KR20050017585A - 고밀도 플라즈마 증착법을 이용한 갭필 방법 - Google Patents
고밀도 플라즈마 증착법을 이용한 갭필 방법Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 49
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- -1 NF 3 Substances 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76837—Filling up the space between adjacent conductive structures; Gap-filling properties of dielectrics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31608—Deposition of SiO2
- H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
- H01L21/76227—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials the dielectric materials being obtained by full chemical transformation of non-dielectric materials, such as polycristalline silicon, metals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
고밀도 플라즈마 증착법을 이용한 갭필 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면 갭을 포함하는 기판의 상부에 산소(O2) 및 시레인(SiH4)을 포함하는 반응가스를 이용하여 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 증착한다. 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 NF3를 포함하는 식각가스를 이용하여 소정 두께만큼 식각하고, 산소(O2), 시레인(SiH4
) 및 불화질소(NF3)를 반응가스로 이용하여 제1 고밀도 플라즈마 산화막 상부에 제2 고밀도 플라즈마 산화막을 증착한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로써, 더 구체적으로 고밀도 플라즈마 증착법을 이용하여 기판 상에 형성된 패턴들 사이의 갭에 산화막을 채우기 위한 갭필 방법에 과한 것이다.
고밀도 플라즈마 증착법(HDPCVD;High Density Plasma Chemical Vapor Deposition)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에 비하여 낮은 압력에서 높은 플라즈마 파워에 의해 플라즈마를 유도하기 때문에 반응챔버 내부에 높은 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 또한, 증착막의 표면에 이온이 충돌함으로써 막의 증착과 동시에 식각이 이루어지고, 플라즈마의 진행방향에 수직인 면의 증착속도가 빠르기 때문에 우수한 갭 필 특성을 나타낸다.
그러나, 종래의 고밀도 플라즈마 증착법은 스퍼터된 물질이 반대편 측벽에 재증착되어 오버행을 형성하고, 오버행이 갭의 입구를 막아서 절연막 내에 보이드를 발생시키는 원인이된다. 또한, 식각 소오스로 사용되는 아르곤의 높은 원자량으로 인하여 하지막이 식각되는 클리핑(cliping)이 발생되는 문제점을 가지고 있다.
이러한 고밀도 플라즈마 증착법의 문제점을 극복하기 위하여 미합중국 특허번호 6,395,150호 (U.S. Pat. No. 6,395,150 entitled "VERY HIGH ASPECT RATIO GAPFILL USING HDP")는 식각소오스로 작용하는 아르곤을 원자량이 작은 헬륨으로 치환함으로써 스퍼터되는 물질의 재증착을 감소시키는 방법을 개시하고 있다.
도 1 내지 도 4는 미합중국 특허번호 6,395,150호에 개시된 갭필 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 회로 소자들(circuit elements; 520)이 그 사에 갭(510)을 만들면서 형성된다. 상기 회로 소자(520)는 트랜지스터, 컨덕터 또는 배선일 수 있다. 상기 갭(510)은 2.5:1 이상의 높은 종횡비를 가지고, 고밀도플라즈마 증착을 이용하여 채워진다.
도 2를 참조하면, 산소, 헬륨 및 시레인을 반응가스로 사용하여 절연막(525)를 계속 성장시킨다. 일반적인 고밀도 플라즈마 증착법과 달리 이 방법은 스퍼터링 소오스로 작용하는 아르곤을 사용하지 않고, 헬륨을 사용한다. 스퍼터링 소오스가 감소되더라도 회로 소자(520)의 모서리에는 패싯(530)이 형성된다. 그러나, 식각 물질이 줄어들었기 때문에 상기 패싯(530)은 상기 회로 소자(520)의 모서리로부터 먼 거리에 형성되어 더 많은 절연막(525)가 표면에 형성된다.
