KR20050037430A - 반도체 패키지 디바이스와 그의 형성 및 테스트 방법 - Google Patents

반도체 패키지 디바이스와 그의 형성 및 테스트 방법 Download PDF

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KR20050037430A
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게르버마크에이.
오코너샤운엠.
톰슨트렌트에이.
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프리스케일 세미컨덕터, 인크.
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Abstract

패키지 디바이스(10, 100)는 패키지 기판(12, 122)의 공동(20, 120)에 하나의 집적 회로(22, 122)를 가지며, 패키지 기판의 한 면(50, 150)으로 전기적으로 결합된다. 제 2 집적 회로(32, 132)는 패키지 디바이스의 다른 면에 얹어지고 또한 그 면에 전기적으로 결합된다. 제 3 집적 회로(38, 138) 또는 그 이상이 제 2 집적 회로에 얹어질 수 있다. 테스트를 위해 유용한 패드들(16, 116, 116)이 패키지 기판의 양 면들 상에 제공된다. 집적 회로들은 기능적이지 않은 집적 회로들로 완성된 패키지들을 제공하는 위험을 감소시키기 위해 마지막 캡슐화 전에 테스트될 수 있다.

Description

반도체 패키지 디바이스와 그의 형성 및 테스트 방법{Semiconductor package device and method of formation and testing}
본 발명은 일반적으로 반도체 패키지 디바이스에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 반도체 패키지 디바이스의 형성 및 테스트 방법에 관한 것이다.
집적 회로들의 패키지에서, 패키지 내에 다중 다이(die)를 허용하는 패키지들을 제공하는 것이 보다 필요하게 되었다. 이러한 다중 다이 패키지들을 테스트하는 것은 다이의 복잡성이 증가됨에 따라 더욱 어려워지고 있다. 또한, 일부 멀티칩 패키지들에 대하여 멀티칩 패키지의 하나 이상의 잔존 다이로부터 멀티칩 패키지의 하나 이상의 다이를 전기적으로 차폐하는 것이 중요하다.
도 1 내지 도 12는 본 발명의 한 실시예를 따라 형성된 패키지 디바이스의 연속적인 단면도들.
도 13 내지 도 23은 본 발명의 대안의 실시예들을 따라 형성된 패키지 디바이스의 연속적인 단면도들.
멀티칩 패키지 형성의 제조 공정동안 수행될 재가공을 허용하는 것이 또한 바람직하다. 현재의 회로 보드 기술의 제한들 때문에 보다 낮은 프로파일 멀티칩 패키지를 갖는 것이 또한 바람직하다.
본 발명은 동일 참조들이 유사한 요소들을 나타내는, 첨부한 도면들과 함께 예의 방법으로 설명되며 제한되는 방법으로 설명되지 않는다.
당업자는 도면들의 요소들이 단숨함과 명확함을 위해 도시되며 크기대로 도시되어야 할 필요가 없음을 인식한다. 예를 들어, 도면들의 요소들의 일부의 크기들은 본 발명의 다양한 실시예들의 이해를 증진시키는데 도움을 주기 위하여 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다.
복수의 다이 중 적어도 하나를 수신하기 위해 기판의 공동을 사용하는 복수의 다이의 스태킹(stacking)은 보다 낮은 프로파일 패키지 디바이스가 사용되는 것을 허용한다. 부가적으로, 테스트 목적들로 사용된 패드들은 패키지 디바이스의 하나 이상의 면 상에 위치될 수 있다. 또한, 복수의 다이들 사이의 층들은 선택된 다이 사이의 전기적 차폐를 제공하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명은 도면들을 참조하여 보다 잘 이해된다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 공동(20)을 가진 패키지 디바이스(10)를 도시한다. 패키지 디바이스(10)는 표면(50)과 표면(52)을 갖는 패키지 기판(12)을 포함한다. 표면(50)은 제 1 평면으로 구성되고 표면(52)은 제 2 평면으로 구성된다는 것을 인지한다. 상부에서, 기판(12)은 하나 이상의 접합 핑거들(14)과 하나 이상의 패드들(16)을 포함한다. 본 발명의 한 실시예에서, 패드들(16)은 도전성이고 다양한 목적들을 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 패드들(16)은 이산 디바이스들을 얹는데 사용될 수 있으며, 테스트 목적들을 위한 테스트 프로브들을 수신하는데 사용될 수 있고, 또는 도전성 내부연결들(예를 들면, 땜납 볼들(solder balls))을 수신하는데 사용될 수 있다. 도 1은 기판(12)의 표면(52)으로 인가되는 테이프 층(18)을 도시한다. 본 발명의 한 실시예에서, 기판(12)은 하나 이상의 다이를 외부 접점들과 내부연결하는데 사용될 수 있는 트레이스들 및 비어들과 같은 전기적인 컨덕터들(도시되지 않음)을 포함한다.
