JP2956781B2 - エミッタ結合マルチバイブレータ回路 - Google Patents

エミッタ結合マルチバイブレータ回路

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JP2956781B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、２つのスイッチングトランジスタを有する
発振器回路と、電流制御回路と、少なくとも１つの基準
電圧を生じる電圧源回路とを具えるエミッタ結合マルチ
バイブレータ回路に関するものである。
（従来の技術） エミッタ結合されたマルチバイブレータの動作原理に
本質的に基いており、バイポラー集積回路の分野に用い
られている周波数可制御発振器、例えば電圧又は電流制
御発振器（VCO又はCCO）や、位相制御回路における固定
発振器や周波数変調器の上述した回路はドイツ連邦共和
国特許第 ED PS 2540867 C2号及び第P3632458 C2 号明
細書に記載されており既知である。
既知の分野では特に、電源電圧に依存せずに変動のな
い発振周波数が望まれている。変動が所望の通りに生じ
ないようにするためには、本質的に、コンデンサの充電
電流や、上側及び下側しきい値電圧の発生時に発振器を
トリガするこれら上側及び下側しきい値電圧を温度に依
存しないようにするか、或いはこれらの依存性を互いに
補償するようにする必要がある。
エミッタ結合されたマルチバイブレータの周波数変動
を減少せしめうる方法は前記ドイツ連邦共和国特許明細
書に記載されており既知である。しかし、このドイツ連
邦共和国特許明細書に記載されている２つの既知の方法
は、集積回路の大量生産に特に適さず或いは極めて複雑
な回路網を必要とするという欠点がある。
例えば、ドイツ連邦共和国特許第DE PS 2540867 C2号
明細書には、２つのスイッチングトランジスタと、これ
らスイッチングトランジスタのエミッタ電極間の時間制
御キャパシタと、これらスイッチングトランジスタのエ
ッミタ電極及び固定電位点間に接続された２つの電流源
とを具え、供給電流が基準電圧により制御され、一方、
前記のスイッチングトランジスタのコレクタ電流を制御
する複雑な装置が、前記の時間制御キャパシタの端子間
電圧が前記の第１及び第２電流源により供給される電流
の所定の倍数に等しい電流の流れで半導体接合の空乏層
電圧にほぼ等しくなった際にマルチバイブレータがトリ
ガするように設けられている温度補償エミッタ結合マル
チバイブレータ回路が開示されている。このマルチバイ
ブレータ回路に更に、電流源に対する基準電圧が半導体
接合の空乏層電圧にほぼ等しくなるようにこの基準電圧
を生ぜしめる一層複雑な装置が設けられている。このよ
うな原理的な回路は上述したところで既に極めて複雑で
ある。しかも、同じ又はより一層好まし温度条件の下で
マルチバイブレータの周波数を直線的に変える電圧制御
を望む場合には回路が一層複雑となる。これに対応する
回路は、トランジスタの電流増幅率が温度に依存して変
化する為に生じる温度依存ベース電流変化を減少させる
ことを目的としている。適切な原理としては、２つの方
法、すなわちダーリントントランジスタを用いているこ
とによりトランジスタのベース電流を減少させる方法
と、不都合な温度依存ベース電流にほぼ等しい補償用の
温度依存電流を生ぜしめる回路を付加する方法とが用い
られている。しかしこのような回路は依然として集積回
路の大量生産に適しているも、極めて複雑で妨害が生じ
るおそれがある。
（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、温度及び電源電圧の変動に依存せ
ず、構成素子が少数で、特に集積回路技術で大量生産に
適している、可調整発振周波数を生じるエミッタ結合マ
ルチバイブレータ回路を提供せんとするにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は、２つのスイッチングトランジスタを有する
発振回路と、電流制御回路と、少なくとも１つの基準電
