KR910003927A - 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

에미터-결합 멀티바이브레이터 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 온도와 공급 전압에 무관한 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로를 도시하는 다이어그램.

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 기준 전압을 공급하는 전원 공급회로와 전류 제어회로, 두개의 스위칭 트랜지스터를 갖는 발진기 회로를 포함하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로에 있어서, 스위칭 트랜지스터(15, 16)의 콜렉터는 각각 보다 낮은 임계 전압에 대한 두 개의 제1 차단 트랜지스터(37, 38)의 콜렉터-에미터 브랜치에 결합되기, 보다 높은 전압에 대한 두 개의 제2차단 트랜지스터(35, 36)의 콜렉터-에미터 브랜치와 액티브 로드(28, 29)에 결합되고, 차단 트랜지스터와 로드는 전류 제어 회로(12)의 부분이며 전류 미러 브랜치(31)는 적어도 제1 및 제2 트랜지스터(30, 34)를 갖고 로드와 연관된 전류원(32, 33)를 가지며, 제1 차단 트랜지스터(37, 38)은 기준 전압(ub2)을 수신하는 전압 공급 회로에 결합되고 제2차단 트랜지스터(35, 36)는 전류 미러 브랜치(31)의 제2 트랜지스터(34)의 에미터에 결합되고, 차단 트랜지스터(각각 35,36 및 37,38)의 에미터 표면은 전류 미러 브랜치(31)의 트래지스터(30, 34)의 에미터 표면과 비율상 어우러지며, 전압 공급 회로는 거의 공급 전압과 무관한 발진 주파수를 발생하는 적어도 하나의 기준전압(Ub1, Ub2)을 공급하는데 적용된 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  2. 제1항에 있어서, 전류 미러 브랜치(31)의 제2트랜지스터(34)의 에미터 표면은 제1 차단 트랜지스터(37, 38)의 같은 에미터 표면 각각이 인수 N에 의해 초과하고, 콜렉터는 공급 전압 단자에 결합되며, 전류 미러 브랜치(31)의 제1 트랜지스터(30)의 에미터 표면은 제2 차단 트랜지스터(35, 36)의 같응 에미터 표면 각각이 인수 p에 의해 초과하고, 콜렉터는 땅에 결합된 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  3. 제1항에 잇어서, 인수 N 및 P의 적은 적당한 값, 양호하게 값 11에 대승하여 그결과 발진기 회로(11)의 임계 전압차 값 UH의 온도 무관이 보장되는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  4. 제3항에 있어서, 전류 미러 브랜치(31)의 제2트랜지스터(34)는 다이오드로서 접속되고, 제1 트랜지스터(30)는 베이스-콜렉터 접속을 하며 전류 미러 브랜치(31)의 전류원은 땅에 결합된 레지스터(33)와 트랜지스터(32)의 직렬 장치로 구성된 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  5. 제4항에 있어서, 전류 제어 회로(12)에서 액티브 로드(28, 29) 제1 트랜지스터(30)와 제2차단 트랜지스터(35, 36)는 PNP 트랜지스터이고, 제1 차단 트랜지스터(37, 38), 제2 트랜지스터(34)와 전류원(32)의 트랜지스터는 NPN 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  6. 전항중 어느 한 항에 청구된 바와같은 멀티바이브레이터 회로에 있어서, 스위칭 트랜지스터(15, 16)의 에미터는 캐패시터(17)를 통해 상호 접속되고 트랜지스터(각각 18 및 19)와 레지스터(각각 20 및 21)를 포함하는 전류원을 통해 각각 땅에 결합되고, 교차-결합 레벨 시프트 트랜지스터(22, 23)는 스위칭 트랜지스터(15, 16)에 접속되고, 상기 레벨 시프트 레지스터의 콜렉터는 공급 전압 단자에 결합되고 후자의 에미터는 스위칭 트랜지스터(15, 16)의 베이스에 각각 접속되고 트랜지스터(각각 24 및 25)와 레지스터(각각 26 및 27)를 포함하는 전류원을 통해 각각 땅에 결합되고, 기준 전압(Ub1)은 베이스측 상에서 전류원 트랜지스터(18, 19, 24, 25)에 결합된 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  7. 전항중 어느 한 항에 청구된 바와같은 에멀티바이브레이터 회로에 있어서, 공급 전압 단자에서 기준 전압을 발생하는 전압 공급 회로(13)는 기준 전압(Ub1)을 발생하는 레지스터(40) 및 (41) 사이에 전압/전류 변환기를 접속하고 레지스터(39) 및 (40) 사이에 기준 전압(Ub2)을 발생하는 레지스터(39, 40, 41)를 포함하는 저항 전압 분배기를 갖는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  8. 