

此外，為了精確地控制容器溫度，除了加熱器以外還可以具備利用控制部能夠控制的冷卻機構。作為冷卻機構，例如可以使用珀耳帖(Peltier)元件。或者，也可以採用在容器周邊設置細管，對細管引入冷卻水而進行容器的冷卻的結構。藉由設置冷卻機構，可以更精確地控制溫度。例如，可以防止因使用加熱器引起快速加熱而容器的溫度超過所希望的溫度，使用冷卻機構可以控制容器的溫度為一定的溫度。由於使用熱容量小的容器，所以可以將控制加熱器和冷卻機構這兩者的容器的溫度快速地反映於有機材料的溫度。

材料混合氣體16是至少包含有機材料粉末和載子氣體的混合氣體，在從噴嘴18供給到容器內部時，最好進行預熱。藉由對有機材料進行預熱，可以縮短在對基板開始進行蒸鍍之前所需要的時間。作為進行預熱的方法，混合使用加熱器加熱的載子氣體和有機材料粉末而對混合材料氣體16進行預熱的方法或者使用在供給管外側設置的加熱器等對材料混合氣體16進行預熱的方法。

此外，為了防止雜質引入到材料混合氣體16中，使用氮或稀有氣體等的惰性氣體作為載子氣體。作為載子氣體使用在被供給到沉積室11內之前或在與有機材料混合之前用氣體精製器高度提純的氣體。因而，最好具備氣體精製器使得氣體被高度提純後被引入到成膜裝置。由此，可以預先除去載子氣體中所包含的氧或水以及其他雜質，因而，可以防止這些雜質附著在供給管內部及噴嘴內部。

此外，能夠利用閥的開合或流量計或氣瓶的壓力等來控制材料混合氣體16的流量，並使用控制部21來控制材料混合氣體16的流量和加熱器19的溫度這兩者。此外，圖6示出使用控制部21控制閥的開合來調節材料混合氣體16的流量的例子。但是，使用控制部21調節材料混合氣體16的流量的方法不侷限於圖6所示的結構。

容器20使用由熱容量小的物質(鎢、鉬等)構成的坩堝(crucible)或盤子，藉由使用控制部21控制的加熱器19的溫度，調節供給到容器的有機材料的溫度和材料混合氣體16的流量這兩者，可以進行穩定的有機材料的蒸鍍。此外，坩堝是指具有開口部的筒狀容器。

此外，在加熱器19和基板10之間設有圖6中用虛線所示的擋板(shutter)或閘(gate)。擋板是為了控制氣化的有機材料的蒸鍍直到從蒸鍍源的昇華速度穩定之前覆蓋基板10的擋板。此外，圖6示出旋轉擋板軸17而進行擋板的開合的例子。但是，擋板的開合的方法不侷限於圖6所示的結構。

此外，圖6示出以朝向下面的方式設置基板10的例子。朝向下面的方式是指在基板的成膜面朝下面的狀態下進行成膜的方式，根據該方式可以抑制灰塵的附著等。

此外，圖7A、圖7B以及圖7C示出從對基板10進行蒸鍍之前到蒸鍍之後的步驟以及對第二個基板開始進行蒸鍍的步驟的時序圖。在圖7A中，縱軸示出加熱器的電源電力，而橫軸示出時間。在圖7B中，縱軸示出容器的溫度，而橫軸示出時間。此外，圖7C示出對沉積室11的基板的引入時序以及對其他處理室(包括傳送室)的基板的搬出時序的圖。

以下參照圖6A及圖7A至圖7C說明形成有機膜的步驟。圖7A至圖7C的說明示出將基板搬入到反應室之前的步驟，並以時間序列示出在此之後進行的各處理。

首先，在將基板向沉積室11內引入之前進行真空排氣，以使沉積室11內的壓力低於1×10^-4Pa的壓力。但是，不侷限於從大氣壓排氣到真空，從批量生產或以短時間降低到達真空度的觀點來看，最好將真空室一直保持為一定程度的真空度。

接著，將加熱器19的電源導通來設定為第一電力P1，利用加熱器19的熱對容器20(坩堝)進行加熱，而使容器的溫度成為第一溫度T1。將加熱器19的電源暫時設定為較高的第一電力P1，以便縮短使該容器的溫度成為第一溫度T1的時間。

在將容器20的溫度設定為第一溫度T1之後，將加熱器19的電源設定為低於第一電力P1的第二電力P2，並繼續進行加熱。該時刻表示準備狀態的時刻70。

接著，從噴嘴18將材料混合氣體16引入到容器20內。在引入時也會依賴於供給至容器內的材料量，而容器20的溫度暫時下降，成為第二溫度T2。該時刻表示供給材料混合氣體16之後的狀態的溫度變化點71。此外，最好使材料混合氣體16的溫度也成為與第一溫度T1一致的溫度。

接著，繼續進行容器20的加熱，在容器20的溫度回到與第一溫度T1相同的第三溫度T3之後，將基板10引入到沉積室11。該時刻表示基板10的引入時刻80。回到第三溫度T3時的加熱器19的電源設定為與第二電力P2相同的第三電力P3。

接著，將加熱器19的電源暫時設定為較高的第四電力P4，以便在短時間內使容器20的溫度上升到第四溫度T4。為了此時的上升，追加電力ΔP並以短時間穩定為第四溫度T4。在此，施加電力，以便基於線性最小二乘法的近似式而增加升溫速度。此外，在容器20的溫度為第四溫度T4時自動開始蒸鍍。該時刻表示容器20的溫度到達第四溫度T4的時刻72。在該時刻以後，打開擋板，並對基板開始進行蒸鍍。圖7B中的虛線所表示的曲線示出在不追加電力ΔP時的容器的溫度變化。

接著，在容器20的溫度穩定為第四溫度T4的步驟，設定為低於第四電力P4的第五電力P5，並繼續進行加熱。該時刻的容器20的溫度為第五溫度T5，是與第四溫度T4相同的溫度，即進行蒸鍍的規定溫度。此外，第五溫度T5、第三溫度T3、第一溫度T1由於根據供給的有機材料不同，所以實施者適當地設定最佳溫度。

接著，進行一定的加熱，並關閉基板擋板而結束對基板的成膜。就在成膜結束之前的加熱器19的電源設定為第六電力P6。此外，第六電力P6與第五電力P5相同。另外，就在蒸鍍結束之前的容器20的溫度為第六溫度T6，該溫度為與第五溫度T5相同的溫度。

接著，在搬出基板之後，設定為低於第六電力P6的第七電力P7，並結束有機材料的蒸發。此外，在設定為第七電力P7之前關閉基板擋板。

此外，在基板搬出時刻81由於設定為低於第六電力P6的第七電力P7，所以繼續進行加熱，可以再次為準備狀態(與準備狀態的時刻70相同的狀態)。基板搬出時刻81處於準備狀態，第七溫度T7是就在開始蒸鍍之前的溫度。另外，第七電力P7與第三電力P3相同。

藉由上述步驟，可以對第一個基板10進行成膜。結束成膜後的基板向下一個沉積室傳送。

此外，上述步驟示出在將有機材料從噴嘴供給到容器中之後，使用加熱器19容器的溫度上升來進行蒸鍍的例子。藉由使用圖6所示的製造裝置，將一個基板所需要的最小限度的有機材料量從噴嘴供給到容器，並藉由使用最小限度的電力的加熱進行蒸鍍，因此可以減少製造成本。此外，最好使用控制部21精確地調節從噴嘴供給到容器的有機材料量、加熱器19的電力以及施加其電力的時序。根據需要在沉積室內設置膜厚度監視器，使用控制部21監視來調節有機材料的供給量、加熱器19的電力以及施加其電力的時序。

此外，在沉積室中對第二個基板進行成膜時，在第一個基板的成膜結束後，在基板搬出時刻81從沉積室搬出第一個基板，對容器進行第二次材料供給，處於準備狀態之後，將第二個基板引入到沉積室並進行成膜。

第二次材料供給時刻示出材料混合氣體16供給之後的狀態的溫度變化點74。此外在供給材料混合氣體16之後，在容器20的溫度到達第八溫度T8時對第二個基板開始進行成膜。加熱器19的電源暫時設定為較高的第八電力P8，以便在短時間使容器20的溫度上升到第八溫度T8。此外，第八電力P8與第四電力P4相同。

此外，圖6示出防附著板與供給管接觸的例子。若在供給管的外壁上形成蒸鍍膜則熱擴散而有可能會導致供給管的溫度下降，因此最好也對供給管進行加熱。當被加熱的材料混合氣體流在供給管內部時，藉由被加熱的材料混合氣體也加熱供給管。最好的是供給管的溫度設定為與防附著板相同的溫度T_s，因此防附著板與供給管熔敷而固定，利用設置在防附著板的細管加熱器的熱也能對供給管進行加熱。至少利用設置在防附著板的細管加熱器的熱對設置在沉積室內的供給管的部分進行加熱，可以防止因對供給管內牆附著材料導致的管堵塞以及供給管外壁的材料附著。此外，最好在設置在沉積室外側的供給管另外設置加熱器並進行加熱，防止因對供給管內牆附著材料導致的管堵塞。此外，不侷限於圖6的防附著板與供給管接觸的結構，只要在設置在沉積室內的供給管的部分纏上細管加熱器等的加熱部件，就可以貫穿沉積室的上面地設置供給管，也可以貫穿沉積室的下面地設置供給管。

此外，為了防止熱擴散，最好在供給管與沉積室的牆壁接觸的部分以圍繞供給管的方式設置絕熱構件，而保持供給管的溫度。藉由在供給管和沉積室的牆壁之間設置絕熱構件，供給管的熱傳到沉積室的不鏽鋼構件(或鋁構件)，可以防止局部性地冷卻供給管。

此外，進行清洗，以便除去附著在沉積室內牆或防附著板的被膜或粉末。另外，也可以回收附著在沉積室內牆或防附著板的被膜或粉末並再利用。

本實施例模式可以與其他實施例模式自由地組合。

實施例模式3

實施例模式2主要示出處理一個基板的步驟，而在本實施例模式中示出連續進行多個基板的蒸鍍，將有機材料間歇地供給到容器。此外，與實施例模式1及實施例模式2共同的部分使用相同的附圖標記來說明。

