KR20020064760A - 압전발진기 - Google Patents

Abstract

본 발명은 압전진동자와 증폭회로를 갖춘 압전발진기로, 전원전압을 인가하고 나서 소요 기간만큼 압전진동자에 소정 레벨의 기동촉진용의 전압을 인가하기 위한 순간 전압공급수단을 설치함으로써, 압전발진기가 비동작상태로부터 발진동작상태로 될 때까지 필요로 하는 기동시간이 단축하는 것은 물론, 소정 시간 경과 후 기동촉진용 전압의 공급이 끊어지기 때문에, 위상잡음특성 및 주파수 안정도 특성이 우수한 것으로 된다는 효과를 발휘한다.

Description

압전발진기 {PIEZOELECTRIC OSCILLATOR}

휴대전화는 장시간의 연속사용이 가능하도록 기준 발신원으로서 사용하고 있는 수정발진기를 간헐적으로 동작시켜 저소비전력화를 도모하고 있다.

이와 같이 간헐동작시키는 수정발진기에 있어서는 구동개시로부터 소망하는 출력신호를 발진시킬 때까지 필요로 하는 기동시간이 단시간일 것이 요구되고 있어, 일본 특원평 제8-51017호 공보에 나타낸 바와 같은 구성의 것이 실용화되고 있다.

도 38은 상기 공보에 기재되어 있는 기동특성을 개선한 종래의 수정발진기의 예를 나타낸 회로도이다.

동 도면에 나타낸 수정발진기(100)는 전형적인 콜피츠형 수정발진기이지만, 트랜지스터(101)의 베이스에 용량(102)을 매개로 접속한 수정진동자(103)의 다른쪽 단을 전원전압(Vcc) 라인에 접속하도록 구성한 것이 특징이고, 통상 전원전압(Vcc) 라인은 비교적 큰 값의 용량(104)을 매개로 접지되어 있기 때문에, 수정진동자 (103)의 다른쪽 단은 전원전압(Vcc) 라인을 매개로 접지되게 된다.

또, 저항(105) 및 저항(106)은 베이스 바이어스회로이고, 107은 에미터 저항이며, 용량(108) 및 용량(109)은 부하용량의 일부를 담당하는 것이다.

이러한 구성에 의하면, 전원전압(Vcc)을 인가한 직후에 전원전압(Vcc)과 동등한 전압레벨의 전압이 펄스파적으로 수정진동자(103)에 인가되기 때문에, 이에 따라 수정진동자(103)가 높은 진동레벨로 요동하고, 결과적으로 발진신호가 소요되는 레벨에 도달할 때까지의 기동시간이 단시간인 것으로 된다.

그렇지만, 상기한 바와 같은 구성의 수정발진기에서는, 전원전압(Vcc) 라인이 발진루프의 일부로서 포함되기 때문에, 전원전압에 포함되는 잡음이나 전원전압 (Vcc) 라인을 매개로 혼입하는 잡음이 수정진동자(103)에 직접 인가되기 때문에, 그 영향에 의해 위상잡음특성이 악화될 우려가 있었다.

즉, 상기와 같은 구성의 수정발진기(100)는, 전원전압(Vcc) 라인과 접지 사이에 개재하는 용량(104)이 바이패스 콘덴서로서의 역할을 겸하고는 있지만, 일반적으로 전원전압 및 전원전압(Vcc) 라인의 무수한 개소로부터 혼입하는 잡음을 완전히 제거하는 것은 바이패스 콘덴서를 복수개 설치했다고 해도 불가능하다.

따라서, 이 잡음신호는 발진신호와 더불어 발진회로에 구비된 증폭회로에 의해 증폭된 후 출력되어 버리기 때문에, 수정발진기(100)의 위상잡음특성을 악화시켜 버리는 것이다.

그리고, 이러한 수정발진기의 출력신호를 디지털처리에 이용한 경우, 출력신호에 혼재(混在)한 잡음신호에 의해 데이터 처리시에 비트에러가 발생해 버린다는 문제가 생기는 경우가 있다.

더욱이, 당해 발진기를 휴대전화기 등에 짜넣을 때, 전원전압(Vcc) 라인에 접속되는 다른 회로 등의 부유용량이 발진루프에 포함되게 되고, 설정 주파수가 변동해 버린다는 문제가 생기는 경우가 있었다.

즉, 발진회로의 부하용량에는 상기 수정발진기(100)를 구성하는 전자부품과 배선패턴에 의한 용량외에 수정발진기(100)가 탑재되는 장치측의 전원전압(Vcc) 라인에 접속된 바이패스 콘덴서 및 부유용량이 포함되기 때문에, 수정발진기(100)의 출력주파수의 조정을 행할 때에는 이들 값을 미리 상정한 상태에서 설정할 필요가 발생한다.

그러나, 이러한 조정방법은, 수정발진기가 탑재되는 장치에 사용된 바이패스 콘덴서의 값이 기종에 따라 다른 경우가 많고, 그 때문에 각각의 장치에 대응하도록 수정발진기의 조정조건을 변경하지 않으면 안되기 때문에, 당해 발진기를 짜넣은 기기의 생산효율성을 저하시키는 요인으로도 된다.

본 발명은 압전발진회로의 상기 모든 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 기동특성이 우수하고, 위상잡음특성 및 주파수 안정도를 열화시키는 일없이 기동특성을 개선한 수정발진기를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명은 압전발진기에 관한 것으로, 특히 비동작상태로부터 발진동작상태로 될 때까지의 기동시간을 단축한 압전발진기에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도이고,

도 2는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 3은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 4는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 5는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 6은 전원전압(Vcc)의 상승특성을 나타낸 도면,

도 7a는 본 발명에 기초한 수정발진기에 갖춘 트랜지스터(33)의 베이스 전위의 상승특성을 나타낸 도면,

도 7b는 본 발명에 기초한 수정발진기의 트랜지스터(33)의 에미터·베이스간 전압의 상승특성을 나타낸 도면,

도 8은 본 발명에 기초한 수정발진기의 기동촉진용 전압의 상승특성을 나타낸 도면,

도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)는 발명에 기초한 수정발진기의 기동특성을 나타낸 도면,

도 10은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 11은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 12는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 13은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 14는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 15는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 16은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 17은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 18은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 19는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 20은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 21은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 22는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 23은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 24는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 25는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 26은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 27은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 28은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 29는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 30은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 31은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 32는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 33은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 34는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 35는 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 36은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 37은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예의 회로구성도,

도 38은 종래의 수정발진기의 1실시예의 회로구성도이다.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명에 따른 청구항 1에 기재된 발명은, 압전진동자와 증폭회로 및 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 NPN형 트랜지스터를 전원전압(Vcc) 라인과 상기 압전진동자의 일단 사이에 순방향 접속하며, 상기 전원전압(Vcc) 라인과 상기 NPN형 트랜지스터의 베이스 사이에 용량을 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc) 투입후 소정시간 상기 NPN형 트랜지스터를 매개로 상기 전원전압(Vcc) 라인으로부터 압전진동자에 기동촉진용 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다.

청구항 2에 기재된 발명은, 압전진동자와 증폭회로 및 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1NPN형 트랜지스터를 전원전압(Vcc) 라인과 상기 압전진동자의 일단 사이에 순방향 접속하며, 상기 제1NPN형 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 저항을 삽입접속하고, 상기 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제1NPN형 트랜지스터의 베이스 사이에 제2NPN형 트랜지스터를 순방향 접속하며, 전원전압(Vcc) 라인과 그 제2NPN형 트랜지스터의 베이스 사이에 용량을 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc) 투입후 소정시간 상기 제1NPN형 트랜지스터를 매개로 상기 전원전압(Vcc) 라인으로부터 압전진동자에 기동촉진용 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다.

청구항 3에 기재된 발명은, 압전진동자와 증폭회로 및 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 PNP형 트랜지스터를 전원전압(Vcc) 라인과 상기 압전진동자의 일단 사이에 순방향 접속하며, 접지와 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스 사이에 용량 및 다이오드로 이루어진 병렬회로를 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc) 투입후 소정시간 상기 PNP형 트랜지스터를 매개로 상기 전원전압(Vcc) 라인으로부터 압전진동자에 기동촉진용 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다.

청구항 4에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 한다.

청구항 5에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 트랜지스터 스위치와, 그 트랜지스터 스위치의 베이스 바이어스 회로용의 분압회로를 갖춘 것이며, 그 분압회로의 분압비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어함으로써, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 한다.

청구항 6에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 한다.

청구항 7에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속한 구성이고, 상기 제1용량과 상기 제2용량의 용량비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 한다.

청구항 8에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 트랜지스터 스위치와, 그 트랜지스터 스위치의 베이스 바이어스 회로용의 분압회로 및, 상기 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖춘 것이며, 그 분압회로의 분압비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어함으로써, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 한다.

청구항 9에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속하고, 상기 PNP형 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖춘 것이며, 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하고, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 한다.

청구항 10에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속하고, 상기 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖춘 것이며, 상기 제1용량과 상기 제2용량의 용량비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어하고, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 한다.

청구항 11에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것이고, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 그 PNP형 트랜지스터의 ON동작 타이밍과 거의 동시기에 ON동작하는 트랜지스터 스위치를 갖춘 것을 특징으로 한다.

청구항 12에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속한 구성이고, 상기 제1용량과 상기 제2용량의 용량비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것이고, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 그 PNP형 트랜지스터의 ON동작 타이밍과 거의 동시기에 ON동작하는 트랜지스터 스위치를 갖춘 것을 특징으로 한다.

청구항 13에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속하고, 상기 PNP형 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖추며, 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하고, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것이며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 그 PNP형 트랜지스터의 ON동작 타이밍과 거의 동시기에 ON동작하는 트랜지스터 스위치를 갖춘 것을 특징으로 한다.

청구항 14에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속하고,상기 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖추며, 상기 제1용량과 상기 제2용량의 용량비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어하고, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것이며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 그 PNP형 트랜지스터의 ON동작 타이밍과 거의 동시기에 ON동작하는 트랜지스터 스위치를 갖춘 것을 특징으로 한다.

청구항 15에 기재된 발명은, 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 트랜지스터 스위치와, 그 트랜지스터 스위치의 베이스 바이어스 회로용의 분압회로를 갖춘 것이며, 그 분압회로가 용량과 저항으로 이루어진 직렬회로를 갖추고, 그 직렬회로의 시정수에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어함으로써, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 한다.

청구항 16에 기재된 발명은, 압전진동자와 발진용 트랜지스터 및 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류를 증가시키도록 제어함으로써, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 17에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로에 의해 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시키도록 제어함으로써, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축한 것을 특징으로 한다.

청구항 18에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로를 갖춘 것이며, 그 스위치회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써, 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축한 것을 특징으로 한다.

청구항 19에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 그 스위치 제어회로가 용량의 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어함으로써, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속하고, 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축한 것을 특징으로 한다.

청구항 20에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로가 제2트랜지스터를 갖춘 것이고, 그 제2트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 발진용 트랜지스터의 에미터 저항을 삽입접속하며, 그 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량을 매개로 접속하고, 제3트랜지스터의 콜렉터와 전원전압(Vcc) 라인을 접속함과 더불어 상기 제3트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 베이스를 저항을 매개로 접속하도록 구성하며, 상기 용량의 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어함으로써, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속하고, 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축한 것을 특징으로 한다.

청구항 21에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로가 제2트랜지스터를 갖춘 것이고, 그 제2트랜지스터의 콜렉터와 상기 발진용 트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 접속하며, 상기 제2트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 발진용 트랜지스터의 에미터 저항을 삽입접속하고, 그 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량을 매개로 접속하며, 제3트랜지스터의 콜렉터와 전원전압(Vcc) 라인을 접속함과 더불어 상기 제3트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 베이스를 저항을 매개로 접속하도록 구성하고, 상기 용량의 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어함으로써, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속하며, 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축한 것을 특징으로 한다.

청구항 22에 기재된 발명은, 압전진동자와 발진용 트랜지스터 및 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터의 전위를 상승시켜 콜렉터전류를 증가시키도록 제어함으로써, 압전진동자를 강여진(强勵振)시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축하며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 23에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 전원전압(Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 상기 고속기동용 회로가 상기 제2트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위가 올라가며, 이에 따른 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하기 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 한다.

