JPS6256004A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
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- JPS6256004A JPS6256004A JP61086476A JP8647686A JPS6256004A JP S6256004 A JPS6256004 A JP S6256004A JP 61086476 A JP61086476 A JP 61086476A JP 8647686 A JP8647686 A JP 8647686A JP S6256004 A JPS6256004 A JP S6256004A
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- capacitor
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＦＥＴを使用したマイクロ波発振器に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
従来のマイクロ波発振器とし７ては、例えば特開昭５７
−２６９０２号公報に示されているものがある。
−２６９０２号公報に示されているものがある。
第１０図はこの従来のマイクロ波発振器の回路図を示す
ものであり、１はＦＥＴであり、１１゜１２．１３はそ
れぞれＦＥＴ１のゲート端子、ドレイン端子、ソース端
子゛である。４はストリップ線路でゲート端子１１に一
端を接続し、他端を終端抵抗らで終端しておく。５は誘
７程体共振器で、ストリップ線路４に結合するよう配置
されていイ）。
ものであり、１はＦＥＴであり、１１゜１２．１３はそ
れぞれＦＥＴ１のゲート端子、ドレイン端子、ソース端
子゛である。４はストリップ線路でゲート端子１１に一
端を接続し、他端を終端抵抗らで終端しておく。５は誘
７程体共振器で、ストリップ線路４に結合するよう配置
されていイ）。
２０は電源供給端子、２１は発振時の４分の１の波長の
長さをもつ終端開放線路である５、２２はセルフバイア
ス抵抗、２３は低域通過フィルタである５、 以上のように構成された従来のマイクロ波発振器におい
て、終端開放線路２１はＦＥＴＩのドレイン端子１２を
高周波的に接地する。電源供給端子２０より直流電源を
供給すると、セルフバイアス抵抗２２を流れる電流によ
る電圧降下でゲート端子１１の電位がソース端子１３の
電位より低くなる１、上記回路構成によりゲート端子１
１に生ずる負性抵抗と、ス） ＩＪツブ線路４と誘電体
共振器５より成る共振回路とによゆ発振が発生し、その
出力をソース端子より得ていた。、 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の構成では、ＦＥＴ１がチップである
場合や回路全体をモノリシック回路構成にしたりする場
合に、パッケージＦＥＴの場合には存在した浮遊容量等
が存在しなくなるため、ＦＥＴ１の特性が変化し、ゲー
ト端子に生ずる発振周波数での負性抵抗が減少し、発振
の安定性が低下す’Ｊ 、１！し）う問題点を有してい
た３゜本発明はかかる点に鑑み、パッケージＦＥＴ以夕
（のＦＥＴを用い／こ場合でも安定に発振するマイクロ
波発振器を提供することを目的とする。
長さをもつ終端開放線路である５、２２はセルフバイア
ス抵抗、２３は低域通過フィルタである５、 以上のように構成された従来のマイクロ波発振器におい
て、終端開放線路２１はＦＥＴＩのドレイン端子１２を
高周波的に接地する。電源供給端子２０より直流電源を
供給すると、セルフバイアス抵抗２２を流れる電流によ
る電圧降下でゲート端子１１の電位がソース端子１３の
電位より低くなる１、上記回路構成によりゲート端子１
１に生ずる負性抵抗と、ス） ＩＪツブ線路４と誘電体
共振器５より成る共振回路とによゆ発振が発生し、その
出力をソース端子より得ていた。、 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の構成では、ＦＥＴ１がチップである
場合や回路全体をモノリシック回路構成にしたりする場
合に、パッケージＦＥＴの場合には存在した浮遊容量等
