KR20090009745A - 약액 기화 탱크 및 약액 처리 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 약액 기화 탱크 및 약액 처리 시스템에 관한 것으로서 내부 공간이 칸막이 부재에 의해 횡방향에 기밀하게 구분해져 복수의 기화실이 형성되는 탱크 본체와 각 기화실의 액면아래에 각 기화실간에서 약액을 유통시키기 위해서 각 칸막이 부재에 설치된 약액 유통로와 각 기화실의 액면보다 윗쪽에서 각 기화실간을 연통하도록 칸막이 부재에 설치된 각 기화실간에서 기압을 균일하게 하기 위한 가스 유통로를 구비하도록 약액 기화 탱크를 구성하고, 예를 들면 액면레벨을 관리해 각 기화실간에서 약액의 양을 제어하는 약액 기화 탱크에 있어서 복수의 피처리체에 공급하는 처리 가스의 농도의 격차를 억제하는 기술을 제공한다.

Description

약액 기화 탱크 및 약액 처리 시스템{CHEMICAL SOLUTION EVAPORATION TANK AND CHEMICAL SOLUTION PROCESSING SYSTEM }

본 발명은 저장된 약액에 기화용 가스를 공급해 처리 가스를 생성하고 그 처리 가스를 피처리체에 공급해 처리를 행하기 위한 약액 기화 탱크 및 약액 처리 시스템에 관한다.

반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 한다)의 표면에 레지스트를 도포하고 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하고 레지스트 패턴을 형성하고 있고 이러한 처리는 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 실시하는 도포, 현상 장치에, 노광 장치를 접속한 시스템을 이용해 행해지고 있다.

도포, 현상 장치에는 기판에 처리 약액을 공급해 처리를 실시하는 여러가지액처리 장치가 설치되는 경우가 있고 액처리 장치는, 예를 들면 처리 약액의 기화를 실시하는 약액 기화 탱크와 웨이퍼가 수납되는 처리 공간을 구성하고 기화된 처리 약액을 그 웨이퍼에 공급해 처리를 행하는 처리 모듈에 의해 구성된다. 구체적으로 액처리 장치의 일례로서는 레지스트의 도포전에 레지스트의 웨이퍼에의 밀착 성을 향상시키는 것을 목적으로 해 웨이퍼에 소수화 처리를 실시하는 소수화 처리 시스템이 있고 소수화 처리 시스템은 HMDS (헥사메틸질라잔) 액의 기화를 행하기 위한 HMDS액 기화 탱크와 HMDS가스를 웨이퍼 (W)에 공급해 처리를 실시하는 소수화 처리 모듈을 구비하고 있다. 탱크내의 HMDS액의 액면은 소정의 범위에 들어가도록관리되고 기화 효율이 소정의 범위내가 되도록 제어되어 소수화 처리 모듈에 소정의 농도 범위의 HMDS 가스가 공급되도록 되어 있다. 통상, 수율을 향상시키기 위해서 소수화 처리 모듈은 도포, 현상 장치에 복수 설치되고 있고 상기 약액 기화 탱크도 각각의 소수화 처리 모듈 마다 개별적으로 설치되고 있었다.

그런데 HMDS와 같은 약액은 약액 기화 탱크에 저장되고 나서 시간이 지남에 따라서 그 선도가 저하하고 분해해 농도가 저하하는 것으로 웨이퍼에 대한 작용이 열화 하기 위한 각 처리 모듈의 가동 형상 주유각 탱크내에 있어서의 HMDS의 사용 상황이 다른 경우에 이들 탱크간에 HMDS의 선도가 격차지고 각 웨이퍼의 소수화 처리 상태도 격차져 버려 그 결과적으로 제품 비율이 저하할 우려가 있다. 또 상기와 같이 도포 현상 장치에 복수개의 소수화처리 시스템을 설치하는 경우, 소수화처리모듈과 동일한 수의 HMDS액 기화 탱크를 설치하면 이들 소수화 처리 시스템의 설치 스페이스가 증대해 나아가서는 도포, 현상 장치의 설치 스페이스도 증대한다고 하는 불이익이 있다.

특허 문헌 1에는 복수의 처리 모듈로 이용되는 약액 기화 탱크를 공통화해 탱크내의 각 방을 액이 통류할 수 있도록 구분하고 구분한 각 방에서 각각 버블링에 의한 기화 처리를 실시하는 것에 대하여 나타나고 있다. 그러나 탱크의 각 방 과 처리 모듈을 접속하는 각 배관의 지름 및 길이 등의 차이에 의해, 통상 이들의 배관내의 압력 손실에는 각각 차이가 생긴다. 이러한 배관의 압력 손실의 영향을 받는 것 및 상기의 각 처리 모듈의 가동 상황 등의 차이에 의해, 각 처리 모듈에 처리 가스를 공급하는 것에 따라, 구분된 각 방사이로 약액의 액면레벨이 달라져 온다. 그렇게 되면, 각 방마다 약액과 각 방내의 기체와의 비율이 변화해 오기 때문에 결과적으로 각 방마다 기화효율이 변화하고 각 처리 모듈에 공급하는 HMDS 가스 농도가 서로 격차지고 제어할 수 없게 되어 버린다고 하는 문제가 있다.

[특허 문헌 1]일본국 실공평7-34936 ( 제1도)

본 발명은 이러한 사정에 비추어 이루어 것이고, 그 목적은 저장된 약액에 기화용 가스를 공급하여 처리가스를 생성하고 그 처리 가스를 피처리체에 공급해 처리를 행하기 위한 약액 기화 탱크에 있어서 복수의 피처리체에 공급하는 처리 가스의 농도의 격차를 억제할 수 있는 약액 기화 탱크 및 약액 처리 시스템을 제공하는 것이다.

본 발명의 약액 기화 탱크는 저장된 약액에 기화용 가스를 공급해 처리 가스를 생성하고 그 처리 가스를 피처리체에 공급해 처리를 행하기 위한 약액 기화 탱크에 있어서, 그 내부 공간이 칸막이 부재에 의해 횡방향에 기밀하게 구분되고 복수의 기화실이 형성되는 탱크 본체와, 각 기화실의 액면 아래에 각 기화실간에서 약액을 유통시키기 위해서 각 칸막이 부재에 설치된 약액 유통로와, 각 기화실의 액면보다 윗쪽에서 각 기화실간을 연통하도록 칸막이 부재에 설치된 각 기화실간에서 기압을 균일하게 하기 위한 가스 유통로와 각 기화실 마다 설치되어 기화실내의 약액에 기화용 가스를 공급하고 약액의 액면의 공간에 처리 가스를 생성시키는 기화용 가스 공급부와, 각 기화실 마다 설치되어 상기 기화실에서 생성된 처리 가스를 외부에 취출하는 처리 가스 취출로와 기화실에 약액을 공급하기 위한 약액 공급로와, 상기 약액 공급로로부터 약액을 기화실에 공급하기 위한 대기 개방구를 구비한 것을 특징으로 한다.

