KR20040054624A - 소스 케미컬 컨테이너 장치 - Google Patents
소스 케미컬 컨테이너 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040054624A KR20040054624A KR10-2003-7017215A KR20037017215A KR20040054624A KR 20040054624 A KR20040054624 A KR 20040054624A KR 20037017215 A KR20037017215 A KR 20037017215A KR 20040054624 A KR20040054624 A KR 20040054624A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- container
- metal
- source chemical
- flanges
- metal container
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L23/00—Flanged joints
- F16L23/04—Flanged joints the flanges being connected by members tensioned in the radial plane
- F16L23/08—Flanged joints the flanges being connected by members tensioned in the radial plane connection by tangentially arranged pin and nut
- F16L23/10—Flanged joints the flanges being connected by members tensioned in the radial plane connection by tangentially arranged pin and nut with a pivoting or swinging pin
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 진공실의 역활을 하고 탈착가능한 클로져(40)가 마련되어 있는 금속 컨테이너(30, 40)를 포함한 금속 컨테이너 소스 케미컬 컨테이너(25)에 관한 것이다. 여기서 상기 탈착가능한 클로져(40)는 금속 시일(50)으로 상기 금속 컨테이너(30, 40)에 대해 밀봉한다. 상기 금속 컨테이너 소스 케미컬 컨테이너(25)의 재충전을 용이하게 하기위해, 인장 체인(52-58)을 통해 상기 금속 시일(50)에 압축력이 가해진다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 금속 시일(50)와 상기 인장 체인(52-58)은 상기 금속 컨테이너(30, 40)의 둘레를 따라 마련되어 있다. 이 장치(40)는 상기 소스 케미컬이 저장되는 내부 컨테이너(80)을 포함할 수 있다.
Description
화학 증착(CVD)과 원자층 퇴적(ALD)과 같은 관련 증착 기술들에 있어서, 흔히 액체 또는 고체 소스 케미컬들이 사용된다. 이러한 화학물들의 대다수는 습기나 산소와 격렬하게 반응한다. 상기 소스 케미컬들의 순도와 휘발성을 보존하기 위해서, 화학물들이 저장되는 컨테이너는 초고진공(UHV) 상태와 맞먹는 높은 수준으로 진공 밀폐되어야 한다. 금속 컨테이너는 UHV 상태에 근접한 상태를 쉽게 만들 수 있고 잘 파손이 되지 않기 때문에 금속 컨테이너를 사용하는 것이 편리하다.
그러나, 상기 컨테이너에는 상기 소스 케미컬을 상기 컨테이너에 담거나 사용된 화학물을 상기 컨테이너에서 빼내기 위해 밀봉가능한 개구도 있어야 한다. 이러한 목적으로, 이런 컨테이너는 탈착가능한 클로져가 마련되어 있다. 폴리머 O-링으로는 UHV 상태를 만들수 없기 때문에 상기 폴리머 O-링은 상기 컨테이너에 대하여 상기 탈착가능한 클로져를 밀봉하는데 쓸 수 없다. 폴리머 O-링과 연관된 또 다른 문제는 상기 폴리머 O-링은 상기 컨테이너에 담기는 많은 종류의 소스 케미컬과 접촉하면서 서서히 마모된다는 점이다. 더욱이, 어떤 소스 케미컬들은 증기압이 낮기 때문에 증기압을 높이기 위해서는 상기 컨테이너를 가열해 온도를 높여주어야한다. 그런 높은 온도 또한 폴리머 O-링을 약하게 만든다.
이러한 이유들 때문에, 상기 컨테이너에 대해 뚜껑을 밀봉하거나 상기 컨테이너에 연결된 다른 연결부위를 밀봉하기에 금속 시일이 더 적절하다. 그러한 시일에 있어서, 금속 시일링 가스킷이 두개의 금속 플랜지 사이에 밀착된다. 상기 플랜지는 스테인레스 스틸과 같이 경도가 높은 건축용 금속으로 되어있으며, 상기 금속 시일링 가스킷은 연성 금속으로 되어있다. 상기 금속 시일링 가스킷을 두개의 플랜지 사이에 놓고 두개의 플랜지를 동시에 누름으로써, 양질의 시일이 형성된다. 그러나, 상기 금속 시일로 가장 널리 사용되는 두개의 금속, 즉 알루미늄과 구리 역시 많은 종류의 소스 케미컬의 자극에 약하다. 따라서, 니켈과 같이 더욱 내화학성이 강한 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 니켈의 한가지 단점은 알루미늄과 구리보다 경도가 높고 연성이 낮아 니켈 가스킷은 시일의 완전한 진공도를 유지하려면 더 높은 압착력을 요구한다는 점이다.