此外，圖8A、圖8B及圖8C是示出在從對基板10進行蒸鍍之前到進行蒸鍍之後的步驟以及對多個基板開始進行蒸鍍的步驟的時序圖。在圖8A中，縱軸示出加熱器的電源電力，而橫軸示出時間。在圖8B中，縱軸示出容器的溫度，而橫軸示出時間。此外，圖8C示出對沉積室11的基板的引入時序以及對其他處理室(包括傳送室)的基板的搬出時序的圖。

在本實施例模式中示出在第一個基板的成膜結束後，從沉積室搬出第一個基板，對容器進行第二次材料供給，處於準備狀態，然後將第二個基板引入到沉積室並進行成膜的例子。此外，也可以在真空室內設置用於使基板待機的預備室。

此外，在本實施例模式中使用圖6所示的製造裝置從噴嘴將多個基板所需要的材料一次供給到容器。該時刻表示供給材料混合氣體16之後的狀態的溫度變化點71。

直到對第一個基板進行蒸鍍，將加熱器19的電源設定為第五電力P5，並將容器的溫度設定為第五溫度T5的步驟與實施例模式2相同，以下說明該步驟以後的步驟。

在結束第一個基板的成膜之後，將第二個基板、第三個基板間歇地依次引入到沉積室內。圖8C示出第二個基板引入時刻82、第二個基板搬出時刻83、第三個基板引入時刻84、第三個基板搬出時刻85。在本實施例模式中藉由一次進行材料供給來對三個基板進行成膜，但是不侷限於此，也可以藉由一次進行材料供給來對三個以上的基板進行成膜。

然後，在進行第二次材料供給之後，引入第四個基板。此外，在圖8B中示出第二次材料供給之後的狀態的溫度變化點74。此外，圖8C示出第四個基板引入時刻86。此外，在供給材料混合氣體16之後，在容器20的溫度到達第八溫度T8的時刻開始對第四個基板的成膜。加熱器19的電源暫時設定為較高的第八電力P8，以便在短時間使容器20的溫度上升到第八溫度T8。此外，第八電力P8與第四電力P4相同。

接著，在結束第四個基板的蒸鍍之後對後續第五個以後的基板進行成膜處理時，同樣地反復進行材料供給及基板的引入和搬出。本實施例模式適應於批量生產，可以對多個基板高收穫率地進行成膜，還可以提高生產量。

此外，不侷限於上述步驟，也可以採用預先在沉積室中使多個基板待機，連續進行成膜，在結束對所有基板的成膜之後依次搬出沉積室的步驟。在此，連續進行成膜是指在沉積室內保持真空的情況下對多個基板依次進行成膜。

此外，雖然沉積室的尺寸會變大，但是採用在沉積室中能夠設置多個基板的結構，設置多個重疊於各基板的容器，從多個噴嘴供給材料，而可在短時間對多個基板同時進行成膜。

本實施例模式可以與其他實施例模式自由地組合。

實施例模式4

在本實施例模式中，圖9A至圖9C示出進行共蒸鍍的容器的一例。

圖9A是示出第一容器31、圍繞第一容器的加熱器34、連接於第一容器的第一供給管38、圍繞第一供給管38的細管加熱器36的截面圖。從第一供給管38供給的材料混合氣體30引入到第一容器31內，然後利用加熱器34的熱昇華而飛散。

此外，圖9A是示出第二容器32、圍繞第二容器的加熱器35、連接於第二容器的第二供給管39、圍繞第二供給管39的細管加熱器37的截面圖。

從第二供給管39供給的材料混合氣體40引入到第二容器32內，然後利用加熱器35的熱昇華而飛散。

此外，藉由使從第一供給管38供給的材料混合氣體30的材料與從第二供給管39供給的材料混合氣體40的材料不同，可以進行共蒸鍍。從第二容器32的開口飛散的第一有機化合物材料和從第一容器31的開口飛散的第二有機化合物材料在到達基板期間混合，對基板進行共蒸鍍。

此外，圍繞第一供給管38的細管加熱器36和圍繞第二供給管39的細管加熱器37進行加熱，以使供給管的溫度成為與實施例模式2所示的第三溫度T3相同的溫度的方式，對從第一供給管38供給的材料混合氣體30及從第二供給管39供給的材料混合氣體40進行加熱。

作為從第一供給管38供給的材料混合氣體30，使用供給氮、氬、氦等的載子氣體的氣槍送出有機材料。此外，藉由使用圍繞第一供給管38的細管加熱器36和圍繞第二供給管39的細管加熱器37，可以根據容器的熱容量，將供給管的溫度設定為實施例模式2所示的第五溫度T5或近於該溫度。

對圍繞第一容器的加熱器34及圍繞第二容器的加熱器35分別進行電力控制，將第一容器31及第二容器32的溫度分別調節為實施例模式2所示的第一溫度T1至第七溫度T7來進行蒸鍍。

此外，最好使圍繞第一容器的加熱器34及圍繞第二容器的加熱器35的溫度成為第五溫度T5以上的溫度，以防止蒸鍍物附著在第一容器的開口附近和第二容器的開口附近。

此外，圖9B示出圖9A的俯視圖。圖9B示出第一容器31、連結於第一容器的第一供給管38、第二容器32、連結於第二容器的第二供給管39。

可以使用實施例模式2的噴嘴18、容器20及加熱器19代替圖9A及圖9B所示的容器、供給管及加熱器而構成製造裝置。

此外，在使用三個容器進行共蒸鍍時，如圖9C所示那樣配置第一容器41、第二容器42及第三容器43即可。圖9C示出俯視圖。分別設置在三個容器的加熱器或供給管使用與圖9A所示的加熱器或供給管相同的即可。藉由使用圖9C所示的三個容器分別供給不同的材料，可以形成包含三種有機化合物的膜。

此外，可以用實施例模式2的噴嘴18、容器20及加熱器19代替圖9C所示的容器、供給管及加熱器而構成製造裝置。

此外，本實施例模式可以與其他實施例模式自由地組合。

實施例模式5

在本實施例模式中說明蒸鍍有機材料的沉積室的其他一例。圖10是示意結構圖的截面。

在圖10中沉積室51設置在設有真空排氣部件的真空室中，並設有惰性氣體引入部件。此外，在沉積室51內進行真空排氣之後填充惰性氣體時使用惰性氣體引入部件。另外，在沉積室51中設有用於固定基板50的基板保持部件52，還設有基板旋轉控制部53以便提高成膜的均勻。此外，電熱線等的細管加熱器54接觸地設置在用於防止附著在沉積室51的內牆的防附著板55上。另外，藉由旋轉擋板軸57，進行擋板的開合。

在本實施例模式中，加熱容器60的加熱器59對有機材料61進行預熱，藉由加熱器59有機材料61加熱到低於有機材料61的昇華溫度。然後，從噴嘴58對有機材料61引入加熱氣體56，從而加熱到有機材料61的昇華溫度以上。此外，從噴嘴供給的加熱氣體的溫度高於容器的溫度(T_C)，容器60內的有機材料61加熱到有機材料61的昇華溫度以上。

此外，在本實施例模式中將有機材料61供給到容器60內的方式不侷限於利用氣流供給的方式，可以採用將有機材料61以棒狀、線狀附著在撓性膜的狀態使用機械機構(旋轉設置在供給管內的螺旋槳(screw)的機構等)供給粉末狀的有機材料61的方式等。此外除了供給加熱氣體56的噴嘴58以外還可以設置利用氣流將有機材料供給到容器內的噴嘴。

此外，控制部63調節在兩個閥之間設有的流量計62的流量和加熱器59的溫度。另外，控制部63也可以有能夠監視設置在供給管內的溫度感測器的功能，以便調節流在供給管中的氣體的溫度。

此外，若不加熱從噴嘴58的排出口供給的惰性氣體，則可以將噴嘴58用作在真空室內進行真空排氣之後填充惰性氣體時所使用的惰性氣體引入部件，可以減少一個供給系統。

此外，本實施例模式可以與其他實施例模式自由地組合。

實施例模式6

在本實施例模式中，參照圖11及圖12A和圖12B說明使用上述實施例模式所示的製造裝置而製造的照明裝置的一個實施例。

圖11是照明裝置的平面圖，而圖12A是沿著圖11中的線E-F的截面圖，圖12B是沿著圖11中的線G-H的截面圖。

在設有用作基底保護膜(阻擋層)的絕緣膜902的基板900上形成包括第一電極層904、EL層906以及第二電極層908的發光元件932，並發光元件932以不包括第一電極層904及第二電極層908的一部分地由絕緣膜910覆蓋。絕緣膜910用作保護發光元件的EL層906避免受到來自外部的水等的污染物質的保護層、密封膜。此外，基板900有圓形(盤狀、圓盤狀或圓周形)的形狀，並使用能夠形成用於形成發光元件932的薄膜的構件。

由於基板900是圓形的基板，所以層疊在基板900上的絕緣膜902、第一電極層904、EL層906、第二電極層908以及絕緣膜910也反映其形狀，形成為大致圓形。

第一電極層904及第二電極層908為了與形成在絕緣膜910上的第一輔助佈線911、第二輔助佈線913分別連接，延伸設置到基板900的外周部，絕緣膜910不覆蓋該延伸設置的區域，而使第一電極層904及第二電極層908露出。該第一電極層904及第二電極層908的露出區域分別成為第一電極層904與第一輔助佈線911的連接部、第二電極層908與第二輔助佈線913的連接部。

與第一電極層904延伸設置的露出區域接觸地形成第一輔助佈線911，同樣地與第二電極層908延伸設置的露出區域接觸地形成第二輔助佈線913。第一輔助佈線911及第二輔助佈線913用作與外部電源的端子連接的照明裝置一側的端子，具有與外部電源的端子連接的第一連接部912(也稱為照明裝置的第一端子部)、第二連接部914(也稱為照明裝置的第二端子部)。藉由第一輔助佈線911及第二輔助佈線913，第一電極層904的連接部即第一連接部912以及第二電極層908的連接部即第二連接部914可以在與發光元件932同一面上設置在圓形基板的中央部分。此外，在本說明書中基板或照明裝置的中央部分是指包括中央和中央附近的區域。