도 2는 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시하며 다이 부착 물질(24)은 테이프(18)를 오버레이하며(overlying) 위치되었다. 다이(22)는 이후 다이 부착 물질(24)의 상부에 위치된다. 본 발명의 대안의 실시예들은 다이 부착 물질(24)을 사용하지 않을 수 있으며, 대신 직접적으로 다이(22)를 테이프(18)에 부착할 수 있다. 테이프(18)는 다이(22)와 선택적으로 다이 부착 물질(24)을 지지하기 위한 지지 부재로서 사용된다.테이프(18)는 기판(12)의 전체 표면(52)을 넘어 확장될 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다.
도 3은 다이(22)가 배선 접합들(26)의 방법으로 접합 핑거들(14)로 전기적으로 접속된 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들은 임의의 수의 배선 접합들(26)과 접합 핑거들(14)을 사용할 수 있다.
도 4는 캡슐화 물질(28)이 다이(22), 배선 접합들(26), 및 배선 핑거들(14) 위로 침착된 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다. 캡슐화 물질(28)은 예를 들어, 주조된 플라스틱 또는 액체 침착된 글로브 물질과 같은 집적 회로들을 위한 임의 형태의 적절한 물질 일 수 있다는 것이 인지된다.
도 5는 테이프(18)가 기판(12)의 바닥 표면(52)으로부터 제거된 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다.
도 6은 다이 부착 물질(30)이 패키지 디바이스(19)로 다이(32)를 부착시키기 위해 위치되는 패키지 디바이스(19)의 한 실시예를 도시한다. 한 실시예에서, 다이 부착 물질(30)은 다이 부착 물질(24)과 다이(32) 사이에 위치된다. 대안의 실시예에서, 다이 부착 물질(24)이 사용되지 않을 때, 다이 부착 물질(30)은 다이(22)와 다이(32) 사이에 위치된다. 본 발명의 한 실시예에서, 패키지 디바이스(10)는 공정 중 이러한 포인트에서 플립될 수 있으며 따라서 이제 바닥 표면(52)이 상부 표면(52)이 되고 상부 표면(50)은 이제 바닥 표면(50)이 된다는 것이 인지된다. 그러나, 본 발명의 대안의 실시예는 그의 형성동안 임의의 방법으로 패키지 디바이스(10)를 향할 것이다. 단순화의 목적들을 위해서, 패키지 디바이스(10)는 남은 도면들에 걸쳐 동일한 방향으로 도시될 것이다.
도 7은 다이(32)가 배선 접합들(34)의 방법으로 접합 핑커들(14)로 전기적으로 접속된 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들은 임의의 수의 배선 접합들(34) 및 접합 핑거들(14)을 사용할 수 있다. 플립 칩 기술을 사용하는 본 발명의 실시예들에 대하여, 다이(32)는 배선 접합들(34)을 갖지 않을 수 있으나, 대신 표면(52)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
도 8은 다이 부착 물질(36)이 다이(38)를 다이(32)로 부착하도록 위치되는 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다. 한 실시예에서, 다이 부착 물질(36)은 다이(32)와 다이(38) 사이에 위치된다. 플립 칩 기술을 사용하는 대안의 실시예에서, 다이 부착(36)이 사용되지 않으며; 대신 다이(38)가 직접 알려진 플립 칩 기술들을 사용하여 다이(32)로 전기적으로 접속된다.
도 9는 다이(38)가 배선 접합들(42)의 방법으로 접합 핑거들(14)로 전기적으로 접속되고, 다이(38)가 배선 접합(40)의 방법으로 다이(32)로 전기적으로 접속된 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들은 임의의 수의 배선 접합들(40 및 42)을 사용할 수 있으며, 임의의 수의 접합 핑거들(14)을 사용할 수 있다. 플립 칩 기술을 사용하는 본 발명의 실시예들에 대하여, 다이(38)는 배선 접합들(42)을 갖지 않을 것이며, 대신 다이(32)로 직접 전기적으로 접속될 것이다.
