JPS6025307A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS6025307A JPS6025307A JP13331183A JP13331183A JPS6025307A JP S6025307 A JPS6025307 A JP S6025307A JP 13331183 A JP13331183 A JP 13331183A JP 13331183 A JP13331183 A JP 13331183A JP S6025307 A JPS6025307 A JP S6025307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- output
- resonator
- oscillation
- oscillator
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2202/00—Aspects of oscillators relating to reduction of undesired oscillations
- H03B2202/05—Reduction of undesired oscillations through filtering or through special resonator characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はMIC化(マイクロ波集槓回路化うした、マイ
クロ波発振器に関するものである。
クロ波発振器に関するものである。
一般に、マイクロ波固体発振器の発振素子としては、バ
イポーラトランジスタ、 GaAs FET等のゝ元子
素子を使用したもの、あるいはガンダイオード、インバ
ットダイオードのような2端子を使用したものがある。
イポーラトランジスタ、 GaAs FET等のゝ元子
素子を使用したもの、あるいはガンダイオード、インバ
ットダイオードのような2端子を使用したものがある。
これら発振素子の自励発振を使用したもの、あるいは高
Q空胴装荷をしたもの等によりマイクロ波発振器がつく
られていた。近年、誘電体共振器の改良に伴い、3端子
発振素子を用いた誘電体共振器付マイクロ波発振器が開
発されている。
Q空胴装荷をしたもの等によりマイクロ波発振器がつく
られていた。近年、誘電体共振器の改良に伴い、3端子
発振素子を用いた誘電体共振器付マイクロ波発振器が開
発されている。
第1図は従来のGaAs FETを用いた誘電体共振器
付発振器の平面図で、MIC基板上に共振器をゲートお
よびドレインの間に装荷した帰還型発振器を示している
。図中、11はGaAs FE’l’。
付発振器の平面図で、MIC基板上に共振器をゲートお
よびドレインの間に装荷した帰還型発振器を示している
。図中、11はGaAs FE’l’。
1はこのFET11のゲート電極Gと接続された線路、
2はFETIIのドレイン電極りと接続されたドレ線路
、3はFETIIのソース電極Sと接続されたソース線
路、4は円柱状の高Q誘電体共振器、5.7はチップ抵
、抗、6はコンデンサ用ランド、8はコンデンサ、9は
出力緋路、1oは出力用コネクタである。このゲート−
ドレイン間線路1,2に近接して配設された誘電体共振
器4は発振器の帰還ループを形成している。
2はFETIIのドレイン電極りと接続されたドレ線路
、3はFETIIのソース電極Sと接続されたソース線
路、4は円柱状の高Q誘電体共振器、5.7はチップ抵
、抗、6はコンデンサ用ランド、8はコンデンサ、9は
出力緋路、1oは出力用コネクタである。このゲート−
ドレイン間線路1,2に近接して配設された誘電体共振
器4は発振器の帰還ループを形成している。
この帰還型発振器は、帰還回路以外K、例えばドレイン
線路2のように先端開放(オーダ/)の線路があシ、こ
の線路が自励発振の原因となりうる問題がある。また、
ソース線路3の先端の出力線路9に負荷が結合されると
き、その負荷状態によって帰還量が変化するため共振器
の位置を変えなければならないことがある等の欠点を有
する。
線路2のように先端開放(オーダ/)の線路があシ、こ
の線路が自励発振の原因となりうる問題がある。また、
ソース線路3の先端の出力線路9に負荷が結合されると
き、その負荷状態によって帰還量が変化するため共振器
の位置を変えなければならないことがある等の欠点を有
する。
本発明の目的は、このような欠点を除き、安定な発振出
力を得ることのできるマイクロ波発振器を提供すること
にある。
力を得ることのできるマイクロ波発振器を提供すること
にある。
本発明の構成は、三端子発振素子と、この発振素子の一
端に接続された線路と、この勝路と電磁的結合される誘
電体共振器とを備えだマイクロ波発振器において、前記
誘電体共振器と電磁的に結合され発振出力を取シ出す出
力線路を設けたことを特徴とする。
端に接続された線路と、この勝路と電磁的結合される誘
電体共振器とを備えだマイクロ波発振器において、前記
誘電体共振器と電磁的に結合され発振出力を取シ出す出
力線路を設けたことを特徴とする。
次に、本発明を図面にょシ詳細に説明する。
第2図は本発明の実施例の平面図で、第1図と同一番号
は同一構成要素を示す。この図では、MIC基板上に発
振素子としてGaAs FE’l’11を使用して通過
型発振器とした例で、ドレインDIが直接接地されてい
る。この実施例では、誘電体共振器4に近接して独立に
