JPH0461522B2 - - Google Patents
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- JPH0461522B2 JPH0461522B2 JP57197821A JP19782182A JPH0461522B2 JP H0461522 B2 JPH0461522 B2 JP H0461522B2 JP 57197821 A JP57197821 A JP 57197821A JP 19782182 A JP19782182 A JP 19782182A JP H0461522 B2 JPH0461522 B2 JP H0461522B2
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- JP
- Japan
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- resistor
- transistor
- thermistor
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Links
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は温度補償回路に関し、特に、クリスタ
ル発振器の電圧可変キヤパシタ（バリキヤツプ・
ダイオード）に温度補償電圧を供給する温度補償
回路に関する。
ル発振器の電圧可変キヤパシタ（バリキヤツプ・
ダイオード）に温度補償電圧を供給する温度補償
回路に関する。
圧電クリスタルを用いる発振器は比較的安定な
周波数を有しているが、クリスタルは温度変化に
対して敏感である。たとえば、温度が特定の温度
（たとえば０℃）以下に下るにつれてクリスタル
の発振周波数は下る。温度が特定の温度（０℃）
以上に上昇するにつれてクリスタルの発振周波数
は下り、その後発振周波数が上る。
周波数を有しているが、クリスタルは温度変化に
対して敏感である。たとえば、温度が特定の温度
（たとえば０℃）以下に下るにつれてクリスタル
の発振周波数は下る。温度が特定の温度（０℃）
以上に上昇するにつれてクリスタルの発振周波数
は下り、その後発振周波数が上る。
本発明の一面に従つて簡略に述べると、本発明
は、トランジスタに接続されたサーミスタと抵抗
とを持つ低温度路を有し、温度が特定温度以下に
下ると第１の方向に変化する補償電圧を供給する
改良温度補償回路を提供する。この補償電圧は、
特定温度以下でのクリスタルの発振周波数の低下
を補償するために、クリスタル発振器の電圧可変
キヤパシタに印加される。温度が特定温度よりも
上ると、同様に第１の方向に変化する補償電圧を
トランジスタから供給する。温度がさらに高くな
ると、トランジスタは飽和し補償電圧の変化を止
める。さらに高い温度に対しては、トランジスタ
に第２のサーミスタを接続して、第２の方向に変
化する補償電圧を供給している。
は、トランジスタに接続されたサーミスタと抵抗
とを持つ低温度路を有し、温度が特定温度以下に
下ると第１の方向に変化する補償電圧を供給する
改良温度補償回路を提供する。この補償電圧は、
特定温度以下でのクリスタルの発振周波数の低下
を補償するために、クリスタル発振器の電圧可変
キヤパシタに印加される。温度が特定温度よりも
上ると、同様に第１の方向に変化する補償電圧を
トランジスタから供給する。温度がさらに高くな
ると、トランジスタは飽和し補償電圧の変化を止
める。さらに高い温度に対しては、トランジスタ
に第２のサーミスタを接続して、第２の方向に変
化する補償電圧を供給している。
本発明の要旨は、特許請求の範囲に具体的に明
確に記載されているが、本発明の構成、作用なら
びに効果は、添付の図面ならびに以下の説明から
一層よく理解されよう。
確に記載されているが、本発明の構成、作用なら
びに効果は、添付の図面ならびに以下の説明から
一層よく理解されよう。
本発明の種々の回路を説明するまえに、第４図
に破線で示した曲線を参照する。この曲線は、代
表的なクリスタルの発振周波数の変化を温度の関
数として示した一例である。図示するように、特
定の温度（０℃）に関して、温度がそれより低く
なると部分４０で示されるようにクリスタルの発
振周波数が下る。温度が０℃より高くなると、部
