KR20050106439A

KR20050106439A - 유전체 자기 조성물 및 전자 부품

Info

Publication number: KR20050106439A
Application number: KR1020057015141A
Authority: KR
Inventors: 야스오 와타나베; 와타루 다카하라
Original assignee: 티디케이가부시기가이샤
Priority date: 2003-02-17
Filing date: 2004-02-17
Publication date: 2005-11-09
Also published as: US7265072B2; CN1774406A; TW200503014A; TWI233623B; US20060234854A1; CN100371295C; JP4403705B2; WO2004071992A1; JP2004262680A; KR100673916B1

Abstract

로 이루어지는 주성분 100몰에 대해, 7몰미만의 V산화물과, 15몰미만의 A1산화물, 보다 바람직하게는, 5몰미만의 Mn 산화물과, 20몰미만의 복합산화물

Description

유전체 자기 조성물 및 전자 부품{DIELECTRIC PORCELAIN COMPOSITION AND ELECTRONIC PART}

본 발명은, 예를 들면 적층 세라믹 콘덴서의 유전체층 등으로서 이용되는 유전체 자기 조성물과, 이 유전체 자기 조성물을 유전체층으로서 이용하는 전자 부품에 관한 것이다.

전자 부품의 일례인 적층 세라믹 콘덴서는, 소정 조성의 유전체 자기 조성물로 구성되어 있는 유전체층과, 각종 금속을 주성분으로 하는 내부 전극층이 교대로 복수 적층되어 있는 콘덴서 소자 본체를 갖는다. 이 종류의 적층 세라믹 콘덴서는, 통상, 유전체 자기 조성물로 이루어지는 그린시트 상에 도전 페이스트를 인쇄하여, 이 도전 페이스트를 인쇄한 복수장의 그린시트를 적층하여, 그린시트와 내부 전극을 일체적으로 소성하여, 형성된다.

최근, 염가인 비금속(卑金屬)(예를 들면 니켈이나 구리 등)을 내부 전극의 재료에 이용하기 위해서, 유전체 자기 조성물로서, 여러가지의 제안이 이루어져 있다(예를 들면 특허문헌 1∼4 참조).

그러나, 어느 유전체 자기 조성물에서도, 소성후의 저주파에서의 유전 특성(용량 변화, 유전 손실)이 열화하거나, 혹은 소성후의 절연 저항의 가속 수명이 짧아지는 경우가 있었다. 이 때문에, 이 유전체 자기 조성물을 이용하여 니켈 등의 비금속제 내부 전극을 갖는 적층 세라믹 콘덴서를 제조한 경우에, 얻어지는 적층 세라믹 콘덴서의 신뢰성이 저하하는 경향이 있었다.

그래서, 우수한 저주파 유전 특성을 가지면서, 유전체 자기 조성물의 절연 저항의 가속 수명을 길게 하여, 이 유전체 자기 조성물을 이용한 적층 세라믹 콘덴서의 신뢰성을 향상시키기 위해서, 여러 가지의 제안이 이루어져 있다(예를 들면 특허문헌 5∼7 참조)

특허문헌 5에서는, (Ca_1-xSr_x)_m·(Zr_1-yTi_y)O₃으로 나타내어지는 조성의 유전체 산화물(단, 0.94≤m<1.08, 0≤x≤1.00, 0.8≤y≤1.00)을 주성분으로 하고, 이 주성분 100몰에 대해서, 0.01∼2몰(단 2몰은 제외한다)의 V, Nb, W, Ta 및 Mo의 적어도 1종의 산화물과, 4몰 미만의 MnO₂와, 15몰 미만의, SiO₂, MO(단, M은, Ba, Ca, Sr 및 Mg로부터 선택되는 적어도 1종의 원소), Li₂O 및 B₂O₃의 적어도 1종을 함유하는 유전체 자기 조성물이 개시되어 있다.

특허문헌 6에서는, (Ca_1-xSr_x)_m·(Zr_1-yTi_y)O₃으로 나타내어지는 조성의 유전체 산화물(단, 0.75≤m≤1.04, 0≤x≤1.00, 0≤y≤0.1)을 주성분으로 하고, 이 주성분 100몰에 대해서, V를 제외하고, Nb, W, Ta 및 Mo의 적어도 1종의 산화물과, 0.1∼10몰의 Al₂O₃과, 0.2∼5몰의 MnO₂와, 0.5∼15몰의 Ba와 Ca와 Si와 O의 복합 산화물을 함유하는 유전체 자기 조성물이 개시되어 있다.

특허문헌 7에서는, (Ca_1-xSr_x)_m·(Zr_1-yTi_y)O₃으로 나타내어지는 조성의 유전체 산화물(단, 0.8≤m≤1.3, 0≤x≤1.00, 0.1≤y≤0.8)을 주성분으로 하고, 이 주성분 100몰에 대해서, 0.01∼5몰의 V, Nb, W, Ta 및 Mo의 적어도 1종의 산화물과, 0.2∼5몰의 MnO₂와, 15몰 미만의, SiO₂, MO(단, M은, Ba, Ca, Sr 및 Mg로부터 선택되는 적어도 1종의 원소), Li₂O 및 B₂O₃의 적어도 1종을 함유하는 유전체 자기 조성물이 개시되어 있다.

그러나, 이들의 특허문헌 5∼7에 기재된 유전체 자기 조성물에서도, 아직, 충분한 절연 저항의 가속 수명이 얻어지지 않는 경우도 있다. 그 결과, 이 유전체 자기 조성물을 이용하여 니켈 등의 비금속제 내부 전극을 갖는 적층 세라믹 콘덴서를 제조한 경우에, 이 적층 세라믹 콘덴서의 신뢰성을 개선할 수 없는 경우가 있었다.

특허문헌 1 일본국 특개평 11-224827호 공보

특허문헌 2 일본국 특개소 60-131708호 공보

특허문헌 3 일본국 특공소 57-37081호 공보

특허문헌 4 일본국 특개소 63-126117호 공보

특허문헌 5 일본국 특개 2002-80278호 공보

특허문헌 6 일본국 특허 제2997236호 공보

특허문헌 7 WO02/00568호 공보

도 1은 본 발명의 한 실시 형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 단면도이다.