도 10은 테스트 프로브들(44)이 하나 이상의 다이(22, 32 및 38)가 전기적으로 테스트될 수 있는 하나의 방법을 보이기 위해 도시되는 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들에서, 테스트 프로브들(44)은 기판(12)의 상부 표면(50)에만 위치되고, 기판(12)의 하부 표면(52)에만 위치된, 또는 대안적으로 기판(12)의 상부 및 하부 표면들(50, 52) 모두에 위치된 하나 이상의 패드들(16)을 사용할 수 있다는 것이 인지된다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 테스트 프로브들(44)이 기판(12)의 상부 표면(50) 및 바닥 표면(52) 모두에게로의 액세스를 허용하는 것은 상당한 장점이 된다는 것을 인지한다. 예를 들어, 이는 테스트 프로브들(44)에 의해 액세스될 보다 많은 패드들(16)을 허용하며, 따라서 테스트 공정동안 더 많은 신호들이 사용되는 것을 허용한다. 또한, 테스트 프로브들(44)이 기판(12)의 상부 및 바닥 표면들(50, 52) 모두로 액세스하는 것을 허용하는 것은 각 개별적인 다이(22, 32, 및 38)로의 보다 쉬운 액세스를 허용한다. 다중 다이가 패키지 내에서 사용될 때, 테스트를 위해 요청된 패드들(16)의 수는 상당히 높아질 것이다.
도 11은 캡슐화 물질(46)이 오버라잉 다이(38), 다이(32), 및 접합 핑거들(14)을 침착한 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들에서 캡슐화 물질(46)이 기판(12)의 보다 큰 부분 위로 침착될 수 있다는 것이 인지된다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시예들에서, 캡슐화 물질(46)이 또한 오버라잉 패드들(16)로 침착될 수 있다. 패드들(16)이 캡슐화 물질(46)에 의해 캡슐화되었는지에 상관없이, 패드들(16)은 다이(22, 32 및 38)의 하나 이상으로 이산 디바이스들을 전기적으로 결합시키는데 사용될 수 있다. 캡슐화 물질(46)은 예를 들면, 주조된 플라스틱 또는 액체 침착된 글로브 물질과 같은 집적 회로들을 위한 적절한 물질의 임의의 형태일 수 있다는 것이 인지된다.
도 12는 도전성 내부연결들(48)이 표면(50)의 패드들(16)을 오버라이하며 위치된 패키지 디바이스(10)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 한 실시예에서 도전성 내부연결들(48)은 땜납 볼들일 수 있다. 그러나, 본 발명의 대안의 실시예들에서, 도전성 내부연결(48)은 임의의 방법으로 형성된 전기적으로 도전성인 임의의 형태의 물질일 수 있다. 도전성 내부연결들(48)은 선택적이라는 것이 인지된다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 캡슐화 물질(28)이 기판(12)의 상부 표면(50)과 동일한 높이이며, 이후 도전성 내부연결들(48)은 요청되지 않을 수 있고 전기적 연결들이 기판(12)의 표면(50) 상의 패드들(16)로 직접적으로 만들어질 수 있다. 기판(12) 내의 트레이스들 및 비어들(도시되지 않음)이 기판(12)의 다양한 부분들을 선택적으로 내부연결하기 위해 사용된다는 것이 다시 인지된다. 다이 부착 물질들(24, 30 및 36)은 예를 들면, 점성 테이프 또는 비고체 접착제(예를 들면, 아교, 에폭시)와 같은 적절한 물질의 임의의 타입일 수 있다는 것이 또한 인지된다. 다이(22, 32 및 38)는 집적 회로, 반도체 디바이스의 임의의 타입 또는 전기적으로 활성화인 기판의 다른 타입일 수 있다. 본 발명의 대안의 실시예들은 패키지 디바이스(10) 내로 패키지된 다이(22, 32 또는 38)의 임의의 수를 가질 수 있다. 예를 들어, 대안의 실시예들은 단지 패키지 디바이스(10) 내의 두개의 다이를 패키지할 것이다. 다이(22, 32)의 크기 및 아스펙트비들은 변할 수 있으며, 다이 스페이서들(도시되지 않음)이 다이 사이에서 사용될 수 있다는 것이 인지된다. 다이(22)가 공동(20) 내에 위치되고 다이(32) 및 다이(38)가 공동(20)의 외부에 위치된다는 것이 인지된다.
