JPS61112406A - バイアス安定化回路 - Google Patents
バイアス安定化回路Info
- Publication number
- JPS61112406A JPS61112406A JP21171584A JP21171584A JPS61112406A JP S61112406 A JPS61112406 A JP S61112406A JP 21171584 A JP21171584 A JP 21171584A JP 21171584 A JP21171584 A JP 21171584A JP S61112406 A JPS61112406 A JP S61112406A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- transistor
- power
- change
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般の電子機器に使用されるトランジスタ発振
器の改良に関するものである。
器の改良に関するものである。
従来の発振回路は発振周波数の安定度を向上させる為に
補償回路が付加されているが、この補償回路は電源投入
直後の過渡状態における発振周波数の安定度向上には効
果がない。
補償回路が付加されているが、この補償回路は電源投入
直後の過渡状態における発振周波数の安定度向上には効
果がない。
この為、例えばこの様な発振器を使用して車側帯波通信
を行う場合、上記の過渡状態の期間は受信不能になる可
能性があるので、この期間は相手局からの信号を受信し
ない様にするか、又は受信局部発振器の発振周波数を手
動で調整しながら、相手局からの信号を受信しなければ
ならない場合が生ずる。
を行う場合、上記の過渡状態の期間は受信不能になる可
能性があるので、この期間は相手局からの信号を受信し
ない様にするか、又は受信局部発振器の発振周波数を手
動で調整しながら、相手局からの信号を受信しなければ
ならない場合が生ずる。
この為、電源投入直後の過渡状態にある発振周波数の変
動の補償に効果のあるバイアス安定化回路が要望されて
いた。
動の補償に効果のあるバイアス安定化回路が要望されて
いた。
第３図は従来例の回路図を示す。
図に示した発振回路１はクラップ型である。
この回路は、水晶振動子２を含む直列共振回路の共振周
波数でほぼ発振し、発振周波数はコルピッツ型等の他の
発振器に比べて安定である。
波数でほぼ発振し、発振周波数はコルピッツ型等の他の
発振器に比べて安定である。
又、トランジスタ４のベース電流（以下１ｂと省略する
）はダイオード５及び抵抗器６．７から構成されるバイ
アス電流供給回路から供給されるが、トランジスタ４の
自己発熱による温度上昇がほぼ飽和状態になった後は、
トランジスタ４のベース・エミッタ間電圧（以下Ｖｂｅ
と省略する）とダイオード５の両端の電圧の温度変化が
近似しているので、Ｉｂは一定に保たれ、発振周波数の
安定度が向上する。
）はダイオード５及び抵抗器６．７から構成されるバイ
アス電流供給回路から供給されるが、トランジスタ４の
自己発熱による温度上昇がほぼ飽和状態になった後は、
トランジスタ４のベース・エミッタ間電圧（以下Ｖｂｅ
と省略する）とダイオード５の両端の電圧の温度変化が
近似しているので、Ｉｂは一定に保たれ、発振周波数の
安定度が向上する。
しかし、電源電圧投入直後はトランジス４の自己発熱に
よる温度上昇力ｑ色和状態に迄なっていなので、トラン
ジスタ４のＶｂｅとダイオード５の両端の電圧の温度特
性が異なるためにトランジスタ４のＩｂが変化し、更に
接合容量ＣｂｅとＣｃｅとが変化する為、発振周波数が
変化する。
よる温度上昇力ｑ色和状態に迄なっていなので、トラン
ジスタ４のＶｂｅとダイオード５の両端の電圧の温度特
性が異なるためにトランジスタ４のＩｂが変化し、更に
接合容量ＣｂｅとＣｃｅとが変化する為、発振周波数が
変化する。
即ち、電源投入直後の過渡状態では、発振周波数の安定
度向上に効果がないと云う問題点があった。
度向上に効果がないと云う問題点があった。
上記の問題点は、発振用トランジスタと電気的特性がほ
ぼ等しい発振周波数補償用トランジスタを該発振用トラ
ンジスタの環境条件及び直流動作条件がほぼ等しくなる
様に構成すると共に、該発振用トランジスタのベースと
該発振周波数トランジスタのベースとを接続した本発明
のバイアス安定化回路により解決される。
ぼ等しい発振周波数補償用トランジスタを該発振用トラ
ンジスタの環境条件及び直流動作条件がほぼ等しくなる
様に構成すると共に、該発振用トランジスタのベースと
該発振周波数トランジスタのベースとを接続した本発明
のバイアス安定化回路により解決される。
本発明は、発振回路における電源投入直後の大きな周波
数変動が、発振用トランジスタの自己発熱によるバイア
ス点の変化による、発振用トランジスタの接合容量の変
化が大きな原因である事に着回し、電源投入直後からバ
イアス点が変化しない様にすれば、発振周波数の安定度
が向上する事が判った。
数変動が、発振用トランジスタの自己発熱によるバイア
ス点の変化による、発振用トランジスタの接合容量の変
化が大きな原因である事に着回し、電源投入直後からバ
イアス点が変化しない様にすれば、発振周波数の安定度
が向上する事が判った。
そこで、バイアス電圧の変動を補償する素子としてトラ
ンジスタを用い、且つそのトランジスタに発振用トラン
ジスタと同一の熱損失を持たせる事により、電源投入時
から発振用トランジスタの自己発熱によるＶｂｅの変化
に、供給バイアス電圧が追随できる様にしたものである
。
ンジスタを用い、且つそのトランジスタに発振用トラン
ジスタと同一の熱損失を持たせる事により、電源投入時
から発振用トランジスタの自己発熱によるＶｂｅの変化
に、供給バイアス電圧が追随できる様にしたものである
。
これにより、従来に比較して発振周波数の安定度は例え
ば約１０倍も向上し、電子機器の迅速な運用が可能とな
った。
ば約１０倍も向上し、電子機器の迅速な運用が可能とな
った。
以下図示実施例により、本発明の要旨を具体的に説明す
る。尚、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