약액 공급로는 각 기화실의 사이에 공용되고 있어도 괜찮다. 또 칸막이 부재는 예를 들면, 복수의 기화실에 가세해 기화실의 액면레벨을 검출하기 위한 액면센서를 구비한 액면감시실을 형성하고 액면감시실은 기화실의 액면 아래에 개구하여 기화실과 액면감시실의 사이에 약액을 유통시키기 위한 약액 유통로와 기화실의 액면보다 윗쪽에서 개구하여 기화실과 액면감시실의 사이에 기압을 균일하게 하기 위한 가스 유통로를 구비하고 상기 액면센서에 의해 검출된 액면레벨에 근거해, 기화실에 약액이 공급된다. 약액 공급로는 상기 액면감시실에 설치되고 있어도 좋고, 액면감시실을 주방향으로 둘러싸도록 각 기화실이 설치되고 있어도 좋다.

또 본 발명의 약액 처리 시스템은 처리 가스를 이용해 피처리체에 처리를 행하기 위한 처리 공간을 각각 구비한 복수의 처리 모듈과 상술의 약액 기화 탱크와 상기 처리 가스 취출로를 개재시켜 각 처리 공간에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명의 약액 기화 탱크에 의하면 탱크 본체내를 횡방향에 구분하고 복수의 기화실을 형성하는 칸막이 부재에 액면 아래에 개구한 각 기화실간에서 약액을 유통시키는 약액 유통로와 액면에 개구한 각 기화실간의 기압을 균일하게 하기 위한 가스 유통로가 설치되기 때문에 각 기화실간을 약액이 유통할 수가 있어 각 기화실의 약액의 양의 비율이 일정하게 됨과 동시에 약액의 농도가 격차지는 것이 억제 된다. 따라서 각 기화실에서 개별적으로 약액의 기화 처리를 실시해도 약액이 기화된 처리 가스의 농도의 격차가 억제되고 그 처리 가스가 공급되는 각 피처리체 의 처리 상태의 격차가 억제된다. 또 각 기화실에서 개별적으로 기화 처리를 하는 것으로 피처리체의 수에 따른 수의 약액 기화 탱크를 설치할 필요가 없기 때문에, 약액 기화 탱크가 설치되는 스페이스를 억제할 수가 있다.

본 발명의 약액 기화 탱크의 실시의 형태의 일례로서 약액으로서 HMDS액을 기화시키기 위한 HMDS액 기화 탱크 (3)을 포함한 약액 처리 시스템인 소수화 처리 시스템 (1)에 대해서 설명한다. 도 1은 소수화 처리 시스템 (1)의 개략도이고, 소수화 처리 시스템 (1)은 4개의 소수화 처리 모듈 (1A, 1B, 1C, 1D)를 구비하고 있어 이들 소수화 처리 모듈 (1A, 1B, 1C, 1D)는 각각 가스 공급관 (11A, 11B, 11C, 11D)를 개재시켜 약액 기화 탱크 (3)에 설치된 후술의 기화실 (4A, 4B, 4C, 4D)에 접속되어 있다.

소수화 처리 모듈 (1A~1D)에 대해서 설명한다. 이들 소수화 처리 모듈 (1A~1D)는 동일하게 구성되고 있고 소수화 처리 모듈 (1A)를 예로 들어 도 2를 참조하면서 설명한다. 소수화 처리 모듈 (1A)는 재치대 (12)를 구비하고 재치대 (12)상에는 웨이퍼 (W)의 이면을 지지하는 예를 들면 웨이퍼 (W)의 주 방향을 따라 4개(도에서는 2개만 기재)의 돌기부 (12a)가 설치되고 있다. 재치대 (12)에는 웨이퍼 (W)의 외측을 둘러싸도록 배기구 (13)이 형성되고 있고 배기구 (13)에는 배기관 (13a)의 일단이 접속되고 있다. 배기관 (13a)의 타단은 예를 들면 배기량을 제어하는 압력 제어 수단 (14a)를 개재시켜 진공 펌프 등으로 이루어지는 배기 수단 (14)에 접속되고 있다.

재치대 (12)에는 수직 방향으로 3개의 구멍 (15a)가 뚫려 있고 각구멍 (15a)는 웨이퍼 (W)의 주방향을 따라 배열되고 각 구멍 (15a)에는 승강 핀 (15)가 끼워져 통과 되고 있다. 승강 핀 (15)를 지지하는 기초대 (15b)는 미도시의 구동 기구에 의해 승강하고, 승강 핀 (15)가 재치대 (12) 표면에 돌출하여 웨이퍼 (W)를 소수화 처리 모듈 (1A)에 반송하는 미도시의 반송 기구와 재치대 (12)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 하게 되어 있다. 도중 16, 17은 각각 커버, O링이다.

배기구 (13)의 주위에는 서로 지름이 다르고 윗쪽에 향하는 링상태의 돌기부 (21, 22)가 형성되고 있고 돌기부 (21, 22)의 상부에는 후술 하는 덮개 (20)이 하강했을 때에 그 덮개 (20)의 이면에 접하는 씰 부재 (23, 24)가 각각 설치되고 있다. 돌기부 (21, 22)간에 형성되는 홈부 (25)에는 그 타단이 흡인 기구 (27)에 접속된 배기관 (26)의 일단이 접속되고 있고 덮개 (20)이 씰 부재 (23, 24)에 접촉했을 때에 홈부 (25)내가 배기되어 덮개 (20)의 이면이 씰 부재 (23, 24)에 밀착하고 처리 공간 (S)가 기밀하게 되는 것으로 소수화 처리 모듈 (1A)의 외부에 HMDS 가스가 새지 않게 되어 있다. 또 웨이퍼 (W)에 대해서 처리를 하고 있지 않을 때에 처리 공간 (S)는 예를 들면 대기 환경에 연통하고 있어, 후술 하는 바와 같이 HMDS액 기화 탱크 (3)내에 HMDS액을 공급할 때의 대기 개방구가 된다.