계속해서, 도 3 및 도 4를 참조하면, 아르곤을 헬륨으로 치환하여 증착한 결과 측벽의 재증착을 감소시켜 오버행(overhang) 또는 첨단(cusp)이 형성되는 것을 방지할 수 있고 보이드 또는 클리핑을 일으키지 않고 높은 종횡비의 갭을 매립한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고밀도 플라즈마 산화막으로 보이드 없이 갭을 매립할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 고밀도 플라즈마 산화막으로 하지막의 클리핑을 일으키지 않고 갭을 매립할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제들은 증착과 식각을 반복적으로 실시하는 고밀도 플라즈마 산화막 증착법에 의해 달성되어질 수 있다. 이 방법은 갭을 포함하는 기판의 상부에 산소(O2) 및 시레인(SiH4)을 포함하는 반응가스를 이용하여 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 증착하는 것을 포함한다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 NF3를 포함하는 식각가스를 이용하여 소정 두께만큼 식각하고, 산소(O2), 시레인(SiH4) 및 불화질소(NF3)를 반응가스로 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막 상부에 제2 고밀도 플라즈마 산화막을 증착한다. 상기 제1 플라즈마 산화막 증착 및 식각과 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막 증착은 인-시튜로 진행할 수 있다.
상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막은 상기 갭에 보이드가 발생하지 않을 만큼의 두께로 증착하는 것이 바람직하고, 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막은 화학적 건식식각법(Chemical Dry Etching)을 이용하여 식각할 수 있다. 이 때, 불화질소(NF3)와 함께 수소(H2)를 식각가스에 더 포함할 수도 있다. 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막은 650℃ 내지 800℃에서 증착함으로써 하지막의 클리핑을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 갭필 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 갭필 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 5의 S1 및 도 6을 참조하면, 반도체 기판(100)에 갭(103)을 갖는 복수개의 패턴들(102)을 형성한다. 상기 패턴들(102)은 소자분리를 위한 트렌치 패턴, 트랜지스터의 게이트 패턴 또는 배선 패턴일 수 있다. 상기 갭(103)을 포함하는 기판(100)의 상부에 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)을 형성한다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)은 시레인 및 산소를 포함하는 포함하는 반응가스를 사용하여 증착할 수 있다. 예컨대, 시레인 10 내지 300 sccm, 산소 10 내지 300 sccm, 헬륨 및 아르곤 중 한가지 또는 이들의 혼합가스 0 내지 500 sccm을 공급하고, 1.5 내지 5.0 mTorr의 낮은 압력에서 증착공정을 수행할 수 있다. 더 바람직하게는 산소와 시레인의 공급비(O2/SiH4)가 1.0 내지 2.5일 때 안정된 산화막을 증착할 수 있다. 이 때, 플라즈마 파워는 3000 내지 15000 Watt, 바이어스 파워는 0 내지 3000 Watt를 가해줄 수 있다. 시레인 및 산소는 증착 소오스로써 상기 기판(100)의 상부에 산화막을 증착시키고, 이와 동시에 산소 및 불활성 가스로 공급되는 헬륨 또는 아르곤은 이 산화막의 표면에 충돌하여 스퍼터링에 의해 증착된 산화막의 식각이 수행된다. 고밀도 플라즈마 산화막 증착 과정에서 스퍼터된 산화막은 반대편 측벽에 재증착되어 오버행(105)이 형성된다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)은 상기 오버행(105)에 의해 갭의 입구가 막혀 보이드가 발생되지 않을 만큼의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 종횡비가 높을 수록 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)은 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)은 갭 깊이의 10 내지 80 % 정도 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 증착 초기에 증착에 대한 식각 비(E/D비)를 낮춰 패턴들(102) 및 기판(100)의 표면이 손상되는 클리핑(clipping)이 발생하는 것을 방지하는 것이 바람직하다. E/D비는 바이어스 파워를 낮추거나, 원자량이 작은 헬륨을 불활성 가스로 사용함으로써 낮출 수 있다.
도 5의 S2 및 도 7을 참조하면, 불화질소(NF3)를 포함하는 식각가스를 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)을 소정 두께 식각한다. 이 때, 상기 오버행(105)을 제거하고 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)이 증착된 갭(103)의 종횡비를 낮추기 위하여, 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)은 화학적 건식식각법(chemical dry etching)을 사용하여 식각하는 것이 바람직하다. 상기 화학적 건식식각은 필요한 두께만큼 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)이 형성되면, 시레인의 공급을 중단하고 불화질소를 챔버내에 공급하는 것으로써 실시할 수 있다. 예컨대, 산소(O2) 10 내지 300 sccm, 아르곤(Ar) 0 내지 500 sccm 및 불화질소(NF3) 100 내지 500 sccm을 공급하고 1.5 내지 5.0 mTorr의 낮은 압력에서 식각공정을 수행할 수 있다. 이 때, 플라즈마 파워는 3000 Watt 내지 5000 Watt, 바이어스 파워는 0 내지 1500 Watt를 가해주는 것이 바람직하다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)의 일부분을 식각함으로써 상기 오버행(105)을 제거할 수 있다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)은 하지막의 손상을 방지하기 위하여 상기 제1 고밀도 플라즘 산화막(104) 두께의 1 내지 30% 정도 식각하는 것이 바람직하다.
