KR0143552B1 - 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로 - Google Patents

에미터-결합 멀티바이브레이터 회로

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KR0143552B1
KR0143552B1 KR1019900010855A KR900010855A KR0143552B1 KR 0143552 B1 KR0143552 B1 KR 0143552B1 KR 1019900010855 A KR1019900010855 A KR 1019900010855A KR 900010855 A KR900010855 A KR 900010855A KR 0143552 B1 KR0143552 B1 KR 0143552B1
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피트르지크 미카엘
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프레데릭 얀 스미트
연.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

에미터-결합 멀티바이브레이터 회로
제1도는 온도 및 공급 전압에 무관한 에미터-결합 멀티 바이브레이터 회로를 도시하는 다이어그램.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
12:전류 제어 회로 13:전압 공급 회로
31:전류 미러 브랜치
본 발명은 적어도 하나의 기준 전압을 공급하는 전압 공급 회로와, 두 개의 스위칭 트랜지스터를 갖춘 발진기 회로 및 전류 제어 회로를 구비하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로에 관한 것이다.
주파수-제어가능의 발진기 회로는 근본적으로 에미터-결합 멀티바이브레이터의 동작 원리를 기초로 하며, 바이폴라 집적 회로분야, 즉, 전압-또는 전류-제어 발진기(VCO 또는 CCO) 위상 제어 회로에서의 고정발진기 또는 주파수 변조기 등에 사용되고, 독일특허 명세서 제 P2540867 C2 호 및 제 P3632458 C2 호에 공지되어 있다.
공지된 출원에 대해서는, 변동(drift)에 무관하고 공급 전압에 무관한 발진 주파수가 요구된다. 변동에 무관함을 위해, 근본적으로 발진기 트리거의 발생시에 상부 및 하부 임계 전압과 캐패시터의 전하 전류는 온도에 무관해야 하며, 상호 보상적인 의존성을 갖는다.
상기 특허 명세서로부터 에미터-결합 멀티바이브레이터의 주파수 변동 감소가 공지되어 있다. 어쨌든, 두 개의 공지된 방법은 직접 회로의 대량 생산에 특히 적합하지 않거나 극히 복잡한 회로망을 요구한다는 단점을 갖고 있다.
예로, 독일 특허 명세서 제 2540867 C2 호는 기준 전압에 의해 제어된 공급 전류, 고정된 전위의 스위칭 트랜지스터의 에미터 전극 사이에 접속된 두 개의 전류원과 스위칭 트랜지스터의 에미터 전극사이의 시간 제어 캐패시터, 두 개의 스위칭 트랜지스터를 갖는 온도-보상 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로를 기재하고 있으며, 스위칭 트랜지스터의 콜렉터 전류를 제어하는 복잡한 디바이스가 다음과 같은 방식으로 제공된다. 즉, 멀티 바이브레이터는 시간 제어 캐패시터 양단 전압이 제1 및 제2전류원에 의해 공급된 설정된 다중 전류와 같은 전류흐름에서 반도체 접합의 공핍층 전압과 거의 같을 때 트리거 하는 것이다. 상기 회로는 기준 전압이 반도체 접합의 공핍층 전압 pf 와 같아지도록 전류원에 대해 기준 전압을 발생하는 더 복잡한 디바이스를 갖는다. 이러한 기본 회로는 이미 극히 복잡하다. 어쨌든 멀티바이브레이터의 주파수를 선형적으로 변화시키는 전압 제어는 소정의 양호한 온도 조건과 같거나 높을 때 더 복잡해진다. 해당 회로는 온도-종속 베이스 전류의 변화를 감소시키고자 하며, 이 베이스 전류의 변화는 트랜지스터 전류 증폭의 온도-종속 변화로 인해 발생한다. 두가지 방법이 타당한 이론으로서 사용되는데, 즉, 사실상 불리한 온도-종속 베이스 전류와 동일한 보상용 온도-종속 전류를 유도 또는 공급하는 회로의 추가 및, 달링턴 트랜지스터의 사용에 의한 트랜지스터 베이스 전류의 감소 방법이 있다. 상기 회로는 집적 회로의 대량 생산에는 적합할지라도 매우 복잡하여 바람직하지 않다.
