KR900002543A - 고주파 증폭기용 입력회로 - Google Patents

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KR900002543A
KR900002543A KR1019890010274A KR890010274A KR900002543A KR 900002543 A KR900002543 A KR 900002543A KR 1019890010274 A KR1019890010274 A KR 1019890010274A KR 890010274 A KR890010274 A KR 890010274A KR 900002543 A KR900002543 A KR 900002543A
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KR
South Korea
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transistor
collector
base
transistors
input circuit
Prior art date
Application number
KR1019890010274A
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English (en)
Inventor
보메 롤프
글라임 귄터
Original Assignee
원본미기재
텔레풍켄 엘렉트로닉 게엠베하
도이체 톰손-브란트 게엠베하
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Publication date
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
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    • H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor

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  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고주파 증폭기용 입력회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 대칭출력을 갖는 본 발명에 따른 입력회로도,
제 3 도는 이 입력회로의 대표적인 전송특성도,
제 4 도는 제어가능한 입력저항과 후속의 차동증폭기를 갖는 입력회로도.

Claims (7)

  1. 도전형이 동일한 4개의 트랜지스터를 갖는 고주파 증폭기용 입력회로에 있어서, 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1,T2)의 이미터는 기준점(M)에 접속되어 있으며, 상기 제 1의 트랜지스터(T1)의 베이스는 상기 회로의 입력(A)을 형성하며, 상기 제 2의 트랜지스터(T2)의 베이스는 상기 제 1의 트랜지스터(T1)의 콜렉터에 접속되어 있으며, 상기 제 1의 트랜지스터(T1)의 콜렉터는 제 3의 트랜지스터(T3)의 이미터에 그리고 상기 제2의 트랜지스터(T2)의 콜렉터는 제 4의 트랜지스터(T4)의 이미터에 접속되어 있으며, 상기 제 3및 제 4의 트랜지스터(T3,T4)의 베이스는 상호 접속되어 있으며, 상기 제 3 또는 제 4의 트랜지스터(T3,T4)의 콜렉터들 중 최소한 하나는 전류원(I3,I4)에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기용 입력회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 제 1 의 트랜지스터(T1)의 베이스와 콜렉터는 상호 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기용 입력회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 저항기(R1)의 제 1 의 트랜지스터(T1)의 베이스와 콜렉터와의 사이에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기용 입력회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 제 3 의 트랜지스터(T3)의 콜렉터는 상기 제 3 의 트랜지스터(T3)의 베이스에 그리고 제 4 의 트랜지스터(T4)의 콜렉터는 상기 제 4 의 트랜지스터(T4)의 베이스에 접속되어 있으며 저항기(R3,R4)를 통해서 최소한 하나의 접속이 실행되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기용 입력회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 제 3 및 제 4 의 트랜지스터(T3,T4)의 콜렉터들은 절점(E)에 의해 접속되어있고, 저항기(R3,R4)를 통해서 최소한 하나의 접속이 실행되어 있으며, 상기 절점(M)은 그 이상의 임피던스, 예컨대, 트랜지스터(T12)의 베이스-이미터 경로를 통해서 상기 제 3 및 제 4 의 트랜지스터(T3,T4)의 베이스에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기용 입력회로.
  6. 제 1 항에 있어서, 저항기(R2)는 제 2 의 트랜지스터(T2)의 베이스의 전방에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기용 입력회로.
  7. 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 의 트랜지스터(T1,T2)의 베이스들중 최소한 하나는 베이스 전류에 대략적으로 상응하는 전류가 공급되는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기용 입력회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010274A 1988-07-20 1989-07-20 고주파 증폭기용 입력회로 KR900002543A (ko)

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DE3824556A DE3824556C2 (de) 1988-07-20 1988-07-20 Symmetrische Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker
DEP3824556.6 1988-07-20

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AT (1) ATE111266T1 (ko)
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