덮개 (20)은 미도시의 승강기구에 의해 처리 공간 (S)내에 웨이퍼 (W)를 반입할 수 있도록 재치대 (12)에 대해서 승강하도록 구성되고 있어 그 이면 중앙부에는 가스의 토출구 (28)이 설치되고 있다. 또 덮개 (20)에는 상기 가스 공급관 (11A)가 접속되고 있다.

상기 소수화 처리 모듈 (1A) 에 있어서는 덮개 (20)이 재치대 (12)에 대해서 상승한 상태로 웨이퍼 (W)가 재치대 (12)에 재치되면 덮개 (20)이 하강하고 처리 공간 (S)가 기밀하게 된다. 그 후 HMDS 가스가 토출구 (28)으로부터 공급되어 처리 공간 (S)내의 가스를 배기관 (13a, 18a)내에 밀어 내, 도중 화살표에 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W) 표면 전체에 공급되어 웨이퍼 (W)에 소수화 처리를 한다. 소수화 처리 후, 배기관 (13a, 18a)로부터 배기를 함과 동시에 미도시의 N2가스 공급 기구로부터 N2가스가 처리 공간 (S)내에 공급되고, 처리 공간 (S)내의 HMDS가스가 제거되도록 되어 있다. 예를 들면 덮개 (20)의 승강 동작 및 처리 공간 (S)의 배기는 후술의 제어부 (100)에 의해 제어된다.

이어서 본 발명의 주요부를 구성하는 HMDS액 기화 탱크 (3)에 대해서 도 3~도 5를 참조하면서 설명한다. 도 3, 도 4, 도 5는 각각 HMDS액 기화 탱크의 종단 측면도, 분해 사시도, 횡단 평면도이다. HMDS액 기화 탱크 (3)은 예를 들면 편평한 원형의 용기로서 구성되고 있고 HMDS액 기화 탱크 (3) 상벽 및 HMDS액 기화 탱크 (3)내에 형성되는 각 방의 구분을 구성하는 상측 부재 (3A)와 HMDS액 기화 탱크 (3)의 바닥벽 및 측벽을 구성하는 하측 부재 (3B)를 구비하고 있다. 상측 부재 (3A)와 하측 부재 (3B)에 의해 탱크 본체 (3C)가 구성된다.

상측 부재 (3A)는 도 4 및 도 5에 나타나는 바와 같이 서로 구경이 다른 원통형의 칸막이 벽 (31, 32)를 구비하고 있다. 칸막이 벽 (31)은 칸막이 벽 (32)에 둘러싸이고 이들 칸막이 벽 (31, 32)는 서로 평면에서 볼 때 동심원 형상에 형성되고 있다. 또 칸막이 벽 (31)으로부터 칸막이 벽 (32)에 향하여 각각 평면에서 볼 때 십자에 4개의 칸막이 벽 (33 ;33A, 33B, 33C, 33D)가 설치되고 있다. 이들 칸막이 벽 (31~33)에 의해 상측 부재 (31)에는 기화실 (4A, 4B, 4C, 4D)로서 구성되는 평면에서 볼 때 주방향으로 배열된 4개의 방과 이들 기화실 (4A~4D)에 둘러싸는 액면감시실 (6)으로 구성되는 방이 형성되고 있다. 칸막이 벽 (31~33)의 상부에는 탱크 (3) 상벽을 구성하는 원형판 (34)가 설치되고 원형판 (34)의 주변부는 칸막이 벽 (32)이 튀어 나와 있다.

하측 부재 (3B)는 낮은 바닥의 원통형에 구성되고 있고 그 입구내에는 상측 부재 (3A)의 칸막이 벽 (32)가 들어가게 되어 있다. 하측 부재 (3B)의 측벽의 상부는 외측으로 튀어나와 플랜지 (35)를 형성하고 있고 플랜지 (35)와 상측 부재 (3A)의 원형판 (34)의 주변부가 O링 (36)을 개재시켜 밀착하고 약액 기화 탱크 (3)내가 기밀하게 구성되고 있다.

도 3에 나타나는 바와 같이 각 칸막이 벽 (31~33)의 하단은 약액 기화 탱크 (3)의 바닥면으로부터 멀어져 있고 HMDS액 (30)의 유로 (37)이 형성되고 있다. 이 유로 (37)에 의해 HMDS액 기화 탱크 (3)내에 공급된 HMDS액 (30)이 각 기화실 (4A~4D), 액면감시실 (6) 및 각 기화실 (4A~4D)의 외측에 설치된 칸막이 벽 (32) 및 약액 기화 탱크 (3)의 측벽에 둘러싸이는 외주실 (4E)의 사이에 서로 통류하도록 되어 있다.

칸막이 벽 (31)에는 액면감시실 (6)과 각 기화실 (4A, 4B, 4C, 4D)가 각각 연통하도록 통기 구멍 (41a, 41b, 41c, 41d)가 각각 형성되고 있고 또 칸막이 벽 (32)에는 각 기화실 (4A, 4B, 4C, 4D)와 외주실 (4E)가 각각 연통하도록 통기 구 멍(42a, 42b, 42c, 42d)가 각각 형성되고 있다. 이들 환기 구멍 (41a~41d) 및 (42a~42d)는 후술과 같이 약액 기화 탱크 (3)내에 공급되는 HMDS액 (30)의 액면레벨의 상한 레벨 (HL)보다 높은 위치에 형성되고 있고 각 실 (4A~4E) 사이에 환기 하고 각 실내 (4A~4E)의 압력이 균일하게 되어 각 실 (4A~4E)사이에 HMDS액 (30)이 유통하고, 이들 각 실 (4A~4E)의 액면레벨을 균일하게 하는 역할을 가지고 있다. 각 환기 구멍 (41a~41d) 및 (42a~42d)의 구경은 너무 크면 후술하는 바와 같이 하나의 기화실에서 행해지는 기화 처리가 다른 기화실의 기화 처리에 영향을 주어, 예를 들면 처리 가스의 농도의 변동을 부를 우려가 있기 때문에, 예를 들면 5 mm이하가 바람직하고, 2 mm이하가 보다 바람직하다. 각 환기 구멍 (41a~41d) 및 (42a~42d)는 도에서는 각각 1개씩 나타내고 있지만, 상기와 같이 각 방간의 기화 처리에 영향을 주지 않고 액면레벨이 균일하게 되면 좋기 때문에 각각 복수 설치되고 있어도 괜찮다.