도 5의 S3 및 도 8을 참조하면, 불화질소(NF3)를 포함하는 반응가스를 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104)의 상부에 제2 고밀도 플라즈마 산화막(106)을 증착한다. 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(106)은 상기 갭이 완전히 채워지도록 형성한다. 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(106)은 불화질소(NF3), 산소(O2) 및 시레인(SiH4)를 반응가스로 사용하여 형성할 수 있다. 본 발명에서, 스퍼터에 의한 재증착을 방지하기 위하여 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(106) 증착시 불활성 가스를 공급하지 않는 것이 바람직하다. 증착시 공급되는 불화질소(NF3)에 의해 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(106)은 증착과 동시에 화학적 식각된다. 따라서, 산소에 의해 오버행이 발생하더라도, 불화질소에 의해 식각이 동시에 수행되면서 산화막이 증착되기 때문에 오버행의 제거할 수 있고 매립성을 향상시킬 수 있다. 또한, 오버행의 제거 및 매립성의 향상은 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(104) 식각시 식각가스에 수소를 첨가함으로써 더욱 더 효과적으로 얻어질 수 있다. 오버행이 발생할 수 있는 산화막의 표면에 수소가 확산되어 있으면, 스퍼터된 라디칼과 수소가 결합하여 재증착이 방지된다.
상기 반응가스는 산소 10 내지 400 sccm, 시레인 10 내지 400 sccm, 불화질소 10 내지 300 sccm을 포함하고, 증착은 1.5 내지 5.0 mTorr의 낮은 압력에서 실시할 수 있다. 이 때, 증착과 동시에 스퍼터링 및 식각이 수행되도록 바이어스 파워를 10 내지 5000 Watt 인가하고, 플라즈마 파워는 3000 내지 15000 Watt를 인가하여 플라즈마를 유도할 수 있다. 제2 고밀도 플라즈마 산화막(106) 증착시 불화질소에 의해 갭의 측벽이 손상될 수 있는데, 이는 증착공정의 온도를 높임으로써 방지할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(106)의 증착은 650 ℃ 내지 800 ℃에서 실시하는 것이 바람직하다. 더욱 더 바람직하게는 산소 및 시레인의 유량비(O2/SiH4)를 1.0 내지 2.5로 유지함으로써 안정된 산화막을 형성할 수 있고, 불화수소(NF3)에 의한 식각과 산소(O2) 및 시레인(SiH4)의 증착이 적절하게 적용되기 위하여 불화수소(NF3)의 유량비()는 0.1 내지 0.5로 유지하는 것이 바람직하다.
본 발명은 종횡비가 높은 트렌치 영역에 절연막을 채우는 트렌치 소자분리 기술에 적용할 수 있다.
도 9는 트렌치 소자분리 기술에 적용된 본 발명의 제2 실시예에 따른 갭필 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 갭필 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 9의 S11 및 도 10을 참조하면, 반도체 기판(200)에 하드 마스크막(202)을 형성하고, 상기 하드마스크막(202) 및 상기 반도체 기판(200)을 식각하여 복수개의 트렌치(204)를 형성한다. 도시하지는 않았지만, 상기 트렌치(204)를 형성한 후 식각손상을 치유하기 위한 열산화 공정이 수행되고, 상기 트렌치(204)가 형성된 기판의 전면에 질화막 라이너를 콘포말하게 형성할 수 있다.
도 9의 S12 및 도 11을 참조하면, 상기 트렌치(204)를 포함하는 기판(200)의 상부에 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)을 형성한다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)은 시레인 10 내지 300 sccm, 산소 10 내지 300 sccm, 헬륨 및 아르곤 중 한가지 또는 이들의 혼합가스 0 내지 500 sccm을 공급하고, 1.5 내지 5.0 mTorr의 낮은 압력에서 증착할 수 있다. 바람직하게는 산소와 시레인의 공급비(O2/SiH4)가 1.0 내지 2.5일 때 안정된 산화막을 증착할 수 있다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206) 증착시 플라즈마 파워는 3000 내지 15000 Watt, 바이어스 파워는 0 내지 3000 Watt를 인가하여 플라즈마를 유도할 수 있다. 고밀도 플라즈마 산화막 증착 과정에서 스퍼터된 산화막은 반대편 측벽에 재증착되어 상기 트렌치(204)의 입구에 오버행(210)을 형성한다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)은 상기 오버행(210)에 의해 상기 트렌치(204)의 입구가 막혀 보이드가 발생되지 않을 만큼의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.예컨대, 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)은 상기 트렌치(204) 깊이의 10 내지 80 % 정도 형성되도록 하는 것이 바람직하다.
