JPH0522035A - 電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器 - Google Patents
電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器Info
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- JPH0522035A JPH0522035A JP14847091A JP14847091A JPH0522035A JP H0522035 A JPH0522035 A JP H0522035A JP 14847091 A JP14847091 A JP 14847091A JP 14847091 A JP14847091 A JP 14847091A JP H0522035 A JPH0522035 A JP H0522035A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣ化が容易な電圧制御型水晶発振器および
温度補償型水晶発振器を提供する。 【構成】 トランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
にコンデンサ３を接続した回路とトランジスタ１のコレ
クタ端子に水晶振動子４を接続した回路を具備して、水
晶振動子４の他端には発振回路５が接続されている。な
お、トラジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間にコンデ
ンサ３を接続した回路の代わりに、電界効果トランジス
タのドレイン−ソ−ス端子間にコンデンサ３を接続した
回路を用いてもよい。 【効果】 電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶
発振器のＩＣ化が容易に可能となり、小型で高安定な水
晶発振器を得ることができる。
温度補償型水晶発振器を提供する。 【構成】 トランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
にコンデンサ３を接続した回路とトランジスタ１のコレ
クタ端子に水晶振動子４を接続した回路を具備して、水
晶振動子４の他端には発振回路５が接続されている。な
お、トラジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間にコンデ
ンサ３を接続した回路の代わりに、電界効果トランジス
タのドレイン−ソ−ス端子間にコンデンサ３を接続した
回路を用いてもよい。 【効果】 電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶
発振器のＩＣ化が容易に可能となり、小型で高安定な水
晶発振器を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車電話などの移動
体通信機器や衛星通信機器等に用いることができる電圧
制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器に関する
ものである。
体通信機器や衛星通信機器等に用いることができる電圧
制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信機器や衛星通信機器な
どの普及にともなって、それら機器の基準周波数発生源
として利用される電圧制御型水晶発振器および温度補償
型水晶発振器の需要が増大している。そしてこれら電圧
制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器には小
型、低消費電力で且つ高安定な特性が要求されている。
どの普及にともなって、それら機器の基準周波数発生源
として利用される電圧制御型水晶発振器および温度補償
型水晶発振器の需要が増大している。そしてこれら電圧
制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器には小
型、低消費電力で且つ高安定な特性が要求されている。
【０００３】以下図面を参照しながら従来の電圧制御型
水晶発振器について説明する。（図１４（ａ））は従来
の電圧制御型水晶発振器の回路図を示すものである。
（図１４（ａ））において、２は制御電圧印加端子、４
は水晶振動子、５は発振回路、６は電源電圧印加端子、
７は出力端子、８９は可変容量ダイオ−ドである。可変
容量ダイオ−ド８９の接合容量が制御電圧印加端子２に
印加される逆電圧値によって変化する。従って、可変容
量ダイオ−ド８９に印加する逆電圧値によって水晶振動
子４を含めた共振回路のリアクタンス成分が変化し、発
振周波数が変化する。
水晶発振器について説明する。（図１４（ａ））は従来
の電圧制御型水晶発振器の回路図を示すものである。
（図１４（ａ））において、２は制御電圧印加端子、４
は水晶振動子、５は発振回路、６は電源電圧印加端子、
７は出力端子、８９は可変容量ダイオ−ドである。可変
容量ダイオ−ド８９の接合容量が制御電圧印加端子２に
印加される逆電圧値によって変化する。従って、可変容
量ダイオ−ド８９に印加する逆電圧値によって水晶振動
子４を含めた共振回路のリアクタンス成分が変化し、発
振周波数が変化する。
【０００４】次に、図面を参照しながら従来の温度補償
型水晶発振器について説明する。（図１４（ｂ））は、
従来の温度補償型水晶発振器の回路図を示すものであ
る。（図１４（ｂ））において、８５は抵抗、２７およ
び２８はサ−ミスタであり、その他の構成は（図１４
（ａ））に示したものと同じである。温度が変化すると
サ−ミスタ２７および２８の抵抗値が変化し、可変容量
ダイオ−ド８９の両端に印加する電圧値が変化する。そ
の結果、可変容量ダイオ−ド８９の容量が変化して、水
晶振動子４の周波数温度特性を補償する。
型水晶発振器について説明する。（図１４（ｂ））は、
従来の温度補償型水晶発振器の回路図を示すものであ
る。（図１４（ｂ））において、８５は抵抗、２７およ
び２８はサ−ミスタであり、その他の構成は（図１４
（ａ））に示したものと同じである。温度が変化すると
サ−ミスタ２７および２８の抵抗値が変化し、可変容量