도 1에 상기 컨테이너(10)가 도시된 것처럼, 상기 플랜지에 대해 금속 가스킷을 압착하는 힘은 플랜지(16, 18) 둘레를 따라 균일한 간격으로 배치되어 각각의 볼트가 상기 플랜지(16, 18)의 구멍을 통과해 나오도록 마련된 복수의 너트(12)와 볼트(14)에 의해 가해진다. 컨테이너(10)를 열거나 닫아야 할 때는, 복수의 너트(12)와 볼트(14)를 각각 풀거나 조여야 한다. 이것은 다소 성가신 일이며, 특히, 소스 케미컬이 대기에 노출되는 것을 방지하기위해 컨테이너를 다시 채우거나 비우는 작업을 질소로 정화된 글러브박스 안에서 행할 때는 더욱 그러하다.
따라서, 본 발명의 목적은 이러한 단점과 다른 단점들을 없애고 상기 증착 공정에 쓰이는 상기 소스 케미컬을 저장하기 위한 진공 기밀 금속 소스 케미컬 컨테이너를 제공하는 것이다. 이 컨테이너는 재충전하고 비우는 데 있어서 쉽고, 간편하며, 안전해야 한다.
본 발명은, 반응실로 운반되어 반응실에서 증착되거나 관련된 가공을 거치는 소스 케미컬을 저장하기 위한 소스 케미컬 컨테이너 장치에 관한 것이다.
본 발명의 상기 혹은 또 다른 특징들은 아래 기술된 첨부된 청구항들과 도면들으로부터 명백해질 것이며, 이것들은 하나의 실시예일 뿐 본 발명의 청구범위를 제한하는 것은 아니다.
도 1은 종래 기술에 따라 설계된 소스 케미컬 컨테이너 장치의 등각투상도,
도 2는 상기 소스 케미컬의 빠른 충전 및 배출을 용이하게 하기 위한 종래 클로져 장치 및 내부 컨테이너(미도시)를 포함한, 도 1의 것과 비슷한, 소스 케미컬 컨테이너 장치의 정면도,
도 3은 도 2의 소스 케미컬 컨테이너 장치를 부분 절취한 등각투상도,
도 4는 본 발명의 실시예를 따라 설계된 소스 케미컬 컨테이너 장치의 정단면도,
도 5는 도 4의 5-5선을 따라 인장 체인의 상부를 보여주는 단면도 및 외부 컨테이너 안의 내부 컨테이너를 보여주는 확대된 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예는 적어도 하나의 원뿔형 플랜지를 가지며, 연결부과 스러스트 피스을 포함한 인장 체인을 가진 상기 컨테이너의 상기 탈착가능 또는 개폐가능한 클로져의 상기 금속 시일을 제공함으로써 상기된 목적 및 그외의 목적들을 달성한다. 상기 스러스트 피스이 상기된 두개의 플랜지와 맞물리면서 체인에 장력을 가하면, 상기 스러스트 피스에 의해 상기된 두개의 플랜지는 서로 압착된다.
본 발명의 한 실시예에 의하면, 상기 탈착가능한 클로져는 상기 컨테이너의 하부 파트에 마련된다. 이렇게 함으로써, 증발 단계에서의 상기 소스 케미컬의 배출과 비활성 운반 가스의 유입에 사용되는 관을 연결할 수 있게 상기 컨테이너의 상부에 공간을 만든다. 그럼으로써, 상기 탈착가능한 클로져를 상기 컨테이너의 바닥에 위치시켜도 공간이 부족하지 않게 된다.
또 다른 실시예에 따르면, 위에 기술된 바와 같은 제 1컨테이너는 진공실을 형성하며, 상기 소스 케미컬을 저장하는 내부 컨테이너가 마련되어 있다. 상기 컨테이너는 상기 개폐가능한 개구를 통해 상기 제 1컨테이너 안으로 삽입되거나 상기 제 1컨테이너로부터 분리되어 나올 수 있다. 그러한 내부 컨테이너를 포함한 소스케미컬 컨테이너는 2001년 11월 22일에 공개된 미국공개번호 2001/0042523에 해당하는 2000년 5월 15일에 출원된 핀란드 특허출원번호 FI 20001166에 기재되어 있다. 그래서, 상기 컨테이너의 재충전은 매우 쉬운 조작이다. 상기 인장 체인을 느슨하게 하는 단계, 상기 플랜지에서 상기 인장 체인을 떼어 내는 단계, 상기 클로져와 사용된 상기 금속 시일링 가스킷을 여는 단계, 그리고 상기 내부 컨테이너를 새로운 소스 케미컬이 담긴 다른 내부 컨테이너로 대체하는 단계, 새로운 금속 시일링 가스킷과 함께 상기 클로져를 닫고 상기 인장 체인을 제자리에 설치한 후 상기 인장 체인을 조이는 단계로 구성된다. 이러한 조작은 글러브박스 안에서 쉽게 행해질 수 있다.
