KR20060038466A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 피처리 기판을 수납하고 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생실과,상기 플라즈마 발생실의 상부의 개구부에 배치되고, 마이크로파에 의해 구동되어 전자계를 발생시키는 안테나와,상기 안테나의 하부에 설치되고 상기 플라즈마 발생실의 개구부를 봉인하는 상판을 포함하며,상기 상판은 그 하면측에 요철 형상을 포함하고,상기 요철 형상의 볼록부는 상기 상판의 하면에 링형상의 볼록부 또는 오목부를 포함하는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 상판은 상기 볼록부 또는 오목부에 의해 두께가 얇은 부분과 두께가 두꺼운 부분을 포함하며,상기 두께가 얇은 부분의 두께는 λ/4±λ/8로 선택되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 볼록부 또는 오목부는 상기 상판의 하면에 링형상으로 형성되는 돌출조를 포함하는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 상판은 원판형이며,상기 돌출조는 상기 상판의 중심과 동심형으로 직경 방향으로 복수 형성되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 돌출조는 상기 상판측의 직경 방향의 두께가 선단측의 직경 방향의 두께보다 두껍게 형성되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 볼록부 또는 오목부는 상기 상판의 하면에 형성되는 원추형의 돌기를 포함하는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 원추형의 돌기는 상기 상판의 중심의 하면에 형성되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 원추형의 돌기는 복수 설치되고 상기 복수의 원추형의 돌기는 링형상으로 배치되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 볼록부 또는 오목부는 상기 복수의 링형상의 오목부와 상기 복수의 링형상의 오목부 사이에 형성된 하향의 제1 돌출조와, 최외주의 링형상 오목부의 외측에 형성되는 하향의 제2 돌출조를 포함하는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 제2 볼록부의 두께는 상기 제1 볼록부의 두께에 비해 두껍게 형성되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상판의 안테나측의 중심부에는 오목부가 형성되어 있고, 상기 오목부에는 상기 상판의 유전률과 상이한 물질이 배치되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 상판의 오목부의 깊이는 λ/8 이상의 깊이로 형성되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 상판의 오목부의 깊이는 λ/4 이상의 깊이로 형성되는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 볼록부는 상기 상판의 상기 피처리 기판측 중심부에 형성되고, 상기 볼록부의 주변에서의 상판의 두께는 λ/4±λ/8인 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리 기판은 원판형으로서,상기 볼록부 또는 오목부는, 상기 피처리 기판의 반경을 R로 했을 때, 상기 상판의 중심으로부터 반경 R보다 외측에 하나 이상 형성되어 있는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 볼록부 또는 오목부는 상기 상판과 상기 피처리 기판과의 거리를 D로 했을 때, 상기 상판의 중심으로부터 반경(D)보다 내측에 하나 이상 형성되어 있는 것인 플라즈마 처리 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 안테나는 면상에 슬롯이 분포되어 형성된 슬롯판을 포함하고,상기 상판에는 상기 슬롯판 상의 슬롯의 위치에 대응하여 상기 볼록부 또는 상기 오목부가 형성되어 있는 것인 플라즈마 처리 장치.
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