TWI233623B

TWI233623B - Dielectric ceramic composition and electronic component

Info

Publication number: TWI233623B
Application number: TW093103721A
Authority: TW
Inventors: Yasuo Watanabe; Wataru Takahara
Original assignee: Tdk Corp
Priority date: 2003-02-17
Filing date: 2004-02-17
Publication date: 2005-06-01
Also published as: US7265072B2; CN1774406A; TW200503014A; KR20050106439A; US20060234854A1; CN100371295C; JP4403705B2; WO2004071992A1; JP2004262680A; KR100673916B1

Description

1233623 五、發明說明（1) i發明所屬之技術領域】本發明係有關於作為例如積層陶瓷電容器之介電體層使用的介電體陶瓷組合物，以及將該介電體陶瓷組合物用作介電體層之電子元件。【先前技術】、2層陶瓷電容器係電子元件的一例子，備有用一定組 ^的"I體陶瓷組合物來構成的介電體層，及以各種金屬 Μ主成分2内部電極層複數交替積層的元件本體。這種積二，瓷電各器通常係在介電體陶瓷組合物構成的綠色板子導電銲錫膏，將複數張印刷著該導電銲錫膏之綠色反近j *將綠色板子與内部電極焙燒成一體來形成的。於内部電i之：：將J=易氧化金屬（例如錄或銅等）用方荦（爽昭二車電體陶竟組合物，提出了各種系'> 照例如專利文獻卜4)。率之介電特一種介電體陶瓷組合物，焙燒後的低頻物，來；ί:ί:ϊ縮短。因此，使用介電體陶竟組合電容器時，所得的接爲呦戈Φ ^ P電極之積層陶瓷向。戶斤传的積層肖竞電纟器之信賴性有了降的傾因此，為了延長具有優良的低頻率介體陶瓷組合物的絕緣電阻之加速壽命，並且楹#、、’丨電電體陶瓷組合物之積層陶瓷電容器的信賴性2 = I1H, 第6頁 2030-6161-PF(N2)；Tcshiau.ptd 1233623 五、發明說明（2) 種方案（參照專利文獻5〜7)。專利文獻5中，公開著以（Cai xSrx)m · (Zri yTiy)〇3所示的組成之介電體氧化物（其中08、〇$x$ 1·00、0.8$y$i.〇〇)為主成分，相對於該主成分 lOOmol，含有〇· 〇1 〜2mol(其中不包括2m〇l)的V、Nb、W、 Ta及Mo的至少1種氧化物、未滿4m〇1之如仏、i5m〇i未滿的 Si〇2、M0(其中Μ係從Ba、Ca、Sr及Mg中選出的至少1種元素）、LhO及BgO3的至少1種之介電體陶瓷組合物。

專利文獻6中，公開著以（Cai xSrx)m · (Zri yTiy)〇3所示組成之介電體氧化物（其中〇75$mSl.〇4、0SxS1.00、 OSySO.l)為主成分，相對於該主成分1〇〇m〇1，含有Nb、 W、Ta及Mo的至少1種氧化物（v除外）、〇1〜1〇[11〇1之^2〇3、 0.2〜5mol之Μη02、0·5〜15mol之Ba、Ca、Si與〇的複合氧化物之介電體陶瓷組合物。專利文獻7中，公開著以（Cai_xSrx)m ·(Ζγι^τ^〇3所示的組成之介電體氧化物（其中0.8$1„$1.3、（）^}(^1.〇()、〇· 1 Sy $0· 8)為主成分，相對於該主成分1〇〇m〇1，含有〇. (Π〜5mol的V、Nb、W、Ta及M〇的至少1種氧化物、〇· 2〜5m〇. 之Mn02、15mol 未滿的Si〇2、M0(其中μ 係從Ba、Ca ·

::=至少1種元素)、Ll2〇及β2〇3的至少1種之介‘體陶但是，即使係這些專利文獻5〜7所述的介合物，也可能無法得到足夠的絕緣電阻之加人兔、、’ 果，在製造使用了該介電體陶£組合物、.==。其結 1爾有鎳等的易氧

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化金屬製内部電極之積層陶瓷電容器時陶莞電容器之信賴性。無法改善該積層專利文獻1特開平丨1 —224827號公報專利文獻2特開昭6 〇 _ 1 3 1 7 0 8號公報專利文獻3特公昭57 —3708 1號公報專利文獻4特開昭63 —；126117號公報專利文獻5特開2 0 0 2-80 278號公報專利文獻6特許第2997236號公報專利文獻7W002/00568號公報【發明内容】本發明的目的係提供具有優良的低頻率介電特性、絕、=電阻的加速壽命更進一步提高的、耐還原性介電體陶瓷組合物，以及含有該介電體陶瓷組合物、信賴性更高的晶片電谷器荨的電子元件。 ° 為了達成上述目的，根據本發明，提供一種介電體陶瓷絚合物，備有用組卷式KCahMeJO}, · (ZivyTiy)〇2m* 的、代表該組成式中的元素名之記號M e係S r、M g及B a的至少1種，代表該組成式中的組成的1比之記號m、χ及y係〇. 8 、0$χ$1·〇〇1.00的關係之介電體氧化物為主成分、含有V氧化物之第1副成分、含有A1氧化物之第2副成分’其特徵在於，相對於前述主成分1 〇〇 m 01的各成分比例，第1副成分：〇m〇 1 <第1副成分<7mo 1 (將V氧化物換算成V2 05之值），第2副成分：〇mo 1〈第2副成分< 1 5mo 1 (將

