HU207913B - Input circuit for high-frequency amplifiers - Google Patents
Input circuit for high-frequency amplifiers Download PDFInfo
- Publication number
- HU207913B HU207913B HU893666A HU366689A HU207913B HU 207913 B HU207913 B HU 207913B HU 893666 A HU893666 A HU 893666A HU 366689 A HU366689 A HU 366689A HU 207913 B HU207913 B HU 207913B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- transistor
- base
- transistors
- collector
- input
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 101100464584 Bacillus subtilis (strain 168) pnp gene Proteins 0.000 description 1
- 101100007261 Escherichia coli (strain K12) comR gene Proteins 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
A találmány tárgya bemeneti kapcsolás nagy frekvenciás erősítőkhöz.
A bemeneti kapcsolások középfrekvenciás és nagy frekvenciás erősítőknél részben aszimmetrikus bemenettel és szimmetrikus kimenettel rendelkeznek. A bemeneti ellenállás értéke többnyire 50 és 300 ohm között kell hogy legyen, amely érték a kábelek vagy szűrők szokásos lezáró ellenállásának felel meg. A kimenetre többnyire további erősítőfokozatok vagy szétválasztó eszközök csatlakoznak.
Ilyen bemenetel kapcsolások szükségesek például szélessávú átviteli csatornáknál, antennaerősítőknél és középfrekvenciás erősítőknél alkalmazott kábelvégerősítőkben, amelyeknél egy előttük lévő szűrő illesztésére kis bemeneti ellenállásra van szükség. Egy további előnyös alkalmazási terület a fényérzékeny diódák által leadott jelek első erősítőfokozata. Ezt a feladatot hagyományosan bipoláris tranzisztorokkal oldották meg földelt bázisú, vagy „közbenső bázisú” kapcsolással, amelyeknél gyakran illesztő transzformátorokat alkalmaztak.
A DE P 2 946952 leírásból egy jobban integrálható megoldás ismeretes. Ennél az ismert kapcsolási elrendezésnél két bipoláris tranzisztorból felépített differencia erősítőt alkalmazunk és a két tranzisztornak az egymással összekötött emitterére egy áramgenerátor csatlakozik, amely csomópontra egy harmadik tranzisztor is csatlakozik, amelynek emittere a tápfeszültség negatív pontjára vagy földre csatlakozik, bázisa a két tranzisztor emitterére van kötve, és a kollektora egy munkaellenállásra csatlakozik, amelynek másik pontja a tápfeszültség pozitív pólusára van kötve. A harmadik tranzisztor kollektorára két - Ra., Rb - ellenállás van kötve, amelyek rendre a differencia-erősítő egy-egy bemenetére (A, B), vagyis az első és második tranzisztor bázisára vannak kötve. Egy ilyen differencia-fokozatnál a bemenetek potenciálja mintegy két P-N átmenetnyi feszültséggel a testhez képestvan rögzítve. Abban az esetben, ha az (A) bemenetre egy (Ue) bemeneti jelet vezetünk, akkor a kapcsolás működéséből adódóan a (B) bemeneten fordított fázisú (Uc) jel jelenik meg, és a differencia-fokozat úgy viselkedik, mintha (2 Uc) szimmetrikus jellel lenne vezérelve. Ekkor a bemeneti ellenállás az (Ra) ellenállás értékének a fele. Ez azonban nagy frekcvencián nem érvényes. Tekintettel arra, hogy a tranzisztor paraméterek frekvenciafüggők, ezért a bemeneti ellenállás is frekvenciafüggő. Az ismert kapcsolás frekvenciafüggőségén túlmenően hátrányos az is, hogy a differencia-fokozatok kimenete a kompenzálatlanul visszahat a kollektor-bázis kapacitáson keresztül a bemenetekre. Hátrányos ez a kapcsolási elrendezés a harmadik tranzisztor zajának hozzájárulása miatt is. Jóllehet ez a zaj hozzájárulás eltűnik akkor, amikor a két bemenetet azonos fázisúra kapcsoljuk. Ez általában azonban nem lehetséges. A harmadik tranzisztor zaja elkerülhetetlenül hozzájárul a differencia-fokozat zajához.