본 발명은 공급 전압 및 온도 변화에 무관하고, 조정 가능의 발진기 주파수를 발생하는 에미터-결합 멀티바이브레이터회로를 제공하는 것을 목적으로 하며, 보다 적은 갯수의 소자를 가지며 특히 집적회로 기술에서 대량 생산에 적합하다.
본 발명에 따르면, 상기 목적은 활성 부하(active load)와, 보다 높은 임계 전압에 대한 두 개의 제2차단 트랜지스터의 콜렉터-에미터 브랜치 및, 보다 낮은 임계 전압에 대한 두 개의 제1차단 트랜지스터에 각각 결합된 스위칭 트랜지스터의 콜렉터들에 의해 실현되며, 상기 차단 트랜지스터들과 부하는 전류 제어 회로의 일부이며, 최소한 제1 및 제2트랜지스터와, 전류원을 갖춘 전류 미러 브랜치는 상기 부하에 결합된다. 상기 제1차단 트랜지스터는 기준 전압을 수신하기 위해 전압 공급회로에 결합되고 제2차단 트랜지스터는 전류 미러 브랜치의 제2트랜지스터의 에미터에 결합되며, 상기 차단 트랜지스터의 에미터 표면 영역은 전류 미러 브랜치의 트랜지스터의 에미터 표면 영역과 일정 비율을 유지하고 전압 공급 회로는 공급 전압에 거의 무관한 발진 주파수를 발생시키기 위해 적어도 하나의 기준 전압을 제공한다.
발진기 회로에서, 스위칭 트랜지스터들은 캐패시터를 통해 에미터 측상에서 상호 접속되고, 트랜지스터 및 저항을 포함하는 전류원을 통해 각각 전압 공급원의 접지 단자에 접속되며, 또한 레벨 시프트 트랜지스터를 가지는데, 이들 레벨 시프트 트랜지스터들은 스위칭 트랜지스터에 교차하여 결합되고 그 콜렉터들은 전압원에 접속되며 그 에미터들은 각각 스위칭 트랜지스터의 베이스에 접속되고 또 트랜지스터 및 저항을 포함하는 전류원을 통해 접지되며, 전류원 트랜지스터들의 베이스들은 기준 전압에 결합되고, 발진기 주파수는 스위칭 트랜지스터를 흐르는 충전 및 방전 전류의 값에 의해 결정되며, 즉, 선행(preceding) 저항들은 두 개의 구동 및 임계 전압들간의 소정의 차와, 캐패시터의 값에 의해, 다음 식에 따라 발진기를 트리거시킨다.
Figure kpo00001
상기 식에서, Io 는 방전 및 충전 전류의 값이고, C 는 캐패시터의 용량이며, UH은 임계 전압값들간의 허용가능한 차이다.
임계 전압값들간의 차 UH에 대해, 근사식이 유도될 수 있는데, 이것은 발진기 회로의 파라미터에 따르는 임계 전압 UH의 값을 나타낸다.
Figure kpo00002
여기서, R 은 각 시간의 저항값이며, 즉, 이 저항은 스위칭 트랜지스터드들의 각 콜렉터와 전압 공급원의 플러스 단자 사이에 접속되며, e 는 자연 로그의 밑(base)이며, UT 는
Figure kpo00003
로부터 얻어진다.
여기서, K는 볼츠만 상수이고, T는 캘빈 온도이며 q 는 전하단위이다. 상기는 온도-독립 전류 Io 및 온도-독립 캐패시터와 더불어 명백해지며, 발진기 주파수는 식(2)에 따른 임계 전압값들간의 차 UH의 온도 변동에 의해 결정되며 결국 온도에 무관하지는 않다.