ダイオ−ド８９の両端に印加する電圧値が変化する。そ
の結果、可変容量ダイオ−ド８９の容量が変化して、水
晶振動子４の周波数温度特性を補償する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では共振回路に可変容量ダイオ−ドが含まれ
ているためＩＣ化に不向きであり、小型化が困難である
という問題を有していた。
ような構成では共振回路に可変容量ダイオ−ドが含まれ
ているためＩＣ化に不向きであり、小型化が困難である
という問題を有していた。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑み、ＩＣ化が容易
な電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器を
提供することを目的とする。
な電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の電圧制御型水晶発振器は、トランジスタの
コレクタ−エミッタ端子間にコンデンサを接続した回路
と、前記トランジスタのコレクタもしくはエミッタ端子
に接続された水晶振動子とを具備したものである。
めに本発明の電圧制御型水晶発振器は、トランジスタの
コレクタ−エミッタ端子間にコンデンサを接続した回路
と、前記トランジスタのコレクタもしくはエミッタ端子
に接続された水晶振動子とを具備したものである。
【０００８】また、上記問題点を解決するために本発明
の温度補償型水晶発振器は、トランジスタのコレクタ−
エミッタ端子間にコンデンサを接続した回路と、前記ト
ランジスタのコレクタもしくはエミッタ端子に接続され
た水晶振動子と、前記トランジスタのベ−ス端子に接続
された温度−電圧変換回路とを具備したものである。
の温度補償型水晶発振器は、トランジスタのコレクタ−
エミッタ端子間にコンデンサを接続した回路と、前記ト
ランジスタのコレクタもしくはエミッタ端子に接続され
た水晶振動子と、前記トランジスタのベ−ス端子に接続
された温度−電圧変換回路とを具備したものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成によって、可変容量ダイ
オ−ドを使用せずに電圧によって発振周波数を変化させ
ることができるので、ＩＣ化が容易となる。
オ−ドを使用せずに電圧によって発振周波数を変化させ
ることができるので、ＩＣ化が容易となる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の第１の実施例について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１１】（図１）は、本発明の電圧制御型水晶発振
器の第１の実施例の回路図を示すものである。（図１）
において、１はトランジスタ、２は制御電圧印加端子、
３はコンデンサで、トランジスタ１のコレクタ−エミッ
タ端子間に接続されている。４は水晶振動子で、トラン
ジスタ１のコレクタ端子に接続されている。５は発振回
路、６は電源電圧印加端子、７は出力端子である。制御
電圧印加端子２に印加する電圧を変化させると、トラン
ジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗値が変化
し、コンデンサ３との合成リアクタンス値が変化する。
その結果、（図１）に示す発振器における発振周波数が
変化する。すなわち、制御電圧印加端子２に印加する電
圧によって、発振周波数を変化させることができる。
器の第１の実施例の回路図を示すものである。（図１）
において、１はトランジスタ、２は制御電圧印加端子、
３はコンデンサで、トランジスタ１のコレクタ−エミッ
タ端子間に接続されている。４は水晶振動子で、トラン
ジスタ１のコレクタ端子に接続されている。５は発振回
路、６は電源電圧印加端子、７は出力端子である。制御
電圧印加端子２に印加する電圧を変化させると、トラン
ジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗値が変化
し、コンデンサ３との合成リアクタンス値が変化する。
その結果、（図１）に示す発振器における発振周波数が
変化する。すなわち、制御電圧印加端子２に印加する電
圧によって、発振周波数を変化させることができる。
【００１２】以下本発明の第２の実施例について図面を
参照しながら説明する。（図２）は、本発明の電圧制御
型水晶発振器の第２の実施例の回路図である。（図２）
において、８は電界効果型トランジスタである。ここ
で、コンデンサ３は電界効果型トランジスタ８のドレイ
ン−ソ−ス端子間に接続されており、水晶振動子４は電
解効果型トランジスタ８のドレイン端子に接続されてい
る。制御電圧印加端子２に印加する電圧を変化させる
と、電界効果トランジスタ８のドレイン−ソ−ス端子間
の抵抗値が変化し、コンデンサ３との合成リアクタンス
値が変化する。その結果、（図２）に示す発振器におけ
る発振周波数が変化する。すなわち、制御電圧印加端子
２に印加する電圧によって、発振周波数を変化させるこ
とができる。また、（図２）に示すようにトランジスタ
の代わりに電界効果型トランジスタを用いるとトランジ
スタを用いたときに比較して、制御電圧印加端子２につ
ながる回路と共振回路の分離度をより高くすることがで
きる。
参照しながら説明する。（図２）は、本発明の電圧制御
型水晶発振器の第２の実施例の回路図である。（図２）
において、８は電界効果型トランジスタである。ここ
で、コンデンサ３は電界効果型トランジスタ８のドレイ
ン−ソ−ス端子間に接続されており、水晶振動子４は電
解効果型トランジスタ８のドレイン端子に接続されてい
る。制御電圧印加端子２に印加する電圧を変化させる
と、電界効果トランジスタ８のドレイン−ソ−ス端子間
の抵抗値が変化し、コンデンサ３との合成リアクタンス
値が変化する。その結果、（図２）に示す発振器におけ
る発振周波数が変化する。すなわち、制御電圧印加端子
２に印加する電圧によって、発振周波数を変化させるこ
とができる。また、（図２）に示すようにトランジスタ
の代わりに電界効果型トランジスタを用いるとトランジ
スタを用いたときに比較して、制御電圧印加端子２につ
ながる回路と共振回路の分離度をより高くすることがで
