JPS6271320A - 電流制御発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、集積回路化されたＦＭ変調器に用いられる
エミッタ結合形非安定マルチバイブレータ構成の電流制
御発振器に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

第５図は従来のエミッタ結合形非安定マルチバイブレー
タ構成の電流制御発振器の回路例を示した回路図である
。この第５図において、一対のトランジスタ１，２のコ
レクタはそれぞれトランジスタ３，４のエミッタに接続
されている。

また、トランジスタ１のコレクタは抵抗８を介し、トラ
ンジスター２のコレクタは抵抗９を介してともにトラン
ジスタ５のエミッタに接続されている。

さらに、トランジスタ１のコレクタはトランジスタ６０
ベース、エミッタ結合を介してトランジスタ２のベース
に接続され、トランジスタ２のコレクタはトランジスタ
のベース、エミッタ結合を介してトランジスタ１のベー
スに接続されている。

前記トランジスタ３，４のベースはともにバイアス回路
を構成する電圧源１５に接続されており１両コレクタは
電源電圧ｖ、ｃに接続されている。

また、前記トランジスタ５のベースおよびコレクタなら
びにトランジスタ６．７のコレクタは電源電圧ｖｃｃに
接続されている。

なお、トランジスタ６のエミッタは先に述べたようにト
ランジスタ２のベースに接続されているが２分岐され電
流源１３を介して接地されている。

同様に、トランジスタのエミッタも分岐され電流源１４
を介して接地されている。トランジスタ１，２のエミッ
タはコンデンサ１２を介して相互に結合され、それぞれ
制御電流源１０゜１１を通じて接地されている。

さて、上記の構成による電流制御発振器の動作説明を、
第６図の信号波形図を参照しつつ行うことにする。以下
においては、トランジスタ１．２のコレクタ電位ｖ　、
■　ならびにエミＣＩ　　　　　　Ｃ２ ツタ電位”Ａ１１　ｖＩ□の時間変化を追って行く。

電流制御発振器の動作は、トランジスタ１，２が交互に
オン、オフの反転を繰シ返して行われるが、まず、時刻
ｔ、においで、トランジスタ１がオンになシ、トランジ
スタ２がオフになった状態を想定する。

このとき、トランジスタ３もオンになっているため、ト
ランジスタ１のコレクタ電位ｖｃ、は。

出力端子１６の電位よプトランジスタ３の４−ス・エミ
ッタ間電圧ｖ！ｌＥ３分低い電位となっている。

出力端子１６と電源電圧ｖｃｃ間の電圧なり０とすれば
、出力端子１６の電位はｖｃｃ−ｖｏであるから、時刻
ｔ、　Ｋおけるトランジスタ１のコレクタ電位ｖＣ１は
、 ｖｃ１＝ｖｃｃ−ｖｏ−■□、　（１＝１１）　　　　
　　・・・（１）となっている。

また、トランジスタ２のコレクタ電位ｖｃ２ハ、トラン
ジスタ２がオフになっているため、電源電圧ｖｃｃよシ
もトランジスタ５のベース・エミッタ間電圧ｖ、５だげ
低い電位となっておシ、ｖ０２　＝ｖＣＣ−■１１５　
（ｔ＝　ｔｌ　）　　　　　　−（２）と表わされる。

次に１時刻ｔ１におけるトランジスタ１，２のエミッタ
電位Ｖ、１．　Ｖ、□を考える。ここでトランジスタ７
のベース・エミッタ間電圧をｖ、７゜オン状態のトラン
ジスタ１のベース・エミッタ間電圧なＶ□、とすれば、 ■、、＝ｖｃｃ−ｖ□５−ｖ□、−ｖ□、（１＝１．）
　　　・・・（３）となる。このとき第５図の実線の矢
印で示すごとくコンデンサ１２には、入力電流Ｉ、□が
流れる。

これによシ、コンデンサ１２は実線の矢印の方向の極性
に一定速度で充電され、これに伴ないトランジスタ２の
エミッタ電位Ｖ工２は、第６図ｐ）に示すように、時刻
ｔ１以後、一定速度で低下していく。そして、エミッタ
電位Ｖ工、がこのまま減少していき、トランジスタ２の
ベース・エミッタ電圧Ｖ□２がある値になると、トラン
ジスタ２の状態はオンからオフに反転する。