が存在しなくなるため、ＦＥＴ１の特性が変化し、ゲー
ト端子に生ずる発振周波数での負性抵抗が減少し、発振
の安定性が低下す’Ｊ 、１！し）う問題点を有してい
た３゜本発明はかかる点に鑑み、パッケージＦＥＴ以夕
（のＦＥＴを用い／こ場合でも安定に発振するマイクロ
波発振器を提供することを目的とする。
問題点ｆ：：解決するだめの手段
本発明は、ＦＥＴのドレイン端子をインダクタを介して
接地するマイクロ波発振器である。
接地するマイクロ波発振器である。
作用
本発明は、前記の構成によりＦＩＴのゲート端子に生ず
る負性抵抗を大きくすることにより発振の安定ｉ生を高
める。
る負性抵抗を大きくすることにより発振の安定ｉ生を高
める。
実施例
以下、図面に基づき本発明について更に詳しく説明する
。
。
第１図は本発明によるマイクロ波発振器の一実施例を示
すものであり、第５図と同一物については同一番号を付
して説明する。１はチップＦＩＴである。２はインダク
タであり、４は一端をＦＥでのゲート端子１１に接続し
他端を終端抵抗６で終端した５ｏΩストリツプ線路であ
り、６はストリップ線路４に結合するように配置した誘
電体共振器である。７はバイアスコンデンサ、８はセル
フバイアス抵抗、９は一方を接地した発振周波数で・７
Ｄ１□波長線路であり、１Ｑは出力端子であり、２゜は
電源供給端子である。
すものであり、第５図と同一物については同一番号を付
して説明する。１はチップＦＩＴである。２はインダク
タであり、４は一端をＦＥでのゲート端子１１に接続し
他端を終端抵抗６で終端した５ｏΩストリツプ線路であ
り、６はストリップ線路４に結合するように配置した誘
電体共振器である。７はバイアスコンデンサ、８はセル
フバイアス抵抗、９は一方を接地した発振周波数で・７
Ｄ１□波長線路であり、１Ｑは出力端子であり、２゜は
電源供給端子である。
以上のように構成された第１図の実施例のマイクロ波発
振器について、以下その動作を説明する。
振器について、以下その動作を説明する。
１、波長線路９は、接地していない一端は高周波的に開
放となり一種の低域通過フィルタとして作用し、バイア
ス電流のみを通１−１出力は出力端子１゜へのみ流れる
。高いＱ値を持つ誘電体共振器５とストリップ線路４か
らなる共振回路によりマイクロ波発振器は誘電体共振器
５の共振周波数での発振を引き起こす。インダクタ２ば
、チップＦＥＴ１のドレイン接地条件下でのゲート端子
１１に生ずる発振周波数での負性抵抗を増大させる作用
を有する。第２図は、ＦＥＴ１のゲ・−ト端子１１から
ＦＥＴ１側を見た反射率とインダクタ２の関係を、ある
チップＦＥＴについて計算したものである。第２図の場
合、ドレイン端子１２を高周波的に接地するよりも、１
．９ｎＨのインダクタ２を介して接地した力がより高い
ゲート端子１１の真性抵抗を得ることが可能となり、ス
トリップ線路４と誘電体共振器６よりなる共振回路との
間の発振条件の振幅条件がゆるくなり、発振が安定する
。
放となり一種の低域通過フィルタとして作用し、バイア
ス電流のみを通１−１出力は出力端子１゜へのみ流れる
。高いＱ値を持つ誘電体共振器５とストリップ線路４か
らなる共振回路によりマイクロ波発振器は誘電体共振器
５の共振周波数での発振を引き起こす。インダクタ２ば
、チップＦＥＴ１のドレイン接地条件下でのゲート端子
１１に生ずる発振周波数での負性抵抗を増大させる作用
を有する。第２図は、ＦＥＴ１のゲ・−ト端子１１から
ＦＥＴ１側を見た反射率とインダクタ２の関係を、ある
チップＦＥＴについて計算したものである。第２図の場
合、ドレイン端子１２を高周波的に接地するよりも、１
．９ｎＨのインダクタ２を介して接地した力がより高い
ゲート端子１１の真性抵抗を得ることが可能となり、ス
トリップ線路４と誘電体共振器６よりなる共振回路との
間の発振条件の振幅条件がゆるくなり、発振が安定する
。
以上のようにこの実施例によれば、マイクロ波発振器に
おいて、ＦＥＴ１のドレイン端子１２をインダクタ２を
介して接地することにより、安定な発振器を得ることが
できる。
おいて、ＦＥＴ１のドレイン端子１２をインダクタ２を
介して接地することにより、安定な発振器を得ることが
できる。
第３図は、本発明の別の実施例で、マイクロ波発振器の
