JPS608651B2 - Ｆｅｔ自励振混合器 - Google Patents

Ｆｅｔ自励振混合器

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JPS608651B2 JP52043575A JP4357577A JPS608651B2 JP S608651 B2 JPS608651 B2 JP S608651B2 JP 52043575 A JP52043575 A JP 52043575A JP 4357577 A JP4357577 A JP 4357577A JP S608651 B2 JPS608651 B2 JP S608651B2
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忠一 袖山
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、シングルゲートＦＥＴを用いて、自励発振さ
せた信号を高周波入力信号と混合して中間周波信号を出
力するＦＥＴ目励振混合器に関するものである。
ＦＥＴ目励振混合器の回路として第１図に示す回路構成
がよく知られている。
これはマイクロストリップ線路を基本構成とする平面回
路で構成したもので、ＦＥＴ素子１のソース２を接地し
、ゲート３とドレイン４の闇に帰還回路５を形成して発
振させ、ゲート３へは高周波信号の入力線路６を接続し
、ドレィン４へは、中間周波信号を出力する低域通過フ
ィル夕７（以後ＬＰＦと略す）を接続する。ＦＥＴ素子
１は、帰還回路５でドレィン４とゲート３の間に正帰還
をかけ、局部発振周波数で発振させる。この発振してい
るＦＥＴを素子１のゲート３に接続した高周波信号入力
線路６から高周波信号を入力すると、ＦＥＴ素子１で局
部発振波と高周波信号の高調波が発生し、その高調波の
中で、高周波信号と局部発振波の差の周波数をもつ中間
周波信号をドレィン４からＬＰＦ７を通して取り出す。
この中間周波信号は高周波信号入力に対し利得をもって
出力されるため、この中間周波信号出力のＬＰＦ７の後
段の回路が容易になることと、発振、周波数変換、増幅
を同時に簡単な回路で行える利点をもつている。しかし
、この従来回路は次の欠点をもつ。｛１｝ 発振周波数
の安定度が悪い。
‘２１ 高周波信号の入力へ局部発振波が流出する。
上記‘１｝は発振周波数が帰還回路の位相で決定されて
おり、帰環回路のＱが低いため、高周波信号の入力イン
ピーダンスや、周囲温度の変化によって発振周波数、即
ち局部発振周波数が移動する。また上記‘２１は、高周
波信号の入力へ第２図のように局部発振波のトラップ回
路８を形成すると局部発振波の流出は防げるが、トラッ
プ回路８のＱが低いため高周波信号に対する挿入損失が
大きくなってしまう欠点をもっていた。また、ＦＥＴ目
励振混合器の従来回路として第１図に示した回路のほか
、第３図に示す回路構成もよく知られている。
第３図の回路と第１図の回路の違うところは、ＦＥＴ１
のソース２とゲ−ト３の位置を入れ替えたことと、第３
図の方で入力線絡６１こ中間周波短絡回路９を挿入した
ことだけで、他は同じ構成である。第３図の回路は入力
線路６に中間周波短絡回路９が挿入されたため、入力線
路６が中間周波信号に対して接地インピーダンスとなっ
ているので中間周波信号はドレィン４に接続したＬＰＦ
８を通って効率よく出力される。第４図は第２図に対応
する回路であって、第３図の入力線路６に局部発信波の
トラツプ回路９を挿入した回路である。第３図及び第亀
図の回路はいずれも第１図及び第２図の回路とその作用
、効果及び欠点はほぼ同様である。本発明の目的は、上
記した従釆技術の欠点を解消し、簡単な構成で局部発振
周波数の安定化をはかり、しかも、高周波信号の損失を
軽減し、局部発振波の高周波信号入力端への漏洩を防止
したＦＥＴ目励振混合器を提供するにある。
本発明は、高周波信号入力へＱが高い誘電体共振器を挿
入し、この譲露体共振器を高周波信号入力への局部発振
の流出を防ぐトラップ回路と、発振周波数の安定化を行
う高Ｑの共振器の２つの働きをさせることにより、局部
発振波の漏洩を防止し、局部発振周波数を安定化し、高
周波信号の挿入損失を小さくするものである。
以下、本発明を図に示す実施例に基づき詳細に説明する
。
第５図は、第１図で示した従来の自励振混合器の高周波
信号入力線路へ誘電体共振器１０を挿入したもので、誘
電体共振器としては、誘電率約３０、無負荷Ｑ約５００
０のものが既に市販されている。この謙亀体共振器１川
ま、誘電率が高いために入力線路６の僕に置くだけで強
い結合を示し、しかもＱが高いため狭帯城で急後なトラ
ッブ回路が構成できる。そこで、この譲雷体共振器１０
の共振周波数を局部発振周波数に選ぶと、入力線路６に
は局部発振周波数だけを急俊に抑圧するトラップ回路が
構成でき、高周波信号には全く影響しなくできる。さら
に、このトラツプ特性は、ゲート３から高周波信号入力
線路６の側をみたインピーダンスの局部発振周波数での
位相回転を非常に大きくするため、ゲート３から誘電体
共振器１０までの距離を適当に選ぶことにより、帰還回
路５の発振条件を非常に狭い周波数範囲でのみ満足する
回路にできる。
即ち、帰還回路５の位相で決定されていた発振周波数を
誘電体共振器の高Ｑを用いて安定化することにより、局
部発振周波数の移動を非常に小さくできる。また、第６
図は第３図で示した従来の自励振混合器の高周波信号入
力線路へ議電体共振器１０を挿入した場合の実施例を示
すもので、第５図に示した実施例の作用、効果と全く同
じである。
このように〜本発明によるＦＥＴ目励振混合器は「高周
波信号入力線路へ局部発振周波数を共振周波数とする誘
電体共振器を挿入することにより「高周波信号入力への
局部発振波の漏洩を抑圧し、高周波信号に対する挿入損
失をなくし、しかも、局部発振周波数の安定化を同時に
行う効果をもつ。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はＦＥＴ目励振混合器の従来例を示す
図、第３図及び第４図はＦＥＴ目励振混合器の別の従釆
例を示す図、第５図及び第６図はそれぞれ本発明の各実
施例を示す図である。 ここで、１…・・・ＦＥＴ素子（電界効果トランジスタ
）、２……ソース、３……ゲート、４……ドレィン、５
一・…・・帰還回路、６・・・・・・高周波信号入力線
路、７・・・…中間周波信号出力ＬＰＦ、１０…・・・
誘電体共振器である。グー図 汐２図 オ３図 オ４図 オタ図 オＧ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ シングルゲートＦＥＴのゲートまたはソースを高周
    波信号の入力とし、ゲートとドレイン間またはソースと
    ドレイン間に帰還回路をもって局部発振回路を形成し、
    ドレインから中間周波信号を取り出すＦＥＴの自励振混
    合器において、高周波信号の入力線路へ、前記ＦＥＴの
    局部発振周波数を共振周波数とする誘電体の共振器を挿
    入した構成を特徴とするＦＥＴ自励振混合器。
JP52043575A 1977-04-18 1977-04-18 Ｆｅｔ自励振混合器 Expired JPS608651B2 (ja)

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US05/897,118 US4219779A (en) 1977-04-18 1978-04-17 Self-oscillating mixer circuit
DE2816586A DE2816586C3 (de) 1977-04-18 1978-04-17 Selbstschwingende Mischschaltung

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