2030-6161-PF(N2);Tcshiau.ptd 第8頁五、發明說明（4) A1氧化物換算成A!2%之值）。成八1好，〗備！，氧化物之第3副成分，相對於前述主辛:筲二)\述第3副成分的比例’用氧化物中的Mn元素換异，〇m〇l<第3副成分<5m〇1。

Ca S最Γμ備Ϊ Μ1%為主成分’含有從M()(其中M係從Ba、 ϋϊ/ 的i少1種元素）、Ll2〇及㈣3中選出的至 i H ”成式UBaZ ’ DM102所示的、代 <Γη成式人中成㈤比的記號z 係0 & d及0. 5 “ Γηη _/、乳化物）的第4副成分，相對於前述主成分 4 -Π之刖述第4副成分的比例，用氧化物換算係〇m〇 1〈第 4副成分<20mol。根據本發明，提供一種介電體陶瓷組合物，備有用組、f Cai-xMex)〇}m · (ZivyTiy )02所示的、代表該組成式中的元素名之記號Me係Sr、Mg及Ba的至少1種，代表該組成式中的組成mol比之記號m、χ及乂係〇· 8 ^ g· 3、〇 & ^ 1· 〇〇、0 Sy $1. 00的關係之介電體氧化物為主成分、含有 V氧化物之第1副成分、含有A丨氧化物之第2副成分、含有 Μη氧化物之第3副成分、用{(Baz，Cai z)〇}vSi〇2所示的、代表该組成式中的組成m〇l比的記號z及v係〇 ^ 1及〇· 5 S v 5 4 · 0的複合氧化物之第4副成分，其特徵在於，相對於前述主成分1 00mo 1的各成分比例，第1副成分· 〇m〇 1〈第1副成分<7mol(將V氧化物換算成V2〇5之值），第2副成分：

Omol〈第2副成分<l5m〇l(將A1氧化物換算成ai2〇3之值），第 3副成分·· Omol〈第3副成分<5mol (氧化物中的Μη元素換算 2030-6161-PF(N2);Tcshiau.ptd 第9頁 1233623 五、發明說明（5) 之值），第4副成分物換算之值）。〇m〇i< 第4 副成分<20mol (用複合氣化本發明的電子元件，口定，例如備有介電體層的=備=介電體層，I特別的限的元件本體之積層陶究f =，各有内部電極層交替積層係由上述的任何一種八合裔本發明中，前述介電體声電極層所含有的導電二 >，、體陶瓷組合物來構成。作為内^ 鎳合金等的易氧化金屬。’無特別的限定，可以列舉出鎳或發明的作用為了以下進一 dim:原電體陶竟組合物的說明中也簡稱為「.i'速，广(=高溫負荷壽命結果，發現對於特定：=，體了二真：研究討論。其燒結助劑)之介：體外含有如氧化物與特定的 ..^ . 了以大巾田度地棱兩哥命。關於壽命提高效 =原=並不明確，但認為係v氧化物與Α1|ι化物的相辅文相土效果二且，可以大幅提高電子元件（使用了這樣的^ 命得到大幅度改善的介電體陶瓷組合物）之信賴性。即疋’本發明的介電體陶瓷組合物中，對於含有特定組成的介電體氧化物之主成分，藉由以一定量含有至少特定的第1副成分及第2副成分，焙燒時的耐還原性優良、焙燒後有良好的容量溫度特性的同時，與未以適量含有第1

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=刀及苐2副成分兩者的情形相比，可以抑制 (例如Μ。。。、1，時的介電損失），且可以大幅产地改善絕緣電阻的加速壽命（高溫負荷壽命）。田度 „的晶片電容器等的電子元件中，由發明的介電體陶瓷組合物（最好係百由本述介電體陶瓷組合物）槿忐沾人、 " ’製乂的前司无、、且口物）構成的介電體層，具冑良好的容| ::”性，且抑制低頻率的介電分散，改里速哥命（南溫負荷壽命），其結果 =加信賴性。八化度従同了電子7L件的可以列舉出陶瓷電容其他表面貫敦（SMD) 作為電子元件，無特別的限定器、積層陶瓷電容器、晶片變阻器晶片型電子元件。【實施方式】積二：：ί圖面所示的實施形態來說明本發明。積層陶瓷電容器器1備如有第由示，本發明的一實施形態之積層陶瓷電〜 ° 有^由；I電體層2與内部電極層3交替地複電夺成的電容器元件太辦ΐη 積層而構签“加=本體電容器元件本體10的兩端而者與内部電柄風ν 』Μ面形# 層3(在疋件本體10内部呈交替排列）八成電極4。電容器元件本體1 〇之形狀益牡導限制，但诵舍# e + …、特別 σ i π Μ 係長方體。且，對其尺寸也無特別的HP的只要根據用途撰摆、态火Α 〜的限定，迂k擇適虽的尺寸即可，但通常係 (〇·4 〜5·6_)χ(〇.2 〜左右。