在基板900的外周部E中，在絕緣膜902上形成第一電極層904，在第一電極層904上覆蓋第一電極層904的端部地層疊EL層906，在EL層906上覆蓋EL層906的端部並延伸設置到基板900的外周部E一側地形成第二電極層908。第二電極層908延伸設置的區域不形成層疊在第二電極層908上的絕緣膜910而露出。與該露出的第二電極層908接觸而在絕緣膜910上第二輔助佈線913形成到基板900的中央部分。由此，藉由與第二電極層908電連接的第二輔助佈線913，可以在基板900的中央部分形成用於與外部電源連接的第二連接部914。

在基板900的外周部F中，在絕緣膜902上第一電極層904形成為延伸設置在基板900的外周部F一側。在第一電極層904上層疊有EL層906、第二電極層908，在EL層906及第二電極層908上覆蓋EL層906及第二電極層908的端部地形成絕緣膜910。在外周部F中，第一電極層904延伸設置的區域不形成層疊在第一電極層904上的EL層906、第二電極層908、絕緣膜910而露出。與該露出的第一電極層904接觸地在絕緣膜910上第一輔助佈線911形成到基板900的中央部分。由此，藉由與第一電極層904電連接的第一輔助佈線911，可以在基板900的中央部分形成用於與外部電源連接的第一連接部912。

在基板900的外周部G及H中，在絕緣膜902上形成第一電極層904，在第一電極層904上覆蓋第一電極層904地形成EL層906，在EL層906上形成第二電極層908。在第一電極層904、EL層906以及第二電極層908上覆蓋EL層906及第二電極層908的端部地形成絕緣膜910。

如上所述，在照明裝置中，EL層906形成在第一電極層904和第二電極層908之間，以便第一電極層904不與第二電極層908接觸。此外，EL層906的端部採用由絕緣膜910或第二電極層908覆蓋的結構。

因此，在發光元件932中，第一電極層904及第二電極層908不因彼此接觸而產生短路，可以從發光元件932得到穩定的發光。此外，防止因水等引起EL層的劣化，而可以提高照明裝置的可靠性。

本實施例模式的照明裝置是使來自EL層906的光透過第一電極層904、絕緣膜902、基板900而提取的照明裝置。從而，第一電極層904、絕緣膜902、基板900需要使來自EL層906的光透過的透光性。此外，在本說明書中透光性是指至少在可見光的波長區域中具有透過光的性質。

另一方面，第二電極層908、絕緣膜910、第一輔助佈線911以及第二輔助佈線913不一定必須具有透光性。若第二電極層908具有反射性，則可以提高從基板900一側的光提取效率。

作為用於基板900的構件的具體例，可以使用塑膠(撓性基板)、玻璃或石英等。作為塑膠，例如可以舉出聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸等構成的構件。此外，也可以使用膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯樹脂、聚氟乙烯、氯乙烯等構成)、無機蒸鍍薄膜。此外，只要在發光元件的製造製程中用作支撐體的構件就也可以使用上述以外的構件。

此外，基板900的尺寸可以根據照明裝置的用途適當地設定，但是從生產率及照明裝置的使用方面來說，最好採用與CD-R等的光碟裝置大致相同的尺寸(例如，直徑為10cm至14cm的圓盤形，最好地直徑為12cm的圓盤形)。

從而，圖11及圖12A和圖12B所示的照明裝置可以是直徑為10cm至14cm，最好直徑為12cm，且1.2mm至1.5mm厚的圓盤形的照明裝置。

用作基底保護膜的絕緣膜902例如使用無機化合物以單層或多層形成。作為無機化合物的典型例，有氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等。此外，作為絕緣膜902，也可以使用包含硫化鋅及氧化矽的膜(ZnS/SiO₂膜)。另外，藉由使用氮化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等作為絕緣膜902，可以防止來自外部的水分或氧等的氣體向EL層侵入。

作為用作保護膜、密封膜的絕緣膜910，例如可以使用無機化合物、有機化合物，以單層或多層形成。在實施例模式6中，絕緣膜使用無機化合物以單層或多層形成。作為無機化合物的典型例，有氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化鋁、氧氮化鋁、氮氧化鋁或氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、含有氮的碳等。此外，作為絕緣膜910，也可以使用包含硫化鋅及氧化矽的膜(ZnS/SiO₂膜)。

此外，作為有機化合物，可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯、聚醯胺、環氧樹脂等。另外，除了上述有機材料以外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)、矽氧烷類樹脂、PSG(磷矽玻璃)、BPSG(硼磷矽玻璃)等。

此外，矽氧烷類樹脂相當於以矽氧烷類材料為起始材料而成的包含Si-O-Si鍵的樹脂。矽氧烷類樹脂還可以使用有機基(例如烷基或芳基)或氟基作為取代基。此外，有機基也可以包含氟基。

第一輔助佈線911、第二輔助佈線913使用導電材料即可，例如可以使用選自鋁(Al)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鈧(Sc)、鎳(Ni)、銅(Cu)中的材料或以這些材料為主要成分的合金材料，以單層或疊層形成。此外，也可以使用導電材料諸如包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等。

本實施例模式的照明裝置由於可以根據簡單的製造製程來製造，所以可以實現批量生產。此外，本實施例模式的照明裝置由於具有不容易引起元件劣化的結構，所以可以提供使用壽命長的照明裝置。再者，本實施例模式的照明裝置由於在實現薄膜輕量化的同時容易與外部電源電連接，所以可以使用於各種各樣的用途。

此外，本實施例模式可以與其他實施例模式自由地組合。

實施例模式7

在本實施例模式中，圖13至圖16B示出為了將實施例模式6所示的照明裝置與外部電源連接，在照明裝置設置連接構件的例子。

圖14A和圖14B是在照明裝置設置連接構件的例子，而圖13是詳細說明照明裝置與連接構件的連接部的圖。

在圖14A和圖14B中，在照明裝置930安裝有連接構件950(也稱為燈座)。連接構件950包括控制電路952、第一連接佈線954、第二連接佈線956、第一取出佈線958、第二取出佈線960，照明裝置930包括發光元件932，除連接部以外照明裝置930由絕緣膜910密封。照明裝置930可以應用在實施例模式1至5中示出製造方法的照明裝置。連接構件950使用直徑為10mm至40mm，典型地直徑為25mm左右的構件即可。在實施例模式1至5中示出製造方法的照明裝置由於可以在中央部分設置與連接構件的連接部，所以可以將連接構件設置在照明裝置的中央部分。

如圖13所示，連接構件950與在照明裝置930中與發光元件932的第一電極層連接的第一連接部912、與第二電極層連接的第二連接部914藉由各向異性導電膜962電連接。第一連接部912藉由第一連接佈線954、控制電路952與第一取出佈線958電連接，而第二連接部914藉由第二連接佈線956、控制電路952與第二取出佈線960電連接。藉由連接構件950與外部電源連接，可以從外部電源接受供給電力，而可以使照明裝置點亮。

控制電路952是作為一例具有根據從外部電源供給的電源電壓，使發光元件932以一定的亮度點亮的功能的電路。控制電路952作為一例具有整流平滑電路、恆壓電路、恒流電路。整流平滑電路是用於使從外部的交流電源供給的交流電壓變為直流電壓的電路。整流平滑電路作為一例組合二極體電橋電路、平滑電容等而成即可。恆壓電路是用於使從整流平滑電路輸出的包括波紋的直流電壓作為穩定化後的恒壓的信號而加以輸出的電路。恆壓電路使用開關調節器或串聯調節器等而構成即可。恒流電路是響應恆壓電路的電壓對發光元件932輸出值流的電路。恒流電路使用電晶體等而構成即可。此外，在此示出假設商用交流電源作為外部電源，並設置整流平滑電路的結構，但是在外部電源為直流電源時也可以不設置整流平滑電路。此外，在控制電路952中根據需要可以設置用於調節亮度的電路、用作防流湧對策的保護電路等。

圖13示出連接構件950與照明裝置930的連接部的連接使用各向異性導電膜962的例子，但是若採用可以連接構件950與照明裝置930的連接部電連接的方法及結構，則不侷限於此。例如，也可以使用能夠焊接的材料形成用於連接構件950及照明裝置930的連接部的導電膜，使用焊錫連接。

圖14A和圖14B是連接構件950的形狀不同的例子，連接構件950只要包括能夠與照明裝置930電連接的連接佈線及能夠從外部電源供給電力的取出佈線就可以使用各種各樣的形狀。

圖15A和圖15B是在照明裝置中設置連接構件的例子，並且是在圖14A和圖14B中在照明裝置930的絕緣膜910上還設置密封基板934來密封發光元件932的例子。

藉由密封基板934來在與基板900之間密封發光元件932，可以進一步防止來自外部的水分或使發光元件劣化的物質的侵入。此外，由於可以緩和來自外部的物理衝擊，所以可以提高照明裝置的物理強度。從而，由於提高照明裝置的可靠性，所以可以使用的環境廣泛，並可以用於各種各樣的用途。

圖16A和圖16B示出設有圖15A和圖15B中的連接構件950的照明裝置930的使用方式的例子。圖16A是根據連接構件950的形狀以螺入的方式安裝在天花板940中的例子，而圖16B是以掛上的方式(也稱為引掛式)安裝在天花板940的例子。在圖16A和圖16B中，連接構件950的第一取出佈線和第二取出佈線分別連接到第一外部電極942、第二外部電極944，將電力供給到照明裝置930。

作為密封基板934，最好採用與夾持發光元件932而相對的基板900同樣的形狀，可以具有圓形(盤狀、圓盤狀或圓周形)。此外，密封基板934有安裝連接構件950的開口。最好使密封基板934的截面為凹形，如圖15A和圖15B那樣在密封基板934內側嵌入照明裝置930。也可以在密封基板934的照明裝置930一側的面設置用作乾燥劑的吸水物質。例如，利用濺射法在密封基板934上形成氧化鋇等的吸水物質的膜即可。用作這種乾燥劑的膜形成在絕緣膜910上即可。

作為用於密封基板934的構件的具體例，可以使用塑膠(撓性基板)、玻璃、石英、陶瓷、金屬等。作為塑膠，例如可以舉出由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸等構成的構件。此外，也可以使用膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯樹脂、聚氟乙烯、氯乙烯等構成)、無機蒸鍍膜。此外，只要在用作發光元件的密封基板就也可以使用上述以外的構件。