도 13은 본 발명의 한 실시예에 따라 공동(120)을 갖는 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 패키지 디바이스(100)는 표면(150)과 표면(152)을 갖는 패키지 기판(112)을 포함한다. 기판(150)은 제 1 평면으로 구성되고 기판(152)은 제 2 평면으로 구성된다는 것을 인지한다. 상부에서, 기판(112)은 하나 이상의 접합 핑거들(114)과 하나 이상의 패드들(116)을 포함한다. 본 발명이 한 실시예에서, 패드들(116)은 도전성이고 공동의 목적들을 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 패드들(116)은 이산 디바이스들을 얹기 위해 사용될 수 있으며, 테스트 목적들을 위한 테스트 프로브들을 수신하는데 사용될 수 있고, 또는 도전성 내부연결들(예를 들면, 땜납 볼들)을 수신하는데 사용될 수 있다. 도 13은 그의 외측 표면이 표면(152)인 기판(112)의 부분인 층(101)을 도시한다. 본 발명의 한 실시예에서, 층(101)은 지지 부재(119), 하나 이상의 접합 핑거들(114), 및 하나 이상의 패드들(116)을 포함한다. 본 발명의 대안의 실시예들은 접합 핑거들(114)(예를 들면, 플립 칩 기술이 사용될 때)을 요구하지 않을 수 있으며, 표면(152)으로의 전기적 연결이 원치 않을 때 패드들(116)을 요구하지 않을 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 기판(112)은 하나 이상의 다이를 외부 접점들(도시되지 않음)로 내부연결하는데 사용될 수 있는 트레이스들 및 비어들과 같은 전기적인 도체들을 포함한다.
도 14는 다이 부착 물질(124)이 지지 부재(119)를 오버라이하며 위치된 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 다이(122)는 이후 다이 부착 물질(124)의 상부에 위치된다.
도 15는 다이(122)가 배선 접합들(126)의 방법으로 접합 핑거들(114)로 전기적으로 연결된 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들은 임의의 수의 배선 접합들(126)과 접합 핑거들(114)을 사용할 수 있다. 플립 칩 기술을 사용하는 본 발명의 실시예들에 대하여, 다이(122)는 배선 접합들(126)을 가지지 않을 것이지만, 대신 층(101)의 방법으로 전기적으로 연결될 것이다.
도 16은 캡슐화 물질(128)이 다이(122), 배선 접합들(126), 및 접합 핑거들(114) 상에 침착된 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 캡슐화 물질(128)은 예를 들면, 주조된 플라스틱 또는 액체 침착된 글로브 물질과 같은 집적 회로를 위한 적절한 물질의 임의의 타입일 수 있다.
도 17은 다이 부착 물질(130)이 다이(132)를 패키지 디바이스(100)로 부착하도록 위치되는 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 한 실시예에서, 다이 부착 물질(130)은 층(101)과 다이(132) 사이에 위치된다. 본 발명의 한 실시예에서, 패키지 디바이스(100)는 공정중 이 포인트에서 플립되어 이제 바닥 표면(152)이 상부 표면(152)으로 되고 상부 표면(150)이 이제 바닥 표면(150)이 된다는 것이 인식된다. 그러나, 대안의 실시예는 그의 형성동안 임의의 방법으로 패키지 디바이스(100)를 향할 수 있다. 단순화 목적들을 위해, 패키지 디바이스(100)는 남아있는 도면들에 걸쳐 동일한 방향에서 도시될 것이다.
도 18은 다이(132)가 배선 접합들(134)의 방법으로 접합 핑거들(114)로 전기적으로 연결되는 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들은 임의의 수의 배선 접합들(134)과 접합 핑거들(114)을 사용할 수 있다. 플립 칩 기술을 사용하는 본 발명의 실시예들에 대하여, 다이(132)는 배선 접합들(134)을 가지지 않을 것이며, 대신 표면(152)의 방법으로 전기적으로 연결될 것이다.
도 19는 다이 부착 물질(136)이 다이(138)를 다이(132)로 부착시키도록 위치되는 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 한 실시예에서, 다이 부착 물질(136)은 다이(132)와 다이(138) 사이에 위치된다. 플립 칩 기술을 사용하는 대안의 실시예에서, 다이 부착(136)이 사용되지 않으며; 대신 알려진 플립 칩 기술들을 사용하여 다이(138)가 다이(132)로 직접 전기적으로 연결된다.
도 20은 다이(138)가 배선 접합들(142)의 방법으로 접합 핑거들(114)로 전기적으로 연결되고 다이(138)가 배선 접합(140)의 방법으로 다이(132)로 전기적으로 연결되는 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들은 임의의 수의 배선 접합들(140 및 142)과, 임의의 수의 접합 핑거들(114)을 사용할 수 있다. 플립 칩 기술을 사용하는 본 발명의 실시예들에 대해, 다이(138)는 배선 접합들(142)을 사용하지 않으며, 대신 다이(132)로 직접 전기적으로 연결될 수 있다.