이어서 각 기화실 (4A~4D)에 대해서 설명한다. 각 기화실 (4A~4D)는 동일하게 형성되고 있어 여기에서는 기화실 (4A)를 예로 들어 설명한다. 원형판 (34)에는 기화실 (4A)에 연통하는 3개의 구멍 (43, 44, 45)가 형성되고 있다. 또한 각 구멍 (43~44)는 실제로 제조된 HMDS액 기화 탱크 (3)에서는 도 4에 나타나는 바와 같이 주방향으로 배열되고 있지만, 도 3에서는 편의상 횡 방향으로 전개해 나타내고 있다. 위에서 설명한 바와 같이 그 일단이 처리 모듈 (1A)에 접속되고 가스 공급관 (11A)의 타단은 구멍 (43)을 개재시켜 기화실 (4A)내에 진입하고 있고, 기화실 (4A)의 액면의 공간 (40)에 개구하고 있다.

또 구멍 (44)를 개재시켜 가스 공급관 (46)의 일단이 기화실 (4A)에 진입하고 있고 가스 공급관 (46)의 일단에는 가스 노즐 (47)이 설치되고 가스 공급관 (46)으로부터 가스 노즐 (47)에 공급된 N2가스는 HMDS액 (30)의 액면에 토출되도록 되어 있다. 가스 노즐 (47)은 처리 가스를 생성시키는 가스 공급부에 상당한다. 가스 공급관 (46)의 타단은 밸브나 매스 플로우 콘트롤러 등을 포함한 유량 제어부 (48)을 개재시켜 N2가스가 저장된 N2가스 공급원 (49)에 접속되고 있고 유량 제어부 (48)이 후술하는 제어부 (100)으로 부터의 제어 신호를 받아 N2가스의 HMDS액 (30)의 액면에의 급단을 제어한다. 유량 제어부 (48)은 소수화 처리 모듈 (1A)에 HMDS 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단에 상당한다. 도중 51, 52, 53은, 원형판 (34)상에 설치된 통 모양의 이음새이고, 이음새 (51, 52)는 각각 가스 공급관 (11A, 45)를 지지하고 있다. 또 이 실시 형태에 있어서, 구멍 (45)는 이음새 (53)을 개재시켜 씰 부재 (54)에 의해 덮혀져 있다.

다른 기화실 (4B~4D)에 대해서 간단하게 설명하면 가스 공급관 (11B, 11C, 11D)의 타단이, 가스 공급관 (11A)의 타단과 동일하게 각각 기화실 (4B, 4C, 4D)에 각각 진입하고 있어, 각 기화실 (4B, 4C, 4D)의 공간 (40)에 개구하고 있다.

이어서 액면감시실 (6)에 대해서 설명한다. 원형판 (34)에는 액면감시실 (6)에 연통하는 4개의 구멍 (61, 62, 63, 64)가 설치되고 있다. 또한 구멍 (61~64)는 실제로 제조된 탱크에서는 도 4에 나타나는 바와 같이 주방향으로 배열되고 있지만, 도시의 편의상 도 3에서는 횡방향에 일렬에 배열해 나타내고 있다. 구멍 (61)을 개재시켜 HMDS액공급관 (65)의 일단이 액면감시실 (6)내에 진입하여 개구하고 있고 HMDS액공급관 (65)의 타단은 밸브 및 매스플로 콘트롤러 등을 포함한 유량 제어부 (66)을 개재시켜 신선한 HMDS액 (30)이 저장된 HMDS액공급원 (67)에 접속되고 있다. 제어부 (100)으로부터의 제어 신호에 따라 유량 제어부 (66)이 HMDS액 공급원 (67)으로부터 기화 탱크 (3)에의 상기 HMDS액 (30)의 급단을 제어하고 공급된 HMDS액 (30)이 기화 탱크 (3)내의 각 실 (4A~4E)에 저장되게 되어 있다.

액면감시실 (6)에는 막대 형상의 액면센서 (68)이 설치되고 있다. 이 액면센서 (68)은 구멍 (62)에 삽입 통과되어 그 하부가 HMDS액 (30)의 액면 아래에 잠기도록 되어 있다. 액면센서 (68)의 아래 쪽으로부터 위쪽으로 향해 액면의 높이(액면레벨)를 검출하기 위한 복수의 검출부 (69)가 설치되고 있어 액면센서 (68)은 그 검출부 (69)에 의해 검출된 액면레벨에 대응하는 신호를 제어부 (100)에 송신한다.

또 구멍 (63)을 개재시켜 배기관 (71)의 일단이 액면감시실 (6)에 진입하고 있고 액면감시실 (6)의 액면 공간 (60)에 개구하고 있다. 배기관 (71)의 타단은 HMDS액 기화 탱크 (3)의 외부의 대기 환경에 통로하고 있고, 배기관 (71)에는 제어부 (100)으로부터의 제어 신호에 근거해 개폐되는 밸브 (72)가 개설되고 밸브 (72)가 열리면 공간 (60)이 상기 대기 환경에 개방된다.

소수화 처리 모듈 (1A~1D)중 어느쪽에서 웨이퍼 (W)에 처리를 하고 있지 않고, 밀폐되고 있지 않은 처리 공간 (S)가 있는 경우 HMDS액 기화 탱크 (3)내에 HMDS액을 주입할 때에, 탱크 (3)내의 가스처리 공간 (S)를 개재시켜 소수화 처리 모듈 (11)의 외부로 유통할 수 있기 때문에 HMDS액 (30)이 HMDS액 탱크 (3)내에 주입할 수가 있지만, 처리 모듈 (11A~11D)의 모두에 있어서 웨이퍼 (W)에 대해서 소 수화 처리를 하고 있을 때 탱크 (3)내에 HMDS액을 공급하는 경우는 모든 처리 공간 (S)가 밀폐되고 있기 때문에 HMDS액 기화 탱크 (3)내의 가스가 처리 공간 (S)를 개재시켜 소수화 처리 모듈 (11)의 외부로 유통할 수 없고, 그대로라면 해당 HMDS액 기화 탱크 (3)의 내압에 의해 HMDS액을 공급할 수 없기 때문에, 이 밸브 (72)를 열어, HMDS액 기화 탱크 (3)내의 가스가 대기 환경에 유통할 수 있는 상태가 된 후에 HMDS액 기화 탱크 (3)내에 HMDS액 (30)이 공급된다.