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的2個内面部上極層3的各端面交替地露出於與電容器本體ι〇表Λ來Λ層。一對外部電極4形成於電端面相連接，來構』電列的内部電極層3之露出 ^電體層2含有本發明的介電體陶£組合物。發明的介電體陶瓷組合物至少備有用組成式含t(zfi_yTiy)〇2所示的介電體氧化物為主成分、這B#，之^1副成分、含有A1氧化物之第2副成分。 ;:氧之里即使稍微偏離上述式的化學量論組成也 J Μ 。上述式中，〇$χ$1〇〇。乂代表記號Me(其中，係厂、Mg及Ba中的至少！種。且最好係肚）之原子數。通過改變X即記號Me/Ca比，可能任意地移動結晶之相轉變點。因此，可以任意地控制容量溫度係數或電容率。本發明中Ca 與記號Me之比例係任意的，也可以只含有其中一種。上述式中’OSySl.OO、較好的係0$y$0.8，更理想的係0· 1 $〇. 8。y代表Ti原子數，藉由用比Ti〇2更難還原的Zr〇2來置換，其耐還原性有進一步增加的傾向。上述式中，m係〇 · 8 $ m - 1 · 3，最好係0 · 9 7 0 $ m $ 1 · 0 3。藉由使m在〇·8以上，可以防止對於在還原周圍氣體下的培燒產生半導體化，藉由使m在1 · 3以下，不用昇高焙燒溫度也可以得到精緻的燒結體。本發明的介電體陶瓷組合物與以往的介電體陶究組合物之不同點，係y最好在〇· 1 $〇· 8的範圍，至少以一定

1233623 五、發明說明（8) =二加含有釩氧化物的第i副成分、與含有U氧化物的第2 ^备^。、藉由至少含有一定量的第1副成分及第2副成分， γ ^成主成分的y在範圍〇 ·丨$ y ^ 〇 · 8的介電特性之惡处就爿b夠完成低溫焙燒，即使將介電體層薄層化時，也 =幅度提高壽命，進而可以大幅度地提高作為電容器的 1吕賴性。第1副成分起著提高高溫負荷壽命的作用。第2副成分有降低焙燒溫度且提昇高溫負荷壽命的作用。較好成=5於主成分1〇〇m〇1的比例，用W換算，、係Omol〈第1田ij成分<7m〇1，更理想的係〇· 〇im〇i ‘第田成分$5m〇l。第2副成分相對於主成分1〇〇m〇i的比例，丨2〇3換算，較好的係0[11〇1<第2副成分<i5m〇i，更理想的】八^ ί第2八副成* ^1〇m〇1。藉由含有一定4的第1副刀第2副成分，不會造成主成分的y在範圍〇.丨-❻ 8的介電特性之惡&，就能夠完成低温焙㉟；-. 體層薄層化時，也能大幅度提高壽命，進而史將，1電古作為電容器的信賴性。乂大巾田挺间而且，也可以將第1副成分所含的V氧化物的— ，用Nb或Ta等的第5族元素之氧化物、或cr、M w 刀元素之氧化物來置換。 W的第“矢 .本發明的介電體陶竟組合物中，最好另外添加含有Mn 氧化物的第3副成分。該第3副成分具有促進燒纟士、盖主命之效果’且在將介電體層2薄層化至例如4 ？ D舞有降低初期絕緣電阻的不良率之效果。工 B'

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1233623 五、發明說明（9) +力苐3田彳成分時，该第3副成分相對於前述主八 1〇〇m〇1〃的比例，用氧化物中的Μη元素換算，較好的係刀 Omol〈第3副成分<5m〇1，更理想的係〇1[11〇1$第3 < 4-1 , ，第3副成分的添加量在°m〇1〈第3副成分<5m〇1 :量越多，有助於提高壽命，且能夠降低初 :IR不良率之發生’添加量越少，可以減小容量化率〇本發明的介電體陶竟組合物中，最好另外添加以為主成分，含有從M0(其中M係從Ba、Ca、Sr及社中選出的至f 1種το素）、LiJ及BA中選出的至少丨種之第4副成分。 «亥第4田彳成为主要作為燒結輔助劑起作用，也有改善將介電體層2薄層化時的初期絕緣電阻（IR)的不良率之二果。最好前述第4副成分含有用組成式{(Β&ζ，h )〇} 所示的複合氧化物（以下也稱作BCG)。複合氧化物z{(BVa ，

Ca^dOhSiO2由於熔點低，對主成分的反應性良好。第4副成分的更理想形態之組成式’Caiz)G}vSi()2中，代表该組成式中組成mol比的符號¥係〇. 5 $4. 〇，最好係〇· 5 S v S 2 · 0 。右* v 太小’即 s i π 之 -t . 〇2過夕會與主成分發生反應而使"電體特性惡化。另—方面’ ^太大，溶點會升高而惡化燒結性。且代表以與。的組成m〇1比之符號z係任意的 (0 Sz S1) ’也可以只含有其中一種（Ba或⑷ 0· 3 Sz $0· 7。添加第4副成分時該第4副成分相對於主成分1〇〇mol

1233623 五、發明說明（10) 的比例，用氧化物（複合氧化物）來換第4副成分<20mol，更理想的係lm〇1^4副】=m〇1< 15mol。藉由添加少量的第4副成分’有降低 ς 生之效果，藉由使添加量未滿2〇m〇i以心率的下降並能確保足夠的容量。』乂抑制電谷本發明的介電體陶瓷組合物中， R的氧化物（#中_ 也了:另外添加含有

