JPS6310804A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS6310804A JPS6310804A JP8768986A JP8768986A JPS6310804A JP S6310804 A JPS6310804 A JP S6310804A JP 8768986 A JP8768986 A JP 8768986A JP 8768986 A JP8768986 A JP 8768986A JP S6310804 A JPS6310804 A JP S6310804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- ground conductor
- recess
- drain
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波発振器において、第１．第２の端子が第１．
第２の伝送線路に接続され、第３の端子が接地導体に密
着・固定されたパッケージ型の３端子マイクロ波発振素
子の第３の端子の中央部分の真下の接地導体に、凹部を
設けて第３の端子と接地４体との間にインピーダンスを
挿入し、より最適に近い動作状態で発振させる様にした
ものである。
第２の伝送線路に接続され、第３の端子が接地導体に密
着・固定されたパッケージ型の３端子マイクロ波発振素
子の第３の端子の中央部分の真下の接地導体に、凹部を
設けて第３の端子と接地４体との間にインピーダンスを
挿入し、より最適に近い動作状態で発振させる様にした
ものである。
本発明はパッケージ型の３端子マイクロ波発振素子を用
いたマイクロ波発振器の改良に関するものである。
いたマイクロ波発振器の改良に関するものである。
近年、半導体技術の進歩によりマイクロ波又はそれ以上
の周波数帯で動作する電界効果トランジスタ又はバイポ
ーラトランジスタ等の３端子マイクロ波発振素子が開発
されているが、パッケージ型３端子マイクロ波発振素子
を用いてマイクロ波発振器を構成する際、最適に近い動
作状態で発振させることが必要である。
の周波数帯で動作する電界効果トランジスタ又はバイポ
ーラトランジスタ等の３端子マイクロ波発振素子が開発
されているが、パッケージ型３端子マイクロ波発振素子
を用いてマイクロ波発振器を構成する際、最適に近い動
作状態で発振させることが必要である。
第４図はマイクロ波発振器の一例のブロック図、第５図
は従来例の要部構成図、第６図は第５図のＡ−Ａ ’断
面図を示す。以下、第４図でマイクロ波発振器の動作の
概要について、第５図、第６図でマイクロ波発振器の要
部構成についてそれぞれ説明する。
は従来例の要部構成図、第６図は第５図のＡ−Ａ ’断
面図を示す。以下、第４図でマイクロ波発振器の動作の
概要について、第５図、第６図でマイクロ波発振器の要
部構成についてそれぞれ説明する。
第４図において、パッケージ型の３端子マイクロ波発振
素子である電界効果トランジスタ（以下パッケージ型Ｆ
ＥＴと省略する）１のソース（Ｓ）は一端が開放された
第１のマイクロストリップライン４の他端に、ゲート（
Ｇ）は第２のマイクロストリップライン５の一端にそれ
ぞれ接続され、ドレイン（Ｄ）は接地導体（図示せず）
に直接密着・固定される。そして、第２のマイクロスト
リップライン５は誘電体共振子２と磁界結合すると共に
、他端は抵抗器７で終端されたサーキュレータ３を介し
て出力端子と接続される。
素子である電界効果トランジスタ（以下パッケージ型Ｆ
ＥＴと省略する）１のソース（Ｓ）は一端が開放された
第１のマイクロストリップライン４の他端に、ゲート（
Ｇ）は第２のマイクロストリップライン５の一端にそれ
ぞれ接続され、ドレイン（Ｄ）は接地導体（図示せず）
に直接密着・固定される。そして、第２のマイクロスト
リップライン５は誘電体共振子２と磁界結合すると共に
、他端は抵抗器７で終端されたサーキュレータ３を介し
て出力端子と接続される。
ここで、第１のマイクロストリップライン４は、この発
振器が誘電体共振子２の共振周波数ｆＯで発振する様な
長さになっているので、周波数ｆｏの発振出力は第２の
マイクロストリップライン５．サーキュレータ３を介し
て出力される。尚、第１゜第２のマイクロストリップラ
インは誘電体基板（図示せず）の上に形成されている。
