KR950010346A - 증폭기 회로 및 차동 증폭기 - Google Patents
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Abstract
신호 경로에서 PNP 트랜지스터의 고주파수 특성보다 더 나은 고주파수 특성을 갖는 NPN 트랜지스터만을 이용함으로써 광대역 증폭기 회로는 고전류 이득과 광대역폭온 제공한다.
광대역 전류 증폭은 트랜지스터 면적의 함수로서 쉽게 설정되는 전류 이득을 허용하도록 베이스-에미터 전압 일치시킴과 함께 전류-미러 구성의 NPN 트랜지스터를 이용하여 달성된다. 또한 광대역 증폭기 회로는 고전류 이득, 광 대역폭 및 넓은 출력 진동의 결합을 얻기 위해 차동 광대역 증폭기 구성으로 사용될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광대역 증폭기 회로의 개략도,
제2도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광대역 증폭기 회로의 개략적인 부분 블럭도.
Claims (5)
- 입력단자(100), 출력단자(108), 제1 전원선(111) 및 제2전원선(112)과; 입력단자(170)에 연결된 에미터, 제1전원선(111)에 접속된 콜렉터, 및 제1 접점(120)에 접속된 베이스를 갖는 제1트랜지스터(101)와; 제2전원선(112)에 연결된 에미터, 제1트랜지스터(101)의 에미터에 접속된 콜렉터, 및 자신의 콜렉터에 연결된 베이스를 갖는 다이오드-접속 제2트랜지스터(103)와; 제2전원선(112)에 연결된 에미터, 제2트랜지스터(103)의 베이스에 접속된 베이스, 및 제2접점(113)에 접속된 콜렉터를 갖는 제3트랜지스터(106)와; 제2접점(113)에 접속된 에미터, 제1전원선(111)에 접속된 콜렉터, 및 제1접점(120)에 접속된 베이스를 갖는 제4 트랜지스터(104)와; 제2전원선(112)에 연결된 에미터, 출력단자(108) 접속된 콜렉터, 및 제2접점에 접속된 베이스를 갖는 제5트랜지스터(107); 및 제1접점(120)에 접속된 바이어스 전류원(110)을 구비하는 증폭기 회로에 있어서, 상기 제2트랜지스터(103)의 콜렉터에 연결된 에미터, 상기 제1접점(120)에 접속된 콜렉터, 및 상기 제1트랜지스터(101)의 에미터에 접속된 베이스를 갖는 제6트랜지스터(102); 및 상기 제2접점(113)에 연결된 에미터, 상기 제4트랜지스터(104)의 에미터에 연결된 콜렉터, 및 자신의 콜렉터에 연결된 베이스를 갖는 다이오드-접속 제7트랜지스터(105)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제6트랜지스터(102) 및 상기 제2트랜지스터(103)의 베이스-에미터 전압의 합은 상기 제4트랜지스터(104) 및 상기 제7트랜지스터 (105)의 베이스-에미터 전압의 합과 동일하며, 이때 증폭기 회로의 이득은 상기 제1트랜지스터(101) 및 상기 제5트랜지스터(107)의 에미터 면적비에 비례하는 것을 특징으로 하는 증폭기 회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2전원선(112)에 접속된 에미터, 상기 입력단자(107)에 접속된 콜렉터, 및 또다른 입력 단자(202)를 형성하는 베이스를 갖는 제8트랜지스터(200)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기 회로.
- 제3항에 있어서, 상기 출력단자(108)와 상기 제1전원선(111) 사이에 접속된 저항성 부하(207)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기 회로.
- 증폭기 회로의 제8트랜지스터(200,200')의 에미터들이 함께 연결되고, 또다른 바이어스 전류원(300)을 통해 제2전원선에 겁속되는 제3항 또는 제4항에서 청구된 두개의 증폭기 회로(10,10')를 포함하는 차동 증폭기 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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