청구항 24에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로를 갖추며, 그 스위치회로가 전원전압(Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 ON동작함으로써 그 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc) 라인과 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터를 접속하여 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하기 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 한다.

청구항 25에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖추며, 그 스위치 제어회로가 용량을 갖춘 것임과 더불어 전원전압 (Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 그 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로를 ON동작시킴으로써 그 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc) 라인과 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터를 접속하여 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하지 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 한다.

청구항 26에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖추며, 상기 스위치 회로가 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하고, 그 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량을 매개로 접속하며, 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접지하도록 구성한 것이고, 상기 스위치 제어회로가 전원전압(Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로를 ON동작시킴으로써 그 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc) 라인과 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터를 접속하여 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하기 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 한다.

청구항 27에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖추며, 상기 스위치 회로가 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압 (Vcc) 라인에 접속하고, 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하고, 그 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량을 매개로 접속하며, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터와 전원전압(Vcc)을 저항을 매개로 접속하고, 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접지하도록 구성한 것이며, 상기 스위치 제어회로가 전원전압(Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로를 ON동작시킴으로써 그 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc) 라인과 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터를 접속하여 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하기 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 한다.

청구항 28에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 29에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 30에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로를 갖춘 것이며, 그 스위치회로중 1개가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 31에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고,그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로를 갖춘 것이며, 그 스위치회로중 1개가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하여 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 32에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로와, 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 그 스위치 제어회로가 용량을 갖춘 것임과 더불어 그 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하는 것이고, 상기 스위치회로중 1개가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 33에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치 제어회로가 용량을 갖춘 것임과 더불어 그 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하는 것이고, 상기 스위치회로중 1개가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하여 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하며, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되고, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 34에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로와, 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로중 1개가 제2트랜지스터를 갖추어 그 제2트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 에미터 저항을 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제2트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 더욱이 상기 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 35에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 스위치회로중 1개가 제3트랜지스터를 갖추며, 그 제3트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 에미터 저항을 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제4트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제4트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제3트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 제4트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 더욱이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 36에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로와, 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로중 1개가 제2트랜지스터를 갖추어 그 제2트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 에미터 저항을 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 접속하며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 저항을 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제2트랜지스터의 베이스에 접속하며, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 더욱이 상기 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 37에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 스위치회로중 1개가 제3트랜지스터를 갖추며, 그 제3트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 에미터 저항을 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제4트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제4트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제3트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 제4트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 저항을 매개로 접속하고, 더욱이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 38에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로와, 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로중 1개가 제2트랜지스터를 갖추어 그 제2트랜지스터의 콜렉터를 저항을 매개로 상기 발진용 트랜지스터의 에미터에 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 접속하며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 저항을 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제2트랜지스터의 베이스에 접속하며, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하고, 더욱이 상기 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이며, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하고, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하고, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하며, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되고, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 39에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 스위치회로중 1개가 제3트랜지스터를 갖추며, 그 제3트랜지스터의 콜렉터를 저항을 매개로 상기 발진용 트랜지스터의 에미터에 접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제4트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제4트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제3트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 제4트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 저항을 매개로 접속하고, 더욱이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 한다.

청구항 40에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc) 투입후 소요되는 동안 만큼 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류 및 에미터전류를 커런트 미러회로로 이루어진 전류제어회로에 의해 제어하는 것을 특징으로 한다.

청구항 41에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 2개의 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 전원전압(Vcc) 인가후 소요되는 동안 만큼 상기 제1고속기동용 회로가 상기 압전진동자에 기동촉진용 전압을 인가하며, 상기 제2고속기동용 회로가 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류를 증가시키는 것을 특징으로 한다.

청구항 42에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 2개의 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로를 갖춘 것이며, 상기 제1고속기동용 회로가 전원전압(Vcc) 인가후 소요되는 동안 만큼 상기 제1고속기동용 회로에 갖춘 상기 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc)을 발진촉진용 전압으로서 상기 압전진동자에 인가하고, 상기 제2고속기동용 회로가 스위치회로에서 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 저항 또는 에미터 저항 또는 콜렉터저항과 에미터 저항을 바이패스함으로써 콜렉터전류를 증가시키는 것을 특징으로 한다.

청구항 43에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속한 버퍼용 트랜지스터를 갖춘 압전 발진기에 있어서, 상기 버퍼용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 제1용량을 매개로 접속하고, 그 베이스를 제2용량을 매개로 접지한 것을 특징으로 한다.

청구항 44에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 고속기동용 회로를 갖춤과 더불어, 그 고속기동용 회로가 디플리션형(depletion type) P채널 FET를 스위치소자로 한 스위치회로를 갖춘 압전 발진기이고, 그 스위치회로가 전원전압 투입후의 소요 시간만큼 ON동작하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 상기 압전진동자로의 기동전류를 높이고, 더욱이 상기 소요 시간이 경과한 후에 상기 스위치회로가 OFF 동작하는 것을 특징으로 한다.

청구항 45에 기재된 발명은, 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춤과 더불어, 그 고속기동용 회로가 디플리션형 P채널 FET의 베이스를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 전원전압(Vcc) 라인과 접지 사이에 설치한 저항과 용량이 직렬회로의 그 저항과 용량의 접속점을 디플리션형 P채널 FET의 게이트에 접속하며, 드레인·소스 사이와 상기 발진용 트랜지스터의 에미터 저항을 병렬접속하도록 구성한 것이고, 상기 디플리션형 P채널 FET가 전원전압 투입후의 소요 시간만큼 ON동작하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 상기 압전진동자로의 기동전류를 높이고, 더욱이 상기 소요 시간이 경과한 후에 상기 스위치회로가 OFF 동작하는 것을 특징으로 한다.

이하, 도시한 실시예에 따라 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 기초한 수정발진기의 1실시예를 나타낸 회로구성도이다.

동 도면에 나타낸 수정발진기(1-1)는 점선으로 둘러싸인 수정발진회로(2)와 일점쇄선(一點鎖線)으로 둘러싸인 제1고속기동용 회로(3)를 갖춘 것이다.

수정발진회로(2)는 일반적인 콜피츠형 수정발진회로로, 용량을 매개로 일단을 접지한 수정진동자(5)의 다른쪽 단을 발진용 트랜지스터(6)의 베이스에 접속하고, 이 베이스와 접지 사이에 부하용량의 일부로 되는 용량(7)과 용량(8)의 직렬회로를 삽입접속함과 더불어, 이 직렬회로의 접속중점을 저항(9)을 매개로 접지된 트랜지스터(6)의 에미터에 접속하며, 더욱이 베이스에 저항(10)과 저항(11)으로 이루어진 베이스 바이어스 회로에 의해 적당히 베이스 바이어스를 실시함과 더불어, 트랜지스터 (6)의 콜렉터와 전원전압(Vcc) 라인을 저항(12)을 매개로 접속하도록 구성한 것이다.

고속기동용 회로(3)는 전원전압(Vcc) 라인에 콜렉터를 접속한 스위칭 동작을 행하는 기동촉진용의 제1NPN형 트랜지스터(13; 이하, 트랜지스터(13)로 칭함)의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량(14)을 매개로 접속함과 더불어, 이 베이스와 접지를 역방향접속의 다이오드(15)를 매개로 접속한 것이고, 더욱이 트랜지스터(13)의 에미터를 수정진동자(5)와 트랜지스터(6)의 접속중점(A)에 접속하도록 구성한 것이다.

다음으로, 수정발진기(1-1)의 동작에 대해 설명한다.

한편, 수정발진회로(2)에 대해서는 상술한 바와 같이 일반적인 콜피츠형 수정발진회로로, 그 동작에 대해서는 이미 알려진 것이기 때문에 설명을 생략한다.

전원전압(Vcc)을 인가하면 그 직후부터 용량(14)에는 전하의 충전이 개시되고, 그 동안 차지전류가 발생하며, 이 전류가 트랜지스터(13)의 베이스전류로 되어 이 트랜지스터(13)가 도통상태(ON동작상태)로 된다.

그 결과, 수정진동자(5)에 전원전압(Vcc)이 인가되기 때문에, 수정진동자(5)는 순간적으로 요동되고, 결과적으로 비동작 상태로부터 발진동작상태에 도달할 때까지의 기동시간이 단축되게 된다.

한편, 소정 기간이 경과되어 용량(14)으로의 전하의 충전이 완료되면, 트랜지스터(13)의 베이스전류인 차지전류가 소멸하기 때문에, 트랜지스터(13)는 OFF 동작상태로 되어 수정진동자(5)와 전원전압(Vcc) 라인이 절단된 상태에서 수정발진회로 (2)는 정상 발진동작을 지속한다.

또, 다이오드(15)는 전원전압(Vcc)이 인가되고 있을 때에는 트랜지스터(13)의 베이스와 접지 사이를 고임피던스 상태로 유지하고, 전원전압(Vcc)이 인가되고 있지 않는 상태에서는 용량(14)의 차지전하의 방전을 촉진하기 위한 것으로, 반드시 필요한 것은 아니며, 또 다이오드(15) 대신에 저항을 사용해도 좋다.

도 2는 본 발명에 기초한 수정발진기(1-2)의 다른 실시예를 나타낸 것이다.

동 도면에 나타낸 수정발진기(1-2)가 도 1에 나타낸 실시예와 다른 것은 제1고속기동용 회로(3)의 내부구성이 상위하다는 점이다.

즉, 전원전압(Vcc) 라인에 콜렉터를 접속한 제1NPN형 트랜지스터(13)의 베이스와 에미터를 저항(16)을 매개로 접속함과 더불어, 그 트랜지스터(13)의 콜렉터를 전원전압(Vcc) 라인을, 또 에미터를 수정진동자(5)의 한쪽 단(A)에 접속한다.

더욱이, 전원전압(Vcc) 라인에 콜렉터를 접속한 제2NPN형 트랜지스터(17)의 에미터와 상기 트랜지스터(13)의 베이스를 저항(18)을 매개로 접속하고, 트랜지스터 (17)의 베이스와 콜렉터를 용량(14)을 매개로 접속함과 더불어, 트랜지스터(17)의 베이스와 접지를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속한 것이다.

이 예에서는 트랜지스터(13)와 트랜지스터(17)를 2단 접속했기 때문에, 도 1의 회로에 비해 전체 증폭도가 커져 수정진동자(5)에 가해지는 펄스모양 Vcc 전압의 상승을 크게 할 수 있기 때문에 기동촉진효과가 보다 한층 더 얻어지는 경우가 있다.

더욱이, 스위칭 동작을 행하는 트랜지스터로서 PNP형을 사용한 것으로서는, 예컨대 도 3 및 도 4에 나타낸 구성으로 하면 좋다.

즉, 도 3 및 도 4에 나타낸 수정발진기(1-3, 1-4)는 본 발명에 기초한 다른 실시예이고, 도 3은 트랜지스터를 일단 구성한 콜피츠형 발진회로이고, 도 4는 트랜지스터를 2단 구성한 소위 종속접속형 버퍼회로를 갖춘 수정발진기이다.

수정발진기(1-3, 1-4)가 특징으로 하는 점은, 고속기동용 회로(3)로서 PNP형트랜지스터(19)를 스위치회로 소자로 한 것이고, 트랜지스터(19)의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하며, 트랜지스터(19)의 콜렉터를 수정진동자(5)의 일단에 접속하고, 더욱이 트랜지스터(19)의 베이스와 접지 사이에 용량(20)을 삽입접속함과 더불어, 트랜지스터(19)의 베이스에 NPN형 트랜지스터(21)의 에미터를 접속하며, 더욱이 트랜지스터(21)의 베이스와 콜렉터를 접지하도록 구성한 것을 사용한 바에 있다.

또한, 트랜지스터(21)는 상기와 같이 베이스와 콜렉터를 접속한 구성에 의해 다이오드로서 기능하는 것이다.

그리고, 이러한 구성이어도 전원전압(Vcc)을 인가하면 그 직후부터 용량(20)에는 전하의 충전이 개시되고, 그 동안 차지전류가 발생하며, 이 전류가 트랜지스터 (19)의 베이스전류로 되어 이 트랜지스터(19)가 도통상태로 된다.