一実施例を示すものである。ソース端子１３と出力端子
１０の間にコンデンサ３が直列に挿入されている以外は
、第１図と同様な構成である。
一実施例を示すものである。ソース端子１３と出力端子
１０の間にコンデンサ３が直列に挿入されている以外は
、第１図と同様な構成である。
前記のように構成された第３図の実施例のマイクロ波発
振器について、以下その動作を説明する。
振器について、以下その動作を説明する。
第３図において、コンデンサ３以外の動作は第１図と全
く同一である。コンデンサ３は発振周波数においてＦＥ
Ｔ１のゲート端子１１からＦＥＴ１側を見た反射率を第
１図の場合より増大させる働きをもつ３、第４図は、あ
るチップＦＩＴについて、コンデンサ３の素子値と発振
周波数（１０，７６Ｇｌ七）でのゲート端子１１からＦ
ＥＴＩ側を見た反射率との関係を示したものであり、こ
の場合コンデンサ３が０．６ＰＦの場合がゲート端子１
１からＦＥＴ１側を見た反射率が最大となり、コンデン
サ３のない第１図の場合に比べ高くなり、一層安定した
マイクロ波発振器を構成できる。しかも、コンデンサ３
により出力端子１０とソース端子１３とが直流的に遮断
されるため、あらためて直流遮断用のコンデンサを出力
に挿入する必要がなく、総合的に素子数を少なくして回
路を構成できる。
く同一である。コンデンサ３は発振周波数においてＦＥ
Ｔ１のゲート端子１１からＦＥＴ１側を見た反射率を第
１図の場合より増大させる働きをもつ３、第４図は、あ
るチップＦＩＴについて、コンデンサ３の素子値と発振
周波数（１０，７６Ｇｌ七）でのゲート端子１１からＦ
ＥＴＩ側を見た反射率との関係を示したものであり、こ
の場合コンデンサ３が０．６ＰＦの場合がゲート端子１
１からＦＥＴ１側を見た反射率が最大となり、コンデン
サ３のない第１図の場合に比べ高くなり、一層安定した
マイクロ波発振器を構成できる。しかも、コンデンサ３
により出力端子１０とソース端子１３とが直流的に遮断
されるため、あらためて直流遮断用のコンデンサを出力
に挿入する必要がなく、総合的に素子数を少なくして回
路を構成できる。
以上のように、第３図の実施例によれば、第１図のマイ
クロ波発振器にチップＦｌ！：ＴＩの近傍でかつソース
端子１３と出力端子１０との間にコンデンサ３を挿入す
ることてより、さらに安定でかつ素子数の少ないマイク
ロ波発振器を構成できる。
クロ波発振器にチップＦｌ！：ＴＩの近傍でかつソース
端子１３と出力端子１０との間にコンデンサ３を挿入す
ることてより、さらに安定でかつ素子数の少ないマイク
ロ波発振器を構成できる。
第５図は、本発明の第３の実施例で、マイクロ波発振器
の一実施例を示すものである。第５図において、出力端
子１ｏと接地間にコンデンサ１４が挿入されている以外
は、第３図と同様な構成である。
の一実施例を示すものである。第５図において、出力端
子１ｏと接地間にコンデンサ１４が挿入されている以外
は、第３図と同様な構成である。
前記のように構成されグこ第５図の実施例のマイクロ波
発振器について、以下その動作を説明する３、第５図に
おいて、コンデンサ１４以外の動作は第３図の実施例と
全く同一である。コンデンサ１４は発振周波数において
ＦＥＴ １のゲート端子１１からＦＥＴ１側を見た反射
率を第１図および第３図の実施例より増大させる働きを
もつ。第６図は、あるチップＦＥＴ１について、インタ
゛クタ２の素子値が１． ｓ ｎＨ、コンデンサ３がＯ
５γＰＦの場合のコンデンサ１４の素子値と発振周波数
（１０，７５ＧＨ７，）でのゲート端子１１からＦＥＴ
１側を見た反射率との関係を示したものである。３この
場合、コンデンサ１４がｏ、４ｐｙの場合に負性抵抗が
最大となり、その場合のゲ・−ト端子１１からＦＥＴＩ
側を見た反射率は、コンデンサ１４のない第３図の実施
例の場合の最大のゲート反射率より大きくなる。しかも
、第５図の実施例では、コンデンサ３．１４により、マ
イクロ波発振器の負荷インビ端子１３より負荷側を見た
インピーダンスをスミス図表上に示したもので、ソース
端子１３より負荷側を見たインピーダンスは、コンデン
サ３．コンデンサ１４の値を適切にとることにより第７
図で斜線で示された範囲２７のあらゆる点を実現できる
。このため、第５図の実施例の回路構成により、ソース