きる。
【００１３】以下本発明の第３の実施例について図面を
参照しながら説明する。（図３）は、本発明の電圧制御
型水晶発振器の第３の実施例の回路図である。（図３）
において、６３は抵抗である。ここで、抵抗６３はトラ
ンジスタ１のコレクタ端子に接続され、抵抗６３とトラ
ンジスタ１を接続した回路にコンデンサ３が並列に接続
されており、さらに水晶振動子４は抵抗６３を介してト
ランジスタ１のコレクタ端子側に接続されている。制御
電圧印加端子２に印可する電圧を変化させると、抵抗６
３とトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗
およびコンデンサ３との合成リアクタンスが変化し、そ
の結果、発振周波数が変化する。なお、抵抗６３の抵抗
値によって、制御電圧印加端子２に印可する電圧に対す
る抵抗６３とトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子
間の抵抗およびコンデンサ３との合成リアクタンス値の
変化率を変えることができる。
参照しながら説明する。（図３）は、本発明の電圧制御
型水晶発振器の第３の実施例の回路図である。（図３）
において、６３は抵抗である。ここで、抵抗６３はトラ
ンジスタ１のコレクタ端子に接続され、抵抗６３とトラ
ンジスタ１を接続した回路にコンデンサ３が並列に接続
されており、さらに水晶振動子４は抵抗６３を介してト
ランジスタ１のコレクタ端子側に接続されている。制御
電圧印加端子２に印可する電圧を変化させると、抵抗６
３とトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗
およびコンデンサ３との合成リアクタンスが変化し、そ
の結果、発振周波数が変化する。なお、抵抗６３の抵抗
値によって、制御電圧印加端子２に印可する電圧に対す
る抵抗６３とトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子
間の抵抗およびコンデンサ３との合成リアクタンス値の
変化率を変えることができる。
【００１４】以下本発明の第４の実施例について図面を
参照しながら説明する。（図４）は、本発明の電圧制御
型水晶発振器の第４の実施例の回路図である。（図４）
において、７１は抵抗であり、抵抗７１およびコンデン
サ３はともにトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子
間に接続され、水晶振動子４はトランジスタ１のコレク
タ端子に接続されている。（図４）において、制御電圧
印加端子２に印可する電圧を変化させると、抵抗７１と
トランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗およ
びコンデンサ３との合成リアクタンス値が変化し、その
結果、発振周波数が変化する。なお、抵抗７１の抵抗値
によって、制御電圧印加端子２に印可する電圧に対する
抵抗７１とトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
の抵抗およびコンデンサ３との合成リアクタンスの変化
率を変えることができる。
参照しながら説明する。（図４）は、本発明の電圧制御
型水晶発振器の第４の実施例の回路図である。（図４）
において、７１は抵抗であり、抵抗７１およびコンデン
サ３はともにトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子
間に接続され、水晶振動子４はトランジスタ１のコレク
タ端子に接続されている。（図４）において、制御電圧
印加端子２に印可する電圧を変化させると、抵抗７１と
トランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗およ
びコンデンサ３との合成リアクタンス値が変化し、その
結果、発振周波数が変化する。なお、抵抗７１の抵抗値
によって、制御電圧印加端子２に印可する電圧に対する
抵抗７１とトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
の抵抗およびコンデンサ３との合成リアクタンスの変化
率を変えることができる。
【００１５】以下本発明の第５の実施例について、図面
を参照しながら説明する。（図５）は、本発明の電圧制
御型水晶発振器の第５の実施例の回路図を示すものであ
る。（図５）において、４２は演算増幅器である。コン
デンサ３はトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
に接続され、さらに水晶振動子４はトランジスタ１のコ
レクタ端子に接続されている。また、演算増幅器４２の
出力端子とトランジスタ１のベ−ス端子が接続されてい
る。制御電圧印加端子２に印加する電圧を変化させる
と、演算増幅器４２によって演算された電圧、すなわち
トランジスタ１のベ−ス電位が変わり、トランジスタ１
のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗値が変化する。その
結果、トランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵
抗とコンデンサ３との合成リアクタンスが変化し、（図
５）に示す発振器における発振周波数を変化させること
ができる。すなわち、制御電圧印加端子２に印加する電
圧によって、発振周波数を変化させることができる。な
お、トランジスタ１のベ−ス電圧端子と制御電圧印加端
子２の間に演算増幅器４２を接続することにより、任意
の制御電圧−発振周波数特性を得ることができる。
を参照しながら説明する。（図５）は、本発明の電圧制
御型水晶発振器の第５の実施例の回路図を示すものであ
る。（図５）において、４２は演算増幅器である。コン
デンサ３はトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
に接続され、さらに水晶振動子４はトランジスタ１のコ
レクタ端子に接続されている。また、演算増幅器４２の
出力端子とトランジスタ１のベ−ス端子が接続されてい
る。制御電圧印加端子２に印加する電圧を変化させる
と、演算増幅器４２によって演算された電圧、すなわち