상기 플랜지를 압착하기 위한 스러스트 피스을 가진 인장 체인을 포함하는 금속 시일은 이미 알려져 있다. 발명자 펜드에게 등록된 1996년 3월 19일 등록된 미국특허번호 5,499,849와 1998년 1월 13일에 등록된 미국특허번호 5,707,089을 참조하라. 상기 미국특허번호 5,499,849와 5,499,849에 개시된 사항은 본 명세서에 참조로 반영되었다. 이러한 장치는 스위스의 에박 인터내셔널 사에서 상용화었으며, 두개의 플랜지 사이에 금속 시일링 가스킷을 사이에 둔, 파이프 연결부위의 두 개의 플랜지를 압착하는 데 전형적으로 사용되고 있다. 여기 기술된 바람직한 실시예에서, 두 개의 파이프를 연결하기 위한 펜드의 발명에서 기술된 것과 비슷한 클로져 장치가 증착 시스템용 소스 케미컬 금속 컨테이너의 클로져를 밀봉하는데 사용되었다.
위에서 개략적으로 설명된 바와 같이, 구리와 알루미늄은 가스킷을 밀봉하는데 사용되는 가장 흔한 금속이다. 이 금속들의 연성때문에, 이 금속들은 좋은 밀봉 특성을 보여준다. 본 소스 케미컬 컨테이너의 응용에 있어서, 저장될 상기 소스 케미컬의 종류에 따라 니켈 가스킷, 니켈 합금 가스킷, 니켈로 코팅된 가스킷, (금과 같은)귀금속으로 코팅된 금속 가스킷, 또는 (티타늄과 같은) 어닐링된 전이 금속 가스킷을 사용하는 것이 바람직하다. 가스킷 재료의 어닐링은 금속의 전위를 일으키며 어닐링된 금속은 저온에서 기계적으로 처리된 금속보다 부드럽다. 그럼에도 불구하고, 알루미늄이나 구리 이외의 금속으로 만든 가스킷은 상기된 총체적인 밀봉을 유지하기 위해 더 큰 압축력을 필요로 하며, 고로 더 강한 인장 체인을 필요로 하게 된다.
도 1은 종래 기술을 따른 소스 케미컬 컨테이너 장치(10)를 도시한다. 두개의 플랜지(16, 18)사이에 금속 시일(미도시)을 개제하고, 복수의 볼트(14)가 각각의 너트(12)를 통해 조여져 전체 시일 표면에 걸쳐 충분한 힘을 가한다.
도 2 및 3은 증착 장치와 연결되어 사용되는 종래의 소스 케미컬 컨테이너의 개량을 도시하고 있다. 특히, 소스 케미컬 컨테이너(20)는 외부 컨테이너(22)와 내부 컨테이너(24)를 포함한다. 도 3의 절취도에 도시된 바와 같이, 상기의 내부 컨테이너(24)는 상기의 소스 케미컬을 담거나 제거하는 것을 용이하게 한다. 이러한 시스템은 2001년 11월 22일에 공개된 미국 공개번호 2001/0042523(이하 "케살라"로 명칭한다)에 해당하는 2000년 5월 15일에 출원된 공동 소유의 핀란드 출원번호 FI20001166에 개시되어 있으며, 이러한 개시는 참조로 반영되어 있다.
도 4는 참조 번호 (25)로 본 발명에 따른 전체 소스 케미컬 컨테이너 장치를 나타내고 참조 번호 (30)으로 금속 컨테이너의 상부 파트를 나타낸다. 상기 상부 파트(30)는 원형으로 대칭적인 측벽(32)과 상부벽(34)를 포함한다. 측벽(32)의 맨 아랫부분에는 플랜지(36)가 마련되어 있다. 도 4에서 별도로 지칭되지는 않았으나, 당업자라면 상기 소스 케미컬 컨테이너 장치에는 고체 또는 액체의 선구 물질을 증발시키기위해 (위에서 언급된)케살라에 기술된 것과 같은 히터도 마련되어 있다는 것을 쉽게 알수 있을 것이다.
상기 금속 컨테이너의 하부 파트는 참조 번호 (40)으로 나타냈다. 하부 파트(40)는 원형으로 대칭적인 측벽(42) 와 바닥벽(44)를 포함한다. 측벽(42)은 상단에 플랜지(46)가 마련되어 있다. 하부 파트(40)는 아래 기술된 바와 같이, 컨테이너의 클로져 역활을 한다. 또한, 바닥면(44)은 함몰부(48)을 포함하며, 그 기능은 아래에서 자세히 기술될 것이다.
금속 시일링 가스킷(50)은 상기 플랜지(36, 46)사이에 수용된다. 상기 플랜지(36, 46)사이의 금속 시일링 가스킷(50)의 확대도는 도 4의 왼편에 도시되어 있다. 상기 금속 시일링 가스킷(50)은 금속을 포함하고, 구리나 알루미늄보다 화학적 자극에 내석이 강한 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 상기 금속 시일링 가스킷(50)은 니켈, 니켈 합금, 니켈 코팅 금속, (금 또는 플래티늄과 같은)귀금속 코팅 금속, 또는 (티타늄과 같은)어닐링된 전이 금속으로 형성되는 것이 바람직하다.
