JPH0818337A - Ｆｓｋ変調器 - Google Patents
Ｆｓｋ変調器Info
- Publication number
- JPH0818337A JPH0818337A JP6146670A JP14667094A JPH0818337A JP H0818337 A JPH0818337 A JP H0818337A JP 6146670 A JP6146670 A JP 6146670A JP 14667094 A JP14667094 A JP 14667094A JP H0818337 A JPH0818337 A JP H0818337A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- wave resonator
- capacitor
- fet
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/10—Frequency-modulated carrier systems, i.e. using frequency-shift keying
- H04L27/12—Modulator circuits; Transmitter circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】１チップモノリシックＩＣ化により小型化が実
現できるＦＳＫ変調器を提供する。 【構成】ＦＳＫ変調器２は、コルピッツ型で構成され、
その誘導性リアクタンス部に、弾性表面波共振子１と、
弾性表面波共振子１に直列に接続するＦＥＴＱ２及びコ
ンデンサＣ７，Ｃ８で構成された変調部３とを設け、Ｆ
ＥＴＱ２のゲートを変調入力部とし、その変調入力部に
入力される信号によりＦＥＴＱ２をスイッチングして、
変調部３のコンデンサＣ７，Ｃ８を切り換えＦＳＫ変調
を行うものである。
現できるＦＳＫ変調器を提供する。 【構成】ＦＳＫ変調器２は、コルピッツ型で構成され、
その誘導性リアクタンス部に、弾性表面波共振子１と、
弾性表面波共振子１に直列に接続するＦＥＴＱ２及びコ
ンデンサＣ７，Ｃ８で構成された変調部３とを設け、Ｆ
ＥＴＱ２のゲートを変調入力部とし、その変調入力部に
入力される信号によりＦＥＴＱ２をスイッチングして、
変調部３のコンデンサＣ７，Ｃ８を切り換えＦＳＫ変調
を行うものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波共振子を用
いたＦＳＫ（Frequency Shift Keying）変調器に関す
るものである。
いたＦＳＫ（Frequency Shift Keying）変調器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波共振子を用いたＦＳＫ
変調器の動作原理を示す回路図を図１０に示す。図１０
において、Ｑ３１はトランジスタであり、トランジスタ
Ｑ３１のコレクタとベース間に、１ポート型の弾性表面
波共振子３１と可変容量ダイオード３２とが直列に接続
され、弾性表面波共振子３１と可変容量ダイオード３２
との接続点に変調入力部が設けられたコルピッツ型でＦ
ＳＫ変調器３３が構成されている。
変調器の動作原理を示す回路図を図１０に示す。図１０
において、Ｑ３１はトランジスタであり、トランジスタ
Ｑ３１のコレクタとベース間に、１ポート型の弾性表面
波共振子３１と可変容量ダイオード３２とが直列に接続
され、弾性表面波共振子３１と可変容量ダイオード３２
との接続点に変調入力部が設けられたコルピッツ型でＦ
ＳＫ変調器３３が構成されている。
【０００３】このうち、誘導性リアクタンス部は、弾性
表面波共振子３１と可変容量ダイオード３２とによって
構成されている。そして、可変容量ダイオード３２にデ
ジタルの入力信号が加えられ、その入力信号に応じて発
振周波数が変化し、ＦＳＫ変調された信号が出力され
る。
表面波共振子３１と可変容量ダイオード３２とによって
構成されている。そして、可変容量ダイオード３２にデ
ジタルの入力信号が加えられ、その入力信号に応じて発
振周波数が変化し、ＦＳＫ変調された信号が出力され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