도 9의 S13 및 도 12을 참조하면, 불화질소(NF3)를 포함하는 식각가스를 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)을 소정 두께 식각한다. 이 때, 상기 오버행(210)을 제거하고 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)이 증착된 갭의 종횡비를 낮추기 위하여, 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)은 화학적 건식식각법(chemical dry etching)을 사용하여 식각하는 것이 바람직하다. 상기 화학적 건식식각은 필요한 두께만큼 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)이 형성되면, 시레인의 공급을 중단하고 불화질소(NF3)를 100 내지 500 sccm을 공급함으로써 실시할 수 있다.상기 화학적 식각은 1.5 내지 5.0 mTorr의 낮은 압력에서 식각공정을 수행할 수 있다. 이 때, 플라즈마 파워는 3000 Watt 내지 5000 Watt, 바이어스 파워는 0 내지 1500 Watt를 가해주는 것이 바람직하다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)의 일부분을 식각함으로써 상기 오버행(210)을 제거할 수 있다. 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)은 하지막의 손상을 방지하기 위하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206) 두께의 1 내지 30% 정도 식각하는 것이 바람직하다.
도 9의 S14 및 도 13을 참조하면, 불화질소(NF3)를 포함하는 반응가스를 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)의 상부에 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)을 증착한다. 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)은 상기 트렌치(204)가 완전히 채워지도록 형성한다. 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)은 불화질소(NF3), 산소(O2) 및 시레인(SiH4)를 반응가스로 사용하여 형성할 수 있다. 본 발명에서, 스퍼터에 의한 재증착을 방지하기 위하여 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212) 증착시 불활성 가스를 공급하지 않는 것이 바람직하다. 증착 시 공급되는 불화질소(NF3)에 의해 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)은 증착과 동시에 화학적 식각된다. 따라서, 산소에 의해 오버행이 발생하더라도, 불화질소에 의해 식각이 동시에 수행되면서 산화막이 증착되기 때문에 오버행의 제거할 수 있고 매립성을 향상시킬 수 있다. 또한, 오버행의 제거 및 매립성의 향상은 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206) 식각시 식각가스에 수소를 첨가함으로써 더욱 더 효과적으로 얻어질 수 있다. 오버행이 발생할 수 있는 산화막의 표면에 수소가 확산되어 있으면, 스퍼터된 라디칼과 수소가 결합하여 재증착이 방지된다.
상기 반응가스는 산소 10 내지 400 sccm, 시레인 10 내지 400 sccm, 불화질소 10 내지 300 sccm을 포함하고, 증착은 1.5 내지 5.0 mTorr의 낮은 압력에서 실시할 수 있다. 이 때, 증착과 동시에 스퍼터링 및 식각이 수행되도록 바이어스 파워를 10 내지 5000 Watt 인가하고, 플라즈마 파워는 3000 내지 15000 Watt를 인가하여 플라즈마를 유도할 수 있다. 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212) 증착시 불화질소에 의해 갭의 측벽이 손상될 수 있는데, 이는 증착공정의 온도를 높임으로써 방지할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)의 증착은 650 ℃ 내지 800 ℃에서 실시하는 것이 바람직하다. 더욱 더 바람직하게는 산소 및 시레인의 유량비(O2/SiH4)를 1.0 내지 2.5로 유지함으로써 안정된 산화막을 형성할 수 있고, 불화수소(NF3)에 의한 식각과 산소(O2) 및 시레인(SiH4)의 증착이 적절하게 적용되기 위하여 불화수소(NF3)의 유량비()는 0.1 내지 0.5로 유지하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막의 증착 및 식각과 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막의 증착은 동일한 챔버내에서 인 시튜로 실시할 수 있다. 이 경우, 제1 고밀도 플라즈마 산화막이 증착된 후 시레인의 공급을 중단하고 불화수소를 공급함으로써 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 식각할 수 있고, 소정시간동안 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 식각한 후 시레인을 공급하고 불활성 가스의 공급을 중단함으로써 제2 고밀도 플라즈마 산화막을 형성할 수 있다. 이와 달리, 생산성(throughput)을 향상시키기 위하여 복수개의 챔버로 구성된 증착장비에서, 각각의 공정을 수행할 수도 있다. 이 경우, 제1 고밀도 플라즈마 산화막 증착 및 식각과 제2 고밀도 플라즈마 산화막의 증착을 복수개의 웨이퍼에서 동시에 실시할 수 있는 장점이 있다.