또 구멍 (64)를 개재시켜 배액관 (73)의 일단이 액면감시실 (6)에 진입하고 HMDS액 (30)의 액면아래에 개구하고 있고, 배액관 (73)의 타단은 예를 들면 원형판 (34)상에 설치된 밸브 (74)를 개재시켜 배액기구 (75)에 접속되고 있어 예를 들면 수동에 의해 밸브 (74)가 열리면 탱크 (3)내의 HMDS액이 제거된다. 도중 76, 77, 78, 79는 원통형의 이음새이고, 각각 HMDS액 공급관 (65), 액면센서 (68), 배기관 (71), 배액관 (73)을 지지하고 있다.

이어서 제어부 (100)에 대해서 설명한다. 제어부 (100)은 예를 들면 컴퓨터, 로 이루어지고 미도시의 프로그램 격납부를 가지고 있다. 이 프로그램 격납부에는, 후술의 작용으로 설명하는 현상 처리를 하도록 명령이 짜여진 예를 들면 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 격납되어 이 프로그램이 제어부 (100)에 독출되는 것으로 제어부 (100)은 N2가스 노즐 (47)으로부터의 가스의 공급이나 HMDS액기화 탱크 (3)내에의 HMDS액 (30)의 공급 등을 제어한다. 이 프로그램은, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억매체에 수납된 상태에서 프로그램 격납부에 격납된다.

또 제어부 (100)은, 미도시의 입력 화면을 구비하고 있다. 소수화 처리시스템 (1)의 유저는 이 입력 화면으로부터, HMDS액 기화 탱크 (3)내의 HMD(S30)의 액면레벨에 대해서 상한레벨 (HL) 및 하한레벨 (LL)을 설정할 수 있도록 되어 있다. 후술의 작용으로 설명하는 바와 같이 HMDS가스가 각 소수황처리 모듈 (11A~11D)에 공급되고 도 6에 나타나는 바와 같이 액면레벨이 상한 레벨 (HL)이 되고, 각 처리 모듈 (11A~11D)에서의 처리중에 액면레벨이 HL과 LL의 사이로 유지되게 되어 있다. 상한 레벨 (HL)은 환기 구멍 (41a~41d) 및 (42a~42d)의 높이보다 낮은 레벨이고, 하한 레벨 (LL)은 유로 (37)의 상단보다 높은 레벨이다. 상한 레벨 (HL), 하한 레벨 (LL)의 값은 각각 그 동안의 범위의 액면레벨로 생성하는 HMDS 가스 농도가 각각 다름으로써 소수화 처리의 격차가 발생하지 않도록 설정된다.

또 예를 들면 HMDS액 공급원 (67)로부터 HMDS액 (30)이 공급되고 나서 소정의 시간이 경과하면 예를 들면 입력 화면에 알람이 표시된다. 유저는 이 알람에 근거해 밸브 (74)를 열고, HMDS액 기화 탱크 (3)내의 모든 HMDS액 (30)을 제거하고 밸브 (74)를 닫은 후, 입력 화면에 표시되는 스윗치를 누르는 것으로, HMDS액 기화 탱크 (3)에 그 액면레벨이 상기 상한 레벨 (HL)이 되도록 HMDS액 (30)이 공급된다. 이것에 의해 기화 탱크 (3)내의 HMDS액 (30)의 선도가 유지되도록 되어 있다.

소수화 처리 시스템 (1)의 작용에 대해서, 도 7을 참조하면서 소수화 처리 모듈 (1A, 1B)의 웨이퍼 (W)에 대해서 처리를 하는 경우를 예로 들어 설명한다. 예를 들면 소수화 처리 모듈 (1A)의 재치대 (12)에 웨이퍼 (W)가 재치되어 그 처리 공간 (S)가 기밀 공간이 되면 소수화 처리 모듈 (1A)는 제어부 (100)에 신호를 송 신한다. 그 신호를 받은 제어부 (100)은 유량 제어부 (48)에 제어 신호를 송신하고 기화실 (4A)의 가스 노즐 (47)으로부터 기화실 (4A)의 HMDS액 (30)의 액면에 소정의 유량으로 N2가스가 공급된다. 공급된 N2가스에 의해 HMDS액의 기화가 촉진됨과 동시에 탱크 (3)내의 HMDS액 (30) 기화실 (4A)의 내압이 상승하고, HMDS 가스가 가스 공급관 (11A)를 개재시켜 소수화 처리 모듈 (1A)에 공급되어 상기 웨이퍼 (W)에 소수화 처리가 행해진다.

기화실 (4A)에 공급된 N2가스는, 환기 구멍 (41a~41d) 및 (42a~42d)를 개재시켜 다른 기화실 (4B~4D), 외주실 (4E) 및 액면감시실 (6)에 유입하고 이들 기화실 (4B~4D), 외주실 (4E) 및 액면감시실 (6)의 HMDS액 (30)이 유로 (37)을 개재시켜 기화실 (4A)에 유입하고 각 기화실 (4A~4D), 외주실 (4E) 및 액면감시실 (6)으로 액면레벨이 균일하게 유지된 상태로 기화 탱크 (3)내의 HMDS액 (30)이 감소한다(도 7 (a), (b) ).

이어서 소수화 처리 모듈 (1B)의 재치대 (12)에 웨이퍼 (W)가 반입되어 그 처리 공간 (S)가 기밀 공간이 되면 소수화 처리 모듈 (1B)는 제어부 (100)에 신호를 송신한다. 그 신호를 받은 제어부 (100)은 기화실 (4B)에 대응하는 유량 제어부 (48)에 제어 신호를 송신하고, 가스 노즐 (47)으로부터 기화실 (4B)의 액면에 예를 들면, 기화실 (4A)에 공급하는 유량과 동일한 유량으로 N2가스가 공급되어 HMDS 가스가 가스 공급관 (11B)를 개재시켜 소수화 처리 모듈 (1B)에 공급되어, 소수화 처리 모듈 (11B)의 웨이퍼 (W)에 소수화 처리가 행해진다.