分４１で示されるようにクリスタルの発振周波数
は同様に低くなる。この発振周波数は約＋40℃で
極小点に達する。さらに温度が高くなると、クリ
スタルの発振周波数は部分４２で示されるように
高くなる。したがつて、クリスタルが比較的広い
温度範囲（たとえば、−30℃から＋60℃）にわた
つて動作する場合に、クリスタルによつて制御さ
れる発振器が比較的安定な周波数を有するように
クリスタルの発振周波数の変化を補償するなんら
かの手段が必要となることがわかる。本発明の実
施例は、第４図の破線で示された変化と逆に、す
なわち反対に変化する電圧をつくることによつて
このような補償を提供するものである。当該技術
で知られているように、このような電圧変化はク
リスタル発振器回路に接続された電圧可変キヤパ
シタ（たとえば、バリキヤツプ・ダイオード）に
印加され、クリスタルの発振周波数変化を補正し
補償するようにバリキヤツプ・ダイオードの容量
を変化させている。従つて、発振器の発振周波数
はかなり広い温度範囲にわたつて比較的安定に保
持できる。
に破線で示した曲線を参照する。この曲線は、代
表的なクリスタルの発振周波数の変化を温度の関
数として示した一例である。図示するように、特
定の温度（０℃）に関して、温度がそれより低く
なると部分４０で示されるようにクリスタルの発
振周波数が下る。温度が０℃より高くなると、部
分４１で示されるようにクリスタルの発振周波数
は同様に低くなる。この発振周波数は約＋40℃で
極小点に達する。さらに温度が高くなると、クリ
スタルの発振周波数は部分４２で示されるように
高くなる。したがつて、クリスタルが比較的広い
温度範囲（たとえば、−30℃から＋60℃）にわた
つて動作する場合に、クリスタルによつて制御さ
れる発振器が比較的安定な周波数を有するように
クリスタルの発振周波数の変化を補償するなんら
かの手段が必要となることがわかる。本発明の実
施例は、第４図の破線で示された変化と逆に、す
なわち反対に変化する電圧をつくることによつて
このような補償を提供するものである。当該技術
で知られているように、このような電圧変化はク
リスタル発振器回路に接続された電圧可変キヤパ
シタ（たとえば、バリキヤツプ・ダイオード）に
印加され、クリスタルの発振周波数変化を補正し
補償するようにバリキヤツプ・ダイオードの容量
を変化させている。従つて、発振器の発振周波数
はかなり広い温度範囲にわたつて比較的安定に保
持できる。
第１図は本発明の補償回路の一部分を示し、低
温度ならびに中温度範囲での温度補償電圧を供給
するものである。この回路は、基準端子または接
地端子１１に対して、直流電圧Ｂ＋を端子１０に
印加する適当な電源を含む。サーミスタRTと通
常の抵抗Ｒ１とが端子１０および１１間の低温度
範囲直列回路内に接続されている。当該技術で知
られているように、サーミスタRTは温度に対し
て逆に変化する抵抗特性を有している。従つて、
温度が下がるとサーミスタRTの抵抗が増加し、
また温度が上るとサーミスタRTの抵抗が減少す
る。第２の中温度範囲直列回路が端子１０および
１１間に接続されている。この回路は、抵抗Ｒ
５，NPNトランジスタＱ１のコレクタ・エミツ
タ電極、ならびに抵抗Ｒ３を含む。抵抗Ｒ４は、
サーミスタRTと抵抗Ｒ１との接続点をトランジ
スタＱ１の制御電極又はベースに接続している。
バイアス抵抗Ｒ２が端子１０とトランジスタＱ１
のエミツタとの間に接続されている。出力端子１
２はトランジスタＱ１のコレクタに接続されて、
端子１１に対して出力電圧Vputを導き出す。
温度ならびに中温度範囲での温度補償電圧を供給
するものである。この回路は、基準端子または接
地端子１１に対して、直流電圧Ｂ＋を端子１０に
印加する適当な電源を含む。サーミスタRTと通
常の抵抗Ｒ１とが端子１０および１１間の低温度
範囲直列回路内に接続されている。当該技術で知
られているように、サーミスタRTは温度に対し
て逆に変化する抵抗特性を有している。従つて、
温度が下がるとサーミスタRTの抵抗が増加し、
また温度が上るとサーミスタRTの抵抗が減少す
る。第２の中温度範囲直列回路が端子１０および
１１間に接続されている。この回路は、抵抗Ｒ
５，NPNトランジスタＱ１のコレクタ・エミツ
タ電極、ならびに抵抗Ｒ３を含む。抵抗Ｒ４は、