도 4와 5에 도시된 바와 같이, 상기 플랜지(36, 46)는 복수의 스러스트 피스(52)에의해 서로 압착되어 있다. 도 5에서 자세히 도시된 바와 같이, 상기 스러스트 피스(52)는 연결부(54)에 의해 함께 연결되어 있고 상기 플랜지(36, 46)의 둘레에 배치되어 있다.(도 4참조) 상기 연결부(54)은 힌지(56)에의해 원형으로 상기 스러스트 피스(52)에 결합되어 있다. 도시된 실시예에서, 각각의 스러스트 피스(52)은 두개의 힌지(56)를 포함한다. 참조로 반영되어 있는, 1998년 1월 13일 펜드를 발명자로 등록된 미국특허번호 5,707,089에 기술된 바와 같이, 연결부는, 연결부과 스러스트 피스중 하나에 형성된 돌기와 다른 하나에 형성된 함몰부 또는구멍에 의해 상기 스러스트 피스에 회동가능하게 대체적으로 결합될 수 있다. 또한, 미국특허번호 5,707,089에 개시된 바와 같이, 스러스트 피스의 양측 중 한측의 연결부는 동일 힌지나 돌기에의해 상기 스러스트 피스에 회동가능하게 결합될 수 있다. 상기 스러스트 피스(52)중 연결 결합 또는 힌지 결합 중 적어도 하나는 인장 볼트(58), 스러스트 피스(52)의 한측을 관통해 형성된 천공, 그리고 하나의 연결부(54) 또는 다른 스러스트 피스(52)를 관통한 내부에 암나사가 형성된 천공으로 대체된다. 도시된 실시예에서, 그러한 두개의 인장 볼트(58)가 도시되어 있다.
상기 스러스트 피스(52), 연결부(54), 힌지(56), 그리고 인장 볼트(58)는 인장 체인을 구성한다. 작동에 있어서, 상기 인장 볼트(58)을 풀어줌으로써 상기 인장 체인을 느슨하고 분리해낼 수 있다. 상기 인장 볼트(58)을 각각의 천공에 다시 죄어 결합함으로써 상기 인장 체인을 연결하고 팽팽하게 한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 스러스트 피스(52)는 상기 인장 체인을 팽팽하게 하거나 조일때 생기는 안쪽 방향의 압력과 함께 상기 플랜지(36, 46)를 조일 수 있도록 형성된 경사진 내부면을 포함한다. 도 4의 실시예는 상기 원뿔형의 플랜지(36, 46)를 도시한다. 이것은 참조로 반영된, 1996년 3월 19일 펜드를 발명자로 등록된 미국특허번호 5,499,849에서 기술하는 바와 비슷하다. 다른 실시예로, 미국특허 5,707,089에서 예시된 바와 같이, 상기 플랜지중 하나가 원뿔형이고 다른하나는 평면으로 형성될 수 있다는 것도 쉽게 알수 있을 것이다.
도 4를 다시 참조하면, 금속 컨테이너는 질소나 아르곤과 같은 비활성 또는 불활성 가스를 투입하기 위한 제 1가스투입구(60)와 소스 케미컬과 배합된 비활성가스를 배출하기 위한 가스 배출구(70)가 마련되어 있다. 상기 제 1가스 투입구(60)는 투입콘딧(62)와 연결되어 있고 이것은 비활성 또는 불활성 가스(미도시)의 주입원에 연결되어 있다. 투입 밸브(61)은 상기 투입 콘딧(62)를 따라 마련되어 있다. 상기 가스 배출구(70)는 배출 콘딧(72)에 연결되어 있고 이것은 CVD, ALD, 또는 관련된 반응이 행해지는 상기 반응실로 연결된다. 또한, 배출 밸브(71)는 상기 배출 콘딧(72)를 따라 마련되어 있다. 추가적으로 정화시키기위해, 콘딧(74, 76) 그리고 밸브(78)가 마련되어 있다.
상기 소스 케미컬은 내부 컨테이너(80)에 저장된다. 상기 내부 컨테이너(80)는 뚜껑(81)이 마련되어 있고 다공의 뚜껑 커버(82)를 통해 상기 금속 컨테이너 안의 가스실로 연통한다. 상기에 도시된 뚜껑(81)이 상기 내부 컨테이너(80)에 들어 맞게 형성되어 있으며, 이것들이 일체형으로 마련될 수도 있다는 것도 알수 있을 것이다. 상기 내부 컨테이너(80)는 유리, 또는 상기 액체 혹은 고체 화학물과 접촉하는데 적합한 다른 어떤 물질로 만들어질 수 있다. 위에 언급된 바와 같이, 상기 하부 파트(40)의 상기 바닥벽(44)에 형성된 상기 함몰부(48)는 상기 내부 컨테이너(80)의 상기 하부 파트를 감싸면서 수용하도록 형성되어 있다. 도 5의 왼쪽에 나온 확대도에 도시된 바와 같이, 상기 외부 컨테이너의 상기 상부 파트(30), 특히 상기 측면벽(32)이 수직에서 원형이나 돌출형으로 바뀌는 지점은 상기 내부 컨테이너(80)를 상기 외부 컨테이너(30, 40)에서 제거하고 교환하는 것이 용이하도록 복수의 내부 홈(84)를 포함한다. 상기 내부 컨테이너(80)와 가능한 대체 실시예에 대한 더 자세한 정보를 얻으려면, 참조로 반영된 미국특허번호 2001/0042523를보면 된다.