기화실 (4B)에 공급된 N2가스는 환기 구멍 (41b~41d) 및 환기실 (42b~42d)를 개재시켜 기화실 (4C, 4D), 외주실 (4E) 및 액면감시실 (6)에 유입해 이들 기화실 (4C, 4D) 및 액면감시실 (6)의 HMDS액 (30)이 유로 (37)을 개재시켜 기화실 (4A)의 그 밖에 기화실 (4B)에도 유입해, 각 기화실 (4A~4D), 외주실 (4E) 및 액면감시실 (6)으로 액면레벨이 균일하게 유지된 상태로 기화 탱크 (3)내의 HMDS액 (30)이 감소를 계속한다(도 7 (c) ).

HMDS액 (30)의 기화가 진행되어, 액면레벨이 미리 설정된 하한 레벨 (LL)이 되면 액면센서 (68)이 제어부 (100)에 신호를 송신하고 제어부 (100)은 유량 제어부 (66)에 제어 신호를 송신하고, HMDS액공급원 (67)으로부터 HMDS액공급관 (65)를 개재시켜 HMDS액 (30)이 기화 탱크 (3)내에 공급되어 그 액면레벨이 상승하고 미리 설정된 상한 레벨 (HL)에 이르면 액면센서 (68)이 제어부 (100)에 신호를 송신하고, HMDS액 (30)의 공급이 정지한다.

그리고 기화실 (4A)에 N2가스의 공급이 개시되고 나서 소정의 시간이 경과하면 기화실 (4A)에의 N2가스의 공급이 정지하고, 처리 모듈 (1A)에서의 소수화 처리가 종료한다. 그리고 기화실 (4B)에 N2가스의 공급이 개시되고 나서 소정의 시간이 경과하면 기화실 (4B)에의 N2가스의 공급이 정지하고 처리 모듈 (1B)에서의 소수화 처리가 종료한다.

HMDS액 기화 탱크 (3)에 의하면, 탱크 (3)내의 공간을 횡방향에 구분하고, 기화실 (4A~4D)를 형성하는 칸막이 벽 (31, 32, 33A~33D)와 HMDS액 (30)의 액면아래에 개구한 각 기화실 (4A~4D)간에 HMDS액 (30)을 유통시키는 유로 (37)과 HMDS액 (30)의 액면에 개구한 각 기화실 (4A~4D)간의 압력을 균일하게 하기 위한 환기 구 멍 (41a~41d)를 구비하는 것으로 각 기화실 (4A~4D)내의 기압이 균일화되어 각 기화실 (4A~4D)간을 HMDS액 (30)이 유통할 수가 있기 때문에, 각 기화실 (4A~4D)로 액면레벨이 격차지는 것이 억제됨과 동시에 각 기화실 (4A~4D)로 HMDS액 (30)의 농도가 격차지는 것이 억제된다. 따라서 각 기화실 (4A~4D)로 개별적으로 HMDS액의 기화 처리를 실시해도 HMDS 가스의 농도의 격차가 억제된다. 그 결과적으로 각 소수화 처리 모듈 (1A~1D)의 각 웨이퍼 (W)에의 소수화 처리 상태에 격차가 생기는 것이 억제된다.

또 상기 HMDS액 기화 탱크 (3)은 개별로 기화실 (4A~4D)를 구비하는 것으로, 소수화 처리 모듈의 수와 동일수의 약액 기화 탱크를 설치하는 경우에 비하여 상기 약액 기화 탱크 설치 스페이스의 삭감을 도모할 수 있다. 또 각 기화실 (4A~4D) 및 액면 감시실 (6)에서 HMDS액 (30)이 유통할 수 있으므로 액면센서 (68), HMDS액 공급관 (65), 배액관 (75) 등이 각 기화실 (4A~4D) 마다 설치할 필요가 없기 때문에, 소수화 처리 모듈의 수와 동수의 HMDS액 기화 탱크를 설치하도록 하는 경우에 비해 제조 코스트의 저하를 도모 수가 있다.

또 소수화 처리 모듈 (1A~1D)의 가동 상황에 차이가 있는 경우에, HMDS액이 공용화되고 있기 문에, 소수화 처리 모듈의 수에 따라 기화 탱크를 설치하는 것 같은 경우에 비해, HMDS액을 효율적으로 소비할 수가 있다. 따라서 HMDS액의 선도가 저하했을 때에 배액을 실시할 즈음에 그 배액량을 억제할 수가 있기 때문에, 코스트의 저하를 도모할 수가 있다.

HMDS액 기화 탱크 (3)에 있어서는 기화실 (4A~4D)로부터 구분된 액면감시실 (6)을 구비하고 그 액면감시실 (6)의 액면레벨을 검출해 각 기화실 (4A~4D)의 액면레벨의 관리를 실시하고 있기 때문에 기화실 (4A~4D)로 기화 처리를 하는 것으로 기화실 (4A~4D)의 액면이 흔들려도 이들의 액면의 흔들림이 액면감시실 (6)의 액면에 전해져 액면감시실 (6)의 액면이 흔들리는 것이 억제된다. 따라서 정밀도 높고 액면레벨을 관리할 수가 있어 HMDS 가스의 농도의 변동을 억제할 수가 있기 때문에 웨이퍼 (W)에의 소수화 처리의 격차를 보다 확실히 억제할 수가 있다. 또 액면감시실 (6)이 기화실 (4A~4D)에 둘러싸이도록 기화 탱크 (3)의 중앙부에 설치되는 것으로, HMDS액 기화 탱크 (3)이 설치하는 바닥이 기울고 있어도, 액면감시실 (6)이 탱크의 주변부에 배치되도록 하는 경우에 비해, 액면감시실 (6)의 액면의 기울기가 억제되는 것으로, 액면레벨의 검출 정밀도가 저하하는 것이 억제되므로 바람직하다.

또 위에서 설명한 바와 같이 HMDS액 기화 탱크 (3)은 각 소수화 처리 모듈 (1A~1D)로 처리를 실시하고 있어도 액면감시실 (6)의 밸브 (72)를 개방하는 것으로, HMDS액 (30)을 탱크내에 공급할 수 있고 각 소수화 처리 모듈 (1A~1D)의 처리를 정지시킬 필요가 없다. 따라서 이들의 처리 모듈 (1A~1D)의 가동에 영향을 주지 않기 때문에, 이들의 모듈에 의한 수율의 저하를 억제할 수가 있다.