<부호의 설명>

1 : 적층 세라믹 콘덴서 10 : 콘덴서 소자 본체

2 : 유전체층 3 : 내부 전극층

4 : 외부 전극

본 발명의 목적은, 우수한 저주파 유전 특성을 가지면서, 절연 저항의 가속 수명이 보다 높아진 내환원성의 유전체 자기 조성물과, 이 유전체 자기 조성물을 포함하여, 신뢰성이 보다 높아진 칩 콘덴서 등의 전자 부품을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 의하면,

조성식 {(Ca_1-xMe_x)O}_m·(Zr_1-yTi_y)O₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 원소명을 나타내는 기호 Me가, Sr, Mg 및 Ba의 적어도 하나이고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 m, x 및 y가, 0.8≤m≤1.3, 0≤x≤1.00, 0≤y≤1.00의 관계에 있는 유전체 산화물을 포함하는 주성분과,

V산화물을 포함하는 제1 부성분과,

Al산화물을 포함하는 제2 부성분을 갖는 유전체 자기 조성물로서,

상기 주성분 100몰에 대한 각 성분의 비율이,

제1 부성분 : 0몰<제1 부성분<7몰(단, V산화물을 V₂O₅로 환산한 값),

제2 부성분 : 0몰<제2 부성분<15몰(단, Al산화물을 Al₂O₃로 환산한 값)인 유전체 자기 조성물이 제공된다.

바람직하게는, Mn산화물을 포함하는 제3 부성분을 갖고, 상기 주성분 100몰에 대한 상기 제3 부성분의 비율이, 산화물 중의 Mn 원소 환산으로, 0몰<제3 부성분<5몰이다.

바람직하게는, SiO₂를 주성분으로 하고, MO(단, M은, Ba, Ca, Sr 및 Mg으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소), Li₂O 및 B₂O₃으로부터 선택되는 적어도 1종(보다 바람직하게는, 조성식 {(Ba_z, Ca_1-z)O}_vSiO₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 z 및 v가, 0≤z≤1 및 0.5≤v≤4.0의 관계에 있는 복합 산화물)을 포함하는 제4 부성분을 갖고, 상기 주성분 100몰에 대한 상기 제4 부성분의 비율이, 산화물 환산으로, 0몰<제4 부성분<20몰이다.

본 발명에 의하면,

V산화물을 포함하는 제1 부성분과,

Al산화물을 포함하는 제2 부성분과,

Mn산화물을 포함하는 제3 부성분과,

조성식 {(Ba_z, Ca_1-z)O}_vSiO₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 z 및 v가, 0≤z≤1 및 0.5≤v≤4.0의 관계에 있는 복합 산화물을 포함하는 제4 부성분을 갖는 유전체 자기 조성물로서,

상기 주성분 100몰에 대한 각 성분의 비율이,

제2 부성분 : 0몰<제2 부성분<15몰(단, Al산화물을 A1₂O₃으로 환산한 값),

제3 부성분 : 0몰<제3 부성분<5몰(단, 산화물 중의 Mn 원소 환산의 값이다) ,

제4 부성분 : 0몰<제4 부성분<20몰(단, 복합 산화물 환산의 값이다)인 유전체 자기 조성물이 제공된다.

본 발명에 따른 전자 부품은, 유전체층을 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 유전체층과 함께, 내부 전극층이 교대로 적층되어 있는 소자 본체를 갖는 적층 세라믹 콘덴서이다. 본 발명에서는, 상기 유전체층이, 상기 중 어느 한 유전체 자기 조성물로 구성되어 있다. 내부 전극층에 포함되는 도전재로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 Ni 또는 Ni합금 등의 비금속을 들 수 있다.

발명의 작용

본 발명자들은, 내환원성의 유전체 자기 조성물에 관해서, 그 절연 저항의 가속 수명(=고온 부하 수명. 이하의 설명에서는 간단히「수명」이라고 하는 경우도 있다)을 보다 개선하기 위해서 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 특정 조성의 유전체 산화물에 대해서, 적어도 V산화물과 Al산화물(바람직하게는, 또한 Mn산화물과 특정한 소결조제)을 특정한 비율로 함유시킨 유전체 자기 조성물이, 종래 조성의 유전체 자기 조성물과 비교하여, 수명을 대폭 향상시킬 수 있는 것을 발견하였다. 수명 향상의 효과를 발생하는 원인에 대해서는, 반드시 분명하지 않지만, V산화물과 Al산화물의 상승 효과에 의한 것이라고 생각된다. 그리고, 이와 같은 수명이 대폭으로 향상한 유전체 자기 조성물을 이용한 경우에 얻어지는 전자 부품의 신뢰성을 대폭으로 향상시킬 수 있는 것을 발견한 것이다.

즉, 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물에서는, 특정 조성의 유전체 산화물을 포함하는 주성분에 대해서, 적어도 특정한 제1 부성분 및 제2 부성분을 소정량 함유시킴으로써, 소성시의 내환원성이 우수하고, 소성후에는 우수한 용량 온도 특성을 갖는 동시에, 제1 부성분 및 제2 부성분의 쌍방을 적량으로 함유시키지 않는 경우에 비해서, 저주파 유전 분산(예를 들면 160℃, 100㎐일 때의 유전 손실)을 억제하면서, 절연 저항의 가속 수명(고온 부하 수명)을 대폭으로 개선할 수 있다.

본 발명에 따른 칩 콘덴서 등의 전자 부품에서는, 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물(바람직하게는, 본 발명 방법에 의해 제조된 상기 유전체 자기 조성물)로 구성되어 있는 유전체층을 갖기 때문에, 우수한 용량 온도 특성을 갖고, 또한 저주파 유전 분산을 억제하면서, 절연 저항의 가속 수명(고온 부하 수명)이 향상되어, 그 결과, 전자 부품의 신뢰성이 대폭으로 향상한다.

전자 부품으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 세라믹 콘덴서, 적층 세라믹 콘덴서, 칩 배리스터, 그 밖의 표면 실장(SMD) 칩형 전자 부품이 예시된다.

이하, 본 발명을, 도면에 도시하는 실시 형태에 기초하여 설명한다.

적층 세라믹 콘덴서

도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1)는, 유전체층(2)과 내부 전극층(3)이 교대로 복수 적층된 구성의 콘덴서 소자 본체(10)를 갖는다. 콘덴서 소자 본체(10)의 양단부에는, 소자 본체(10)의 내부에서 교대로 배치된 내부 전극층(3)과 각각 도통하는 한 쌍의 외부 전극(4)이 형성되어 있다. 콘덴서 소자 본체(10)의 형상에 특별히 제한은 없지만, 통상, 직육면체 형상으로 된다. 또, 그 치수에도 특별히 제한은 없고, 용도에 따라서 적당한 치수로 하면 되지만, 통상, (0.4∼5.6㎜)×(0.2∼5.0㎜)×(0.2∼1.9㎜) 정도이다.