トランジスタ１のベ−ス電位が変わり、トランジスタ１
のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗値が変化する。その
結果、トランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵
抗とコンデンサ３との合成リアクタンスが変化し、（図
５）に示す発振器における発振周波数を変化させること
ができる。すなわち、制御電圧印加端子２に印加する電
圧によって、発振周波数を変化させることができる。な
お、トランジスタ１のベ−ス電圧端子と制御電圧印加端
子２の間に演算増幅器４２を接続することにより、任意
の制御電圧−発振周波数特性を得ることができる。
【００１６】以下本発明の第６の実施例について図面を
参照しながら説明する。（図６）は、本発明の電圧制御
型水晶発振器の第６の実施例の回路図である。（図６）
において、７９および８０は制御電圧印加端子、９およ
び１０はトランジスタであり、トランジスタ９および１
０はカスケ−ド接続され、その両端のコレクタ−エミッ
タ端子間、すなわちトランジスタ９のコレクタ端子とト
ランジスタ１０のエミッタ端子の間にコンデンサ３が接
続されている。また、７９および８０は制御電圧印加端
子であり、制御電圧印加端子７９および８０に印加する
電圧を変化させるとトランジスタ９および１０の各コレ
クタ−エミッタ端子間の抵抗値が変化し、コンデンサ３
との合成リアクタンスが変化する。すなわち、制御電圧
印加端子７９および８０に印加する電圧によって発振周
波数を変化させることができる。
参照しながら説明する。（図６）は、本発明の電圧制御
型水晶発振器の第６の実施例の回路図である。（図６）
において、７９および８０は制御電圧印加端子、９およ
び１０はトランジスタであり、トランジスタ９および１
０はカスケ−ド接続され、その両端のコレクタ−エミッ
タ端子間、すなわちトランジスタ９のコレクタ端子とト
ランジスタ１０のエミッタ端子の間にコンデンサ３が接
続されている。また、７９および８０は制御電圧印加端
子であり、制御電圧印加端子７９および８０に印加する
電圧を変化させるとトランジスタ９および１０の各コレ
クタ−エミッタ端子間の抵抗値が変化し、コンデンサ３
との合成リアクタンスが変化する。すなわち、制御電圧
印加端子７９および８０に印加する電圧によって発振周
波数を変化させることができる。
【００１７】以下本発明の第７の実施例について図面を
参照しながら説明する。（図７）は、本発明の温度補償
型水晶発振器の第１の実施例の回路図である。（図７）
において、１６は温度−電圧変換回路、１７は電圧印加
端子である。ここで、コンデンサ３はトランジスタ１の
コレクタ−エミッタ端子間に接続され、水晶振動子４は
トランジスタ１のコレクタ端子に接続されている。ま
た、温度−電圧変換回路１６はトランジスタ１のベ−ス
端子に接続されている。温度−電圧変換回路１６は、周
囲の温度変化によってトランジスタ１のベ−ス端子に供
給する電圧を変化させる回路であり、これにより温度変
化によってトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
の抵抗値を変化させることができる。そして、温度変化
によるトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵
抗とコンデンサ３との合成リアクタンスの変化と水晶振
動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、発振周波数が
一定に保たれる。
参照しながら説明する。（図７）は、本発明の温度補償
型水晶発振器の第１の実施例の回路図である。（図７）
において、１６は温度−電圧変換回路、１７は電圧印加
端子である。ここで、コンデンサ３はトランジスタ１の
コレクタ−エミッタ端子間に接続され、水晶振動子４は
トランジスタ１のコレクタ端子に接続されている。ま
た、温度−電圧変換回路１６はトランジスタ１のベ−ス
端子に接続されている。温度−電圧変換回路１６は、周
囲の温度変化によってトランジスタ１のベ−ス端子に供
給する電圧を変化させる回路であり、これにより温度変
化によってトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
の抵抗値を変化させることができる。そして、温度変化
によるトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵
抗とコンデンサ３との合成リアクタンスの変化と水晶振
動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、発振周波数が
一定に保たれる。
【００１８】以下本発明の第８の実施例について図面を
参照しながら説明する。（図８）は、本発明の温度補償
型水晶発振器の第２の実施例の回路図である。（図８）
において、２５は抵抗、２６はサ−ミスタである。コン
デンサ３はトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
に接続され、水晶振動子４はトランジスタ１のコレクタ
端子に接続されている。また、トランジスタ１のベ−ス
端子とア−スの間およびトランジスタ１のベ−ス端子と
電圧印加端子１７の間に、それぞれサ−ミスタ２６と抵
抗２５が接続されている。周囲の温度が変化するとサ−
ミスタ２６の抵抗値が変化し、トランジスタ１のベ−ス
端子電位が変わる。その結果、トランジスタ１のコレク
タ−エミッタ端子間の抵抗値が変化する。すなわち、温
度変化によるトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子
間の抵抗とコンデンサ３との合成リアクタンスの変化と
水晶振動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、発振周
波数が一定に保たれる。
参照しながら説明する。（図８）は、本発明の温度補償
型水晶発振器の第２の実施例の回路図である。（図８）
において、２５は抵抗、２６はサ−ミスタである。コン
デンサ３はトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