작동에 있어서, 상기 소스 케미컬 컨테이너 장치(25) 내부의 상기 소스 케미컬이 소모되면, 이 장치는 쉽게 재충전될 수 있다. 자세히 설명하면, 상기의 투입 및 배출 밸브(61, 71) (만약에 있다면 78도 포함)를 잠그고 상기 소스 케미컬 컨테이너(25) 장치를 글러브박스 안에 놓는다. 보통 고체나 액체 형태의 원하는 소스 케미컬이 담긴 새로운 내부 컨테이너(80)도 글러브박스 안에 놓는다. 그리고, 상기 글러브박스를 밀봉하고 불할성 가스로 정화시킨다. 상기 인장 볼트(58)을 풀어서 상기 인장 체인을 느슨하게 하고 상기 외부 컨테이너(30, 40)의 상기 플랜지(36, 46)로부터 분리시킨다. 상기 하부 파트(40)은 상기 상부 파트(30)로부터 분리된다. 그리고 전체적인 상기 내부 컨테이너(80)는 소모된 소스 케미컬 및 부산물과 함께 분리되어 상기의 새로운 내부 컨테이너(80)로 대체된다. 새로운 금속 가스킷은 상기 플랜지(36, 46)사이에 삽입되고, 상기 상부 파트(30)는 상기 하부 파트(40)위에 다시 놓여진다. 상기 인장 체인을 다시 채우고 상기 인장 볼트(58)를 조이면, 상기 소스 케미컬 컨테이너는 다음 공정에 대한 준비를 끝마친다.
당업자라면 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않는 한도에서 위에 기술된 과정에 생략, 추가 그리고 변경이 다양하게 가능하다는 것을 쉽게 알수 있을 것이며, 그러한 모든 수정이나 변경은 첨부된 청구항에서 정의된 바와 같이 본 발명의 권리 범위안에 귀속된다는 것을 쉽게 알수 있을 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 상기 소스 케미컬 컨테이너 장치는진공 밀폐가 가능한 금속 시일을 제공하며 소스 케미컬을 재충전하고 대체하는 작업을 쉽게 한다.
Claims (15)
- 증착 공정을 위해 반응실로 운반되는 소스 케미컬을 위한 소스 케미컬 컨테이너 장치에 있어서,진공실을 구성하는 벽들을 포함한 금속 컨테이너와;스러스트 피스가 마련된 연결부를 갖는 인장 체인을 포함하고,상기 금속 컨테이너는 제 1파트와 제 2파트를 포함하고, 상기 제 1파트는 새로운 소스 케미컬을 상기 금속 컨테이너 안으로 투입하거나 사용된 소스 케미컬을 상기 금속 컨테이너로부터 제거하기 위한 상기 금속 컨테이너 벽의 개구를 구성하기 위해 탈착가능하고, 상기 제 1파트와 상기 제 2파트는 각각 두개의 플랜지 사이에 금속 가스킷을 두고 두개의 플랜지가 서로 압착되면 금속 시일을 형성하도록 설계되어 있고, 상기 플랜지 중 적어도 하나는 원뿔형 표면을 가지고 있고,상기 스러스트 피스는 상기 두개의 플랜지와 맞물리면서 상기 인장 체인이 팽팽해지면 상기 두개의 플랜지를 서로 압착시키는 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 시일과 상기 인장 체인은 상기 금속 컨테이너의 둘레를 따라 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 컨테이너는 상측벽, 하측벽, 그리고 측면벽을 포함하고, 상기 측면벽은 실질적으로 회전대칭적이며, 상기 회전 대칭 축에 수직하는 횡단면이 측벽을 상기 제 1파트와 상기 제 2파트로 구분하고, 상기 제 1파트와 상기 제 2파트는 상기 금속 시일에 의해 서로 밀봉되는 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 소스 케미컬을 담고 있는 내부 컨테이너를 더 포함하고,상기 내부 컨테이너는 상기 개구를 통해 상기 금속 컨테이너 안에 탈착가능하게 삽입되는 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너 장치.
- 제 4항에 있어서,상기 제 1파트는 상기 내부 컨테이너의 바닥면을 수용할 수 있는 크기의 함몰부가 안쪽에 형성된 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 개구는 상기 컨테이너의 바닥 단부의 모양에 대응하도록 형성되어 있고, 가스 유입구와 가스 배출구는 상기 컨테이너의 상단부의 모양에 대응하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 가스킷은 니켈, 니켈 합금, 니켈이 코팅된 금속, 귀금속이 코팅된 또 다른 금속, 그리고 어닐링된 전이 금속으로 구성된 군에서 선택된 하나의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너 장치.