스위칭 트랜지스터가 청구범위에 기재된 특징에 따라, 저항이 아닌 활성 부하, 즉, 전류 제어 회로의 트랜지스터들을 대상으로 작동하며, 전류 미러 브랜치내의 제2트랜지스터의 에미터 표면 영역이, 전압 공급원 단자를 갖는 콜렉터측에 결합된 제1차단 트랜지스터들의 에미터 표면 영역을 인수 N 만큼 초과하고, 전류 미러 브랜치내의 제1트랜지스터의 에미터 표면 영역이 콜렉터측에 접지된 제2차단 트랜지스터들의 에미터 표면 영역을 인수 P 만큼 초과한 다는 사실로 인하여, 임계 전압 값의 차 UH의 온도 독립성(independence)이 유리한 방식으로 얻어질 수 있다.
인수 N 과 P 의 곱이 상수값, 즉, 11 에 해당할 때 특히 유리하며, 그 결과로 온도 독립이 확실히 유지될 수 있다.
전류 미러 브랜치의 제2트랜지스터가 다이오드로서 접속되고 제1트랜지스터가 베이스-콜렉터 접속을 하며 전류 미러 브랜치의 전류원이 직렬의 트랜지스터 및 저항으로 될 때, 특히 유리하다. 여기서, 저항은 접지되고, 제1트랜지스터의 에미터는 전압원에 접속된다. 또한, 전류 미러로서 역할하는 전류 미러 브랜치의 활성 부하인 제1트랜지스터와 제2차단 트랜지스터들이 PNP 트랜지스터들이고, 전류 미러 브랜치의 제1차단 트랜지스터들과 제2트랜지스터, 및 전류원으로서 기능하는 트랜지스터가 NPN 트랜지스터들일 때, 유리하다. 상기에서 언급되지 않은 멀티바이브레이터 회로의 모든 트랜지스터들을 NPN 트랜지스터들이다. 또, 기준 전압을 발생하는 전압 공급 회로가 공급 전압을 분할하기 위해 저항 분배기(여러개의 저항으로 구성됨)를 구비할 때, 특히 유리하다.
제1저항 양단의 전압은 전류 제어 회로의 제1차단 트랜지스터들의 베이스들에 대한 기준 전압으로서 사용되며, 상기 저항 전압 분배기의 마지막 저항 양단의 전압은 전압/전류 변환기의 접속을 위해 사용되어, 결국 전류 제어 회로 및 발진기 회로의 전류원에 대한 기준 전압을 발생한다.
이리하여, 발진기 회로의 주파수는 공급 전압에 무관하다. 전압 공급 회로의 저항을 제외하고는 전체 회로가 하나로 집적되도록 실현될 수 있다. 외부적으로 제공된 저항은 발진기 주파수를 보상하도록 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로의 또다른 양호한 실시예가 청구범위에 기재되어 있다. 본 발명의 실시예는 도면을 참조하여 보다 상세하게 기술될 것이다.
제1도에 도시된 본 발명에 따르는 멀티바이브레이터회로(10)는 근본적으로 세 개의 서브-회로, 즉, 발진기 회로(11), 전류 제어 회로(12)와 전압 공급 회로(13)로 구성된다. 저항(14)은 외부적으로 전압 공급 회로(13)로 정렬되며 그중에서도 전압 공급 회로(13)의 보상을 위해 사용한다. 그리하여 공급 전압 U 의 플러스 단자는 그의 상부 핀(15)에 접속된다. 저항(14)은 양호하게 비례되어 무시가능한 온도 변동을 갖는다. 또다른 구성은 달리 집적되도록 실현된 멀티바이브레이터 회로(10)의 외부 저항이다.
