JPH0821672B2 - イオン濃度測定用シート型電極の製造方法 - Google Patents
イオン濃度測定用シート型電極の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、イオン濃度測定用シート型電極の製造方法
に関する。
に関する。
近時、pH等イオン濃度を測定する電極においては、電
極全体の構造の小型化、製造コストの低廉化、操作性並
びに保守性の改善を図るため、電極をシート化すること
が行われるようになってきている。
極全体の構造の小型化、製造コストの低廉化、操作性並
びに保守性の改善を図るため、電極をシート化すること
が行われるようになってきている。
例えば、シート型のpH測定電極は、絶縁性が高く安価
な材料であるPET(ポリエチレンテレフタレート)より
なる基板の表面に、銀ペーストをスクリーン印刷して電
極及び配線パターン(導電部)を形成すると共に、前記
導電部の一部をAgClで被覆することにより内部電極部と
し、この内部電極部上にゲル状内部液を設け、かつ、こ
のゲル状内部液の上面に平板状の応答ガラスよりなるpH
応答膜を接着することによって形成される(例えば実願
昭61−191497号参照)。ところで、前記pH応答膜は電気
抵抗が大きくしかも入力し微小電流を用いているので、
計測を行う場合、外部ノイズの影響をうけやすいところ
から、pH応答膜からの信号を増幅する像幅器の前段に、
入力インピーダンスが極めて大きいMOSFETを前記PET基
板に組み込むことが必要となる。
な材料であるPET(ポリエチレンテレフタレート)より
なる基板の表面に、銀ペーストをスクリーン印刷して電
極及び配線パターン(導電部)を形成すると共に、前記
導電部の一部をAgClで被覆することにより内部電極部と
し、この内部電極部上にゲル状内部液を設け、かつ、こ
のゲル状内部液の上面に平板状の応答ガラスよりなるpH
応答膜を接着することによって形成される(例えば実願
昭61−191497号参照)。ところで、前記pH応答膜は電気
抵抗が大きくしかも入力し微小電流を用いているので、
計測を行う場合、外部ノイズの影響をうけやすいところ
から、pH応答膜からの信号を増幅する像幅器の前段に、
入力インピーダンスが極めて大きいMOSFETを前記PET基
板に組み込むことが必要となる。
上記MOSFETの如き半導体チップ部品をPET基板に組み
込み、リードを取り出す方法として、例えばワイヤボン
ディング法,フリップチップ法,ビームリード法,テー
プキャリア法等の手法がある。
込み、リードを取り出す方法として、例えばワイヤボン
ディング法,フリップチップ法,ビームリード法,テー
プキャリア法等の手法がある。
しかしながら、ワイヤボンディング法によれば、リー
ド部の機械的強度に欠け、信頼性の面で問題があるほ
か、PET基板のように比較的軟質の基板においては振動
吸収が大きく、超音波ボンディングが極めて困難である
といった制約がある。又、フリップチップ法等の手法は
信頼性は高いが、いずれも工程が複雑でありコストアッ
プになるといった欠点がある。
ド部の機械的強度に欠け、信頼性の面で問題があるほ
か、PET基板のように比較的軟質の基板においては振動
吸収が大きく、超音波ボンディングが極めて困難である
といった制約がある。又、フリップチップ法等の手法は
信頼性は高いが、いずれも工程が複雑でありコストアッ
プになるといった欠点がある。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、そ
の目的とするところは、リード部の機械的強度を強くで
き、信頼性の高い半導体チップ部品のリードを安価かつ
簡単な工程で形成でき、かつ、厚みをとらない配線パタ
ーンを有するコンパクトなイオン濃度測定用シート型電
極の製造方法を提供することにある。
の目的とするところは、リード部の機械的強度を強くで
き、信頼性の高い半導体チップ部品のリードを安価かつ
簡単な工程で形成でき、かつ、厚みをとらない配線パタ
ーンを有するコンパクトなイオン濃度測定用シート型電
極の製造方法を提供することにある。
上述の目的を達成するため、本願の特許請求の範囲第
(1)項に記載された発明(以下第1発明という)に係
るイオン濃度測定用シート型電極の製造方法は、絶縁性
を有する基板に形成された貫通孔内に、パッド部を形成
した半導体チップ部品を設け、該半導体チップ部品と前
記貫通孔の周壁との間に絶縁性樹脂を充填すると共に、
前記基板の一側の表面と前記パッド部の表面とが面一に
なるようにした半導体チップ部品の基板への組み込み工
程と、印刷法により導電性ペーストを塗布して、第1導
電部と、前記パッド部と電気的に接続された第2導電部
とを前記基板に形成する工程と、前記第1導電部の一端
部側を電極材料で被覆して測定用の内部電極部を形成す
る一方、他端部側をリード部とする工程と、前記第2導
電部の一端部側を電極材料で被覆して比較用の内部電極
部を形成する一方、その他端部側ならびに残りの第2導
電部の他端部側をリード部とする工程と、前記測定用の
内部電極部上にゲル状内部液を設け、かつ、このゲル状
内部液の上面にイオン応答膜を密着させることによりイ
オン濃度測定電極部を形成する工程と、前記比較用の内
部電極部上にゲル上内部液を設け、かつ、このゲル状内
部液の上面に液絡部を密着させることにより比較電極部
を形成する工程とを含む点に特徴がある。
(1)項に記載された発明(以下第1発明という)に係
るイオン濃度測定用シート型電極の製造方法は、絶縁性
を有する基板に形成された貫通孔内に、パッド部を形成
した半導体チップ部品を設け、該半導体チップ部品と前
記貫通孔の周壁との間に絶縁性樹脂を充填すると共に、
前記基板の一側の表面と前記パッド部の表面とが面一に
なるようにした半導体チップ部品の基板への組み込み工
程と、印刷法により導電性ペーストを塗布して、第1導
電部と、前記パッド部と電気的に接続された第2導電部
とを前記基板に形成する工程と、前記第1導電部の一端
部側を電極材料で被覆して測定用の内部電極部を形成す
る一方、他端部側をリード部とする工程と、前記第2導
電部の一端部側を電極材料で被覆して比較用の内部電極
部を形成する一方、その他端部側ならびに残りの第2導
電部の他端部側をリード部とする工程と、前記測定用の
内部電極部上にゲル状内部液を設け、かつ、このゲル状
内部液の上面にイオン応答膜を密着させることによりイ
オン濃度測定電極部を形成する工程と、前記比較用の内