- 증착 공정에 사용되는 소스 케미컬을 위한 진공 기밀 금속 컨테이너를 재충전하는 방법에 있어서,상기 진공 기밀 금속 컨테이너를 글러브박스 안에 넣는 단계와;대체 소스 케미컬을 상기 글러브박스 안에 넣는 단계와;상기 글러브박스 안에 불활성 환경을 조성하는 단계와;금속 시일링 가스킷과 함께, 클로져와 상기 금속 컨테이너의 상기 벽 사이에 금속 시일을 형성하는 플랜지로부터 인장 체인을 느슨하게 하면서 떼어냄으로써 상기 진공 기밀 금속 컨테이너의 상기 클로져를 여는 단계와;소모된 소스 케미컬을 상기 금속 컨테이너로부터 제거하는 단계와;대체 소스 케미컬을 상기 금속 컨테이너 안에 넣는 단계와;상기 인장 체인을 조임으로써 상기 클로져를 닫는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 기밀 금속 컨테이너의 재충전 방법.
- 제 8항에 있어서,상기 사용된 소스 케미컬을 제거하는 단계는 내부 컨테이너를 상기 금속 컨테이너로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 금속 컨테이너의 재충전 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 대체 소스 케미컬을 상기 글러브박스 안에 넣는 단계는 상기 대체 소스 케미컬을 담고 있는 대체 내부 컨테이너를 상기 글러브박스 안에 넣는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 기밀 금속 컨테이너의 재충전 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 대체 소스 케미컬을 금속 컨테이너 안에 넣는 단계는 상기 대체 내부 컨테이너를 상기 금속 컨테이너 안에 넣는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 기밀 금속 컨테이너의 재충전 방법.
- 제 8항에 있어서,상기 클로져를 닫는 단계 이전에, 상기 금속 컨테이너의 상기 플랜지와 상기 탈착가능한 클로져 사이의 사용된 금속 시일링 가스킷을 새로운 금속 시일링 가스킷으로 교체하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 기밀 금속 컨테이너의 재충전 방법.
- 증착 공정을 위한 액체 또는 고체 소스 케미컬 컨테이너 장치에 있어서,상부 파트와 하부 파트를 포함하는 외부 컨테이너와;상기 외부 컨테이너의 안에 삽입되는 내부 컨테이너와;서로 당기는 힘을 플랜지의 경사진 외부 표면과 상호작용하는 스러스트 피스을 통해 길이방향의 밀폐시키는 힘으로 전환하도록 배치된 인장 체인을 포함하고,상기 상부 파트와 상기 하부파트는 금속 가스킷을 사이에 두고 서로 압착되어 밀봉하는 상기 플랜지를 각각 포함하고, 상기 플랜지 중 적어도 하나는 상기 경사진 외부 표면을 가지며,상기 내부 컨테이너는 상기 고체 또는 액체 소스 케미컬을 저장하도록 마련된 것을 특징으로 하는 액체 또는 고체 소스 케미컬 컨테이너 장치.
- 제 13항에 있어서,상기 고체 또는 액체 소스 케미컬을 증발시키기 위한 열원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너 장치.
- 제 13항에 있어서,상기 금속 가스킷은 알루미늄이나 구리보다 경도가 높고 연성이 작은 것을 특징으로 하는 소스 케미컬 컨테이너 장치.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US30277401P | 2001-07-03 | 2001-07-03 | |
US60/302,774 | 2001-07-03 | ||
PCT/US2002/020670 WO2003004723A1 (en) | 2001-07-03 | 2002-06-28 | Source chemical container assembly |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040054624A true KR20040054624A (ko) | 2004-06-25 |
Family
ID=23169144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-7017215A KR20040054624A (ko) | 2001-07-03 | 2002-06-28 | 소스 케미컬 컨테이너 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6889864B2 (ko) |
EP (1) | EP1404890B1 (ko) |
JP (1) | JP2004534150A (ko) |
KR (1) | KR20040054624A (ko) |
DE (1) | DE60203912T2 (ko) |
TW (1) | TW539822B (ko) |
WO (1) | WO2003004723A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101069171B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2011-09-30 | (주)지오엘리먼트 | 분말소스 이송장치, 정량방법, 및 이에 사용되는 계량 용기파트 |
Families Citing this family (443)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6671223B2 (en) * | 1996-12-20 | 2003-12-30 | Westerngeco, L.L.C. | Control devices for controlling the position of a marine seismic streamer |
US6825447B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
US6765178B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
JP2005504885A (ja) * | 2001-07-25 | 2005-02-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成 |
US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
US20090004850A1 (en) | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
US6718126B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition |
US7780785B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
US7204886B2 (en) * | 2002-11-14 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical processing |
US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
US6773507B2 (en) * | 2001-12-06 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition |
US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
WO2003065424A2 (en) * | 2002-01-25 | 2003-08-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
US6866746B2 (en) * | 2002-01-26 | 2005-03-15 | Applied Materials, Inc. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
US6972267B2 (en) * | 2002-03-04 | 2005-12-06 | Applied Materials, Inc. | Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor |
US7186385B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
US7066194B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Valve design and configuration for fast delivery system |
US6772072B2 (en) | 2002-07-22 | 2004-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery |
US6921062B2 (en) | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
US6915592B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
US20040069227A1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber configured for uniform gas flow |
US6905737B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition |
US6868859B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Rotary gas valve for pulsing a gas |
US6994319B2 (en) * | 2003-01-29 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Membrane gas valve for pulsing a gas |
US20040177813A1 (en) | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Applied Materials, Inc. | Substrate support lift mechanism |
US7342984B1 (en) | 2003-04-03 | 2008-03-11 | Zilog, Inc. | Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character |