발진기 회로(11)는 근본적으로 공지된 방식으로 구성된다. 두 개의 스위칭 트랜지스터(15 및 16)는 캐패시터(17)를 통해 에미터측상에서 상호 접속되며 트랜지스터(18 및 19)는 각각 저항(20 및 21)과 직력인 전류원을 통해 접지된다. 발진기 회로(11)는 또 교차-결합(cross-coupled) 레벨 시프트 트랜지스터(22 및 23)를 가지며, 그것은 스위칭 트랜지스터(15 및 16)에 대응하게 접속되며 트랜지스터(24 및 25) 와 각 저항(26 및 27)을 포함한 전류원을 통해 에미터측에서 접지된다. 트랜지스터(18, 19, 24 및 25) 각각의 베이스 전극은 기준 전압원(Ub1)에 접속된다. 레벨 시프트 트랜지스터(22 및 23)의 콜렉터는 전류 제어 회로(12) 및 전압 공급 회로(13)를 통해 직접적으로 전압(U) 공급받는다.
스위칭 트랜지스터(15 및 16)를 트리거하기 위해 임계 전압값의 온도-독립차 UH가 각각 보장되도록, 스위칭 트랜지스터(15 및 16)의 콜렉터는 전류 제어 회로(12)에 도입되어 각가 활성 부하(28 및 29)로서 동작한다. 상기 활성 부하(28 및 29)는 양호하게는 PNP 전류원 트랜지스터의 형태이고 에미터 측에서 전압 U 공급받는다. 그러므로 스위칭 트랜지스터(15)의 콜렉터는 부하 트랜지스터(28)의 콜렉터와 더불어 동작하며 스위칭 트랜지스터(16)의 콜렉터는 부하 트랜지스터(29)의 콜렉터와 더불어 동작한다. 전류 미러 브랜치(31)내의 트랜지스터(30)와 함께 부하 트랜지스터(28 및 29)는 전류 미러를 구성한다. 전류 미러 브랜치(31)내의 트랜지스터(32)와 저항(33)을 포함하는 직렬 접 속의 전류원을 통해 기준 전류 Io 는 조정된다. 전류 미러 브랜치(31)에서, 제2트랜지스터(34)가 정렬되어 다이오드로서 접속된다. 전류 미러 브랜치(31)의 제1트랜지스터(30) 및 제2트랜지스터(34)는 보다 높은 임계 전압값에 대해 제2차단 트랜지스터(35 및 36)에 대한 베이스 전위를 공급한다. 그러므로 상기 차단 트랜지스터(35 및 36)는 발진기 회로(11)의 스위칭 트랜지스터(15 및 16)의 콜렉터에서 전압 스위프 UH보다 높은 값을 한정한다. 제1차단 트랜지스터(37 및 38)는 보다 낮은 값을 조정하도록 사용한다. 그 베이스 전위는 전압 공급 회로(13)의 기준 전압원(Ub2)에 의해 조정된다.
그리하여 기술된 회로 구성 요소의 결합된 기능상의 작용은 다음과 같다. 동일 트랜지스터(28, 29 및 30)에 대한 전류는 트랜지스터(28, 29)의 콜렉터에서 얻어지며, 기준 전류 I 에 대응한다.
먼저 스위칭 트랜지스터(15)가 도통하고 (16)은 컷오프된다고 가정할 때, 대략 2 Io 의 전류는 스위칭 트랜지스터(15)를 통해 흐른다. 부하 트랜지스터(28)는 단지 Io 의 전류만 공급하여 나머지 전류는 보다 낮은 차단 트랜지스터 즉, 차단 트랜지스터(37)중 하나를 통해 흘러야만 한다. 그러므로 차단 트랜지스터(37)는 도통되고 상부 차단 트랜지스터의 차단 트랜지스터(35)는 컷오프된다. 스위칭 트랜지스터(16)가 컷오프된다고 가정하면 후자는 대략 제로의 전류를 전달한다. 그러므로 부하 트랜지스터(29)의 콜렉터 전류 Io 는 차단 트랜지스터(36)를 통해 흐른다. 차단 트랜지스터(36)는 도통되고 차단 트랜지스터(38)는 컷오프된다. 스위칭 트랜지스터(15)가 컷오프되고 스위칭 트랜지스터(16)가 도통되는 경우, 상기 방식을 유지한다.