圧を生じる電圧源回路を具えるエミッタ結合マルチバイ
ブレータ回路において、 前記のスイッチングトランジスタのコレクタが低しき
い値電圧用の２つの第１インタセプトトランジスタのコ
レクタ−エミッタ分岐にそれぞれ結合され且つ高しきい
値電圧用の２つの第２インタセプトトランジスタのコレ
クタ−エミッタ分岐にそれぞれ結合され、しかも能動負
荷にそれぞれ結合されており、前記のインタラプトトラ
ンジスタ及び前記の能動負荷は前記の電流制御回路の一
部であり、前記の能動負荷には少なくとも２つの第１及
び第２トランジスタと電流源とを有する電流ミラー分岐
が関連しており、前記の第１インタラプトトランジスタ
は基準電圧を受けるために前記の電圧源回路に結合され
ており、前記の第２インタラプトトランジスタは前記の
電流ミラー分岐の第２トランジスタのエミッタ結合され
ており、前記のインタラプトトランジスタのエミッタ表
面積が対で前記の電流ミラー分岐のトランジスタのエミ
ッタ表面積に対してある比率となっており、前記の電圧
源回路は電源電圧に殆ど依存しない発振周波数を発生せ
しめるための少なくとも１つの基準電圧を生じるように
なっていることを特徴とする。
前記のスイッチングトランジスタのエミッタがキャパ
シタを経て相互接続されているとともにそれぞれトラン
ジスタと抵抗とを有する電流源を経て電流電圧の接地端
子に接続されており、これらスイッチングトランジスタ
には交差結合レベルシフトトランジスタが接続され、こ
れらレベルシフトトランジスタのコレクタは電圧源に接
続され、これらレベルシフトトランジスタのエミッタは
それぞれスイッチングトランジスタのベースに接続され
ており且つそれぞれトランジスタと抵抗とを有する電流
源を経て接地され、前記の電流源のトランジスタのベー
スが基準電圧点に接続されている発振器回路では、発振
周波数は、スイッチングトランジスタと例えばその前段
の抵抗とを流れる充放電流の値と、キャパシタの値と、
発振器をトリガするための２つの駆動兼しきい値電圧間
の所定の差とによって次式（１）に応じて決定される。
ｆ＝I0/2 UHC …（１） この式において、I0は充放電電流の値であり、Ｃはキ
ャパシタのキャパシタンスであり、UHはしきい値電圧間
の許容差である。
しきい値電圧間の差UHに対しては次式（２）の近似式
を得ることができ、この近似式は発振器回路の回路パラ
メータが応じてしきい値電圧差UHの値を示している。
UH2RI0−2UT ｎ（2e RIO/UT） …（２） ここに、Ｒは例えばスイッチングトランジスタの各コ
レクタと電源電圧の正端子との間に接続される各抵抗の
値であり、ｅは自然対数の底であり、UTは次式（３）に
より得られる。
UT＝kT/q …（３） ここにｋはボルツマン定数であり、Ｔはケルビン温度
であり、ｑは電荷素量である。このことから明らかなよ
うに、温度依存電流及び温度依存シャパシタの場合、発
振周波数は式（２）によるしきい値電圧間の差UHの温度
変動によって決定され、従って温度非依存性でない。
抵抗を有しないも、能動負荷を有し、特に電流制御回
路のトランジスタを有する前述した本発明の最初の特徴
と応じてスイッチングトランジスタが動作するという事
実により、又前記の電流ミラー分岐の第２トランジスタ
のエミッタ表面積が、互いに同じエミッタ表面積とした
前記の第１インタラプトトランジスタの各々のエミッタ
表面積のＮ倍となっており、これら第１インタラプトト
ランジスタのコレクタが電流電圧端子に結合され、前記
の電流ミラー分岐の第１トランジスタのエミッタ表面積
が、エミッタ表面積を互いに同じとした前記の第２イン
タラプトトランジスタの各々のエミッタ表面積のＰ倍と
なっており、これら第２インタラプトトランジスタのコ
レクタが接地結合されているようにすることにより、し
きい値電圧の差UHの温度非依存性を有効に得ることがで
きる。
乗数Ｎ及びＰの積は一定値、特に値11とし、これによ
り温度非依存性を保証するようにするが特に有利であ
る。また、電流ミラー分岐の第２トランジスタがダイオ
ードとして接続され、第１トランジスタがベース−コレ