Eu，、Tb、Dy、Ho、E :二、Nd、Pm，、為第5副成分。 m Lu的至少1種元素）作介電體層2的積層數或厚度等各條用途來適當地決定。且，俜 x目的或子)與粒界相構成的。介電辦=2上由曰曰粒(介電體粒明中無特別的限定，但最、Ba粒之平均粒徑在本發的粒界相通常指的是構：電體材右。介電體層2 質之氧化物，★者另編部電極材料的材中混入的雜質的材質之氧杰^乳化物、亦或是步驟質來構成。、物為成为，通常由玻璃或玻璃對内部電極層3所含的導合金使r:i化金屬最好係鎳或錄合金鎳或錦合金中，ΐΐ=η有量，在95重量%以上。且錄各種微量成分‘屏重里以下的磷、鐵、鎂等的卩電極層的厚度可以根據用途來適當地第15頁 2030-6161.PF(N2)；Tcshiau.ptd 五、發明說明（11) 決定，但通常為〇.3〜3 _，0 5〜2 對外部電極4所含的導電材盔工右則更理想。用銅或銅合金、或者錄或錦人才金等特別的限制，但最好使 -把合金等。且，本實施形V中V用廉= 者的合金。外部電極的厚度可以根彳貝的鎳、銅或^兩但通常最好係5〜5 0 // m。途來適當地決定’ 積層陶瓷電容器之製造方法 1，Λ用使本用發了明:/Λ體陶i组合物之積層陶竞電容器月將此火口燒後’將外部雷極Hp jgi丨十、—# Α 以下具體地說明製造方』Ρ刷或硬寫並培燒來製造。锡-(1)Λ先二別田製，介電體層用鮮錫膏、内部電極用銲錫賞、外部電極用銲錫膏。製=介電體層用銲錫膏時，首先準備其中所含有的介電體瓷裔組合物原料。介電體瓷器組合物分原料、第1〜第4等的副成分原料。令风作為主成分原料，使用組成式· (ZivyTiy)〇2所代表的原料。該主成分原料可以使用固相法或液相法來得到。固相法在使用例如SrC〇3、CaC〇3、Ti%、 Zr〇2為出發原料時，以一定量將這些稱量並混合，藉由鍛燒、粉碎來得到原料之方法。液相合成法可以列舉出草酸鹽法、水熱合成法、溶膠凝膠法等。第1副成分原料使用V氧化物及/或焙燒後能轉變成V氧化物的化合物。第2副成分原料使用A1氧化物及/或通過焙第16頁 2030-6161-PF(N2);Tcshiau.ptd 1233623 五、發明說明（12) ^ ^轉變成A 1氧化物的化合物。第3副成分原料使用氧 =物及/或通過焙燒能轉變成Mn氧化物的化合物。第4副成 ^ 料使用Si〇2、Ba0、Ca0、Sr〇、Mg〇、Li2〇、b2〇3、及/ 或通過焙燒能轉變成這些氧化物之化合物。對於介電體陶瓷組合物原料的製造方法，本發明中無 % # ϋ限^、。例如，製造主成分原料時，將第卜第4等的相法^ ί ^此合於前述出發原料’可以在藉由固相法或液料/& 1主成分原料的同時，得到介電體陶瓷組合物原 Γ料：丄。/戈者’可以用固相法或液相法等製造主成分成分原料混合第1〜第4等的副成分原料， &樣來传到介電體陶莞組合物原料（後添加）。料^用Λ由㈣目法（例如鍛燒法）製造主成分原物# 田成刀原料混合來得到介電體陶瓷組合物原枓c則添加）為例加以說明。首先’將製造主成分用粗田

CaC03、Ti〇2、Zr〇 ^ It4 用的出發原料（例如SrC〇3、少一邻八0 相對於最終組成，以一定量稱量至二“)第丄Λ原料（例如从）、第2副成分原料（例 ΧβΖ ea) f科（例如MnC〇3)及第4副成分原料（Μ 料 )zSl〇2+z) ’加以混合’通過乾燥來準備锻燒前原的限制，作的鍛燒前粉體鍛燒。鍛燒條件無特別 Γ ΐ好=1'下述條件。昇溫速度為5。〜_ 口小

時，更好的係1 〇〇〜3 〇〇 / J、拄 f J °Γ 〇 - Ρ ^ i± . j 寺。保持溫度在 1 0 0 0 〜1300 C㈣度保持時物·5〜6小時，更理想的係卜3小時。處

I233623 五、發明說明（13) 理周圍氣體可以係空氣中、f夯何—種。中及還原周圍氣題中的任經過鍛燒的鍛燒完粉末，用廣後，根攄需要，六Λ千丨从& 乳化紹滾筒進行如，很艨而要添加剩餘的添加物（丁叔粉碎 =的殘留部分）’作成最終成：括第1〜第4到成寺將該此合粉末混合、乾燥，而要，用球之介電體陶究組合物原料（粉末）。、幻八有本發吗的組成接著，將該介電體陶瓷組合物 :體層用銲錫膏。介電體層用銲來調製介合物原料與有機載色劑相混合的有^ ^二係μ電體陶莞組水系的塗料。有祛糸的塗料，也可以係介電體陶瓷組合物原料可以 — J、複合氧化物，以及通過焙燒：Τ化物或其混合 :氧化物的各種化合物，從例如碳酸酿成巧氧化物或複 :、氫氧化物、有機金屬化合物中適：^鹽、端酸使用。介電體陶瓷組合物原料中 ^擇，加以混合來要在焙燒後能轉變成上述介電 1物的含有量，只來決定即可。陶是組合物之組成，這樣、塗料化之前的狀態下，介電體陶咨, 通常係平均粒徑0 · i〜3 # m左右。、、且合物粉末之粒徑有機載色劑指的是將粘合劑載色劑所使用的粘合劑無特別的限定，、，機溶劑中。有機素、縮丁醛樹脂等的通常的各種^ =甸可以從乙基纖維且，所使用的有機溶劑無特別限制:=中適當地選出。 ——_ ’ 乂據利用的方法（印