この反転を起こすエミッタ電圧ｖＢＫ２の値をＶ□２（
。旧とし、反転する時刻なｔ２とすれば、時刻ｔ２にお
けるトランジスタ２のエミッタ電位ｖ０２は、 ”１２　＝　■＋２−ｖ＋ｇｚ（ｏＮ）　（ｔ＝　ｔ２
　）　　　　　・”（４）となる。

ここで、ｖＢ２はトランジスタ２のベース電位で６’）
、ＶＢ□はトランジスタ１のコレクタ電位ｖｃ、よシも
トランジスタ６のベース・エミッタ間電圧Ｖ□６だげ低
いため、 ｖＢ２　＝ｖＣ１−ＶＢＩＣ６ ＝”ｃｃ　−ｖｏ　−ｖＢＭ３−ｖＢＭ６　　　　　　
　−　（５）と表わされ、結局、 ■ＩＣ２＝”ＣＣ−■。−ｖＢｚｓ−ｖｖ６−ｖｍｚ２
ｔｏＮ）（ｔ＝ｔ２）　　”・（６）と求まる。

トランジスタ２がオフからオンに反転すると、トラン・
ゾスタ１はオンからオフに反転する。したがって、今度
はトランジスタ１のコレクタ電位■。、が ｙ　　：　ｖ　　−ｖ　　（ｔ＝ｔ２）　　　　　　−
４７）ＣＩ　　　　　　ＣＣＢＩ３ となシ、トランジスタ２のコレクタ電位ｖｃ２は、ｖｃ
２＝ｖｃｃ−ｖｏ−ｖ□４（１＝＝１２）　　　　　　
・・・（８）になる。そして、時刻ｔ２にオンとなった
トランジスタ２のエミッタ電位ｖ０２は、時刻も、のト
ランジスタ２のエミッタ電位ｖ８１と同様に、ＶＢ　＝
ｖｃｃ−”ｍｚ５−ｖｒ、６−ｖＢＭ２　（ｔ＝　ｔ２
　）　　　　・”　（９）となる。ここでＶ□２はオン
状態のトランジスタ２のベース・エミッタ間電圧を表わ
す。

さて、時刻ｔ２において、トランジスタ２のエミッタ電
位ｖ１２は、 ｖｃｃ　−ｖｏ−ｖｎｚｓ−ｖｙ１１６−ｖ１１２　（
ＯＮ）　　　　　−（１から ｖｃｃ　−ｖＢＭ５−■□４−　ｖ■２　　　　　　　
　　　・・・α壇に至るまで、差し引き、 ｖｏ＋■１１３　”−■８１５＋ｖ１１１２（ＯＮ）−
ｖＢＭ２　　　　　　”’　”増加している。

ここで、トランジスタ３がオン状態のとき。

トランジスタ３とトランジスタ５のそれぞれのコレクタ
に流れる電流が等しくなるように抵抗８が選ばれておシ
、トランジスタ３０ベース・エミッタ間電圧ｖＢＥ５と
トランジスタ５のベース・エミッタ間電圧Ｖ□５は等し
い。

したがって、先程の時刻ｔ２におけるトランジスタ２の
エミッタ電圧Ｖ。２の増加分 ｖＯ＋ｖＢＮ５−’ＢＩ５　＋ｖｌｌｆｆｉ２（ＯＮ）
　−ｖＫｌ２　　　　　　　　°°°（６）は、 Ｖ□３＝ｖｓｚ５　　　　　　　　　　　　　　・・・
ぐ◆であるから。

ｖＯ”　ｖＢ　Ｎ’ｌ　（ＯＮ）　−ｖＢ　１２　　　
　　　　　　　”’　（’）となる。これよシ、時刻ｔ
２におけるトランジスタ１のエミッタ電圧ｖ８１は１時
刻ｔ２におけるｖＣＣ−ｖＫｌ５−ｖＢＭ７−ｖＢＥｌ
”’α→から、上記の増加分だけ高い電位となシ。