クタ接続を有し、電流ミラー分岐の電流源がトランジス
タと、接地結合された抵抗との直列回路から成ってお
り、第１トランジスタのエミッタが電圧源に接続されて
いるようにするのが特に有利である。更に、能動負荷
と、電流ミラーとして作用する電流ミラー分岐の第１ト
ランジスタと、第２インタセプトトランジスタとをPNP
トランジスタとし、第１インタセプトトランジスタと、
電流ミラー分岐の第２トランジスタと、電流源として作
用するトランジスタとをNPNトランジスタにするのが有
利である。この場合、ここに述べてなかったすべてのト
ランジスタはNPNトランジスタとする必要がある。
更に、基準電圧を生じる電圧源回路が、数個の抵抗を
有する電源電圧分割用の抵抗分圧器を有するようにする
のが特に有利である。
第１抵抗の端子間電圧は電流制御回路の第１インタセ
プトトランジスタのベースに対する基準電圧として作用
し、前記の抵抗分圧器の最後の抵抗の端子間電圧は電圧
−電流変換器を接続する機能を有し、最終的に発振器回
路及び電流制御回路の電流源に対する基準電圧を生ぜし
める。
従って、発振器回路の周波数は電源電圧に依存しなく
なる。電圧源回路の抵抗を除いて回路全体をモノリシッ
ク集積回路に集積化するように実現しうる。この場合、
外部に設ける抵抗は発振周波数を補償する作用をしう
る。
（実施例） 以下図面につき説明するに、第１図に示す本発明によ
るマルチバイブレータ回路10は本質的に３つのサブ回
路、すなわち発振器回路11と、電流制御回路12と、電圧
源回路13とより成っている。電圧源回路13の外部には抵
抗14が配置されており、この抵抗14は特に電圧源回路13
を補償する作用をする。電源電圧Ｕの正端子は抵抗14の
上側ピン15に接続されている。この抵抗14はその温度変
動を無視しうるように構成するのが好ましい。この抵抗
は更に、例えばこの抵抗を除いて集積化されるように構
成するマルチバイブレータ回路10の外部抵抗を構成す
る。
発振器回路11は本質的に既知のように構成される。こ
の発振器回路は２つのスイッチングトランジスタ15及び
16を有し、これらトランジスタのエミッタはキャパシタ
17を経て相互接続されているとともに、それぞれトラン
ジスタ18及び19と、それぞれ抵抗20及び21との直列回路
を有する電流源を経てそれぞれ接地されている。発振器
回路11は更に、スイッチングトランジスタ15及び16に対
応して接続された交差結合のレベルシフトトランジスタ
22及び23を有し、これらレベルシフトトランジスタのエ
ミッタはそれぞれトランジスタ24及び25とそれぞれ抵抗
26及び27とを有する電流源をそれぞれ経て接地されてい
る。トランジスタ18,19,24及び25のそれぞれのベース電
極は基準電圧源Ub1に接続されている。レベルシフトト
ランジスタ22及び23のコレクタは例えば電流制御回路12
を経て、又電圧源回路13は直接電源電圧Ｕの端子に接続
されている。
スイッチングトランジスタ15及び16をそれぞれトリガ
するしきい値電圧の差UHを温度の依存しないようにする
ために、これらスイッチングトランジスタ15及び16のコ
レクタ電流制御回路12内に導入し、この電流制御回路内
でこれらコレクタが能動負荷28及び29と一緒に機能する
ようにする。これらの能動負荷28及び29はPNP電流源ト
ランジスタの形態にするのが好ましく、これらのエミッ
タ側を電源電圧Ｕの端子に接続する。従って、スイッチ
ングトランジスタ15のコレクタは負荷トランジスタ28の
コレクタと一緒に機能し、スイッチングトランジスタ16
のコレクタは負荷トランジスタ29のコレクタと一緒に機
能する。これら負荷トランジスタ28及び29は電流ミラー
分岐31中の第１トランジスタ30と相俟って電流ミラーを
構成する。電流ミラー分岐31中でトランジスタ32及び抵
抗33を有する直列回路より成る電流源により基準電流I0
が調整される。電流ミラー分岐31中には更にダイオード
接続した第２トランジスタ34を配置する。電流ミラー分
岐31の第１トランジスタ30及び第２トランジスタ34を有
する直列回路が上側しきい値電圧用の第２インタセプト