ＦＳＫ変調器３３において、小型化のために１チップモ
ノリシックＩＣ化を実現しようとすると、トランジスタ
３１と可変容量ダイオード３２との半導体製造プロセス
が異なるため、同一チップ上にトランジスタＱ３１と可
変容量ダイオード３２とを形成することができず、小型
化に限界があった。
ＦＳＫ変調器３３において、小型化のために１チップモ
ノリシックＩＣ化を実現しようとすると、トランジスタ
３１と可変容量ダイオード３２との半導体製造プロセス
が異なるため、同一チップ上にトランジスタＱ３１と可
変容量ダイオード３２とを形成することができず、小型
化に限界があった。
【０００５】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであり、弾性表面波共振子と直列に半導
体スイッチとコンデンサとからなる変調部を設け、前記
半導体スイッチに変調入力部を設けて、１チップモノリ
シックＩＣ化により小型化が実現できるＦＳＫ変調器を
提供することを目的とするものである。
になされたものであり、弾性表面波共振子と直列に半導
体スイッチとコンデンサとからなる変調部を設け、前記
半導体スイッチに変調入力部を設けて、１チップモノリ
シックＩＣ化により小型化が実現できるＦＳＫ変調器を
提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明においては、弾性表面波共振子と、該弾性
表面波共振子に直列に接続し半導体スイッチとコンデン
サとにより構成した変調部とを備え、前記半導体スイッ
チに変調入力部を設けたことを特徴とするものである。
めに、本発明においては、弾性表面波共振子と、該弾性
表面波共振子に直列に接続し半導体スイッチとコンデン
サとにより構成した変調部とを備え、前記半導体スイッ
チに変調入力部を設けたことを特徴とするものである。
【０００７】また、１ポート型の弾性表面波共振子と、
該弾性表面波共振子に直列に接続し半導体スイッチとコ
ンデンサとにより構成した変調部とを、誘導性リアクタ
ンス部に用いたコルピッツ型で構成し、前記半導体スイ
ッチに変調入力部を設けたことを特徴とするものであ
る。
該弾性表面波共振子に直列に接続し半導体スイッチとコ
ンデンサとにより構成した変調部とを、誘導性リアクタ
ンス部に用いたコルピッツ型で構成し、前記半導体スイ
ッチに変調入力部を設けたことを特徴とするものであ
る。
【０００８】また、増幅器と、該増幅器の入出力間に、
２ポート型の弾性表面波共振子と、半導体スイッチとコ
ンデンサとにより構成した変調部とを直列に接続し、前
記半導体スイッチに変調入力部を設けたことを特徴とす
るものである。
２ポート型の弾性表面波共振子と、半導体スイッチとコ
ンデンサとにより構成した変調部とを直列に接続し、前
記半導体スイッチに変調入力部を設けたことを特徴とす
るものである。
【０００９】
【作用】上記の構成によれば、変調部に設けられた半導
体スイッチで、入力信号に応じて弾性表面波共振子に接
続されるコンデンサを切り換えることにより、発振する
位相点を移動し２つの異なる発振周波数で発振してＦＳ
Ｋ変調を行うことができる。そのため、発振用の半導体
と変調部の半導体とを同一製造プロセスで加工できるも
のを用いることができ、同一チップ上に弾性表面波共振
子以外の部品を搭載し１チップモノリシックＩＣ化した
ＦＳＫ変調器を実現することができる。
体スイッチで、入力信号に応じて弾性表面波共振子に接
続されるコンデンサを切り換えることにより、発振する
位相点を移動し２つの異なる発振周波数で発振してＦＳ
Ｋ変調を行うことができる。そのため、発振用の半導体
と変調部の半導体とを同一製造プロセスで加工できるも
のを用いることができ、同一チップ上に弾性表面波共振
子以外の部品を搭載し１チップモノリシックＩＣ化した
ＦＳＫ変調器を実現することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明によるＦＳＫ変調器の実施例を
図面を用いて説明する。図１は本発明の第一の実施例に
よるＦＳＫ変調器の回路図である。図１において、１は
１ポート型の弾性表面波共振子であり、弾性表面波共振
子１の一端は、コンデンＣ１を介して発振用のＦＥＴＱ