に接続され、水晶振動子４はトランジスタ１のコレクタ
端子に接続されている。また、トランジスタ１のベ−ス
端子とア−スの間およびトランジスタ１のベ−ス端子と
電圧印加端子１７の間に、それぞれサ−ミスタ２６と抵
抗２５が接続されている。周囲の温度が変化するとサ−
ミスタ２６の抵抗値が変化し、トランジスタ１のベ−ス
端子電位が変わる。その結果、トランジスタ１のコレク
タ−エミッタ端子間の抵抗値が変化する。すなわち、温
度変化によるトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子
間の抵抗とコンデンサ３との合成リアクタンスの変化と
水晶振動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、発振周
波数が一定に保たれる。
【００１９】なお、（図８）においてはトランジスタ１
のベ−ス端子と電圧印加端子１７の間に抵抗２５を接続
し、トランジスタ１のベ−ス端子とア−スの間にサ−ミ
スタ２６を接続しているが、水晶振動子４の温度特性に
応じて両者を入れ替えても同じ効果が得られる。
のベ−ス端子と電圧印加端子１７の間に抵抗２５を接続
し、トランジスタ１のベ−ス端子とア−スの間にサ−ミ
スタ２６を接続しているが、水晶振動子４の温度特性に
応じて両者を入れ替えても同じ効果が得られる。
【００２０】以下本発明の第９の実施例について図面を
参照しながら説明する。（図９）は、本発明の温度補償
型水晶発振器の第３の実施例の回路図である。（図９）
において、３５はダイオ−ドである。コンデンサ３はト
ランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間に接続され、
水晶振動子４はトランジスタ１のコレクタ端子に接続さ
れている。また、トランジスタ１のベ−ス端子とア−ス
の間およびトランジスタ１のベ−ス端子と電圧印加端子
１７の間に、それぞれダイオ−ド３５および抵抗２５が
接続されている。周囲の温度が変化するとダイオ−ド３
５のビルトイン電圧値が変化し、トランジスタ１のベ−
ス端子電位が変わる。その結果、トランジスタ１のコレ
クタ−エミッタ端子間の抵抗値が変化する。すなわち、
温度変化によるトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端
子間の抵抗とコンデンサ３との合成リアクタンスの変化
と水晶振動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、発振
周波数が一定に保たれる。
参照しながら説明する。（図９）は、本発明の温度補償
型水晶発振器の第３の実施例の回路図である。（図９）
において、３５はダイオ−ドである。コンデンサ３はト
ランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間に接続され、
水晶振動子４はトランジスタ１のコレクタ端子に接続さ
れている。また、トランジスタ１のベ−ス端子とア−ス
の間およびトランジスタ１のベ−ス端子と電圧印加端子
１７の間に、それぞれダイオ−ド３５および抵抗２５が
接続されている。周囲の温度が変化するとダイオ−ド３
５のビルトイン電圧値が変化し、トランジスタ１のベ−
ス端子電位が変わる。その結果、トランジスタ１のコレ
クタ−エミッタ端子間の抵抗値が変化する。すなわち、
温度変化によるトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端
子間の抵抗とコンデンサ３との合成リアクタンスの変化
と水晶振動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、発振
周波数が一定に保たれる。
【００２１】なお、（図９）においてはトランジスタ１
のベ−ス端子と電圧印加端子１７の間に抵抗２５を接続
し、トランジスタ１のベ−ス端子とア−スの間にダイオ
−ド３５を接続しているが、水晶振動子４の温度特性に
応じて両者を入れ替えても同じ効果が得られる。また、
ダイオ−ドとしてツェナ−ダイオ−ドを用いても同様の
効果が得られる。
のベ−ス端子と電圧印加端子１７の間に抵抗２５を接続
し、トランジスタ１のベ−ス端子とア−スの間にダイオ
−ド３５を接続しているが、水晶振動子４の温度特性に
応じて両者を入れ替えても同じ効果が得られる。また、
ダイオ−ドとしてツェナ−ダイオ−ドを用いても同様の
効果が得られる。
【００２２】以下本発明の第１０の実施例について図面
を参照しながら説明する。（図１０）は、本発明の温度
補償型水晶発振器の第４の実施例の回路図である。（図
１０）において、４２は演算増幅器である。コンデンサ
３はトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間に接続
され、水晶振動子４はトランジスタ１のコレクタ端子に
接続されている。また、トランジスタ１のベ−ス端子に
演算増幅器４２の出力端子が接続され、さらに演算増幅
器４２の入力端子とア−スの間および演算増幅器４２の
入力端子と電圧印加端子１７の間に、それぞれサ−ミス
タ２６および抵抗２５が接続されている。周囲の温度が
変化するとサ−ミスタ２６の抵抗値が変化し、それにと
もなって演算増幅器４２の入力端子における電位が変化
する。そして、演算増幅器４２で演算された出力電圧、
すなわちトランジスタ１のベ−ス端子における電位が変
化し、トランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵
抗値が変化する。その結果、温度変化によるトランジス
タ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗とコンデンサ３
との合成リアクタンスの変化と水晶振動子４のリアクタ
ンスの変化とが相殺し、発振周波数が一定に保たれる。
を参照しながら説明する。（図１０）は、本発明の温度
補償型水晶発振器の第４の実施例の回路図である。（図
１０）において、４２は演算増幅器である。コンデンサ
３はトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間に接続
され、水晶振動子４はトランジスタ１のコレクタ端子に