이론에 의하면, 에미터-결합 멀티바이브레이터는 루프 증폭이 불변할 때 그 스위칭 조건을 변화시킨다. 상기 관전에서 전류 비율 Z = I0/I2
Figure kpo00004
여기서 I2는 멀티바이브레이터의 컷오프 스위칭 트랜지스터를 흐르는 전류이다. 식(4)의 세 개의 수학적 해중에서 다음의 한해만이 물리적 의미를 갖는다.
Figure kpo00005
그러므로 발진기 회로(11) 및 전류 제어 회로(12)를 포함하는 회로 장치의 임계 전압 차 UH 는 다음식에 대응한다.
Figure kpo00006
여기서, ISP는 PNP 트랜지스터(35 및 36) 각각의 포화 전류이며, ISN은 NPN 트랜지스터(37 및 38) 각각의 포화 전류이고, 전압 U4은 전류 미러 브랜치(31)내 전류원 양단의 전압이다.
식(5)가 식(6)으로 대치될 때, 다음식이 얻어진다.
Figure kpo00007
식 (7)은 아직 온도-독립은 아니다. 이것은 식 U4-Ub2의 온도 종속에 상반하여 얻어질 수 있다. 유리하게, 이것은 전류 미러 브랜치(31)내 제1트랜지스터(30)의 에미터 표면 영역이 각각 제2차단 트랜지스터(35 및 36)의 각 에미터 표면 영역을 인수 P 만큼 초과하게 하고, 전류 미러 브랜치(31) 내의 제2트랜지스터(34)의 에미터 표면 영역은 각각 차단 트랜지스터(37 및 38)의 각 에미터 표면 영역을 인수 N 만큼 초과하게 한다. 식 U4-Ub2에 대해, 다음식이 얻어진다.
Figure kpo00008
Figure kpo00009
식(9)을 식(7)으로 대치함으로써 다음이 얻어진다.
Figure kpo00010
식(10)은
Figure kpo00011
을 유지할 때 온도에 무관하게 된다. 트랜지스터(30 및 34)의 에미터 표면을 적당하게 선택함으로써, 임계값 전압차 UH가 발생될 수 있으며, 이것은 온도에 무관하다.
이미 상술된 바와 같이, 변동에 무관한 발진기 주파수에 대해 임계값 전압차 UH뿐 아라 전류 Io 도 온도에 무관해야 된다. 여기서 캐패시티(17)의 온도 변동은 무시가능하다는 것을 알아야 한다.
긍극적으로 또한 전류 Io 가 온도에 무관하기 위해서, 전압 공급 회로(13)는 두 개의 기준 전압원(Ub1및 Ub2)을 공급한다. 여기서 저항(14)은 전압 공급 회로(13)에 속하는 것이지 집적되도록 실현되는 것은 아니다. 전압 공급 회로(13)에서, 기준 전압 Ub2은 공급 전압 U 으로 부터 저항(39 및 40) 사이에 저항(39, 40 및 41)을 포함하는 저항 전압 분배기 수단에 의해 얻어진다.
Figure kpo00012
Figure kpo00013
전류 Io 는 전압/전류 변환기에 의해 얻어진다. 전압/전류 변환기가 저항(47)뿐 아니라 트랜지스터(42, 43, 44, 45 및 46)를 포함하고 연산 증폭기가 부극성으로 궤환될 때, 트랜지스터(42 및 43)의 콜렉터를 공급 전압 U 에 접속시킨다. 트랜지스터(42)의 베이스는 저항(40 및 41) 사이에 접속된다. 트랜지스터(42)의 콜렉터는 트랜지스터(45)를 통해 접지 그 베이스에 접속되며, 차례로 트랜지스터(46)의 베이스에 접속된다. 트랜지스터(43)의 콜렉터는 트랜지스터(46)를 통해 접지되며 트랜지스터(44)의 베이스를 구동한다. 트랜지스터(43)의 베이스는 저항(14)에 접속되고 트랜지스터(44)를 통해 트랜지스터(47)에 접속되며, 그 에미터는 저항(48)을 통해 접지된다. 트랜지스터(47)는 다이오드로서 접속된다. 그 베이스에서 기준 전압원(Ub1)이 이용가능하다. 상기 전압원은 전류원 트랜지스터(18, 19, 24, 25 및 32)의 베이스측에서 제공된다.