トランジスタに対するベース電位を与える。従って、こ
れらのインタセプトトランジスタ35及び36を発振器回路
11のスイッチングトランジスタ15及び16のコレクタにお
ける電圧差UHの上側値を規定する。この電圧差UHの下側
値は第１インタセプトトランジスタ37及び38によって調
整される。これらトランジスタ37及び38のベース電位は
電圧源回路13の基準電圧源Ub2により調整される。上述
した回路素子の機能的動作の組合せは以下の通りであ
る。同一のトランジスタ28,29及び30により、トランジ
スタ28及び29のコレクタにそれぞれ基準電流I0に一致す
る電流が得られる。
まず最初、スイッチングトランジスタ15が導通し、ス
イッチングトランジスタ16が遮断しているものとする
と、約2I0の電流がスイッチングトランジスタ15を流れ
る。負荷トランジスタ28はI0の電流のみを生じる為、残
りの電流I0は下側値インタセプトトランジスタの一方、
すなわちインタセブトトランジスタ37を流れる必要があ
る。従って、インタセプトトランジスタ37は導通し、上
側値インタセプトトランジスタのうちのインタセプトト
ランジスタ35が遮断する。遮断していると仮定したスイ
ッチングトランジスタ16に対しては、このトランジスタ
がほぼ零の電流を流しているということを確かめた。従
って、負荷トランジスタ29のコレクタ電流I0はインタセ
プトトランジスタ36を流れる。インタセプトトランジス
タ36は導通し、インタセプトトランジスタ38は遮断す
る。この場合とは逆で、スイッチングトランジスタ15が
遮断し、スイッチングトランジスタ16が導通している場
合にも、対応した説明が成立つ。
理論的には、エミッタ結合マルチバイブレータは、ル
ープ増幅率が１である場合に、そのスイッチング状態を
変える。この点で、電流比ｚ＝I0/I2を以下の三次式で
表わすことができる。
（I0/I2）３−４（I0/I2）２＋４（I0/I2）−Ｉ＝０ …（４） ここでI2はマルチバイブレータのカットオフスイッチ
ングトランジスタを流れる電流である。式（４）の数字
的な３つの解のうち以下の（５）式のもののみが物理的
に有効となる。
従って、発振器回路11と電流制御回路12とを有する回
路配置のしきい値電圧差UHは次式（６）に一致する。
UH＝２（U4−Ub2） ＋2UTｎ（I0 2（１−1/2）2/z（２−1/z）ISPISN） …（６） ここにISPはPNPトランジスタ35及び36のそれぞれの飽
和電流であり、ISNはNPNトランジスタ37及び38のそれぞ
れの飽和電流であり、電圧U4は電流ミラー分岐31におけ
る電流源の両端間の電圧である。式（５）を式（６）中
に代入すると、次式（７）が得られる。
UH（U4−Ub2）＋2UTｎ（0.09I0 2/ISPISN） …（７） この式（７）はまだ温度に依存する。温度非依存性
は、式U4−Ub2の逆の温度依存性を導入することにより
得ることができる。このことは、電流ミラー分岐31にお
ける第１トランジスタ30のエミッタ表面積を第２インタ
セプトトランジスタ35及び36のそれぞれのエミッタ表面
積のＰ倍とし、電流ミラー分岐31における第２トランジ
スタ34のエミッタ表面積をインタセプトトランジスタ37
及び38のそれぞれのエミッタ表面積のＮ倍とすることに
より達成するのが有利である。式U4−Ub2に対しては次
式（８）及び（９）が得られる。
式（９）を式（７）に代入することにより、次式（1
0）が得られる。
UH２（Ｕ−Ub2）＋2UTｎ（0.09・Ｎ） …（10） この式（10）は次式（10a）が満足されると温度非依
存性となる。
Ｐ・Ｎ＝1/0.0911 …（10a） 従って、トランジスタ30及び34のエミッタ表面積を適
切に選択することにより、温度に依存しないしきい値電
圧差UHを生ぜしめることができる。
前述したように、発振器周波数を変動しないようにす
るためには、しきい値電圧差UHのみならず、電流I0をも
温度に依存しないようにする必要がある。この場合、キ
ャパシタ17の温度変動は無視しうるということに注意す
べきである。
電流I0をも最終的に温度に依存しないようにするため