ｖＫｌ　”ｖＣｃ−ｖＢＭ５−’ＢＮ７　”−ｖＢＭ、
十ｖＯ＋ｖＢＭ２（ＯＮ）−Ｖ　　（ｔ＝ｔ　）　　　
・・・α力Ｂ冨２２ となることがわかる。

時刻ｔ２以後、トランジスタ１がオフ、トランジスタ２
がオンとなった状態では、第１図の破線の矢印の方向に
入力電流工ｉｎが流れるため、今度はトランジスタ１の
エミッタ電位ｖ３．が第６図（Ｑに示すように一定速度
で低下していく。

そして、トランジスタ１がオフからオンになるのに必要
なベース・エミッタ間電圧をＶ□１（Ｏや）とすれば、 ’ｆｆ１１”ｖＣｃ−ｖｏ”８１４−ＶＢＩＣ７−■１
１１１（ＯＮ）　　　　　”’（”Ｄとなった時点（時
刻１．　）で、再びトランジスタ１がオンになフ、トラ
ンジスタ２がオフとなる。

オン状態となったトランジスタ１のエミッタ電圧ｖｇ１
は・ ｖ　　＝ｖ−Ｖ　　−Ｖ　　−Ｖ　　（ｔ＝ｔ）　　　
　・・・（６）ｋ＋Ｉ　　　　ＣＣＢ１０　　　　ＢＩ
３　　　１１１　　　　　　　Ｓに復帰し、時刻ｔ、に
おけるＶ工、の増加分は、ｖＯ＋ｖ１４４−７ｍｍ５＋
ｖｌｌｌ＋１　（ＯＮ）−ｖｍｇｌ””　Ｈである。

先程と同様に、トランジスタ４とトランジスタ５のベー
ス・エミッタ間電圧Ｖ□４．■□、はともに等しくなる
ように、抵抗９の値が選ばれているため、結局、時刻ｔ
、におけるｖＩｅ、の増加分は・ ｖＯ＋ｖ１１１　（ＯＮ）　−ｖｍｚｌ　　　　　　　
　　　−ａｎとなる。これよシ、時刻ｔ、におけるトラ
ンジスタ２のエミッタ電圧ｖ８□は、時刻ｔ３以前にお
ける ｖｃｃ−ｖ□５−ｖＢＭ４−ｖ□２　　　　　　　　・
・・に）よシも、上記の増加分だけ高い。

ｖＥ２＝：ｖＣＣニーｖ■５−’１Ｎ６−ｖＩＩＫ２＋
ｖＯ＋ｖ１１ｍ１１（ＯＮ）−Ｖ　　（ｔ＝ｔ　）　　
　　・・・に）１１１　　　　　　　Ｓ となる。

以後、トランジスター、２のオン、オフの反転が繰シ返
され、トランジスターのコレクタ電位ｖｃ、もしくはト
ランジスタ２のコレクタ電位ｖｃ２は、それぞれ第６図
（ハ））、（功に示すように。

一定の周期２でで繰シ返されるパルス波形となシ、電流
制御発振器の発振出力が得られることになるのである。

この場合、トランジスタ１のコレクタ電位ｖｃ、の期間
Ｔにおける変化よシ、コンデンサ１２の端子電圧は、期
間Ｔにおいて、 ｖｃｃ−ｖｏ−７ｇｇ４−ｖ■７−ｖｔｚＢｏＮ）　　
　　　−Ｈから ｖｃｃ−ｖｌｇ−’ｌ＋＋ｇ７−”ｍｇ１＋ｖ０＋ｖｍ
ｚ２（ｏＮ）−ｖｍｍ２　　　・−ｉまで。

２ｖＯ＋ｖｌ１１　（ＯＮ）　−ｖｌｌｌｌ　＋ｖｌｌ
１２（ＯＮ）　−■１１１２　　　　”’　ｍたけ変化
する。

ここで、トランジスタ１，２を対称に選ぶことＫより。

””１＝ｖ”２　＊　ｖ＋ｕｕ（ｏＮ）＝ｖｍｚ２（ｏ
Ｎ）　　　°−ｆｉとなるため、コンデンサ１２の印加
電圧の変化は ２（ｖｏ＋ｖｎｍ１（ｏＮ）−ｖｍｍ、）　　　　　　
　　　・”ｅＡとなる。したがって、コンデンサ１２の
容量なＣとすれば、 Ｃ−２（ＶＯ＋ｖ＋５ｚ１（ＯＮ）−ｖｎｇｔ）＝　１
１ｎ　−Ｔ　　　　　−＠が成立し、よって電流制御発
振器の発振周波数ｆｏは。

