JPS62135002A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS62135002A JPS62135002A JP60275301A JP27530185A JPS62135002A JP S62135002 A JPS62135002 A JP S62135002A JP 60275301 A JP60275301 A JP 60275301A JP 27530185 A JP27530185 A JP 27530185A JP S62135002 A JPS62135002 A JP S62135002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- terminal
- capacitor
- microwave oscillator
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＦＥＴを使用したマイクロ波発振器に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
従来のマイクロ波発振器としては、例えば特開昭５７−
２６９０２号公報に示されているものである。
２６９０２号公報に示されているものである。
第６図はこの従来のマイクロ波発振器の回路図を示すも
のであり、１はＦＥＴであり、１１゜１２．１３はそれ
ぞれＦＥＴ１のゲート端子、ソース端子、ドレイン端子
である。４はストリップ線路でゲート端子１１に一端を
接続し、他端を終端抵抗６で終端しておく。５は誘電体
共振器で、ストリップ線路４に結合するように配置され
ている。１６は電源供給端子、１６は発振時の４分の１
の波長の長さをもつ終端開放線路である。１７はセルフ
バイアス抵抗、１８は低域通過フィルタである。
のであり、１はＦＥＴであり、１１゜１２．１３はそれ
ぞれＦＥＴ１のゲート端子、ソース端子、ドレイン端子
である。４はストリップ線路でゲート端子１１に一端を
接続し、他端を終端抵抗６で終端しておく。５は誘電体
共振器で、ストリップ線路４に結合するように配置され
ている。１６は電源供給端子、１６は発振時の４分の１
の波長の長さをもつ終端開放線路である。１７はセルフ
バイアス抵抗、１８は低域通過フィルタである。
以上のように構成された従来のマイクロ波発振器におい
て、％波長終端開放線路１６はＦＥＴ１のドレイン端子
１３を高周波的に接地する。電源供給端子１５より直流
電源を供給すると、セルフバイアス抵抗１７を流れる電
流てよる電圧降下でゲート端子１１の電位がソース端子
１２の電位より低くなる。上記回路溝数によりゲート端
子１１に生ずる負性抵抗と、ストリップ線路４と誘電体
共振器５よす成る共振回路とにより発振が発生し、その
出力全ソース端子より得る。
て、％波長終端開放線路１６はＦＥＴ１のドレイン端子
１３を高周波的に接地する。電源供給端子１５より直流
電源を供給すると、セルフバイアス抵抗１７を流れる電
流てよる電圧降下でゲート端子１１の電位がソース端子
１２の電位より低くなる。上記回路溝数によりゲート端
子１１に生ずる負性抵抗と、ストリップ線路４と誘電体
共振器５よす成る共振回路とにより発振が発生し、その
出力全ソース端子より得る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記の構成では、ＦＥＴがチップである場
合や回路全体全モノリシック回路構成にしたりする場合
に、パッケージＦＥＴの場合には存在した浮遊容量等が
存在しなくなるため、ＦＥＴの特性が変化し、ゲート端
子に生ずる発振周波数での負性抵抗が減少し、発振の安
定性が低下するという問題点を有していた。
合や回路全体全モノリシック回路構成にしたりする場合
に、パッケージＦＥＴの場合には存在した浮遊容量等が
存在しなくなるため、ＦＥＴの特性が変化し、ゲート端
子に生ずる発振周波数での負性抵抗が減少し、発振の安
定性が低下するという問題点を有していた。
本発明はかかる点に鑑み、ノ＜ノケージＦＥＴ以外のＦ
ＥＴ−１用いた場合でもより安定に発振するマイクロ波
発振器を提供することを目的とする０問題点−ｚｊｔ４
決するだめの手段 本発明は、ＦＥＴのドレイン端子全インダクタを介して
接地し、ＦＥＴのソース端子をキヤ・；シタを介して接
地したマイクロ波発振器である。
ＥＴ−１用いた場合でもより安定に発振するマイクロ波
発振器を提供することを目的とする０問題点−ｚｊｔ４
決するだめの手段 本発明は、ＦＥＴのドレイン端子全インダクタを介して
接地し、ＦＥＴのソース端子をキヤ・；シタを介して接
地したマイクロ波発振器である。
作用
本発明は、前記の構成によりＦＥＴのゲート端子に生ず
る負性抵抗を大きくすることにより発振の安定性を高め
る。
る負性抵抗を大きくすることにより発振の安定性を高め
る。
実施例
以下、図面に基づき本発明について更に詳しく説明する
。
。
第１図は本発明によるマイクロ波発振器の第１の実施例
を示すものであり、第３図および第５図と同一物につい
ては同一番号を付して説明する。
を示すものであり、第３図および第５図と同一物につい
ては同一番号を付して説明する。
１はチップＦＥＴである。２はインダクタであり、４は