サーミスタRTと抵抗Ｒ１との接続点をトランジ
スタＱ１の制御電極又はベースに接続している。
バイアス抵抗Ｒ２が端子１０とトランジスタＱ１
のエミツタとの間に接続されている。出力端子１
２はトランジスタＱ１のコレクタに接続されて、
端子１１に対して出力電圧Vputを導き出す。
第２図は、第１図に示す回路の動作を説明する
曲線を示す。低温度、例えば−40℃においてサー
ミスタRTは比較的高い抵抗を有するので、RT
と抵抗器Ｒ１によつて作られるトランジスタＱ１
のベース電圧は、抵抗器Ｒ２及びＲ３によつて作
られるエミツタのバイアス電圧より低く、トラン
ジスタＱ１はカツトオフ状態にある。従つてコレ
クタ電流は殆ど流れず、負荷抵抗Ｒ５における電
圧降下を無視しうるので、出力電圧Vputは電源電
圧にほぼ等しい。
曲線を示す。低温度、例えば−40℃においてサー
ミスタRTは比較的高い抵抗を有するので、RT
と抵抗器Ｒ１によつて作られるトランジスタＱ１
のベース電圧は、抵抗器Ｒ２及びＲ３によつて作
られるエミツタのバイアス電圧より低く、トラン
ジスタＱ１はカツトオフ状態にある。従つてコレ
クタ電流は殆ど流れず、負荷抵抗Ｒ５における電
圧降下を無視しうるので、出力電圧Vputは電源電
圧にほぼ等しい。
温度が上昇してサーミスタRTの抵抗が減少
し、トランジスタＱ１のベース電圧がエミツタの
バイアス電圧より高くなるとトランジスタＱ１は
導通を開始し、負荷抵抗Ｒ５における電圧降下に
より出力電圧Vputは第２図の曲線部分２０のよう
に降下する。この状態ではトランジスタＱ１の入
力抵抗は極めて高く、ベース電流は微小であるか
ら、抵抗器Ｒ４における電圧降下を無視でき、サ
ーミスタRTと抵抗器Ｒ１との接続点の電圧をそ
のままベース電圧とみなして差し支えない。
し、トランジスタＱ１のベース電圧がエミツタの
バイアス電圧より高くなるとトランジスタＱ１は
導通を開始し、負荷抵抗Ｒ５における電圧降下に
より出力電圧Vputは第２図の曲線部分２０のよう
に降下する。この状態ではトランジスタＱ１の入
力抵抗は極めて高く、ベース電流は微小であるか
ら、抵抗器Ｒ４における電圧降下を無視でき、サ
ーミスタRTと抵抗器Ｒ１との接続点の電圧をそ
のままベース電圧とみなして差し支えない。
温度がさらに上昇すると出力電圧Vputは引き続
き降下を続け、コレクタ・ベース間電圧が減少す
る。その結果、ある所定温度に達するとトランジ
スタＱ１は飽和して、コレクタ電流がその以上増
加しなくなる。この状態では、出力電圧Vputは温
度に無関係に、抵抗器群Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５の抵抗
値によつて実質的に定まるある低い値を維持す
る。第２図の曲線部分２１はこの状態を示してい
る。従つて抵抗器群Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５の抵抗値を
適当に選ぶことによつて、飽和点２１の値を定め
ることができる。
き降下を続け、コレクタ・ベース間電圧が減少す
る。その結果、ある所定温度に達するとトランジ
スタＱ１は飽和して、コレクタ電流がその以上増
加しなくなる。この状態では、出力電圧Vputは温
度に無関係に、抵抗器群Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５の抵抗
値によつて実質的に定まるある低い値を維持す
る。第２図の曲線部分２１はこの状態を示してい
る。従つて抵抗器群Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５の抵抗値を
適当に選ぶことによつて、飽和点２１の値を定め
ることができる。
トランジスタＱ１が飽和すると入力抵抗は顕著
に低下して、ベース・コレクタ間の電圧が逆転し
た状態では比較的大きいベース電流が流れる。ベ
ース電流は抵抗器Ｒ４に電圧降下を生じさせると
ともに、エミツタに流れ込んでエミツタ電圧を上
昇させる。またこの状態ではコレクタ・エミツタ
間の電圧降下は無視しうる値になつているから、
ベース電流により押し上げられたエミツタ電圧は
ほとんどそのまま出力電圧Vputとして現れる。
に低下して、ベース・コレクタ間の電圧が逆転し
た状態では比較的大きいベース電流が流れる。ベ