第18頁 2030-6161-PF(N2);Tcshiau.ptd 1233623 五、發明說明（14) 刷法或膜片法），從帖品醇、2 一叔丁基一 4 — 叔丁基-4-甲氧基苯齡之混合物、丙_、基本盼與3-機溶劑中適當地選擇出。專的各種有以水系的塗料作為介電體層用銲錫膏時，水溶性枯合劑或分散劑等溶解於水而得)與： =合即可。水系載色劑中使用的水溶性枯/ 但可使用例如聚乙稀醇、纖維素、水溶么脂内部電極用銲錫膏係將各種導電性金屬人導電材料或焙燒後可轉變成上述導電材料的各^ ^的 =金屬化合物、樹脂化物等，與上述有機載色=來外部電極用銲錫膏與該内部電極用銲錫膏同樣地製。，口周 (2) 使用印刷法時，將介電體層用銲錫膏及内部電極用銲錫膏在聚對苯二甲酸乙二醇酯等的基板上積層印刷，切成一定形狀後，通過將其從基板剝離來得到綠1晶片。與此相對，利用膜片法時，使用介電體層用銲錫膏^成綠色板子，其上將内部電極用銲錫膏印刷後，將這些積層开^ 成綠色晶片。、 ^ (3) 接著，對綠色晶片實施脫粘合劑處理及將其培燒成晶片燒結體後，實施退火（熱處理）來得到電容器户體。 …％ (4)然後，通過例如微粉研磨或喷砂處理對所得的電

五、發明說明（15) $:培燒體實施端面研磨，將外部寫並焙燒，來形成外部電極4 用麵錫貧印刷或複面用電鍍等來形成覆蓋層（緩衝填而。要對外部電極4的表通過錫焊焊接等將這樣製造器】安裝於印刷基板上，可以適用於各之，電容以上說明了本發明的實施形態，作本/明儀/。樣的實施形態，只要在不脫離本發明：旨‘2:限於這在各種實施形態下實施。）軌圍内’可以例如，上述實施形態中，作為本發明說明了積層陶瓷電容器，但本發 $ :兀件舉例物構成的介電體層即可述組成的介電體陶竟組合實施例接著，舉出更具體化的實施例，對本發明的實施形能進行更詳細的說明，但本發明並不限於這樣的實施例。〜、本K施例中，用以下的順序來製作積層陶究電容器樣品。各銲錫膏的調製首先’分別準備平均粒徑0 · 1〜1从m的、用於製造主成为原料的出發原料（SrC03、CaC03、Ti02、Zr02)與第1〜第4 副成分原料。本實施例中，Μ η 0的原料使用碳酸鹽（第3副成分：MnC〇3)，其他原料使用氧化物（第1副成分：n、第 2副成分：Α12〇3、第4副成分（Ba().6CaQ.4)Si03(表中記載為 BCG))。且（BauCao.JSiOs 係用球磨機將BaC03 CaC03&Si02 2030-6161-PF(N2);Tcshiau.ptd 第20頁 1233623 五、發明說明（16) 濕式混合16小時，乾燥後在〗〇〇〇〜〗 3〇(pc的空然後再用球磨機濕式粉碎1 〇〇小時來製造的。心然後，將用於製造主成分原料的出發原料、第卜副成分原料稱量並混合，使培燒後之組成 =4 所示之配合比例，通過乾燥來準備锻燒前粉體矛勺各喊料接者，將該鍛燒前粉體鍛燒。鍛燒條件如度：30(TC/小時、保持溫度：1〇〇〇〜13〇〇t：汁持皿速間：2小時、周圍氣體：空氣中。又保持時經：鍛燒所得的材料用氧化完的粉體（介電體陶竟組合物原料）。仟到鎩燒接著’用球磨機對所得的介 Μ 丙稀酸樹脂、醋酸乙隨、石油溶劑及丙ί混到介電體層用銲錫膏。口並水化’付用3個滾筒將平均粒秤色劑與二甘醇一丁醚混二..的鎳粒子、有機載錫膏。進仃水化，得到内部電極層用銲 # m的鋼粒子、有得到外部電極層將平均粒徑〇. 5 丁醚混合進行漿化綠色晶片的製作機載色劑與二甘醇一用銲錫膏。層用銲錫膏在PET薄膜上形成印刷内部電極層用銲錫膏後與保護用綠色板子（未印刷内壓塗來得到綠色晶片。具有接著，使用上述介電體厚度6//m的綠色板子，其上將綠色板子從PET薄膜剝離。然後，將這些綠色板子部電極層用銲錫膏的）積層、

1233623 五、發明說明（17) 内邛電極的膜片之積層數為〗〇層。其後’將綠色晶片切成一、理、焙燒及退火處理(熱處積声：：脫粘合劑處枯合劑處理係在昇溫速度）付/積層陶u燒體。脫持時間8小時，^两円小夺，保持溫度28〇 t，伴 J才二观周圍氣體的條件下進行。曰，也β保在幵士溫速度200 t/小時，保持溫度：參^燒係體度3〇〇t/小時，加濕的氮氣+氫氣 ;速==:溫度:_，溫度保持 i:於！ί及退火時周圍氣體的加濕使用了加… 外部iD砂處理研磨積層陶竟培燒體的端面後：將 :圍錫膏複寫至端面上，在加濕的氮氣+氫氣的 :第1、圖-所’於800 c培燒10分鐘來形成外部電極，得到樣品之尺寸：成2的=陶竟電容器之樣品。這樣所得的電體芦數H rm 6mra,爽在内部電極層的介 «為〇，其厚度為4 //in，内部電極層的厚度為 m。對各樣品進行下述特性的評價。度為^ 電容率（e)、介電損失（tan5)、電阻率（p) LCIK^ ^容器的樣品，在基準溫度25°C ’使用數位輸二ί ΐ!、隹第14行)(YHP社製4274A)，在頻率而2， I介ίίΐ二（測量電<1壓）1化1113的條件下，測量靜電容量貝 a n d、單位％)。關於t a η 5 ，無論何種試料第22頁 2030-6161-PF(N2)；Tcshia7^7 1233623