전압/전류 변환기는 저항(40 및 41) 양단에 발생하는 전압 αU 을 저항(41) 양단에 발생하는 기준 전압 βU 으로 변환시키고 그것을 트랜지스터(43)의 베이스에 전달하고 그것을 전류 부하에 무관하게 일정하게 유지시킨다.
그러므로 전류 Io 는
Figure kpo00014
로부터 계산된다.
여기서 R 은 저항(14)의 저항값이다.
발진기의 발진 주파수 f 에 대해, 식(12) 및 식(13)을 식(1)에 대치함으로써
Figure kpo00015
Figure kpo00016
이 얻어진다.
식(15)은 적은수의 소자를 포함하며 공급 전압 및 온도에 무관한 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로가 발진 주파수에서 사용되도록 온도에 무관하고 공급 전압 U 에 무관하다.
상기 설명, 도면 및 청구 범위에 나타난 본 발명의 특징은 본 발명의 구현을 위한 여러 실시예에서 개별적으로 및 임의의 조합으로 실현된다.

Claims (11)

  1. 두 개의 스위칭 트랜지스터를 갖는 발진기 회로와 적어도 하나의 기준 전압을 공급하는 전압 공급 회로 및, 전류 제어 회로를 포함하는 에미터-결합 멀티바이브레인터 회로에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터(15, 16)의 콜렉터들은 각각 활성 부하(28, 29)와, 낮은 임계 전압에 대해서는 두 개의 제1차단 트랜지스터(37, 38)의 콜렉터-에미터 브랜치에, 높은 임계 전압에 대해서는 두 개의 제2차단 트랜지스터(35, 36)의 콜렉터-에미터 브랜치에 결합되며, 상기 차단 트랜지스터들 및 상기 부하는 전류 제어 회로(12)의 일부 회로이며, 전류 미러 브랜치(31)는 적어도 제1 및 제2트랜지스터(30, 34)를 갖고 부하에 연관된 전류원(32, 33)을 가지며, 상기 제1차단 트랜지스터(37, 38)는 기준 전압(Ub2)을 수신하기 위해 전압 공급 회로에 결합되고 상기 제2차단 트랜지스터(35, 36)는 상기 전류 미러 브랜치(31)의 제2트랜지스터(34)의 에미터에 결합되고, 상기 차단 트랜지스터(35, 36 및 37, 38)의 에미터 표면 영역은 상기 전류 미러 브랜치(31)의 트랜지스터(30,34)의 에미터 표면 영역과 일정 비율을 유지하며, 상기 전압 공급 회로는 거의 공급 전압에 무관한 발진 주파수(f)를 발생하는 적어도 하나의 기준 전압(Ub1, Ub2)을 공급하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류 미러 브랜치(31)의 상기 제2트랜지스터(34)의 에미터 표면 영역은 상기 제1차단 트랜지스터(37, 38)의 동일 크기의 에미터 표면 영역을 각각 인수 N 만큼 초과하고, 그 콜렉터는 공급 전압 단자에 결합되며, 상기 전류 미러 브랜치(31)의 상기 제1트랜지스터(30)의 에미터 표면 영역은 상기 제2차단 트랜지스터(35, 36)의 동일 크기의 에미터 표면 영역을 각각 인수 P 만큼 초과하고, 그 콜렉터는 접지되는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 인수 N 과 P 의 곱은 적당한 값, 바람직하게는 값 11 에 해당하며, 그 결과, 발진기 회로(11)의 임계 전압차 값 UH이 온도에 무관하게 보장되는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전류 미러 브랜치(31)의 제2트랜지스터(34)는 다이오드로서 접속되고, 상기 제1트랜지스터(30)는 베이스-콜렉터 접속을 가지며, 상기 전류 미러 브랜치(31)의 전류원은 접지된 저항(33)과 트랜지스터(32)의 직렬 장치로 구성된 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로,