ース電流は抵抗器Ｒ４に電圧降下を生じさせると
ともに、エミツタに流れ込んでエミツタ電圧を上
昇させる。またこの状態ではコレクタ・エミツタ
間の電圧降下は無視しうる値になつているから、
ベース電流により押し上げられたエミツタ電圧は
ほとんどそのまま出力電圧Vputとして現れる。
すなわち第２図の曲線部分２１を越えてさらに
温度が上昇すると、ベース電圧の上昇に引きずら
れる形で出力電圧Vputは再び上昇に転じる。そし
て電源電圧からベース・エミツタ間電圧降下VBE
を差し引いた値に向かつて、第２図の曲線２２な
いし２３に示すように飽和傾向を伴いつつ漸近的
に近づく。この飽和傾向は、主としてベース電流
の抵抗器Ｒ４における電圧降下と、トランジスタ
Ｑ１の入力抵抗がサーミスタRTの抵抗値とほぼ
同程度になることによるものであり、曲線２２に
示すように抵抗器Ｒ４の抵抗値が大きい程強く現
れる。従つて抵抗器Ｒ４の値を適当に選ぶことに
より、飽和点２１より高温側の曲線の形状を定め
ることができる。
温度が上昇すると、ベース電圧の上昇に引きずら
れる形で出力電圧Vputは再び上昇に転じる。そし
て電源電圧からベース・エミツタ間電圧降下VBE
を差し引いた値に向かつて、第２図の曲線２２な
いし２３に示すように飽和傾向を伴いつつ漸近的
に近づく。この飽和傾向は、主としてベース電流
の抵抗器Ｒ４における電圧降下と、トランジスタ
Ｑ１の入力抵抗がサーミスタRTの抵抗値とほぼ
同程度になることによるものであり、曲線２２に
示すように抵抗器Ｒ４の抵抗値が大きい程強く現
れる。従つて抵抗器Ｒ４の値を適当に選ぶことに
より、飽和点２１より高温側の曲線の形状を定め
ることができる。
第２図に示す曲線と第４図の破線の部分４０お
よび４１とを比較すれば、低温度および中温度範
囲の補償電圧が与えられていることがわかる。こ
の補償電圧は比較的簡単な回路で与えられてお
り、たとえば、高温度範囲で周波数安定性がさし
て重要でない発振器のような種々の用途に適して
いる。
よび４１とを比較すれば、低温度および中温度範
囲の補償電圧が与えられていることがわかる。こ
の補償電圧は比較的簡単な回路で与えられてお
り、たとえば、高温度範囲で周波数安定性がさし
て重要でない発振器のような種々の用途に適して
いる。
中温度および低温度と共に高温度に於いても、
さらに周波数安定性を必要とする用途において
は、本発明の好ましい一実施例を示す第３図の回
路が好適な補償電圧を与える。第３図は第１図と
類似し、その対応する部分には同一の参照数字を
付してある。第３図では、さらに、高温度回路が
設けられ、この高温度回路はトランジスタＱ１の
コレクタと基準端子１１との間に接続された直流
回路により成る。この回路は、抵抗Ｒ６、第２の
サーミスタRT１および抵抗Ｒ７を含む。出力端
子１２は抵抗Ｒ６とサーミスタRT１との接続点
に接続されている。第３図の回路の動作を第４図
の実線で示す電圧曲線を参照して説明する。低温
度および中温度においての動作は、第１図の回路
の動作と同様であつて、第２図の部分２０，２１
および２２に対応する部分２０′，２１′および２
２′によつて示されている。しかし、温度が上り
つづけると、第２のサーミスタRT１の大きさが
かなり減少し、その結果、出力電圧が第４図に示
す曲線の部分２３で示されるように減少する。第
４図の実線で示す補償電圧曲線と第４図の破線で
示す周波数変化曲線との比較は、温度によるクリ
スタルの周波数変化に対する第３図の回路の温度
補償効果を説明している。
さらに周波数安定性を必要とする用途において
は、本発明の好ましい一実施例を示す第３図の回
路が好適な補償電圧を与える。第３図は第１図と
類似し、その対応する部分には同一の参照数字を
付してある。第３図では、さらに、高温度回路が
設けられ、この高温度回路はトランジスタＱ１の
コレクタと基準端子１１との間に接続された直流
回路により成る。この回路は、抵抗Ｒ６、第２の
サーミスタRT１および抵抗Ｒ７を含む。出力端
子１２は抵抗Ｒ６とサーミスタRT１との接続点
に接続されている。第３図の回路の動作を第４図
の実線で示す電圧曲線を参照して説明する。低温
度および中温度においての動作は、第１図の回路
の動作と同様であつて、第２図の部分２０，２１
および２２に対応する部分２０′，２１′および２
２′によつて示されている。しかし、温度が上り