그 결과, 수정진동자(5)에 전원전압(Vcc)이 인가되기 때문에, 수정진동자(5)는 순간적으로 요동되고, 결과적으로 비동작 상태로부터 발진동작상태에 도달할 때까지의 기동시간이 단축되게 된다.

한편, 소정 기간이 경과되어 용량(20)으로의 전하의 충전이 완료되면, 트랜지스터(19)의 베이스전류인 차지전류가 소멸하기 때문에, 트랜지스터(19)는 OFF 동작상태로 되어 수정진동자(5)와 전원전압(Vcc) 라인이 절단된 상태에서 수정발진회로 (2)는 정상 발진동작을 지속할 수 있다.

더욱이, 도 5는 본 발명에 기초한 수정발진기의 다른 실시예를 나타낸 회로도이다.

동 도면에 나타낸 수정발진기(1-5)는 일점쇄선내의 콜피츠형 수정발진회로 (2)와, 점선내의 고속기동용 회로(3)를 갖춘 것이다.

수정발진회로(2)는 발진용 트랜지스터(22)의 베이스에, 일단이 용량(23)을 매개로 접지된 수정진동자(24)의 다른쪽 단을 접속하고, 더욱이 베이스와 접지 사이에 부하용량의 일부로 되는 용량(25) 및 용량(26)의 직렬회로를 삽입접속하며, 이 직렬회로의 접속회로의 접속중점과 트랜지스터(22)의 에미터를 접속함과 더불어, 에미터와 접지 사이에 에미터 저항(27)을 접속한다.

더욱이, 상기 트랜지스터(22)의 콜렉터에는 그 베이스를 고주파 잡음 패스용 용량(28)을 매개로 접지한 트랜지스터(29)를 종속접속하고, 그 트랜지스터(29)의 베이스와 전원전압(Vcc) 사이에 정전류회로(30)를 삽입접속하며, 더욱이 저항(31, 32)으로 이루어진 회로망에서 트랜지스터(22, 29)에 베이스 바이어스를 적당히 인가하도록 구성한 것이다.

또, 상기 트랜지스터(29)의 콜렉터와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 부하저항 (Rc)을 삽입접속하고, 발진출력은 트랜지스터(29)의 콜렉터로부터 직류커트용 용량 (C)을 매개로 취출(取出)하지만, 출력단(OUT)과 접지 사이에 접속한 용량(CL) 및 저항(RL)은 수정발진기의 사용조건에 일치시키기 위한 의사(擬似)부하이고, 이하에 나타낸 실험을 행하기 위해 부가한 것이다.

한편, 고속기동용 회로(3)는 PNP형 트랜지스터(33)의 에미터와 전원전압 (Vcc) 라인을 저항(34)을 매개로 접속하고, 트랜지스터(33)의 베이스와 전원전압 (Vcc) 라인을 제1용량(35)을 매개로 접속함과 더불어, 트랜지스터(33)의 베이스와접지를 제2용량(36)을 매개로 접속하며, 트랜지스터(33)의 콜렉터와 수정진동자 (24)의 다른쪽 단측을 저항(37, 38)으로 이루어진 직렬회로를 매개로 접속한다.

더욱이, 저항(37, 38)으로 이루어진 직렬회로의 접속중점에 트랜지스터(39)의 베이스를 접속하고, 트랜지스터(39)의 콜렉터를 저항(40)을 매개로 전원전압(Vcc) 라인에 접속하여 트랜지스터(33)와 트랜지스터(39)를 달링턴 접속으로 함과 더불어, 트랜지스터(39)의 에미터를 수정진동자(24)의 다른쪽 단측에 접속한 것이다.

이하에 본 발명의 효과를 수정발진기(1-5)의 회로설정방법과 동작설명을 섞어서 설명한다.

또, 수정발진회로(2)에 대해서는 상술한 바와 같이 일반적인 콜피츠형 발진회로로, 그 동작에 대해서는 이미 알려진 것이므로 상세한 설명은 생략한다.

먼저, 고속기동용 회로(3)의 기본적 동작에 대해 설명한다.

수정발진기(1-5)에, 예컨대 도 6에 나타낸 상승특성(상승시간 100ns)을 나타내는 전원전압(Vcc)을 인가하는 경우를 생각하면, 전원전압(Vcc) 인가 개시 직후부터 용량(35, 36)에 차지전류가 발생하기 때문에, 트랜지스터(33)의 베이스에는 용량 (35) 및 용량(36)의 용량비와 차지전류에 기초한 과도적인 베이스 바이어스전압이 인가된다.

한편, 트랜지스터(33)의 에미터에도 저항(34)을 매개로 전원전압(Vcc)이 인가되지만, 전원전압(Vcc)값이 작을 때는 에미터로부터 베이스에 전류는 흐르지 않는다.

에미터로부터 베이스에 전류가 흐르는 것은 트랜지스터(33)의 에미터·베이스간 전압(Veb)이 임계치 전압(예컨대, 0.75V) 이상에 도달했을 때이고, 이에 따라 비로소 트랜지스터(33)가 ON동작한다.

트랜지스터(33)가 ON동작을 개시하는 타이밍은, 후술하는 바와 같이 용량 (35)과 용량(36)의 분압회로에 의해 인가되는 베이스전압의 상승과 에미터 전압값의 상승의 관계에 따라 결정된다.

상술한 바와 같이 트랜지스터(33)가 ON동작하면, 그 동안 트랜지스터(33)를 매개로 전원전압(Vcc)으로부터 트랜지스터(39)에 베이스전류가 공급되어 트랜지스터(39)가 ON동작하기 때문에, 전원전압(Vcc)이 트랜지스터(39)를 매개로 기동촉진용 전압으로서 수정진동자(24)에 인가된다.

이 경우, 수정발진기(1-5)를 효율좋게 고속 기동시키기 위해서는 수정진동자 (24)를 강여진시키는데 충분한 고전위로, 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압이 필요하기 때문에, 먼저 전원전압(Vcc)을 인가 개시한 시점으로부터 소정 시간만큼 지연한 시점을 트랜지스터(33)의 동작개시 타이밍으로 하도록 용량(35)의 용량값 (C35)과 용량(36)의 용량값(C36)의 용량비(C35/C36)를 소정의 값으로 설정하고, 이에 따라 전원전압(Vcc)이 고전위에 도달했을 때에 고속기동용 회로(3)를 동작개시시킨다.

즉, 고속기동용 회로(3)의 동작개시 타이밍을 결정하는 트랜지스터(33)의 동작개시 타이밍은, 트랜지스터(33)의 에미터 전압(Ve)값이 트랜지스터(33)의 베이스전압(Vb)과 트랜지스터(33)의 에미터·베이스간의 임계치 전압(Veb=0.75V)의 합 이상(Ve ≥Vb+(임계치 전압 0.75V))에 도달한 시점이다.

그리고, 용량(35)의 값(C35)에 대해 용량(36)의 값(C36)을 작게 설정할수록 트랜지스터(33)의 베이스에는 용량(35)과 용량(36)이 분압비에 기초하여 고전위가 발생하기 때문에, 전원전압(Vcc)이 인가개시되고 나서 Ve ≥Vb+(임계치 전압 0.75V)에 도달할 때까지 장시간을 필요로 하여, 트랜지스터(33)의 동작개시 타이밍을 지연시킬 수 있다.

도 7a와 도 7b는 용량(35)값과 용량(36)값의 비와 트랜지스터(33)의 ON동작개시 타이밍의 관계를 확인하기 위한 시뮬레이션 결과이다.

먼저, 도 7a는 용량(35)값을 C35=5pF로 고정하고, 다른쪽 용량(36)값(C36)을 3pF로 한 경우의 트랜지스터(33)의 베이스(접지간) 전압(Vb)과 에미터(접지간) 전압 (Ve) 및 전원전압(Vcc)의 상승특성의 관계를 도시한 것이다.

이 도면으로부터 분명한 바와 같이, 베이스전압(Vb)에 대해서는 용량(36)값이 작은 쪽이 전압의 상승이 빠르고, 에미터 전압(Ve)에 대해서는 트랜지스터(33)가 ON할 때까지는 C36=3pF도 15pF도 전원전압(Vcc)과 거의 동일한 상승으로 된다.

상술한 바와 같이, 트랜지스터(33)가 ON동작하기 위해서는 에미터·베이스간 전압(Veb)이 0.75V 이상으로 될 필요가 있지만, 트랜지스터(33)가 OFF 상태에서는 에미터전류가 흐르지 않기 때문에 상술한 바와 같이 에미터 전압은 거의 전원전압 (Vcc)과 동전위로 된다.

이것은 도 7a에 나타낸 바와 같이, 예컨대 C36=15pF인 경우의 Ve전압곡선이 전원전압 투입부터 약 40ns까지의 전원전압(Vcc)과 거의 동일한 상승특성인 것으로부터도 이해할 수 있을 것이다.

상기와 같이, 트랜지스터(33)가 ON하는 것은 도 7a에 나타낸 Ve 전압곡선과 Vb전압곡선의 차 전압이 0.75V 이상으로 되는 타이밍이지만, 상술하고 도 7a에 나타낸 바와 같이 에미터 전압(Ve)은 용량(36)값에 관계되지 않고 양자 모두 거의 동일한 상승인 것에 대해 베이스전압(Vb)의 상승은 용량(36)을 15pF로 크게 한 편이 상승이 느려지기 때문에 에미터·베이스간의 임계치 전압이 0.75V 이상으로 되는 조건을 만족시키게 된다.

상세하게는 후술하지만, 트랜지스터(33)의 ON동작개시 타이밍은 C36=15pF에서는 40ns, C36=5pF에서는 80ns 정도이고, 도 7a에 나타낸 결과로부터도 그 상태를 살필 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 용량(35)과 용량(36)의 용량비에 기초하여 트랜지스터(33)의 ON동작개시 타이밍, 나아가서는 고속기동용 회로(3)의 동작개시의 타이밍을 임의로 지연시켜 전원전압(Vcc)이 고전위 상태에 도달했을 때에 고속기동용 회로(3)가 동작하도록 설정할 수 있다.

도 7b는 용량(36)의 용량값이 3pF, 4pF, 7pF, 15pF인 각 경우의 트랜지스터 (33)의 에미터·베이스간 전압(Veb=Ve-Vb)의 상승특성에 대해 시뮬레이션을 행한 결과를 나타낸 것이고, 특성 A는 용량(36)의 용량값이 C36=3pF인 경우, 특성 B는 C36 =15pF인 경우의 Veb의 상승특성이다.

또, 전원전압(Vcc)은 2.8V이고, 그 상승특성은 회로로의 전원투입 개시시점으로부터 정전압 Vcc=2.8V에 도달할 때까지의 시간이 약 100ns이며, 그 외의 각 소자값을 용량(35)=5pF, 저항(34)=1㏀, 저항(37)=1㏀, 저항(38)=10㏀, 저항(40)=200Ω으로 했다.

동 도면에 나타낸 바와 같이 전압(Veb)이 임계치(0.75V)에 도달하는 시간(Teb)은 용량(36)값이 클수록 단시간이고, 용량(36)이 3pF인 경우에는 Teb=약 83ns, 4pF인 경우에는 Teb=72ns, 7pF인 경우에는 Teb=55ns, 15pF인 경우에는 Teb= 41ns였다.

그 이유는 상기 도 7a의 설명으로부터도 이해할 수 있을 것이다.

또, 도 7a에 나타낸 트랜지스터(33)의 에미터 전압(Ve)의 상승특성이 에미터·베이스간 전압(Veb=Ve-Vb)이 임계치 전압을 거의 넘은 시점으로부터 전원전압 (Vcc)의 상승특성과 일치하지 않게 되는 것은, 트랜지스터(33)가 ON동작을 개시했기 때문에 에미터전류가 흘러 저항(34)에 의한 전압강하가 발생하여, 에미터 전압 (Ve)이 저하했기 때문이다.

또, 이상과 같기 때문에 트랜지스터(33)의 동작개시 타이밍을 결정할 때, 저항(34)의 단자간 전압(V34)을 고려하지 않더라도 지장이 생기지 않는다.