제7항에 있어서, 그의 베이스는 트랜지스터(45)의 베이스에 접속되고, 트랜지스터(46)를 통해 땅과 트랜지스터(41)의 베이스에 트랜지스터(43)의 콜렉터가 접속되고 다이오드 장치에서 트랜자스터(45)를 통해 콜렉터층상에서 땅에 결합되고 레지스터(40) 및 (41) 사이에 트랜지스터(42)의 베이스가 접속되고 레지스터(47)를 통해 고욱부 전압단자에 접속되고 에미터측상에서 상호 접속된 트랜지스터(42) 및 (43)를 가지며 부극성으로 궤환하는 연산 증폭기로 전압/전류 변환기가 사용되며, 트랜지스터(43)의 베이스는 레지스터(14)를 통해 공급 전압 단자에 접속되고 트랜지스터(44)의 에미터에 접속되며, 그의 콜렉터는 트랜지스터(47)와 레지스터(48)를 통해 땅에 접속되며, 기준 전압 (Ub1)은 트랜지스터(47)의 베이스에서 이용가능하며, 그것은 콜렉터에 접속된 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  9. 제8항에 있어서, 트랜지스터(47)의 베이스는 전류원 트랜지스터(18, 19, 24, 25)및 (32)의 각 베이스에 접속된 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  10. 제9항에 있어서, αU의 전압 레지스터(40) 및 (41) 양단에 이용할 수 있고, 전압βU은 레지스터(41) 양단에 이용할 수 있어서 그결과 발진기 회로(11)의 발진주파수 f=(1-β/4(1-β)⊂R14)가 이용가능하며, 그것은 공급 전압 U과 무관한 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
  11. 전항중 어느 한 항에 청구된 바와같은 멀티바이브레이터 회로에 있어서, 발진기 회로(11), 전류 제어 회로(12)와 전압 공급회로(13)가 레지스터(14)를 제외하고는 집적되도록 실현되고 레지스터(14)는 발진기 주파수 보상을 위해 사용하며 발진기 회로(11)의 캐패시터(17)처럼 무시 가능한 온도 드리프트를 갖는 것을 특징으로 하는 에미터-결합 멀티바이브레이터 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5357220A (en) * 1993-01-21 1994-10-18 Gennum Corporation Emitter-coupled oscillator with differential switching control
US7218161B2 (en) * 2004-08-20 2007-05-15 Macronix International Co., Ltd. Substantially temperature independent delay chain
US7103492B2 (en) * 2004-06-18 2006-09-05 Macronix International Co., Ltd. Process independent delay chain
WO2015176111A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 Gerard Lighting Pty Ltd A symmetry control circuit of a trailing edge phase control dimmer circuit
KR102200551B1 (ko) 2017-10-31 2021-01-07 주식회사 엘지화학 배터리 팩

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3582809A (en) * 1968-09-06 1971-06-01 Signetics Corp Phased locked loop with voltage controlled oscillator
US3725681A (en) * 1970-09-10 1973-04-03 Motorola Inc Stabilized multivibrator circuit
DD104884A1 (ko) * 1973-04-25 1974-03-20
US3904989A (en) * 1974-09-19 1975-09-09 Bell Telephone Labor Inc Voltage controlled emitter-coupled multivibrator with temperature compensation
GB2051511A (en) * 1979-06-18 1981-01-14 Ibm Stabilized oscillators
JPS6271320A (ja) * 1985-09-25 1987-04-02 Toshiba Corp 電流制御発振器
US4803445B3 (en) * 1987-04-22 1996-12-31 Silicon Systems Inc Variable frequency oscillator
US4812784A (en) * 1987-11-19 1989-03-14 International Business Machines Corporation Temperature stable voltage controlled oscillator with super linear wide frequency range
JPH0662724A (ja) * 1992-08-21 1994-03-08 Soji Iwadare 緑黄色野菜クッキーの製法

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US5061908A (en) 1991-10-29
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EP0409329A2 (de) 1991-01-23

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