A találmány elé célul tűztük ki egy olyan bemeneti kapcsolás kidolgozását nagy frekvenciás erősítőhöz, amelynél a tranzisztor paraméterek frekvenciafüggése a lehető legkisebb, és a kimenetről a bemenetre való visszahatás is a lehető legkisebb értékű lesz.
A kitűzött célt a találmány szerinti, négy azonos vezetési típusú tranzisztorral felépített bemeneti kapcsolással értük el, amelynek lényege, hogy az első és második tranzisztor emittere vonatkoztatási pontra van kötve, az első tranzisztor bázisa a kapcsolás bemenetét alkotja, a második tranzisztor bázisa az első tranzisztor kollektorára csatlakozik, az első tranzisztor kollektora a harmadik tranzisztor emitterével és a második tranzisztor kollektora a negyedik tranzisztor emitterével van összekötve, a harmadik és negyedik tranzisztor bázisa egymással össze van kötve és a harmadik vagy negyedik tranzisztor legalább egyikének a kollektora egy áramgenerátorral össze van kötve.
A találmány szerinti bemeneti kapcsolás az áramfelvétel, a zaj és az átviteli jellemzők szempontjából messzemenően megfelel egy egyszerű differencia-erősítő tulajdonságainak. A bemeneti ellenállás frekvenciafúggősége kicsi, és a kapcsolás a bemenet és kimenet között árnyékoló hatással rendelkezik, így az ismert kapcsolási elrendezésekhez képest lényegesen nagyobb frekvenciatartományban lehet az átvitelt biztosítani.
A találmány szerinti bemeneti kapcsolás néhány kiviteli példáját a mellékelt rajzok segítségével ismertetjük részletesebben, ahol az
1. ábra egy, a DE P 2946952 számú leírás szerinti ismert elrendezés, a
2. ábra egy, a találmány szerinti bemeneti kapcsolás szimmetrikus kimenettel, a
3. ábra a 2. ábra szerinti bemeneti kapcsolás jellemző átviteli karakterisztikáját tünteti fel, a
4. ábra egy vezérelhető bemenő ellenállású bemeneti kapcsolás, és ezután kapcsolt differencia-erősítő, az
5. ábra egy aszimmetrikus kimenettel rendelkező bemeneti kapcsolás, a
6. ábra egy bázisáram kompenzálással megvalósított bemeneti kapcsolás elrendezését mutatja.
Az 1. ábrán bemutatott kapcsolási elrendezés a DE P 2945952 sz. leírás szerinti kapcsolási elrendezés, amely a (TI és T2) tranzisztorokból felépített differenciafokozatot tartalmazza, az (Io) áramgenerátorral, valamint az (R3 és R4) munkaellenállásokkal. Ennek a kapcsolási elrendezésnek a lényeges hatását a (T3) tranzisztor biztosítja, amelynek az emittere testre van csatlakoztatva, bázisa pedig a (TI, T2) tranzisztorok emitterére van csatlakoztatva, és kollektora az (R5) munkaellenálláson keresztül az (UB) tápfeszültségre van kötve. Az (Rl, R2) ellenállások a harmadik (T3) tranzisztor kollektorát kötik össze a differenciafokozat (A és B) bemenetéivel, amely esetben az (R2) ellenállás értéke 0 is lehet. A (T3) tranzisztor a d ifferenciafokozat (Τ 1, T2) tranzisztorain keresztül - amely differenciafokozat ebben az esetben emitterkövetőként működik - vissza van csatolva. A (T3) tranzisztor munkapontját az (R5) ellenálláson folyó áram állítja be.