도 21은 테스트 프로브들(144)이 하나 이상의 다이(122, 132, 및 138)가 전기적으로 테스트될 수 있는 하나의 방법을 보이도록 도시하는 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들에서, 테스트 프로브들(144)은 기판(112)의 상부 표면(150)에만, 기판(112)의 바닥 표면(152)에만, 또는 대안적으로 기판(112)의 상부 및 바닥 표면들(150, 152) 모두에 위치된 하나 이상의 패드들(116)을 사용할 수 있다는 것이 인지된다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 테스트 프로브들(144)이 기판(112)의 상부 표면(150) 및 바닥 표면(152) 모두를 액세스하는 것을 허용하는 것은 커다란 장점이 될 수 있다는 것이 인지된다. 예를 들어, 이는 보다 많은 패드들(116)이 테스트 프로브들(144)에 의해 액세스되는 것을 허용하며, 따라서 보다 많은 신호들이 테스트 공정동안 사용되는 것을 허용한다. 또한, 테스트 프로브들(144)이 기판(112)의 상부 및 바닥 표면들(150, 152)로 액세스하는 것을 허용하는 것은 각 개별적인 다이(122, 132 및 138)로의 보다 쉬운 액세스를 허용할 것이다. 다중 다이가 패키지 내에서 사용될 때, 테스트를 위해 요구된 패드들(116)의 수는 상당히 높아질 수 있다는 것이 인지된다.
도 22는 캡슐화 물질(146)이 다이(138), 다이(132), 및 접합 핑거들(114)을 오버라이하며 침착된 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 대안의 실시예들에서, 캡슐화 물질(146)은 기판(112)의 큰 부분 상에 침착될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시예들에서, 캡슐화 물질(146)은 또한 패드들(116)을 오버라이하며 침착된다. 패드들(116)이 캡슐화 물질(146)에 의해 캐슐화되는 것에 상관없이, 패드들(116)은 하나 이상의 다이(122, 132, 및 138)로 이산 디바이스들을 전기적으로 접합시키는데 사용될 수 있다. 캡슐화 물질(146)은 예를 들면, 주조된 플라스틱 또는 액체 침착된 글로브 물질과 같은 집적 회로들을 위한 적절한 물질의 임의의 타입일 수 있다는 것이 인지된다.
도 23은 도전성 내부연결들(148)이 표면(150)에 패드들(116)을 오버라이하며 위치되는 패키지 디바이스(100)의 한 실시예를 도시한다. 본 발명의 한 실시예에서 도전성 내부연결들(148)은 땜납 볼들일 수 있다. 그러나, 본 발명의 대안의 실시예들에서, 도전성 내부연결(148)은 임의의 방법으로 형성된 전기적으로 도전성인 물지의 임의의 타입일 수 있다. 도전성 내부연결들(148)은 선택적이라는 것이 인지된다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 캡슐화 물질(128)이 기판(112)의 상부 표면(150)과 높이가 같으면 도전성 내부연결들(148)은 요구되지 않을 것이며 전기적 연결들이 기판(112)의 표면(150) 상의 패드들(116)로 직접 생성될 수 있다. 기판(112) 내의 트레이스들 및 비어들(도시되지 않음)은 기판(112)의 다양한 부분들을 선택적으로 내부연결하는데 사용된다는 것이 다시 인지된다. 다이 부착 물질들(124, 130 및 136)은 예를 들면, 점섬 테이프 또는 비고체 접착제(예를 들면, 아교, 에폭시)와 같은 적절한 물질의 임의의 타입일 수 있다는 것이 또한 인지된다. 다이(122, 132 및 138)는 집적 회로, 반도체 디바이스의 임의의 타입, 또는 전기적으로 활성화인 기판의 다른 타입일 수 있다. 본 발명의 대안의 실시예들은 패키지 디바이스(100) 내로 패키지된 임의의 수의 다이(122, 132 및 138)를 가질 수 있다. 예를 들어, 대안의 실시예들은 패키지 디바이스(100)의 두개의 다이만을 패키지할 것이다. 다이(122, 132 및 138)의 크기 및 아스펙트비들은 변할 수 있으며, 다이 스페이서들(도시되지 않음)은 다이 사이에서 사용될 수 있다는 것이 인지된다. 다이(122)는 공동(120) 내에 위치되며 다이(132) 및 다이(138)는 공동(120)의 외부에 위치된다는 것이 인지된다.