には、電圧源回路13が２つの基準電圧Ub1及びUb2を生じ
るようにする。この場合、抵抗14は電圧源回路13に属す
るも、集積化されるように構成されないとに注意すべき
である。電圧源回路13において、基準電圧Ub2は抵抗39,
40及び41を有する抵抗分圧器により電源電圧Ｕから抵抗
39及び40間に得られる。この場合、次式（11）及び（1
2）を満足する。
UH＝２（Ｕ−Ub2）,Ub2＝αＵ …（11） UH＝2U（１−α） …（12） 電流I0は電圧−電流変換器により得られる。電圧−電
流変換器としては、トランジスタ42,43,44,45及び46
と、トランジスタ42及び43のコレクタを電源電圧Ｕの端
子に接続する抵抗49とを有する負帰還演算増幅器を用い
る。トランジスタ42のベースは抵抗40及び41間に接続す
る。トランジスタ42のコレクタはトランジスタ45を経て
接地するとともにこのトランジスタ45のベースに接続
し、このトランジスタ45のベースはトランジスタ46のベ
ースに接続する。トランジスタ43のコレクタはトランジ
スタ46を経て接地するとともにトランジスタ44のベース
を駆動する。トランジスタ43のベースは抵抗14に接続す
るとともにトランジスタ44を経てトランジスタ47に接続
し、トランジスタ47のエミッタ抵抗48を経て接地する。
トランジスタ47はダイオードとして接続する。このトラ
ンジスタ47のベースに基準電圧Ub1が得られる。この基
準電圧は電流源トランジスタ18,19,24,25及び32のベー
スに印加される。
電圧−電流変換器は抵抗40及び41の両端間に生じる電
圧αＵを抵抗41の両端間に生じる基準電圧βＵに変換
し、この基準電圧をトランジスタ43のベースに移し、こ
の基準電圧を電流負荷にかかわらず一定に保つ。従っ
て、電流I0は次式（13）から計算される。
I0＝（Ｕ−βＵ）/R …（13） ここにＲは抵抗14の抵抗値である。
発振器の発振周波数ｆは式（12）及び（13）を式
（１）に代入することにより得られる。
ｆ＝（Ｕ−βＵ）／［4U（１−α）CR］ …（14） ｆ＝（１−β）／［４（１−α）CR］ …（15） 式（15）は電源電圧Ｕに依存せず、従って発振周波数
では温度及び電源電圧に依存しない、少数の素子を有す
るエミッタ結合マルチバイブレータ回路が得られる。
上述した本発明による特徴は個々にも又任意の組合せ
においても本発明を種々の実施例で実現する上で本質を
成すものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、温度及び電源電圧に依存しないエミッタ結合
マルチバイブレータ回路を示す回路図である。 10……マルチバイブレータ回路 11……発振器回路 12……電流制御回路 13……電圧源回路

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】２つのスイッチングトランジスタを有する
    発振器回路と、電流制御回路と、少なくとも１つの基準
    電圧を生じる電圧源回路とを具えるエミッタ結合マルチ
    バイブレータ回路において、 前記のスイッチングトランジスタ（15,16）のコレクタ
    が低しきい値電圧用の２つの第１インタセプトトランジ
    スタ（37,38）のコレクタ−エミッタ分岐にそれぞれ結
    合され且つ高しきい値電圧用の２つの第２インタセプト
    トランジスタ（35,36）のコレクタ−エミッタ分岐にそ
    れぞれ結合され、しかも能動負荷（28,29）にそれぞれ
    結合されており、前記インタラプトトランジスタ及び前
    記の能動負荷は前記の電流制御回路（12）の一部であ
    り、前記の能動負荷には少なくとも２つの第１及び第２
    トランジスタ（30,34）と電流源（32,33）とを有する電
    流ミラー分岐（31）が関連しており、前記の第１インタ
    ラプトトランジスタ（37,38）は基準電圧（Ub2）を受け
    るために前記の電圧源回路に結合されており、前記の第
    ２インタラプトトランジスタ（35,36）は前記の電流ミ