US7547363B2 (en) * | 2003-07-08 | 2009-06-16 | Tosoh Finechem Corporation | Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof |
US20050056216A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Intel Corporation | Precursor delivery system |
US20050067103A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Applied Materials, Inc. | Interferometer endpoint monitoring device |
US20050095859A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Precursor delivery system with rate control |
US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
US8118939B2 (en) * | 2005-03-17 | 2012-02-21 | Noah Precision, Llc | Temperature control unit for bubblers |
US20070049043A1 (en) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement |
US7402534B2 (en) * | 2005-08-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment processes within a batch ALD reactor |
US7464917B2 (en) * | 2005-10-07 | 2008-12-16 | Appiled Materials, Inc. | Ampoule splash guard apparatus |
US7850779B2 (en) | 2005-11-04 | 2010-12-14 | Applied Materisals, Inc. | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
US7562672B2 (en) | 2006-03-30 | 2009-07-21 | Applied Materials, Inc. | Chemical delivery apparatus for CVD or ALD |
US8951478B2 (en) * | 2006-03-30 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Ampoule with a thermally conductive coating |
US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
US7601648B2 (en) | 2006-07-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors |
US20080241805A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-02 | Q-Track Corporation | System and method for simulated dosimetry using a real time locating system |
KR101480971B1 (ko) | 2006-10-10 | 2015-01-09 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 전구체 전달 시스템 |
US8986456B2 (en) * | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
US20080099436A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Michael Grimbergen | Endpoint detection for photomask etching |
US8092695B2 (en) * | 2006-10-30 | 2012-01-10 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for photomask etching |
US7775508B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
US8821637B2 (en) * | 2007-01-29 | 2014-09-02 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition |
US8146896B2 (en) | 2008-10-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8883270B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8778204B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US8961804B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for photomask etching |
US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8808559B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for reflective multi-material layers etching |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US8900469B2 (en) | 2011-12-19 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching |
US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
TWI622664B (zh) | 2012-05-02 | 2018-05-01 | Asm智慧財產控股公司 | 相穩定薄膜,包括該薄膜之結構及裝置,及其形成方法 |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
EP2855730B1 (en) | 2012-05-31 | 2020-08-12 | Entegris Inc. | Source reagent-based delivery of fluid with high material flux for batch deposition |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9805939B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-10-31 | Applied Materials, Inc. | Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks |
US8778574B2 (en) | 2012-11-30 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
EP2762400B1 (en) * | 2013-01-30 | 2019-02-20 | Nova Patent B.V. | Towing system for a tugboat |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
FR3010761A1 (fr) * | 2013-09-13 | 2015-03-20 | Areva Np | Dispositif de serrage et procede de mise en securite d'un dispositif d'alimentation en eau alimentaire d'un generateur de vapeur susceptible d'utiliser un tel dispositif |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
CN106439313B (zh) * | 2016-08-01 | 2019-01-22 | 杨顺立 | 多瓣斜平面卡箍及其管连接件 |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US11926894B2 (en) | 2016-09-30 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Reactant vaporizer and related systems and methods |
US10876205B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | Reactant vaporizer and related systems and methods |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
JP6462096B1 (ja) * | 2017-11-22 | 2019-01-30 | 日本エア・リキード株式会社 | 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品 |
JP6425850B1 (ja) * | 2017-11-22 | 2018-11-21 | 日本エア・リキード株式会社 | 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
KR20200020608A (ko) | 2018-08-16 | 2020-02-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 승화기 |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
KR20200038184A (ko) | 2018-10-01 | 2020-04-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