端子１３より負荷側を見たインピーダンスを広い範囲に
わたってとることが可能で、コンデンサ３．コンデンサ
１４の素子値を適切に選ぶことにより、ゲート端子１１
よりＦＥＴＩ側を見た反射率を大きく保ち、かつ、負荷
のインピーダンス変動に強いマイクロ波発振器を得るこ
とが可能である。
発振器について、以下その動作を説明する３、第５図に
おいて、コンデンサ１４以外の動作は第３図の実施例と
全く同一である。コンデンサ１４は発振周波数において
ＦＥＴ １のゲート端子１１からＦＥＴ１側を見た反射
率を第１図および第３図の実施例より増大させる働きを
もつ。第６図は、あるチップＦＥＴ１について、インタ
゛クタ２の素子値が１． ｓ ｎＨ、コンデンサ３がＯ
５γＰＦの場合のコンデンサ１４の素子値と発振周波数
（１０，７５ＧＨ７，）でのゲート端子１１からＦＥＴ
１側を見た反射率との関係を示したものである。３この
場合、コンデンサ１４がｏ、４ｐｙの場合に負性抵抗が
最大となり、その場合のゲ・−ト端子１１からＦＥＴＩ
側を見た反射率は、コンデンサ１４のない第３図の実施
例の場合の最大のゲート反射率より大きくなる。しかも
、第５図の実施例では、コンデンサ３．１４により、マ
イクロ波発振器の負荷インビ端子１３より負荷側を見た
インピーダンスをスミス図表上に示したもので、ソース
端子１３より負荷側を見たインピーダンスは、コンデン
サ３．コンデンサ１４の値を適切にとることにより第７
図で斜線で示された範囲２７のあらゆる点を実現できる
。このため、第５図の実施例の回路構成により、ソース
端子１３より負荷側を見たインピーダンスを広い範囲に
わたってとることが可能で、コンデンサ３．コンデンサ
１４の素子値を適切に選ぶことにより、ゲート端子１１
よりＦＥＴＩ側を見た反射率を大きく保ち、かつ、負荷
のインピーダンス変動に強いマイクロ波発振器を得るこ
とが可能である。
以上のように、第５図の実施例において、インダクタ２
．コンデンサ３およびコンデンサ１４のそれぞれの素子
値を適切に設定することにより、第１図の実施例および
第３図の実施例より一層安定なマイクロ波発振器を得る
。
．コンデンサ３およびコンデンサ１４のそれぞれの素子
値を適切に設定することにより、第１図の実施例および
第３図の実施例より一層安定なマイクロ波発振器を得る
。
第８図は、本発明の第４の実施例で、マイクロ波発振器
の一実施例を示すものである。１はチップＦＥＴである
３、４は一端をＦＥＴのゲート端ｆ１１に接続し７他端
を終端抵抗６で終端ｌ〜た５ＱΩストリツプ線路であり
、６はストリップ線路４に結合するように配置した誘電
体共振器である６、、７はバイアスコンデン丈、８はセ
ルフバイアス抵抗、９は一方を接地した発振周波数での
にイ波長線路であり、２ｏは電源供給端子である。２４
は特性インピーダンスＺＱ１＋長さｅｌの容量性終端開
放ストリップ線路であり、２６は特性インピーダンスＺ
Ｏ２＋長さｅ２のストリップ線路、２６は特性インピー
ダンスス０３＋長さｅ５のストリップ線路である。
の一実施例を示すものである。１はチップＦＥＴである
３、４は一端をＦＥＴのゲート端ｆ１１に接続し７他端
を終端抵抗６で終端ｌ〜た５ＱΩストリツプ線路であり
、６はストリップ線路４に結合するように配置した誘電
体共振器である６、、７はバイアスコンデン丈、８はセ
ルフバイアス抵抗、９は一方を接地した発振周波数での
にイ波長線路であり、２ｏは電源供給端子である。２４
は特性インピーダンスＺＱ１＋長さｅｌの容量性終端開
放ストリップ線路であり、２６は特性インピーダンスＺ
Ｏ２＋長さｅ２のストリップ線路、２６は特性インピー
ダンスス０３＋長さｅ５のストリップ線路である。
以上のように構成された第８図の実施例のマイクロ波発
振器について、以下その動作を説明する。
振器について、以下その動作を説明する。
↓イ波長線路９は、接地していない一端を高周波的に開
放とする一種の低域通過フィルタとして作用し、バイア
ス電流のみを通す。高いＱ値を持つ誘電体共振器５とス
トリップ線路４からなる共振回路によりマイクロ波発振
器は誘電体共振器５の共振周波数での発振を引き起こす
。ストリップ線路２６はインダクタとして機能しその特
性インピーダンスＺ０５および長さｅｓを適切に設定す