그런데, 수정발진기(1-5)를 고속 기동시키기 위한 고속기동용 회로(3)의 최적의 설정조건은 트랜지스터(33)의 동작 타이밍에 주목하는 외에 트랜지스터(33)의 콜렉터전류값을 밸런스 좋게 설정한 편이 바람직하다.

즉, 도 7b에 나타낸 바와 같이 트랜지스터(33)의 에미터·베이스간 전압 (Veb)은 용량(36)이 3pF~15pF의 어떠한 조건에서도 전원전압(Vcc)이 규정치에 도달하기 이전에 트랜지스터(33)를 ON동작시키는데 필요한 임계치 전압 0.75V에 도달하고 있지만, 다음 단 트랜지스터(39)에 충분한 베이스전류를 공급하고, 이에 따라 소망하는 대량이 콜렉터전류를 발생시켜 펄스적인 고전위의 기동촉진용 전압을 발생시키기 위해서는 트랜지스터(33)의 ON동작에 따라 충분한 콜렉터전류가 트랜지스터(33)에 공급되는 편이 바람직하다.

이에 대해 고속기동용 회로(3)의 동작개시 타이밍을 늦추는 것에만 주목하여 용량(36)을 필요 이상으로 소용량값으로 설정하면, 트랜지스터(33)의 베이스전압이 고전위로 되는 만큼 저항(34)간의 전압이 작아지고, 이에 따라 Veb가 임계치를 넘었다고 해도 트랜지스터(33)에는 충분한 양의 콜렉터전류가 흐르지 않기 때문에 트랜지스터(39)에 공급되는 베이스전류가 적음과 더불어 충분한 콜렉터전류가 발생되지 않고 기동촉진용 전압의 상승특성이 둔해져 버린다.

또, 반대로 용량(36)을 필요이상으로 대용량값으로 설정해 버리면, 전원전압 (Vcc)이 충분한 고전위의 상태로 상승하고 있지 않은 상태에서 고속기동용 회로(3)가 ON동작해 버리기 때문에, 충분한 고전위의 기동촉진용 전압을 인가할 수 없다.

도 8은 상술한현상을 설명하기 위해 용량(35)과 용량(36)의 용량비 차이에서의 기동촉진용 전압의 상승특성의 차이를 나타낸 시뮬레이션 결과이고, 도 5에 나타낸 회로도에서의 트랜지스터(39)의 에미터 전압에 있어서, 용량(35)의 용량값을 C35=5pF로 고정하고, 특성 A는 용량(36)의 용량값이 C36=3pF인 경우, 특성 B는 C36=4pF인 경우, 특성 D는 C36=7pF인 경우, 특성 E는 C36=15pF인 경우이다.

또, 이 특성은 트랜지스터(33)의 에미터·베이스간 전압(Veb)의 상승특성은 도 7b에 나타낸 것과 동일하고, 또 고속기동용 회로(3)를 구성하는 그 외의 요소의설정조건에 대해서는 도 6의 설명에서 이용한 경우와 같다.

도 8에 나타낸 바와 같이 기동촉진용 전압은 그 상승용량비(C35/C36)가 클수록 전원전압(Vcc)의 인가개시시점보다 지연하는 정도가 커지기 때문에, 전원전압 (Vcc)이 충분히 상승한 상태에 있어서 고속기동용 회로(3)가 동작하고, 고전위의 기동촉진용 전압을 발생시킬 수 있지만, 특성 A와 특성 B에서는 상승개시시점으로부터 1.5V까지 도달하는데 필요로 한 시간을 비교하면, 특성 A(C36=3pF)가 약 28ns였던 것에 대해 특성 B(C36=4pF)에서는 약 20ns이고, 특성 B 경우쪽이 특성 A 경우보다도 약 8ns 빠른 상승특성이 얻어졌다.

이것은 특성 A쪽이 특성 B와 비교하여 과잉 지연동작을 도모한 결과, 전원전압(Vcc)의 대부분이 베이스전압(Vb)으로 소모되었기 때문에, 저항(16)의 단자간 전압이 저전압으로 되어 트랜지스터(33)에 큰 콜렉터전류가 발생되고, 이에 따라 트랜지스터(39)에 큰 콜렉터전류가 발생하지 않기 때문에 상승특성의 가파른 기동촉진용 전압이 발생하지 않는 것이다.

더욱이, 특성 D(C36=7pF) 및 특성 E(C36=15pF)에 대해서는 전원전압(Vcc)이 충분히 고전위에 도달하고 있지 않은 단계에서 고속기동용 회로(3)가 동작개시했기 때문에 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압이 얻어지지 않는 것을 알 수 있다.

도 9는 상기 특성 A∼특성 E의 기동촉진용 전압의 차이에 의한 수정발진기 (1-5)의 발진기동특성의 차이를 나타낸 시뮬레이션 결과이고, 동 도면 (a)는 특성 A의 기동촉진용 전압을 인가한 경우, 동 도면 (b)는 특성 B의 기동촉진용 전압을인가한 경우, 동 도면 (c)는 특성 D의 기동촉진용 전압을 인가한 경우, 동 도면 (d)는 특성 E의 기동촉진용 전압을 인가한 경우이다.

동 도면에 나타낸 바와 같이 기동촉진용 전압이 특성 A의 경우에는 수정발진기(1-5)가 기동상태에 필요로 하는 시간(기동시간)이 약 0.500ms, 특성 B의 경우에는 기동시간이 약 0.475ms, 특성 C의 경우에는 기동시간이 약 0.525ms, 특성 D의 경우에는 기동시간이 약 0.575ms이고, 이것으로부터 용량(36)의 값이 C36=4pF인 경우가 최적으로 수정발진기(1-5)가 고속기동하는 것을 이해할 수 있다.

따라서, 이상의 것을 근거로 하면, 용량(35)과 용량(36)의 값에는 회로마다 최적값이 존재하는 것을 알 수 있어 트랜지스터(33)의 에미터·베이스간에 임계치 이상의 전압(Veb)을 인가할 수 있고, 또 고속기동용 회로(3)가 충분히 동작하는 조건이 충족되는 타이밍으로 되도록 설정함으로써, 상승특성의 가파른 기동촉진용 전압이 발생하며, 그 결과 수정발진기(1-5)를 고속기동시킬 수 있다.

또, 고속기동용 회로(3)를 갖추지 않은 수정발진회로(2)로만 구성한 수정발진기에서는 기동시간이 약 1.2ms 정도이고, 이것과 비교하면 기동촉진용 전압이 특성 A∼특성 E의 어떠한 경우라도 콜피츠형 발진회로보다도 고속기동특성을 얻는 효과가 명백해진다.

더욱이, 용량(35)과 용량(36)의 용량비에 기초하여 기동시간을 자재로 설정할 수 있기 때문에, 수정발진기(1-5)의 사용조건이나 회로조건에 따라 필요하게 되는 수정발진기의 기동시간에 자재로 대응할 수 있다.

도 10∼도 12에 나타낸 회로도는 본 발명에 기초한 수정발진기의 다른 실시예이다.

도 10에 나타낸 수정발진기(1-6)의 특징은 고속기동용 회로(3)에서이 스위칭용 트랜지스터(33)의 콜렉터와 트랜지스터(39)의 베이스를 역방향 접속한 트랜지스터(41; 또는 다이오드)를 매개로 접지하도록 구성한 점이고, 예컨대 전원절단시에 트랜지스터(39)의 베이스 등에 발생하는 부(負)전압을 방전하는 효과 등이 있다.

도 11에 나타낸 수정발진기(1-7)의 특징은 고속기동용 회로(3)에 있어서, 전원전압(Vcc) 라인과 수정진동자(24)의 다른쪽 단 사이에 NPN형 트랜지스터(24)를 순방향 접속하고, 전원전압(Vcc) 라인과 접지 사이에 용량(35)과 용량(36)의 직렬회로를 삽입접속함과 더불어, 이 직렬회로의 접속중점과 트랜지스터(24)의 베이스를 접속하고, 더욱이 역방향 접속의 다이오드(25)를 용량(36)에 병렬접속하도록 구성한 것이다.

도 12에 나타낸 수정발진기(1-8)는 도 10의 회로를 변형한 것이고, 고속기동용 회로(3)에 있어서 전원전압(Vcc) 라인과 수정진동자(24)의 다른쪽 단 사이에 NPN형 트랜지스터(42)를 순방향 접속하며, 전원전압(Vcc) 라인과 트랜지스터(42)의 베이스를 저항(44)과 용량(45)의 직렬회로를 매개로 접속하고, 더욱이 트랜지스터 (42)의 베이스를 역방향 접속의 다이오드(43)를 매개로 접지하도록 구성한 것이다.

또, 고속기동용 회로(3)의 동작개시 타이밍을 설정하기 위해서는 도 10과 도 11에 나타낸 수정발진기에서는 용량(35)과 용량(36)의 용량비에 따라, 도 12에 나타낸 수정발진기(1-8)에서는 저항(44)과 용량(45)의 직렬회로의 시정수에 따라 각각 결정하는 것이 가능하다.

더욱이, 상기 설명에서는 전원전압(Vcc)의 상승특성이 느린 경우, 용량(36)의 용량값을 작게 설정함으로써, 수정발진기(1)의 기동특성을 고속화하도록 구성한 예를 설명했지만 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 예컨대 도 13∼도 15에 나타낸 구성이어도 무방하다.

그리고, 이들 수정발진기(1-9, 1-10, 1-11)는 전원전압(Vcc)의 상승특성이, 예컨대 1㎲ 정도로 둔한 경우, 도 5에 나타낸 회로에서는 용량(36)을 대용량값으로 함으로써 트랜지스터(33)의 베이스전압의 상승을 가파르게 할 필요가 있지만, 대용량값은 집적회로로 구성하기 어렵다는 결점을 해결할 수 있다.

즉, 도 13에 나타낸 수정발진기(1-9)는 도 5에 나타낸 회로의 고속기동용 회로(3)에 있어서, 더욱이 용량(35, 36)의 접속중점과 접지 사이에 PNP형 트랜지스터 (46)를 순방향 접속함과 더불어, 전원전압(Vcc) 라인과 접지 사이에 용량(47)과 용량(48)의 직렬회로를 삽입접속하고, 더욱이 이 직렬회로의 접속중점에 트랜지스터 (46)의 베이스를 접속하며, 더욱이 트랜지스터(33)의 ON동작개시 타이밍과 트랜지스터(46)의 ON동작개시 타이밍이 거의 동시기로 되도록 용량(47)과 용량(48)의 용량비를 설정하도록 구성한 점이 특징이다.

그리고, 도 13에 나타낸 바와 같이 부가회로를 갖춘 수정발진기(1-9)에서는 전원투입후, 소정시간 트랜지스터(46)가 ON동작하고, 이를 매개로 트랜지스터(33)의 베이스전류의 일부가 흐르기 때문에 등가적으로 용량(36)의 값을 대용량으로 한 것과 마찬가지로 된다.

따라서, 트랜지스터(39)의 베이스전압의 상승을 가파르게 할 수 있기 때문에, 이에 따라 트랜지스터(22)의 베이스전압도 가파르게 상승시킬 수 있다.

도 14에 나타낸 수정발진기(1-10)는 트랜지스터(33)의 콜렉터를 저항(49)을 매개로 접지함과 더불어, 트랜지스터(39)의 베이스 및 트랜지스터(50)의 베이스를 트랜지스터(33)의 콜렉터에 접속하고, 더욱이 트랜지스터(50)의 에미터를 용량(51)과 저항(52)으로 이루어진 직렬회로를 매개로 접지함과 더불어, 트랜지스터(50)의 콜렉터를 트랜지스터(33)의 베이스에 접속하도록 구성한 점이 도 5에 나타낸 수정발진기(1-5)의 구성과 다르다는 것이다.

그리고, 수정발진기(1-10)에 있어서는, 용량(51) 및 저항(52)이 트랜지스터 (50)의 에미터 부하로 되어 트랜지스터(50)가 ON동작상태로 되었을 때, 트랜지스터 (50)와 트랜지스터(39)의 베이스전압을 전원전압 가까이까지 올리는 작용을 한다.

더욱이, 용량(51)은 전원전압(Vcc)이 정상값에 도달했을 때, 고속기동용 회로 (3)를 OFF동작상태로 하는 작용을 한다.