１のゲートに接続され、ＦＥＴＱ１のゲートとアース間
には、抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ２，Ｃ３の直列回路が
接続される。また、コンデンサＣ２，Ｃ３の接続点はＦ
ＥＴＱ１のソースに接続され、ＦＥＴＱ１のソースは、
抵抗Ｒ２を介してアースに接続されるとともに、コンデ
ンサＣ４を介して出力となる。また、ＦＥＴＱ１のドレ
インは電源に接続されるとともに、アースとの間にコン
デンサＣ５が接続される。
図面を用いて説明する。図１は本発明の第一の実施例に
よるＦＳＫ変調器の回路図である。図１において、１は
１ポート型の弾性表面波共振子であり、弾性表面波共振
子１の一端は、コンデンＣ１を介して発振用のＦＥＴＱ
１のゲートに接続され、ＦＥＴＱ１のゲートとアース間
には、抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ２，Ｃ３の直列回路が
接続される。また、コンデンサＣ２，Ｃ３の接続点はＦ
ＥＴＱ１のソースに接続され、ＦＥＴＱ１のソースは、
抵抗Ｒ２を介してアースに接続されるとともに、コンデ
ンサＣ４を介して出力となる。また、ＦＥＴＱ１のドレ
インは電源に接続されるとともに、アースとの間にコン
デンサＣ５が接続される。
【００１１】一方、弾性表面波共振子１の他端は、コン
デンサＣ６を介してＦＥＴＱ２のドレインに接続され、
ＦＥＴＱ２のドレインは、アースとの間にコンデンサＣ
７が接続されるとともに、電源との間に抵抗Ｒ３が接続
される。また、ＦＥＴＱ２のソースは、アースとの間に
コンデンサＣ８が接続されるとともに、電源との間に抵
抗Ｒ４が接続され、ＦＥＴＱ２のゲートが変調入力部と
なり、ＦＳＫ変調器２が構成される。
デンサＣ６を介してＦＥＴＱ２のドレインに接続され、
ＦＥＴＱ２のドレインは、アースとの間にコンデンサＣ
７が接続されるとともに、電源との間に抵抗Ｒ３が接続
される。また、ＦＥＴＱ２のソースは、アースとの間に
コンデンサＣ８が接続されるとともに、電源との間に抵
抗Ｒ４が接続され、ＦＥＴＱ２のゲートが変調入力部と
なり、ＦＳＫ変調器２が構成される。
【００１２】なお、ＦＥＴＱ２，コンデンサＣ７，Ｃ８
及び抵抗Ｒ３，Ｒ４は変調部３を形成し、このうち、抵
抗Ｒ３，Ｒ４はＦＥＴＱ２に適切なバイアスを与えるた
めのものである。また、コンデンサＣ１，Ｃ６は、弾性
表面波共振子１へ直流が流れるのを阻止するためのもの
である。
及び抵抗Ｒ３，Ｒ４は変調部３を形成し、このうち、抵
抗Ｒ３，Ｒ４はＦＥＴＱ２に適切なバイアスを与えるた
めのものである。また、コンデンサＣ１，Ｃ６は、弾性
表面波共振子１へ直流が流れるのを阻止するためのもの
である。
【００１３】このように構成されたＦＳＫ変調器２は、
弾性表面波共振子１と変調部３とを誘導性リアクタンス
部とし、ＦＥＴＱ２のゲートを変調入力部としたコルピ
ッツ型で構成されている。そして、ＦＥＴＱ２のゲート
にデジタル信号が入力されることにより、ＦＥＴＱ２は
ドレインとソース間の導通がＯＮまたはＯＦＦされるス
イッチとして動作し、ＯＮの場合は、コンデンサＣ７と
コンデンサＣ８の並列したものが弾性表面波共振子１と
直列に接続され、ＯＦＦの場合は、コンデンサＣ７のみ
が弾性表面波共振子１と直列に接続される。
弾性表面波共振子１と変調部３とを誘導性リアクタンス
部とし、ＦＥＴＱ２のゲートを変調入力部としたコルピ
ッツ型で構成されている。そして、ＦＥＴＱ２のゲート
にデジタル信号が入力されることにより、ＦＥＴＱ２は
ドレインとソース間の導通がＯＮまたはＯＦＦされるス
イッチとして動作し、ＯＮの場合は、コンデンサＣ７と
コンデンサＣ８の並列したものが弾性表面波共振子１と
直列に接続され、ＯＦＦの場合は、コンデンサＣ７のみ
が弾性表面波共振子１と直列に接続される。
【００１４】このため、入力信号に応じて弾性表面波共
振子１と接続されるコンデンサが切り換えられることに
より発振する位相点が移動し、２つの異なる発振周波数
で発振してＦＳＫ変調を行うことができる。その結果、
可変容量ダイオードを用いないため、弾性表面波共振子
１を除くすべての回路部品を、１チップモノリシックＩ
Ｃ化することができる。
振子１と接続されるコンデンサが切り換えられることに