ることにより、ゲート端子１１に生ずる発振周波数での
負性抵抗を増大させる作用を有する。捷だ、コンデンサ
３はゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性抵抗を
さらに増大させる作用を有する。また、容量性終端開放
ストリップ線路２４はその長ヤパシタとして作用する。
放とする一種の低域通過フィルタとして作用し、バイア
ス電流のみを通す。高いＱ値を持つ誘電体共振器５とス
トリップ線路４からなる共振回路によりマイクロ波発振
器は誘電体共振器５の共振周波数での発振を引き起こす
。ストリップ線路２６はインダクタとして機能しその特
性インピーダンスＺ０５および長さｅｓを適切に設定す
ることにより、ゲート端子１１に生ずる発振周波数での
負性抵抗を増大させる作用を有する。捷だ、コンデンサ
３はゲート端子１１に生ずる発振周波数での負性抵抗を
さらに増大させる作用を有する。また、容量性終端開放
ストリップ線路２４はその長ヤパシタとして作用する。
ストリップ線路２４および２５のそれぞれの特性インピ
ーダンスＺＯ＋＋ＺＯ２と長さくｈ 、 （ｈを適切に
設定することによりＦＥＴ１のソース端子１３から負荷
側を見たインピーダンスを第５図の実施例よりも広い範
囲に設定できる。
ーダンスＺＯ＋＋ＺＯ２と長さくｈ 、 （ｈを適切に
設定することによりＦＥＴ１のソース端子１３から負荷
側を見たインピーダンスを第５図の実施例よりも広い範
囲に設定できる。
第９図は、第８図のマイクロ波発振器についてＦ”ＥＴ
ｌのソース端子１３から負荷側を見たインピーダンスを
示しだものである。ソース端子１３より負荷側を見たイ
ンピーダンスはコンデンサ３の容量値、容量性終端開放
ストリップ線路２４の特性インピーダンスＺｏ＋ 、
長さｅｌ、およヒ、ストリップ線路２５の特性インピー
ダンスス０２＋長さｅｌを変化させることにより第９図
で斜線で示された範囲２８のあらゆる点を実現できる。
ｌのソース端子１３から負荷側を見たインピーダンスを
示しだものである。ソース端子１３より負荷側を見たイ
ンピーダンスはコンデンサ３の容量値、容量性終端開放
ストリップ線路２４の特性インピーダンスＺｏ＋ 、
長さｅｌ、およヒ、ストリップ線路２５の特性インピー
ダンスス０２＋長さｅｌを変化させることにより第９図
で斜線で示された範囲２８のあらゆる点を実現できる。
この実現可能な範囲２８は、第７図より明らかなように
第６図の実施例のソース端子１３より負荷側を見たイン
ピーダンスの実現可能な範囲２７より広くなっている。
第６図の実施例のソース端子１３より負荷側を見たイン
ピーダンスの実現可能な範囲２７より広くなっている。
このため、第８図の実施例においては、第６図の実施例
よりも負荷インピーダンスを広い範囲にわたってとるこ
とが可能である。しかも、回路の素子定数を適切に決定
すれば、ゲート端子１１からＦＥＴＩ側を見た反射率を
大きく保ち、かつ負荷のインピーダンス変動に強いマイ
クロ波発振器を得ることが可能である。
よりも負荷インピーダンスを広い範囲にわたってとるこ
とが可能である。しかも、回路の素子定数を適切に決定
すれば、ゲート端子１１からＦＥＴＩ側を見た反射率を
大きく保ち、かつ負荷のインピーダンス変動に強いマイ
クロ波発振器を得ることが可能である。
以上のように、第８図の実施例において、インダクタ２
、コンデンサ３の素子値および終端開放ストリップ線路
２４の特性インピーダンスＺＯｊ＋長さｆｆ＋＋ ス
トリップ線路２６の特性インピーダンスス０２＋長さｅ
ｌを適切に設定することにより、第１図、第３図、第５
図の実施例より一層安定なマイクロ波発振器を得る。
、コンデンサ３の素子値および終端開放ストリップ線路
２４の特性インピーダンスＺＯｊ＋長さｆｆ＋＋ ス
トリップ線路２６の特性インピーダンスス０２＋長さｅ
ｌを適切に設定することにより、第１図、第３図、第５
図の実施例より一層安定なマイクロ波発振器を得る。
なお、第１図、第３図、第５図、第７図の実施例ではチ
ップＦＥＴを用いたが、パッケージＩＴでも良い。また
、回路全体もしくは一部分をＭＭＩＣ化してもよい。第
１図、第３図、第６図、第７図において誘電体共振器５
を用いたが、それ以外の共振器または共振回路を用いて