接続されている。また、トランジスタ１のベ−ス端子に
演算増幅器４２の出力端子が接続され、さらに演算増幅
器４２の入力端子とア−スの間および演算増幅器４２の
入力端子と電圧印加端子１７の間に、それぞれサ−ミス
タ２６および抵抗２５が接続されている。周囲の温度が
変化するとサ−ミスタ２６の抵抗値が変化し、それにと
もなって演算増幅器４２の入力端子における電位が変化
する。そして、演算増幅器４２で演算された出力電圧、
すなわちトランジスタ１のベ−ス端子における電位が変
化し、トランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵
抗値が変化する。その結果、温度変化によるトランジス
タ１のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗とコンデンサ３
との合成リアクタンスの変化と水晶振動子４のリアクタ
ンスの変化とが相殺し、発振周波数が一定に保たれる。
【００２３】なお、（図１０）においてはトランジスタ
１のベ−ス端子と電圧印加端子１７の間に抵抗２５を接
続し、トランジスタ１のベ−ス端子とア−スの間にサ−
ミスタ２６を接続しているが、水晶振動子４の温度特性
に応じて両者を入れ替えても同じ効果が得られる。
１のベ−ス端子と電圧印加端子１７の間に抵抗２５を接
続し、トランジスタ１のベ−ス端子とア−スの間にサ−
ミスタ２６を接続しているが、水晶振動子４の温度特性
に応じて両者を入れ替えても同じ効果が得られる。
【００２４】以下本発明の第１１の実施例について図面
を参照しながら説明する。（図１１）は、本発明の温度
補償型水晶発振器の第５の実施例の回路図である。（図
１１）において、コンデンサ３はトランジスタ１のコレ
クタ−エミッタ端子間に接続され、水晶振動子４はトラ
ンジスタ１のコレクタ端子に接続されている。また、ト
ランジスタ１のベ−ス端子に演算増幅器４２の出力端子
が接続され、さらに演算増幅器４２の入力端子とア−ス
の間および演算増幅器４２の入力端子と電圧印加端子１
７の間に、それぞれダイオ−ド３５および抵抗２５が接
続されている。周囲の温度が変化するとダイオ−ド３５
のビルトイン電圧値が変化し、演算増幅器４２の入力端
子における電位が変化する。そして、演算増幅器４２で
演算された出力電圧、すなわちトランジスタ１のベ−ス
端子における電位が変化し、トランジスタ１のコレクタ
−エミッタ端子間の抵抗値が変化する。その結果、温度
変化によるトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
の抵抗とコンデンサ３との合成リアクタンスの変化と水
晶振動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、発振周波
数が一定に保たれる。
を参照しながら説明する。（図１１）は、本発明の温度
補償型水晶発振器の第５の実施例の回路図である。（図
１１）において、コンデンサ３はトランジスタ１のコレ
クタ−エミッタ端子間に接続され、水晶振動子４はトラ
ンジスタ１のコレクタ端子に接続されている。また、ト
ランジスタ１のベ−ス端子に演算増幅器４２の出力端子
が接続され、さらに演算増幅器４２の入力端子とア−ス
の間および演算増幅器４２の入力端子と電圧印加端子１
７の間に、それぞれダイオ−ド３５および抵抗２５が接
続されている。周囲の温度が変化するとダイオ−ド３５
のビルトイン電圧値が変化し、演算増幅器４２の入力端
子における電位が変化する。そして、演算増幅器４２で
演算された出力電圧、すなわちトランジスタ１のベ−ス
端子における電位が変化し、トランジスタ１のコレクタ
−エミッタ端子間の抵抗値が変化する。その結果、温度
変化によるトランジスタ１のコレクタ−エミッタ端子間
の抵抗とコンデンサ３との合成リアクタンスの変化と水
晶振動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、発振周波
数が一定に保たれる。
【００２５】なお、（図１１）においてはトランジスタ
１のベ−ス端子と電圧印加端子１７の間に抵抗２５を接
続し、トランジスタ１のベ−ス端子とア−スの間にダイ
オ−ド３５を接続しているが、水晶振動子４の温度特性
に応じて両者を入れ替えても同じ効果が得られる。ま
た、ダイオ−ドとしてツェナ−ダイオ−ドを用いても同
様の効果が得られる。
１のベ−ス端子と電圧印加端子１７の間に抵抗２５を接
続し、トランジスタ１のベ−ス端子とア−スの間にダイ
オ−ド３５を接続しているが、水晶振動子４の温度特性
に応じて両者を入れ替えても同じ効果が得られる。ま
た、ダイオ−ドとしてツェナ−ダイオ−ドを用いても同
様の効果が得られる。
【００２６】以下本発明の第１２の実施例について図面
を参照しながら説明する。（図１２）は、本発明の温度
補償型水晶発振器の第６の実施例の回路図である。（図
１２）において、７７および７８はトランジスタ、８１
および８２は電圧印加端子、８３および８４は温度−電
圧変換回路、８６は抵抗、８７および８８はコンデンサ
である。ここで、抵抗８５はトランジスタ７７のコレク
タ端子に接続され、抵抗８５とトランジスタ７７を接続
した回路にコンデンサ８７が並列に接続されており、水
晶振動子４は抵抗８５を介してトランジスタ７７のコレ
クタ端子側に接続されている。また、抵抗８６およびコ
ンデンサ８８はともにトランジスタ７８のコレクタ−エ
ミッタ端子間に接続されており、さらにトランジスタ７
７のエミッタ端子とトランジスタ７８のコレクタ端子が
接続されている。温度−電圧変換回路８３および８４
は、周囲の温度変化によってトランジスタ７７および７
８のベ−ス端子に供給する電圧を変化させる回路であ
り、これにより温度変化によってトランジスタ７７およ
び７８のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗値を変化させ
ることができる。そして、温度変化によるトランジスタ
７７および７８のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗値の
変化と水晶振動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、