도 14는 트렌치 소자분리 기술에 적용된 본 발명의 제3 실시예에 따른 갭필 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 15 및 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 갭필 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
제3 실시예에서 반도체 기판에 트렌치를 형성하는 단계(S21 단계), 트렌치 내에 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 증착하는 단계(S22 단계) 및 소정 두께의 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 식각하는 단계(S23)은 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 상기 제2 실시예와 동일하게 실시한다.
도 14의 S24 및 도 15를참조하면, 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)을 소정 NF3를 이용하여 화학적 식각한 후, 습식식각법으로 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)의 일부분을 식각한다. 그 결과, 상기 트렌치의 갭의 종횡비가 더욱 낮아지고, 상기 하드마스크막(202) 상부의 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)의 표면이 라운드된다. 라운드된 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)은 후속의 고밀도 플라즈마 증착시 반대편 측벽에 재증착을 줄일 수 있다. 상기 습식식각은 불산(HF), LAL(NH4F와 HF의 혼합액) 또는 BOE(Bufferd Oxide Etchant)를 사용하여 실시할 수 있다.
도 14의 S25 및 도 16을 참조하면, 질소(NF3)를 포함하는 반응가스를 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206)의 상부에 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)을 증착한다. 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)은 상기 트렌치(204)가 완전히 채워지도록 형성한다. 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)은 불화질소(NF3), 산소(O2) 및 시레인(SiH4)를 반응가스로 사용하여 형성할 수 있다. 본 발명에서, 스퍼터에 의한 재증착을 방지하기 위하여 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212) 증착시 불활성 가스를 공급하지 않는 것이 바람직하다. 증착 시 공급되는 불화질소(NF3)에 의해 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)은 증착과 동시에 화학적 식각된다. 따라서, 산소에 의해 오버행이 발생하더라도, 불화질소에 의해 식각이 동시에 수행되면서 산화막이 증착되기 때문에 오버행의 제거할 수 있고 매립성을 향상시킬 수 있다. 또한, 오버행의 제거 및 매립성의 향상은 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막(206) 식각시 식각가스에 수소를 첨가함으로써 더욱 더 효과적으로 얻어질 수 있다. 오버행이 발생할 수 있는 산화막의 표면에 수소가 확산되어 있으면, 스퍼터된 라디칼과 수소가 결합하여 재증착이 방지된다.
상기 반응가스는 산소 10 내지 400 sccm, 시레인 10 내지 400 sccm, 불화질소 10 내지 300 sccm을 포함하고, 증착은 1.5 내지 5.0 mTorr의 낮은 압력에서 실시할 수 있다. 이 때, 증착과 동시에 스퍼터링 및 식각이 수행되도록 바이어스 파워를 10 내지 5000 Watt 인가하고, 플라즈마 파워는 3000 내지 15000 Watt를 인가하여 플라즈마를 유도할 수 있다. 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212) 증착시 불화질소에 의해 갭의 측벽이 손상될 수 있는데, 이는 증착공정의 온도를 높임으로써 방지할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막(212)의 증착은 650 ℃ 내지 800 ℃에서 실시하는 것이 바람직하다. 더욱 더 바람직하게는 산소 및 시레인의 유량비(O2/SiH4)를 1.0 내지 2.5로 유지함으로써 안정된 산화막을 형성할 수 있고, 불화수소(NF3)에 의한 식각과 산소(O2) 및 시레인(SiH4)의 증착이 적절하게 적용되기 위하여 불화수소(NF3)의 유량비()는 0.1 내지 0.5로 유지하는 것이 바람직하다.