均顯不0.01%以下之良好值。且從所得的靜電容量、電容器樣品的電極尺寸及電極間距離，算出電容率（ε 、益單位）。電阻率（Ρ、單位Qcm)係用絕緣電阻計（阿多巴測試公司製Rj340j)，在25 t：對電容器樣品施加6〇秒的⑽^後進行測篁。I。果如各表所示。作為評價，f容率“系用於製作小型：、冑電容率的電容器之重要特性，最好在仏以上。電阻率P最好在lxl(F Qcm以上。這些電容率£、電阻率1介電損失““的各值，係從試料數η = ι〇個電容器的測量值之平均值來求得的。

高溫負荷壽命（絕緣電阻之加速壽命）對於電^器的樣品，藉由保持在2〇〇它、5〇v/ ^的直机電C之狀恶下’測量其高溫負荷壽命。#高溫負荷壽命係對於1 0個電容器樣品進行的，通過測量平均壽命時間來加以評價。結果如各表所示。作為評價，冑溫負荷壽命係在將介電體層薄層化時特別重要的，《義為從施加開始至電阻降低一位數為止的時間。靜電容量的溫度特性

對電容器樣品，使用LCR計，測量1kHz、IV的電壓下的靜電容量，&準溫度為2〇。。時，在2〇〜85。。的溫度範圍内’調查靜電容量對於溫度的變化率是否滿足 30 0 0 Oppm/ C。其結果，確認任何一種樣品均能夠滿足0 而且如各表所示的第1副成分的添加量係用V2 〇5換算的mol數’第2副成分的添加量係Al2〇3換算的^數，第3副

1233623 五、發明說明（19) 成分及第4副成分的mo 1數係用氧化物換算的mo 1數，且分另1J為相對於主成分的最終組成1 0 0 m ο 1的m ο 1數。各表的電阻率（p )的值中，「m E + η」意思是「m χ 1 0+η」。試料號碼第1副成穷 mol 第2副成穷 mol 焙燒滥度 °c 電阻率 Ω cm 高溫負荷壽命 h £ 1 比較例 0 〇 1360 9.6E+13 0.2 53 2 比較例 0 0.3 1300 1.6E+13 1 52 3 比較例 0.2 0 1340 1.8E+14 288 53 4 冒施例 0.2 0.01 1300 2.2E+14 1043 53 5 賓施例 0.2 0.05 1295 2.5E+14 1197 54 6 霣施例 0.2 0.1 1290 2.2E+14 1201 55 7 言施例 0.2 0.5 1285 3.5E+14 1240 52 8 富施例 0.2 1 1280 4.4E+14 1299 53 9 富施例 0.2 5 1270 3.8E+14 1287 53 10 言施例 0.2 10 1280 2.1E+14 1181 50 11 比較例 0.2 15 1320 1.0E+14 446 37 12 冒施例 0.01 0.01 1300 4.2E+13 1012 54 13 冒施例 5 0.01 1280 7.7E+12 1222 53 14 賓施例 0.01 0.3 1290 2.4E+14 1154 53 15 霣施例 0.2 0.3 1280 3.9E+14 1293 55 16 富施例 1 0.3 1275 7.2E+14 1351 54 17 言施例 5 0.3 1265 8.9E+12 1399 52 18 比較例 7 0.3 1265 7.5E+10 698 53 19 言施例 0.01 10 1275 9.9E+13 1235 51 20 賞施例 5 10 1300 9.1E+12 1032 52 其中，主成分的組成式_ (Zn_yTiy)〇2 主成分的 m=1、χ=0·4、y二0·2、組成=(Ca0.6Sr0.4)〇 (Z「〇.8Ti〇.2)〇2 第1副成分=V205 第2副成分=AI2〇3 第3副成分的元素=Mn、mol數=0.7mol 第4副成分的元素=BCG、mo丨數=2mol 表1____

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表2 試料號碼第3副成分 mol 第4副成分 mol 焙燒度 °C 電阻率 Ω cm 荀溫負荷壽命 h ε 21 言施例 0 2 1320 2.2E+12 882 53 22 菖施例 0.1 2 1300 7.3E+13 1082 52 23 霣施例 0.5 2 1290 2.3E+14 1249 54 24 霣施例 0.9 2 1285 2.9E+14 1265 53 25 言施例 4 2 1275 6.1E+13 1005 5Τ 26 冒施例 5 2 1270 3.5E+12 460 52 27 冒施例 0.7 0 1400 9ΌΕ+13 1002 55 28 冒施例 0.7 0.1 1350 1.1E+14 1058 54 29 冒施例 0.7 1 1300 1.4E+14 1214 53 30 冒餉例 0.7 3 1270 3.1E+14 1277 51 31 冨腌例 0.7 15 1210 3.8E+13 1033 48 32 霄施例 0.7 20 1200 1.7E+12 734 31 33 碰例 0 0 1420 卜 1.1E+12 873 55 其中，主成分的組成式WCakSr^OV (Zn-yTiy)〇2