상기와 같이 구성된 수정발진기(1-10)는 용량(35)과 용량(36)의 분압비에 기초하여 트랜지스터(33)에 베이스전류가 공급되어 트랜지스터(33)에 콜렉터전류가 발생하고, 이 콜렉터전류의 일부가 트랜지스터(50)의 베이스에 베이스전류로서 공급된 타이밍에서 트랜지스터(50)가 트랜지스터(33)의 베이스전류를 흐르게 하기 위한 경로로서 작용한다.

그리고, 이에 따라 용량(36)으로 큰 값의 것을 이용하지 않더라도 트랜지스터 (33)의 베이스에 큰 베이스전류를 흐르게 할 수 있기 때문에, 트랜지스터(33)에 큰 콜렉터전류가 발생하고, 트랜지스터(39)를 매개로 수정진동자(24)에 가파른 상승특성을 나타내는 기동촉진용 전압을 인가할 수 있다.

더욱이, 도 15에 나타낸 수정발진기(1-11)는 트랜지스터(33)의 콜렉터를 저항 (53)을 매개로 접지함과 더불어, 트랜지스터(33)의 콜렉터에 NPN형 트랜지스터 (54)의 베이스를 접속하고, 트랜지스터(54)의 콜렉터를 용량(55)을 매개로 전원전압 (Vcc) 라인에, 에미터를 접지에 접속하며, 더욱이 트랜지스터(54)의 콜렉터에 PNP형 트랜지스터(56)의 베이스를 접속함과 더불어, 트랜지스터(56)의 에미터를 전원전압 (Vcc) 라인에, 콜렉터를 저항(57)을 매개로 접지하고, 더욱이 트랜지스터(56)의 콜렉터를 트랜지스터(39)의 베이스에 접속하도록 구성한 것이다.

그리고, 이러한 구성의 수정발진기(1-11)는 용량(35)과 용량(36)의 분압비에 기초하여 전원전압(Vcc) 인가시로부터 소요 시간에서 트랜지스터(33)가 ON동작으로 된다.

이에 따라 트랜지스터(54)의 베이스전압이 상승하고, 트랜지스터(54)가 ON동작하면, 이에 따라 트랜지스터(56)가 ON동작한다.

용량(55)은 트랜지스터(54)가 ON동작상태로 될 때까지 트랜지스터(56)가 ON동작으로 되지 않도록 트랜지스터(56)의 베이스전압을 전원전압에 가까운 값으로 유지하는 작용을 한다.

트랜지스터(54)가 ON동작상태로 되었을 때, 트랜지스터(54)가 트랜지스터 (56)의 베이스전류를 흐르게 하기 위한 경로로서 작용하고, 트랜지스터(33)의 베이스에 큰 베이스전류를 흐르게 할 수 있다.

이 때, 상기 소정 시간이 경과하는 동안에도 전원전압(Vcc)은 고전위로 추이하고 있기 때문에, 트랜지스터(39)에는 트랜지스터(56)를 매개로 가파른 상승특성을 나타내는 대량의 베이스전류가 공급되고, 전원전압(Vcc) 라인으로부터 트랜지스터 (39)를 매개로 수정진동자(24)에 가파른 상승특성을 나타내는 기동촉진용 전압을 인가할 수 있다.

이상, 수정진동자의 일단에 기동촉진용 전압을 인가하는 구성의 고속기동용 회로(3)를 갖춘 수정발진기를 예로 들어 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 이하에 설명하는 바와 같이 구성한 수정발진기이어도 좋다.

즉, 도 16∼도 25는 본 발명에 기초한 다른 실시예를 나타낸 회로도이다.

이하, 도시한 실시예에 기초하여 본 발명을 상세히 설명한다.

먼저, 도 16에 나타낸 바와 같이 수정발진기(1-12)는 점선으로 둘러싸인 수정발진회로(2)와, 일점쇄선으로 둘러싸인 고속기동용 회로(3-1)를 갖춘 것이다.

그리고, 수정발진회로(2)는 일반적인 콜피츠형 발진회로이고, 구성에 대해서는 이미 상술했기 때문에 도 5에 나타낸 수정발진기와 동일한 기능부에는 동일한 번호를 붙여 그 설명을 생략한다.

고속기동용 회로(3-1)는 스위치소자로서 예컨대 제2트랜지스터(58)를 이용한 스위치회로와, 전원전압(Vcc) 라인에 콜렉터를 접속한 제3트랜지스터(59)의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량(60)을 매개로 접속하고, 또 트랜지스터(59)의 베이스와 접지를 역방향접속의 다이오드(61)를 매개로 접속하도록 구성한 스위치 제어회로 (62)를 갖추며, 더욱이 트랜지스터(58)의 베이스와 트랜지스터(59)의 에미터를 저항 (63)을 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 트랜지스터(58)의 콜렉터를 트랜지스터 (22)의 에미터에 접속한 것이다.

이하에 이러한 구성의 수정발진기(1-12)의 동작에 대해 설명한다.

또, 수정발진회로(2)가 상술한 바와 같이, 일반적인 콜피츠형 발진회로이기 때문에 그 동작에 대한 설명을 생략한다.

먼저, 전원전압(Vcc)을 인가하면, 그 직후부터 용량(60)에 전하가 충전되기 시작함에 따라 발생한 차지전류를 베이스전류로 하여 트랜지스터(59)가 동작하고, 이에 따라 트랜지스터(59)의 에미터전류가 저항(63)을 매개로 트랜지스터(58)의 베이스에 공급되어 트랜지스터(58)가 동작(ON동작)하기 때문에, 트랜지스터(22)에는 에미터·접지 사이가 저임피던스로 되며, 이에 따라 발생한 큰 에미터전류에 기초하여 큰 콜렉터전류가 발생한다.

그리고, 이 큰 콜렉터전류에 기초하여 발생하는 큰 베이스전류에 의해 수정진동자(24)가 강여진하기 때문에, 수정발진기(1-12)는 고속기동할 수 있다.

한편, 전원전압(Vcc)을 인가하고 나서 소요 시간이 경과하면, 용량(60)의 충전이 완료하면 차지전류가 발생하지 않게 되기 때문에 트랜지스터(59)가 비동작상태로 되어 트랜지스터(58)로의 베이스전류의 공급이 정지하고, 트랜지스터(58)가 비동작(OFF동작)하게 되기 때문에 고속기동용 회로(3-1)의 소비전류가 발생하는 일없이 수정발진회로(2)는 정상발진하는 것이 가능해진다.

또, 다이오드(61)는 전원전압(Vcc)이 인가되어 있는 상태에서는 트랜지스터 (59)의 베이스와 접지 사이가 고임피던스 상태로 유지되는 한편, 전원전압(Vcc)이 인가되어 있지 않은 상태에서는 트랜지스터(59)의 베이스가 마이너스 전위로 되기때문에 용량(60)에 대전한 전하를 방전하는 작용을 담당하는 것이다.

그리고, 다이오드(61) 대신에 큰 값의 저항을 이용한 구성이어도 좋지만, 특히 집적회로에 의해 구성하는 경우에는 반도체회로에 의해 큰 값의 저항을 구성하는 것이 곤란하기 때문에 다이오드를 이용하는 것이 바람직하다.

또, 트랜지스터(58)와 발진회로를 교류적으로 절단할 필요가 있는 경우는 도 17에 나타낸 바와 같은 구성으로 하면 좋다.

즉, 도 17은 본 발명에 기초한 수정발진기의 다른 실시예를 나타낸 것이다.

동 도면에 나타낸 수정발진기(1-13)의 특징으로 하는 점은, 제1트랜지스터 (22)의 에미터와 제2트랜지스터(58)의 콜렉터를 저항(64)을 매개로 접속하도록 구성한 바에 있다.

이러한 구성으로 함으로써, 수정발진회로(2)는 수정발진회로(2)의 발진루프내의 신호가 트랜지스터(58)에 분류되는 일이 없기 때문에, 안정한 발진동작을 지속하는 것이 가능하다.

더욱이, 도 18에 나타낸 수정발진기(1-14)는 점선으로 둘러싸인 수정발진회로 (2)와, 일점쇄선으로 둘러싸인 고속기동용 회로(3-1)를 갖춘 것이고, 이 구성은 이하와 같다.

또, 수정발진회로(2)는 일반적인 콜피츠형 발진회로로, 그 구성에 대해서는 이미 도 5에 나타낸 수정발진기를 이용하여 설명을 생략한다.

고속기동용 회로(3-1)는 스위치회로로서 제5트랜지스터인 PNP형 트랜지스터 (65)의 에미터와 전원전압(Vcc) 라인을 접속하고, 베이스와 제6트랜지스터(59)의콜렉터를 접속함과 더불어, 트랜지스터(65)의 베이스와 접지를 저항(63)을 매개로 접속하며, 더욱이 트랜지스터(59)의 베이스를 용량(60)을 매개로 전원전압(Vcc) 라인에 접속함과 더불어, 이 베이스와 접지를 역방향 접속의 다이오드(61)를 매개로 접속하도록 구성한 것이다.

또, 이점쇄선으로 둘러싸인 회로는 스위치 제어회로(62)이다.

이하, 수정발진기(1-14)의 동작에 대해 설명한다.

또, 수정발진회로(2)의 동작설명에 대해서는 일반적인 콜피츠형 발진회로이기 때문에, 설명을 생략한다.

전원전압(Vcc)을 인가하면, 그 직후부터 용량(60)에 전하가 충전됨으로써 발생하는 차지전류가 트랜지스터(59)에 베이스전류로서 공급되기 때문에 ON동작으로 된 트랜지스터(60)를 매개로 트랜지스터(65)의 베이스와 접지가 접속하고, 이에 따라 트랜지스터(65)가 ON동작하기 때문에 트랜지스터(22)의 콜렉터와 전원전압(Vcc) 라인이 트랜지스터(65)를 매개로 접속된다.

그리고, 이에 따라 트랜지스터(22)의 콜렉터 전위가 전원전압(Vcc)과 같아짐에 따라 트랜지스터(22)에는 큰 콜렉터전류가 발생하기 때문에, 발진루프회로의 부하용량의 일부인 용량(9)의 단자간 임피던스를 변동시키지 않고 수정진동자(24)를 강여진시킬 수 있기 때문에, 수정발진기(1-14)는 단시간에 기동상태에 도달한다.

전원전압(Vcc)을 인가하고 나서 소요 시간이 경과하여 용량(60)에 전하가 충분히 충전되면, 이에 따라 차지전류가 소멸하기 때문에 트랜지스터(59)가 비동작함으로써 트랜지스터(65)가 OFF 동작하고, 저항(11)이 트랜지스터(59)의 콜렉터 저항으로서 기능하는 결과, 고속기동용 회로(3-1)에 의해 전력을 소비하는 일없이 수정발진기(1-14)는 정상 발진동작을 지속할 수 있다.

도 19 및 도 20에 나타낸 수정발진기(1-15, 1-16)의 특징으로 하는 점은 도 5에 나타낸 수정발진기와 마찬가지로, 수정발진회로가 종속접속한 버퍼회로를 갖추고 있다는 점이고 제4트랜지스터(29)를 트랜지스터(22)에 종속접속함과 더불어, 도 19에 나타낸 수정발진기(1-15)에 있어서는, 트랜지스터(65)의 콜렉터를 트랜지스터 (22)의 콜렉터에 접속하며, 또 도 20에 나타낸 수정발진기(1-16)에 있어서는 트랜지스터(65)의 콜렉터를 트랜지스터(29)의 콜렉터에 접속하도록 구성한 점에 있다.

이러한 구성의 수정발진기에 있어서도, 고속기동용 회로(3-1)가 상술한 바와 같이 기능함으로써 기동특성이 우수한 것으로 된다.

더욱이, 도 21∼도 23에 나타낸 수정발진기(1-17∼1-19)가 특징으로 하는 점은, 스위치 제어회로(62)에 갖춘 트랜지스터(59)의 콜렉터와 전원전압(Vcc) 라인을 저항(67)을 매개로 접속하도록 구성한 점에 있다.