と求まる。

ここで、■、は、トランジスタ１，２のオン、オフが反
転するときのコンデンサ１２の端子電圧で ｖｃ　＝　”ｏ＋ｖｍｘ２（ｏＮ）　　’ｓｘ、＝’＜
３１）と表わされる。

上記第（１）式よυ、入力電流Ｉｉｎを変化させること
により、発振周波数ｆ。が変化することがわかる。した
がって、映像信号を入力信号とし、この入力信号により
定電流Ｉ０を同相で変化させることによシ、電流制御発
振器をＶＴＲ（ビデオ・チーブ・レコーダ）におけるＦ
Ｍ変調器として用いることができる。

さて、このエミッタ結合形非安定マルチバイブレータ構
成の発振周波数ｆ０は、温度ドリフトを有するのである
が、以下これについて詳述する。

発振周波数ｆ０が温度ドリフトを有する原因は、上記第
０カ式で示されるコンデンサ１２の端子電圧ｖｃが温度
ドリフトを有するためである。

すなわち、たとえばトランジスタ２がオフからオンに反
転する時刻ｔ２において、トランジスタ１，２のコレク
タ電流が実際には等しくならず、そのため、時刻ｔ２に
おけるトランジスタ１゜２のエミッタ・ベース電圧であ
るｖ□１゜Ｖ□２（ＯＮ）の温度係数に相異が生じ、端
子電圧ｖｃが温度ドリフトを有するに至るのである。

このことをさらに詳しく知るために、時刻ｔ２において
、トランジスタ２に流れるコレクタ電流！ｃ２（。りを
考えてみる。

いま１時刻ｔ２以前の、トランジスタ２がオフの状態に
おいて、エミッタ接合ｖ８□がΔＶ減少したものとする
。このとき、抵抗１３を流れる電流は、トランジスタ２
の相互インダクタンスをｇｍ２とすると、Δｖ−ｇｍ２
増加する。

これ忙よシ、トランジスタ２のコレクタ電位Ｖｃ２ハ、
Δｖ−ｇｍ２・Ｒ１，下がる。このコレクタ電位ｖｃ２
の変化は、トランジス／７およびトランジスタ１０ベー
ス・エミッタ接合、コンデンサ１２を順次経て、トラン
ジスタ２自身のエミッタにそのｔま帰還される。

トランジスタ２がオフからオンに反転する条件は、この
ときのループダインＧ、すなわち、ΔＶ−ｇｒｎ２・Ｒ
１５− Ｇ＝　　Δ７−　ｇｍ２・Ｒ１３・・・（３２）が１以
上となることである。

したがって、Ｑ＝ｌとなった瞬間（時刻ｔ２）に、トラ
ンジスタ２はオフからオンに反転する。

この瞬間のトランジスタ２のコレクタ電流がＩＣ２（Ｏ
Ｎ）であ）、相互インダクタンスｇｍ２は、９ｍ２＝五
”　ＩＣｚ（ｏＮ）　　　　　　　　　０１．（３３）
と表わされる。

ここで、Ｋは♂ルツマン定数、Ｔは絶対温度ｑは単位電
荷をそれぞれ示す。上記第Ｃ’！Ｑ）、　（：Ｕ）式よ
シ、トランジスタ２の反転時におけるコレクタ電流ＩＣ
２（ＯＮ）は、 と求まる。

さて、上記のごとく、コレクタ電流ＩＣ２（ＯＮ）が求
まったことによシ、反転時におけるトランジスタ２のベ
ース・エミッタ電圧ｖＢＩ＋２（ｏＮ）は、トランジス
タ１および２の飽和電流値をＩｓとすると、 と求まる。

また、反転時におけるトランジスタ１のベース・エミッ
タ電圧ＶＢ！、は、トランジスタ１のコレクタ電流工。

、がほぼ工ｌｎと等しいため、と求まる。

したがって、上記第（３５）式、（３５）式、ならびに
第■）式よシ、反転時のコンデンサー２の端子電圧Ｖは
。

と求まる。

これよシ、端子電圧ｖｃが温度Ｔの関数となっておシ、
負の温度ドリフトを有することが明らかとなった。した
がって、第（１）式で表わされる発振周波数ｆ。は正の
温度ドリフトを有することになる。