상기 실시 형태에 있어서는 예를 들면 밸브 (74)가 제어부 (100)에 의해 일정 주기에 개폐되어 자동으로 폐액이 실시하도록 되어 있어도 괜찮다. 또 사용하는 약액으로서는 HMDS액에 한정되지 않고, 각 기화실 및 액면감시실의 레이아웃도 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 또 각 소수화 처리 모듈에 다른 농도의 HMDS 가 스를 공급하기 위해서 각 기화실 (4A~4D)의 액면에 각각 다른 유량으로 N2가스를 공급하거나 각 기화실 (4A~4D)의 크기가 각각 다르도록 구성되고 있어도 괜찮다.

이어서 HMDS액 기화 탱크 (3)의 변형예인 HMDS액 기화 탱크에 대해서 도 8을 참조하면서 설명한다. 이 HMDS액 기화 탱크 (8)은, HMDS액 기화 탱크 (3)과 대략 동일하게 구성되고 있고 동일한 구성 부분에 대해서는 동부호를 붙여 나타내고 있다. 이 실시예에 있어서도 각 기화실 (4A~4D)는 동일하게 구성되고 있으므로, 대표하여 기화실 (4A)에 대해서 설명하면 N2가스 공급관 (46)의 단부에는 다수의 토출구 (82)를 구비한 평판 형상의 버블링용 노즐 (81)이 설치되고 있고 노즐 (81)은 액면아래에 침전되고 버블링에 의해 HMDS액 (30)의 기화 처리를 실시하도록 되어 있다. 또 구멍 (53)을 개재시켜 희석용 가스 공급관 (83)의 일단이 기화실 (4A)에 진입하고, 액면의 공간 (40)에 개구하고 있다. 희석용 가스 공급관 (83)의 타단은 밸브나 매스 플로우 콘트롤러로부터 이루어지는 유량 제어부 (84)를 개재시켜 N2가스 공급원 (49)에 접속되고 있다. 유량 제어부 (84)는 제어부 (100)으로부터의 제어 신호에 근거해 N2가스 공급원 (49)로부터 공간 (40)에의 N2가스의 급단을 제어하고, 버블링에 의해 공간 (40)에 생긴 HMDS 가스의 농도를 희석하는 역할을 가지고 있어 소수화 처리 모듈 (1A)에 적절한 농도의 HMDS 가스가 공급된다.

이러한 HMDS액 기화 탱크 (8)도 HMDS액 기화 탱크 (3)과 같은 효과를 가진다. HMDS액 기화 탱크 (8)에서는 버블링을 실시하는 것으로 각 기화실 (4A~4D)의 액면이 흔들리기 쉽기 때문에, 상기와 같이 액면감시실 (6)을 기화실 (4A~4D)로부터 구분해, 그 액면감시실 (6)의 액면을 감시하는 것이 정밀도 높고 액면의 관리를 실시하기 때문에 특히 유효하다.

이어서 상술의 소수화 처리 시스템 (1)이 조립된 도포, 현상 장치의 구성의 일례에 대해서 도 9~도 11을 참조하면서 간단하게 설명한다. 도중 B1은 기판인 웨이퍼 (W)가 예를 들면 925매 밀폐 수납된 캐리어 (C1)을 반입출하기 위한 캐리어 블럭이고, 캐리어 (C1)을 복수개 재치 가능한 재치부 (90A)를 구비한 캐리어 수수부 (90)과 이 캐리어 수수부 (90)으로부터 볼 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부 (91)과 개폐부 (91)을 개재시켜 캐리어 (C1)로부터 웨이퍼 (W)를 취출하기 위한 수수 수단 (A1)이 설치되고 있다.

캐리어 블럭 (B1)의 안쪽 측에는 케이스체 (92)에서 주위를 둘러싸는 처리 블럭 (B2)가 접속되고 있고 처리 블럭 (B2)에는 앞측으로부터 차례로 가열·냉각계의 유니트를 다단화한 선반 유니트 (U1, U2, U3)와 후술하는 도포·현상 유니트를 포함한 각 처리 유니트간의 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하는 주반송 수단 (A2,A3)이 교대로 배열해 설치되고 있다. 즉, 선반 유니트 (U1, U2, U3) 및 주반송 수단 (A2,A3)은 캐리어 블럭 (B1)측으로부터 봐서 전후 일렬에 배열됨과 동시에, 각각의 접속 부위에는 도시하지 않는 웨이퍼 반송용의 개구부가 형성되고 있고 웨이퍼 (W)는 처리 블럭 (B1)내를 일단측의 선반 유니트 (U1)로부터 타단측의 선반 유니트 (U3)까지 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다. 또 주반송 수단 (A2,A3)은 캐리어 블럭 (B1)로부터 봐서 전후방향에 배치되는 선반 유니트 (U1, U2, U3)측의 일면부와 후술하는 예를 들면 우측의 액처리 유니트 (U4, U5)측의 일면부와 좌측의 일면을 이루는 배후부로 구성되는 구획벽 (93)에 의해 둘러싸이는 공간내에 놓여져 있 다. 또 도중 94, 95는 각 유니트로 이용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온습도 조절용의 덕트 등을 구비한 온습도 조절 유니트이다.

액처리 유니트 (U4, U5)는, 예를 들면 도 10에 나타나는 바와 같이 도포액(레지스트액)이나 현상액이라고 하는 약액 공급용의 스페이스를 이루는 수납부 (96)위에, 도포 유니트 (COT), 현상 유니트 (DEV) 및 반사 방지막형성 유니트 (BARC)등을 복수단 예를 들면 5단에 적층한 구성으로 되어 있다. 또 상술의 선반 유니트 (U1, U2, U3)은 도 11에 나타나는 바와 같이 액처리 유니트 (U4, U5)에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 각종 유니트를 복수단 예를 들면 10단에 적층한 구성으로 되어 있어 액처리 전후의 웨이퍼 (W)를 가열(베타)하는 가열 유니트(LHP), 웨이퍼 (W)를 냉각하는 냉각 유니트(CPL), 노광 후의 웨이퍼 (W) 가열하는 가열 유니트(PEB) 등이 포함되어 예를 들면 선반 유니트 (U2)에 상술의 소수화 처리 모듈 (1A~1D)가 설치되어 있고 선반 유니트 (U2) 부근에 상술의 HMDS액기화 탱크 (3)이 설치되어 있다. 도중 TRS는 웨이퍼 (W)의 수수 스테이지이다.