이러한 구성은, 다이오드(61)에 생기는 누설전류가 트랜지스터(59)의 베이스전류로서 작용함으로써 트랜지스터(65)의 에미터·콜렉터 사이에 전류가 발생해 버리는 경우, 이에 따라 수정발진회로(2)의 발진동작이 불안정하게 되는 것을 회피하기 위한 것이고, 누설전류가 생겨 트랜지스터(59)가 동작해도 저항(67)을 매개로 전원전압(Vcc)으로부터 콜렉터전류가 트랜지스터(59)에 공급되기 때문에 트랜지스터 (65)가 불필요한 동작을 하는 것을 방지하고 있다.

더욱이, 상술에서는 고속기동용 회로로서 크게 나누어 2개의 타입, 즉 트랜지스터(22)의 에미터에 접속하도록 구성한 것, 또는 트랜지스터(22)의 콜렉터 또는 트랜지스터(29)의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것을 갖춘 수정발진기를 이용하여 본 발명을 설명했지만, 도 24 또는 도 25에 나타낸 바와 같이 본 발명에 기초한 양 타입의 고속기동용 회로의 기능을 병합하도록 구성한 고속기동용 회로를 이용한 수정발진기여도 무방하다.

즉, 먼저 도 24에 나타낸 수정발진기(1-20)는 전원전압(Vcc) 라인에 에미터를 접속한 PNP형 트랜지스터(65)의 베이스에 스위치 제어회로(62)내에 갖춘 트랜지스터(59)의 콜렉터를 접속하고, 트랜지스터(59)의 베이스와 전원을 용량(60)을 매개로 접속함과 더불어, 이 베이스와 접지를 역방향 접속의 다이오드(61)를 매개로 접속하며, 더욱이 트랜지스터(59)의 에미터와 트랜지스터(58)의 베이스를 저항(63)을 매개로 접속하고, 트랜지스터(58)의 에미터를 접지하도록 구성한 점을 특징으로 한다.

그리고, 트랜지스터(58)의 콜렉터를 트랜지스터(22)의 에미터에 접속함과 더불어, 트랜지스터(65)의 콜렉터를 트랜지스터(22)의 콜렉터에 접속한다.

또, 도 25에 나타낸 수정발진기(1-21)는 도 24에 나타낸 고속기동용 회로(3-2)에 있어서 트랜지스터(58)의 콜렉터와 트랜지스터(22)의 에미터를 저항(64)을 매개로 접속하도록 구성한 점을 특징으로 한 것이고, 이에 따라 트랜지스터(58)의 ON동작과 더불어 발진루프회로와 트랜지스터(58)가 교류적으로 도통해 버리는 것을 방지하고 있다.

또, 도시하지 않지만 도 19∼도 23에 나타낸 수정발진기의 경우에 대해서도도 24 또는 도 25에 나타낸 수정발진기의 구성과 같이, 도 19에서 도 23에 나타낸 고속기동용 회로와 도 16 또는 도 17에 나타낸 고속기동용 회로(3-1)를 조합한 병합형 구성의 고속기동용 회로를 이용한 수정발진기로 해도 좋다.

더욱이, 도 26 및 도 27은 본 발명에 기초한 수정발진기의 다른 실시예를 나타낸 것이다.

도 26에 나타낸 수정발진기(1-22)는 점선으로 둘러싼 수정발진회로(2)와 일점쇄선으로 둘러싼 제2고속기동용 회로(3-3)를 구비한 것이다.

동 도면에 나타낸 수정발진회로(2)는 콜피츠형 발진기에 있어서, 이미 설명한 도 5에 나타낸 수정발진기와 동일기능부에는 동일한 부호를 붙이고, 구성에 대한 설명은 생략한다.

고속기동용 회로(3-3)는 이점쇄선으로 둘러싸인 스위치 제어회로(62)와, 점선으로 둘러싸인 전류제어회로(68)를 구비한 것이다.

그리고, 스위치 제어회로(62)는 전원전압(Vcc) 라인에 콜렉터를 접속한 트랜지스터(69)의 콜렉터와 베이스 사이에 용량(70)과 접속함과 더불어 이 베이스와 접지 사이에 역방향 다이오드로서 기능하는 트랜지스터(71)를 삽입접속한 것이다.

전류제어회로(68)는 커런트 미러 접속된 PNP형 트랜지스터(72) 및 트랜지스터 (73)의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 각각의 베이스 및 트랜지스터(73)의 콜렉터를 저항(74)과 순방향 접속한 트랜지스터(75)를 매개로 접지하면서, 에미터가 전원전압(Vcc)라인에 접속된 PNP형 트랜지스터(76)의 베이스에 접속하고, 더욱이 트랜지스터(72)의 콜렉터를 커런트 미러 접속된 트랜지스터(77)및 트랜지스터(78)의 베이스 및 트랜지스터(78)의 콜렉터에 접속하고, 각각의 트랜지스터의 에미터를 접지한다.

그리고, 트랜지스터(75)의 베이스와 스위치 제어회로(62)에 갖추어진 트랜지스터(69)의 에미터를 저항(79)을 매개로 접속하고, 트랜지스터(76)의 콜렉터와 트랜지스터(22)의 콜렉터를 저항(80)을 매개로 접속하며, 트랜지스터(77)의 콜렉터와 트랜지스터(22)의 에미터를 저항(81)을 매개로 접속한 것이다.

또한, 후술하는 전류제어회로(68)에서 일시적으로 병합되는 상술한 콜렉터전류, 에미터전류의 값을 수정발진회로(2)의 정상시 콜렉터전류 및 에미터전류의 값보다 크게 되도록, 예컨대 저항(74)의 값을 미리 설정해 둔다.

이하에 상기와 같은 구성의 수정발진기(1-22)의 동작에 대하여 설명한다.

또한, 수정발진회로(2)에 대해서는 일반전인 콜피츠형 발진회로이고, 그 동작에 대해서는 이미 알려져 있기 때문에 설명은 생략한다.

먼저, 전원전압(Vcc)을 인가하면, 그 직후로부터 용량(70)에 부하의 충전이 개시되고, 그 기간에 발생한 차지전류가 트랜지스터(69)의 베이스전류로 됨으로써 트랜지스터(69)가 ON동작상태가 되므로, 트랜지스터(75)에 베이스전류가 공급되고, 트랜지스터(75)가 ON동작상태가 된다.

그리고, 트랜지스터(73)가 저항(74) 및 트랜지스터(75)를 매개로 접지됨으로써 트랜지스터(73)에는 큰 값의 콜렉터전류가 발생함과 동시에, 이 전류와 동등한 값의 콜렉터전류가 트랜지스터(72)와 트랜지스터(76)와 트랜지스터(77) 및 트랜지스터(78)에 발생하므로, 일시적으로 트랜지스터(22)의 콜렉터전류 및 에미터전류가전류제어회로(68)에서 제어된다.

이에 따라 전원전압(Vcc)을 인가 직후부터 소정기간동안만 트랜지스터(22)는 정상시의 바이어스 설정조건보다도 큰 콜렉터전류 및 에미터전류가 공급되므로, 이에 기초한 큰 값의 베이스전류의 발생에 수반하여 수정진동자(24)가 강여진되어 비동작상태로부터 발진동작상태에 도달할 때까지의 기동시간이 단축되는 것이 된다.

한편, 소정기간이 경과하고, 용량(70)으로의 전하의 충전이 완료하면 차지전류의 삭감과 더불어 고속기동용 회로(3-3)의 기능이 정지하면서, 고속기동용 회로 (3-3)의 전압공급단(트랜지스터(76)의 콜렉터, 트랜지스터(77)의 콜렉터)과 수정발진회로(2)가 비도통상태로 되어 수정발진회로(2)는 정상발진동작을 유지하게 된다.

또한, 상술한 종속접속 증폭회로를 이용한 구성이 아니라도 도 27에 나타낸 수정발진기(1-23)와 같은 트랜지스터 1단으로 이루어진 콜피츠형 수정발진회로(2)에 고속기동용 회로(3-3)를 접속하도록 구성한 것이라도 상관없다.

더욱이, 상기 다이오드(71)는 전원전압(Vcc)이 인가되어 있지 않은 상태에서 용량(70)의 차지전하의 방전을 재촉하기 위한 것으로, 이 예에서는 트랜지스터를 다이오드 접속하도록 구성했지만 통상의 다이오드를 이에 사용해도 상관없다.

더욱이, 상술한 설명에서는, 발진루프측 접속타입의 고속기동용 회로(3) 또는 발진단 증폭회로측 접속타입의 고속기동용 회로(3-1∼3-3)중의 어느 하나의 고속기동용 회로를 갖춘 구성의 수정발진기를 예로 들어 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 발진루프측 접속타입의 고속기동용 회로(3)와 발진단 증폭회로측 접속타입의 고속기동용 회로(3-1∼3-3)를 둘다 갖춘 수정발진기라도 상관없다.

즉, 예를 든다면 도 28에 나타낸 수정발진기(1-24)는 도 1에 나타낸 수정발진기에 도 18에 나타낸 고속기동용 회로(3-1)를 갖춘 것이고, 또 도 29에 나타낸 수정발진기(1-25)는 도 2에 나타낸 수정발진기에 도 18에 나타낸 고속기동용 회로(3-1)를 갖춘 것이다.

그리고 이렇게 구성한 수정발진기는 두 개의 고속기동용 회로를 갖춤으로써, 고속기동용 회로를 하나 갖춘 경우와 비교하여 수정진동자가 전원전압(Vcc) 인가 직후부터 강여진하기 때문에 수정발진기를 고속 기동시킬 수 있다.

더욱이, 도 30은 본 발명에 기초한 수정발진기의 다른 실시예를 나타낸 것이다.

동 도면에 나타낸 수정발진기(1-26)는 이미 도 5에서 설명한 콜피츠형 수정발진회로를 발진회로로 한 것으로, 그 구성의 특징은 전원전압(Vcc) 라인과 트랜지스터(29)의 베이스 사이에 용량(82)을 삽입접속한 것이다.

이와 같은 구성의 수정발진기(1-26)의 경우, 전원전압(Vcc)의 투입과 더불어 용량(82)에 발생한 차지전류가 트랜지스터(29)의 베이스의 접속점(C)에 공급되므로 일시적으로 접속점(C)의 전위는 전원전압(Vcc)과 동등한 상태가 되므로 트랜지스터 (29)의 베이스 및 트랜지스터(22)의 베이스, 더욱이 수정진동자(24)에 대전류를 공급할 수 있어 고속기동을 실현할 수 있다.

이 때, 접속점(C)에 공급된 전류의 일부가 용량(28)으로 분류되지만, 용량( 82)의 작용에 의해서 접속점(C)의 전류의 양이 증가한 효과 쪽이 크기 때문에, 종래의 회로와 비교하여 크게 기동특징이 열화하는 일은 없다.

더욱이, 정상발진회로에서는 전원전압(Vcc)에 포함되는 잡음 및 베이스바이어스 회로에 의해 발생한 열잡음이 접속점(C)에 공급되지만 이들 잡음신호는 용량 (28)을 매개로 접지로 흘러보내지기 때문에 발진신호에 중첩하여 수정발진기(1-26)의 잡음특성을 열화시키는 일이 없다.

그리고 더욱이, 기동특성과 잡음특성의 밸런스는 용량(82)의 용량값(C82)과 용량(28)의 용량값(C28)의 용량비(C82/C28)에 의해 자유자재로 설정할 수 있고, 기동특성이 중요시되는 경우는 용량비를 크게 설정하고, 잡음특성이 중요시되는 경우는 용량비를 작게 설정하면 된다.

더욱이, 피어스형 수정발진기의 경우에서는, 이하와 같은 구성으로 하면 좋다.

즉, 도 31에 나타낸 수정발진회로(1-27)는, 발진용 트랜지스터(83)의 베이스에 수정진동자(84)의 한쪽 단자를 접속함과 더불어 전원(Vcc)과 접지 사이에 삽입접속된 저항(85)과 저항(86)의 직렬회로의 접속중점에 이전의 베이스를 접속하고, 더욱이 베이스와 접지 사이에 용량(87)을 삽입접속함과 더불어, 베이스와 전원(Vcc)의 사이에 용량(88)을 삽입접속한다.