る。尚、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の１実施例の回路図を示す。
発振回路１はクラップ型の発振回路で、バイアス電流供
給回路はトランジスタ８．抵抗器９及び１０から構成さ
れている。
給回路はトランジスタ８．抵抗器９及び１０から構成さ
れている。
ここで、トランジスタ４と８とのＶｂｅの温度変化を同
一にする為、ペア・トランジスタで同一パッケージに収
容された物を使用する。
一にする為、ペア・トランジスタで同一パッケージに収
容された物を使用する。
この為、トランジスタ４と８の周囲温度に起因するＶｂ
ｅの変化が同一となり、トランジスタ４のＩｂは周囲の
温度変化に対して一定となる。
ｅの変化が同一となり、トランジスタ４のＩｂは周囲の
温度変化に対して一定となる。
更に、トランジスタ４と８のエミッタ抵抗器１１と１０
を等しくすると、２つのトランジスタ４及び８のコレク
タ電流１ｃ及びコレクタ・エミッタ間の電圧Ｖｃｅは等
しくなるので、電力損失も等しくなる。
を等しくすると、２つのトランジスタ４及び８のコレク
タ電流１ｃ及びコレクタ・エミッタ間の電圧Ｖｃｅは等
しくなるので、電力損失も等しくなる。
そこで、電源投入時にトランジスタ４と８の自己発熱に
よるＶｂｅの変化はほぼ等しくなるので、バイアス点は
常に一定に保たれる。
よるＶｂｅの変化はほぼ等しくなるので、バイアス点は
常に一定に保たれる。
第２図は発振周波数の変動例を示す図である。
図の様に本発明のバイアス安定回路を通用する事により
、発振周波数の安定度が例えば約１０倍改善されている
事が判る。
、発振周波数の安定度が例えば約１０倍改善されている
事が判る。
本発明によれば、電源投入直後でも発振周波数の安定度
が大きい為、電子機器内の発振回路の予熱時間は不要に
する事ができ、電子機器の迅速な運用、総消費電力の削
減等が可能となる。
が大きい為、電子機器内の発振回路の予熱時間は不要に
する事ができ、電子機器の迅速な運用、総消費電力の削
減等が可能となる。
又、極めて少ない部品でこれを実現できるのでコストア
ップにはならないという種々の効果がある。
ップにはならないという種々の効果がある。
第１図は本発明の１実施例の回路図、
第２図は発振周波数の変化図、
第３図は従来例の回路図を示す。
図において、
１は発振回路、
２は水晶発振子、
４及び８はトランジスタを、
６，７．９及び１０は抵抗器を示す。
￥−１図
ｆ ２ 区
Claims (1)
- トランジスタ発振回路において、発振用トランジスタと
電気特性が略等しい発振周波数補償用トランジスタを該
発振用トランジスタの環境条件及び直流動作条件が略等
しくなる様に構成すると共に、該発振用トランジスタの
ベースと該発振周波数補償用トランジスタのベースとを
接続したことを特徴とするバイアス安定化回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21171584A JPS61112406A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | バイアス安定化回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21171584A JPS61112406A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | バイアス安定化回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112406A true JPS61112406A (ja) | 1986-05-30 |
| JPH0347004B2 JPH0347004B2 (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=16610397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21171584A Granted JPS61112406A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | バイアス安定化回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61112406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63245112A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-10-12 | モトローラ・インコーポレーテッド | 正確なデューティサイクルを有するデータクロック発振器 |
| JPH01112786U (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59176908A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-06 | Hitachi Ltd | 高周波発振器 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21171584A patent/JPS61112406A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59176908A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-06 | Hitachi Ltd | 高周波発振器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63245112A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-10-12 | モトローラ・インコーポレーテッド | 正確なデューティサイクルを有するデータクロック発振器 |
| JPH01112786U (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0347004B2 (ja) | 1991-07-18 |
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