앞선 설명에서 본 발명은 특정 실시예들을 참조로 논의되었다. 그러나, 당업자는 다양한 변경들 및 변화들이 이하의 청구항들에서 기술되는 바와 같은 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 만들어질 수 있다는 것이 인식된다. 예를 들어, 분야에서 많이 알려진 임의의 적당한 다이 부착 프로세스들, 배선 접합 프로세스들, 및 테이프 프로세스들이 패키지 디바이스들(10 및 100)의 형성에 사용될 수 있다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한하는 것보다 도시하는 것에 관한 것이며, 모든 이러한 변경들은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다. 이익들, 다른 장점들 및 문제들로의 해결책들이 특정 실시예들에 관하여 설명되었다. 그러나, 발생되거나 더욱 발표될 임의의 이익, 장점 또는 해결책들의 원인이 될 이익들, 장점들, 문제들로의 해결책들 및 임의의 요소(들)은 임의의 청구항들의 기준, 요구, 또는 필수 특성으로 해석되지 않는다.

Claims (10)

  1. 패키지 디바이스(10, 100)를 형성하는 방법에 있어서:
    제 1 면(50, 150)과 제 2 면(52, 152)을 갖고 상기 제 1 면 상에 제 1 패드들(16, 116)을 가지며 상기 제 2 면 상에 제 2 패드들(16, 116)을 갖는 패키지 기판(12)을 제공하는 단계와;
    상기 제 1 면 상에 제 1 집적 회로(22, 122)를 위치시키고 제 2 면 상에 제 2 집적 회로(32, 132)를 위치시키는 단계와;
    상기 제 1 집적 회로를 상기 제 1 패드들로 전기적으로 접속하고 상기 제 2 집적 회로를 상기 제 2 패드들로 전기적으로 접속하는 단계와;
    상기 제 1 패드들 및 상기 제 2 패드들로 테스트 프로브들(44, 144)을 인가하는 것에 의해 상기 제 1 집적 회로 및 상기 제 2 집적 회로를 테스트하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 패키지 디바이스(10, 100)를 형성하는 방법에 있어서:
    제 1 평면을 따라 제 1 표면(50, 150)을 갖고 제 2 평면을 따라 제 2 표면(52, 152)을 갖는 패키지 기판(12, 122)을 제공하는 단계로서, 상기 패키지 기판은 상기 제 1 평면과 상기 제 2 평면 사이에 공동(20, 120)을 갖는, 상기 제공 단계와;
    상기 공동에 제 1 집적 회로(2, 122)를 위치시키는 단계와;
    상기 공동의 외측에 상기 제 1 집적 회로의 인근에 제 2 집적 회로(32, 132)를 위치시키는 단계와;
    상기 제 1 집적 회로 및 상기 제 2 집적 회로 위로 캡슐화 물질(28, 46, 138, 146)을 침착시키는 단계를 포함하는, 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 침착 단계는:
    상기 제 2 집적 회로를 위치시키는 상기 단계 전에 상기 제 1 집적 회로(22, 122) 위로 상기 캡슐화 물질의 제 1 부분(28, 128)을 침착시키는 단계와;
    상기 제 2 집적 회로(32, 132) 위로 상기 캡슐화 물질의 제 2 부분(46, 146)을 침착시키는 단계를 포함하는, 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 패키지 기판(12, 122)은 또한 상기 기판의 상기 제 2 평면(52, 152)을 따라 지지 부재(18, 119)를 포함하는, 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 집적 회로(32, 132)를 위치시키는 상기 단계 전에 상기 지지 부재(18, 119)를 제거하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  6. 패키지 디바이스(10, 100)에 있어서:
    제 1 평면을 정의하는 제 1 표면(50, 150)과 제 2 평면을 정의하는 제 2 표면(52, 152)을 갖는 패키기 기판(12, 112)으로서, 상기 패키지 기판은 상기 제 1 평면과 상기 제 2 평면 사이에 공동(20, 120)을 갖는, 상기 패키지 기판과;
    상기 공동의 제 1 집적 회로(22, 122)와;
    상기 공동 외부의, 상기 패키지 기판에 결합된 제 2 집적 회로(32, 132)를 포함하는, 패키지 디바이스.
  7. 패키지 디바이스(10, 100)에 있어서:
    제 1 면과 제 2 면을 갖는 패키지 기판(12, 112)과;
    상기 제 1 면 상의 제 1 패드들(16, 116)과;
    상기 제 2 면 상의 제 2 패드들(16, 116)과;
    상기 패키지 기판에 얹어진 제 1 집적 회로(22, 122)를 포함하며,
    상기 제 1 패드들 및 상기 제 2 패드들은 또한 테스트를 위한 테스트 프로브들(44, 144)을 수용하는데 유용한 것을 특징으로 하는, 패키지 디바이스.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 패키지 기판 상에 얹어진 제 2 집적 회로(32, 132)를 더 포함하는, 패키지 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서:
    상기 제 1 집적 회로(22, 122)는 상기 제 1 패드들(16, 116)과 전기적으로 접속되고,
    상기 제 2 집적 회로(32, 132)는 상기 제 2 패드들(16, 116)과 전기적으로 접속되는, 패키지 디바이스.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 기판(12, 112)은 또한 공동(20, 120)을 갖는 것을 특징으로 하고, 상기 제 1 집적 회로(22, 122)는 또한 상기 공동에 있는 것을 특징으로 하는, 패키지 디바이스.