그리고, 수정진동자(84)의 다른쪽 단자를 용량(89)을 매개로 접지함과 더불어, 발진회로의 출력단(OUT)인 트랜지스터(83)의 콜렉터 및 일단이 전원(Vcc)에 접속된 저항(90)의 다른쪽 단에 각각 접속하고, 더욱이 트랜지스터(83)의 에미터를 저항(91)을 매개로 접속하도록 구성한 것이다.

더욱이, 용량(88)을 전원라인 및 패스용량(92)을 매개로 접지함으로써 용량 (87)과 용량(88)을 교류적으로 병렬회로구성으로 하고, 더욱이 용량(87)과 용량 (88)의 합성용량을 발진회로의 부하용량으로 함과 더불어, 용량(87)과 용량(88)의 비율을 용량(87):용량(88)=6:4로 하도록 구성한 것이다.

이 때, 상기 부하용량은 수정진동자(84)의 여진신호레벨이 부하용량의 임피던스값에 비례하는 것이라는 것으로부터, 트랜지스터(83)의 베이스전류에 중첩하는 수정진동자(84)의 여진신호가 전역에 걸쳐 트랜지스터(83)의 A급 증폭동작 영역내가 되도록 미리 작은 값으로 설정된다.

또, 저항(85, 86, 90, 91)에 있어서도, 트랜지스터(83)가 A급 증폭동작하도록 설정된 것이다.

상기와 같은 구성의 수정발진회로(1-27)의 동작에 대해서 하기에 설명한다.

먼저, 전원(Vcc)투입 직후, 용량(88)에 전하가 충전되기 시작하고 나서 종료하는 사이, 전원(Vcc)으로부터 수정진동자(84)의 한쪽 단자로 차지전류가 공급되는 것이 되므로, 전원(Vcc)과 수정진동자(84)가 다이렉트로 접속된 구성과 거의 같은 상태로 되고, 그 결과 전원(Vcc)을 분압한 베이스전압을 기동전압(기동전류원)으로 한 종래의 구성과 비교하여 고전압의 전원(Vcc)을 큰 기동전류발생원으로서 이용하는 것으로 되기 때문에 수정진동자(84)를 강여진시킬 수 있고, 이에 따라 수정발진회로(1-27)는 고속기동한다.

그 후, 용량(88)에 부하가 계속 충전하면 상기 차지전류가 흐르지 않게 되므로 기동전류의 유동경로였던 용량(88)이 부하용량의 일부로서만 기능하여 정상발진상태로 이행하는 것이 된다.

즉, 상기 부하용량의 임피던스값 및 트랜지스터(83)의 동작점의 설정조건에 기초하여, 수정진동자(84)가 저레벨의 여진신호를 발진하면서 트랜지스터(83)가 A급증폭 동작하므로, 수정발진회로(1-27)는, 정현파 신호를 출력시키기 위한 최선의 조건으로 계속 발진시킬 수 있다.

또한, 출력단(OUT)으로부터는 트랜지스터(83)의 콜렉터전류가 수정진동자 (84)의 정현파의 여진신호에 유도되기 때문에 정현파 신호가 얻어진다.

더욱이, 이와 같은 수정발진회로(1-27)는, 상술한 바와 같이 부하용량의 일부인 용량(88)을 기동시의 기동전류의 경로에 이용하고 있기 때문에, 발진회로의 기동시와 정상시 사이에서 부하용량의 변화가 발생하지 않고 주파수 점프 등으로 대표되는 주파수 변동이 발생하지 않는다는 이점도 갖고 있다.

그리고 더욱이, 상기 용량(87):용량(88)=6:4의 구성으로 한 경우, 기동특성 및 출력신호파형이 모두 평균적으로 우수한 수정발진회로가 얻어진다. 용량(87):용량(88)=3:7∼7:3의 범위내이면 실용할 수 있는 기동특성 및 출력신호파형이 얻어짐과 더불어, 전원전압변동이 생긴 경우, 예컨대 용량(88)만으로 전하용량을 구성한 것과 비교하여 부하용량의 변동량이 작은 상태에 우수한 주파수 안정도가 얻어진다는 것도 확인되었다.

더욱이, 도 32∼도 35에 나타낸 구성의 수정발진기여도 좋다.

먼저, 도 32∼도 34에 나타낸 수정발진기는 모두 주파수 제어기능을 갖는 것이고, 도 32에 나타낸 수정발진회로(1-28)가 도 30의 구성과 다른 점은 용량(89)을가변용량소자(93)로 함과 더불어, 수정진동자(84)의 다른 쪽 단자에 저항(94)을 매개로 주파수 제어신호 입력단자(Vco)를 접속하고, 더욱이 이전의 다른쪽 단자와 출력단(OUT)을 직류 커트용 용량(95)을 매개로 접속하도록 구성한 것이다.

도 33에 나타낸 수정발진회로(1-29)가 도(30)의 구성과 다른 점은, 용량(89) 대신에 용량(96)이 수정진동자(84)의 다른쪽 단자측에 접속되도록 용량(96)과 가변용량소자(93)의 직렬회로를 접속함과 더불어, 용량(96)과 가변용량소자(93)의 접속중점에 저항(94)을 매개로 주파수 제어신호 입력단자(Vco)를 접속한 것에 있다.

도 34에 나타낸 수정발진회로(1-30)가 도 30과 다른 점은 용량(87) 대신에 용량(96)이 수정진동자(93)의 다른쪽 소자측에 접속되도록 용량(96)과 가변용량소자 (93)의 직렬회로를 접속함과 더불어, 용량(96)과 가변용량소자(93)의 접속중점에 저항(94)을 매개로 주파수 제어신호 입력단자(Vco)를 접속한 것에 있다.

그리고, 이들 구성의 수정발진회로의 구성이어도 부하용량의 설정조건을 상술한 조건에 기초하여 설정하면, 도 31의 구성과 동등한 기능이 얻어진다.

도 35에 나타낸 수정발진기(1-31)가 특징으로 하는 점은, 전원과 접지 사이에 제3용량(95)과 제1저항(96)의 직렬회로를 삽입접속하고, 전원에 에미터를 접속한 PNP형 트랜지스터(97)의 베이스와 이전의 직렬회로의 접속중점을 접속함과 더불어 PNP형 트랜지스터(97)의 콜렉터와 접지를 제2저항(98)을 매개로 접속하고, 더욱이 수정진동자(84)의 한쪽 단자와 접지 사이를 용량(87)과 FET(99)의 직렬회로를 매개로 FET(99)의 소스단자가 접지되도록 접속하고, FET(99)의 게이트 소자와 PNP형 트랜지스터(97)의 베이스를 접속하도록 구성한 것에 있다.

이러한 구성의 수정발진회로(1-31)는, 전원전압(Vcc) 투입직후의 용량(95)에 차지전류가 생기고 있는 동안에는 트랜지스터(97)의 베이스 전위와 전원전압이 같기 때문에 트랜지스터(97)가 비동작 상태이고, 이에 따라 FET가 게이트전위=0V이기 때문에 FET(99)가 비동작상태로 된다.

이 때, FET(99)가 비동작상태인 것에 의해, 용량(87)과 FET(99)의 직렬회로가 고임피던스 상태로 되기 때문에, 이에 따라 수정진동자(84)가 고여진레벨을 출력하고, 그 결과 수정발진회로(1-31)는 뛰어난 기동특성을 얻을 수 있다.

용량(95)의 차지전류의 발생이 정지한 후의 정상발진상태에서는 트랜지스터 (97)의 동작과 더불어 FET(99)가 동작하므로, 앞의 직렬회로의 임피던스가 FET(99)의 임피던스만큼 저하되고, 이에 따라 수정진동자는 소요되는 저레벨 여진신호를 출력할 수 있다.

또, 압전진동자로서 수정진동자를 이용하여 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 여러 가지 압전진동자를 이용한 발진기에 적용해도 상관없다.

이상, 고속기동회로를 갖춘 구성에 있어서는 콜피츠형 수정발진기를 이용하여 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 피어스형 수정발진기 등 그 밖의 여러 가지 구성의 압전발진기에 적용할 수 있다.

더욱이, 고속기동용 회로(3-1)로서 바이폴러 트랜지스터를 사용한 구성을 이용하여 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 도 36, 도 37에 나타낸 바와 같은 MOSFET 트랜지스터를 이용한 것이어도 상관없다.

즉, 도 36, 도 37은 MOS트랜지스터를 스위치 회로소자로서 사용한 것이 특징이고, 도 36은 발진회로(2)가 콜피츠형의 수정발진기(1-32), 도 37이 발진회로가 피어스형의 수정발진기(1-33)이다.

그리고, 고속기동용 회로(3-1)는 디플리션형 P채널 MOSFET(58)의 트랜지스터 (58)의 베이스를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 게이트를 용량(60)을 매개로 설치함과 더불어 저항(61)을 매개로 전원전압(Vcc) 라인에 접속한 것이고, 드레인ㆍ소스간이 트랜지스터(22) 또는 트랜지스터(83)의 에미터저항(27 또는 91)에 병렬접속되어 있다.

이러한 구성의 수정발진기(1-32, 1-33)여도 전원전압(Vcc) 인가후 소정시간동안만 트랜지스터(22)에 대전류의 콜렉터전류 및 에미터전류가 발생하기 때문에, 이에 기초하여 수정진동자(24)가 강여진하고, 그 결과 수정발진기의 기동시간을 단축하는 것이 가능하다.

또, 스위칭 트랜지스터의 베이스 바이어스회로의 분압소자로서 용량을 이용한 구성에 대해서는 이 예에 한정되지 않고, 예컨대 집적회로나 반도체소자에 의해 동등하게 기능하는 것이면 무엇이든지 이용할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 기초한 압전발진회로는 전원전압을 인가하고 나서 소요기간만큼 압전진동자에 소정레벨의 기동촉진용의 전압을 인가하기 위한 순간 전압공급수단을 설치함으로써, 압전발진기가 비동작상태로부터 발진동작상태로 될 때까지 필요로 하는 기동시간이 단축되는 것은 물론, 소정시간 경과후,기동촉진용의 전압공급이 끊기므로, 위상잡음특성 및 주파수 안정도 특성이 우수한 것이 된다는 효과를 발휘한다.

Claims (45)