一端をＦＥＴのゲート端子１１に接続し他端を終端抵抗
６で終端した５ｏΩストリツプ線路であり、５はストリ
ップ線路４に結合するように配置した誘電体共振器であ
る。７はバイパスコンデンサ、８はセルフバイアス抵抗
、９は一方を接地した発振周波数でのＡ波長線路であり
、１０は出力端子、１５は電源供給端子である。１４は
一端を接地したコンデンサ、１２．１３はそれぞれＦＥ
Ｔのソース端子およびドレイン端子である。
一端をＦＥＴのゲート端子１１に接続し他端を終端抵抗
６で終端した５ｏΩストリツプ線路であり、５はストリ
ップ線路４に結合するように配置した誘電体共振器であ
る。７はバイパスコンデンサ、８はセルフバイアス抵抗
、９は一方を接地した発振周波数でのＡ波長線路であり
、１０は出力端子、１５は電源供給端子である。１４は
一端を接地したコンデンサ、１２．１３はそれぞれＦＥ
Ｔのソース端子およびドレイン端子である。
以上のように構成された第１図の実施例のマイクロ波発
振器について、以下その動作を説明する。
振器について、以下その動作を説明する。
％波長線路９は終端が接地されているため、セルフバイ
アス抵抗８とＡ波長線路９の接続点は高周波的に開放と
なり％波長線路９は一種の低域通過フィルタとして作用
し、バイアス電流のみを通し、発振出力は端子１ｏへ供
給される。高いＱ値を持つ誘電体共振器５とストリップ
線路４からなる共振回路によりマイクロ波発振器は誘電
体共振器５の共振周波数での発振を引き起こす。インダ
クタ２′／′ｉチツプＦＥＴ１のドレイン接地条件下で
のゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性抵抗全増
大させる作用を有する。また、コンデンサ１４はチップ
ＦＥＴ１のゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性
抵抗をさらに増大させる作用を有する０第２図は、ある
チップＦＥＴに関してゲート端子１１に生ずる発振周波
数での負性抵抗が大きくなるようにインダクタ２の素子
値ｉ１．５ｎＨに定めた場合のコンデンサ１４の素子値
とゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性抵抗を示
す発振周波数でのゲート端子１１の反射率との関係全計
算により示したものである。第２図よりこの場合、コン
デンサ１４を開放にしてソース端子１２より直接出力全
敗り出すよりも、コンデンサ１４の素子値を０．３ｐＦ
としだ方がより高いゲート端子１１の負性抵抗を得るこ
とが可能となり、ストリップ線路４と誘電体共振器６よ
りなる共振回路との間の発振条件の振幅条件がゆるくな
り、発振が安定する。
アス抵抗８とＡ波長線路９の接続点は高周波的に開放と
なり％波長線路９は一種の低域通過フィルタとして作用
し、バイアス電流のみを通し、発振出力は端子１ｏへ供
給される。高いＱ値を持つ誘電体共振器５とストリップ
線路４からなる共振回路によりマイクロ波発振器は誘電
体共振器５の共振周波数での発振を引き起こす。インダ
クタ２′／′ｉチツプＦＥＴ１のドレイン接地条件下で
のゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性抵抗全増
大させる作用を有する。また、コンデンサ１４はチップ
ＦＥＴ１のゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性
抵抗をさらに増大させる作用を有する０第２図は、ある
チップＦＥＴに関してゲート端子１１に生ずる発振周波
数での負性抵抗が大きくなるようにインダクタ２の素子
値ｉ１．５ｎＨに定めた場合のコンデンサ１４の素子値
とゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性抵抗を示
す発振周波数でのゲート端子１１の反射率との関係全計
算により示したものである。第２図よりこの場合、コン
デンサ１４を開放にしてソース端子１２より直接出力全
敗り出すよりも、コンデンサ１４の素子値を０．３ｐＦ
としだ方がより高いゲート端子１１の負性抵抗を得るこ
とが可能となり、ストリップ線路４と誘電体共振器６よ
りなる共振回路との間の発振条件の振幅条件がゆるくな
り、発振が安定する。
以上のようにこの実施例によれば、マイクロ波発振器に
おいて、ＦＥＴＩのドレイン端子１３全適当な素子値の
インダクタ２全介して接地し、ＦＥＴ１のソース端子１
２に一端全接地した適当な素子値のコンデンサ４を接続
することてより、安定な発振器を得ることができる。
おいて、ＦＥＴＩのドレイン端子１３全適当な素子値の
インダクタ２全介して接地し、ＦＥＴ１のソース端子１
２に一端全接地した適当な素子値のコンデンサ４を接続
することてより、安定な発振器を得ることができる。
第３図は、本発明の第２の実施例で、マイクロ波発振器
の回路構成図である。第１図に示した第１の実施例の出
力端子にコンデンサ１９の一端が接続されコンデンサ１
９の他端より出力を取り出す以外は第１図と同様な構成
である。
の回路構成図である。第１図に示した第１の実施例の出
力端子にコンデンサ１９の一端が接続されコンデンサ１
９の他端より出力を取り出す以外は第１図と同様な構成
である。
以上のように構成された第３図の実施例のマイクロ波発