もよい。第１図。
ップＦＥＴを用いたが、パッケージＩＴでも良い。また
、回路全体もしくは一部分をＭＭＩＣ化してもよい。第
１図、第３図、第６図、第７図において誘電体共振器５
を用いたが、それ以外の共振器または共振回路を用いて
もよい。第１図。
第３図、第５図は集中定数で表現しであるインダクタ、
キャパシタについては、等価なスタブ線路等の分布定数
回路で実現してもよい。第７図において、ストリップ線
路２４とストリップ線路２６のどちらか一方もしくは両
方とも集中定数素子のインダクタで実現してもよい。同
じく、第７図において、容量性終端開放ストリップ線路
２４のかわりに容量性の終端短絡線路を用いてもよいし
、ＭＩＭキャバンタ等の集中定数素子のキャパシタを用
いてもよい。また、第２図、第４図、第６図。
キャパシタについては、等価なスタブ線路等の分布定数
回路で実現してもよい。第７図において、ストリップ線
路２４とストリップ線路２６のどちらか一方もしくは両
方とも集中定数素子のインダクタで実現してもよい。同
じく、第７図において、容量性終端開放ストリップ線路
２４のかわりに容量性の終端短絡線路を用いてもよいし
、ＭＩＭキャバンタ等の集中定数素子のキャパシタを用
いてもよい。また、第２図、第４図、第６図。
第７図の説明で用いたインダクタ２．コンデンサ３、コ
ンデンサ１４の最適の回路定数がＦＥＴの特性により異
なることは、いうまでもない。
ンデンサ１４の最適の回路定数がＦＥＴの特性により異
なることは、いうまでもない。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば安定に発振を開始す
るマイクロ波発振器を得ることができ、その実用的効果
は大きい。
るマイクロ波発振器を得ることができ、その実用的効果
は大きい。
第１図は本発明の一実施例におけるマイクロ波発振器の
回路図、第２図は同実施例の効果を示す特性図、第３図
は本発明の第２の実施例におけるマイクロ波発振器の回
路図、第４図は同実施例の効果を示す特性図、第５図は
本発明の第３の実施例におけるマイクロ波発振器の回路
図、第６図は同実施例の効果を示す特性図、第７図は同
実施例の効果を示す特性図、第８図は本発明第４の実施
例におけるマイクロ波発振器の回路図、第９図はデンサ
、５・・・・・・誘電体共振器、９・・・・・・月波長
線路、１４・・・・・・コンデンサ、２４・・・・・・
容量性終端開放ストリップ線路、２５・・・・・・スト
リップ線路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 インダクタの素子イ直 第３図 第４図 コンデンサ・の索善）直 第５図 第６図 コンデン７Ｃ３の衆移値 ： 第７図 ｇ℃ −ＪＷ 第８図
回路図、第２図は同実施例の効果を示す特性図、第３図
は本発明の第２の実施例におけるマイクロ波発振器の回
路図、第４図は同実施例の効果を示す特性図、第５図は
本発明の第３の実施例におけるマイクロ波発振器の回路
図、第６図は同実施例の効果を示す特性図、第７図は同
実施例の効果を示す特性図、第８図は本発明第４の実施
例におけるマイクロ波発振器の回路図、第９図はデンサ
、５・・・・・・誘電体共振器、９・・・・・・月波長
線路、１４・・・・・・コンデンサ、２４・・・・・・
容量性終端開放ストリップ線路、２５・・・・・・スト
リップ線路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 インダクタの素子イ直 第３図 第４図 コンデンサ・の索善）直 第５図 第６図 コンデン７Ｃ３の衆移値 ： 第７図 ｇ℃ −ＪＷ 第８図
Claims (4)
- （１）ＦＥＴのゲート端子に共振回路を接続し、前記Ｆ
ＥＴのドレイン端子に終端を高周波的に接地したインダ
クタを接続し、前記ＦＥＴのソース端子より出力を取り
出すことを特徴とするマイクロ波発振器。 - （２）ソース端子にキャパシタの一端を接続し、前記キ
ャパシタの他端より出力を取り出すことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のマイクロ波発振器。 - （３）出力端子に終端を高周波的に接地した第２のキャ