振器が誘電体共振子２の共振周波数ｆＯで発振する様な
長さになっているので、周波数ｆｏの発振出力は第２の
マイクロストリップライン５．サーキュレータ３を介し
て出力される。尚、第１゜第２のマイクロストリップラ
インは誘電体基板（図示せず）の上に形成されている。
第５図は第４図のパッケージ型ＦＥＴ １と誘電体共振
子２の部分のみの要部構成図であるが、第５図、第６図
に示す様にパッケージ型ＦＥＴ １のソース（Ｓ）、ゲ
ート（Ｇ） １．１はマイクロストリップライン４．５
にそれぞれ接続され、ドレイン（Ｄ）１は接地導体８に
設けられた長楕円型の凹部９の中に密着・固定される。
子２の部分のみの要部構成図であるが、第５図、第６図
に示す様にパッケージ型ＦＥＴ １のソース（Ｓ）、ゲ
ート（Ｇ） １．１はマイクロストリップライン４．５
にそれぞれ接続され、ドレイン（Ｄ）１は接地導体８に
設けられた長楕円型の凹部９の中に密着・固定される。
そして、誘電体共振子２は支持台（図示せず）を介して
接地導体８に固定されると共に、マイクロストリップラ
イン５と磁界結合している。
接地導体８に固定されると共に、マイクロストリップラ
イン５と磁界結合している。
この様に構成されたマイクロ波発振器は上記の様に誘電
体共振子２の共振周波数ｆｏで発振し、この発振出力が
マイクロストリップライン５を介して取出される。尚、
マイクロストリップライン４゜５は接地導体８に固定さ
れた誘電体基板１０．１１の上に形成されている。又、
長楕円型の凹部９はゲート（Ｇ）、ソース（Ｓ） と
マイクロストリップラインとがほぼ同一平面になる様に
する為のものである。
体共振子２の共振周波数ｆｏで発振し、この発振出力が
マイクロストリップライン５を介して取出される。尚、
マイクロストリップライン４゜５は接地導体８に固定さ
れた誘電体基板１０．１１の上に形成されている。又、
長楕円型の凹部９はゲート（Ｇ）、ソース（Ｓ） と
マイクロストリップラインとがほぼ同一平面になる様に
する為のものである。
ここで、ＦＥＴチップをパッケージに収容せずにそのま
まの状態で使用して発振器を構成する場合は、第７図の
チップ型ＦＥＴの調整個所説明図に示す様に ■ＦＥＴチップ１２のソース（Ｓ）に接続されるマイク
ロストリップライン１４と、ドレイン（Ｄ）に接続され
るスタブ１３のそれぞれの長さの調整■ ゲート（Ｇ）
に接続されたマイクロストリップライン１５に磁界結合
する誘電体共振器２の位置りの調整を行って最適に近い
動作状態で発振させる様にしている。
まの状態で使用して発振器を構成する場合は、第７図の
チップ型ＦＥＴの調整個所説明図に示す様に ■ＦＥＴチップ１２のソース（Ｓ）に接続されるマイク
ロストリップライン１４と、ドレイン（Ｄ）に接続され
るスタブ１３のそれぞれの長さの調整■ ゲート（Ｇ）
に接続されたマイクロストリップライン１５に磁界結合
する誘電体共振器２の位置りの調整を行って最適に近い
動作状態で発振させる様にしている。
一方、第５図に示すパッケージ型ＦＥＴの場合は上記で
説明した様に、マイクロストリップライン４の長さ及び
マイクロストリップライン５と誘電体共振子２との結合
位置は調整しているが、ドレイン（Ｄ）は接地導体８に
密着・固定されているので調整が不可能で′ある。
説明した様に、マイクロストリップライン４の長さ及び
マイクロストリップライン５と誘電体共振子２との結合
位置は調整しているが、ドレイン（Ｄ）は接地導体８に
密着・固定されているので調整が不可能で′ある。
そこで、ＦＥＴによっては最適に近い動作状態で発振で
きない場合があると云う問題点がある。
きない場合があると云う問題点がある。
型のマイクロ波発振素子１の第３の端子１の中央部分の
真下の接地導体８′又はｌに凹部１６又は１６′を設け
、マイクロ波発振器の発振周波数で該第３の端子１＃と
接地導体８′又はイ′との間にインピーダンスを挿入す
る様にした本発明のマイクロ波発振器により解決される
。
真下の接地導体８′又はｌに凹部１６又は１６′を設け
、マイクロ波発振器の発振周波数で該第３の端子１＃と
接地導体８′又はイ′との間にインピーダンスを挿入す
る様にした本発明のマイクロ波発振器により解決される
。
本発明は３端子のマイクロ波発振素子１の第３の端子１
の中央部分の真下の接地導体８又は８に凹部１６又は１
６′を設けることにより、第３の端子と接地導体８′又