発振周波数が一定に保たれる。
を参照しながら説明する。（図１２）は、本発明の温度
補償型水晶発振器の第６の実施例の回路図である。（図
１２）において、７７および７８はトランジスタ、８１
および８２は電圧印加端子、８３および８４は温度−電
圧変換回路、８６は抵抗、８７および８８はコンデンサ
である。ここで、抵抗８５はトランジスタ７７のコレク
タ端子に接続され、抵抗８５とトランジスタ７７を接続
した回路にコンデンサ８７が並列に接続されており、水
晶振動子４は抵抗８５を介してトランジスタ７７のコレ
クタ端子側に接続されている。また、抵抗８６およびコ
ンデンサ８８はともにトランジスタ７８のコレクタ−エ
ミッタ端子間に接続されており、さらにトランジスタ７
７のエミッタ端子とトランジスタ７８のコレクタ端子が
接続されている。温度−電圧変換回路８３および８４
は、周囲の温度変化によってトランジスタ７７および７
８のベ−ス端子に供給する電圧を変化させる回路であ
り、これにより温度変化によってトランジスタ７７およ
び７８のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗値を変化させ
ることができる。そして、温度変化によるトランジスタ
７７および７８のコレクタ−エミッタ端子間の抵抗値の
変化と水晶振動子４のリアクタンスの変化とが相殺し、
発振周波数が一定に保たれる。
【００２７】以下、本発明の第１３の実施例に付いて図
面を参照しながら説明する。（図１３）は、本発明の温
度補償型水晶発振器の第７の実施例の回路図である。
（図１３）において、水晶振動子４はトランジスタ９の
コレクタ端子に接続され、トランジスタ９および１０は
カスケ−ド接続され、その両端のコレクタ−エミッタ端
子間、すなわち、トランジスタ９のコレクタ端子とトラ
ンジスタ１０のエミッタ端子との間にコンデンサ３が接
続され、更に、トランジスタ９および１０の各ベ−ス端
子に温度−電圧変換回路８３および８４が接続されてい
る。温度−電圧変換回路８３および８４は、周囲の温度
変化によってトランジスタ９および１０のベ−ス端子に
供給する電圧を変化させる回路であり、これにより、温
度変化によって、トランジスタ９および１０のコレクタ
−エミッタ端子間の抵抗値を変化させることができる。
そして、温度変化によるトランジスタ９および１０のコ
レクタ−エミッタ端子間の抵抗値の変化と水晶振動子４
のリアクタンスの変化とが相殺し、発振周波数が一定に
保たれる。
面を参照しながら説明する。（図１３）は、本発明の温
度補償型水晶発振器の第７の実施例の回路図である。
（図１３）において、水晶振動子４はトランジスタ９の
コレクタ端子に接続され、トランジスタ９および１０は
カスケ−ド接続され、その両端のコレクタ−エミッタ端
子間、すなわち、トランジスタ９のコレクタ端子とトラ
ンジスタ１０のエミッタ端子との間にコンデンサ３が接
続され、更に、トランジスタ９および１０の各ベ−ス端
子に温度−電圧変換回路８３および８４が接続されてい
る。温度−電圧変換回路８３および８４は、周囲の温度
変化によってトランジスタ９および１０のベ−ス端子に
供給する電圧を変化させる回路であり、これにより、温
度変化によって、トランジスタ９および１０のコレクタ
−エミッタ端子間の抵抗値を変化させることができる。
そして、温度変化によるトランジスタ９および１０のコ
レクタ−エミッタ端子間の抵抗値の変化と水晶振動子４
のリアクタンスの変化とが相殺し、発振周波数が一定に
保たれる。
【００２８】なお、本発明の第１、第３、第４、第５、
第６、第７、第８、第９、第１０、第１１、第１２およ
び第１３の実施例における（図１）、（図３）、（図
４）、（図５）、（図６）、（図７）、（図８）、（図
９）、（図１０）、（図１１）、（図１２）および（図
１３）において、トランジスタ１，９，１０，７７およ
び７８はｎｐｎ型でもｐｎｐ型でもよく、また、それら
のトランジスタに適当な直流バイアスをかけるために抵
抗、コンデンサおよびコイルなどの回路素子を接続して
もよい。さらに、それらトランジスタの代わりに電界効
果型トランジスタを用いてもよく、電界効果型トランジ
スタを用いることにより共振回路と電界効果型コンデン
サのゲ−ト端子に接続される回路との分離度を高くする
ことができ、より安定に発振させることができる。
第６、第７、第８、第９、第１０、第１１、第１２およ
び第１３の実施例における（図１）、（図３）、（図
４）、（図５）、（図６）、（図７）、（図８）、（図
９）、（図１０）、（図１１）、（図１２）および（図
１３）において、トランジスタ１，９，１０，７７およ
び７８はｎｐｎ型でもｐｎｐ型でもよく、また、それら
のトランジスタに適当な直流バイアスをかけるために抵
抗、コンデンサおよびコイルなどの回路素子を接続して
もよい。さらに、それらトランジスタの代わりに電界効
果型トランジスタを用いてもよく、電界効果型トランジ
スタを用いることにより共振回路と電界効果型コンデン
サのゲ−ト端子に接続される回路との分離度を高くする
ことができ、より安定に発振させることができる。
【００２９】また、本発明の第１、第２、第３、第４、
第５、第６、第７、第８、第９、第１０、第１１、第１
２および第１３の実施例における（図１）、（図２）、
（図３）、（図４）、（図５）、（図６）、（図７）、
（図８）、（図９）、（図１０）、（図１１）、（図１
２）および（図１３）において、トランジスタ１，１０
および７８の各エミッタ端子および電界効果型トランジ
スタ８のソ−ス端子は必ずしも接地する必要はなく、ア
−スとの間に他の回路が挿入されてもよい。水晶振動子
４は、それぞれトランジスタ１，９，１０，７７および
７８のエミッタ端子側もしくは電界効果型トランジスタ
８のソ−ス端子側に接続されていてもよい。
第５、第６、第７、第８、第９、第１０、第１１、第１
２および第１３の実施例における（図１）、（図２）、
（図３）、（図４）、（図５）、（図６）、（図７）、
（図８）、（図９）、（図１０）、（図１１）、（図１
２）および（図１３）において、トランジスタ１，１０
および７８の各エミッタ端子および電界効果型トランジ
スタ８のソ−ス端子は必ずしも接地する必要はなく、ア
−スとの間に他の回路が挿入されてもよい。水晶振動子