Az (A és B) bemeneteken lévő potenciál ily módon rögzítve van. Abban az esetben, ha az (A) bemenetre (Ue) feszültségváltozást vezetünk, akkor a (B) bemeneten mintegy (-Ue) feszültségváltozás jön létre. Mivel ily módon az (Rl) ellenálláson (2 Ue) feszültség esik, az (A) bemeneten mérhető bemeneti ellenállás hozzávetőle1
HU 207 913 Β
Rí gesen — értékű lesz. Ennek a kapcsolási elrendezésA nek ez egyrészről előnye, mivel a nagy frekvenciás szempontból szükséges bemeneti ellenállás földfüggetlenül áll elő, és semmiféle további intézkedésre nincs szükség a differencia-erősítő másik (B) bemenetének a
Rí vezérlésére. Az — bemeneti ellenállásnak az (A) benegyedik tranzisztorok felé, amikor is a (TI) első tranzisztornál az (Is) jeláram ismét kivonódik. Ideális tranzisztort feltételezve az áramfeloszlás a következő egyenlettel határozható meg:
Ic=Ico (eUBE/UT-1) ahol Ico az átviteli maradékáram, és Ut=kT/q, a termikus potenciál. Ekkor a (C, D) kimeneteken megjelenő kimeneti feszültség meneten történő aktív előállítása következtében a (T3) tranzisztor hatása viszonylag korlátozott frekvenciatartományban jön létre. Integrált felépítésben nincs is egyszerű lehetőség a hőmérsékletfüggésnek és az (Rl) ellenállás értéke szórásának korrigálására. Nagyobb frekvencián történő használat esetén - mintegy 10,7 MHz-en - a (C és D) kimenetek az (A és B) bemenetekre visszahatnak, ami hátrányos és amely visszahatás megszüntetésére többnyire még további intézkedések megtételére van szükség. Hátrányos végül az is, hogy a harmadik (T3) tranzisztornak a zaja nem kis mértékben hozzájárul a teljes zajhoz, ami előerősítőként való alkalmazásnál a működést befolyásolja.
A 2. ábrán a találmány szerinti bemeneti kapcsolásnak egy kiviteli alakja látható. A 2. ábrán látható bemeneti kapcsolás négy (T1...T4) tranzisztort tartalmaz, amelyek azonos vezetési típusúak. A bemeneti kapcsolás a következő összekötési jegyzékkel írható le:
(TI) első tranzisztor emittere - (T2) második tranzisztor emittere - föld (M vonatkoztatási pont);
A bemenet - (TI) első tranzisztor bázisa - (Rl) ellenállás (0 értékű lehet);
(TI) első tranzisztor kollektora - (T3) harmadik tranzisztor emittere - (Rl) ellenállás - (T2) második tranzisztor bázisa;
(T2) második tranzisztor kollektora - (T4) negyedik tranzisztor emittere;
(T3) harmadik tranzisztor bázisa - (T4) negyedik tranzisztor bázisa - (R3) ellenállás - (R4) ellenállás (egyik vagy mindkét ellenállás 0 értékű lehet);
(T3) harmadik tranzisztor kollektora - (R3) ellenállás - (13) áramgenerátor - (C) kimenet;
(T4) negyedik tranzisztor kollektora - (R4) ellenállás -14 áramgenerátor - (D) kimenet.
Az (A) bementre egy (Us) feszültségforrásból és (Rs) belső ellenállásból álló (Qs) jelforrás (Ck) csatolókondenzátoron keresztül van csatlakoztatva.
Annak érdekében, hogy a működési módot egyszerűen tudjuk szemléltetni, először a bázisáramokat elhanyagoljuk. Ezen túlmenően legyen 13=14 és R3=R4. Nyugalmi állapotban ekkor az (Rl) ellenálláson nem esik feszültség, és mindkét (TI, T2) első és második tranzisztornak azonos munkapontja van. Mindegyik tranzisztornak a munkaponti árama egymással egyenlő. Egy (Is) jeláram az Rl ellenálláson (Rl Is) feszültségesést hoz létre, ami egyben a (TI, T2) első és második tranzisztor bázisfeszültségeinek a különbsége. A (TI, T2) első és második tranzisztorokhoz (I3+I4+Is) áramösszeg folyik. Ez a teljes áram a (TI, T2) első és második tranzisztorok között szétoszlik, és továbbfolyik a (T3, T4) harmadik és
UCD=(R3+R4)
I3 4* Is I +a ahol ahol a=eIsR1/UT·
A 3. ábra az (UCD) kimenő feszültség függését mutat15 ja az (Is) jeláram függvényében 13=14=10 μΑ, Rl=5 kohm, R3=R4=5 kohm, UT=26 mV (300 ’K). Attól a kis aszimmetriától eltekintve, amelyet a képlet számlálójában szereplő Is tag okoz, a jelleggörbe megfelel az 1. ábra szerinti kapcsolásénak. Az Is=0 környezetében lineari20 zálva és az Ig=I3+I4 és Rg=R3+R4 értékekkel az ,,,, UCD 1 átviteli ellenállás —:— = — Is 4
2-Ig UT
Rg.