처리 블럭 (B2)에 있어서의 선반 유니트 (U3)의 안쪽 측에는, 예를 들면 제1의 반송실 (97) 및 제2의 반송실 (98)으로 이루어지는 인터페이스 블럭 (B3)를 개재시켜 노광 장치 (B4)가 접속되고 있다. 인터페이스 블럭 (B3)의 내부에는 처리 블럭 (B2)와 노광 장치 (B4)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 2개의 수수 수단 (A4,A5) 및 선반 유니트 (U6)가 설치되어 있다.

이어서 이 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름에 대해서 일례를 나타낸다. 우선 외부로부터 웨이퍼 (W)가 수납된 캐리어 (C1)이 재치대 (90a)에 재치되면 개폐부 (91)과 함께 캐리어 (C1)의 덮개체 떼어져 수수 수단 (A1)에 의해 웨이퍼 (W)가 꺼내진다. 그리고 웨이퍼 (W)는 선반 유니트 (U1)의 일단을 이루는 수수 유니트(도시하지 않음)를 개재시켜 주반송 수단 (A2)로 수수되고, 선반 유니트 (U1~U3)내의 하나의 선반으로, 도포 처리의 사전 처리로서 예를 들면 소수화 처리 모듈 (1A~1D)에서 소수화 처리, 냉각 유니트(CPL)에서 냉각 처리를 하고 그 후 도포 유니트 (COT)에서 레지스트액이 도포된다.

이어서 웨이퍼 (W)는 선반 유니트 (U1~U3)의 하나의 선반을 이루는 가열 유니트(LHP)로 가열(베타 처리)되어 더 냉각된 후 선반 유니트 (U3)의 수수 유니트를 경유해 인터페이스 블럭 (B3)에 반입된다. 이 인터페이스 블럭 (B3)에 있어서 웨이퍼 (W)는 예를 들면 수수 수단 (A4)→ 선반 유니트 (U6)→ 수수 수단 (A5)라는 경로에서 노광 장치 (B4)에 반송되어 노광을 한다. 노광 후, 웨이퍼 (W)는 역의 경로에서 주반송 수단 (A2)까지 반송되어 현상 유니트 (DEV)에서 현상되는 것으로 레지스트 패턴을 구비한 레지스트 마스크가 형성된다. 그 후 웨이퍼 (W)는 재치대 (90a)상의 원래의 캐리어 (C1)에 되돌려진다.

도 1은 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 HMDS액 기화 탱크를 갖춘 소수화 처리 시스템의 블럭도이다.

도 2는 상기 소수화 처리 시스템에 포함되는 소수화 처리 모듈의 종단 측면도이다.

도 3은 상기 HMDS액 기화 탱크의 종단 측면도이다.

도 4는 상기 HMDS액 기화 탱크의 분해 사시도이다.

도 5는 상기 HMDS액 기화 탱크의 횡단 평면도이다.

도 6은 상기 액면레벨이 변동하는 모습을 나타낸 그래프이다.

도 7은 HMDS액 기화 탱크의 액면레벨이 변동하는 모습을 나타낸 설명도이다.

도 8은 다른 HMDS 기화 탱크의 구성예를 나타낸 종단 측면도이다.

도 9는 상기 소수화 처리시스템이 적용된 도포, 현상장치의 평면도이다.

도 10은 상기 도포, 현상장치의 사시도이다.

도 11은 상기 도포, 현상장치의 종단 측면도이다.

**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**

1 : 소수화 처리 시스템

1A~1D : 소수화 처리 모듈

100 : 제어부

3 : HMDS액 기화 탱크

30 ; HMDS액

31, 32, 33 ; 칸막이 벽

37 ; 유로

4A~4D ; 기화실

41a~41d ; 환기통

68 ; 액면센서

Claims (7)

1. 저장된 약액에 기화용 가스를 공급해 처리 가스를 생성하고, 처리 가스를 피처리책에 공급해 처리를 행하기 위한 약액 기화 탱크에 있어서,

   내부 공간이 칸막이 부재에 의해 횡방향에 기밀하게 구분되고 복수의 기화실이 형성되는 탱크 본체와,

   각 기화실의 액면아래에 각 기화실간에서 약액을 유통시키기 위해서 각 칸막이 부재에 설치된 약액 유통로와,

   각 기화실의 액면보다 윗쪽에서 각 기화실간을 연통하도록 칸막이 부재에 설치된 각 기화실간에서 기압을 균일하게 하기 위한 가스 유통로와,

   각 기화실 마다 설치되고 기화실내의 약액에 기화용 가스를 공급하고, 약액의 액면의 공간에 처리 가스를 생성시키는 기화용 가스 공급부와,

   각 기화실 마다 설치되고 상기 기화실에서 생성된 처리 가스를 외부에 취출하는 처리 가스 취출로와,

   기화실에 약액을 공급하기 위한 약액 공급로와,

   상기 약액 공급로로부터 약액을 기화실에 공급하기 위한 대기 개방구를 구비하는 것을 특징으로 하는 약액 기화 탱크.
2. 청구항 1에 있어서,

   약액 공급로는 각 기화실의 사이에 공용되는 것을 특징으로 하는 약액 기화 탱크.
3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

   칸막이 부재는 복수의 기화실에 부가하여 기화실의 액면레벨을 검출하기 위한 액면센서를 구비한 액면감시실을 형성하고, 액면감시실은 기화실의 액면아래에 개구하여 기화실과 액면감시실의 사이에 약액을 유통시키기 위한 약액 유통로와 기화실의 액면보다 윗쪽에서 개구하고, 기화실과 액면감시실과의 사이에 기압을 균일하게 하기 위한 가스 유통로를 구비하고 상기 액면센서에 의해 검출된 액면레벨에 근거해 기화실에 약액이 공급되는 것을 특징으로 하는 약액 기화 탱크.
4. 청구항 3 에 있어서,

   약액 공급로는 상기 액면감시실에 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 약액 기화 탱크.
5. 청구항 3에 있어서,

   액면감시실을 주방향으로 둘러싸도록 각 기화실이 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 약액 기화 탱크.
6. 청구항 4에 있어서,

   액면감시실을 주방향으로 둘러싸도록 각 기화실이 설치되고 있는 것을 특징 으로 하는 약액 기화 탱크.
7. 처리 가스를 이용해 피처리체에 처리를 행하기 위한 처리 공간을 각각 구비한 복수의 처리 모듈과,

   청구항 1 또는 청구항 2에 기재의 약액 기화 탱크와,

   상기 처리 가스 취출로를 개재시켜 각 처리 공간에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 약액 처리 시스템.

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