〔発明の目的〕

この発明は上記の問題点に鑑みなされたもので、発振周
波数の温度ドリフトを改善することができる電流制御発
振器を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

この発明の電流制御発振器は、第１および第２のトラン
ジスタのエミッタ間にコンデンサな接続し、第３ないし
第５のトランジスタのコレクタを電源に接続し、第１お
よび第２のトランジスタのエミッタを制御電流源に接続
するとともに第１のトランジスタのコレクタを第２のト
ランジスタのベース（（接続しかつ第２のトラン・ゾス
タのコレクタを第１のトランジスタのベースに接続して
帰還ループを形成するとともに、第１および第２のトラ
ンジスタのコレクタをそれぞれ抵抗を介して第５のトラ
ンジスタのエミッタに接続し、第１および第２のトラン
ジスタのコレクタをそれぞれ第３および第４のトランジ
スタのエミッタに接続し、第３、第４ｃＤ）ランジスタ
の（−スな共通に接続し、このベース電位と第５のトラ
ンジスタのベース電位間の電圧が一定となるように笥３
、第４および第５のトランジスタのベースをそれぞれ）
９イアス回路に接続し、第５のトランジスタと第３また
は第４のトランジスタのエミッタ電流密度を異なる値１
（設定するようにしたものである。

〔本発明の実施例〕

以下、この発明の電流制御発振器の一実施例を第１図を
用いて説明する。この第１図において、第５図と同一部
分は重複説明を避けるために、第５図と同一部分は同一
符号を付するＫとどめる。この第１図を第５図と比較し
ても明らかなように、第１図に示した電流制御発振器が
第５図の電流制御発振器と異なる点は以下の点である。

第５図においては、前述のようにトランジスタ５とトラ
ンジスタ３または４に流れる電流は等しく、またそれぞ
れのトランジスタのエミッタ面積は等しいため、電流密
度が等しくなり、Ｖ□５とＶ□３またはｖＢＥ４は等し
くなっている。

これに対し、第１図においては、トランジスタ５のエミ
ッタ面積をトランジスタ３または４のエミッタ面積のｎ
倍とすることによりトランジスタ５とトランジスタ３ま
たは４の電流密度が異なる。

このため式（ト）、？埠の代わシに式（６）、００を用
いてＶ。を求めると、 ｖｃ　””　ｖｏ＋ｖｍ＋ｃｓ　　’＋＋ｚ５＋”＋＋
ｔ２（ｏＮ）　　”０１　　−（：ｆｉ）どなる。

ここでトランジスタ３および５のエミッタ面積を１：ｎ
とすると飽和電流はＩ、ｎＩ　　となり　　　　　　　
　Ｓ り、トランジスタ３と抵抗８または９に流れる′電流が
等しく設定されていたとするととなる。よって式（３Ｂ
）　、　Ｃ，３５）　、　０６）　、　（３９）　、　
（４０）　　よシｖＣは と表わすことができる。よって、 つまシ となるようｎを選ぶことによ、１　、ｖｃ＝　ｖｏとす
ることができＶＣの温度ドリフトを０とすることができ
る。すなわち発振周波数ｆ。の温度ドリフトを補償する
ことができる。

次に、この発明の他の実施例を第２図を用いて説明する
。第２図に示した電流制御発振器が第５図の電流制御発
振器と異なる点は、第２図では電圧源１５とトランジス
タ５のエミッタ間に定電流源２０が接続されている点で
ある。

これによシ、トランジスタ５のコレクタ電流を減少する
ことでトランジスタ５とトランジスタ３または４の電流
密度が異なるようにしたものである。

ここで、トランジスタ１のオン時を考えトランジスタ３
と抵抗８に電流が等しく設定されていたとすると、トラ
ンジスタ３のエミッタ電流Ｉ８３と抵抗８を流れる電流
工、３の和は２工、であるため■。５　”’　”Ｒ３＝
工Ｉｎとなる。