a feszültségerősítés IgR' teszultsegerosites ΔυΑ - 2 υΊ?Χ2 +
UT Rí és a bemeneti ellenállás Re=—— + —.
lg 2.
Különöse figyelmet érdemel az az eset, amikor Rl=0, és Rl»2 UT/Ig. Az Rl=0 eset van a 4. ábrán ábrázolva. Ekkor a bemenő ellenállás Re=—— és lg kismértékben befolyásolható az lg’ áram változtatásával vagy vezérlésével. E célból egy (T8, T9, T10) tranzisztorokból felépített áramtükör kapcsolás van alkalmazva, amely az lg’ áramot az (13, 14) áramokká alakítja. Annak érdekében, hogy például 75 ohm bemeneti ellenállást hozzunk létre I3+I4=UT/Re=0,33 mA áramot kell létrehozni szobahőmérsékleten. Ebből látható, hogy kis ellenállások is beállíthatók kevés áramfelvétellel. A feszültségerősítés értéke mégis megfelel az egyszerű differenciafokozatnak, vagy az 1. ábrán bemutatott kapcsolási elrendezésének. Emellett a legmagasabb határfrekvenciát is elérhetjük. Az az eset, amikor az Rl»·
2UT lg a 2. és 5. ábrán van ábrázolva. A bemenő ellenállás értékhez közelít, amint az az ismert, 1. ábrán bemutatott kapcsolási elrendezésnél is fennáll. A feszültségerősítés értéke majdnem azonos az előző esetekével, csak ellenkező előjelű. Az átviteli ellenállás az (Rl) értékével növekszik és szintén ellenkező előjelű. Az elérhető határfrekvenica az Rl=0 esethez képest csökken, de még mindig jelentősen nagyobb, mint az 1. ábra szerinti kapcsolási elrendezés esetén.
HU 207 913 Β
A találmány szerinti kapcsolási elrendezés egy további előnye abban van, hogy a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztorok egymással összekötött bázisának feszültsége az (M) vonatkoztatási ponthoz képest nem függ a jeltől. Csupán túl vezérlésnél csökken ez a feszültség. Ezáltal a bemeneti kapcsolást a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztor bázisának kapacitív hatása nem zavarja. A bemenő kör, éppúgy, mint egy kaszkód fokozatnál, a (C, D) kimenetektől el van árnyékolva.
A zajviszonyokkal kapcsolatban megjegyzendő, hogy a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztorok gyakorlatilag nem okoznak zajt, mivel azok az áramot csak továbbítják és nem vezérlik. A (TI, T2) első és második tranzisztor zaja egy megfelelő differenciafokozat zajával egyenlő. Ezáltal a találmány szerinti megoldásnak a zajviszonyai jobbak, mint az 1. ábra szerinti kapcsolási elrendezésnek.
A 4. ábrán látható kapcsolási elrendezésben a villamos szimmetria kissé felborul, mivel a (TI, T2) első és második tranzisztorok bázisárama a (T3) harmadik tranzisztoron keresztül lesz hozzávezetve, miközben a (T4) negyedik tranzisztor ágának azonos pontja terheletlen marad. Ez a (C, D) kimenetek közötti hibás egyenfeszültséghez vezet. Amennyiben ez zavaró, úgy egy szimulátor (T5) tranzisztorral kompenzálható, amelyet az áramtükör egy további (Tll) tranzisztora táplál.
E célból a (T5) tranzisztor kollektorára két (R5, R6) ellenállás csatlakozik, amelyek közül az (R5) ellenállás a (T5) tranzisztor bázisával és az (R6) ellenállás a bemeneti csatlakozóval van összekötve. A kívánt komRs penzálást elérhetjük, ha hozzávetőlegesen R6= — értéket választunk.