本實施例模式的照明裝置由於可以根據簡單的製造製程來製造，所以可以實現批量生產。此外，本實施例模式的照明裝置由於具有不容易引起元件劣化的結構，所以可以提供使用壽命長的照明裝置。再者，本實施例模式的照明裝置由於在實現薄膜輕量化的同時容易與外部電源電連接，所以可以使用於各種各樣的用途。

本實施例模式可以與其他實施例模式所記載的結構適當地組合而實施。

實施例模式8

在本實施例模式中，參照附圖對包括形成在設有開口部的基板上的電致發光(EL)材料的照明裝置的一例進行說明。

在本實施例模式所示的照明裝置中，在中央部分具有開口部的基板上層疊設置第一電極層、EL層、第二電極層，在基板的中央部分具有第一連接部及第二連接部。此外，本實施例模式所示的照明裝置可以使用上述實施例模式所示的製造裝置來製造。

以下，參照圖17以及圖18A和圖18B說明具體的結構。此外，圖17示出照明裝置的平面的示意圖，而圖18A示出圖17中的A-B間截面的示意圖，並圖18B示出圖17中的C-D間截面的示意圖。

圖17以及圖18A和圖18B所示的照明裝置930包括：在中央部分具有開口部909且圓盤形的基板901；在基板901上隔著絕緣膜902設置的發光元件932；覆蓋發光元件932地設置的絕緣膜910；設置在基板901上的第一連接部912及第二連接部914。

發光元件932層疊第一電極層904、EL層906以及第二電極層908的結構來形成，在此示出在基板901上隔著絕緣膜902形成第一電極層904，在第一電極層904上形成EL層906，在EL層906上形成第二電極層908的情況。

絕緣膜910在基板901的中央部分具有開口部915，在該開口部915設有第一連接部912及第二連接部914。此外，絕緣膜910的開口部915形成為使其面積(與基板901表面平行的面上的開口部分的面積)大於形成在基板901的開口部909。

第一連接部912使用引出(延伸)到開口部915的第一電極層904來設置，第二連接部914使用引出到開口部915的第二電極層908來設置。換言之，第一電極層904的一部分引出(延伸)到絕緣膜910的開口部915來形成第一連接部912，而第二電極層908的一部分引出到絕緣膜910的開口部915來形成第二連接部914。

如上所述，藉由引出形成在基板901上的第一電極層904及第二電極層908，並在基板901上形成第一連接部912及第二連接部914，可以使照明裝置930薄膜化。

此外，藉由將形成在基板901上的第一電極層904及第二電極層908用作第一連接部912及第二連接部914，可以使照明裝置930的結構的簡化，並實現低成本化。

此外，藉由使用具有開口部909的基板901，在該基板901的中央部分(更具體的是開口部909的附近區域)設置第一連接部912及第二連接部914，可以藉由形成在基板901的開口部909從外部供給電源。結果，在照明裝置中，可以在一個部分(基板的中央部分)對發光元件932供給電源。

此外，在圖17以及圖18A和圖18B所示的結構中，與絕緣膜910同樣地在第一電極層904、EL層906以及第二電極層908的中央部分形成有開口部，第二電極層908的一部分引出到第一電極層904、EL層906以及絕緣膜910的開口部，而在基板901上設有第二連接部914。此時，能夠使在第二電極層908的一部分在越過(橫過)第一電極層904的端部及EL層906的端部的部分中，設成由EL層906覆蓋第一電極層904的端部，以使第一電極層904不與第二電極層908接觸。

此外，圖17以及圖18A和圖18B所示的結構示出在基板901的外周部EL層906形成在第一電極層904的內側，並且第二電極層908形成在EL層906的內側的情況，但是不侷限於此。只要第一電極層904與第二電極層908絕緣地設置就可以採用任何結構。

例如，也可以在基板901的外周部覆蓋第一電極層904的端部地形成EL層906，覆蓋該EL層906的端部地形成第二電極層908。此時，在基板901的外周部，在第二電極層908的內側形成EL層906，在EL層906的內側形成第一電極層904。

另外，在基板901的外周部，也可以覆蓋第一電極層904的端部地形成EL層906，並使第二電極層908不越過EL層906的端部地設置。此時，在基板901的外周部在EL層906的內側形成第一電極層904及第二電極層908。

此外，在上述圖17中示出使用第一電極層904形成的第一連接部912與使用第二電極層908形成的第二連接部914相對地設置的情況，但是本實施例模式不侷限於此。至少採用在絕緣膜910的開口部915中設置第一連接部912和第二連接部914的結構即可。

此外，也可以採用設置多個第一連接部912和多個第二連接部914的結構。藉由設置多個第一連接部和多個第二連接部，可以良好地實現與第一連接部、第二連接部電連接的佈線等的連接。

此外，在本實施例模式中藉由各附圖中描述的內容可以與其他實施例模式中描述的內容自由地進行適當的組合或替換等。

實施例模式9

在本實施例模式中，參照圖19A至圖19D、圖20A至圖20D、圖21對作為照明裝置的使用方式的一例在上述實施例模式8所示的照明裝置930設置連接構件950的結構進行說明。此外，連接構件950也稱為燈座。另外，有時將照明裝置930與連接構件950合在一起稱為照明裝置。

連接構件950具有控制電路952、與該控制電路952電連接的第一連接部佈線954、第二連接佈線956、第一取出佈線958以及第二取出佈線960。

控制電路952是具有根據從外部電源供給的電源電壓使發光元件932以一定的亮度點亮的功能的電路。

第一連接佈線954、第二連接佈線956用作電連接設置在照明裝置930中的發光元件932與控制電路952的佈線。明確而言，第一連接佈線954與設置在基板901上的第一連接部912電連接，而第二連接佈線956與設置在基板901上的第二連接部914電連接(參照圖21)。

第一連接佈線954與第一連接部912的電連接、第二連接佈線956與第二連接部914的電連接可以如圖21所示那樣使用各向異性導電膏957來實施。此外，電連接不侷限於各向異性導電膏(ACP(Anisotropic Conductive Paste))，也可以使用各向異性導電膜(ACF(Anisotropic Conductive Film))等壓合來電連接。此外，除了上述以外，可以使用銀膏、銅膏或碳膏等的導電黏接劑或者焊接等來連接。

第一取出佈線958、第二取出佈線960與控制電路952電連接，並用作從外部對照明裝置930供給電源的佈線。

在圖19A中示出從設有基板901的面(與設有絕緣膜910的面相反一側的面)一側隔著該基板901取出光的結構(底部發射結構)，此時，可以使連接構件950的控制電路952成為設置在絕緣膜910的上方的結構。

此外，從發光元件932取出光的結構不侷限於圖19A所示的結構。如圖19B所示，也可以採用從設有絕緣膜910的面(與基板901相反一側的面)一側取出光的結構(頂部發射結構)。此時，可以採用基板901的背面(與設有發光元件932的面相反一側的面)一側設有控制電路952，並藉由設置在基板901的開口部使第一連接佈線954及第二連接佈線956與發光元件932電連接的結構。

此外，在圖19A和圖19B的結構中，最好在與取出光的面相反一側的面上(在圖19A中的絕緣膜910上，在圖19B中的基板901的背面上)設置乾燥劑。乾燥劑可以利用濺射法等來形成。尤其是在基板901的背面一側設置時，可以利用濺射法在其整個表面上設置乾燥劑。

此外，在圖19A和圖19B中，連接構件950的接合部兼用作第一取出佈線958，連接構件950的接點連接於第二取出佈線960，但是不侷限於這樣的結構。作為其他結構，例如，如圖19C和圖19D所示那樣也可以採用連接構件950的兩個連接部兼用作第一取出佈線958和第二取出佈線960的結構。

此外，圖19C是替換圖19A的結構中的連接構件950的結構的圖，而圖19D是替換圖19B的結構中的連接構件950的結構的圖。

此外，也可以採用在照明裝置930設置密封基板936的結構(參照圖20A至圖20D)。藉由與基板901相對並夾持發光元件932地設置密封基板936，可以抑制水分等侵入。

作為密封基板936，可以使用其中心部分具有開口部的盤形(圓盤形)的基板。明確而言，可以舉出玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、金屬基板等。此外，可以使用由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸等構成的塑膠基板。另外，也可以使用膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯樹脂、聚氟乙烯、氯乙烯等構成)、無機蒸鍍膜。

此外，作為密封基板936也可以使用撓性基板。撓性基板是指可彎曲(撓性)的基板。此外，也可以使用不鏽鋼合金等的具有導電性的基板，但是採用與第一連接佈線954、第二連接佈線956、第一取出佈線958以及第二取出佈線960絕緣的結構。此外，只要用作密封基板的基板就可以使用上述以外的基板。

此外，圖20B及圖20D示出使用透過可見光的密封基板936的結構。

密封基板936設置在絕緣膜910上即可，例如可以與絕緣膜910貼合地設置。此外，在圖20A至圖20D中示出覆蓋基板901的側面地設置密封基板936的情況，但是不侷限於此。

此外，圖20A至圖20D分別示出在圖19A至圖19D的結構中設置密封基板936的結構。

下面，示出設有連接構件950的照明裝置930的使用方式的一例(參照圖22A和圖22B)。

在圖22A和圖22B中示出將安裝在照明裝置930的連接構件950設置在天花板970的情況。在天花板970設有第一外部電極972、第二外部電極974，該第一外部電極972與設置在連接構件950的第一取出佈線958電連接，並且第二外部電極974與第二取出佈線960電連接，由此從外部藉由控制電路952對發光元件932供給電源，可以作為照明裝置加以使用。

此外，在圖22A所示的結構中，連接構件950的直徑(平行於基板901表面的方向上的長度)根據天花板970的安裝部分的尺寸而決定即可，可以設定為10mm至40mm(例如，26mm)。

此外，圖22A示出將圖20A所示的結構安裝在天花板970的情況，而圖22B示出將圖20C所示的結構安裝在天花板970的情況，但是不侷限於此，也可以同樣地安裝其他結構。

此外，在圖22A和圖22B中示出將照明裝置930安裝在天花板970的情況，但是本實施例模式所示的照明裝置930較薄，因此除了天花板970以外也可以埋設在牆中或地板中。