部電極部上にゲル上内部液を設け、かつ、このゲル状内
部液の上面に液絡部を密着させることにより比較電極部
を形成する工程とを含む点に特徴がある。
また、本願の特許請求の範囲第(2)項に記載された
発明(以下第2発明という)に係るイオン濃度測定用シ
ート型電極の製造方法は、絶縁性を有する基板に印刷法
により導電性ペーストを塗布して、第1導電部と、第2
導電部とを予め前記基板に形成する工程と、前記基板に
形成された貫通孔内に、パッド部を形成した半導体チッ
プ部品を設け、該半導体チップ部品と前記貫通孔の周壁
との間に絶縁性樹脂を充填すると共に、前記基板に形成
された第1,第2導電部の表面と前記パッド部の表面とが
面一になるようにした半導体チップ部品の基板への組み
込み工程と、印刷法により導電性ペーストを塗布して前
記パッド部と前記第2導電部とを接続して第2導電部の
他端部側をリード部とする工程と、前記第1導電部の一
端部側を電極材料で被覆して測定用の内部電極部を形成
する工程と、前記第2導電部の一端部側を電極材料で被
覆して比較用の内部電極部を形成する工程と、前記測定
用の内部電極部上にゲル上内部液を設け、かつ、このゲ
ル状内部液の上面にイオン応答膜を密着させることによ
りイオン濃度測定電極部を形成する工程と、前記比較用
の内部電極部上にゲル状内部液を設け、かつ、このゲル
状内部液の上面に液絡部を密着させることにより比較電
極部を形成する工程とを含む点に特徴がある。
発明(以下第2発明という)に係るイオン濃度測定用シ
ート型電極の製造方法は、絶縁性を有する基板に印刷法
により導電性ペーストを塗布して、第1導電部と、第2
導電部とを予め前記基板に形成する工程と、前記基板に
形成された貫通孔内に、パッド部を形成した半導体チッ
プ部品を設け、該半導体チップ部品と前記貫通孔の周壁
との間に絶縁性樹脂を充填すると共に、前記基板に形成
された第1,第2導電部の表面と前記パッド部の表面とが
面一になるようにした半導体チップ部品の基板への組み
込み工程と、印刷法により導電性ペーストを塗布して前
記パッド部と前記第2導電部とを接続して第2導電部の
他端部側をリード部とする工程と、前記第1導電部の一
端部側を電極材料で被覆して測定用の内部電極部を形成
する工程と、前記第2導電部の一端部側を電極材料で被
覆して比較用の内部電極部を形成する工程と、前記測定
用の内部電極部上にゲル上内部液を設け、かつ、このゲ
ル状内部液の上面にイオン応答膜を密着させることによ
りイオン濃度測定電極部を形成する工程と、前記比較用
の内部電極部上にゲル状内部液を設け、かつ、このゲル
状内部液の上面に液絡部を密着させることにより比較電
極部を形成する工程とを含む点に特徴がある。
上記第1発明及び第2発明においては、印刷法により
導電性ペーストを塗布して、第1導電部と、半導体チッ
プ部品のパッド部と電気的に接続された第2導電部とを
基板に形成し、半導体チップ部品のリードの取り出しを
行うことができるので、リードの取り出しの工程が簡単
であり安価となる。そして、リードを含む第1,第2導電
部の形成が平面上で行われるので、十分な機械的強度を
有し、信頼性の高い半導体チップ部品のリードを形成す
ることができるとともに、厚みをとらない第1,第2導電
部を形成できる。特に、第1発明によれば、配線パター
ン(第1,2導電部)形成とリードの取り出しとを同時に
行うことができる。
導電性ペーストを塗布して、第1導電部と、半導体チッ
プ部品のパッド部と電気的に接続された第2導電部とを
基板に形成し、半導体チップ部品のリードの取り出しを
行うことができるので、リードの取り出しの工程が簡単
であり安価となる。そして、リードを含む第1,第2導電
部の形成が平面上で行われるので、十分な機械的強度を
有し、信頼性の高い半導体チップ部品のリードを形成す
ることができるとともに、厚みをとらない第1,第2導電
部を形成できる。特に、第1発明によれば、配線パター
ン(第1,2導電部)形成とリードの取り出しとを同時に
行うことができる。
また、消耗品である内部液をゲル状としたので、消耗
量を減らすことができて内部液の寿命を延ばせることが
できるとともに、内部液を収納するためのスペースを、
大容量の内部液収納部を必要とするゲル状としない内部
液の場合に比して小容量で済ますことができ、これによ
り、イオン濃度測定用シート型電極を容易に小型化でき
る。
量を減らすことができて内部液の寿命を延ばせることが
できるとともに、内部液を収納するためのスペースを、
大容量の内部液収納部を必要とするゲル状としない内部
液の場合に比して小容量で済ますことができ、これによ
り、イオン濃度測定用シート型電極を容易に小型化でき
る。
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明す
る。
る。
第1図は第1発明の半導体チップ部品の基板への組み
込み工程と、印刷法により導電性ペーストを塗布して、
第1導電部と第2導電部とを基板に形成する工程を示す
図、第2図はこの第1発明によって製造されるpH測定用
シート型電極を示す分解斜視図である。
込み工程と、印刷法により導電性ペーストを塗布して、
第1導電部と第2導電部とを基板に形成する工程を示す
図、第2図はこの第1発明によって製造されるpH測定用
シート型電極を示す分解斜視図である。
第2図において、1は電解物質を含有する溶液中に浸
漬しても十分に高い絶縁性を有する材料、例えばPETよ
りなる基板で、2はこの基板1に組み込まれた半導体チ
ップ部品としてのMOSFETである。3は基板1の測定電極
部側の上面に形成された第1導電部としての電極であ
り、4,5,6,7は基板1の比較電極部側の上面に形成され
た第2導電部としての電極である。
漬しても十分に高い絶縁性を有する材料、例えばPETよ
りなる基板で、2はこの基板1に組み込まれた半導体チ
ップ部品としてのMOSFETである。3は基板1の測定電極
部側の上面に形成された第1導電部としての電極であ
り、4,5,6,7は基板1の比較電極部側の上面に形成され
た第2導電部としての電極である。
前記MOSFET2の基板1への組み込み並びにリードの取
り出し工程及び第1導電部3、第2導電部4,5,6,7の形
成(所謂配線パターンの形成)工程について、第1図を
参照して説明する。
り出し工程及び第1導電部3、第2導電部4,5,6,7の形
成(所謂配線パターンの形成)工程について、第1図を
参照して説明する。
先ず、基板1の所定位置に所定大きさの貫通孔8を開
設する(同図(a)参照)。
設する(同図(a)参照)。
次いで、基板1の表面IUに粘着テープ9を貼着して貫
通孔8の表面側開口を閉鎖し、裏面1D側が上になるよう
に表裏反転する(同図(b)参照)。
通孔8の表面側開口を閉鎖し、裏面1D側が上になるよう
に表裏反転する(同図(b)参照)。
そして、パッド部2A,2Aが粘着テープ9に当接するよ
うに、MOSFET2を貫通孔8内の所定位置にセットする
が、このMOSFET2には予め次の処理が施してある。
うに、MOSFET2を貫通孔8内の所定位置にセットする
が、このMOSFET2には予め次の処理が施してある。
即ち、ベア(裸)状態のMOSFETチップを、ダイシング
前のウェハの状態において、その表面に感光性ポリイミ
ド前駆体を塗布し、フォトリソグラフィの手法によって
パッド部2A,2Aを除く全面において硬化させる。そし
て、このようにしたMOSFETチップをダイシングすること
によって、パッド部2A,2Aを除く全面が絶縁コートされ
たMOSFET2が得られる。
前のウェハの状態において、その表面に感光性ポリイミ
ド前駆体を塗布し、フォトリソグラフィの手法によって
パッド部2A,2Aを除く全面において硬化させる。そし
て、このようにしたMOSFETチップをダイシングすること
によって、パッド部2A,2Aを除く全面が絶縁コートされ
たMOSFET2が得られる。
上記のように前処理を施したMOSFET2を、そのパッド
部2A,2Aの表面が粘着テープ9に接するように貫通孔8
内の所定位置にセットし、貫通孔8の側壁とMOSFET2と
の間にポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,シリコン樹脂の
如き絶縁性樹脂10を隙間なく充填する(同図(c)参
照)。
部2A,2Aの表面が粘着テープ9に接するように貫通孔8
内の所定位置にセットし、貫通孔8の側壁とMOSFET2と
の間にポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,シリコン樹脂の
如き絶縁性樹脂10を隙間なく充填する(同図(c)参
照)。
そして、粘着テープ9を剥がして基板1の表面1Uを上
方になるようにすると、パッド部2A,2Aと基板1の表面1
Uとが面一(同一平面)になった状態で、MOSFET2が基板
1内に組み込まれたことになる(同図(d)参照)。
方になるようにすると、パッド部2A,2Aと基板1の表面1
Uとが面一(同一平面)になった状態で、MOSFET2が基板
1内に組み込まれたことになる(同図(d)参照)。
更に、基板1の表面1Uにグラフト加工及びシランカッ
プリング剤等によるアンカー処理を施した上で、前記表
面1UにAgペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷
することにより、前記パッド部2A,2Aと電気的に接続さ
れた第2導電部4(7),5(6)等を形成し、これを加
熱・硬化させた後、シリコン樹脂,エポキシ樹脂等によ
ってペッシベーション11を形成することにより、MOSFET
2の基板1への組み込みとそのリードの取り出し及び第
1導電部3、第2導電部4,5,6,7の形成が一挙に行われ
る(同図(e)参照)。
プリング剤等によるアンカー処理を施した上で、前記表
面1UにAgペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷
することにより、前記パッド部2A,2Aと電気的に接続さ
れた第2導電部4(7),5(6)等を形成し、これを加
熱・硬化させた後、シリコン樹脂,エポキシ樹脂等によ
ってペッシベーション11を形成することにより、MOSFET
2の基板1への組み込みとそのリードの取り出し及び第
1導電部3、第2導電部4,5,6,7の形成が一挙に行われ
る(同図(e)参照)。
その後、測定用の内部電極部12を形成する工程と、比
較用の内部電極部13を形成する工程と、イオン濃度測定
電極部Pを形成する工程と、比較電極部Rを形成する工
程が施され、第2図に示すようなpH測定用シート型電極
を得ることができる。
較用の内部電極部13を形成する工程と、イオン濃度測定
電極部Pを形成する工程と、比較電極部Rを形成する工
程が施され、第2図に示すようなpH測定用シート型電極
を得ることができる。
すなわち、第2図において、12は、基板1の略中央部
に形成された第1導電部3の一端部側に形成された測定
用の内部電極部で、他端部側をリード部3Aとしてある。
13は、第2導電部4,5,6,7の内記基板1の略中央部に形
成された導電部4の一端部側に形成された比較用の内部
電極部で、その他端部側ならびに残りの第2導電部5,6,
7の他端部側をそれぞれリード部4A、5A,6A,7Aとしてあ
る。
に形成された第1導電部3の一端部側に形成された測定
用の内部電極部で、他端部側をリード部3Aとしてある。
13は、第2導電部4,5,6,7の内記基板1の略中央部に形
成された導電部4の一端部側に形成された比較用の内部
電極部で、その他端部側ならびに残りの第2導電部5,6,
7の他端部側をそれぞれリード部4A、5A,6A,7Aとしてあ
る。
そして、14は基板1と同様にPETからなる支持層で、
内部電極部12,13にそれぞれ対応する位置に後述するゲ
ル状内部液17,18を収納する貫通孔15,16が開設してあ
る。この支持層14は十分に高い絶縁性(例えば10MΩ以
上)を保証し得る接合剤(例えばポリオレフィン系,シ
リコン樹脂系等)を用いて熱融着手段によって、基板1
の表面1U側に設けられており、この支持層14の上面にも
グラフト加工及びシランカップリング剤等によるアンカ
ー処理が施されている。
内部電極部12,13にそれぞれ対応する位置に後述するゲ
ル状内部液17,18を収納する貫通孔15,16が開設してあ
る。この支持層14は十分に高い絶縁性(例えば10MΩ以
上)を保証し得る接合剤(例えばポリオレフィン系,シ
リコン樹脂系等)を用いて熱融着手段によって、基板1
の表面1U側に設けられており、この支持層14の上面にも
グラフト加工及びシランカップリング剤等によるアンカ
ー処理が施されている。
17,18は貫通孔15,16にそれぞれ挿入配置される例えば
円盤状のゲル状内部液で、基本的な内部液(例えばAgCl
過飽和の3.3N−KClに燐酸緩衝液を加えたもの等)に、
ゲル化剤(例えば寒天,ゼラチン,ニカワ,アルギン
酸,各種アクリル系吸水ポリマー等)とゲル蒸発防止剤
(例えばグリセリンやエチレングリコール等)を添加し
てなるもので、これらゲル状内部液17,18は例えば加熱
によりペースト状とした状態で、スクリーン印刷法等に
より、その自由状態においてその上面が支持層14の上面
よりも若干突出する状態に充填されて、内部電極部12,1
3上に設けられている。
円盤状のゲル状内部液で、基本的な内部液(例えばAgCl
過飽和の3.3N−KClに燐酸緩衝液を加えたもの等)に、
ゲル化剤(例えば寒天,ゼラチン,ニカワ,アルギン
酸,各種アクリル系吸水ポリマー等)とゲル蒸発防止剤
(例えばグリセリンやエチレングリコール等)を添加し
てなるもので、これらゲル状内部液17,18は例えば加熱
によりペースト状とした状態で、スクリーン印刷法等に
より、その自由状態においてその上面が支持層14の上面
よりも若干突出する状態に充填されて、内部電極部12,1
3上に設けられている。
19は水素イオンに対してのみ応答する選択性イオン応
答膜で、その下面がゲル状内部液17の上面に密着し、か
つ、このゲル状内部液17が貫通孔15内に密封される状態
に、十分高い絶縁性を有する接合材料(例えばシランカ
ップリング剤等を含むシリコン系,エポキシ系,ウレタ
ン系等の有機高分子接着剤)を用いて、その周囲におい
て支持層14の上面に固着してあり、pH測定電極Pを構成
している。
答膜で、その下面がゲル状内部液17の上面に密着し、か
つ、このゲル状内部液17が貫通孔15内に密封される状態
に、十分高い絶縁性を有する接合材料(例えばシランカ
ップリング剤等を含むシリコン系,エポキシ系,ウレタ
ン系等の有機高分子接着剤)を用いて、その周囲におい
て支持層14の上面に固着してあり、pH測定電極Pを構成
している。
20はKClを含浸させた無機焼結多孔体又は有機高分子
多孔体等からなる液絡膜で、その下面がゲル状内部液18
の上面に密着し、このゲル状内部液18が貫通孔16内に密
封される状態に、前記接合材料を用いてその周囲におい
て支持層14の上面に固着してあり、比較電極Rを構成し
ている。
多孔体等からなる液絡膜で、その下面がゲル状内部液18
の上面に密着し、このゲル状内部液18が貫通孔16内に密
封される状態に、前記接合材料を用いてその周囲におい
て支持層14の上面に固着してあり、比較電極Rを構成し
ている。
そして、上記のように製造されたpH測定用シート型電
極は、本例ではその厚みが0.5mm程度のものとされ、第
5図に示すように、pH測定電極P、比較電極Rを上面側
に開放させ、かつ、リード部3A,4A,5A,6A,7Aが形成され
ている基板1の一端縁部1Aを外側方に突出させた状態
で、樹脂製のケーシング21に収容され、チップ状の電極
ユニット22に形成される。
極は、本例ではその厚みが0.5mm程度のものとされ、第
5図に示すように、pH測定電極P、比較電極Rを上面側
に開放させ、かつ、リード部3A,4A,5A,6A,7Aが形成され
ている基板1の一端縁部1Aを外側方に突出させた状態
で、樹脂製のケーシング21に収容され、チップ状の電極
ユニット22に形成される。
以上説明した実施例の半導体チップ部品の基板への組
み込み工程と、第1,第2導電部形成工程においては、絶
縁性を有する基板1に形成された貫通孔8に、パッド部
2A,2Aを形成したMOSFET2を設け、このMOSFET2と貫通孔
8の周壁との間の隙間に絶縁性樹脂10を充填すると共
に、基板1の表面1Uとパッド部2A,2Aの表面とが面一に
なるようにし、更に、スクリーン印刷法により導電性ペ
ーストを塗布してパッド部2A,2Aと電気的に接続された
第1導電部3、第2導電部4,5,6,7を基板1に形成する
ようにしているので、MOSFET2のリードの取り出しと配
線パターンの形成を同時に行うことができるといった優
れた効果を奏すると共に、従来のリード取り出し方法に
比べて工程が簡略化されているので、リードの取り出し
を極めて簡単に行うことができる。又、リード部3Aを含
む第1導電部3,リード部4A,5A,6A,7A3Aを含む第2導電
部4,5,6,7の形成を平面上で行えるため十分な機械的強
度を有し、信頼性の高いリード部3A,4A,5A,6A,7Aを形成
することができるものであり、また、厚みをとらない第
1導電部3、第2導電部4,5,6,7を形成できる。
み込み工程と、第1,第2導電部形成工程においては、絶
縁性を有する基板1に形成された貫通孔8に、パッド部
2A,2Aを形成したMOSFET2を設け、このMOSFET2と貫通孔
8の周壁との間の隙間に絶縁性樹脂10を充填すると共
に、基板1の表面1Uとパッド部2A,2Aの表面とが面一に
なるようにし、更に、スクリーン印刷法により導電性ペ
ーストを塗布してパッド部2A,2Aと電気的に接続された
第1導電部3、第2導電部4,5,6,7を基板1に形成する
ようにしているので、MOSFET2のリードの取り出しと配
線パターンの形成を同時に行うことができるといった優
れた効果を奏すると共に、従来のリード取り出し方法に
比べて工程が簡略化されているので、リードの取り出し
を極めて簡単に行うことができる。又、リード部3Aを含
む第1導電部3,リード部4A,5A,6A,7A3Aを含む第2導電
部4,5,6,7の形成を平面上で行えるため十分な機械的強
度を有し、信頼性の高いリード部3A,4A,5A,6A,7Aを形成
することができるものであり、また、厚みをとらない第
1導電部3、第2導電部4,5,6,7を形成できる。
また、消耗品である内部液をゲル状としたので、消耗
量を減らすことができて内部液17を寿命を延ばせること
ができるとともに、内部液17を収納するためのスペース
を、大容量の内部液収納部を必要とするゲル状としない
内部液の場合に比して小容積の貫通孔15,16で済ますこ
とができ、これにより、イオン濃度測定用シート型電極
を容易に小型化できる。
量を減らすことができて内部液17を寿命を延ばせること
ができるとともに、内部液17を収納するためのスペース
を、大容量の内部液収納部を必要とするゲル状としない
内部液の場合に比して小容積の貫通孔15,16で済ますこ
とができ、これにより、イオン濃度測定用シート型電極
を容易に小型化できる。
上述の第1発明では、半導体チップ部品の基板への組
み込み工程と、第1,第2導電部形成工程において、MOSF
ET2の基板1への組み込み後、基板1における配線パタ
ーンの形成とMOSFET2のリードの取り出しを同時に行う
ようにしたものであったが、基板1に配線パターンを予
め形成しておき、MOSFET2の組み込み後、リードの取り
出しを行いMOSFET2のパッド部2A,2Aと導電部とを接続す
るようにしてもよい。
み込み工程と、第1,第2導電部形成工程において、MOSF
ET2の基板1への組み込み後、基板1における配線パタ
ーンの形成とMOSFET2のリードの取り出しを同時に行う
ようにしたものであったが、基板1に配線パターンを予
め形成しておき、MOSFET2の組み込み後、リードの取り
出しを行いMOSFET2のパッド部2A,2Aと導電部とを接続す
るようにしてもよい。
第3図及び第4図は、このようにMOSFET2の組み込み
後、リードの取り出しを行うようにした第2発明をそれ
ぞれ示す工程図及び分解斜視図である。
後、リードの取り出しを行うようにした第2発明をそれ
ぞれ示す工程図及び分解斜視図である。
本第2発明においては、基板1の表面1Uには、導電性
ペーストをスクリーン印刷することによって、第1導電
部3と、第2導電部4,5,6,7とを予め基板1に形成して
ある(第4図参照)。
ペーストをスクリーン印刷することによって、第1導電
部3と、第2導電部4,5,6,7とを予め基板1に形成して
ある(第4図参照)。
而して、上記基板1の所定位置に所定の大きさの貫通
孔8を開設する(第3図(a)参照)。
孔8を開設する(第3図(a)参照)。
次いで、第2導電部4(7),5(6)の上部から粘着
テープ9の貼着して貫通孔8の表面側開口を閉鎖し、裏
面1Dが上になるように表裏反転する(同図(b)参
照)。
テープ9の貼着して貫通孔8の表面側開口を閉鎖し、裏
面1Dが上になるように表裏反転する(同図(b)参
照)。
そして、前処理を施したMOSFET2を、そのパッド部2A,
2Aの表面が粘着テープ9に接するように貫通孔8内の所
定位置にセットする。即ち、パッド部2A,2Aの表面と基
板1と第1導電部3と、第2導電部4,5,6,7とが面一に
なるように、MOSFET2をセットする。しかる後、貫通孔
8の側壁とMOSFET2との間にポリイミド樹脂,エポキシ
樹脂,シリコン樹脂の如き絶縁性樹脂10を隙間なく充填
する(同図(c)参照)。
2Aの表面が粘着テープ9に接するように貫通孔8内の所
定位置にセットする。即ち、パッド部2A,2Aの表面と基
板1と第1導電部3と、第2導電部4,5,6,7とが面一に
なるように、MOSFET2をセットする。しかる後、貫通孔
8の側壁とMOSFET2との間にポリイミド樹脂,エポキシ
樹脂,シリコン樹脂の如き絶縁性樹脂10を隙間なく充填
する(同図(c)参照)。
そして、粘着テープ9を剥がして基板1の表面1Uを上
方になるようにすると、パッド部2A,2Aと基板1の第1
導電部3と、第2導電部4,5,6,7とが面一になった状態
で、MOSFET2が基板1内に組み込まれたことになる(同
図(d)参照)。
方になるようにすると、パッド部2A,2Aと基板1の第1
導電部3と、第2導電部4,5,6,7とが面一になった状態
で、MOSFET2が基板1内に組み込まれたことになる(同
図(d)参照)。
更に、グラフト加工及びシランカップリング剤等によ
るアンカー処理を施してある基板1の表面1UにAgペース
ト等の導電性ペーストをスクリーン印刷することによ
り、前記パッド部2A,2Aと第2導電部4(7),5(6)
との間を接続する導電接続部23,23を形成し、これを加
熱・硬化させた後、シリコン樹脂,エポキシ樹脂等によ
ってパッシベーション11を形成することにより、MOSFET
2の基板1への組み込みとそのリードの取り出しが完了
する。
るアンカー処理を施してある基板1の表面1UにAgペース
ト等の導電性ペーストをスクリーン印刷することによ
り、前記パッド部2A,2Aと第2導電部4(7),5(6)
との間を接続する導電接続部23,23を形成し、これを加
熱・硬化させた後、シリコン樹脂,エポキシ樹脂等によ
ってパッシベーション11を形成することにより、MOSFET
2の基板1への組み込みとそのリードの取り出しが完了
する。
そして、測定用の内部電極部12を形成する工程と、比
較用の内部電極部13を形成する工程と、イオン濃度測定
電極部Pを形成する工程と、比較電極部Rを形成する工
程は上記第1発明と同様に施され、pH測定用シート型電
極を製造できる。
較用の内部電極部13を形成する工程と、イオン濃度測定
電極部Pを形成する工程と、比較電極部Rを形成する工
程は上記第1発明と同様に施され、pH測定用シート型電
極を製造できる。
この第2発明によれば、絶縁性を有する基板1に形成
された貫通孔8内に、パッド部2A,2Aを形成したMOSFET2
を設け、該MOSFET2と貫通孔8の周壁との間に絶縁性樹
脂10を充填すると共に、基板1に形成された第1導電部
3と第2導電部4,5,6,7の表面とパッド部2A,2Aの表面と
が面一になるようにし、更に、印刷法により導電性ペー
ストを塗布してパッド部2A,2Aと第2導電部4(7),5
(6)とを接続するようにしているので、従来のリード
取り出し方法と比べて工程が簡略化され、リードの取り
出しを極めて簡単に行うことができる。又、リード部3A
を含む第1導電部3、リード部4A,5A,6A,7A3Aを含む第
2導電部4,5,6,7の形成を平面上で行えるため十分な機
械的強度を有し、信頼性の高いリードを形成することが
できるものであり、また、厚みをとらない第1導電部
3、第2導電部4,5,6,7を得ることができる。
された貫通孔8内に、パッド部2A,2Aを形成したMOSFET2
を設け、該MOSFET2と貫通孔8の周壁との間に絶縁性樹
脂10を充填すると共に、基板1に形成された第1導電部
3と第2導電部4,5,6,7の表面とパッド部2A,2Aの表面と
が面一になるようにし、更に、印刷法により導電性ペー
ストを塗布してパッド部2A,2Aと第2導電部4(7),5
(6)とを接続するようにしているので、従来のリード
取り出し方法と比べて工程が簡略化され、リードの取り
出しを極めて簡単に行うことができる。又、リード部3A
を含む第1導電部3、リード部4A,5A,6A,7A3Aを含む第
2導電部4,5,6,7の形成を平面上で行えるため十分な機
械的強度を有し、信頼性の高いリードを形成することが
できるものであり、また、厚みをとらない第1導電部
3、第2導電部4,5,6,7を得ることができる。
また、消耗品である内部液をゲル状としたので、消耗
量を減らすことができて内部液17の寿命を延ばせること
ができるとともに、内部液17を収納するためのスペース
を、大容量の内部液収納部を必要とするゲル状としない
内部液の場合に比して小容積の貫通孔15,16で済ますこ
とができ、これにより、pH測定用シート型電極を容易に
小型化できる。
量を減らすことができて内部液17の寿命を延ばせること
ができるとともに、内部液17を収納するためのスペース
を、大容量の内部液収納部を必要とするゲル状としない
内部液の場合に比して小容積の貫通孔15,16で済ますこ
とができ、これにより、pH測定用シート型電極を容易に
小型化できる。
このように、第1,2発明においては、イオン濃度測定
電極部Pおよび比較電極部Rを含むpH測定用シート型電
極全体の構造をコンパクトにできて、小型化を図るのが
容易である。
電極部Pおよび比較電極部Rを含むpH測定用シート型電
極全体の構造をコンパクトにできて、小型化を図るのが
容易である。
尚、上記第1及び第2の発明は種々変形して実施する
ことが可能で、例えば基板1して上記PETのほかに、ポ
リエチレン,ポリプロピレン,アクリル,ポリフッ化エ
チレン等の有機高分子材料や、石英ガラス、パイレック
ス(商標名)ガラス等の無機材料を用いてもよい。
ことが可能で、例えば基板1して上記PETのほかに、ポ
リエチレン,ポリプロピレン,アクリル,ポリフッ化エ
チレン等の有機高分子材料や、石英ガラス、パイレック
ス(商標名)ガラス等の無機材料を用いてもよい。
又、第1,第2導電部の形成に際して用いる印刷法とし
ては上記スクリーン印刷のほかに、直接描画法があり、
直接描画法によればより微細なパターン形成が可能とな
る。
ては上記スクリーン印刷のほかに、直接描画法があり、
直接描画法によればより微細なパターン形成が可能とな
る。
更に、導電性ペーストとしては上記Agペーストのほか
に、カーボンペースト,Cuペースト等を用いてもよい。
に、カーボンペースト,Cuペースト等を用いてもよい。
尚、本発明は、上記pH測定用シート型電極以外のイオ
ン濃度測定用シート型電極の製造にも適用できることは
云うまでもない。
ン濃度測定用シート型電極の製造にも適用できることは
云うまでもない。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明に係る方法においては、
印刷法により導電性ペーストを塗布して、第1導電部
と、半導体チップ部品のパッド部と電気的に接続された
第2導電部とを基板に形成し、半導体チップ部品のリー
ドの取り出しを行うことができるので、リードの取り出
しの工程が簡単であり安価となる。そして、リードを含
む第1,第2導電部の形成が平面上で行われるので、十分
な機械的強度を有し、信頼性の高い半導体チップ部品の
リードを形成することができるとともに、厚みをとらな
い第1,第2導電部を形成できる。特に、第1発明によれ
ば、配線パターン(第1,第2導電部)形成とリードの取
り出しとを同時に行うことができる。
印刷法により導電性ペーストを塗布して、第1導電部
と、半導体チップ部品のパッド部と電気的に接続された
第2導電部とを基板に形成し、半導体チップ部品のリー
ドの取り出しを行うことができるので、リードの取り出
しの工程が簡単であり安価となる。そして、リードを含
む第1,第2導電部の形成が平面上で行われるので、十分
な機械的強度を有し、信頼性の高い半導体チップ部品の
リードを形成することができるとともに、厚みをとらな
い第1,第2導電部を形成できる。特に、第1発明によれ
ば、配線パターン(第1,第2導電部)形成とリードの取
り出しとを同時に行うことができる。
また、消耗品である内部液をゲル状としたので、消耗
量を減らすことができて内部液の寿命を延ばせることが
できるとともに、内部液を収納するためのスペースを、
大容量の内部液収納部を必要とするゲル状としない内部
液の場合に比して小容量で済ますことができ、これによ
り、イオン濃度測定用シート型電極を容易に小型化でき
る。
量を減らすことができて内部液の寿命を延ばせることが
できるとともに、内部液を収納するためのスペースを、
大容量の内部液収納部を必要とするゲル状としない内部
液の場合に比して小容量で済ますことができ、これによ
り、イオン濃度測定用シート型電極を容易に小型化でき
る。
したがって、イオン濃度測定電極部および比較電極部
を含むイオン濃度測定用シート型電極全体の構造をコン
パクトにできて、小型化を図るのが容易である。
を含むイオン濃度測定用シート型電極全体の構造をコン
パクトにできて、小型化を図るのが容易である。
第1図は第1発明の半導体チップ部品の基板への組み込
み工程および第1,2導電部形成工程を示す図、第2図は
この第1発明によって製造されるpH測定用シート型電極
を示す分解斜視図である。 第3図は第2発明の半導体チップ部品の基板への組み込
み工程および第1,2導電部形成工程を示す工程図、第4
図は半導体チップ部品組込み前のpH測定用シート型電極
を示す分解斜視図である。 第5図は第1発明又は第2発明によって製造されるpH測
定用シート型電極の外観を示す斜視図である。 1……基板、2……半導体チップ部品、2A……パッド
部、3……第1導電部,3A……第1導電部のリード部、
4,5,6,7……第2導電部、4A,5A,6A,7A……第2導電部の
リード部、8……貫通孔、10……絶縁性樹脂、12,13…
…内部電極部、17,18……ゲル状内部液、19……選択性
イオン応答膜、20……液絡膜、P……イオン濃度測定電
極部、R……比較電極部。
み工程および第1,2導電部形成工程を示す図、第2図は
この第1発明によって製造されるpH測定用シート型電極
を示す分解斜視図である。 第3図は第2発明の半導体チップ部品の基板への組み込
み工程および第1,2導電部形成工程を示す工程図、第4
図は半導体チップ部品組込み前のpH測定用シート型電極
を示す分解斜視図である。 第5図は第1発明又は第2発明によって製造されるpH測
定用シート型電極の外観を示す斜視図である。 1……基板、2……半導体チップ部品、2A……パッド
部、3……第1導電部,3A……第1導電部のリード部、
4,5,6,7……第2導電部、4A,5A,6A,7A……第2導電部の
リード部、8……貫通孔、10……絶縁性樹脂、12,13…
…内部電極部、17,18……ゲル状内部液、19……選択性
イオン応答膜、20……液絡膜、P……イオン濃度測定電
極部、R……比較電極部。
Claims (2)
- 【請求項1】絶縁性を有する基板に形成された貫通孔内
に、パッド部を形成した半導体チップ部品を設け、該半
導体チップ部品と前記貫通孔の周壁との間に絶縁性樹脂
を充填すると共に、前記基板の一側の表面と前記パッド
部の表面とが面一になるようにした半導体チップ部品の
基板への組み込み工程と、印刷法により導電性ペースト
を塗布して、第1導電部と、前記パッド部と電気的に接
続された第2導電部とを前記基板に形成する工程と、前
記第1導電部の一端部側を電極材料で被覆して測定用の
内部電極部を形成する一方、他端部側をリード部とする
工程と、前記第2導電部の一端部側を電極材料で被覆し
て比較用の内部電極部を形成する一方、その他端部側な
らびに残りの第2導電部の他端部側をリード部とする工
程と、前記測定用の内部電極部上にゲル状内部液を設
け、かつ、このゲル状内部液の上面にイオン応答膜を密
着させることによりイオン濃度測定電極部を形成する工
程と、前記比較用の内部電極部上にゲル状内部液を設
け、かつ、このゲル状内部液の上面に液絡部を密着させ
ることにより比較電極部を形成する工程とを含むことを
特徴とするイオン濃度測定用シート型電極の製造方法。 - 【請求項2】絶縁性を有する基板に印刷法により導電性
ペーストを塗布して、第1導電部と、第2導電部とを予
め前記基板に形成する工程と、前記基板に形成された貫
通孔内に、パッド部を形成した半導体チップ部品を設
け、該半導体チップ部品と前記貫通孔の周壁との間に絶
縁性樹脂を充填すると共に、前記基板に形成された第1,
第2導電部の表面と前記パッド部の表面とが面一になる
ようにした半導体チップ部品の基板への組み込み工程
と、印刷法により導電性ペーストを塗布して前記パッド
部と前記第2導電部とを接続して第2導電部の他端部側
をリード部とする工程と、前記第1導電部の一端部側を
電極材料で被覆して測定用の内部電極部を形成する工程
と、前記第2導電部の一端部側を電極材料で被覆して比
較用の内部電極部を形成する工程と、前記測定用の内部
電極部上にゲル状内部液を設け、かつ、このゲル状内部
液の上面にイオン応答膜を密着させることによりイオン
濃度測定電極部を形成する工程と、前記比較用の内部電
極部上にゲル状内部液を設け、かつ、このゲル状内部液
の上面に液絡部を密着させることにより比較電極部を形
成する工程とを含むことを特徴とするイオン濃度測定用
シート型電極の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62168378A JPH0821672B2 (ja) | 1987-07-04 | 1987-07-04 | イオン濃度測定用シート型電極の製造方法 |
US07/196,139 US4850105A (en) | 1987-07-04 | 1988-05-19 | Method of taking out lead of semiconductor tip part |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62168378A JPH0821672B2 (ja) | 1987-07-04 | 1987-07-04 | イオン濃度測定用シート型電極の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6411357A JPS6411357A (en) | 1989-01-13 |
JPH0821672B2 true JPH0821672B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15866990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62168378A Expired - Lifetime JPH0821672B2 (ja) | 1987-07-04 | 1987-07-04 | イオン濃度測定用シート型電極の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4850105A (ja) |
JP (1) | JPH0821672B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5193144A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Shimano, Inc. | Fuzzy system |
US5149958A (en) * | 1990-12-12 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Optoelectronic device component package |
US5521425A (en) * | 1990-12-21 | 1996-05-28 | Hewlett-Packard Company | Tape automated bonded (TAB) circuit |
JP2816028B2 (ja) * | 1991-02-18 | 1998-10-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5255430A (en) * | 1992-10-08 | 1993-10-26 | Atmel Corporation | Method of assembling a module for a smart card |
DE4336501A1 (de) * | 1993-10-26 | 1995-04-27 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Ausweiskarten mit elektronischen Modulen |
AU6541996A (en) * | 1996-06-24 | 1998-01-14 | International Business Machines Corporation | Stacked semiconductor device package |
US6916682B2 (en) * | 2001-11-08 | 2005-07-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor package device for use with multiple integrated circuits in a stacked configuration and method of formation and testing |
WO2009001280A2 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method for the production of a microelectronic sensor device |
JP2010258300A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の配線構造および電子部品の製造方法 |
US8469271B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-06-25 | Intellipaper, Llc | Electronic storage devices, programming methods, and device manufacturing methods |
US8523071B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-09-03 | Intellipaper, Llc | Electronic assemblies and methods of forming electronic assemblies |
US8469280B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-06-25 | Intellipaper, Llc | Programming devices and programming methods |
WO2011127183A2 (en) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Intellipaper , Llc | Memomy programming methods and memory programming devices |
US10431955B2 (en) * | 2014-04-25 | 2019-10-01 | Lmd Power Of Light Corp | Laser core having conductive mass electrical connection |
US10206288B2 (en) * | 2015-08-13 | 2019-02-12 | Palo Alto Research Center Incorporated | Bare die integration with printed components on flexible substrate |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3480836A (en) * | 1966-08-11 | 1969-11-25 | Ibm | Component mounted in a printed circuit |
US3570115A (en) * | 1968-05-06 | 1971-03-16 | Honeywell Inc | Method for mounting electronic chips |
JPS52154358A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-22 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
JPS531859A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-10 | Seiko Instr & Electronics | Circuit block |
US4300153A (en) * | 1977-09-22 | 1981-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flat shaped semiconductor encapsulation |
JPS5591835A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-11 | Seiko Epson Corp | Electronic device |
JPS5896760A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Clarion Co Ltd | 半導体装置の製法 |
JPS58159355A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS5932161A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
US4635356A (en) * | 1984-12-28 | 1987-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a circuit module |
JPS61271895A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | 松下電工株式会社 | セラミツク配線基板の製法 |
JP2593030B2 (ja) * | 1992-12-04 | 1997-03-19 | 本州製紙株式会社 | 紙製パレット及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-07-04 JP JP62168378A patent/JPH0821672B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-19 US US07/196,139 patent/US4850105A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4850105A (en) | 1989-07-25 |
JPS6411357A (en) | 1989-01-13 |
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