設けられた出力線路12から出力をとりだしている。こ
の発振器は、ゲート線路1側から発振素子をみたインピ
ーダンスが負性抵抗を示すように、ソース線路3が調整
されてお9、その発振周波数は誘電体共振器4のみによ
って決まる。このため不要波モードで発振することがな
く、負荷側の影響により発振が影響されない等の利点が
ある。
は同一構成要素を示す。この図では、MIC基板上に発
振素子としてGaAs FE’l’11を使用して通過
型発振器とした例で、ドレインDIが直接接地されてい
る。この実施例では、誘電体共振器4に近接して独立に
設けられた出力線路12から出力をとりだしている。こ
の発振器は、ゲート線路1側から発振素子をみたインピ
ーダンスが負性抵抗を示すように、ソース線路3が調整
されてお9、その発振周波数は誘電体共振器4のみによ
って決まる。このため不要波モードで発振することがな
く、負荷側の影響により発振が影響されない等の利点が
ある。
なお、本実施例は、ドレイン接地型G a A 5FE
T による例を述べたが、ゲート接地の場合でも、素子
がバイポーラの場合でも適用できることはいうまでもな
い。また、出力をと9だすだめのカップリングラインは
誘電体共振器と電磁的に結合できる位置にあればよく、
その配置に制限はない。
T による例を述べたが、ゲート接地の場合でも、素子
がバイポーラの場合でも適用できることはいうまでもな
い。また、出力をと9だすだめのカップリングラインは
誘電体共振器と電磁的に結合できる位置にあればよく、
その配置に制限はない。
第1図は従来の帰還型マイクロ波発掘器の半面図、第2
図は本発明の実施例の平面図である。図において、 ■・・・・・・ゲート線路、2・・・・・・ドレイン線
路、3・・・・・・ソース線路、4・・・・・・誘電体
共振器、5−・・・不要波吸収抵抗、6・・・・・・ラ
ンド、7・・・・・・抵抗、8・・・・・・コンデンサ
、9.12・・・・・・出力用心路、10・・・・・・
出力用コネクタ、11・・・・・・FETである。
図は本発明の実施例の平面図である。図において、 ■・・・・・・ゲート線路、2・・・・・・ドレイン線
路、3・・・・・・ソース線路、4・・・・・・誘電体
共振器、5−・・・不要波吸収抵抗、6・・・・・・ラ
ンド、7・・・・・・抵抗、8・・・・・・コンデンサ
、9.12・・・・・・出力用心路、10・・・・・・
出力用コネクタ、11・・・・・・FETである。
Claims (1)
- 三端子発振素子と、この発振素子の一端に接続された畑
路と、この線路と電磁的に結合される誘電体共振器とを
備えたマイクロ波発振器において、前記誘電体共振器と
電磁的に結合され発振出力を取り出す出力)線路を設け
たことk ’l11徴とするマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13331183A JPS6025307A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13331183A JPS6025307A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6025307A true JPS6025307A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=15101707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13331183A Pending JPS6025307A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6025307A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62191540U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | ||
JPS62191539U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | ||
JPH03119740U (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-10 |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP13331183A patent/JPS6025307A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62191540U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | ||
JPS62191539U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | ||
JPH053428Y2 (ja) * | 1986-05-28 | 1993-01-27 | ||
JPH053427Y2 (ja) * | 1986-05-28 | 1993-01-27 | ||
JPH03119740U (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-10 |
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