主成備 m=1、x=0.4、y=0.2、組成二(Ca〇.6Sr〇.4)〇·（Zr〇.8Ti〇.2)〇2 第1副成分=V2〇5、mol數=0.2mol 第2副成分=AI2〇3、mol數=0.3mol 第3畠喊分的冗素=Mn 第4副成分的元素=BCG

Mill 2030-6161-PF(N2);Tcshiau.ptd 第25頁 1233623 五、發明說明（21) 表3 試料號51 主成分焙燒溫度 r 電阻率 Ω cm 高溫負荷壽命 h ε X y m 組成 34 黃施例 0 0 1 CaZr03 1400 6.9E+14 2149 28 35 寊1施例 1 0 1 SrZr03 1360 4.7E+14 1933 30 36 實施例 0.3 0.1 1 (Ca〇.7Sr〇^)〇 (Zr〇.gTi〇.i)〇2 1320 4.4E+14 1427 31 15 責=施例 0.4 0.2 1 (Ca〇.eSr〇.4)0 (Ζ「〇·8ΊΊ〇·2)〇2 1280 3.9E+14 1293 55 37 實施例 0.3 0.3 1 (Ca〇.7Sr〇3)〇 (Zr〇.7Ti〇.3)〇2 1270 9.7E+13 1276 66 38 實施例 0.7 0.3 1 (Ca〇.3Sr〇.7)0 (Ζ「〇_7~Π〇.3)〇2 1260 6.3E+13 1202 71 39 資=施例 0.3 0.7 1 (Ca〇jSr〇3)0 (Zr〇.3Ti〇.7)〇2 1250 1.5E+13 1150 148 40 寶施例 0.7 0.7 1 (Ca〇_3Sr〇.7)〇 (Ζ「〇.3ΊΊ〇_7)〇2 1220 3.8E+12 1088 170 41 寅施例 0.3 0.8 1 (Ca〇.7Sr〇3)〇 (Zr〇.2Ti〇.s)〇2 1240 6.1E+12 1119 160 42 寊:施例 0.3 0.9 1 (Ca〇.7Sr〇3)〇 (Zr〇.iTi〇.g)〇2 1230 5.3E+12 1093 169 43 ^施例 0 1 1 CaTi03 1210 2.6E+12 1044 172 44 實施例 1 1 1 SrTi03 1200 1.2E+12 1007 277 其中，第1副成分=V2〇5、mol數=0.2mol 第 2副成分=AI2〇3、mol 數=0.3mol 第3副成分的元素=Mn、mol數=0.7mol 第4副的元素=BCG、mol數=2mol 如表1所示，首先關於有無添加第1副成分及第2副成分’若未含有第1副成分（試料號碼1〜2 )’南溫負荷寿命時間極短。即使含有第1副成分、而未含有第2副成分（試料號碼3 )’而溫負荷哥命時間不充分。與此相對，含有第1 副成分及第2副成分（試料號碼4〜20)，高溫負荷壽命時間提高了。

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五、發明說明（22) 關於第1副成分及第2副成分的添加量且 -’…至，若v的添加里過多（试料號碼18)、A1的添加量過多（試料号卢碼11 ^ 與未含有第2副成分、但適量地含有第1副成分的^料^ 3相比，高溫負荷壽命時間無法大幅度提高（與試料號相比’僅1·5〜2·5倍左右）。且若A1的添加量過多（試料號碼1 1 )，ε有下降的傾向。與此相對，以一定量含有第j °副成分及第2副成分的試料號碼4〜1 〇、1 2〜1 7、1 9〜2 〇中，有足夠的電容率與電阻率，在還原周圍氣體的焙燒中也未被還原，且内部電極材料的鎳也未發生氧化，確認得到耐還原性優良的介電體陶瓷組合物。且，容量溫度特性優良，可以抑制低頻率介電分散（1〇〇Ηζ、16〇它之七抑占小）、可以大幅度地提咼高溫負荷壽命（絕緣電阻的加速壽命）如與試料號碼3比較約4倍以上）。如表2所不，關於有無含有第3副成分及第4副成分，有第3副成分（試料號碼21)，高溫負荷壽命提高率有減少的傾向。即使含有第3副成分、而未含有第4副二料Λ碼27g)二f未實施1 40 0 °c的高溫焙燒，則無法充： (試料命時間。未含有第3副成分與第4副成分 , Α,、 , 貝何舜命時間的k向率有減少的傾 ;:而’ ί，試料號碼21、27、33的任何-《，由於都么'地含有第1成分及第2繼，如表!戶斤示的試料號都 =同樣的，與至少未含有第丨副成：的情形相比較’高Μ荷壽命時間提高了。且關於第3副成分及第4副成分的含有量，若Μη的添加

1233623 五、發明說明（23) =過多ϋ料號碼26)、BCG的添加量過多（試料號碼32)， :溫負荷壽命時間的提高率有減少的傾向。盥此相對，以二定量含有第3副成分及第4副成分的試料號碼22〜25、 Z 8〜3 1中，確認可以大幅戶：祕描茸宾、、西&朴的加速壽命κ例如與試料; BCG的添力σ量過多（試料號碼32)，^_^的傾)' 形，：=:二，哥命)。特別，y在的範圍β邑= 尚溫負荷壽命時間的改善效果高（參昭了以確“到料號碼15)。 “、、忒枓諕碼36〜41、試產業上的可利性根據本發明，可以電阻的加速壽命進物，以及含有該介容器等的電子元件提供具有優良的低步頁一步提高的耐還原性電體陶瓷組合物、信率介電特性、絕緣的介電體陶瓷組合賴性更高的晶片電