내부 전극층(3)은, 각 단면이 콘덴서 소자 본체(10)의 대향하는 2단부의 표면에 교대로 노출되도록 적층되어 있다. 한 쌍의 외부 전극(4)은, 콘덴서 소자 본체(10)의 양단부에 형성되어, 교대로 배치된 내부 전극층(3)의 노출 단면에 접속되어, 콘덴서 회로를 구성한다.

유전체층(2)은, 본 발명의 유전체 자기 조성물을 함유한다.

본 발명의 유전체 자기 조성물은,

적어도,

조성식 {(Ca_1-xMe_x)O}_m·(Zr_1-yTi_y)O₂로 나타내어지는 유전체 산화물을 포함하는 주성분과,

V산화물을 포함하는 제1 부성분과,

Al산화물을 포함하는 제2 부성분을 갖는다. 이 때, 산소(O)량은, 상기 식의 화학량론 조성으로부터 약간 편의(偏倚)해도 된다.

상기 식 중, x는, 0≤x≤1.00이다. x는 기호 Me(단, Me는 Sr, Mg 및 Ba의 적어도 하나. 그 중에서도 Sr이 바람직하다)의 원자수를 나타내고, x, 즉 기호 Me/Ca비를 변화시킴으로써 결정의 상 전이점을 임의로 시프트시키는 것이 가능해진다. 그 때문에, 용량 온도 계수나 비유전율을 임의로 제어할 수 있다. 단, 본 발명에서는, Ca와 기호 Me의 비율은 임의이고, 한 쪽만을 함유하는 것이어도 된다.

상기 식 중, y는, 0≤y≤1.00, 바람직하게는 0≤y≤0.8, 특히 바람직하게는 0.1≤y≤0.8이다. y는 Ti 원자수를 나타내지만, TiO₂에 비해서 환원되기 어려운 ZrO₂를 치환해 감으로써 내환원성이 더욱 증가해 가는 경향이 있다.

상기 식 중, m은, 0.8≤m≤1.3, 바람직하게는 0.970≤m≤1.030이다. m을 0.8 이상으로 함으로써 환원 분위기 하에서의 소성에 대해서 반도체화를 발생하는 것이 방지되고, m을 1.3 이하로 함으로써 소성 온도를 높게 하지 않아도 치밀한 소결체를 얻을 수 있다.

본 발명의 유전체 자기 조성물이, 종래의 유전체 자기 조성물과 다른 점은, y가 특히 바람직하게는 0.1≤y≤0.8의 범위에서, 적어도, V산화물을 포함하는 제1 부성분과, Al산화물을 포함하는 제2 부성분을 소정량 첨가하는 것이다. 적어도 제1 부성분 및 제2 부성분을 소정량 함유시킴으로써, 주성분의 y가 특히 바람직하게는 0.1≤y≤0.8의 범위에서의 유전 특성을 열화시키지 않고 저온 소성이 가능해져, 유전체층을 박층화한 경우에도 수명의 대폭적인 업이 도모되고, 더 나아가서는 콘덴서로서의 신뢰성을 대폭으로 향상시킬 수 있다.

제1 부성분은, 고온 부하 수명을 향상시키는 역할을 한다. 제2 부성분은, 소성 온도를 저하시키고, 또한 고온 부하 수명을 향상시키는 역할을 한다.

제1 부성분의 주성분 100몰에 대한 비율은, V₂O₅ 환산으로, 0몰<제1 부성분<7몰, 바람직하게는 0.01몰≤제1 부성분≤5몰이다. 제2 부성분의 주성분 100몰에 대한 비율은, Al₂O₃ 환산으로, 0몰<제2 부성분<15몰, 바람직하게는 0.01몰≤제2 부성분≤10몰이다. 제1 부성분 및 제2 부성분을 소정량 함유시킴으로써, 주성분의 y가 특히 바람직하게는 0.1≤y≤0.8의 범위에서의 유전 특성을 열화시키지 않고 저온 소성이 가능해져, 유전체층을 박층화한 경우에도 수명의 대폭적인 업이 도모되고, 더 나아가서는 콘덴서로서의 신뢰성을 대폭으로 향상할 수 있다.

또한, 제1 부성분에 포함되는 V산화물의 일부를, Nb나 Ta 등의 5족 원소의 산화물이나, Cr, Mo, W의 6족 원소의 산화물로 치환해도 상관없다.

본 발명의 유전체 자기 조성물에는, Mn산화물을 포함하는 제3 부성분이 더 첨가되어 있는 것이 바람직하다. 이 제3 부성분은, 소결을 촉진하는 효과와 수명을 개선하는 효과를 갖고, 또한 유전체층(2)을 예를 들면 4㎛ 정도로 박층화하였을 때의 초기 절연 저항의 불량율을 저하시키는 효과도 갖는다.

제3 부성분을 첨가하는 경우의 이 제3 부성분의 상기 주성분 100몰에 대한 비율은, 산화물 중의 Mn 원소 환산으로, 바람직하게는 0몰<제3 부성분<5몰, 보다 바람직하게는 0.1몰≤제3 부성분≤4몰이다. 제3 부성분의 첨가량이 너무 많으면, 초기 절연 저항을 취할 수 없는 경향이 있고, 제3 부성분의 첨가량이 0몰<제3 부성분<5몰의 범위에서는, 첨가량이 많을수록, 수명 향상에 기여하고, 또한 초기 IR 불량율의 발생을 저감할 수 있어, 첨가량이 적을수록, 용량 온도 변화율을 작게 할 수 있다.

본 발명의 유전체 자기 조성물에는, SiO₂를 주성분으로 하여, MO(단, M은, Ba, Ca, Sr 및 Mg로부터 선택되는 적어도 1종의 원소), Li₂O 및 B₂O₃로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 제4 부성분이 더 첨가되어 있는 것이 바람직하다. 이 제4 부성분은, 주로 소결조제로서 작용하지만, 유전체층(2)을 박층화하였을 때의 초기 절연 저항(IR)의 불량율을 개선하는 효과도 갖는다.