A bázisáram kompenzálására egy további lehetőséget szemléltet a 6. ábra. Ebben az esetben egy (T12) tranzisztor emittere csatlakozik a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztorok egymással összekötött bázisára, és a bázisa az (R3, R4) ellenállások (E) csomópontjával van összekötve, míg a (T12) tranzisztor kollektora egy (T13 és T14) tranzisztorokból felépített áramtükör bemenetével van összekötve. Az áramtükör kimenete, amelyet a (T14) tranzisztor kollektora alkot, az (A) bemenettel van összekötve. Ily módon a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztorok bázisáramát, amely a (TI, T2) első és második tranzisztorok bázisáramával majdnem egyenlő, a (TI2) tranzisztor veszi fel, és ez az áram a (T13, T14) tranzisztorokból álló áramtükrön keresztül a kapcsolás bemenetére van vezetve. Ebben az esetben nincs szükség járulékos áramra, amint az a 4. ábra esetén szükséges volt. Ezen kívül előnyös lehet, hogy a (C, D) kimenetek potenciálja (T12) tranzisztor bázis-emitter feszültségével a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztorok bázisfeszültsége fölött van, miáltal a (C, D) kimeneteken nagyobb feszültségváltozás lehetséges.
Az (RÍ) ellenállásnak a 2. vagy 5. ábra szerinti beiktatásával a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztorok által létrehozott áram-aszimmetria javítható, mivel az (RÍ) ellenálláson létrejövő feszültségesés a (TI) első tranzisztor bázis-emitter feszültségét csökkenti, és ezáltal ennek kollektoráramát csökkenti. Az (RÍ) ellenállás nagyobb értékénél azonban túlkompenzálás lép fel. Ennek a hatásnak az elkerülése érdekében a (T2) második tranzisztor bázisa elé egy (R2) ellenállás van beiktatva, amint az az 5. ábrán látható.
A 6. ábrán látható kapcsolási elrendezés a (C, D) kimenetek nagyobb kivezérlését teszi lehetővé, mivel a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztorok kollektora nagyobb feszültségen van, mint az egymással összekötött bázisok. Abban az esetben, ha erre a tulajdonságra szükség van, és a bázisáram kompenzálásról le lehet mondani, akkor a (T13, T14) tranzisztorok elhagyhatók, és a (T12) tranzisztor kollektora az (UB) tápfeszültséggel összeköthető. Lehetséges az is, hogy az (R3, R4) ellenállások (E) csomópontja és a (T3, T4) harmadik és negyedik tranzisztorok bázisa közé egy vagy több diódát és/vagy ellenállást iktassunk be.
A legtöbb alkalmazás esetén szimmetrikus kimenetre van szükség, ahol 13=14 és R3=R4, amint az a 4. ábrán látható kiviteli példa esetén fennáll.
13 R?
Azrf-és— viszonytól függően aszimmetrikus vezérlé14 R4 si- és feszültségviszonyok is beállíthatók. Az 5. ábrán egy 14=0, és R4=0 kiviteli példa látható, amely esetben a teljes (Io) tápáram egyoldalról van bevezetve, és a (T4) negyedik tranzisztor csak diódaként működik. A felerősített jel ekkor csak a (C) kimeneten jelenik meg, míg a (D) kimenet csak nyugalmi feszültséget ad le.
Claims (6)
- 35 SZABADALMI IGÉNYPONTOK1. Bemeneti kapcsolás négy azonos vezetési típusú tranzisztorral felépített nagy frekvenciás erősítőhöz, azzal jellemezve, hogy az első és második tranzisztor40 (TI, T2) emittere vonatkoztatási pontra (M) van kötve, az első tranzisztor (TI) bázisa a kapcsolás bemenetét (A) alkotja, a második tranzisztor (T2) bázisa az első tranzisztor (TI) kollektorára csatlakozik, az első tranzisztor (TI) kollektora a harmadik tranzisztor (T3)45 emitterével és a második tranzisztor (T2) kollektora a negyedik tranzisztor (T4) emitterével van összekötve, a harmadik és negyedik tranzisztor (T3, T4) bázisa egymással össze van kötve és a harmadik vagy negyedik tranzisztor (T3 vagy T4) legalább egyikének a kollek50 tora egy áramgenerátorral (13,14) össze van kötve.
