KR940017113A - 차동증폭회로 - Google Patents

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히로시 요시노
사키코 마츠오
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
오카모토 세이시
도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 저전압 전원회로로부터의 저전원전압의 공급하에 있어서도 저전압동작이 가능하고, 또 고이득 증폭이 가능한 차동증폭기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명은, 에미터가 공통으로 접속된 동일극성의 한쌍의 제1, 제2트랜지스터로 이루어진 입력차동쌍과; 이 입력차동쌍의 공통에미터와 제1전원전위와의 사이에 배설된 제1전류원회로; 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 제2전원전위와의 사이에 배설된 제2전류원회로; 상기 제2트랜지스터의 콜렉터와 제2전원전위와 제2전원전위와의 사이에 배설되며 상기 제2전류원회로와 동치(同値)인 제3전류원회로 및; 콜렉터가 상기 제1트랜지스터의 콜렉터에 접속되고 에미터가 상기 제1전원전위에 접속된 제3트랜지스터와, 콜렉터가 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속되고 에미터가 상기 제1전원전위에 접속되며 상기 제3트랜지스터와 도일극성인 제4트랜지스터 및, 상기 제3, 제4트랜지스터의 베이스의 공통접속점과 상기 제3, 제4트랜지스터 각각의 콜렉터간에 제1, 제2부하저항을 배설하여 이루어진 능동부하회로를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

차동증폭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 나타낸 회로도, 제3도는 본 발명의 제2실시예를 타나낸 회로도.

Claims (2)

  1. 에미터가 공통으로 접속된 동일극성의 한쌍의 제1, 제2트랜지스터(Q1,Q2)로 이루어진 입력차동쌍(1)과; 이 압력차동쌍(1)의 공통에미터와 제1전원전위와의 사이에 배설된 제1전류 원회로(IBias); 상기 제1트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 제2전원전위와의 사이에 배설된 제2 전류원회로(11) : 상기 제2 트랜지스터 (Q2)의 콜렉터와 제2 전원전위와의 사이에 배설되며상기 제 2 전류원회로(11)와 동치(同値)인 제3전류원회로(I2) 및; 콜렉터가 상기 제1트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 접속되고 에미터가 상기 제1전원전위에 접속된 제3트랜지스터(Q5)와, 콜렉터가 상기 제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 접속되고 에미터가 상기 제1전원전위에 접속되며 상기 제3트랜지스터(Q5)와 동일극성인 제4트랜지스터(Q6)및, 상기 제3, 제4트랜지스터(Q5,Q6)의 베이스의 공통접속점과 상기 제3, 제4트랜지스터(Q5,Q6) 각각의 콜렉터간에 제1,제2부하저항(R1,R2)을 배설하여 이루어진 능동부하회로(2)를 구비한 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  2. 에미터가 공통으로 접속된 동일극성의 한쌍의 제1, 제2트랜지스터(Q1,Q2)로 이루어진 입력차동쌍(1)과; 이 입력차동쌍(1)의 공통에미터와 제1전원전위와의 사이에 배설된 제1전류 원회로(IBias); 상기 제1트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 제2전원전위와의 사이에 배설되며 상기 능동부하회로(2)를 구성하는 상기 제1트랜지스터(Q1)와 역극성의 제3트랜지스터(Q3), 상기제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터와 상기 제2전원전위와의 사이에 배설된 능동부하회로(2)를 구성하는 상기 제2트랜지스터(Q2)와 역극성의 제4트랜지스터(Q4), 상기 제1, 제3트랜지스터(Q1,Q3)의 콜렉터의 접속점과 상기 제1전원전위와의 사이에 배설된 상기 제1트랜지스터(Q1)와 역극성의 제5트랜지스터(Q5), 상기 제2, 제4트랜지스터(Q2,Q4)의 콜렉터의 접속점과 상기제2전원전위와의 사이에 배설된 상기 제2트랜지스터(Q2)와 역극성의 제6트랜지스터(Q6), 상기 제3, 제4트랜지스터(Q3,Q4)의 공통베이스와 상기 제5트랜지스터(Q5)의 콜렉터와의 사이에 배설된 능동부하회로(2)를 구성하는 제1저항(R1), 상기 제3, 제4트랜지스터(Q3,Q4)의 공통베이스와 상기 제6트랜지스터(Q6)의 콜렉터와의 사이에 배설된 능동부하회로(2)를 구성하는 제2저항(R2) 및, 상기 제5, 제6트랜지스터(Q5,Q6)의 공통베이스를 상기 제2전원전압에서의 전위로부터 상기 제3, 제4트랜지스터(Q3,Q4)의 콜렉터·에미터간 포화전압과 상기 제5, 제6트랜지스터(Q5,Q6)의 베이스·에미터간 전압의 합만큼 낮은 전위로 하는 제3전원전위(VBias)를 구비한 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028765A 1992-12-24 1993-12-21 차동증폭회로 KR970005292B1 (ko)

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JP92-343663 1992-12-24
JP43A JPH06196945A (ja) 1992-12-24 1992-12-24 差動増幅回路

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KR970005292B1 KR970005292B1 (ko) 1997-04-15

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JPH06196945A (ja) 1994-07-15
KR970005292B1 (ko) 1997-04-15

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