JPH0347004B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0347004B2 JPH0347004B2 JP59211715A JP21171584A JPH0347004B2 JP H0347004 B2 JPH0347004 B2 JP H0347004B2 JP 59211715 A JP59211715 A JP 59211715A JP 21171584 A JP21171584 A JP 21171584A JP H0347004 B2 JPH0347004 B2 JP H0347004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- transistor
- emitter
- base
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般の電子機器に使用されるトランジ
スタ発振器の改良に関するものである。
スタ発振器の改良に関するものである。
従来の発振回路は発振周波数の安定度を向上さ
せる為に補償回路が付加されているが、この補償
回路は電源投入直後の過渡状態における発振周波
数の安定度向上には効果がない。
せる為に補償回路が付加されているが、この補償
回路は電源投入直後の過渡状態における発振周波
数の安定度向上には効果がない。
この為、例えばこの様な発振器を使用して単側
帯波通信を行う場合、上記の過渡状態の期間は受
信不能になる可能性があるので、この期間は相手
局からの信号を受信しない様にするか、又は受信
局部発振器の発振周波数を手動で調整しながら、
相手局からの信号を受信しなければならない場合
が生ずる。
帯波通信を行う場合、上記の過渡状態の期間は受
信不能になる可能性があるので、この期間は相手
局からの信号を受信しない様にするか、又は受信
局部発振器の発振周波数を手動で調整しながら、
相手局からの信号を受信しなければならない場合
が生ずる。
この為、電源投入直後の過渡状態にある発振周
波数の変動の補償に効果のあるバイアス安定化回
路が要望されていた。
波数の変動の補償に効果のあるバイアス安定化回
路が要望されていた。
第３図は従来例の回路図を示す。
図に示した発振回路１はクラツプ型である。
この回路は、水晶振動子２を含む直列共振回路
の共振周波数でほぼ発振し、発振周波数はコルピ
ツツ型等の他の発振器に比べて安定である。
の共振周波数でほぼ発振し、発振周波数はコルピ
ツツ型等の他の発振器に比べて安定である。
又、トランジスタ４のベース電流（以下Ibと省
略する）はダイオード５及び抵抗器６，７から構
成されるバイアス電流供給回路から供給される
が、トランジスタ４の自己発熱による温度上昇が
ほぼ飽和状態になつた後は、トランジスタ４のベ
ース・エミツタ間電圧（以下Vbeと省略する）と
ダイオード５の両端の電圧の温度変化が近似して
いるので、Ibは一定に保たれ、発振周波数の安定
度が向上する。
略する）はダイオード５及び抵抗器６，７から構
成されるバイアス電流供給回路から供給される
が、トランジスタ４の自己発熱による温度上昇が
ほぼ飽和状態になつた後は、トランジスタ４のベ
ース・エミツタ間電圧（以下Vbeと省略する）と
ダイオード５の両端の電圧の温度変化が近似して
いるので、Ibは一定に保たれ、発振周波数の安定
度が向上する。
しかし、電源電圧投入直後はトランジスタ４の
自己発熱による温度上昇が飽和状態に迄なつてい
なので、トランジスタ４のVbeとダイオード５の
両端の電圧の温度特性が異なるためにトランジス
タ４のIdが変化し、更に接合容量CbeとCceとが
変化する為、発振周波数が変化する。
自己発熱による温度上昇が飽和状態に迄なつてい
なので、トランジスタ４のVbeとダイオード５の
両端の電圧の温度特性が異なるためにトランジス
タ４のIdが変化し、更に接合容量CbeとCceとが
変化する為、発振周波数が変化する。
即ち、電源投入直後の過渡状態では、発振周波
数の安定度向上に効果がないと云う問題点があつ
た。
数の安定度向上に効果がないと云う問題点があつ
た。
上記の問題点は、発振用トランジスタのベース
を水晶発振器を含む直列共振回路に接続し、エミ
ツタを発振出力を取り出すエミツタ抵抗に接続
し、コレクタを電源に接続したトランジスタ発振
回路において、該電源を投入した時から自己発熱
によるベース・エミツタ間の電圧変化特性が該発
振用トランジスタのベース・エミツタ間の電圧変
化特性とほぼ同一の発振周波数補償用トランジス
タのベースを、抵抗及び高周波チヨークを介して
該電源及び発振用トランジスタのベースに接続
し、コレクタを、該電源に接続し、エミツタを、
該発振用トランジスタのエミツタに接続された抵
抗とほぼ同じ抵抗値を有し、一端が接地された別
のエミツタ抵抗の他端に接続して構成したことを
特徴とするバイアス安定化回路により解決され
る。
を水晶発振器を含む直列共振回路に接続し、エミ
ツタを発振出力を取り出すエミツタ抵抗に接続
し、コレクタを電源に接続したトランジスタ発振
回路において、該電源を投入した時から自己発熱
によるベース・エミツタ間の電圧変化特性が該発
振用トランジスタのベース・エミツタ間の電圧変
化特性とほぼ同一の発振周波数補償用トランジス
タのベースを、抵抗及び高周波チヨークを介して
該電源及び発振用トランジスタのベースに接続
し、コレクタを、該電源に接続し、エミツタを、
該発振用トランジスタのエミツタに接続された抵
抗とほぼ同じ抵抗値を有し、一端が接地された別
のエミツタ抵抗の他端に接続して構成したことを
特徴とするバイアス安定化回路により解決され
る。
本発明は、発振回路における電源投入直後の大
きな周波数変動が、発振用トランジスタの自己発
熱によるバイアス点の変化による、発振用トラン
ジスタの接合容量の変化が大きな原因である事に
着目し、電源投入直後からバイアス点が変化しな
い様にすれば、発振周波数の安定度が向上する事
が判つた。
きな周波数変動が、発振用トランジスタの自己発
熱によるバイアス点の変化による、発振用トラン
ジスタの接合容量の変化が大きな原因である事に
着目し、電源投入直後からバイアス点が変化しな
い様にすれば、発振周波数の安定度が向上する事
が判つた。
そこで、バイアス電圧の変動を補償する素子と
してトランジスタを用い、且つそのトランジスタ
に発振用トランジスタと同一の熱損失を持たせる
事により、電源投入時から発振用トランジスタの
自己発熱によるVbeの変化に、供給バイアス電圧
が追髄できる様にしたものである。
してトランジスタを用い、且つそのトランジスタ
に発振用トランジスタと同一の熱損失を持たせる
事により、電源投入時から発振用トランジスタの
自己発熱によるVbeの変化に、供給バイアス電圧
が追髄できる様にしたものである。
これにより、従来に比較した発振周波数の安定