바람직하게는, 상기 제4 부성분이, 조성식 {(Ba_z, Ca_1-z)O}_vSiO₂로 나타내어지는 복합 산화물(이하, BCG라고도 하는 경우가 있다)을 포함한다. 복합 산화물인 {(Ba_z, Ca_1-z)O}_vSiO₂는, 융점이 낮기 때문에, 주성분에 대한 반응성이 양호하다. 제4 부성분의 보다 바람직한 양태로서의 조성식 {(Ba_z, Ca_1-z)O}_vSiO₂에서, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 v는, 바람직하게는 0.5≤v≤4.0이고, 보다 바람직하게는 0.5≤v≤2.0이다. v가 너무 적으면, 즉 SiO₂가 너무 많으면, 주성분과 반응하여 유전체 특성을 악화시켜 버린다. 한편, v가 너무 크면, 융점이 높아져서 소결성을 악화시키기 때문에, 바람직하지 않다. 또한, Ba와 Ca과의 조성 몰비를 나타내는 기호(z)는 임의이고(0≤z≤1), 한 쪽만을 함유하는 것이어도 되지만, 바람직하게는 0.3≤z≤0.7이다.

제4 부성분을 첨가하는 경우의 이 제4 부성분의 상기 주성분 100몰에 대한 비율은, 산화물(또는 복합 산화물) 환산으로, 바람직하게는 0몰<제4 부성분<20몰, 보다 바람직하게는 0.1몰≤제4 부성분≤15몰이다. 제4 부성분을 소량이라도 첨가함으로써, 초기 IR 불량율의 발생을 저하시키는 데에 효과적이고, 첨가량을 20몰 미만으로 함으로써, 비유전율의 저하를 억제하여, 충분한 용량을 확보할 수 있다.

본 발명의 유전체 자기 조성물에는, R의 산화물(단, R은, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu의 적어도 하나의 원소)을 포함하는 제5 부성분이 더 함유되어 있어도 된다.

유전체층(2)의 적층수나 두께 등의 여러 가지 조건은, 목적이나 용도에 따라서 적절히 결정하면 된다. 또, 유전체층(2)은, 그레인(유전체 입자)과 입계상으로 구성된다. 유전체층(2)의 그레인의 평균 입자 직경은, 본 발명에서는 특별히 한정되지 않지만, 0.1∼5㎛ 정도인 것이 바람직하다. 유전체층(2)의 입계상은, 통상, 유전체 재료 혹은 내부 전극 재료를 구성하는 재질의 산화물이나, 별도 첨가된 재질의 산화물, 또한 공정 중에 불순물로서 혼입되는 재질의 산화물을 성분으로 하여, 통상 유리 내지 유리질로 구성되어 있다.

내부 전극층(3)에 함유되는 도전재는, 특별히 한정되지 않지만, 유전체층(2)의 구성 재료가 내환원성을 갖기 때문에, 비금속을 이용할 수 있다. 도전재로서 이용하는 비금속으로서는, Ni 또는 Ni합금이 바람직하다. Ni합금으로서는, Mn, Cr, Co 및 Al로부터 선택되는 1종 이상의 원소와 Ni와의 합금이 바람직하고, 합금 중의 Ni 함유량은 95중량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, Ni 또는 Ni합금 중에는, P, Fe, Mg 등의 각종 미량 성분이 0.1중량% 정도 이하 포함되어 있어도 된다. 내부 전극층의 두께는 용도 등에 따라서 적절히 결정하면 되지만, 통상, 0.3∼3㎛, 특히 0.5∼2㎛ 정도인 것이 바람직하다.

외부 전극(4)에 함유되는 도전재는, 특별히 한정되지 않지만, 통상, Cu나 Cu합금 혹은 Ni나 Ni합금 등을 이용한다. 또한, Ag나 Ag-Pd합금 등도, 물론 사용 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서는, 염가인 Ni, Cu나, 이들의 합금을 이용한다. 외부 전극의 두께는 용도 등에 따라서 적절히 결정되면 되지만, 통상, 5∼50㎛ 정도인 것이 바람직하다.

적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법

본 발명의 유전체 자기 조성물을 이용한 적층 세라믹 콘덴서(1)는, 페이스트를 이용한 통상의 인쇄법이나 시트법에 의해 그린칩을 제작하여, 이것을 소성한 후, 외부 전극을 인쇄 또는 전사하여 소성함으로써 제조된다. 이하, 제조 방법에 대해서 구체적으로 설명한다.

(1) 우선, 유전체층용 페이스트, 내부 전극용 페이스트, 외부 전극용 페이스트를 각각 제조한다.

유전체층용 페이스트를 제조할 때에는, 우선, 이것에 포함되는 유전체 자기 조성물 원료를 준비한다. 유전체 자기 조성물 원료에는, 주성분 원료와, 제1∼제4 등의 부성분 원료가 포함된다.

주성분 원료로서는, 조성식 {(Ca_1-xMe_x)O}_m·(Zr_1-yTi_y)O₂로 나타내어지는 원료가 이용된다. 이 주성분 원료는, 말하자면 고상법 외에, 소위 액상법에 의해 얻어지는 것이어도 된다. 고상법은, 예를 들면, SrCO₃, CaCO₃, TiO₂, ZrO₂를 출발 원료로서 이용하는 경우, 이들을 소정량 칭량(秤量)하여 혼합, 가소(假燒), 분쇄함으로써, 원료를 얻는 방법이다. 액상 합성법으로서는, 옥살산염법, 수열합성법, 졸겔법 등을 들 수 있다.

제1 부성분 원료로서는, V산화물 및/또는 소성후에 V산화물이 되는 화합물이 이용된다. 제2 부성분 원료로서는, Al산화물 및/또는 소성에 의해 Al산화물이 되는 화합물이 이용된다. 제3 부성분 원료로서는, Mn산화물 및/또는 소성에 의해 Mn산화물이 되는 화합물이 이용된다. 제4 부성분 원료로서는, SiO₂, BaO, CaO, SrO, MgO, Li₂O, B₂O₃, 및/또는 소성에 의해 이들의 산화물이 되는 화합물이 이용된다.

유전체 자기 조성물 원료의 제조 방법은, 본 발명에서는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 주성분 원료를 제조할 때에, 상기 출발 원료에 제1∼제4 등의 부성분 원료를 혼합시켜 두고, 고상법이나 액상법 등에 의해 주성분 원료를 제조하는 동시에 유전체 자기 조성물 원료를 얻는 것으로 해도 된다(전 첨가). 혹은, 일단, 주성분 원료를 고상법이나 액상법 등에 의해 제조한 후, 이 주성분 원료에 대해서 제1∼제4 등의 부성분 원료를 혼합시킴으로써, 유전체 자기 조성물 원료를 얻는 것으로 해도 된다(후 첨가).