振器について、以下その動作を説明する。
振器について、以下その動作を説明する。
第３図において、コンデンサ１９以外の動作は第１図と
全く同一である。コンデンサ１９はＦＥＴ１のゲート端
子１１の発振周波数での負性抵抗を第１図の回路の場合
より増大させる働きをもつ０第４図は、あるチップＦＥ
Ｔについてゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性
抵抗が大きくなるようにインダクタ２の素子値ｆ １．
６ｎＨ、コンデンサ１４の素子値ｆｆ：０．２ｐＨに定
めた場合のコンデンサ１９の素子値とゲート端子１１に
生ずる発振周波数での負性抵抗を示すゲート端子１１の
反射率との関係を計算により示したものである０第４図
より、この場合コンデンサ１９のない第１の実施例より
も、コンデンサ１９の素子償金０．３ｐＦとした方がよ
り高いゲート端子１１の負性抵抗を得ることが可能とな
り、ストリップ線路４と誘電体共振器６よりなる共振回
路との間の発振条件の振幅条件がゆるくなり、一層安定
したマイクロ波発振器を構成できる。しかも、コンデン
サ１９により出力端子１０とソース端子１３とが直流的
に遮断されるため、あらためて直流遮断用のコンデンサ
を出力に挿入する必要がなく、年金的に素子数を少なく
して回路を構成できる。
全く同一である。コンデンサ１９はＦＥＴ１のゲート端
子１１の発振周波数での負性抵抗を第１図の回路の場合
より増大させる働きをもつ０第４図は、あるチップＦＥ
Ｔについてゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性
抵抗が大きくなるようにインダクタ２の素子値ｆ １．
６ｎＨ、コンデンサ１４の素子値ｆｆ：０．２ｐＨに定
めた場合のコンデンサ１９の素子値とゲート端子１１に
生ずる発振周波数での負性抵抗を示すゲート端子１１の
反射率との関係を計算により示したものである０第４図
より、この場合コンデンサ１９のない第１の実施例より
も、コンデンサ１９の素子償金０．３ｐＦとした方がよ
り高いゲート端子１１の負性抵抗を得ることが可能とな
り、ストリップ線路４と誘電体共振器６よりなる共振回
路との間の発振条件の振幅条件がゆるくなり、一層安定
したマイクロ波発振器を構成できる。しかも、コンデン
サ１９により出力端子１０とソース端子１３とが直流的
に遮断されるため、あらためて直流遮断用のコンデンサ
を出力に挿入する必要がなく、年金的に素子数を少なく
して回路を構成できる。
以上のように、第３図の実施例によれば、第１図のマイ
クロ波発振器の出力に適切な素子値のコンデンサ１９の
一端を接続し他端より出力を取ゆ出すことにより、さら
に安定でかつ素子数の年金的に少ないマイクロ波発振器
を構成できる。
クロ波発振器の出力に適切な素子値のコンデンサ１９の
一端を接続し他端より出力を取ゆ出すことにより、さら
に安定でかつ素子数の年金的に少ないマイクロ波発振器
を構成できる。
なお、第１図、第３図の実施例ではチップＦＥＴを用い
たが、パッケージＦＥＴでも良いし、回路全体もしくは
一部分２ＭＭＩＣ化してもよい。第１図、第３図におい
て誘電体共振器６を用いたが、それ以外の共振器または
共振回路を用いてもよい、第１図、第３図は集中定数で
表現しであるが、これらの一部分あるいは全体を等価な
分布定数回路で実現してもよい。まだ、第２図、第４図
の説明で用いたインダクタ２、コンデンサ１４およびコ
ンデンサ１９の回路定数は、使用するＦＥＴの特性によ
り異なった値が最適となる場合があることはいうまでも
ない〇 発明の詳細 な説明したように、本発明によれば安定なマイクロ波発
振器を得ることができ、その実用的効果は大きい。
たが、パッケージＦＥＴでも良いし、回路全体もしくは
一部分２ＭＭＩＣ化してもよい。第１図、第３図におい
て誘電体共振器６を用いたが、それ以外の共振器または
共振回路を用いてもよい、第１図、第３図は集中定数で
表現しであるが、これらの一部分あるいは全体を等価な
分布定数回路で実現してもよい。まだ、第２図、第４図
の説明で用いたインダクタ２、コンデンサ１４およびコ
ンデンサ１９の回路定数は、使用するＦＥＴの特性によ
り異なった値が最適となる場合があることはいうまでも
ない〇 発明の詳細 な説明したように、本発明によれば安定なマイクロ波発
振器を得ることができ、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例におけるマイクロ波発掘器の
回路図、第２図は同実施例の効果を示す特性図、第３図
は本発明の他の実施例におけるマイクロ波発振器の回路
図、第４図は同実施例の効果を示す特性図、第６図は従
来のマイクロ波発振器の回路図である。 １ ・・・・・ＦＢＴ、２・・・・・・インダクタ、６
・・・・・・誘電体共振器、９・・・・・Ａ波長線路、
１４・・・・コンデン？、１９・・・・・・コンデンサ
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−Ｆ
ＥＴ 第１図 第２図 コンデンサ０２の素子イエ 第３図 図 も
回路図、第２図は同実施例の効果を示す特性図、第３図
は本発明の他の実施例におけるマイクロ波発振器の回路
図、第４図は同実施例の効果を示す特性図、第６図は従