パシタを接続したことを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載のマイクロ波発振器。 - （４）ソース端子に、キャパシタとインダクタを直列に
接続した回路の一端を接続し、前記回路の他端に出力端
子を設け、前記出力端子に終端を接地した第２のキャパ
シタを接続したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のマイクロ波発振器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860003890A KR900009190B1 (ko) | 1985-05-21 | 1986-05-20 | 마이크로파 발진기 |
| US06/864,862 US4707669A (en) | 1985-05-21 | 1986-05-20 | Dielectric resonator microwave oscillator having enhanced negative resistance |
| EP86106840A EP0202652B2 (en) | 1985-05-21 | 1986-05-20 | Microwave oscillator |
| DE8686106840T DE3681821D1 (de) | 1985-05-21 | 1986-05-20 | Hyperfrequenzoszillator. |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10883085 | 1985-05-21 | ||
| JP60-108830 | 1985-05-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256004A true JPS6256004A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=14494625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61086476A Pending JPS6256004A (ja) | 1985-05-21 | 1986-04-15 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906946A (en) * | 1987-09-25 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave oscillator having series and parallel feedback |
| US6522773B1 (en) | 1998-03-03 | 2003-02-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Fingertip sensor with integrated key switch |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58124304A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | マイクロ波発振器 |
| JPS5911507B2 (ja) * | 1977-11-02 | 1984-03-15 | 三菱電機株式会社 | エレベ−タ−ドア安全装置 |
| JPS59224904A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 発振回路 |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP61086476A patent/JPS6256004A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911507B2 (ja) * | 1977-11-02 | 1984-03-15 | 三菱電機株式会社 | エレベ−タ−ドア安全装置 |
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