이하, 고상법(예를 들면 가소법)에 의해 주성분 원료를 제조할 때에, 제1∼제4 부성분 원료를 혼합시켜 유전체 자기 조성물 원료를 얻는 방법(전 첨가)을 예로 채용하여 설명한다.

우선, 주성분 원료를 제조하기 위한 출발 원료(예를 들면 SrCO₃, CaCO₃, TiO₂, ZrO₂ 등)의 외에, 최종 조성에 대한 적어도 일부의 제1 부성분 원료(예를 들면 V₂O₅), 제2 부성분 원료(예를 들면 Al₂O₃), 제3 부성분 원료(예를 들면 MnCO₃) 및 제4 부성분 원료(예를 들면(Ba, Ca)_zSiO_2+z)를 소정량 칭량하여 혼합, 건조함으로써, 가소전 원료를 준비한다.

다음에, 준비된 가소전 분체를 가소한다. 가소 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 다음에 나타내는 조건으로 행하는 것이 바람직하다. 승온 속도는, 바람직하게는 50∼400℃/시간, 보다 바람직하게는 100∼300℃/시간이다. 유지 온도는, 1000∼1300℃가 바람직하다. 온도 유지 시간은, 바람직하게는 0.5∼6시간, 보다 바람직하게는 1∼3시간이다. 처리 분위기는, 공기 중, 질소 중 및 환원 분위기 중의 어느 것이라도 상관없다.

가소된 가소 완료 분말은, 알루미나 롤 등에 의해 조(粗) 분쇄된 후, 필요에 따라서, 나머지의 첨가물(제1∼제4 부성분 원료의 잔부도 포함한다)을 첨가하여, 최종 조성으로 한다. 그 후, 이 혼합 분말을, 필요에 따라서, 볼밀 등에 의해서 혼합하여, 건조함으로써, 본 발명의 조성을 갖는 유전체 자기 조성물 원료(분말)를 얻는다.

다음에, 이 유전체 자기 조성물 원료를 도료화하여, 유전체층용 페이스트를 조제한다. 유전체층용 페이스트는, 유전체 자기 조성물 원료와 유기 비히클을 혼련한 유기계의 도료이어도 되고, 수계(水系)의 도료이어도 된다.

유전체 자기 조성물 원료로서는, 상기한 산화물이나 그 혼합물, 복합 산화물을 이용할 수 있지만, 그 외에, 소성에 의해 상기한 산화물이나 복합 산화물이 되는 각종 화합물, 예를 들면, 탄산염, 옥살산염, 질산염, 수산화물, 유기 금속 화합물 등으로부터 적절히 선택하여, 혼합하여 이용할 수도 있다. 유전체 자기 조성물 원료 중의 각 화합물의 함유량은, 소성후에 상기한 유전체 자기 조성물의 조성이 되도록 결정하면 된다.

도료화하기 전의 상태에서, 유전체 자기 조성물 분말의 입경은, 통상, 평균 입경 0.1∼3㎛ 정도이다.

유기 비히클이란, 바인더를 유기용제 중에 용해한 것이다. 유기 비히클에 이용하는 바인더는 특별히 한정되지 않고, 에틸셀룰로오스, 폴리비닐부티랄 등의 통상의 각종 바인더로부터 적절히 선택하면 된다. 또, 이용하는 유기용제도 특별히 한정되지 않고, 인쇄법이나 시트법 등, 이용하는 방법에 따라서, 테르피네올, 부틸카비톨, 아세톤, 톨루엔 등의 각종 유기용제로부터 적절히 선택하면 된다.

유전체층용 페이스트를 수계의 도료로 하는 경우에는, 수용성의 바인더나 분산제 등을 물에 용해시킨 수계 비히클과, 유전체 원료를 혼련하면 된다. 수계 비히클에 이용하는 수용성 바인더는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 폴리비닐알코올, 셀룰로오스, 수용성 아크릴 수지 등을 이용하면 된다.

내부 전극용 페이스트는, 각종 도전성 금속이나 합금으로 이루어지는 도전 재료 혹은 소성후에 상술한 도전 재료가 되는 각종 산화물, 유기 금속 화합물, 레지네이트 등과, 상술한 유기 비히클을 혼련하여 조제된다.

외부 전극용 페이스트도, 이 내부 전극용 페이스트와 동일하게 하여 조제된다.

(2) 인쇄법을 이용하는 경우에는, 유전체층용 페이스트 및 내부 전극층용 페이스트를 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 기판 상에 적층 인쇄하여, 소정 형상으로 절단한 후 기판으로부터 박리함으로써 그린칩으로 한다. 이것에 대해서, 시트법을 이용하는 경우에는, 유전체층용 페이스트를 이용하여 그린시트를 형성하고, 이 위에 내부 전극층용 페이스트를 인쇄한 후 이들을 적층하여 그린칩으로 한다.

(3) 다음에, 이 그린칩을 탈바인더 처리 및 소성하여 칩 소결체로 한 후, 어닐링(열 처리)을 행하여 콘덴서 소성체를 얻는다.

(4) 다음에, 얻어진 콘덴서 소성체에, 예를 들면, 배럴 연마나 샌드블라스트에 의해 단면 연마를 행하고, 외부 전극용 페이스트를 인쇄 또는 전사하여 소성하여, 외부 전극(4)을 형성한다. 그리고, 필요에 따라서 외부 전극(4)의 표면에 도금 등에 의해 피복층(패드층)을 형성한다.

이와 같이 하여 제조된 본 실시형태의 세라믹 콘덴서(1)는, 납땜 등에 의해서 프린트 기판 상에 실장되어, 각종 전자 기기 등에 이용된다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명해 왔지만, 본 발명은 이러한 실시 형태에 조금도 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.

예를 들면, 상술한 실시 형태에서는, 본 발명에 따른 전자 부품으로서 적층 세라믹 콘덴서를 예시하였지만, 본 발명에 따른 전자 부품으로서는, 적층 세라믹 콘덴서에 한정되지 않고, 상기 조성의 유전체 자기 조성물로 구성되어 있는 유전체층을 갖는 것이면 어느 것이라도 좋다.