- 2. Az 1. igénypont szerinti kapcsolás, azzal jellemezve, hogy az első tranzisztor (TI) bázisa és kollektora egymással össze van kötve.
- 3. Az 1. igénypont szerinti bemeneti kapcsolás, 55 azzal jellemezve, hogy az első tranzisztor (TI) bázisa és kollektora közé egy ellenállás (RÍ) van beiktatva.
- 4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti bemeneti kapcsolás, azzaljellemezve, hogy a harmadik tranzisztor (T3) kollektora a harmadik tranzisztor (T3) bá60 zisával és a negyedik tranzisztor (T4) kollektora aA5-·HU 207 913 Β negyedik tranzisztor (T4) bázisával össze van kötve, amelyek közül legalább az egyik összekötés egy ellenálláson (R3, R4) keresztül van megvalósítva.
- 5. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti bemeneti kapcsolás, azzal jellemezve, hogy a harmadik és 5 negyedik tranzisztor (T3, T4) kollektora egy csomóponttal (E) van összekötve, mely összekötések közül legalább az egyik egy ellenálláson keresztül (R3, R4) van megvalósítva, és a csomópont (E) egy további impedancián, például egy tranzisztor (T12) bázis-emitter átmenetén keresztül a harmadik és negyedik tranzisztor (T3, T4) bázisára csatlakozik.
- 6. Az 1-5. igénypontok bármelyike szerinti bemeneti kapcsolás, azzal jellemezve, hogy a második tranzisztor (T2) bázisa elé egy ellenállás (R2) van beiktatva.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3824556A DE3824556C2 (de) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | Symmetrische Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
HUT55927A HUT55927A (en) | 1991-06-28 |
HU207913B true HU207913B (en) | 1993-06-28 |
Family
ID=6359095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
HU893666A HU207913B (en) | 1988-07-20 | 1989-07-19 | Input circuit for high-frequency amplifiers |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4956615A (hu) |
EP (1) | EP0351639B1 (hu) |
JP (1) | JPH02104007A (hu) |
KR (1) | KR900002543A (hu) |
AT (1) | ATE111266T1 (hu) |
DE (2) | DE3824556C2 (hu) |
ES (1) | ES2059642T3 (hu) |
HK (1) | HK35497A (hu) |
HU (1) | HU207913B (hu) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2695272B1 (fr) * | 1992-08-26 | 1994-12-09 | Philips Composants | Circuit mélangeur pour des signaux de radio ou de télévision. |
US5497123A (en) * | 1994-12-23 | 1996-03-05 | Motorola, Inc. | Amplifier circuit having high linearity for cancelling third order harmonic distortion |
US5548248A (en) * | 1995-07-30 | 1996-08-20 | Wang; Nan L. L. | RF amplifier circuit |
US5767662A (en) * | 1996-06-21 | 1998-06-16 | Motorola, Inc. | Amplifier having single-ended input and differential output and method for amplifying a signal |
GB2321150B (en) * | 1997-01-11 | 2000-12-06 | Plessey Semiconductors Ltd | Low noise amplifier |
US5929710A (en) * | 1997-03-20 | 1999-07-27 | National Semiconductor Corporation | Cascode single-ended to differential converter |
US6104249A (en) * | 1998-12-31 | 2000-08-15 | Stmicrolectronics, Inc. | Highly linear transconductance circuit and filter using same |
US6281751B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-08-28 | Cirrus Logic, Inc. | Frequency compensation for single-ended class AB operational amplifiers with fully-differential input stages |
JP2002057532A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Nec Corp | 線形トランスコンダクタンスアンプ |
CN100411301C (zh) * | 2002-07-26 | 2008-08-13 | 国际商业机器公司 | 在并联反馈结构中使用二极管的改进2-级大带宽放大器 |
US7378911B2 (en) * | 2006-03-16 | 2008-05-27 | Newport Media, Inc. | Wideband ultra low noise amplifier |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3996462A (en) * | 1975-06-23 | 1976-12-07 | Nasa | Solid-state current transformer |