来のマイクロ波発振器の回路図である。 １ ・・・・・ＦＢＴ、２・・・・・・インダクタ、６
・・・・・・誘電体共振器、９・・・・・Ａ波長線路、
１４・・・・コンデン？、１９・・・・・・コンデンサ
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−Ｆ
ＥＴ 第１図 第２図 コンデンサ０２の素子イエ 第３図 図 も
Claims (2)
- （１）ＦＥＴのゲート端子に共振回路を接続し、前記Ｆ
ＥＴのドレイン端子に終端を高周波的に接地したインダ
クタを接続し、前記ＦＥＴのソース端子と接地間にキャ
パシタを接続し、前記ＦＥＴのソース端子より出力を取
り出すことを特徴とするマイクロ波発振器。 - （２）出力端子に別のキャパシタの一端を接続し、この
キャパシタの他端より出力を取り出すことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波発振器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275301A JPS62135002A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | マイクロ波発振器 |
| DE8686106840T DE3681821D1 (de) | 1985-05-21 | 1986-05-20 | Hyperfrequenzoszillator. |
| US06/864,862 US4707669A (en) | 1985-05-21 | 1986-05-20 | Dielectric resonator microwave oscillator having enhanced negative resistance |
| EP86106840A EP0202652B2 (en) | 1985-05-21 | 1986-05-20 | Microwave oscillator |
| KR1019860003890A KR900009190B1 (ko) | 1985-05-21 | 1986-05-20 | 마이크로파 발진기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275301A JPS62135002A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62135002A true JPS62135002A (ja) | 1987-06-18 |
Family
ID=17553524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60275301A Pending JPS62135002A (ja) | 1985-05-21 | 1985-12-06 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62135002A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906946A (en) * | 1987-09-25 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave oscillator having series and parallel feedback |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5345156A (en) * | 1976-10-05 | 1978-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave oscillator |
| JPS58124304A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | マイクロ波発振器 |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60275301A patent/JPS62135002A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5345156A (en) * | 1976-10-05 | 1978-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave oscillator |
| JPS58124304A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | マイクロ波発振器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906946A (en) * | 1987-09-25 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave oscillator having series and parallel feedback |
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