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG108245A1 (en) * 2001-03-30 2005-01-28 Micron Technology Inc Ball grid array interposer, packages and methods
JP2003243604A (ja) * 2002-02-13 2003-08-29 Sony Corp 電子部品及び電子部品の製造方法
US7573136B2 (en) * 2002-06-27 2009-08-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor device assemblies and packages including multiple semiconductor device components
US6906415B2 (en) * 2002-06-27 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor device assemblies and packages including multiple semiconductor devices and methods
US7071545B1 (en) * 2002-12-20 2006-07-04 Asat Ltd. Shielded integrated circuit package
JP3867796B2 (ja) * 2003-10-09 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4556023B2 (ja) * 2004-04-22 2010-10-06 独立行政法人産業技術総合研究所 システムインパッケージ試験検査装置および試験検査方法
TWI270953B (en) * 2005-08-17 2007-01-11 Advanced Semiconductor Eng Substrate and testing method thereof
KR100690246B1 (ko) * 2006-01-10 2007-03-12 삼성전자주식회사 플립 칩 시스템 인 패키지 제조 방법
US8410594B2 (en) * 2006-01-11 2013-04-02 Stats Chippac Ltd. Inter-stacking module system
US20080251901A1 (en) * 2006-01-24 2008-10-16 Zigmund Ramirez Camacho Stacked integrated circuit package system
DE102006017059B4 (de) * 2006-04-11 2008-04-17 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Bauelement-System, sowie Verfahren zum Modifizieren eines Halbleiterbauelements
JP3942190B1 (ja) * 2006-04-25 2007-07-11 国立大学法人九州工業大学 両面電極構造の半導体装置及びその製造方法
KR100782774B1 (ko) * 2006-05-25 2007-12-05 삼성전기주식회사 Sip 모듈
JP4930699B2 (ja) * 2006-12-06 2012-05-16 凸版印刷株式会社 半導体装置
US7973310B2 (en) * 2008-07-11 2011-07-05 Chipmos Technologies Inc. Semiconductor package structure and method for manufacturing the same
SG10201505279RA (en) 2008-07-18 2015-10-29 Utac Headquarters Pte Ltd Packaging structural member
US8742603B2 (en) * 2010-05-20 2014-06-03 Qualcomm Incorporated Process for improving package warpage and connection reliability through use of a backside mold configuration (BSMC)
US8664540B2 (en) * 2011-05-27 2014-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interposer testing using dummy connections
US9472533B2 (en) * 2013-11-20 2016-10-18 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming wire bondable fan-out EWLB package
WO2017111773A1 (en) * 2015-12-23 2017-06-29 Juan Landeros Reverse mounted gull wing electronic package
US9721881B1 (en) 2016-04-29 2017-08-01 Nxp Usa, Inc. Apparatus and methods for multi-die packaging
US20180190776A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Sireesha Gogineni Semiconductor chip package with cavity

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2439478A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Boitier plat pour dispositifs a circuits integres
US4729061A (en) * 1985-04-29 1988-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Chip on board package for integrated circuit devices using printed circuit boards and means for conveying the heat to the opposite side of the package from the chip mounting side to permit the heat to dissipate therefrom
JPH0821672B2 (ja) 1987-07-04 1996-03-04 株式会社堀場製作所 イオン濃度測定用シート型電極の製造方法
JP2585006B2 (ja) * 1987-07-22 1997-02-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US5219795A (en) * 1989-02-07 1993-06-15 Fujitsu Limited Dual in-line packaging and method of producing the same
US5200362A (en) * 1989-09-06 1993-04-06 Motorola, Inc. Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film
US5172303A (en) * 1990-11-23 1992-12-15 Motorola, Inc. Electronic component assembly
US5383269A (en) * 1991-09-03 1995-01-24 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making three dimensional integrated circuit interconnect module
US5468994A (en) 1992-12-10 1995-11-21 Hewlett-Packard Company High pin count package for semiconductor device
US5291062A (en) * 1993-03-01 1994-03-01 Motorola, Inc. Area array semiconductor device having a lid with functional contacts
US5679978A (en) 1993-12-06 1997-10-21 Fujitsu Limited Semiconductor device having resin gate hole through substrate for resin encapsulation