실시예

다음에, 본 발명의 실시 형태를 보다 구체화한 실시예를 들어, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이들의 실시예에만 한정되는 것이 아니다.

본 실시예에서는, 이하에 나타내는 순서로 적층 세라믹 콘덴서의 샘플을 제작하였다.

각 페이스트의 조제

우선, 각각 평균 입경 0.1∼1㎛의, 주성분 원료를 제조하기 위한 출발 원료(SrCO₃, CaCO₃, TiO₂, ZrO₂)와, 제1∼제4 부성분 원료를 준비하였다. 본 실시예에서는, MnO의 원료에는 탄산염(제3 부성분 : MnCO₃)을 이용하고, 다른 원료에는 산화물(제1 부성분 : V₂O₅, 제2 부성분 : Al₂O₃, 제4 부성분 : (Ba_0.6Ca_0.4)SiO₃(표에서는, BCG로 기재되어 있다))을 이용하였다. 또한, (Ba_0.6Ca_0.4)SiO₃는, BaCO₃, CaCO₃ 및 SiO₂를 볼밀에 의해 16시간 습식 혼합하여, 건조후, 1000∼1300℃로 공기중에서 소성하고, 또한, 볼밀에 의해 100시간 습식 분쇄함으로써 제조하였다.

다음에, 주성분 원료를 제조하기 위한 출발 원료와, 제1∼제4 부성분 원료를, 소성후의 조성이 각 표의 각 시료에 나타내는 배합비가 되도록 칭량하여 혼합하여, 건조함으로써, 가소전 분체를 준비하였다.

다음에, 이 가소전 분체를 가소하였다. 가소 조건은, 이하와 같았다. 승온 속도 : 300℃/시간, 유지 온도 : 1000∼1300℃, 온도 유지 시간 : 2시간, 분위기 : 공기 중.

다음에, 가소에 의해서 얻어진 재료를 알루미나 롤로 분쇄하여, 가소 완료 분체(유전체 자기 조성물 원료)를 얻었다.

다음에, 얻어진 유전체 자기 조성물 원료에, 아크릴수지, 아세트산에틸, 미네랄스피릿 및 아세톤을, 볼밀로 혼합하여 페이스트화하여, 유전체층용 페이스트를 얻었다.

평균 입경 0.1∼0.8㎛의 Ni 입자와, 유기 비히클과, 부틸카비톨을 3개 롤에 의해 혼련하여 페이스트화하여, 내부 전극층용 페이스트를 얻었다.

평균 입경 0.5㎛의 Cu 입자와, 유기 비히클과, 부틸카비톨을 혼련하여 페이스트화하여, 외부 전극용 페이스트를 얻었다.

그린칩의 제작

다음에, 상기 유전체층용 페이스트를 이용하여 PET 필름 상에, 두께 6㎛의 그린시트를 형성하고, 이 위에 내부 전극층용 페이스트를 인쇄한 후, PET 필름으로부터 그린시트를 박리하였다.

다음에, 이들의 그린시트와 보호용 그린시트(내부 전극층용 페이스트를 인쇄하지 않은 것)를 적층, 압착하여 그린칩을 얻었다. 내부 전극을 갖는 시트의 적층수는 10층으로 하였다.

이어서, 그린칩을 소정 사이즈로 절단하여, 탈바인더 처리, 소성 및 어닐링(열 처리)을 행하여, 적층 세라믹 소성체를 얻었다. 탈바인더 처리는, 승온 시간 15℃/시간, 유지 온도 280℃, 유지 시간 8시간, 공기 분위기의 조건으로 행하였다. 또, 소성은, 승온 속도 200℃/시간, 유지 온도 : 각 표 참조, 유지 시간 2시간, 냉각 속도 300℃/시간, 가습한 N₂+H₂ 혼합가스 분위기(산소 분압은 2×10^-7∼5×10^-4㎩ 내로 조절)의 조건으로 행하였다. 어닐링은, 유지 온도 900℃, 온도 유지 시간 9시간, 냉각 속도 300℃/시간, 가습한 N₂ 가스 분위기(산소 분압은 3.54∼10^-2㎩)의 조건으로 행하였다.

또한, 소성 및 어닐링시의 분위기 가스의 가습에는, 습윤제를 이용하였다.

다음에, 적층 세라믹 소성체의 단면을 샌드블라스트로 연마한 후, 외부 전극용 페이스트를 단면에 전사하여, 가습한 N₂+H₂ 분위기 중에서, 800℃로 10분간 소성하여 외부 전극을 형성하고, 도 1에 도시하는 구성의 적층 세라믹 콘덴서의 샘플을 얻었다. 이와 같이 하여 얻어진 각 샘플의 사이즈는, 3.2㎜×1.6㎜×0.6㎜이고, 내부 전극층에 끼워진 유전체층의 수는 10, 그 두께는 4㎛이고, 내부 전극층의 두께는 2㎛이었다. 각 샘플에 대해서 하기 특성의 평가를 행하였다.

비유전율(ε), 유전 손실(tanδ), 비저항(ρ)

콘덴서의 샘플에 대해서, 기준 온도 25℃에서 디지털 LCR 미터(YHP사제 4274A)로, 주파수 1㎒, 입력 신호 레벨(측정 전압) 1Vrms의 조건 하에서, 정전 용량 및 유전 손실(tanδ, 단위는 %)을 측정하였다. tanδ에 대해서는, 어느 시료나 0.01% 이하로 양호한 값을 나타내었다. 그리고, 얻어진 정전 용량과, 콘덴서 샘플의 전극 치수 및 전극간 거리로부터, 비유전율(ε, 단위는 없음)을 산출하였다. 비저항(ρ, 단위는 Ω㎝)은, 절연저항계(어드밴티스트사제 R8340A)를 이용하여, 25℃에서 DC50V를, 콘덴서 샘플에 60초간 인가한 후에 측정하였다. 결과를 각 표에 나타낸다. 평가로서, 비유전율(ε)은 소형 및 고유전율의 콘덴서를 작성하기 위해서 중요한 특성이고, 45 이상을 양호로 하였다. 비저항(ρ)은 1×10¹²Ω㎝ 이상을 양호로 하였다. 이들 비유전율(ε), 비저항(ρ) 및 유전 손실(tanδ)의 각각의 값은, 콘덴서의 시료수 n=10개를 이용하여 측정한 값의 평균값으로부터 구하였다.