    ラー分岐（31）の第２トランジスタ（34）のエミッタに
    結合されており、前記のインタラプトトランジスタ（3
    5,36及び37,38）のエミッタ表面積が対で前記の電流ミ
    ラー分岐（31）のトランジスタ（30,34）のエミッタ表
    面積に対しある比率となっており、前記の電圧源回路
    （13）は電源電圧に殆ど依存しない発振周波数（ｆ）を
    発生せしめるための少なくとも１つの基準電圧（Ub1,U
    b2）を生じるようになっていることを特徴とするエミッ
    タ結合マルチバイブレータ回路。
  2. 【請求項２】請求項１に記載のエミッタ結合マルチバイ
    ブレータ回路において、前記の電流ミラー分岐（31）の
    第２トランジスタ（34）のエミッタ表面積が、互いに同
    じエミッタ表面積とした前記の第１インタラプトトラン
    ジスタ（37,38）の各々のエミッタ表面積のＮ倍となっ
    ており、これらの第１インタラプトトランジスタのコレ
    クタが電源電圧端子に結合され、前記の電流ミラー分岐
    （31）の第１トランジスタ（30）のエミッタ表面積が、
    エミッタ表面積を互いに同じとした前記の第２インタラ
    プトトランジスタ（35,36）の各々のエミッタ表面積の
    Ｐ倍となっており、これら第２インタラプトトランジス
    タのコレクタが接地結合されていることを特徴とするエ
    ミッタ結合マルチバイブレータ回路。
  3. 【請求項３】請求項１又は２に記載のエミッタ結合マル
    チバイブレータ回路において、乗数Ｎ及びＰの積が適切
    な値、好ましくは11であり、これにより発振器回路（1
    1）のしきい値電圧差UHの温度非依存性が保証されてい
    ることを特徴とするエミッタ結合マルチバイブレータ回
    路。
  4. 【請求項４】請求項３項に記載のエミッタ結合マルチバ
    イブレータ回路において、電流ミラー分岐（31）の第２
    トランジスタ（34）がダイオードとして接続され、第１
    トランジスタ（30）がベース−コレクタ接続を有し、電
    流ミラー分岐（31）の電流源がトランジスタ（32）と、
    接地結合された抵抗（33）との直列回路から成っている
    ことを特徴とするエミッタ結合マルチバイブレータ回
    路。
  5. 【請求項５】請求項４に記載のエミッタ結合マルチバイ
    ブレータ回路において、電流制御回路（12）における能
    動負荷（28,29）、第１トランジスタ（30）及び第２イ
    ンタセプトトランジスタ（35,36）がPNPトランジスタで
    あり、電流制御回路（12）における第１インタセプトト
    ランジスタ（37,38）、第２トランジスタ（34）及び電
    流源のトランジスタ（32）がNPNトランジスタであるこ
    とを特徴とするエミッタ結合マルチバイブレータ回路。
  6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれか一項に記載のエミ
    ッタ結合マルチバイブレータ回路において、前記のスイ
    ッチングトランジスタ（15,16）のエミッタがキャパシ
    タ（17）を経て相互接続されているとともにそれぞれト
    ランジスタ（18或いは19）と抵抗（20或いは21）とを有
    する電流源を経て接地されており、これらスイッチング
    トランジスタ（15,16）には交差結合レベルシフトトラ
    ンジスタ（22,23）が接続され、これらレベルシフトト
    ランジスタのコレクタは電源電圧端子に結合され、これ
    らレベルシフトトランジスタのエミッタはそれぞれスイ
    ッチングトランジスタ（15,16）のベースに接続されて
    おり且つそれぞれトランジスタ（24或いは25）と抵抗
    （26或いは27）とを有する電流源を経て接地結合され、
    前記の電流源のトランジスタ（18,19,24,25）のベース
    側に基準電圧（Ub1）が与えられるようになっているこ