US4049977A (en) * | 1976-04-08 | 1977-09-20 | Rca Corporation | Phase-splitter |
US4028631A (en) * | 1976-04-26 | 1977-06-07 | Rca Corporation | Current amplifiers |
DE2946952A1 (de) * | 1979-11-21 | 1981-06-04 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Differenzverstaerker |
FR2528259A1 (fr) * | 1982-06-07 | 1983-12-09 | Western Electric Co | Perfectionnements concernant des circuits electroniques |
US4663599A (en) * | 1985-05-21 | 1987-05-05 | General Electric Company | Integrated circuit amplifier module |
US4644295A (en) * | 1986-02-04 | 1987-02-17 | Motorola, Inc. | Balanced differential load and method |
US4859966A (en) * | 1986-09-11 | 1989-08-22 | Seikosha Co., Ltd. | Current amplifier circuit and a current amplifying type differential current converter circuit |
-
1988
- 1988-07-20 DE DE3824556A patent/DE3824556C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-05 AT AT89112238T patent/ATE111266T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-07-05 ES ES89112238T patent/ES2059642T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-05 EP EP89112238A patent/EP0351639B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-05 DE DE58908306T patent/DE58908306D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-10 US US07/377,406 patent/US4956615A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-19 HU HU893666A patent/HU207913B/hu not_active IP Right Cessation
- 1989-07-20 KR KR1019890010274A patent/KR900002543A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-07-20 JP JP1186194A patent/JPH02104007A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-20 HK HK35497A patent/HK35497A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3824556C2 (de) | 1994-01-27 |
JPH02104007A (ja) | 1990-04-17 |
ES2059642T3 (es) | 1994-11-16 |
US4956615A (en) | 1990-09-11 |
KR900002543A (ko) | 1990-02-28 |
EP0351639B1 (de) | 1994-09-07 |
ATE111266T1 (de) | 1994-09-15 |
EP0351639A3 (en) | 1990-06-27 |
HUT55927A (en) | 1991-06-28 |
DE3824556A1 (de) | 1990-01-25 |
HK35497A (en) | 1997-03-27 |
EP0351639A2 (de) | 1990-01-24 |
DE58908306D1 (de) | 1994-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2549540B2 (ja) | レベルシフト回路 | |
US4857861A (en) | Amplifier arrangement with improved quiescent current control | |
HU207913B (en) | Input circuit for high-frequency amplifiers | |
GB2227138A (en) | Common-base source-driven differential amplifier | |
JPS62219777A (ja) | ガンマ補正回路 | |
KR0149650B1 (ko) | 전류 증폭기 | |
US4357578A (en) | Complementary differential amplifier | |
US4122402A (en) | Buffer amplifier circuit suitable for manufacture in monolithic integrated circuit form | |
US6064268A (en) | Precision emitter follower | |
JPH0590851A (ja) | 差動増幅器付き集積回路装置 | |
JP3312911B2 (ja) | 結合回路 | |
US6404285B1 (en) | Transistor amplifier that accommodates large input signals | |
US5023568A (en) | Combined current differencing and operational amplifier circuit | |
US20030052737A1 (en) | Operational amplifier in which the idle current of its output push-pull transistors is substantially zero | |
US6091294A (en) | Amplifier circuit | |
US5402084A (en) | Coupling circuit | |
US6246290B1 (en) | High gain, current driven, high frequency amplifier | |
US4430624A (en) | Current mirror circuit arrangement | |
KR20000005731A (ko) | 넓은주파수범위를가지는srpp회로 | |
JPH0232608A (ja) | 増幅回路 | |
JP3210524B2 (ja) | 差動入力型電圧制御電流源回路及びこれを用いた差動フィルタ回路 | |
JP3107590B2 (ja) | 電流極性変換回路 | |
KR930002996B1 (ko) | 능동 필터회로 | |
JPS6223612A (ja) | 温度補償型カレントスイツチ回路 | |
JP3688478B2 (ja) | 光受信回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HMM4 | Cancellation of final prot. due to non-payment of fee |