WO2020236844A1 (en) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | Lam Research Corporation | Vapor accumulator for corrosive gases with purging |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11624113B2 (en) | 2019-09-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heating zone separation for reactant evaporation system |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10889892B1 (en) | 2019-12-16 | 2021-01-12 | Quantum Elements Development, Inc. | Quantum printing apparatus |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11484941B2 (en) | 2020-12-15 | 2022-11-01 | Quantum Elements Development Inc. | Metal macrostructures |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
CN113154156A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-07-23 | 中国科学技术大学 | 一种小通径系列超高真空链式卡箍法兰组件 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN115143328A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-10-04 | 兰州大学 | 一种可快速拆卸的法兰结构 |
KR20240059821A (ko) * | 2022-10-27 | 2024-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2640717A (en) | 1949-07-26 | 1953-06-02 | Emerson Scheuring Tank And Mfg | Separable pressure vessel quick clamp |
US3642166A (en) * | 1970-03-04 | 1972-02-15 | Container Corp | Container and lid construction |
US4288001A (en) * | 1980-07-15 | 1981-09-08 | Gulf & Western Manufacturing Company | Closure arrangement for pressure device |
US4732294A (en) * | 1987-03-12 | 1988-03-22 | Parker Hannifin Corporation | Safety latch means for filter assembly |
JPH0826952B2 (ja) * | 1991-07-09 | 1996-03-21 | エドガー チャン | 管フランジ継手用のチェーン |
US5199603A (en) * | 1991-11-26 | 1993-04-06 | Prescott Norman F | Delivery system for organometallic compounds |
EP0571687B1 (de) * | 1992-05-21 | 1995-08-16 | Heinrich Fend | Vorrichtung zum Gegeneinanderpressen von zwei konischen Flanschen einer Rohrverbindung |
DE19627841A1 (de) * | 1995-08-14 | 1997-02-20 | Heinrich Fend | Vorrichtung zum Gegeneinanderpressen von zwei Flanschen einer Rohrverbindung |
US6268288B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treated thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors |
JP2001049434A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-20 | Asahi Denka Kogyo Kk | TiN膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
FI118805B (fi) * | 2000-05-15 | 2008-03-31 | Asm Int | Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon |
-
2002
- 2002-06-27 TW TW091114123A patent/TW539822B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-28 KR KR10-2003-7017215A patent/KR20040054624A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-06-28 US US10/187,142 patent/US6889864B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-28 JP JP2003510476A patent/JP2004534150A/ja active Pending
- 2002-06-28 EP EP02744752A patent/EP1404890B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-28 WO PCT/US2002/020670 patent/WO2003004723A1/en active IP Right Grant
- 2002-06-28 DE DE60203912T patent/DE60203912T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101069171B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2011-09-30 | (주)지오엘리먼트 | 분말소스 이송장치, 정량방법, 및 이에 사용되는 계량 용기파트 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60203912D1 (de) | 2005-06-02 |
EP1404890B1 (en) | 2005-04-27 |
TW539822B (en) | 2003-07-01 |
WO2003004723A1 (en) | 2003-01-16 |
US20030075925A1 (en) | 2003-04-24 |
US6889864B2 (en) | 2005-05-10 |
EP1404890A1 (en) | 2004-04-07 |
DE60203912T2 (de) | 2006-02-16 |
JP2004534150A (ja) | 2004-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20040054624A (ko) | 소스 케미컬 컨테이너 장치 | |
JP2004534150A5 (ko) | ||
EP1837420B1 (en) | Pressure vessel for growing single crystal | |
US7811532B2 (en) | Dual-flow valve and internal processing vessel isolation system | |
WO2007062264A3 (en) | Gas storage container linings formed with chemical vapor deposition | |
US20090250648A1 (en) | Gate Valve for Vacuum Apparatus | |
KR20110038155A (ko) | 고순도 유체를 공급하기 위한 방법 및 시스템 | |
CN1013124B (zh) | 表面处理的方法及其设备 | |
FR2554131A1 (fr) | Procede pour enrichir un gaz vehicule de la vapeur d'une substance peu volatile | |
EP2157353A1 (en) | Storage container for liquid chlorosilane and closing lid therefor | |
US20130269608A1 (en) | Apparatus, method and reaction chamber | |
US4512557A (en) | Apparatus for preparing high-melting-point high-toughness metals | |
JP2005188672A (ja) | バルブ装置 | |
US4919304A (en) | Bubbler cylinder device | |
GB2197904A (en) | Transport container for liquid chemicals with covers and immersion tube | |
FR2759302A1 (fr) | Methode de chargement et de dechargement d'un catalyseur sans arreter le fonctionnement d'une operation | |
JP2004176885A (ja) | 水素貯蔵容器 | |
JP2004332039A (ja) | Cvd用反応容器 | |
FR2526140A1 (fr) | Four a distillation et reduction pour des combinaisons de metaux | |
US11486043B2 (en) | Metal contamination prevention method and apparatus, and substrate processing method using the same and apparatus therefor | |
RU2033255C1 (ru) | Способ изготовления ячейки для проведения реакции с агрессивными летучими веществами | |
JPH0912055A (ja) | 密封容器 | |
JP2006063397A (ja) | 蓋開閉式真空チャンバー | |
EP1172303A1 (fr) | Capsule de bouchage à jupe plissée et joint pour bouteille de boisson gazeuse | |
LU82864A1 (fr) | Perfectionnements aux procedes d'affinage de fonte au convertisseur |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |