JPS59176908A - 高周波発振器 - Google Patents
高周波発振器Info
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- JPS59176908A JPS59176908A JP58050406A JP5040683A JPS59176908A JP S59176908 A JPS59176908 A JP S59176908A JP 58050406 A JP58050406 A JP 58050406A JP 5040683 A JP5040683 A JP 5040683A JP S59176908 A JPS59176908 A JP S59176908A
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- oscillator
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
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- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
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- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1293—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having means for achieving a desired tuning characteristic, e.g. linearising the frequency characteristic across the tuning voltage range
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、可変容量ダイオードあるいは同定容量を用い
た高周波発振器の出力構成に関するものである。
た高周波発振器の出力構成に関するものである。
固定容量の固定周波数発振器は、可変容量ダイオードを
用いた可変周波数発振器の可変容量ダイオードの特定の
容量値を用いた場合と同じであるため、本発明の説明は
可変周波数発振器について行なう。
用いた可変周波数発振器の可変容量ダイオードの特定の
容量値を用いた場合と同じであるため、本発明の説明は
可変周波数発振器について行なう。
従来の可変周波数発振器の構成を第１図に示す。この構
成は、抵抗７，８，９，１０によってバイアスが設定さ
れたトランジスタ１のベース２がコンデンサ５を介して
接地され、ベース２のインピーダンスを低インピーダン
スとし、前記トランジスタ１のエミッタ４とコレクタ３
の１間に帰還コンデンサ６が接続され、コレクタ乙には
コンデンサ１１を介して、抵抗１５．１６を通してバイ
アスが供給される可変容量ダイオード１２．１３とイン
ダクタンス１４とから成る共振回路を接続した可変周波
数発振器において、その発振出力を。
成は、抵抗７，８，９，１０によってバイアスが設定さ
れたトランジスタ１のベース２がコンデンサ５を介して
接地され、ベース２のインピーダンスを低インピーダン
スとし、前記トランジスタ１のエミッタ４とコレクタ３
の１間に帰還コンデンサ６が接続され、コレクタ乙には
コンデンサ１１を介して、抵抗１５．１６を通してバイ
アスが供給される可変容量ダイオード１２．１３とイン
ダクタンス１４とから成る共振回路を接続した可変周波
数発振器において、その発振出力を。
抵抗２２．２’３，２４．２５によりバイアスが設定さ
れた。
れた。
トランジスタ１７０ベース１日に接続したインダクタン
ス２１で受けて（誘導結合）、増幅し、前記トランジス
タ１７のコレクタから出力を取り出すものである。
ス２１で受けて（誘導結合）、増幅し、前記トランジス
タ１７のコレクタから出力を取り出すものである。
この可変周波数発振器により、１０ロ〜２ＣｉＨｚσン
発振周波数が得られるが、２Ｇｔ−１ｚ付近で発振する
時には、上記インダクタンス１４を１０ｖＨとして、上
記可変容量ダイオード１２．１３は、ａ、５ｐＦという
小さな値になる。このため上記インダクタンス２１を利
用した誘導結合で発振出力を外部に取り出す時に、高山
カケ得ようとして上記インダクタンス２１を共振器に近
接させると、高い発掘周波数において発振とび、発振停
止がおこるという欠点がある。そのため上記インダクタ
ンス２１を共振器から離して配置する必要があり、高出
力を得ることが困難と／ｆっている０また発振周波数が
１．５〜２ＧＨｚと広いため、発振出力を取り出すイン
ダクタンス２１の誘導結合の周波数特性及び高周波での
トランジスタの利得低下により、第２図に示す様に発振
周波数が高くなるにつれ、出力が低下するという欠点が
ある０また固定容量を用いた固定周波数発振器において
も高い周波数で発振する発振器の場合、低い周波数で発
掘する発振器に比較して、出力は小さく不安定であると
いう欠点がある。
発振周波数が得られるが、２Ｇｔ−１ｚ付近で発振する
時には、上記インダクタンス１４を１０ｖＨとして、上
記可変容量ダイオード１２．１３は、ａ、５ｐＦという
小さな値になる。このため上記インダクタンス２１を利
用した誘導結合で発振出力を外部に取り出す時に、高山
カケ得ようとして上記インダクタンス２１を共振器に近
接させると、高い発掘周波数において発振とび、発振停
止がおこるという欠点がある。そのため上記インダクタ
ンス２１を共振器から離して配置する必要があり、高出
力を得ることが困難と／ｆっている０また発振周波数が
１．５〜２ＧＨｚと広いため、発振出力を取り出すイン
ダクタンス２１の誘導結合の周波数特性及び高周波での
トランジスタの利得低下により、第２図に示す様に発振
周波数が高くなるにつれ、出力が低下するという欠点が
ある０また固定容量を用いた固定周波数発振器において
も高い周波数で発振する発振器の場合、低い周波数で発
掘する発振器に比較して、出力は小さく不安定であると
いう欠点がある。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を解消し、簡
単な構成で高い周波数ま“で安定に発振し、かつ、大き
な出力で出力変動の小さな可変周波数発振器を提供する
ことにある。
単な構成で高い周波数ま“で安定に発振し、かつ、大き
な出力で出力変動の小さな可変周波数発振器を提供する
ことにある。
発振器用トランジスタのベースは、コンデンサで低イン
ピーダンスにされているが、コンデンサはその誘電体損
失および電極のインダクタンスで完全な接地とならず、
ベースには発振出力信号が存在する。本発明ではこの発
振器のペースヲハッファ出力増幅器のトランジスタのベ
ースに直接接続して、発振器のベースの信号を増幅し、
バッファ増幅器のトランジスタのコレクタから発振出力
を取り出すことにより、簡単。
ピーダンスにされているが、コンデンサはその誘電体損
失および電極のインダクタンスで完全な接地とならず、
ベースには発振出力信号が存在する。本発明ではこの発
振器のペースヲハッファ出力増幅器のトランジスタのベ
ースに直接接続して、発振器のベースの信号を増幅し、
バッファ増幅器のトランジスタのコレクタから発振出力
を取り出すことにより、簡単。
な構成で高い周波数まで安定に発振し、かつ大きな出力
で出力変動の小さな可変周波数発掘器を得る。
で出力変動の小さな可変周波数発掘器を得る。
以下、本発明を図に示す実施例に従って詳細に説明する
。
。
第６図は、高周波用チップコンデンサの減衰特性で、５
０Ω線路を１ｏｏｏＰＦのチップコンデンサで接地した
時の通過特性である。ＩＧＨｚ以上の周波数では１００
ＯＰＦ（Ｚチップコンデンサは０．２Ω以下となり、理
想的には２５ｄＢ以上の減衰となるが実際はチップコン
デンサの誘電体損失および電極のインダクタンスにより
等測的に０．５〜１．６Ωの抵抗となり１５〜２ｏｔＬ
Ｂの減衰しか得られないし、かつ高い周波数で減衰が小
さくなる。発掘回路としては、上記１５〜２０ｄＢの減
衰でも十分に動・作する。そこでこのチップコンデンサ
の高周波信号の減衰特性に着目することによりこのコン
デンサを介して接地している発振器用トランジスタのベ
ースと、増幅器のベースとを直結する構成を用いて、発
振特性に影響を与えず発振出力を取り出す。
０Ω線路を１ｏｏｏＰＦのチップコンデンサで接地した
時の通過特性である。ＩＧＨｚ以上の周波数では１００
ＯＰＦ（Ｚチップコンデンサは０．２Ω以下となり、理
想的には２５ｄＢ以上の減衰となるが実際はチップコン
デンサの誘電体損失および電極のインダクタンスにより
等測的に０．５〜１．６Ωの抵抗となり１５〜２ｏｔＬ
Ｂの減衰しか得られないし、かつ高い周波数で減衰が小
さくなる。発掘回路としては、上記１５〜２０ｄＢの減
衰でも十分に動・作する。そこでこのチップコンデンサ
の高周波信号の減衰特性に着目することによりこのコン
デンサを介して接地している発振器用トランジスタのベ
ースと、増幅器のベースとを直結する構成を用いて、発
振特性に影響を与えず発振出力を取り出す。
第４図に、本発明の実施例を示す。この構成１は抵抗７
，８，９．１０によってバイアスが設定されたトランジ
スタ１０ベース２をコンデンサ５を介して接地し、ベー
ス２のインピーダンスを低インピーダンスとし、前記ト
ランジスタ１のエミッタ４とコレクタ３の間に帰還コン
デンサ６を接続し、コレクタ３にはコンデンサ１１を介
して、抵抗１５．１６を通してバイアスが供給される可
変容量ダイオード１２．１３とインダクタンス１４とか
ら成る共振回路を接続した可変周波数発振器において、
前記トランジスタ１のベースに、抵抗７．８，１９．２
０によってバイアスが設定されたトランジスタ１７０ベ
ースを接続し、この前記トランジスタ１７のコレクタ１
９を発振出力とするものである。
，８，９．１０によってバイアスが設定されたトランジ
スタ１０ベース２をコンデンサ５を介して接地し、ベー
ス２のインピーダンスを低インピーダンスとし、前記ト
ランジスタ１のエミッタ４とコレクタ３の間に帰還コン
デンサ６を接続し、コレクタ３にはコンデンサ１１を介
して、抵抗１５．１６を通してバイアスが供給される可
変容量ダイオード１２．１３とインダクタンス１４とか
ら成る共振回路を接続した可変周波数発振器において、
前記トランジスタ１のベースに、抵抗７．８，１９．２
０によってバイアスが設定されたトランジスタ１７０ベ
ースを接続し、この前記トランジスタ１７のコレクタ１
９を発振出力とするものである。
ここで、前記インダクタンス１４の値を大きくすると、
発振周波数は低下し、逆に小さくすると、発振周波数は
上昇する。これにより、発振周波数の可変する周波数帯
域を自由に選ぶことができる。
発振周波数は低下し、逆に小さくすると、発振周波数は
上昇する。これにより、発振周波数の可変する周波数帯
域を自由に選ぶことができる。
前述した様に、発振器用トランジスタ１のべ−ス２は、
１０００ＰＦのコンデンサを介して接地されているが、
チップコンデンサ５の誘電体損失と、電極のインダクタ
ンスにより、ベース２には発振周波数信号が存在し、こ
の信号を直接前記増幅用トランジスタ１７のベース８に
入力し、トランジスタ１７のコレクタ１９から出力する
。
１０００ＰＦのコンデンサを介して接地されているが、
チップコンデンサ５の誘電体損失と、電極のインダクタ
ンスにより、ベース２には発振周波数信号が存在し、こ
の信号を直接前記増幅用トランジスタ１７のベース８に
入力し、トランジスタ１７のコレクタ１９から出力する
。
第５図に、本発明可変周波数発振器の各発振周波数に対
する出力特性を示す。本実施例によれば第２図に示す従
来の誘導結合による出力の取り出しに比較して、高周波
で高出力が得られるし、また出力変動も小さいという効
果がある。
する出力特性を示す。本実施例によれば第２図に示す従
来の誘導結合による出力の取り出しに比較して、高周波
で高出力が得られるし、また出力変動も小さいという効
果がある。
さらに、発振用トランジスタと出力用トランジスタのベ
ースを直結することにより、ベースバ・イアス用の部品
の削減がはかれ、かつ、回路の小形化がはかれる。
ースを直結することにより、ベースバ・イアス用の部品
の削減がはかれ、かつ、回路の小形化がはかれる。
本発明では、第４図に示す様に、２個の可変容量ダイオ
ードを用いた回路で説明したが、この発振回路に限るも
のではなく可変容睦ダイオード１個の発振器においても
また、可変容量タイオードのかわりに固定容量を用いた
固定容量、。
ードを用いた回路で説明したが、この発振回路に限るも
のではなく可変容睦ダイオード１個の発振器においても
また、可変容量タイオードのかわりに固定容量を用いた
固定容量、。
発振器においても本発明と同様で機能することは明らか
である。なお、ベースをイ氏インピーダンスにするコン
デンサは１ｏｏｏＰＦに限るものではなく、５０ｐ−２
２００ＰＦのチップコンデンサで、第５図忙示す特性と
同等の特性が得られている。
である。なお、ベースをイ氏インピーダンスにするコン
デンサは１ｏｏｏＰＦに限るものではなく、５０ｐ−２
２００ＰＦのチップコンデンサで、第５図忙示す特性と
同等の特性が得られている。
本発明によると、コンデンサで低インピーダンス状態に
した発振器トランジスタのベースとバッファ増幅器のト
ランジスタのベースを直結する構成を用いることにより
、簡単な構成で高い周波数まで安定に発振し、出力変動
の小さな発振回路が構成でき、かつ、回路の小形化が図
れる。
した発振器トランジスタのベースとバッファ増幅器のト
ランジスタのベースを直結する構成を用いることにより
、簡単な構成で高い周波数まで安定に発振し、出力変動
の小さな発振回路が構成でき、かつ、回路の小形化が図
れる。
第１図は従来の可変周波数発掘器の回路図、第２図は従
来の可変周波数発振器の特性図、第３図はチップコンデ
ンサの減衰特性図、第４図は本発明の可変周波数発振器
の回路図、第５図は本発明の可変周波数発振器の特性図
である。 １．１７・・・ＮＰＮ ）ランジスタ、２．１８・・・
ＮＰＮ ） ランジスタノヘース、３．１９・・ＮＰＮ
）ランジスタのコレクタ、４．２０・・ＮＰＮ ）ラ
ンジスタのエミッタ、７．８，９，１０，１５．１６・
・チップ抵抗、５．６．１１・・・チップコンデンサ、
１２．１５・・・可変容量ダイオード、１４．２１・・
・インダクタンス。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 −？ 第 ／ 図 第 ２ 図 ７３ ／、、５’ ／、７
２θ髪〕長凧我数（（ｆｖｆｈ） 第 ３ 図 ／３ ／６ ／７
２，０椹号ｒｇ！ｌＲ歎（ＯＨｚ） 第 ４ 図
来の可変周波数発振器の特性図、第３図はチップコンデ
ンサの減衰特性図、第４図は本発明の可変周波数発振器
の回路図、第５図は本発明の可変周波数発振器の特性図
である。 １．１７・・・ＮＰＮ ）ランジスタ、２．１８・・・
ＮＰＮ ） ランジスタノヘース、３．１９・・ＮＰＮ
）ランジスタのコレクタ、４．２０・・ＮＰＮ ）ラ
ンジスタのエミッタ、７．８，９，１０，１５．１６・
・チップ抵抗、５．６．１１・・・チップコンデンサ、
１２．１５・・・可変容量ダイオード、１４．２１・・
・インダクタンス。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 −？ 第 ／ 図 第 ２ 図 ７３ ／、、５’ ／、７
２θ髪〕長凧我数（（ｆｖｆｈ） 第 ３ 図 ／３ ／６ ／７
２，０椹号ｒｇ！ｌＲ歎（ＯＨｚ） 第 ４ 図
Claims (1)
- 第１のトランジスタのベースが第１のコンデンサで接地
され、ベースのインピーダンスが低インピーダンスとさ
れ、前記峻、１のトランジスタのエミッタとコレクタ間
に第２の帰還コンデンサが接地され、コレクタには第３
のコンデンサを介して可変容量ダイオードあるいは固定
容量から成る共振回路が接続さ牙また高周波発振器１に
おいて、前記第１のトランジスタのベースに第２のトラ
ンジスタのベースが直結され、この第２のトランジスタ
のコレクタから発振出力が・出力されることを％僧とす
る高周波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58050406A JPS59176908A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 高周波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58050406A JPS59176908A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 高周波発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59176908A true JPS59176908A (ja) | 1984-10-06 |
| JPH0442843B2 JPH0442843B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=12857979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58050406A Granted JPS59176908A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 高周波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59176908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112406A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-30 | Fujitsu Ltd | バイアス安定化回路 |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP58050406A patent/JPS59176908A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112406A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-30 | Fujitsu Ltd | バイアス安定化回路 |
| JPH0347004B2 (ja) * | 1984-10-09 | 1991-07-18 | Fujitsu Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442843B2 (ja) | 1992-07-14 |
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