より発振する位相点が移動し、２つの異なる発振周波数
で発振してＦＳＫ変調を行うことができる。その結果、
可変容量ダイオードを用いないため、弾性表面波共振子
１を除くすべての回路部品を、１チップモノリシックＩ
Ｃ化することができる。
【００１５】また、変調部３の第一及び第二の変形例を
図２及び図３に示す。図２に示すものは、ＦＥＴＱ３の
ドレインとソース間にコンデンサＣ９が接続され、ＦＥ
ＴＱ３のドレインがコンデンサＣ６に接続されて構成さ
れており、また、図３に示すものは、２つのＦＥＴＱ
４，５を有し、それぞれのドレインがコンデンサＣ６に
接続され、それぞれのソースとアース間にコンデンサＣ
１０，Ｃ１１が接続され、複数の変調入力部を備えて構
成されている。
図２及び図３に示す。図２に示すものは、ＦＥＴＱ３の
ドレインとソース間にコンデンサＣ９が接続され、ＦＥ
ＴＱ３のドレインがコンデンサＣ６に接続されて構成さ
れており、また、図３に示すものは、２つのＦＥＴＱ
４，５を有し、それぞれのドレインがコンデンサＣ６に
接続され、それぞれのソースとアース間にコンデンサＣ
１０，Ｃ１１が接続され、複数の変調入力部を備えて構
成されている。
【００１６】これらは、入力信号によりＦＥＴＱ３〜Ｑ
５がＯＮまたはＯＦＦとなり、弾性表面波共振子１と接
続されるコンデンサが切り換えられることにより発振す
る位相点が移動し、２つの異なる発振周波数で発振させ
ることができる。なお、ＦＥＴＱ３〜Ｑ５へのバイアス
回路は省略されているが、ＦＥＴＱ３〜Ｑ５が入力信号
によりＯＮ，ＯＦＦできるように適切に設定されるもの
である。
５がＯＮまたはＯＦＦとなり、弾性表面波共振子１と接
続されるコンデンサが切り換えられることにより発振す
る位相点が移動し、２つの異なる発振周波数で発振させ
ることができる。なお、ＦＥＴＱ３〜Ｑ５へのバイアス
回路は省略されているが、ＦＥＴＱ３〜Ｑ５が入力信号
によりＯＮ，ＯＦＦできるように適切に設定されるもの
である。
【００１７】図４に本発明の第二の実施例によるＦＳＫ
変調器の回路図を示す。図４において、１１は２ポート
型の弾性表面波共振子であり、弾性表面波共振子１１の
ポートＰ１の一端は、トランジスタやＦＥＴ等からなる
発振用の増幅器１２の入力に接続され、他端はアースに
接続される。
変調器の回路図を示す。図４において、１１は２ポート
型の弾性表面波共振子であり、弾性表面波共振子１１の
ポートＰ１の一端は、トランジスタやＦＥＴ等からなる
発振用の増幅器１２の入力に接続され、他端はアースに
接続される。
【００１８】また、増幅器１２の出力はコンデンサＣ１
２を介して出力されるとともに、弾性表面波共振子１１
のポートＰ２の一端に、変調部１３を介して接続され、
弾性表面波共振子１１のポートＰ２の他端はアースに接
続されて、帰還型のＦＳＫ変調器１４が構成されてい
る。
２を介して出力されるとともに、弾性表面波共振子１１
のポートＰ２の一端に、変調部１３を介して接続され、
弾性表面波共振子１１のポートＰ２の他端はアースに接
続されて、帰還型のＦＳＫ変調器１４が構成されてい
る。
【００１９】このうち、変調部１３は、ＦＥＴＱ１１の
ドレインにコンデンサＣ１３の一端が接続され、ＦＥＴ
Ｑ１１のソースとコンデンサＣ１３の他端にコンデンサ
Ｃ１４が並列に接続され、ＦＥＴＱ１１のゲートが変調
入力部として構成される。
ドレインにコンデンサＣ１３の一端が接続され、ＦＥＴ
Ｑ１１のソースとコンデンサＣ１３の他端にコンデンサ
Ｃ１４が並列に接続され、ＦＥＴＱ１１のゲートが変調
入力部として構成される。
【００２０】このように構成されたＦＳＫ変調器１４
は、ＦＥＴＱ１１のゲートにデジタル信号が入力される
ことにより、ＦＥＴＱ１１のドレインとソース間の導通
がＯＮまたはＯＦＦされ、ＯＮの場合は、コンデンサＣ
１３とコンデンサＣ１４の並列したものが、弾性表面波
共振子１１と直列に接続され、ＯＦＦの場合は、コンデ
ンサＣ１４のみが弾性表面波共振子１１と直列に接続さ
れる。
は、ＦＥＴＱ１１のゲートにデジタル信号が入力される
ことにより、ＦＥＴＱ１１のドレインとソース間の導通
がＯＮまたはＯＦＦされ、ＯＮの場合は、コンデンサＣ
１３とコンデンサＣ１４の並列したものが、弾性表面波
共振子１１と直列に接続され、ＯＦＦの場合は、コンデ