JP3288840B2 (ja) * 1994-02-28 2002-06-04 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5747874A (en) * 1994-09-20 1998-05-05 Fujitsu Limited Semiconductor device, base member for semiconductor device and semiconductor device unit
US5998864A (en) 1995-05-26 1999-12-07 Formfactor, Inc. Stacking semiconductor devices, particularly memory chips
JP2725637B2 (ja) * 1995-05-31 1998-03-11 日本電気株式会社 電子回路装置およびその製造方法
WO1996041378A1 (en) 1995-06-07 1996-12-19 The Panda Project Semiconductor die carrier having double-sided die attach plate
JPH0917919A (ja) 1995-06-29 1997-01-17 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5798564A (en) * 1995-12-21 1998-08-25 Texas Instruments Incorporated Multiple chip module apparatus having dual sided substrate
US5843808A (en) 1996-01-11 1998-12-01 Asat, Limited Structure and method for automated assembly of a tab grid array package
KR0179921B1 (ko) * 1996-05-17 1999-03-20 문정환 적측형 반도체 패키지
US5723907A (en) * 1996-06-25 1998-03-03 Micron Technology, Inc. Loc simm
US6225688B1 (en) 1997-12-11 2001-05-01 Tessera, Inc. Stacked microelectronic assembly and method therefor
US5994166A (en) * 1997-03-10 1999-11-30 Micron Technology, Inc. Method of constructing stacked packages
US5815372A (en) * 1997-03-25 1998-09-29 Intel Corporation Packaging multiple dies on a ball grid array substrate
JP2964983B2 (ja) 1997-04-02 1999-10-18 日本電気株式会社 三次元メモリモジュール及びそれを用いた半導体装置
US5963429A (en) * 1997-08-20 1999-10-05 Sulzer Intermedics Inc. Printed circuit substrate with cavities for encapsulating integrated circuits
JPH11219984A (ja) 1997-11-06 1999-08-10 Sharp Corp 半導体装置パッケージおよびその製造方法ならびにそのための回路基板
US6133067A (en) * 1997-12-06 2000-10-17 Amic Technology Inc. Architecture for dual-chip integrated circuit package and method of manufacturing the same
FR2772516B1 (fr) * 1997-12-12 2003-07-04 Ela Medical Sa Circuit electronique, notamment pour un dispositif medical implantable actif tel qu'un stimulateur ou defibrillateur cardiaque, et son procede de realisation
JP2000208698A (ja) * 1999-01-18 2000-07-28 Toshiba Corp 半導体装置
JP3939429B2 (ja) * 1998-04-02 2007-07-04 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6184463B1 (en) * 1998-04-13 2001-02-06 Harris Corporation Integrated circuit package for flip chip
US6329713B1 (en) * 1998-10-21 2001-12-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip carrier assembly comprising a stiffener attached to a dielectric substrate
JP3512657B2 (ja) 1998-12-22 2004-03-31 シャープ株式会社 半導体装置
US6201302B1 (en) 1998-12-31 2001-03-13 Sampo Semiconductor Corporation Semiconductor package having multi-dies
JP3235589B2 (ja) 1999-03-16 2001-12-04 日本電気株式会社 半導体装置
TW409330B (en) 1999-03-20 2000-10-21 United Microelectronics Corp Repairable multi-chip module package
JP3576030B2 (ja) * 1999-03-26 2004-10-13 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6117704A (en) * 1999-03-31 2000-09-12 Irvine Sensors Corporation Stackable layers containing encapsulated chips
JP3575001B2 (ja) * 1999-05-07 2004-10-06 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ及びその製造方法
JP3418759B2 (ja) * 1999-08-24 2003-06-23 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ
JP2001077301A (ja) * 1999-08-24 2001-03-23 Amkor Technology Korea Inc 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2001077293A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Nec Corp 半導体装置
JP2001094045A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Seiko Epson Corp 半導体装置
JP3485507B2 (ja) * 1999-10-25 2004-01-13 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6344687B1 (en) * 1999-12-22 2002-02-05 Chih-Kung Huang Dual-chip packaging
SG100635A1 (en) * 2001-03-09 2003-12-26 Micron Technology Inc Die support structure
SG108245A1 (en) * 2001-03-30 2005-01-28 Micron Technology Inc Ball grid array interposer, packages and methods
US6787916B2 (en) * 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity

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WO2003041158A3 (en) 2003-10-23
US6916682B2 (en) 2005-07-12
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TW200300283A (en) 2003-05-16
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CN1602548A (zh) 2005-03-30
KR100926002B1 (ko) 2009-11-09

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