고온 부하 수명(절연 저항의 가속 수명)

콘덴서의 샘플에 대해서, 200℃에서 50V/㎛의 직류 전압의 인가 상태로 유지함으로써, 고온 부하 수명을 측정하였다. 이 고온 부하 수명은, 10개의 콘덴서 샘플에 대해서 행하여, 평균 수명 시간을 측정함으로써 평가하였다. 결과를 각 표에 나타낸다. 평가로서, 고온 부하 수명은, 유전체층을 박층화할 때에 특히 중요해 지는 것으로, 인가 개시로부터 저항이 1자리수 떨어질 때까지의 시간을 수명으로 정의하였다.

정전 용량의 온도 특성

콘덴서의 샘플에 대해서, LCR 미터를 이용하여, 1㎑, 1V의 전압에서의 정전 용량을 측정하여, 기준 온도를 20℃로 하였을 때, 20∼85℃의 온도 범위 내에서, 온도에 대한 정전 용량 변화율이 -3000∼0ppm/℃를 만족하는 지의 여부를 조사하였다. 그 결과, 어느 샘플이나 만족할 수 있는 것이 확인되었다.

또한, 각 표에 나타내어지는 제1 부성분의 첨가량은 V₂O₅ 환산의 몰수이고, 제2 부성분의 첨가량은 Al₂O₃ 환산의 몰수이고, 제3 부성분 및 제4 부성분의 몰수는 산화물 환산에서의 몰수이며, 또한 모두 주성분의 최종 조성 100몰에 대한 몰수이다. 또 각 표의 비저항(ρ)의 값에서, 「mE+n」은「m×10⁺ⁿ」을 의미한다.

표 1

표 2

표 3

표 1에 나타내는 바와 같이, 우선, 제1 부성분 및 제2 부성분의 첨가의 유무에 관해서, 제1 부성분이 포함되어 있지 않으면(시료번호 1∼2), 고온 부하 수명 시간이 극단적으로 짧다. 제1 부성분이 포함되어 있어도, 제2 부성분이 포함되어 있지 않으면(시료 번호 3), 고온 부하 수명 시간이 충분하지 않다. 이것에 대해서, 제1 부성분 및 제2 부성분의 쌍방이 포함되어 있으면(시료 번호 4∼20), 고온 부하 수명 시간이 업한다.

또, 제1 부성분 및 제2 부성분의 첨가량에 관해서, V의 첨가량이 너무 많거나(시료 번호 18), Al의 첨가량이 너무 많으면(시료 번호 11), 제2 부성분은 포함되어 있지 않지만, 제1 부성분이 적량 포함되어 있는 시료 번호 3과 비교하여, 고온 부하 수명 시간의 대폭적인 업이 도모되지 않는다(시료 번호 3과 비교하여 1.5∼2.5배 정도밖에 업하지 않는다). 또한, Al의 첨가량이 너무 많으면(시료 번호 11), ε가 저하하는 경향이 있다. 이것에 대해서, 제1 부성분 및 제2 부성분을 소정량 함유하는 시료 번호 4∼10, 12∼17, 19∼20에서는, 충분한 비유전율과 비저항을 갖고, 환원 분위기에서의 소성에서도 환원되지 않으며, 또 내부 전극 재료인 니켈도 산화하지 않고, 내환원성이 우수한 유전체 자기 조성물이 얻어지고 있는 것을 확인할 수 있었다. 또, 용량 온도 특성이 우수하고, 또한 저주파 유전 분산을 억제할 수 있으며(100㎐, 160℃에서의 tanδ가 작다), 고온 부하 수명(절연 저항의 가속 수명)을 대폭으로 업할 수 있는 것(예를 들면, 시료 번호 3과 비교하여 약 4배 이상)을 확인할 수 있었다.

표 2에 나타내는 바와 같이, 제3 부성분 및 제4 부성분의 함유의 유무에 관해서, 제3 부성분이 포함되어 있지 않으면(시료 번호 21), 고온 부하 수명 시간의 업율이 적어지는 경향이 있다. 제3 부성분이 포함되어 있어도, 제4 부성분이 포함되어 있지 않으면(시료 번호 27), 1400℃라는 고온에서 소성하지 않으면, 고온 부하 수명 시간을 충분히 업시킬 수 없는 경향이 있다. 제3 부성분도 제4 부성분도 포함되어 있지 않으면(시료 번호 33), 고온 부하 수명 시간의 업율이 적어지는 경향이 있다. 그러나, 이들의 시료번호 21, 27, 33은 모두, 제1 부성분과 제2 부성분을 적량, 함유하고 있기 때문에, 표 1에 나타내는 시료번호 1∼3과 같이, 제1 부성분 및 제2 부성분의 적어도 하나가 포함되어 있지 않은 경우와 비교하여, 고온 부하 수명 시간이 향상하고 있다.

또, 제3 부성분 및 제4 부성분의 함유량에 관해서, Mn의 첨가량이 너무 많거나(시료번호 26), BCG의 함유량이 너무 많으면(시료번호 32), 고온 부하 수명 시간의 업율이 적어지는 경향이 있다. 이것에 대해서, 제3 부성분 및 제4 부성분을 소정량 함유하는 시료번호 22∼25, 28∼31에서는, 고온 부하 수명(절연 저항의 가속 수명)을 대폭으로 업할 수 있는 것(예를 들면, 시료 번호 26과 비교하여 2배 이상)을 확인할 수 있었다. 또한, BCG의 첨가량이 너무 많으면(시료번호 32), ε가 저하하는 경향이 있다.

표 3에 나타내는 바와 같이, 주성분의 기호 m, x 및 y를 변화시킨 경우에도, 고온 부하 수명(절연 저항의 가속 수명)을 대폭으로 업할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 특히, y가, 0.1≤y≤0.8의 범위에서, 고온 부하 수명 시간의 개선 효과가 높은 것을 확인할 수 있었다(시료번호 36∼41, 시료번호 15 참조).

본 발명에 의하면, 우수한 저주파 유전 특성을 가지면서, 절연 저항의 가속 수명이 보다 높아진 내환원성의 유전체 자기 조성물과, 이 유전체 자기 조성물을 포함하여, 신뢰성이 보다 높아진 칩 콘덴서 등의 전자 부품을 제공할 수 있다.