度は例えば約10倍も向上し、電子機器の迅速な運
用が可能となつた。
度は例えば約10倍も向上し、電子機器の迅速な運
用が可能となつた。
以下図示実施例により、本発明の要旨を具体的
に説明する。尚、全図を通じて同一符号は同一対
象物を示す。
に説明する。尚、全図を通じて同一符号は同一対
象物を示す。
第１図は本発明の１実施例の回路図を示す。
発振回路１はクラツプ型の発振回路で、バイア
ス電流供給回路はトランジスタ８、抵抗器９及び
１０から構成されている。
ス電流供給回路はトランジスタ８、抵抗器９及び
１０から構成されている。
ここで、トランジスタ４と８とのVbeの温度変
化を同一にする為、ペア・トランジスタで同一パ
ツケージに収容された物を使用する。
化を同一にする為、ペア・トランジスタで同一パ
ツケージに収容された物を使用する。
この為、トランジスタ４と８の周囲温度に起因
するVbeの変化が同一となり、トランジスタ４の
Ibは周囲の温度変化に対して一定となる。
するVbeの変化が同一となり、トランジスタ４の
Ibは周囲の温度変化に対して一定となる。
更に、トランジスタ４と８のエミツタ抵抗器１
１と１０を等しくすると、２つのトランジスタ４
及び８のコレクタ電流１Ｃ及びコレクタ・エミツ
タ間の電圧Vceは等しくなるので、電力損失も等
しくなる。
１と１０を等しくすると、２つのトランジスタ４
及び８のコレクタ電流１Ｃ及びコレクタ・エミツ
タ間の電圧Vceは等しくなるので、電力損失も等
しくなる。
そこで、電源投入時にトランジスタ４と８の自
己発熱によるVbeの変化はほぼ等しくなるので、
バイアス点は常に一定に保たれる。
己発熱によるVbeの変化はほぼ等しくなるので、
バイアス点は常に一定に保たれる。
第２図は発振周波数の変動例を示す図である。
図の様に本発明のバイアス安定回路を適用する
事により、発振周波数の安定度が例えば約10倍改
善されている事が判る。
事により、発振周波数の安定度が例えば約10倍改
善されている事が判る。
本発明によれば、電源投入直後でも発振周波数
の安定度が大きい為、電子機器内の発振回路の予
熱時間は不要にする事ができ、電子機器の迅速な
運用、総消費電力の削減等が可能となる。
の安定度が大きい為、電子機器内の発振回路の予
熱時間は不要にする事ができ、電子機器の迅速な
運用、総消費電力の削減等が可能となる。
又、極めて少ない部品でこれを実現できるので
コストアツプにはならないという種々の効果があ
る。
コストアツプにはならないという種々の効果があ
る。
第１図は本発明の１実施例の回路図、第２図は
発振周波数の変化図、第３図は従来例の回路図を
示す。 図において、１は発振回路、２は水晶発振子、
４及び８はトランジスタを、６，７，９及び１０
は抵抗器を示す。
発振周波数の変化図、第３図は従来例の回路図を
示す。 図において、１は発振回路、２は水晶発振子、
４及び８はトランジスタを、６，７，９及び１０
は抵抗器を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発振用トランジスタのベースを水晶発振器を
含む直列共振回路に接続し、エミツタを発振出力
を取り出すエミツタ抵抗に接続し、コレクタを電
源に接続したトランジスタ発振回路において、 該電源を投入した時から自己発熱によるベー
ス・エミツタ間の電圧変化特性が該発振用トラン
ジスタのベース・エミツタ間の電圧変化特性とほ
ぼ同一の発振周波数補償用トランジスタのベース
を、抵抗及び高周波チヨークを介して該電源及び
発振用トランジスタのベースに接続し、 コレクタを、該電源に接続し、 エミツタを、該発振用トランジスタのエミツタ
に接続された抵抗とほぼ同じ抵抗値を有し、一端
が接地された別のエミツタ抵抗の他端に接続して
構成したことを特徴とするバイアス安定化回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21171584A JPS61112406A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | バイアス安定化回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21171584A JPS61112406A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | バイアス安定化回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112406A JPS61112406A (ja) | 1986-05-30 |
| JPH0347004B2 true JPH0347004B2 (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=16610397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21171584A Granted JPS61112406A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | バイアス安定化回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61112406A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710730A (en) * | 1987-03-20 | 1987-12-01 | Motorola, Inc. | Data clock oscillator having accurate duty cycle |
| JPH01112786U (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59176908A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-06 | Hitachi Ltd | 高周波発振器 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21171584A patent/JPS61112406A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59176908A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-06 | Hitachi Ltd | 高周波発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61112406A (ja) | 1986-05-30 |
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