は８′との間にインピーダンスが挿入される様にした。
の中央部分の真下の接地導体８又は８に凹部１６又は１
６′を設けることにより、第３の端子と接地導体８′又
は８′との間にインピーダンスが挿入される様にした。
そこで、このインピーダンスを適当な値にすることによ
り、マイクロ波発振器を最適に近い動作状態で発振させ
ることが可能となる。
り、マイクロ波発振器を最適に近い動作状態で発振させ
ることが可能となる。
第１図は本発明の実施例の要部構成図、第２図は第１図
のＡ−Ａ“断面図、第３図は本発明の別の実施例の要部
構成図のＡ −Ａ”断面図を示す。
のＡ−Ａ“断面図、第３図は本発明の別の実施例の要部
構成図のＡ −Ａ”断面図を示す。
尚、全図を通じて同一記号は同一対象物を示す。
以下、第１部〜第３図により本発明の詳細な説明する。
先ず、第１図、第２図に示す様にパッケージ型のＦＥＴ
１の第１．第２の端子（以下ソース、ゲートと云う）
１，１は誘電体基板１０．１１の上に形成された第１．
第２の伝送線路（以下マイクロストリップラインと云う
）４．５にそれぞれ接続され、第３の端子（以下ドレイ
ンと云う）１は接地導体８′に設けた長楕円型の凹部９
に密着・固定されているが、このドレイン１の中央部分
の真下の接地導体に凹部１６を設けて、この部分が接地
導体と接触しない様にした。
１の第１．第２の端子（以下ソース、ゲートと云う）
１，１は誘電体基板１０．１１の上に形成された第１．
第２の伝送線路（以下マイクロストリップラインと云う
）４．５にそれぞれ接続され、第３の端子（以下ドレイ
ンと云う）１は接地導体８′に設けた長楕円型の凹部９
に密着・固定されているが、このドレイン１の中央部分
の真下の接地導体に凹部１６を設けて、この部分が接地
導体と接触しない様にした。
そこで、ドレインのほぼΦ６点Ｂ（パッケージに収容さ
れたＦＥＴチップのドレインの位置とする）から凹部１
６の端の０点までの距離に対応するインピーダンスがド
レインと接地導体ぎとの間に挿入され、この距離がλ／
４よりも短い時にはＨｆ’ｓ ’Ｊ性のインピーダンス
を持つので、この凹部１６の寸法を変化することにより
上記のインピーダンスを変化させることができる。
れたＦＥＴチップのドレインの位置とする）から凹部１
６の端の０点までの距離に対応するインピーダンスがド
レインと接地導体ぎとの間に挿入され、この距離がλ／
４よりも短い時にはＨｆ’ｓ ’Ｊ性のインピーダンス
を持つので、この凹部１６の寸法を変化することにより
上記のインピーダンスを変化させることができる。
尚、従来例と同じくマイクロストリップライン５は共振
器（以下誘電体共振子と云う）２と磁界結合してマイク
ロ波発振器を構成している。
器（以下誘電体共振子と云う）２と磁界結合してマイク
ロ波発振器を構成している。
第３図は本発明の別の実施例の要部構成図のＡ−Ａ“断
面図である。
面図である。
第３図（ａｌは凹部１６に誘電体物質１７を充填した事
により第２図の場合に比して等価的に接地導体までの距
離が長くなってインピーダンスが下がるが、誘電体物質
の比誘電率を変えるとインピーダンスが変化する。
により第２図の場合に比して等価的に接地導体までの距
離が長くなってインピーダンスが下がるが、誘電体物質
の比誘電率を変えるとインピーダンスが変化する。
第３図（ｂｌはドレイン１の中央部分の真下の接地導体
８にネジを切った貫通孔１８を設け、この貫通孔に調整
ネジ１９を挿脱することにより凹部１６′の深さを変化
させてインピーダンスを可変にしたもので、調整ネジ１
９をドレイン１に近づけるとこのネジ１９とドレイン１
との間の容量値が大きくなってドレインと接地導体８と
の間のインピーダンスは小さくなり、遠ざけると大きく
なって、第７図のスタブ１３の長さを変化するのと同じ
ことになる。
８にネジを切った貫通孔１８を設け、この貫通孔に調整
ネジ１９を挿脱することにより凹部１６′の深さを変化
させてインピーダンスを可変にしたもので、調整ネジ１
９をドレイン１に近づけるとこのネジ１９とドレイン１
との間の容量値が大きくなってドレインと接地導体８と
の間のインピーダンスは小さくなり、遠ざけると大きく
なって、第７図のスタブ１３の長さを変化するのと同じ
ことになる。
即ち、ドレインと接地導体との間に適当な大きさのイン
ピーダンスを挿入することにより、マイクロ波発振器を