ンサＣ１４のみが弾性表面波共振子１１と直列に接続さ
れる。
【００２１】このため、入力信号に応じて弾性表面波共
振子１１と接続されるコンデンサが切り換えられること
により発振する位相点が移動し、２つの異なる発振周波
数で発振してＦＳＫ変調を行うことができる。したがっ
て、可変容量ダイオードを用いないため、弾性表面波共
振子１１を除くすべての回路部品を、１チップモノリシ
ックＩＣ化することができる。
振子１１と接続されるコンデンサが切り換えられること
により発振する位相点が移動し、２つの異なる発振周波
数で発振してＦＳＫ変調を行うことができる。したがっ
て、可変容量ダイオードを用いないため、弾性表面波共
振子１１を除くすべての回路部品を、１チップモノリシ
ックＩＣ化することができる。
【００２２】また、変調部１３の第一乃至第五の変形例
を図５乃至図９に示す。図５に示すものは、ＦＥＴＱ１
２のドレインとソース間にコンデンサＣ１５が接続され
たものである。図６に示すものは、ＦＥＴＱ１３のドレ
インにコンデンサＣ１６の一端が接続され、ＦＥＴＱ１
３のソースとコンデンサＣ１６の他端が接続され、ＦＥ
ＴＱ１３のソースとコンデンサＣ１６の接続点とアース
間にコンデンサＣ１７が接続されたものである。
を図５乃至図９に示す。図５に示すものは、ＦＥＴＱ１
２のドレインとソース間にコンデンサＣ１５が接続され
たものである。図６に示すものは、ＦＥＴＱ１３のドレ
インにコンデンサＣ１６の一端が接続され、ＦＥＴＱ１
３のソースとコンデンサＣ１６の他端が接続され、ＦＥ
ＴＱ１３のソースとコンデンサＣ１６の接続点とアース
間にコンデンサＣ１７が接続されたものである。
【００２３】図７に示すものは、ＦＥＴＱ１４のソース
とＦＥＴＱ１５のドレインが接続され、その接続点とア
ース間にコンデンサＣ１８が接続され、ＦＥＴＱ１４の
ドレインとＦＥＴＱ１５のソースが接続されたものであ
る。
とＦＥＴＱ１５のドレインが接続され、その接続点とア
ース間にコンデンサＣ１８が接続され、ＦＥＴＱ１４の
ドレインとＦＥＴＱ１５のソースが接続されたものであ
る。
【００２４】図８に示すものは、ＦＥＴＱ１６のソース
とＦＥＴＱ１７のドレインが接続され、その接続点とア
ース間にコンデンサＣ１９が接続され、ＦＥＴＱ１６の
ドレインとＦＥＴＱ１７のソースが接続され、その接続
点とアース間にコンデンサＣ２０が接続されたものであ
る。
とＦＥＴＱ１７のドレインが接続され、その接続点とア
ース間にコンデンサＣ１９が接続され、ＦＥＴＱ１６の
ドレインとＦＥＴＱ１７のソースが接続され、その接続
点とアース間にコンデンサＣ２０が接続されたものであ
る。
【００２５】図９に示すものは、ＦＥＴＱ１８のドレイ
ンにコンデンサＣ２１の一端が接続され、ＦＥＴＱ１９
のドレインにコンデンサＣ２２の一端が接続され、ＦＥ
ＴＱ１８，１９のソースどうしが接続され、コンデンサ
Ｃ２０、Ｃ２１の他端どうしが接続されたものである。
ンにコンデンサＣ２１の一端が接続され、ＦＥＴＱ１９
のドレインにコンデンサＣ２２の一端が接続され、ＦＥ
ＴＱ１８，１９のソースどうしが接続され、コンデンサ
Ｃ２０、Ｃ２１の他端どうしが接続されたものである。
【００２６】このように構成された変調部１３の変形例
では、入力信号によりＦＥＴＱ１２〜Ｑ１９がＯＮまた
はＯＦＦとなり、弾性表面波共振子１１と接続されるコ
ンデンサが切り換えられることにより発振する位相点が
移動し、２つの異なる発振周波数で発振させることがで
きる。なお、ＦＥＴＱ１２〜Ｑ１９へのバイアス回路は
省略されているが、ＦＥＴＱ１２〜Ｑ１９が入力信号に
よりＯＮまたはＯＦＦできるように適切に設定されるも
のである。
では、入力信号によりＦＥＴＱ１２〜Ｑ１９がＯＮまた
はＯＦＦとなり、弾性表面波共振子１１と接続されるコ
ンデンサが切り換えられることにより発振する位相点が
移動し、２つの異なる発振周波数で発振させることがで
きる。なお、ＦＥＴＱ１２〜Ｑ１９へのバイアス回路は
省略されているが、ＦＥＴＱ１２〜Ｑ１９が入力信号に
よりＯＮまたはＯＦＦできるように適切に設定されるも
のである。
【００２７】以上説明した変調部３，１３の半導体スイ
ッチは、ＦＥＴを用いたものを示したが、バイポーラト
ランジスタやダイオードを用いることも可能である。ま