つづけると、第２のサーミスタRT１の大きさが
かなり減少し、その結果、出力電圧が第４図に示
す曲線の部分２３で示されるように減少する。第
４図の実線で示す補償電圧曲線と第４図の破線で
示す周波数変化曲線との比較は、温度によるクリ
スタルの周波数変化に対する第３図の回路の温度
補償効果を説明している。
当業者にとつてNPNトランジスタの代りに
PNPタイプトランジスタを使用できることは理
解されよう。第５および６図はPNPトランジス
タＱ２を用いた回路図を示す。第５図は第１図と
同様もしくは類似であつて低温度および中温度範
囲での補償電圧を与えている。第６図は第３図と
類似であつて低温度、中温度および高温度範囲で
の補償電圧を与えている。
PNPタイプトランジスタを使用できることは理
解されよう。第５および６図はPNPトランジス
タＱ２を用いた回路図を示す。第５図は第１図と
同様もしくは類似であつて低温度および中温度範
囲での補償電圧を与えている。第６図は第３図と
類似であつて低温度、中温度および高温度範囲で
の補償電圧を与えている。
以上、クリスタル発振器等の電圧可変キヤパシ
タに用いられる新規な改良温度補償回路を説明し
た。限られた数の実施例を説明したが、変形例を
つくることは当業者にとつて理解できよう。たと
えば、サーミスタおよび抵抗の厳密な特性および
大きさは特定の要求に合致するように変化させる
ことができる。抵抗Ｒ４の代りに、トランジスタ
のベースと、サーミスタRTと抵抗Ｒ１との接続
点との間を直接接続することができる。このよう
な変形においては、回路動作の要求に従つてサー
ミスタRTと端子１０との間に抵抗を直列に挿入
してもよい。トランジスタＱ１およびＱ２の代わ
りに他のタイプの半導体デバイスを使用すること
もできる。しかし、トランジスタが飽和するとベ
ース電圧がコレクタ電圧を変化させることができ
るので、このように飽和するトランジスタを用い
るのが好ましい。したがつて、本発明を特定の実
施例を参照して説明したが、本発明の精神あるい
は特許請求の範囲から逸脱することなく種々の変
形をなし得ることが理解されるべきである。
タに用いられる新規な改良温度補償回路を説明し
た。限られた数の実施例を説明したが、変形例を
つくることは当業者にとつて理解できよう。たと
えば、サーミスタおよび抵抗の厳密な特性および
大きさは特定の要求に合致するように変化させる
ことができる。抵抗Ｒ４の代りに、トランジスタ
のベースと、サーミスタRTと抵抗Ｒ１との接続
点との間を直接接続することができる。このよう
な変形においては、回路動作の要求に従つてサー
ミスタRTと端子１０との間に抵抗を直列に挿入
してもよい。トランジスタＱ１およびＱ２の代わ
りに他のタイプの半導体デバイスを使用すること
もできる。しかし、トランジスタが飽和するとベ
ース電圧がコレクタ電圧を変化させることができ
るので、このように飽和するトランジスタを用い
るのが好ましい。したがつて、本発明を特定の実
施例を参照して説明したが、本発明の精神あるい
は特許請求の範囲から逸脱することなく種々の変
形をなし得ることが理解されるべきである。
第１図は本発明の中の中・低温域温度補償回路
の説明図、第２図は第１図の回路の動作を例示す
る特性図、第３図は本発明の第１の実施例の回路
図、第４図は第３図の回路の動作を例示する特性
図、そして、第５図は、第１図と同様の回路であ
るが異なつたタイプのトランジスタを用いた回路
図、第６図は本発明の第２の実施例の回路図であ
り、第３図と同様の回路であるが異なつたタイプ
のトランジスタを用いた回路である。 RT，RT１……サーミスタ、Ｒ１〜Ｒ７……
抵抗、Ｑ１……NPNトランジスタ、Ｑ２……
PNPトランジスタ。
の説明図、第２図は第１図の回路の動作を例示す
る特性図、第３図は本発明の第１の実施例の回路
図、第４図は第３図の回路の動作を例示する特性
図、そして、第５図は、第１図と同様の回路であ
るが異なつたタイプのトランジスタを用いた回路
図、第６図は本発明の第２の実施例の回路図であ
り、第３図と同様の回路であるが異なつたタイプ
のトランジスタを用いた回路である。 RT，RT１……サーミスタ、Ｒ１〜Ｒ７……
抵抗、Ｑ１……NPNトランジスタ、Ｑ２……
PNPトランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ａ 各々正および負の直流電圧に接続される
第１および第２の端子と、 ｂ 前記第１および第２の端子間に順次直列接続
された第１のサーミスタおよび第１の抵抗と、 ｃ 前記第１および第２の端子間に順次直列接続
された第５の抵抗、NPNトランジスタのコレ
クタ・エミツタ路および第３の抵抗と、 ｄ 前記トランジスタのベースと、前記第１のサ
ーミスタと第１の抵抗との接続点との間に接続
された所定のインピーダンスの第４の抵抗と、 ｅ 前記第１の端子と前記トランジスタのエミツ
タとの間に接続された第２の抵抗とを有し、 ｆ 前記第１のサーミスタは、温度が上昇すると
その抵抗値を減少して前記トランジスタのコレ
クタ電圧を下げ、所定温度以上では前記トラン
ジスタを飽和させるとともに、ベース電圧の上
昇に従つてコレクタ電圧を上げ、更に、 ｇ 前記トランジスタのコレクタと前記第２の端
子との間に直列接続された第６の抵抗、第２の
サーミスタおよび第７の抵抗を含む付加直列回
路を有し、第２のサーミスタの抵抗は温度の増
加とともに減少し、 ｈ その結果、該付加直列回路から導き出される
出力電圧が、温度の増加とともに一旦減少し、
次いで上昇し、再度減少する温度補償回路。 ２ ａ 各々正および負の直流電圧に接続される
第１および第２の端子と、 ｂ 前記第１および第２の端子間に順次直列接続
された第１の抵抗および第１のサーミスタと、 ｃ 前記第１および第２の端子間に順次直列接続
された第３の抵抗、PNPトランジスタのエミ
ツタ・コレクタ路および第５の抵抗と、 ｄ 前記トランジスタのベースと、前記第１の抵
抗と前記第１のサーミスタとの接続点との間に
接続された所定のインピーダンスの第４の抵抗
と、 ｅ 前記第２の端子と前記トランジスタのエミツ
タとの間に接続された第２の抵抗とを有し、 ｆ 前記第１のサーミスタは、温度が上昇すると
その抵抗値を減少して前記トランジスタのコレ
クタ電圧を上げ、所定温度以上では前記トラン
ジスタを飽和させるとともに、ベース電圧の低
下に従つてコレクタ電圧を下げ、更に、 ｇ 前記トランジスタのコレクタと前記第１の端
子との間に直列接続された第６の抵抗、第２の
サーミスタおよび第７の抵抗を含む付加直列回
路を有し、第２のサーミスタの抵抗は温度の増
加とともに減少し、 ｈ その結果、該付加直列回路から導き出される
出力電圧が、温度の増加とともに一旦減少し、
次いで上昇し、再度減少する温度補償回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/320,424 US4456892A (en) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | Temperature compensating circuit for use with crystal oscillators and the like |
| US320424 | 1989-03-08 |
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Family
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Family Applications (1)
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| JP57197821A Granted JPS5895408A (ja) | 1981-11-12 | 1982-11-12 | 改良温度補償回路 |
Country Status (2)
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS495179A (ja) * | 1972-03-27 | 1974-01-17 |
Also Published As
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| JPS5895408A (ja) | 1983-06-07 |
| US4456892A (en) | 1984-06-26 |
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