このとき、定電流源２０に流れる電流をＴ工とすると、 となる。よりて式Ｃ３８）　、　Ｃ３Ｓ）　、　（３６
）　、　Ｃ，＄９）　、　（４０）よシｖｃは と表わすことができる。よって。

つまり、 となるようｌｘを選ぶことＫよ＃）■、＝ｖ０とするこ
とができ、ｖｃの温度ドリフトを０とすることができる
。すなわち、発振周波数ｆ。の温度ドリフトを補償する
ことができる。

次に、この発明の具体的な実施例について説明する。第
２図に示したこの発明の他の実施例において定電流源２
０はたとえば第３図、第４図に示すように簡単な構成で
実現できるう第３図は抵抗２１の両端を電圧源１５およ
びトランジスタ５のエミッタに接続することによ）定電
流源を構成したものである。この回路において定電流源
の電流Ｉｘは と表わせる。

また、第４図に他の定電流源の構成例を示す。

バイアス回路が抵抗３１．３２．３３を電源とＧＮＤ間
に直列に接続されて構成されている場合ヲ考よる。トラ
ンジスタ５のベースは抵抗３１と３２の接続点１７に接
続され、トランジスタ３および４のベースは抵抗３２と
３３の接続点１６に接続されている。定電流源は抵抗２
１とダイオード接続されたトランジスタ２２を直列に接
続した回路を電源、トランジスタ５のエミッタ間に接続
することで構成されている。

この回路では、抵抗２１の両端にかかる電圧は抵抗３１
〜３３の低抗値をそれぞれＲ３１〜Ｒ５５とすると、 Ｒ５１、ｙ　　−１−Ｖ　　−Ｖ Ｒ３１＋　Ｒ，２＋Ｒ易 となるため、Ｉｘは と表わせる。式（５０）よフｖ□５とｖＢＺ２０よりト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧の／ぐラツキが補
正されている。

なお、上記実施例および他の実施例は併用することによ
り有効な場合もある。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明の電流制御発振器によれば、第５
のトランジスタと第３、第４のトランジスタの電流密度
を異なるよう設定することで、はとんど素子数を増加さ
せることなく、低電圧動作が可能な電流制御発振器の温
度ドリフトを改善することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の電流制御発振器の一実施例の回路図
、第２図はこの発明の電流制御発振器の他の実施例の回
路図、第３図および第４図はそれぞれこの発明の電流制
御発振器の具体的な実施例の回路図、第５図は従来の電
流制御発振器の回路図、第６図は第５図の電流制御発振
器の動作を説明するためのタイムチャートである。 １〜７・・・トランジスタ、８，９，２１．３１〜３３
・・・抵抗、１０．１１・・・制御電流源、１２・・・
コンデンサ、１３，１４，２０・・・電流源、１５・・
・電圧源。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江゛武　彦１〜７　　　
トランジスタ 第１図 ２１　　　毛１に 第３図 ２２、トフンジスタ ３１〜３３　　拮抗 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. エミッタ間にコンデンサが接続される第１と第２のトラ
   ンジスタとコレクタが電源に接続される第３、第４、第
   ５のトランジスタとを有し、前記第１および第２のトラ
   ンジスタのエミッタをそれぞれ制御電流源に接続すると
   ともに、前記第１のトランジスタのコレクタを前記第２
   のトランジスタのベースに、また前記第２のトランジス
   タのコレクタを前記第１のトランジスタのベースにそれ
   ぞれ接続して帰還ループを形成するとともに、前記第１
   および第２のトランジスタのコレクタをそれぞれ抵抗を
   介して前記第５のトランジスタのエミッタに接続し、さ
   らに前記第１および第２のトランジスタのコレクタをそ
   れぞれ前記第３および第４のトランジスタのエミッタに
   接続し、前記第３、第４のトランジスタのベースを共通
   に接続し、このベース電位と前記第５のトランジスタの
   ベース電位間の電圧が一定となるように第３、第４およ
   び第５のトランジスタのベースをそれぞれバイアス回路
   に接続してなるエミッタ結合形非安定マルチバイブレー
   タ構成の電流制御発振器において、第５のトランジスタ
   と第３または第４のトランジスタのエミッタ電流密度を
   異なる値に設定することを特徴とする電流制御発振器。