  5. 제4항에 있어서, 상기 전류 제어 회로(12)에서, 상기 활성 부하(28, 29), 상기 제1트랜지스터(30) 및 상기 제2차단 트랜지스터(35, 36)는 PNP 트랜지스터이고, 상기 제1차단 트랜지스터(37, 38), 상기 제2트랜지스터(34) 및 상기 전류원(32)의 트랜지스터는NPN 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로,
  6. 제1항, 제2항, 제4항, 제5항중 어는 한 항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터(15, 16)의 에미터는 캐패시터(17)를 통해 상호 접속되고 트랜지스터(18 및 19) 및 저항(20 및 21)를 포함하는 전류원을 통해 접지되며, 교차-결합 레벨 시프트 트랜지스터(22, 23)는 상기 스위칭 트랜지스터(15, 16)에 접속되고, 상기 레벨 시프트 트랜지스터들의 콜렉터들은 전압 공급 단자에 결합되며 그 에미터들은 상기 스위칭 트랜지스터(15, 16)의 베이스에 각각 접속되고 트랜지스터(24, 25) 및 저항(26, 27)으로 구성된 전류원을 통해 각각 접지되고, 상기 전류원 트랜지스터(18, 19, 24, 25)의 베이스측에 기준 전압(Ub1)이 결합되는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  7. 제1항, 제2항, 제4항, 제5항중 어느 한 항에 있어서, 전압 공급 단자에서 기준 전압을 발생하는 전압 공급 회로(13)는 기준 전압(Ub1)을 발생시키기 위해, 저항(40)과 (41) 사이에 전압/전류 변환기를 접속하고 저항(39)과 (40) 사이에 기준 전압(Ub2)을 발생하기 위해 저항(39, 40, 41)으로 구성된 저항 전압 분배기를 갖는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  8. 제7항에 있어서, 저항(47)을 통해 전압 공급 단자에 접속되고 그 에미터가 상호 접속된 트랜지스터(42, 43)를 가지며 부극성 궤환하는 연산 증폭기가 전압/전류 변환기로서 사용되며, 상기 트랜지스터(42)의 베이스는 저항(40)과 (41) 사이에 접속되고 다이오드 장치의 트랜지스터(45)를 통해 콜렉터 측에서 접지되며, 상기 트랜지스터(43)의 콜렉터는 트랜지스터(44)의 베이스에 접속되고 그 베이스가 상기 트랜지스터(45)의 베이스에 접속된 트랜지스터(46)를 통해 접지되며, 상기 트랜지스터(43)의 베이스는 저항(14)을 통해 전압 공급 단자에 접속되고 그 콜렉터가 트랜지스터(47) 및 저항(48)을 통해 접지된 상기 트랜지스터(44)의 에미터에 접속되며, 상기 트랜지스터(47)의 베이스에서 사용되는 상기 기준 전압(Ub1)은 그 콜렉터에 결합되는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 트랜지스터(47)의 베이스는 상기 전류원 트랜지스터(18, 19, 24, 25) 및 (32)의 각 베이스에 접속되는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 저항(40, 41) 양단에 αU 의 전압이 사용되며, 상기 저항(41) 양단에 βU의 전압이 사용가능한데, 그 결과로서, 상기 공급 전압 U 에 무관한 상기 발진기 회로(11)용 발진 주파수가 f=(1-β)/(4(1-α) CR14)로 사용될 수 있는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  11. 제1항, 제2항, 제4항, 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 저항(14)을 제외한 상기 발진기 회로(11), 상기 전류 제어 회로(12), 및 전압 공급 회로(13)가 집적될 수 있으며, 상기 저항(14)은 상기 발진 주파수 보상용으로 사용되며 상기 발진회로(11)의 캐패시터(17)와 같이 무시할만한 온도 변동을 갖는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이트레이터 회로.
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