KR20020075917A - 질화물반도체 레이저소자 - Google Patents
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Abstract
Description
NO | p측 오믹전극 | P측 패드전극 | AuSn | 특성변화온도 |
1 | Ni-Au | Ni-Au | 없음 | 325 |
2 | Ni-Au | Ni-Au | 있음 | 275 |
3 | Ni-Au | Ni-Ti-Au | 없음 | 325 |
4 | Ni-Au | Ni-Ti-Au | 있음 | 325 |
5 | Ni-Au | Rh-Au | 없음 | 325 |
6 | Ni-Au | Rh-Au | 있음 | 325 |
7 | Ni-Au | RhO-Au | 없음 | 350 |
8 | Ni-Au | RhO-Au | 있음 | 350 |
9 | Ni-Au | RhO-Pt-Au | 없음 | 350 |
10 | Ni-Au | RhO-Pt-Au | 있음 | 350 |
11 | Ni-Au-RhO | Ni-Ti-Au | 없음 | 300 |
12 | Ni-Au-RhO | Ni-Ti-Au | 있음 | 300 |
13 | Ni-Au-RhO | RhO-Au | 없음 | 375 |
14 | Ni-Au-RhO | RhO-Au | 있음 | 375 |
15 | Ni-Au-RhO | RhO-Pt-Au | 없음 | 375 |
16 | Ni-Au-RhO | RhO-Pt-Au | 있음 | 375 |
Claims (19)
- 기판상에, 순차형성된 n형 질화물반도체층, 활성층 및 p형 질화물반도체층을 구비하고, 이 p형 질화물반도체층에 적어도 최상층의 p형 콘택트층을 포함하도록 릿지부가 형성되며 그 릿지부의 상면의 p형 콘택트층에 오믹 접촉하는 p측 오믹전극이 공진방향으로 대략 평행으로 형성되어 있는 질화물반도체 레이저소자로서,상기 릿지부의 상면에 개구부를 가진 제1의 절연막이 적어도 상기 릿지부의 측면 및 그 측면의 외측근방을 덮도록 형성되고, 상기 p측 오믹전극은 상기 개구부를 통하여 상기 p형 콘택트층과 접하도록 형성되며,상기 제1의 절연막의 위에 다시 제2의 절연막이 형성되어있는 것을 특징으로 하는 질화물반도체 레이저소자.
- 제1항에 있어서,상기 제2의 절연막이 공진단면에 연속해서 형성되어, 이 공진단면에 레이저 반사면을 형성하는 질화물반도체 레이저소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 및 제2의 절연막이 산화물인 질화물반도체 레이저소자.
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제1의 절연막이 ZrO2인 질화물반도체 레이저소자.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2의 절연막이 TiO2또는 SiO2인 것을 특징으로 하는 질화물반도체 레이저소자.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2의 절연막이 TiO2층과 SiO2층이 번갈아 적층된 다층막인 질화물반도체 레이저소자.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 p측 오믹전극이 Ni, Co, Fe, Ti, Cu로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종과 Au를 적층한 후 아닐링되어 형성된 합금인 것을 특징으로 하는 질화물반도체 레이저소자.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2의 절연막이 상기 p측 오믹전극상에 개구부를 가지며, 이 개구부를 통해서 p측 오믹전극에 접하도록 p측 패드전극이 형성된 것인 질화물반도체 레이저소자.
- 제8항에 있어서,상기 p측 패드전극이, p측 오믹전극에 접하는 층에서 순서대로, 밀착층, 베리어층, Au층의 3층을 포함하여 이루어지고,상기 밀착층은 상기 Au층에 비교해서 상기 제2의 절연막 및 상기 p측 오믹전극과 밀착성이 좋은 재료로 이루어지며상기 베리어층은 상기 Au층에 비교해서 확산이 일어나기 어려운 재료로 이루어진 질화물반도체 레이저소자.
- 제9항에 있어서,상기 p측 패드전극의 밀착층이, Ni, Cu, Ru, RuO2, Ti, W, Zr, Rh, RhO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 질화물반도체 레이저소자.
- 제9항 또는 제10항에 있어서,상기 p측 패드전극의 베리어층이, Ti, Pt, W, Ta, Mo, Rh, 이들의 질화물 및 RhO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 질화물반도체 레이저소자.
- 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화물반도체 레이저소자가 상기 n형 질화물반도체층의 일부가 노출된n형 콘택트층을 포함하고, 이 노출된 n형 콘택트층상에 n측 오믹전극을 통해서 n측 패드전극이 형성되며,상기 n측 패드전극은 p측 패드전극과 동일 재료로 이루어지는 질화물반도체 레이저소자.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 p측 오믹전극이 Ni, Co, Fe, Ti, Cu로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종과 Au를 적층한 후 아닐링되어 형성된 합금층을 포함하고, 상기 제2의 절연막이 상기p측 오믹전극에 접촉하도록 p측 패드전극이 형성되는 질화물반도체 레이저소자.
- 제13항에 있어서,상기 p측 패드전극이 Rh 또는 RhO로 이루어진 상기 p측 오믹전극에 접촉하여 형성된 밀착층과 이 밀착층상에 형성된 Au층으로 이루어지는 질화물반도체 레이저소자.
- 제13항에 있어서,상기 p측 패드전극이, Rh 또는 RhO로 이루어진 상기 p측 오믹전극에 접촉하여 형성된 밀착층과 Ti, Pt, W, Ta, Mo 및 이들의 질화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 이루어진 상기 밀착층 상에 형성된 베리어층과, 이 베리어층의 상에 형성된 Au층으로 이루어지는 질화물반도체 레이저소자.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 p측 오믹전극이, 최상층에 RhO층을 포함하여 이루어지고, 상기 밀착층은 RhO로 이루어지는 질화물반도체 레이저소자.
- p형 질화물반도체층과, 이 p형 질화물반도체층의 위에 형성된 p측 오믹전극과, 이 p측 오믹전극의 위에 형성된 p측 패드전극을 구비하는 질화물반도체소자로서,상기 p측 오믹전극이 Ni, Co, Fe, Ti, Cu로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종과 Au를 적층한 후 아닐링하여 형성된 합금층을 포함하여 이루어지고,상기 p측 패드전극은, Rh 또는 RhO로 이루어진 상기 p측 오믹전극에 접해 형성된 밀착층과 이 밀착층상에 접촉하고 또는 Ti, Pt, W, Ta, Mo 및 이들의 질화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 이루어진 상기 밀착층의 위에 형상된 베리어층을 통해서 형성된 Au층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물반도체 발광소자.
- 제17항에 있어서,상기 p측 오믹전극이 최상층에 RhO층을 포함하여 이루어지고, 상기 밀착층이 RhO로 이루어지는 질화물반도체소자.
- p형 질화물반도체층의 위에 전극을 형성하는 방법에 있어서,p형 질화물반도체층의 위에, Ni, Co, Fe, Ti, Cu로 된 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진 제1층과, Au층과, RhO층을 순차형성함으로써 p측 오믹전극을 형성하는 단계와,상기 p측 오믹전극을 열 아닐링하는 단계와,상기 아닐링된 p측 오믹전극의 위에 RhO층을 형성하고, Au층을 형성하는 것을 포함하여, 상기 p측 오믹전극의 위에 p측 패드전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물반도체 발광소자의 전극 형성방법.
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