상술한 것과 같이 본 발명에 따르면, 높은 종횡비를 갖는 갭을 산화막으로 채우기 위해서, 소정두께의 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 형성하고, 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막의 일부를 제거한 후 갭을 완전히 채우는 제2 고밀도 플라즈마 산화막을 형성한다. 상기 고밀도 플라즈마 산화막의 일부를 제거하는 동안 갭의 입구에 형성된 오버행을 제거할 수 있고, 아르곤 또는 헬륨과 같은 불활성 가스를 첨가하지 않고, 불화질소를 반응가스에 첨가하여 제2 고밀도 플라즈마 산화막을 형성함으로써 제2 고밀도 플라즈마 산화막 형성시 오버행의 형성을 억제할 수 있다.
도 1 내지 도 4는 종래의 고밀도 플라즈마 증착법을 이용한 갭필 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 갭필 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 갭필 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 갭필 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 갭필 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 14는 트렌치 소자분리 기술에 적용된 본 발명의 제3 실시예에 따른 갭필 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 15 및 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 갭필 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
Claims (19)
- 기판 상에 형성된 패턴들 사이의 갭을 산화막으로 매립함에 있어서,상기 갭을 포함한 상기 기판의 상부에 산소(O2) 및 시레인(SiH4)을 포함하는 반응가스를 이용하여 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 증착하는 단계;NF3를 포함하는 식각가스를 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 소정 두께만큼 식각하는 단계; 및산소(O2), 시레인(SiH4) 및 불화질소(NF3)를 반응가스로 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막 상부에 제2 고밀도 플라즈마 산화막을 증착하는 단계를 포함하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 플라즈마 산화막 증착 및 식각과 상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막 증착은 인-시튜로 진행하는 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막은 상기 갭에 보이드가 발생하지 않을 만큼의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막의 식각은 화학적 건식식각법(Chemical Dry Etching)을 이용하는 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각가스는,산소(O2) 10 내지 300 sccm, 아르곤(Ar) 0 내지 500 sccm 및 불화질소(NF3) 100 내지 500 sccm을 포함하는 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각가스는 수소(H2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 식각하는 단계에서,플라즈마 파워는 3000 Watt 내지 5000 Watt이고,바이어스 파워는 0 내지 1500 Watt인 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막의 증착온도는 650℃ 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막을 형성하는 단계에서,산소(O2)의 공급량은 10 내지 400 sccm이고,시레인(SiH4)의 공급량은 10 내지 400 sccm이고,불화질소(NF3)의 공급량은 10 내지 300 sccm인 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 9 항에 있어서,시레인 대비 산소의 유량비()는 1 내지 2.5인 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 9 항에 있어서,반응가스 대비 불화질소의 유량비()는 0.1 내지 0.5인 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막 증착 이전에,습식 식각법을 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막의 일부분을 식각하는 단계를 더 포함하는 갭필 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 습식 식각법은 불화수소, LAL 또는 BOE 용액을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 기판 상에 형성된 패턴들 사이의 갭을 산화막으로 매립함에 있어서,상기 갭을 포함한 상기 기판의 상부에 산소(O2) 및 시레인(SiH4)을 포함하는 반응가스를 사용하여 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 증착하는 단계;산소 및 불화질소를 포함하는 식각가스를 이용한 화학적 건식식각법으로 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 소정 두께만큼 식각하는 단계; 및650℃ 내지 800℃의 증착온도에서, 산소(O2), 시레인(SiH4) 및 불화질소(NF3)를 반응가스로 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막 상부에 제2 고밀도 플라즈마 산화막을 증착하는 단계를 포함하는 갭필 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막을 식각하는 단계에서,플라즈마 파워는 3000 Watt 내지 5000 Watt이고,바이어스 파워는 0 내지 3000 Watt이고,식각가스의 공급량은 산소(O2) 10 내지 300 sccm이고,아르곤(Ar)의 공급량은 0 내지 500 sccm이고,불화질소(NF3)의 공급량은 100 내지 500 sccm인 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 식각가스에 수소(H2)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막 증착단계에서,시레인에 대한 산소의 유량비()는 1 내지 2.5이고,불화질소의 유량비()는 0.1 내지 0.5인 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제2 고밀도 플라즈마 산화막 증착 이전에,습식 식각법을 이용하여 상기 제1 고밀도 플라즈마 산화막의 일부분을 식각하는 단계를 더 포함하는 갭필 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 습식 식각법은 불화수소, LAL 또는 BOE 용액을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 갭필 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0056637A KR100536604B1 (ko) | 2003-08-14 | 2003-08-14 | 고밀도 플라즈마 증착법을 이용한 갭필 방법 |
US10/917,659 US7056827B2 (en) | 2003-08-14 | 2004-08-13 | Methods of filling trenches using high-density plasma deposition (HDP) |
US11/402,166 US7598177B2 (en) | 2003-08-14 | 2006-04-11 | Methods of filling trenches using high-density plasma deposition (HDP) |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0056637A KR100536604B1 (ko) | 2003-08-14 | 2003-08-14 | 고밀도 플라즈마 증착법을 이용한 갭필 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050017585A true KR20050017585A (ko) | 2005-02-22 |
KR100536604B1 KR100536604B1 (ko) | 2005-12-14 |
Family
ID=36816206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0056637A KR100536604B1 (ko) | 2003-08-14 | 2003-08-14 | 고밀도 플라즈마 증착법을 이용한 갭필 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7056827B2 (ko) |
KR (1) | KR100536604B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100689826B1 (ko) * | 2005-03-29 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 불소 함유된 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마화학기상증착 방법들 및 이를 채택하여 반도체 소자를제조하는 방법들 |
KR100713322B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-05-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성 방법 |
KR100771542B1 (ko) * | 2006-05-09 | 2007-10-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트렌치 소자분리막 형성방법 |
Families Citing this family (326)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100607409B1 (ko) * | 2004-08-23 | 2006-08-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
KR100746223B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2007-08-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자의 트렌치 소자분리 방법 |
KR100781874B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2007-12-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
US20090261105A1 (en) * | 2007-11-27 | 2009-10-22 | Rubbermaid Incorporated | Waste can |
KR20090054518A (ko) | 2007-11-27 | 2009-06-01 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 갭필 방법 |
US20100041241A1 (en) * | 2008-08-12 | 2010-02-18 | Texas Instruments Incorporated | High density plasma dielectric desposition for void free gap fill |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
MY162310A (en) * | 2011-06-02 | 2017-05-31 | Silterra Malaysia Sdn Bhd | Method for fabricating a bottom oxide layer in a trench |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9280051B2 (en) * | 2013-06-12 | 2016-03-08 | Applied Materials, Inc. | Methods for reducing line width roughness and/or critical dimension nonuniformity in a patterned photoresist layer |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) * | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
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CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
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KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11075123B2 (en) * | 2019-09-16 | 2021-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming isolation structure having improved gap-fill capability |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
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CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
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CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
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TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
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TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
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US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
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TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3092185B2 (ja) * | 1990-07-30 | 2000-09-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5683945A (en) * | 1996-05-16 | 1997-11-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Uniform trench fill recess by means of isotropic etching |
US6395150B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-05-28 | Novellus Systems, Inc. | Very high aspect ratio gapfill using HDP |
KR20020044001A (ko) | 2000-12-05 | 2002-06-14 | 윤종용 | 반도체 장치의 미세 패턴들간의 갭을 채우는 절연층형성방법 |
KR100366639B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2003-01-06 | 삼성전자 주식회사 | 다공성 산화막 플러그에 의한 저저항 컨택 형성방법 및이를 이용한 반도체 장치의 형성방법 |
US6740601B2 (en) * | 2001-05-11 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps |
KR100384832B1 (ko) | 2001-06-30 | 2003-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
KR100477810B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2005-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | Nf3 hdp 산화막을 적용한 반도체 소자 제조방법 |
-
2003
- 2003-08-14 KR KR10-2003-0056637A patent/KR100536604B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-08-13 US US10/917,659 patent/US7056827B2/en active Active
-
2006
- 2006-04-11 US US11/402,166 patent/US7598177B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100689826B1 (ko) * | 2005-03-29 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 불소 함유된 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마화학기상증착 방법들 및 이를 채택하여 반도체 소자를제조하는 방법들 |
KR100713322B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-05-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성 방법 |
KR100771542B1 (ko) * | 2006-05-09 | 2007-10-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트렌치 소자분리막 형성방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060183320A1 (en) | 2006-08-17 |
KR100536604B1 (ko) | 2005-12-14 |
US7056827B2 (en) | 2006-06-06 |
US7598177B2 (en) | 2009-10-06 |
US20050037610A1 (en) | 2005-02-17 |
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KR100619395B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 |
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A201 | Request for examination | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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