Claims

조성식 {(Ca_1-xMe_x)O}_m·(Zr_1-yTi_y)O₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 원소명을 나타내는 기호 Me가, Sr, Mg 및 Ba의 적어도 하나이고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 m, x 및 y가, 0.8≤m≤1.3, 0≤x≤1.00, 0≤y≤1.00의 관계에 있는 유전체 산화물을 포함하는 주성분과,

V산화물을 포함하는 제1 부성분과,

Al산화물을 포함하는 제2 부성분을 갖는 유전체 자기 조성물에 있어서,

상기 주성분 100몰에 대한 각 성분의 비율이,

제1 부성분 : 0몰<제1 부성분<7몰(단, V산화물을 V₂O₅로 환산한 값),

제2 부성분 : 0몰<제2 부성분<15몰(단, Al산화물을 Al₂O₃로 환산한 값),

인 유전체 자기 조성물.
제1항에 있어서, Mn산화물을 포함하는 제3 부성분을 갖고, 상기 주성분 100몰에 대한 상기 제3 부성분의 비율이, 산화물 중의 Mn 원소 환산으로, 0몰<제3 부성분<5몰인, 유전체 자기 조성물.
제2항에 있어서, SiO₂를 주성분으로 하여, MO(단, M은, Ba, Ca, Sr 및 Mg로부터 선택되는 적어도 1종의 원소), Li₂O 및 B₂O₃으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 제4 부성분을 갖고, 상기 주성분 100몰에 대한 상기 제4 부성분의 비율이, 산화물 환산으로, 0몰<제4 부성분<20몰인, 유전체 자기 조성물.
제2항에 있어서, 조성식 {(Ba_z, Ca_1-z)O}_vSiO₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 z 및 v가, 0≤z≤1 및 0.5≤v≤4.0의 관계에 있는 복합 산화물을 포함하는 제4 부성분을 갖고, 상기 주성분 100몰에 대한 상기 제4 부성분의 비율이, 산화물 환산으로, 0몰<제4 부성분<20몰인, 유전체 자기 조성물.
조성식 {(Ca_1-xMe_x)O}_m·(Zr_1-yTi_y)O₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 원소명을 나타내는 기호 Me가, Sr, Mg 및 Ba의 적어도 하나이고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 m, x 및 y가, 0.8≤m≤1.3, 0≤x≤1.00, 0≤y≤1.00의 관계에 있는 유전체 산화물을 포함하는 주성분과,

V산화물을 포함하는 제1 부성분과,

Al산화물을 포함하는 제2 부성분과,

Mn산화물을 포함하는 제3 부성분과,

조성식 {(Ba_z, Ca_1-z)O}_vSiO₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 z 및 v가, 0≤z≤1 및 0.5≤v≤4.0의 관계에 있는 복합 산화물을 포함하는 제4 부성분을 갖는 유전체 자기 조성물에 있어서,

상기 주성분 100몰에 대한 각 성분의 비율이,

제1 부성분 : 0몰<제1 부성분<7몰(단, V산화물을 V₂O₅로 환산한 값),

제2 부성분 : 0몰<제2 부성분<15몰(단, Al산화물을 A1₂O₃으로 환산한 값),

제3 부성분 : 0몰<제3 부성분<5몰(단, 산화물 중의 Mn 원소 환산의 값이다) ,

제4 부성분 : 0몰<제4 부성분<20몰(단, 복합 산화물 환산의 값이다),

인 유전체 자기 조성물.
유전체층을 갖는 전자 부품으로서,

상기 유전체층이, 유전체 자기 조성물로 구성되어 있고,

이 유전체 자기 조성물이,

조성식 {(Ca_1-xMe_x)O}_m·(Zr_1-yTi_y)O₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 원소명을 나타내는 기호 Me가, Sr, Mg 및 Ba의 적어도 하나이고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 m, x 및 y가, 0.8≤m≤1.3, 0≤x≤1.00, 0≤y≤1.00의 관계에 있는 유전체 산화물을 포함하는 주성분과,

V산화물을 포함하는 제1 부성분과,

Al산화물을 포함하는 제2 부성분과,

Mn산화물을 포함하는 제3 부성분과,

조성식 {(Ba_z, Ca_1-z)O}_vSiO₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 z 및 v가, 0≤z≤1 및 0.5≤v≤4.0의 관계에 있는 복합 산화물을 포함하는 제4 부성분을 갖고,

상기 주성분 100몰에 대한 각 성분의 비율이,

제1 부성분 : 0몰<제1 부성분<7몰(단, V산화물을 V₂O₅로 환산한 값),

제2 부성분 : 0몰<제2 부성분<15몰(단, Al산화물을 A1₂O₃으로 환산한 값),

제3 부성분 : 0몰<제3 부성분<5몰(단, 산화물 중의 Mn 원소 환산의 값이다) ,

제4 부성분 : 0몰<제4 부성분<20몰(단, 복합 산화물 환산의 값이다),

인 전자 부품.
유전체 자기 조성물로 구성되어 있는 유전체층과, 비금속을 주성분으로 하는 내부 전극층이 교대로 적층되어 있는 소자 본체를 갖는 적층 세라믹 콘덴서로서,

상기 유전체 자기 조성물이,

조성식 {(Ca_1-xSr_x)O}_m·(Zr_1-yTi_y)O₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 m, x 및 y가, 0.8≤m≤1.3, 0≤x≤1.00, 0.1≤y≤0.8의 관계에 있는 유전체 산화물을 포함하는 주성분과,

V산화물을 포함하는 제1 부성분과,

Al산화물을 포함하는 제2 부성분과,

Mn산화물을 포함하는 제3 부성분과,

조성식 {(Ba_z, Ca₁ _-z)O}_vSiO₂로 나타내어지고, 이 조성식 중의 조성 몰비를 나타내는 기호 z 및 v가, 0≤z≤1 및 0.5≤v≤4.0의 관계에 있는 복합 산화물을 포함하는 제4 부성분을 갖고,

상기 주성분 100몰에 대한 각 성분의 비율이,

제1 부성분 : 0몰<제1 부성분<7몰(단, V산화물을 V₂O₅로 환산한 값),

제2 부성분 : 0몰<제2 부성분<15몰(단, Al산화물을 A1₂O₃으로 환산한 값),

제3 부성분 : 0몰<제3 부성분<5몰(단, 산화물 중의 Mn 원소 환산의 값이다) ,

제4 부성분 : 0몰<제4 부성분<20몰(단, 복합 산화물 환산의 값이다),

인 적층 세라믹 콘덴서.