KR960036029A - 반도체 집적회로 - Google Patents

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KR960036029A
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다카오 이토
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사또오 후미오
가부시기가이샤 도시바
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Abstract

본 발명의 차동 증폭회로에 있어서, 바이폴라 트랜지스터에 에미터 영역과 콜렉터 영역간의 베이스 영역상에 백 게이트(28,29)를 갖는 소자를 이용하여 그 백 게이트(28,29)를 각각 다른쪽 트랜지스터의 콜렉터 또는 에미터(24,25)에 접속하고, 각 트랜지스터의 동작이 커지도록 정귀환을 건다.
본 발명은 트랜지스터의 동작을 고속화시키고, 또한 출력 진폭을 크게 할 수 있기 때문에, 차동 증폭회로의 증폭율을 상승시켜서 회로의 동작을 안정화시킬 수 있다. 따라서, 종래 바이폴라 트랜지스터와 FET를 이용한 차동 증폭회로와 비교하여 회로의 집적화나 소자 동작의 안정화를 도모할 수 있다.

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 제1도전형 베이스 영역(22)과, 상기 베이스 영역 표면상에 형성된 제2도전형 에미터 영역(26)과, 상기 에미터 영역과 이격하여 상기 베이스 영역 표면상에 형성된 제2도전형 콜렉터 영역(24, 24′)과 적어도 상기 에미터 영역과 상기 콜렉터 영역간의 상기 베이스 영역 표면상에 절연막을 통하여 형성된 도전막(28, 28′)을 구비하는 제1트랜지스터와; 제1도전형 에미터 영역(27)과, 상기 에미터 영역과 이격하여 상기 베이스 영역 표면상에 형성되고 상기 제1트랜지스터의 도전막에 접속된 제2도전형 콜렉터 영역(25, 25′)과 적어도 상기 에미터 영역과 상기 콜렉터 영역간의 상기 베이스 영역 표면상에 절연막을 통하여 형성되며 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역에 접속된 도전막(29, 29′)을 구비하는 제2트랜지스터와; 상기 제1트랜지스터의 에미터 영역과 상기 제2트랜지스터의 에미터 영역에 접속된 정전류원(Ⅰ)과 ; 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역과 소정 전압과의 사이에 접속된 제1부하 소자(R1)와; 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 소정 전압과의 사이에 접속된 제2부하 소자(R2)와; 상기 제1트랜지스터의 베이스 영역과 상기 제2트랜지스터의 베이스 영역을 입력으로 하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터영역과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역을 출력으로 한 차동 증폭회로르 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  2. 소자 분리 영역을 통하여 제1도전형 반도체 기판에 형성된 제2도전형인 2개의 웰 영역을 베이스 영역(22, 23)으로 하고, 상기 2개의 베이스 영역에 서로 이격하여 형성된 제1도전형 콜렉터 영역(24, 24′, 25, 25′) 및 에미터 영역(26, 27)과, 상기 콜렉터 영역과 상기 에미터 영역간의 상기 반도체 기판상에 절연막을 통하여 형성된 도전막(28, 28′, 29, 29′)을 구비하는 제1 및 제2트랜지스터와; 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 에미터 영역에 공통 접속된 정전류원(Ⅰ)과; 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역과 소정 전압과의 사이에 접속된 제1부하 소자(R1)와; 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역과 소정 전압과의 사이에 접속된 제2부하 소자(R2)와; 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 제2트랜지스터의 도전막을 접속하는 수단과; 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 제1트랜지스터의 도전막을 접속하는 수단과; 상기 제1트랜지스터의 베이스 영역을 제1입력(IN1)으로 하고, 상기 제2트랜지스터의 베이스 영역을 제2입력(IN2)으로 하며, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역을 제1출력(OUT1)으로 하고, 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역을 제2출력(OUT2)으로 하는 차동 증폭회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  3. 제1도전형 에미터 영역(26)과, 제1도전형 콜렉터 영역(24, 24′)과, 제2도전형 베이스 영역(22)을 갖는 제1트랜지스터와; 제1도전형 에미터영역(27)과, 제1도전형 콜렉터 영역(25, 25′)과, 제2도전형 베이스 영역(23)을 갖는 제2트랜지스터와 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역과 소정 전압과의 사이에 접속되는 제1부하 소자(R1)와; 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역과 소정 전압과의 사이에 접속되는 제2부하 소자(R2)와; 상기 제1 및 제2트랜지스터의 에미터 영역과 공통 접속되는 정전류원(Ⅰ)과; 상기 제1 및 제2트랜지스터의 베이스 영역을 입력(IN1, IN2)으로하고, 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 콜렉터 영역을 출력(OUT1, OUT2)으로 하는 차동 증폭회로를 갖는 반도체 집적 회로에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 에미터 영역과 콜렉터 영역간의 베이스 영역상에 절연막을 통하여 형성된 도전막 (28, 28′, 29, 29′)과, 상기 제1트랜지스터의 상기 도전막과 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역을 접속 하는 수단과, 상기 제2트랜지스터의 상기 도전막과 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역을 접속하는 수단을 갖는 차동 증폭회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 제1부하 소자와의 사이에 설치된 제1전압 하강 소자와, 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 제2부하 소자와의 사이에 설치된 제2전압 하강 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 제1부하 소자와의 사이에 설치된 제1전압 강하 소자와, 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 제2부하 소자와의 사이에 설치된 제2전압강하 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 제1부하 소자와의 사이에 설치된 제1전압 강하 소자와, 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 영역과 상기 제2부하 소자와의 사이에 설치된 제2전압 강하 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960007664A 1995-03-22 1996-03-21 반도체 집적회로 KR100203965B1 (ko)

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KR100203965B1 KR100203965B1 (ko) 1999-06-15

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