1. 압전진동자와 증폭회로 및 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 NPN형 트랜지스터를 전원전압(Vcc) 라인과 상기 압전진동자의 일단 사이에 순방향 접속하며, 상기 전원전압(Vcc) 라인과 상기 NPN형 트랜지스터의 베이스 사이에 용량을 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc) 투입후 소정시간 상기 NPN형 트랜지스터를 매개로 상기 전원전압(Vcc) 라인으로부터 압전진동자에 기동촉진용 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
2. 압전진동자와 증폭회로 및 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1NPN형 트랜지스터를 전원전압(Vcc) 라인과 상기 압전진동자의 일단 사이에 순방향 접속하며, 상기 제1NPN형 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 저항을 삽입접속하고, 상기 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제1NPN형 트랜지스터의 베이스 사이에 제2NPN형 트랜지스터를 순방향 접속하며, 전원전압(Vcc) 라인과 그 제2NPN형 트랜지스터의 베이스 사이에 용량을 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc) 투입후 소정시간 상기 제1NPN형 트랜지스터를 매개로 상기 전원전압(Vcc) 라인으로부터 압전진동자에 기동촉진용 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
3. 압전진동자와 증폭회로 및 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 PNP형 트랜지스터를 전원전압(Vcc) 라인과 상기 압전진동자의 일단 사이에 순방향접속하며, 접지와 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스 사이에 용량 및 다이오드로 이루어진 병렬회로를 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc) 투입후 소정시간 상기 PNP형 트랜지스터를 매개로 상기 전원전압(Vcc) 라인으로부터 압전진동자에 기동촉진용 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
4. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
5. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 트랜지스터 스위치와, 그 트랜지스터 스위치의 베이스 바이어스 회로용의 분압회로를 갖춘 것이며, 그 분압회로의 분압비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어함으로써, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
6. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
7. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속한 구성이고, 상기 제1용량과 상기 제2용량의 용량비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
8. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 트랜지스터 스위치와, 그 트랜지스터 스위치의 베이스 바이어스 회로용의 분압회로 및, 상기 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖춘 것이며, 그 분압회로의 분압비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어함으로써, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
9. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속하고, 상기 PNP형 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖춘 것이며, 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하고, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
10. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속하고, 상기 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖춘 것이며, 상기 제1용량과 상기 제2용량의 용량비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어하고, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
11. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속한 구성이고, 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것이고, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에그 PNP형 트랜지스터의 ON동작 타이밍과 거의 동시기에 ON동작하는 트랜지스터 스위치를 갖춘 것을 특징으로 하는 압전발진기.
12. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속한 구성이고, 상기 제1용량과 상기 제2용량의 용량비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어하며, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것이고, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 그 PNP형 트랜지스터의 ON동작 타이밍과 거의 동시기에 ON동작하는 트랜지스터 스위치를 갖춘 것을 특징으로 하는 압전발진기.
13. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속하고, 상기 PNP형 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖추며, 전원전압(Vcc)의 상승전압에 기초하여 전원전압(Vcc)의 인가 개시시점으로부터 소정시간 지연하여 동작개시하고, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것이며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 그 PNP형 트랜지스터의 ON동작 타이밍과 거의 동시기에 ON동작하는 트랜지스터 스위치를 갖춘 것을 특징으로 하는 압전발진기.
14. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 제1PNP형 트랜지스터 스위치와, 그 스위치용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 제1용량을, 그 베이스와 접지 사이에 제2용량을 포함하며, 압전발진기의 발진루프와 전원전압(Vcc) 라인 사이에 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터·에미터를 순방향으로 삽입접속하고, 상기 트랜지스터 스위치의 출력전압에 기초하여 ON·OFF제어되는 제2트랜지스터 스위치를 갖추며, 상기 제1용량과 상기 제2용량의 용량비에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어하고, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것이며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 그 PNP형 트랜지스터의 ON동작 타이밍과 거의 동시기에 ON동작하는 트랜지스터 스위치를 갖춘 것을 특징으로 하는 압전발진기.
15. 압전진동자와, 증폭회로 및, 상기 압전진동자의 일단에 전원전압(Vcc) 투입후에 소요되는 레벨의 기동촉진용 전압을 인가하기 위한 고속기동용 회로를 갖추고, 그 고속기동용 회로가 트랜지스터 스위치와, 그 트랜지스터 스위치의 베이스 바이어스 회로용의 분압회로를 갖춘 것이며, 그 분압회로가 용량과 저항으로 이루어진 직렬회로를 갖추고, 그 직렬회로의 시정수에 기초하여 그 고속기동용 회로의 동작개시 타이밍의 지연시간을 제어함으로써, 상기 전원전압(Vcc)의 상승특성보다도 가파른 상승특성을 갖는 기동촉진용 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
16. 압전진동자와 발진용 트랜지스터 및 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류를 증가시키도록 제어함으로써, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
17. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로에 의해 전원전압 (Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를감소시키도록 제어함으로써, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축한 것을 특징으로 하는 압전발진기.
18. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로를 갖춘 것이며, 그 스위치회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써, 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축한 것을 특징으로 하는 압전발진기.
19. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 그 스위치 제어회로가 용량의 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어함으로써, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속하고, 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축한 것을 특징으로 하는 압전발진기.
20. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로가 제2트랜지스터를 갖춘 것이고,그 제2트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 발진용 트랜지스터의 에미터 저항을 삽입접속하며, 그 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량을 매개로 접속하고, 제3트랜지스터의 콜렉터와 전원전압(Vcc) 라인을 접속함과 더불어 상기 제3트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 베이스를 저항을 매개로 접속하도록 구성하며, 상기 용량의 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어함으로써, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속하고, 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축한 것을 특징으로 하는 압전발진기.
21. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로가 제2트랜지스터를 갖춘 것이고, 그 제2트랜지스터의 콜렉터와 상기 발진용 트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 접속하며, 상기 제2트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 발진용 트랜지스터의 에미터 저항을 삽입접속하고, 그 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량을 매개로 접속하며, 제3트랜지스터의 콜렉터와 전원전압(Vcc) 라인을 접속함과 더불어 상기 제3트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 베이스를 저항을 매개로 접속하도록 구성하고, 상기 용량의 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어함으로써, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속하며, 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 감소시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축한 것을 특징으로 하는 압전발진기.
22. 압전진동자와 발진용 트랜지스터 및 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터의 전위를 상승시켜 콜렉터전류를 증가시키도록 제어함으로써, 압전진동자를 강여진(强勵振)시켜 상기 압전발진기의 기동시간을 단축하며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
23. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 전원전압(Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 상기 고속기동용 회로가 상기 제2트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위가 올라가며, 이에 따른 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하기 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
24. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로를 갖추며, 그 스위치회로가 전원전압 (Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 ON동작함으로써 그 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc) 라인과 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터를 접속하여 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하기 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
25. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖추며, 그 스위치 제어회로가 용량을 갖춘 것임과 더불어 전원전압(Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 그 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로를 ON동작시킴으로써 그 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc) 라인과 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터를 접속하여 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하지 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
26. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖추며, 상기 스위치 회로가 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하고, 그 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량을 매개로 접속하며, 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접지하도록 구성한 것이고, 상기 스위치 제어회로가 전원전압 (Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로를 ON동작시킴으로써 그 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc) 라인과 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터를 접속하여 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하기 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
27. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로와 스위치 제어회로를 갖추며, 상기 스위치 회로가 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하고, 그 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 용량을 매개로 접속하며, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터와 전원전압(Vcc)을 저항을 매개로 접속하고, 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접지하도록 구성한 것이며, 상기 스위치 제어회로가 전원전압(Vcc)의 투입으로부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로를 ON동작시킴으로써 그 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc) 라인과 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 또는 전원전압(Vcc) 라인과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터를 접속하여 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전위를 올리도록 제어함으로써, 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류의 증가에 기초하여 상기 압전진동자가 강여진하기 때문에 기동시간이 단축되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
28. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
29. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 전원전압 (Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
30. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로를 갖춘 것이며, 그 스위치회로중 1개가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
31. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로를 갖춘 것이며, 그 스위치회로중 1개가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하여 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
32. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로와, 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 그 스위치 제어회로가 용량을 갖춘 것임과 더불어 그 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하는 것이고, 상기 스위치회로중 1개가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
33. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치 제어회로가 용량을 갖춘 것임과 더불어 그 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하는 것이고, 상기 스위치회로중 1개가 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하여 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하며, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되고, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
34. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로와, 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로중 1개가 제2트랜지스터를 갖추어 그 제2트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 에미터 저항을 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제2트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 더욱이 상기 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압 (Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
35. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 스위치회로중 1개가 제3트랜지스터를 갖추며, 그 제3트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 에미터 저항을 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제4트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제4트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제3트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 제4트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 더욱이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고,전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
36. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로와, 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로중 1개가 제2트랜지스터를 갖추어 그 제2트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 에미터 저항을 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 접속하며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 저항을 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제2트랜지스터의 베이스에 접속하며, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 더욱이 상기 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
37. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 스위치회로중 1개가 제3트랜지스터를 갖추며, 그 제3트랜지스터의 콜렉터·에미터 사이에 상기 에미터 저항을 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제4트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제4트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제3트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 제4트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 저항을 매개로 접속하고, 더욱이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
38. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 그 고속기동용 회로가 적어도 2개의 스위치회로와, 스위치 제어회로를 갖춘 것이며, 상기 스위치회로중 1개가 제2트랜지스터를 갖추어 그 제2트랜지스터의 콜렉터를 저항을 매개로 상기 발진용 트랜지스터의 에미터에 삽입접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 접속하며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 저항을 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제3트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제3트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제2트랜지스터의 베이스에 접속하며, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하고, 더욱이 상기 제3트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이며, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하고, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추며, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하고, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하며, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되고, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
39. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 상기 발진용 트랜지스터와 종속접속하는 제2트랜지스터, 그 제2트랜지스터의 콜렉터저항 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 스위치회로중 1개가 제3트랜지스터를 갖추며, 그 제3트랜지스터의 콜렉터를 저항을 매개로 상기 발진용 트랜지스터의 에미터에 접속한 것이고, 다른쪽 스위치회로가 PNP형 트랜지스터를 갖추며, 그 PNP형 트랜지스터의 에미터를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 상기 PNP형 트랜지스터의 콜렉터를 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속하도록 구성한 것이며, 더욱이 상기 스위치 제어회로가 제4트랜지스터를 갖춤과 더불어 그 제4트랜지스터의 에미터를 저항을 매개로 상기 제3트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 제4트랜지스터의 콜렉터를 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스에 접속하며, 상기 PNP형 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 저항을 매개로 접속하고, 더욱이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 상기 용량을 매개로 접속함과 더불어 그 베이스를 역방향 접속의 다이오드를 매개로 접속하도록 구성한 것이고, 전원전압(Vcc)의 투입후부터 소요되는 동안 만큼 상기 용량에 전하가 충전될 때에 발생하는 차지전류에 기초하여 상기 스위치회로의 ON·OFF동작을 제어하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 그 에미터 저항의 양단간의 임피던스를 낮추고, 또 상기 스위치회로중 다른쪽이 상기 콜렉터 저항의 양단간을 접속하며, 상기 콜렉터 저항간의 전위를 낮추도록 제어함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 증가하고, 상기 압전발진기의 기동시간이 단축되며, 상기 소요 시간이 경과한 후에는 상기 고속기동용 회로에 의한 제어가 정지함으로써 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류가 소요 값까지 저하되는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
40. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 전원전압(Vcc) 투입후 소요되는 동안 만큼 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류 및 에미터전류를 커런트 미러회로로 이루어진 전류제어회로에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
41. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 2개의 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 전원전압(Vcc) 인가후 소요되는 동안 만큼 상기 제1고속기동용 회로가 상기 압전진동자에 기동촉진용 전압을 인가하며, 상기 제2고속기동용 회로가 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터전류를 증가시키는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
42. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 2개의 고속기동용 회로를 갖춘 압전발진기이고, 상기 고속기동용 회로가 스위치회로를 갖춘 것이며, 상기 제1고속기동용 회로가 전원전압(Vcc) 인가후 소요되는 동안 만큼 상기 제1고속기동용 회로에 갖춘 상기 스위치회로를 매개로 전원전압(Vcc)을 발진촉진용 전압으로서 상기 압전진동자에 인가하고, 상기 제2고속기동용 회로가 스위치회로에서 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터 저항 또는 에미터 저항 또는 콜렉터저항과 에미터 저항을 바이패스함으로써 콜렉터전류를 증가시키는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
43. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터와 종속접속한 버퍼용 트랜지스터를 갖춘 압전 발진기에 있어서, 상기 버퍼용 트랜지스터의 베이스와 전원전압(Vcc) 라인을 제1용량을 매개로 접속하고, 그 베이스를 제2용량을 매개로 접지한 것을 특징으로 하는 압전발진기.
44. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터 및, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항, 고속기동용 회로를 갖춤과 더불어, 그 고속기동용 회로가 디플리션형 P채널 FET를 스위치소자로 한 스위치회로를 갖춘 압전 발진기이고, 그 스위치회로가 전원전압 투입후의 소요 시간만큼 ON동작하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 상기 압전진동자로의 기동전류를 높이고, 더욱이 상기 소요 시간이 경과한 후에 상기 스위치회로가 OFF 동작하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.
45. 압전진동자와, 발진용 트랜지스터, 그 발진용 트랜지스터의 에미터 저항 및, 고속기동용 회로를 갖춤과 더불어, 그 고속기동용 회로가 디플리션형 P채널 FET의 베이스를 전원전압(Vcc) 라인에 접속하고, 더욱이 전원전압(Vcc) 라인과 접지 사이에 설치한 저항과 용량이 직렬회로의 그 저항과 용량의 접속점을 디플리션형 P채널 FET의 게이트에 접속하며, 드레인·소스 사이와 상기 발진용 트랜지스터의 에미터 저항을 병렬접속하도록 구성한 것이고, 상기 디플리션형 P채널 FET가 전원전압 투입후의 소요 시간만큼 ON동작하며, 상기 에미터 저항의 양단간을 접속함으로써 상기 압전진동자로의 기동전류를 높이고, 더욱이 상기 소요 시간이 경과한 후에 상기 스위치회로가 OFF 동작하는 것을 특징으로 하는 압전발진기.