此外，在本實施例模式中藉由各附圖中描述的內容可以與其他實施例模式中描述的內容自由地進行適當的組合或替換等。

實施例模式10

在本實施例模式中，對用於使用本發明的一個實施例的製造裝置形成的照明裝置的發光元件的元件結構的一例進行說明。

圖23A所示的元件結構具有在一對電極(第一電極1001、第二電極1002)之間夾有包含發光區的EL層1003的結構。此外，在以下本實施例模式的說明中，作為例子，第一電極1001用作陽極，而第二電極1002用作陰極。

此外，EL層1003至少包含發光層1013而形成即可，也可以採用除了發光層1013以外還包含功能層的疊層結構。作為發光層1013以外的功能層，可以使用包含電洞植入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質、電子植入性高的物質、雙極性的物質(電子及電洞的傳輸性高的物質)等的層。明確而言，可以將電洞植入層1011、電洞傳輸層1012、發光層1013、電子傳輸層1014、電子植入層1015等的功能層適當地組合而使用。

接著，具體說明可以用於上述發光元件的材料。

作為第一電極1001(陽極)，最好使用具有高功函數(明確而言，功函數最好為4.0eV以上)的金屬、合金、導電性化合物、這些材料的混合物等。明確而言，例如可以舉出氧化銦-氧化錫(ITO：Indium Tin Oxide；銦錫氧化物)、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(IZO：Indium Zinc Oxide；銦鋅氧化物)、包含氧化鎢和氧化鋅的氧化銦等。

雖然通常藉由濺射形成這些導電金屬氧化物膜，但也可以應用溶膠-凝膠法等來製造。例如，可以使用對氧化銦添加有1wt%至20wt%的氧化鋅的靶材藉由濺射法形成氧化銦-氧化鋅(IZO)。另外，可以使用對氧化銦含有0.5wt%至5wt%的氧化鎢以及0.1wt%至1wt%的氧化鋅的靶材，藉由濺射法形成含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦。

除此之外，還可以舉出金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、或金屬材料的氮化物(如氮化鈦等)、鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物、鈦氧化物等。

作為第二電極1002(陰極)，可以使用具有低功函數(明確而言，功函數最好為3.8 eV以下)的金屬、合金、導電性化合物、這些材料的混合物等。作為陰極材料的具體例子，可以舉出屬於元素週期表第1族或第2族的元素，即鹼金屬諸如鋰(Li)或銫(Cs)等，鹼土金屬諸如鎂(Mg)、鈣(Ca)和鍶(Sr)等，以及含有這些元素的合金(MgAg、AlLi)，稀土金屬諸如銪(Eu)和鐿(Yb)等，以及含有這些元素的合金等。另外，可以使用真空蒸鍍法形成由鹼金屬、鹼土金屬、或包含它們的合金構成的膜。此外，也可以藉由濺射法形成含有鹼金屬或鹼土金屬的合金的膜。另外，也可以藉由噴墨法等形成銀膏等的膜。

此外，藉由層疊鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或稀土金屬化合物(例如，氟化鋰(LiF)、氧化鋰、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF₂)、氟化鉺(ErF₃)等)的薄膜和鋁等的金屬膜，可以形成第二電極1002。

此外，在本實施例模式所示的發光元件中，第一電極1001及第二電極1002中的至少一個具有透光性即可。

下面，以下示出用於構成EL層1003的各層的材料的具體例子。

電洞植入層1011是包含電洞植入性高的物質的層。作為電洞植入性高的物質，例如可以使用鉬氧化物或釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。另外，也可以使用：酞菁類化合物諸如酞菁(簡稱：H₂Pc)或酞菁銅(簡稱：CuPc)等；芳香胺化合物諸如4,4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)、N,N'-雙[4-[雙(3-甲基苯)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：DNTPD)等；或高分子諸如聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等來形成電洞植入層1011。而且，可以使用如下材料形成電洞植入層1011：三(對-烯胺取代-氨基苯基)胺化合物、2,7-二氨基-9-亞芴基化合物、三(對-N-烯胺取代-氨基苯基)苯化合物、一個或兩個乙烯基取代的芘化合物，其中該乙烯基是至少一個芳基取代的、N,N'-二(聯苯-4-基)-N,N'-二苯基聯苯-4,4'-二胺、N,N,N',N'-四(聯苯-4-基)聯苯-4,4'-二胺、N,N,N',N'-四(聯苯-4-基)-3,3'-二乙基聯苯-4,4'-二胺、2,2'-(亞甲基雙-4,1-亞苯基)雙[4,5-雙(4-甲氧基苯基)-2H-1,2,3-三唑]、2,2'-(聯苯-4,4'-二基)雙(4,5-二苯基-2H-1,2,3-三唑)、2,2'-(3,3'-二甲基聯苯-4,4'-二基)雙(4,5-二苯基-2H-1,2,3-三唑)、雙[4-(4,5-二苯基-2H-1,2,3-三唑-2-基)苯基](甲基)胺等。

此外，作為電洞植入層1011可以使用複合有機化合物和無機化合物而構成的複合材料。尤其是包含有機化合物和相對於有機化合物顯示電子接收性的無機化合物的複合材料中，在有機化合物和無機化合物之間進行電子的授受從而增加載子密度，因此該複合材料的電洞植入性和電洞傳輸性優越。

此外，在使用複合有機化合物和無機化合物而構成的複合材料作為電洞植入層1011時，由於能夠與第一電極1001歐姆接觸，所以可以不考慮其功函數而選擇形成第一電極1001的材料。

作為用於複合材料的無機化合物，最好使用過渡金屬的氧化物。另外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳及氧化錸由於其電子接收性高所以是最好的。尤其是氧化鉬是因為在大氣中穩定，吸濕性低，並且容易處理，所以是最好的。

作為用於複合材料的有機化合物，可以使用各種化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。此外，作為用於複合材料的有機化合物，最好使用電洞傳輸性高的有機化合物。明確而言，最好使用具有10^-6cm²/Vs以上的電洞遷移率的物質。但是，只要是其電洞傳輸性高於其電子傳輸性的物質，就可以使用這些以外的物質。以下舉出可以用於複合材料的有機化合物的具體例子。

例如，作為芳香胺化合物，可以舉出N,N'-二(對-甲苯基)-N,N'-二苯基-對-苯二胺(簡稱：DTDPPA)、4,4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)、N,N'-雙[4-[雙(3-甲基苯)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱：DPA3B)等。

作為可以用於複合材料的咔唑衍生物，明確而言，可以舉出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。

此外，可以舉出4,4'-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱：CzPA)、1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。

此外，作為可以用於複合材料的芳烴，例如可以舉出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、2-叔丁基-9,10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱：t-BuDBA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡稱：t-BuAnth)、9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡稱：DMNA)、2-叔丁基-9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9'-二蒽基、10,10'-二苯基-9,9'-二蒽基、10,10'-雙(2-苯基苯基)-9,9'-二蒽基、10,10'-雙[(2,3,4,5,6-戌苯)苯基]-9,9'-二蒽基、蒽、並四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外，還可以使用並五苯、暈苯等。另外，更最好使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的電洞遷移率且碳數為14至42的芳烴。

此外，可以用於複合材料的芳烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以舉出4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱：DPVBi)、9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱：DPVPA)等。

另外，也可以使用高分子化合物如聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)或聚(4-乙烯基三苯基胺)(簡稱：PVTPA)等。

電洞傳輸層1012是包含電洞傳輸性高的物質的層。作為電洞傳輸性高的物質，例如最好是芳香胺(即，具有苯環-氮鍵的物質)的化合物。作為被廣泛地使用的材料，可以舉出星爆式(starburst)芳香胺化合物如4,4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯苯；作為其衍生物的4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(以下稱為NPB)、4,4',4"-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺、4,4',4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺等。這裏所述的物質主要是具有10^-6cm²/Vs以上的電洞遷移率的物質。但是，只要是其電洞傳輸性高於其電子傳輸性的物質，就可以使用這些以外的物質。此外，電洞傳輸層1012既可以採用單層結構，又可以使用上述物質的混合層或層疊兩層以上的疊層結構。

另外，也可以對如PMMA等電惰性高分子化合物添加電洞傳輸材料。

另外，也可以使用以下高分子化合物：聚(N-乙烯咔唑)(簡稱：PVK)或聚(4-乙烯三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等。此外，也可以對上述高分子化合物適當地添加上述電洞傳輸材料。另外，作為電洞傳輸層1012，也可以使用三(對-烯胺取代-氨基苯基)胺化合物、2，7-二氨基-9-亞芴基化合物、三(對-N-烯胺取代-氨基苯基)苯化合物、一個或兩個乙烯基取代的芘化合物，其中該乙烯基是至少一個芳基取代的、N,N'-二(聯苯-4-基)-N,N'-二苯基聯苯-4,4'-二胺、N,N,N',N'-四(聯苯-4-基)聯苯-4,4'-二胺、N,N,N',N'-四(聯苯-4-基)-3,3'-二乙基聯苯-4,4'-二胺、2,2'-(亞甲基二-4,1-亞苯基)雙[4,5-雙(4-甲氧基苯基)-2H-1,2,3-三唑]、2,2'-(聯苯-4,4'-二基)雙(4,5-二苯基-2H-1,2,3-三唑)、2,2'-(3,3'-二甲基聯苯-4,4'-二基)雙(4,5-二苯基-2H-1,2,3-三唑)、雙[4-(4，5-二苯基-2H-1,2,3-三唑-2-基)苯基](甲基)胺等。

發光層1013是包含發光性的物質的層，可以使用各種材料。例如，作為發光物質，可以使用發射螢光的螢光化合物或發射磷光的磷光化合物。以下說明可以用於發光層的有機化合物材料。但是，可以應用於發光元件的材料不侷限於此。

例如可以將二萘嵌苯、2,5,8,11-四-(叔丁基)二萘嵌苯(簡稱：TBP)、9,10-二苯基蒽等用作客體材料，並分散在適當的主體材料中來得到藍色至藍綠色的發光。另外，可以使用苯乙烯亞芳衍生物如4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱：DPVBi)等；或蒽衍生物如9,10-二-2-萘基蒽(簡稱：DNA)、9,10-雙(2-萘基)-2-叔丁基蒽(簡稱：t-BuDNA)等。另外，也可以使用聚(9,9-二辛基芴)等的聚合物。另外，作為藍色發光的客體材料，最好使用苯乙烯胺衍生物，可以舉出N,N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N'-二苯基芪-4,4'-二胺(簡稱：YGA2S)或N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)芪-4,4'-二胺(簡稱：PCA2S)等。尤其最好使用YGA2S，因為它在450nm附近具有峰。此外，作為主體材料，最好使用蒽衍生物，適合使用9,10-雙(2-萘基)-2-叔丁基蒽(簡稱：t-BuDNA)或9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)。尤其最好使用CzPA，因為它電化學穩定。

例如可以將香豆素類色素如香豆素30、香豆素6等、或雙[2-(2，4-二氟苯基)吡啶甲酸根(pyridinato)]吡啶甲酸銥(picolinatoiridium)(簡稱：FIrpic)、雙[2-苯基吡啶甲酸根]乙醯丙酮銥(簡稱：Ir(ppy)₂(acac))等用作客體材料，並分散在適當的主體材料中來可以得到藍綠色至綠色的發光。另外，藉由將上述二萘嵌苯或TBP以5wt%以上的高濃度分散在適當的主體材料中，也可以得到藍綠色至綠色的發光。此外，使用金屬絡合物如BAlq、Zn(BTZ)₂、雙(2-甲基-8-羥基喹啉(quinolinolato))氯鎵(Ga(mq)₂Cl)等也可以得到藍綠色至綠色的發光。另外，也可以使用聚(對-亞苯基亞乙烯基)等的聚合物。另外，最好使用蒽衍生物作為藍綠色至綠色的發光層的客體材料，因為它可得到高效的發光。例如，藉由使用9,10-雙{4-[N-(4-二苯基氨基)苯基-N-苯基]氨基苯基}-2-叔丁基蒽(簡稱：DPABPA)，可以得到高效的藍綠色發光。此外，由於可以得到高效的綠色發光，所以最好使用2位由氨基取代的蒽衍生物，其中最好使用N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)，因為它的使用壽命尤其長。作為上述主體材料，最好使用蒽衍生物，其中上述的CzPA電化學特性穩定，從而是最好的。另外，在組合綠色發光和藍色發光來製造藍色至綠色的波長區域具有兩個峰的發光元件的情況下，若使用CzPA之類的電子傳輸性蒽衍生物作為藍色發光層的主體並且使用NPB之類的電洞傳輸性芳香胺化合物作為綠色發光層的主體，則可以在藍色發光層和綠色發光層的介面得到發光，因此是最好的。換言之，在此情況下，作為2PCAPA之類的綠色發光材料的主體，最好使用如NPB之類的芳香胺化合物。

例如，將紅熒稀、4-(二氰基亞甲基)-2-[對-(二甲基氨基)苯乙烯基)-6-甲基-4H-吡喃(簡稱：DCM1)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(9-久洛尼定基(julolidyl))乙烯基-4H-吡喃(簡稱：DCM2)、雙[2-(2-噻吩基)吡啶甲酸根]乙醯丙酮銥(簡稱：Ir(thp)₂(acac))、雙(2-苯基喹啉(phenylquinolinato))乙醯丙酮銥(簡稱：Ir(pq)₂(acac))等用作客體材料，並分散在適當的主體材料中來得到黃色至橙色的發光。尤其是，最好作為客體材料使用紅熒烯之類的並四苯衍生物，因為它具有高效率且在化學上很穩定。作為在此情況下的主體材料，最好使用NPB之類的芳香胺化合物。作為其他主體材料，也可以使用雙(8-羥基喹啉)鋅(簡稱：Znq₂)或雙[2-肉桂醯-8-羥基喹啉]鋅(簡稱：Znsq₂)等的金屬絡合物。此外，也可以使用聚(2,5-二烷氧基-1,4-亞苯基亞乙烯基)等的聚合物。

例如，將4-(二氰基亞甲基)-2,6-雙[對-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡稱：BisDCM)、4-(二氰基亞甲基)-2,6-雙[2-(久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡稱：BisDCJ)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(9-久洛尼定基)乙烯基-4H-吡喃(簡稱：DCM2)、雙[2-(2-噻吩基)吡啶甲酸根]乙醯丙酮銥(Ir(thp)₂(acac))等用作客體材料，並分散在適當的主體材料來可以得到橙色至紅色的發光。也可以使用雙(8-羥基喹啉)鋅(簡稱：Znq₂)或雙[2-肉桂醯-8-羥基喹啉]鋅(簡稱：Znsq₂)等的金屬絡合物來得到橙色至紅色的發光。另外，也可以使用聚(3-烷基噻吩)等的聚合物。作為呈現紅色發光的客體材料，最好使用4H-吡喃衍生物諸如4-(二氰基亞甲基)-2,6-雙[對-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡稱：BisDCM)、4-(二氰基亞甲基)-2,6-雙[2-(久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡稱：BisDCJ)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(9-久洛尼定基)乙烯基-4H-吡喃(簡稱：DCM2)、{2-異丙基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：DCJTI)、{2,6-雙[2-(2,3,6,7-四氫-8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：BisDCJTM)，因為它具有高效率。尤其是，DCJTI、BisDCJTM由於在620nm附近具有發光光譜的峰，因此是最好的。

此外，作為發光層1013可以採用將上述發光物質(客體材料)分散在另一物質(主體材料)中的結構。作為其中用於分散發光性高的物質的物質，可以使用各種各樣的材料，但最好使用其最低空分子軌道能級(LUMO能級)高於發光性高的物質的最低空分子軌道能級而其最高佔據分子軌道能級(HOMO能級)低於發光性高的物質的最高佔據分子軌道能級的物質。

作為用於分散發光物質的物質，明確而言，可以使用如下材料：金屬絡合物諸如三(8-羥基喹啉)鋁(Ⅲ)(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(Ⅲ)(簡稱：Almq₃)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(Ⅱ)(簡稱：BeBq₂)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚(phenylphenolato))鋁(Ⅲ)(簡稱：BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(Ⅱ)(簡稱：Znq)、雙[2-(2-苯並　唑基)苯酚(phenolato)]鋅(Ⅱ)(簡稱：ZnPBO)以及雙[2-(2-苯並噻唑基)苯酚]鋅(Ⅱ)(簡稱：ZnBTZ)等；雜環化合物諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑基-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、2,2',2"-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱：TPBI)、向紅菲繞啉(簡稱：BPhen)以及浴銅靈(簡稱：BCP)等；或稠合芳香族化合物諸如9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：DPCzPA)、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、9,9'-聯二蒽(bianthryl)(簡稱：BANT)、9,9'-(芪-3,3'-二基)二菲(簡稱：DPNS)、9,9'-(芪-4,4'-二基)二菲(簡稱：DPNS2)以及3,3',3"-(苯-1,3,5-三基)三芘(簡稱：TPB3)、9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基屈(chrysen)等；芳香胺化合物諸如N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：CzAlPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：DPhPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPBA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、NPB(或α-NPD)、TPD、DFLDPBi、BSPB等。

另外，可以使用多種用於分散發光物質的物質。例如，為了抑制晶化還可以添加抑制晶化的物質如紅熒稀等。此外，為了更有效率地進行對於發光物質的能量躍遷，還可以添加NPB或Alq等。

藉由採用將發光物質分散在另一物質中的結構，可以抑制發光層1013的晶化。另外，也可以抑制由於發光物質的濃度高而導致的濃度淬滅。

電子傳輸層1014是包含電子傳輸性高的物質的層。作為電子傳輸性高的物質，例如三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Almq₃)、雙(10-羥基苯並[h]-喹啉)鈹(簡稱：BeBq₂)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱：BAlq)等由喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬絡合物等構成的層。此外，除了這些以外，也可以使用雙[2-(2-羥基苯基)苯並　唑]鋅(簡稱：Zn(BOX)₂)、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噻唑]鋅(簡稱：Zn(BTZ)₂)等具有　唑配位體或噻唑配位元體的金屬絡合物等。另外，除了金屬絡合物以外，也可以使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(簡稱：PBD)或1,3-雙[5-(對叔丁基苯基)-1,3,4-二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、紅菲繞啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)、雙[3-(1H-苯並咪唑-2-基)芴-2-羥基(olato)]鋅(Ⅱ)、雙[3-(1H-苯並咪唑-2-基)芴-2-羥基(olato)]鈹(Ⅱ)、雙[2-(1H-苯並咪唑-2-基)二苯並[b,d]呋喃-3-羥基(olato)](苯酚)鋁(Ⅲ)、雙[2-(苯並唑-2-基)-7，8-亞甲二氧基二苯並[b,d]呋喃-3-羥基(olato)](2-萘酚)鋁(Ⅲ)等。上述的物質主要是具有10^-6cm²/Vs以上的電子遷移率的物質。此外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的物質，也可以使用除了上述以外的物質作為電子傳輸層1014。此外，電子傳輸層1014不侷限於單層，也可以層疊由上述物質形成的兩層以上的層。

電子植入層1015是包含電子植入性高的物質的層。作為電子植入性高的物質，可以舉出如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF₂)等鹼金屬或鹼土金屬或它們的化合物。此外，也可以使用具有電子傳輸性的有機化合物和無機化合物(例如，鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬或它們的化合物)的複合材料，例如在Alq中包含鎂(Mg)的層等。藉由採用這種結構，可以更提高從第二電極1002的電子植入效率。

此外，在作為電子植入層1015使用上述有機化合物和無機化合物的複合材料的情況下，可以不考慮功函數地使用各種導電材料，如Al、Ag、ITO、包含矽或氧化矽的ITO等作為第二電極1002的材料。

藉由適當地組合層疊上述層，可以形成EL層1003。此外，也可以將發光層1013作成兩層以上的疊層結構。藉由將發光層1013作成兩層以上的疊層結構，並改變用於各發光層的發光物質的種類，可以得到各種各樣的發光顏色。另外，藉由使用發光顏色不同的多種發光物質作為發光物質，可以得到具有寬光譜的發光或白色發光。尤其是需要高亮度的照明用途最好應用層疊發光層的結構。

此外，作為EL層1003的形成方法，根據使用的材料可以適當地選擇各種各樣的方法(例如，乾法或濕法)。例如，可以利用真空蒸鍍法、濺射法、噴墨法、旋塗法等。另外，也可以對各層採用不同的方法來形成。

此外，作為本實施例模式所示的發光元件的製造方法，不管乾製程(例如，真空蒸鍍法、濺射法)還是濕製程(例如，噴墨法、旋塗法等)，可以利用各種方法來形成。

具有上述那樣的結構的本實施例模式的發光元件的各層分別可以使用在圖1中示出一例的本發明的一個實施例的製造裝置來形成。藉由使用本發明的一個實施例的製造裝置，可以在一個真空室內連續形成發光元件的各層，所以可以高產量生產發光元件以及使用該發光元件的照明裝置。此外，根據構成元件的各功能層的疊層數量，可以適當地設定設置在製造裝置的沉積室的數量。

在圖23A和圖23B所示的發光元件中，在第一電極1001和第二電極1002之間產生的電位差引起電流流過，而藉由電洞和電子在包含發光性高的物質的層即發光層1013中重新結合，使得發光元件發光。換言之，該發光元件採用在發光層1013中形成發光區的結構。

此外，本實施例模式所示的發光元件的結構也可以是圖23B所示那樣在一對電極之間層疊多個EL層1003的結構，所謂疊層型元件的結構。但是，EL層1003例如在有n(n是2以上的自然數)層的疊層結構時，有如下結構：在第m(m是自然數，1以上且(n-1)以下)的EL層和第(m+1)的EL層之間分別夾有中間層1004。

此外，中間層1004具有如下功能：在對第一電極1001和第二電極1002施加了電壓時，對與中間層1004接觸地形成的一方的EL層1003植入電洞，而對另一方的EL層1003植入電子。

中間層1004除了有機化合物和金屬氧化物的複合材料；金屬氧化物；有機化合物和鹼金屬、鹼土金屬或這些化合物的複合材料之外，還可以適當地組合這些材料來形成。作為有機化合物和金屬氧化物的複合材料，例如包含有機化合物和V₂O₅或MoO₃或WO₃等的金屬氧化物。作為有機化合物，可以使用各種化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。此外，作為電洞傳輸性有機化合物，最好應用其電洞遷移率為10^-6cm²/Vs以上的有機化合物。但是，只要是其電洞傳輸性高於其電子傳輸性的物質，就可以使用這些以外的物質。另外，由於用於中間層1004的這些材料具有優良的載子植入性、載子傳輸性，所以可以實現發光元件的低電壓驅動、低電流驅動。

在疊層型元件的結構中，在EL層有層疊兩層的結構時，藉由從第一EL層所得到的發光顏色和從第二EL層所得到的發光顏色的處於互補色關係，可以向外取出白色發光。此外，第一EL層和第二EL層採用彼此處於互補色關係的多個發光層的結構，也可以得到白色發光。作為互補色關係，可以舉出藍色和黃色或藍綠色和紅色等。作為發出藍色光、黃色光、藍綠色光和紅色光的物質，例如從上面列舉的發光物質中適當地選擇出即可。

以下，示出第一EL層及第二EL層具有彼此處於互補色關係的多個發光層，並可以得到白色發光的結構的一例。

例如，第一EL層具有呈現在藍色至藍綠色的波長區域具有峰的發光光譜的第一發光層以及呈現在黃色至橙色的波長區域具有峰的發光光譜的第二發光層，第二EL層具有呈現在藍綠色至綠色的波長區域具有峰的發光光譜的第三發光層以及呈現在橙色至紅色的波長區域具有峰的發光光譜的第四發光層。

此時，來自第一EL層的發光由於結合來自第一發光層及第二發光層這兩方的發光，所以呈現在藍色至藍綠色的波長區域以及黃色至橙色的波長區域這兩區域具有峰的發光光譜。換言之，第一EL層呈現2波長型白色發光或近於白色發光。

此外，來自第二EL層的發光由於結合來自第三發光層及第四發光層這兩方的發光，所以呈現在藍綠色至綠色的波長區域以及橙色至紅色的波長區域這兩區域具有峰的發光光譜。換言之，第二EL層呈現與第一EL層不同的2波長型白色發光或近於白色發光。

從而，藉由重疊來自第一EL層的發光及來自第二EL層的發光，可以得到覆蓋藍色至藍綠色的波長區域、藍綠色至綠色的波長區域、黃色至橙色的波長區域、橙色至紅色的波長區域的顯色性良好的白色發光。

此外，在上述疊層型元件的結構中，藉由在層疊的EL層之間配置中間層，使電流密度保持低，可以實現在高亮度區域的使用壽命長的元件。另外，由於可以減少因電極材料的電阻引起的電壓下降，所以可以實現大面積上的均勻發光。

此外，圖24是具有圖23B所示的串聯結構的一例發光元件的照明裝置的截面圖。如圖24所示，照明裝置在第一電極2102和第二電極2109之間具有第一EL層2103、中間層2104以及第二EL層2107。

圖24所示的發光元件是具有第一及第二EL層和中間層的所謂串聯型發光元件，並示出第一及第二EL層分別具有兩個發光層的結構。如圖24所示，藉由將發光層作成兩層以上的疊層結構，並改變用於各發光層的發光物質的種類，可以得到呈現各種各樣的發光顏色的照明裝置。另外，藉由作為發光物質使用發光顏色不同的多種發光物質，可以得到具有寬光譜的發光或白色發光。尤其是需要高亮度的照明用途最好應用層疊發光層的結構。

在基板2100上形成有基底保護膜2101。基底保護膜2101例如可以在實施例模式1所示的製造裝置中利用濺射法在沉積室115中形成。在本實施例模式中，使用氮化矽形成100nm厚的基底保護膜。

在基底保護膜2101上形成有第一電極2102。第一電極2102例如可以在實施例模式1所示的製造裝置中利用濺射法在沉積室117中形成。在本實施例模式中，將第一電極2102用作陽極。

在第一電極2102上形成有第一EL層2103。第一EL層2103例如可以在實施例模式1所示的製造裝置中利用蒸鍍法在沉積室119A至119C中形成。此外，第一EL層2103至少具有發光層即可，可以根據其疊層數量適當地調整沉積室的數量。在本實施例模式中，層疊第一電洞植入層2103a、第一電洞傳輸層2103b、包含呈現藍色的發光物質的第一發光層2103c、包含呈現藍色的發光物質的第二發光層2103d、第一電子傳輸層2103e的五層，而構成第一EL層2103。各功能層的材料例如從上面列舉的物質中適當地選擇即可。此外，在本實施例模式中，也可以在同一沉積室中形成第一電洞植入層2103a和第一電洞傳輸層2103b。

在第一EL層2103上形成有中間層2104。中間層2104例如可以在實施例模式1所示的製造裝置中利用蒸鍍法在沉積室121A、121B形成。中間層2104包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料。該有機化合物和金屬氧化物的複合材料包含有機化合物和V₂O₅或MoO₃或WO₃等的金屬氧化物。作為有機化合物，可以使用上面所示的材料。由於有機化合物和金屬氧化物的複合材料具有優良的載子植入性、載子傳輸性，所以可以實現低電壓驅動、低電流驅動。在本實施例模式中，中間層2104是組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的第一中間層2104a、包含選自電子供給物質中的一種化合物和電子傳輸性高的化合物的第二中間層2104b的層。此外，在本實施例模式中，也可以在同一沉積室中形成第一中間層2104a、第二中間層2104b。

在中間層2104上形成有第二EL層2107。第二EL層2107例如可以在實施例模式1所示的製造裝置中，利用蒸鍍法在沉積室123A至123D中形成。此外，第二EL層2107至少具有發光層即可，可以根據其疊層數量適當地調整沉積室的數量。在本實施例模式中，層疊第二電洞植入層2107a、第二電洞傳輸層2107b、包含呈現紅色的發光物質的第三發光層2107c、包含呈現綠色的發光物質的第四發光層2107d、第二電子傳輸層2107e、電子植入層2107f這六層，而構成第二EL層2107。各功能層的材料例如從上面列舉的物質中適當地選擇即可。此外，在本實施例模式中，也可以在同一沉積室中形成第二電洞植入層2107a和第二電洞傳輸層2107b。

在第二EL層2107上形成有第二電極2109。第二電極2109例如可以在實施例模式1所示的製造裝置中利用濺射法在沉積室125中形成。在本實施例模式中，將第二電極2109用作陰極。

在第二電極2109上形成有乾燥劑層2111。乾燥劑層2111例如可以在實施例模式1所示的製造裝置中，利用濺射法在沉積室125中形成。此外，乾燥劑層2111不一定必須設置。或者，也可以在基板2100和基底保護膜2101之間設置乾燥劑層2111。再者，也可以在基板2100和基底保護膜2101之間以及在第二電極2109上的兩者設置乾燥劑層2111。

在乾燥劑層2111上形成有密封膜2113。密封膜2113例如可以在實施例模式1所示的製造裝置中，利用濺射法在沉積室127中形成。此外，可以使用密封構件密封發光元件代替密封膜2113，也可以一起使用密封膜和密封構件。

圖24所示的照明裝置可以疊加來自第一EL層2103的發光及來自第二EL層2107的發光，其結果是得到覆蓋藍色的波長區域、紅色的波長區域、綠色的波長區域的白色發光。

此外，本實施例模式可以與其他實施例模式適當地組合。

實施例模式11

本實施例模式示出照明裝置的應用例。

圖25示出將使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置用作室內的照明裝置的一例。使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置除了天花板上的照明裝置8202以外還可以用於牆上的照明裝置8204。此外，該照明裝置也可以用於臺上的照明裝置8206。另外，使用本發明一個實施例的製造裝置製造的照明裝置由於具有面光源的光源，所以比使用點光源的光源的情況相比，可以減少光反射板等的構件，或其產生的熱小於白熾燈產生的熱等，適用於室內的照明裝置。

此外，使用本發明一個實施例的製造裝置製造的照明裝置可以用於汽車、自行車等的前燈。圖26A至圖26C示出使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置用於汽車的前燈的一例。圖26A是使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置用於前燈8212的汽車的外觀圖。此外，圖26B和圖26C是圖26A的前燈8212的截面圖。在圖26B和圖26C中，與電源供給連接器8216連接的照明裝置8214用作光源。在圖26B中，由於使用多個照明裝置8214，所以可以向外部取出高亮度的光。另一方面，在圖26C中，使用反射板8218彙聚來自照明裝置的光，並可以向外部取出具有指向性的高亮度的光。

下面，圖27A至圖27E示出將使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置應用於信號機、引導燈等的照明裝置的例子。

圖27A是作為一例示出信號機的外觀的圖。信號機8228具有藍色的照明部8222、黃色的照明部8224、紅色的照明部8226。信號機8228具有各個照明部中的照明裝置使用對應於藍色、黃色、紅色這三種顏色的使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置。

圖27B示出使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置應用於緊急出口引導燈的例子。

圖27B是作為一例示出緊急出口引導燈的外觀的圖。緊急出口引導燈8232可以組合照明裝置和設有螢光部的螢光板而構成。此外，也可以組合發射特定的顏色的光的照明裝置和設有如附圖那樣的形狀的透光部的遮光板而構成。使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置由於可以以一定亮度點亮，所以適用於需要常點亮的緊急出口引導燈。

圖27C示出使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置應用於室外照明的例子。

作為室外照明的一例可以舉出路燈。路燈例如圖27C所示那樣可以採用具有框體8242和照明部8244的結構。多個使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置可以配置在照明部8244而使用。如圖27C所示，路燈例如可以沿著道路設置，並藉由照明部8244照亮周圍，所以可以提高包括道路的周圍的可見度。

此外，在對路燈供給電源電壓時，例如圖27C所示，可以藉由電線杆8246的輸電線8248供給電源電壓。但是，不侷限於此，例如可以在框體8242中設置光電轉換裝置，將藉由光電轉換裝置得到的電壓用作電源電壓。

此外，圖27D和圖27E示出使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置應用於攜帶式照明的例子。圖27D是示出安裝型光燈的結構的圖，而圖27E是示出手提式燈的結構的圖。

圖27D所示的安裝型燈具有安裝部8252、照明部8254，照明部8254固定在安裝部8252。使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置可以用於照明部8254。在圖27D所示的安裝型燈中，可以將安裝部8252戴頭上，使照明部8254發光。另外，藉由作為照明部8254使用面光源的光源，可以提高周圍的可見度。此外，由於照明部8254較輕，所以可以減輕戴頭上使用時的負擔。

此外，不侷限於圖27D所示的安裝型光燈的結構，例如可以採用如下結構：安裝部8252為環狀的平帶或橡皮帶的帶子，在該帶子上固定照明部8254，而該帶子直接纏頭上。

圖27E所示的手提式燈具有框體8262、照明部8266、開關8264。使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置可以用於照明部8266。藉由使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置用於照明部8266，可以減薄照明部8266的厚度，並實現小型化，從而可以容易攜帶。

開關8264有控制照明部8266的發光或不發光的功能。此外，開關8264也可以例如具有調節發光時的照明部8266的亮度的功能。

圖27E所示的手提式燈由於藉由使用開關8264使照明部8266發光照周圍，所以可以提高周圍的可見度。此外，使用本發明的一個實施例的製造裝置製造的照明裝置由於具有面光源的光源，所以比使用點光源的光源的情況相比，可以減少光反射板等的構件。

此外，在本實施例模式中藉由各附圖進行描述的內容可以與其他實施例模式中描述的內容自由地進行適當的組合或替換等。

101．．．傳送室

103．．．真空室

107．．．基板傳送部件

109．．．傳送室

111．．．閘閥

113．．．閘閥

115．．．沉積室

117．．．沉積室

119A至119C．．．沉積室

121A、121B．．．沉積室

123A至123D．．．沉積室

125．．．沉積室

127．．．沉積室

129．．．沉積室

131．．．沉積室

133．．．密封室

137．．．傳送室

139．．．閘閥

在附圖中：

圖1是示出本發明一個實施例的製造裝置之一例的圖；

圖2A和圖2B是示出本發明一個實施例的製造裝置之一例的圖；

圖3A和圖3B是示出本發明一個實施例的製造裝置之一例的圖；

圖4是示出本發明一個實施例的製造裝置之一例的圖；

圖5是示出本發明一個實施例的製造裝置之一例的圖；

圖6是示出本發明一個實施例的沉積室的截面圖；

圖7A至圖7C是示出本發明一個實施例的製造裝置的時序圖；

圖8A至圖8C是示出本發明一個實施例的製造裝置的時序圖；

圖9A至圖9C是示出本發明一個實施例的沉積室的一部分的截面圖及俯視圖；

圖10是示出本發明一個實施例的沉積室的截面圖；

圖11是示出照明裝置之一例的圖；

圖12A和圖12B是示出照明裝置的一例的圖；

圖13是示出照明裝置之一例的圖；

圖14A和圖14B是示出照明裝置之一例的圖；

圖15A和圖15B是示出照明裝置之一例的圖；

圖16A和圖16B是示出照明裝置之一例的圖；

圖17是示出照明裝置之一例的圖；

圖18A和圖18B是示出照明裝置之一例的圖；

圖19A至圖19D是示出照明裝置之一例的圖；

圖20A至圖20D是示出照明裝置之一例的圖；

圖21是示出照明裝置之一例的圖；

圖22A和圖22B是示出照明裝置之一例的圖；

圖23A和圖23B是示出發光元件之一例的圖；

圖24是示出照明裝置的截面之一例的圖；

圖25是示出照明裝置的應用例的圖；

圖26A至圖26C是示出照明裝置的應用例的圖；以及

圖27A至圖27E示出照明裝置的應用例的圖。

101．．．傳送室

103．．．真空室

107．．．基板傳送部件

109．．．傳送室

111．．．閘閥

113．．．閘閥

115．．．沉積室

117．．．沉積室

119A至119C．．．沉積室

121A、121B．．．沉積室

123A至123D．．．沉積室

125．．．沉積室

127．．．沉積室

129．．．沉積室

131．．．沉積室

133．．．密封室

137．．．傳送室

139．．．閘閥

Claims (9)

1. 一種照明裝置的製造裝置，包含：真空室，包含：在基板上形成第一電極的第一沉積室；在該第一電極上形成包括第一發光層的第一發光單元的第二沉積室；在該第一發光單元上形成中間層的第三沉積室；在該中間層上形成包括第二發光層的第二發光單元的第四沉積室；在該第二發光單元上形成第二電極的第五沉積室；使用密封構件密封該第二電極的第六沉積室；以及用於將該基板依次傳送到該第一到第六沉積室的各者的基板傳送部件，以及用以排氣該真空室使得該第一到第六沉積室具有共同真空度的排氣系統，其中該基板為圓形且在中央部分具有開口部，以及其中該基板傳送部件包含多個基板支架，該多個基板支架各具有用以從該開口部的內側保持該基板的卡爪。
2. 一種照明裝置的製造裝置，包含：真空室，包含：在基板上形成第一電極的第一沉積室；在該第一電極上形成包括第一發光層的第一發光 單元的第二沉積室；在該第一發光單元上形成中間層的第三沉積室；在該中間層上形成包括第二發光層的第二發光單元的第四沉積室；在該第二發光單元上形成第二電極的第五沉積室；使用密封構件密封該第二電極的密封室；以及用於將該基板依次傳送到該第一至第五沉積室的各者及該密封室的基板傳送部件，以及用以排氣該真空室使得該第一至第五沉積室具有共同真空度的排氣系統，其中該基板為圓形且在中央部分具有開口部，以及其中該基板傳送部件包含多個基板支架，該多個基板支架各具有用以從該開口部的內側保持該基板的卡爪。
3. 一種照明裝置的製造裝置，包含：真空室，包含：在基板上形成第一電極的第一沉積室；在該第一電極上形成包括第一發光層的第一發光單元的第二沉積室；在該第一發光單元上形成中間層的第三沉積室；在該中間層上形成包括第二發光層的第二發光單元的第四沉積室；在該第二發光單元上形成第二電極的第五沉積室；以及 用於將該基板依次傳送到該第一至第五沉積室的各者的基板傳送部件，以及經由閘閥與該真空室連接的密封室，其中使用密封構件密封該第二電極；以及用以排氣該真空室使得該第一至第五沉積室具有共同真空度的排氣系統，其中該基板為圓形且在中央部分具有開口部，以及其中該基板傳送部件包含多個基板支架，該多個基板支架各具有用以從該開口部的內側保持該基板的卡爪。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項的照明裝置的製造裝置，其中該真空室還包含形成乾燥劑層的沉積室。
5. 一種照明裝置的製造方法，包含如下步驟：藉由基板傳送部件將基板傳送到真空室內；以及在該真空室內的多個沉積室中，在該基板上連續形成包括第一電極、第一發光單元、中間層、第二發光單元和第二電極的發光元件以及密封膜，其中該基板為圓形且在中央部分具有開口部，以及其中該基板傳送部件包含多個基板支架，該多個基板支架各具有用以從該開口部的內側保持該基板的卡爪。
6. 一種照明裝置的製造方法，包含如下步驟：藉由基板傳送部件將基板傳送到真空室內；在該真空室內的多個沉積室中，在該基板上形成包括第一電極、第一發光單元、中間層、第二發光單元和第二電極的發光元件； 藉由該基板傳送部件將該基板傳送到該真空室內的密封室，以及在該密封室中使用密封構件密封該基板，其中該基板為圓形且在中央部分具有開口部，以及其中該基板傳送部件包含多個基板支架，該多個基板支架各具有用以從該開口部的內側保持該基板的卡爪。
7. 一種照明裝置的製造方法，包含如下步驟：藉由基板傳送部件將基板傳送到真空室內；在該真空室內的多個沉積室中，在該基板上形成包括第一電極、第一發光單元、中間層、第二發光單元和第二電極的發光元件；將該基板傳送到與該真空室藉由閘閥連接的密封室；在該密封室中使用密封構件密封該基板，其中該基板為圓形且在中央部分具有開口部，以及其中該基板傳送部件包含多個基板支架，該多個基板支架各具有用以從該開口部的內側保持該基板的卡爪。
8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項的照明裝置的製造方法，其中藉由排氣系統該多個沉積室具有共同真空度。
9. 如申請專利範圍第5至7項中任一項的照明裝置的製造方法，其中當形成該發光元件時，該卡爪被使用作為掩膜。