従来よりもより最適に近い動作状態で発振させることが
できる。
ピーダンスを挿入することにより、マイクロ波発振器を
従来よりもより最適に近い動作状態で発振させることが
できる。
以上詳細に説明した様に本発明によれば、マイクロ波発
振器をより最適に近い動作状態で発振させる事ができる
と云う効果がある。
振器をより最適に近い動作状態で発振させる事ができる
と云う効果がある。
第１図は本発明の実施例の要部構成図、第２図は第１図
のＡ−Ａ ’断面図、 第３図は本発明の別の実施例の要部構成図のＡ −Ａ°
断面図、 第４図はマイクロ波発振器の一例のブロック図、第５図
は従来例の要部構成図、 第６図は第５図のＡ−Ａ ’断面図、 第７図はチップ型ＰＥＴの調整個所説明図を示す。 図において、 １はパッケージ型の３端子マイクロ波発振素子、２は共
振器、 ４．５は第１．第２の伝送線路、 ８．８．８は接地導体、 １６、１６錐凹部、 １８は貫通孔、 ＄１ 圓 不発ＨＬｒ＋４・１圀剣胞企１ｎヤ部楕八肥ｔｒＡ偽′
断市図釜 ３ 図 第 ５ 図 第ＳＩ！ｌすＡ−Ａ’跡面図 第 ６ 図
のＡ−Ａ ’断面図、 第３図は本発明の別の実施例の要部構成図のＡ −Ａ°
断面図、 第４図はマイクロ波発振器の一例のブロック図、第５図
は従来例の要部構成図、 第６図は第５図のＡ−Ａ ’断面図、 第７図はチップ型ＰＥＴの調整個所説明図を示す。 図において、 １はパッケージ型の３端子マイクロ波発振素子、２は共
振器、 ４．５は第１．第２の伝送線路、 ８．８．８は接地導体、 １６、１６錐凹部、 １８は貫通孔、 ＄１ 圓 不発ＨＬｒ＋４・１圀剣胞企１ｎヤ部楕八肥ｔｒＡ偽′
断市図釜 ３ 図 第 ５ 図 第ＳＩ！ｌすＡ−Ａ’跡面図 第 ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１、第２の端子（１′、１″）がそれぞれ第１、第
２の伝送線路（４、５）に接続され、第３の端子（１′
″）が接地導体（８′）に密着・固定されたパッケージ
型の３端子マイクロ波発振素子（１）と、該第２の伝送
線路（５）に磁界結合した共振器（２）とからなるマイ
クロ波発振器において、 該第３の端子（１′″）の中央部分の真下の接地導体に
凹部（１６又は１６′）を設け、該マイクロ波発振器の
発振周波数で該第３の端子（１′″）と接地導体（８′
又は８″）との間にインピーダンスを挿入する様にした
ことを特徴とするマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8768986A JPS6310804A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8768986A JPS6310804A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310804A true JPS6310804A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=13921891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8768986A Pending JPS6310804A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310804A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303905A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Maspro Denkoh Corp | マイクロ波発振器 |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP8768986A patent/JPS6310804A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303905A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Maspro Denkoh Corp | マイクロ波発振器 |
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