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Claims

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1 .— 種介電體陶瓷組合两有用組成式 {(CahMejOL · (Zri_yTly)〇2m 示的、素名之記號Me係Sr、Mg及Ba的至少！種，n、且成式中的元的組成mol比之記號m、χ及y係〇. 8幺❿ <，代表該組成式中 1· 00、0 00的關係之介電體物3 0$ 於，相對於前述主成分100mol的各成分田比：，，第;3 成刀· Omol〈第1副成分<7mol (將v氧化物換算成VO r成二2 : 〇m〇1〈第2副成分<15m〇K㈣二物換异成A 12 〇3之值）。 2 ·如申請專利範圍第丨項所述的介電體陶瓷組合物，八中備有含有Μη氧化物之第3副成分，相對於前述主成分1 0 0mo 1之前述第3副成分的比例，用氧化物中的Μη元素換异’Omol〈第3副成分<5mol。 3 ·如申請專利範圍第2項所述的介電體陶瓷組合物，其中，備有以Si02為主成分，從M0(其中Μ係從Ba、Ca、Sr 及Mg中選出的至少1種元素）、Li2〇及1〇3中選出的至少1種的第4副成分，相對於前述主成分l〇〇mol之前述第4副成分的比例，用氧化物換算係〇m〇l〈第4副成分<20mol。 4·如申請專利範圍第2項所述的介電體陶瓷組合物，其中，備有用{(Baz，Capz )0}vSi〇2所示的、代表該組成式中的組成mol比的記號z及v係0 ‘Z ‘ 1及〇· 5 S v $4· 0之複合氧i化物的弟4副成分。 5 · —種介電體陶瓷組合物，備有用組成式

2030-6161-PF(N2);Tcshiau.ptd 第30頁 1233623 六、申請專利範圍 { (Cai—xMeJO}, · (ZrwTiy )02所示的、代表該組成式中的元素名之記號Me係Sr、Mg及Ba的至少1種，代表該組成式中的組成mol比之記號m、X及y係〇· 8 ^丨· 3、〇 $ 1· 00、0 Sy S1· 00的關係之介電體氧化物為主成分、含有 V氧化物之第1副成分、含有A1氧化物之第2副成分、含有 Μη氧化物之第3副成分、用{(Baz，Cai z)〇丨vSi〇2所示的、代表該組成式中的組成m〇l比的記號z及v係〇及〇· 5 $4·0的複合氧化物之第4副成分，其特徵在於'相對於前述主成分lOOmol的各成分比例，第1副成分· 〇m〇1<第1副成分<7mol(將V氧化物換算成％〇5之值），第2副成分： Omolf第2副成分<15mol(將A1氧化物換算成Al2〇3之值），第 3副成分：〇m〇l〈第3副成分<5mol (氧化物中的Mn元素換算之值），第4副成分：Omol<第4副成分<2〇m〇1(用複合物換算之值）。 6· —種備有介電體層的電子元件，其特徵在於， "電體層係由介電體陶竟組合物來構成，該介電體陶合物，備有用組成式{ (Ca ^(Ί Τ·、Λ〜讲圭少沐小 VXM X)0}m · (ΖΓΐ-ΥΤΐΥ)〇2所示的、弋表Μ、、且成式中的疋素名之記號Me係化、Mg及“的至小種，代表該組成式中的組成m〇1比之記號m 1及^系^ ^ 1· 3 ' 0 Sx S1· 〇〇、〇 a. 〇〇的關係之介電 2田j成刀、含有Μη軋化物之第3副成分、用{(Baz，第 i—z)0}vSi02所示#、代表該組成式中的組成_ zh係OQd及〇.5“就〇的複合氧化物之第己旋 1233623 六、申請專利範圍分，相對於前述主成分lOOmol的各成分比例，第1副成分：Omol〈第1副成分<7mol (將V氧化物換算成v2〇5之值），第2副成分：〇111〇1<第2副成分<15111〇1(將人1氧化物換算成八12〇3之值），第3副成分：〇111〇1<第3副成分<5111〇1(氧化物中的Μη元素換算之值），第4副成分：Om〇1〈第4副成分 <20mol(用複合氧化物換算之值）。 7· —種積層陶瓷電容器，備有由介電體陶瓷組合物構成的介電體層、與以易氧化金屬為主成分的内部電極層交替地積層著的元件本體，其特徵在於，前述介電體陶瓷組合物，含有用組成式{(Cai_xMex)〇}m · (zri_yTiy)02所示的、代表該組成式中的元素名之記號Me係訐、Mg及“的至少1 種，代表該組成式中的組成mol比之記號m、χ及7係〇.8$[11 $1· 3、0 $1· 〇〇、〇 ^丨· 〇〇的關係之介電體氧化物為主成刀、&有¥氧化物之第1副成分、含有Ai氧化物之第 2副成分、含有Μη氧化物之第3副成分、用{ (Baz， Cah^LSiO2所示的、代表該組成式中的組成m〇1比的記號 z及v係0 $1及〇· 5 $4· 〇的複合氧化物之第4副成分，相對於前述主成分1 〇 Omo丨的各成分比例，第】副成分· Omol〈第1副成分<7mol(其中將v氧化物換算成v以之值} ’产第2副成分：〇m〇l〈第2副成分其中將A1氧化物換算成ΑΙΑ之值），第3副成分：〇m〇1<第3副成分 <5mol (其中氧化物中的Mn元素換算之值），第4副成分：〇mol<第4副成分<20mol(用複合氧化物換算之值）。

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