    とを特徴とするエミッタ結合マルチバイブレータ回路。
  7. 【請求項７】請求項１〜６のいずれか一項に記載のエミ
    ッタ結合マルチバイブレータ回路において、供給電圧端
    子に基準電圧を生じる電圧源回路（13）が、抵抗（39及
    び40）間に基準電圧（Ub2）を生ぜしめるとともに抵抗
    （40及び41）間に基準電圧（Ub1）発生用の電圧−電流
    変換器を接続する抵抗（39,40,41）を有する抵抗分圧器
    を具えていることを特徴とするエミッタ結合マルチバイ
    ブレータ回路。
  8. 【請求項８】請求項７に記載のエミッタ結合マルチバイ
    ブレータ回路において、電圧−電流変換器として、エミ
    ッタが相互接続され且つ抵抗（47）を介して電源電圧端
    子に接続されたトランジスタ（42及び43）を有する負帰
    還演算増幅器が用いられ、これらトランジスタのうちの
    一方のトランジスタ（42）のベースが抵抗（40及び41）
    間に接続され、この一方のトランジスタのコレクタがダ
    イオード接続のトランジスタ（45）を経て大地に結合さ
    れ、他方のトランジスタ（43）のコレクタがトランジス
    タ（44）のベースに接続されるとともにトランジスタ
    （46）を経て接地され、この後者のトランジスタ（46）
    のベースが前記のダイオードの接続のトランジスタ（4
    5）のベースに接続され、前記の他方のトランジスタ（4
    3）のベースが抵抗（14）を経て電源電圧端子に接続さ
    れ且つこの他方のトランジスタ（43）のコレクタがベー
    スに接続されている前記のトランジスタ（44）のエミッ
    タにこのトランジスタ（43）のベースが接続され、この
    他方のトランジスタ（43）のベースがエミッタに接続さ
    れた前記のトランジスタ（44）のコレクタがトランジス
    タ（47）及び抵抗（48）を経て接地され、この後者のト
    ランジスタ（47）のコレクタに接続されたこのトランジ
    スタ（47）のベースに基準電圧（Ub1）が得られるよう
    になっていることを特徴とするエミッタ結合マルチバイ
    ブレータ回路。
  9. 【請求項９】請求項８に記載のエミッタ結合マルチバイ
    ブレータ回路において、前記の他方のトランジスタ（4
    3）のベースがエミッタに接続された前記のトランジス
    タ（44）のコレクタを接地する前記のトランジスタ（4
    7）のベースが電流源トランジスタ（18,19,24,25及び3
    2）の各々のベースに接続されていることを特徴とする
    エミッタ結合マルチバイブレータ回路。
  10. 【請求項１０】請求項９に記載のエミッタ結合マルチバ
    イブレータ回路において、前記の一方のトランジスタ
    （42）のベースが接続されている２つの前記の抵抗（40
    及び41）の両端間に電圧αＵが得られ、これら抵抗のう
    ちの一方の抵抗（41）の両端間に電圧βＵが得られ、こ
    れにより電源電圧（Ｕ）に依存しない発振器回路（11）
    の発振周波数 ｆ＝（１−β）/4（１−α）CR14 が得られるようになっていることを特徴とするエミッタ
    結合マルチバイブレータ回路。
  11. 【請求項１１】請求項１〜10のいずれか一項に記載のエ
    ミッタ結合マルチバイブレータ回路において、前記の発
    振器回路（11）、電流制御回路（12）及び電圧源回路
    （13）が、前記の他方のトランジスタ（43）のベースを
    電源電圧端子に接続する前記の抵抗（14）を除いて集積
    化されるように構成され、この抵抗（14）は発振器周波
    数を補償するように作用し且つこの抵抗の温度変動は発
    振器回路（11）のキャパシタ（17）と同様に無視しうる
    ようになっていることを特徴とするエミッタ結合マルチ
    バイブレータ回路。
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