た、半導体スイッチの応答速度は、変調信号に対し十分
速いものが必要である。
ッチは、ＦＥＴを用いたものを示したが、バイポーラト
ランジスタやダイオードを用いることも可能である。ま
た、半導体スイッチの応答速度は、変調信号に対し十分
速いものが必要である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるＦ
ＳＫ変調器によれば、変調部に設けられたコンデンサ
を、入力信号に応じて半導体スイッチで切り換え、発振
する位相点を変化させることにより、ＦＳＫ変調器を構
成することができる。したがって、発振用の半導体と変
調部の半導体とを同一製造プロセスで加工できるものを
用いることができ、同一チップ上に弾性表面波共振子以
外の部品を搭載し１チップモノリシックＩＣ化したＦＳ
Ｋ変調器を実現することができるため、小型のＦＳＫ変
調器を提供することができる。
ＳＫ変調器によれば、変調部に設けられたコンデンサ
を、入力信号に応じて半導体スイッチで切り換え、発振
する位相点を変化させることにより、ＦＳＫ変調器を構
成することができる。したがって、発振用の半導体と変
調部の半導体とを同一製造プロセスで加工できるものを
用いることができ、同一チップ上に弾性表面波共振子以
外の部品を搭載し１チップモノリシックＩＣ化したＦＳ
Ｋ変調器を実現することができるため、小型のＦＳＫ変
調器を提供することができる。
【図１】本発明の第一の実施例によるＦＳＫ変調器の回
路図である。
路図である。
【図２】図１の変調部の第一の変形例である。
【図３】図１の変調部の第二の変形例である。
【図４】本発明の第二の実施例によるＦＳＫ変調器の回
路図である。
路図である。
【図５】図４の変調部の第一の変形例である。
【図６】図４の変調部の第二の変形例である。
【図７】図４の変調部の第三の変形例である。
【図８】図４の変調部の第四の変形例である。
【図９】図４の変調部の第五の変形例である。
【図１０】従来のＦＳＫ変調器の動作原理を示す回路図
である。
である。
１，１１ 弾性表面波共振子 ２，１４ ＦＳＫ変調器 ３，１３ 変調部 １２ 増幅器 Ｑ２〜Ｑ５ 半導体スイッチをなすＦＥＴ Ｑ１１〜Ｑ１９ 半導体スイッチをなすＦＥＴ Ｃ１〜Ｃ２２ コンデンサ
Claims (3)
- 【請求項１】 弾性表面波共振子と、該弾性表面波共振
子に直列に接続し半導体スイッチとコンデンサとにより
構成した変調部とを備え、前記半導体スイッチに変調入
力部を設けたことを特徴とするＦＳＫ変調器。 - 【請求項２】 １ポート型の弾性表面波共振子と、該弾
性表面波共振子に直列に接続し半導体スイッチとコンデ
ンサとにより構成した変調部とを、誘導性リアクタンス
部に用いたコルピッツ型で構成し、前記半導体スイッチ
に変調入力部を設けたことを特徴とするＦＳＫ変調器。 - 【請求項３】 増幅器と、該増幅器の入出力間に、２ポ
ート型の弾性表面波共振子と、半導体スイッチとコンデ
ンサとにより構成した変調部とを直列に接続し、前記半
導体スイッチに変調入力部を設けたことを特徴とするＦ
ＳＫ変調器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146670A JPH0818337A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | Ｆｓｋ変調器 |
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| JP6146670A JPH0818337A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | Ｆｓｋ変調器 |
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Family
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Family Applications (1)
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1995
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