４は、それぞれトランジスタ１，９，１０，７７および
７８のエミッタ端子側もしくは電界効果型トランジスタ
８のソ−ス端子側に接続されていてもよい。
【００３０】また、本発明の第３、第４および第６の実
施例における（図３）、（図４）および（図６）におい
て、制御電圧印加端子２とトランジスタ１のベ−ス端子
との間に、本発明の第７、第８、第９、第１０、第１
１、第１２および第１３の実施例で示したような温度−
電圧変換回路を接続することにより温度補償型水晶発振
器を得ることができる。
施例における（図３）、（図４）および（図６）におい
て、制御電圧印加端子２とトランジスタ１のベ−ス端子
との間に、本発明の第７、第８、第９、第１０、第１
１、第１２および第１３の実施例で示したような温度−
電圧変換回路を接続することにより温度補償型水晶発振
器を得ることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明は、トランジスタの
コレクタ−エミッタ端子間にコンデンサを接続した回路
と、前記コンデンサのコレクタもしくはエミッタ端子に
水晶振動子を接続した共振回路を設けることにより、Ｉ
Ｃ化が可能な電圧制御型水晶発振器および温度補償型水
晶発振器を得ることができる。
コレクタ−エミッタ端子間にコンデンサを接続した回路
と、前記コンデンサのコレクタもしくはエミッタ端子に
水晶振動子を接続した共振回路を設けることにより、Ｉ
Ｃ化が可能な電圧制御型水晶発振器および温度補償型水
晶発振器を得ることができる。
【図１】本発明の電圧制御型水晶発振器の第１の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図２】本発明の電圧制御型水晶発振器の第２の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図３】本発明の電圧制御型水晶発振器の第３の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図４】本発明の電圧制御型水晶発振器の第４の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図５】本発明の電圧制御型水晶発振器の第５の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図６】本発明の電圧制御型水晶発振器の第６の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図７】本発明の温度補償型水晶発振器の第１の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図８】本発明の温度補償型水晶発振器の第２の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図９】本発明の温度補償型水晶発振器の第３の実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図１０】本発明の温度補償型水晶発振器の第４の実施
例の回路図である。
例の回路図である。
【図１１】本発明の温度補償型水晶発振器の第５の実施
例の回路図である。
例の回路図である。
【図１２】本発明の温度補償型水晶発振器の第６の実施
例の回路図である。
例の回路図である。
【図１３】本発明の温度補償型水晶発振器の第７の実施
例の回路図である。
例の回路図である。
【図１４】（ａ）従来の電圧制御型水晶発振器の回路図
である。 （ｂ）従来の温度補償型水晶発振器の回路図である。
である。 （ｂ）従来の温度補償型水晶発振器の回路図である。
１，９，１０，７７，７８ トランジスタ
２，７９，８０ 制御電圧印加端子
３，８７，８８ コンデンサ
４ 水晶振動子
５ 発振回路
６ 電源電圧印加端子
７ 出力端子
８ 電界効果型トランジスタ
１６，８３，８４ 温度−電圧変換回路
１７，８１，８２ 電圧印加端子
２５，６３，７１，８５，８６ 抵抗
２６，２７，２８ サ−ミスタ
３５ ダイオ−ド
４２ 演算増幅器
８９ 可変容量ダイオ−ド
Claims (13)
- 【請求項１】 トランジスタのコレクタ−エミッタ端子
間にコンデンサを接続した回路と、前記トランジスタの
コレクタもしくはエミッタ端子に接続された水晶振動子
とを具備したことを特徴とする電圧制御型水晶発振器。 - 【請求項２】 トランジスタのコレクタ−エミッタ端子
間にコンデンサを接続した回路と、前記トランジスタの
コレクタもしくはエミッタ端子に接続された水晶振動子
と、前記トランジスタのベ−ス端子に接続された温度−
電圧変換回路とを具備したことを特徴とする温度補償型
水晶発振器。 - 【請求項３】 トランジスタとして、電界効果型トラン
ジスタを用いたことを特徴とする請求項１記載の電圧制
御型水晶発振器。 - 【請求項４】 トランジスタとして、電界効果型トラン
ジスタを用いたことを特徴とする請求項２記載の温度補
償型水晶発振器。 - 【請求項５】 温度−電圧変換回路の温度感知素子とし
てサーミスタもしくはダイオ−ドを用いたことを特徴と
する請求項２または請求項４記載の温度補償型水晶発振
器。 - 【請求項６】 トランジスタのコレクタ端子もしくはエ
ミッタ端子もしくはその両方に直列に接続された抵抗を
具備したことを特徴とする請求項１または請求項３記載
の電圧制御型水晶発振器。 - 【請求項７】 トランジスタのコレクタ端子もしくはエ
ミッタ端子もしくはその両方に直列に接続された抵抗を
具備したことを特徴とする請求項２、請求項４または請
求項５記載の温度補償型水晶発振器。 - 【請求項８】 コンデンサと並列に接続された抵抗を具
備したことを特徴とする請求項１、請求項３または請求
項６記載の電圧制御型水晶発振器。 - 【請求項９】 コンデンサと並列に接続された抵抗を具
備したことを特徴とする請求項２、請求項４、請求項５
または請求項７記載の温度補償型水晶発振器。 - 【請求項１０】 トランジスタのベ−ス端子に演算増幅
器を接続したことを特徴とする請求項１、請求項３、請
求項６または請求項８記載の電圧制御型水晶発振器。 - 【請求項１１】 温度−電圧変換回路に演算増幅器を用
いたことを特徴とする請求項２、請求項４、請求項５、
請求項７または請求項９記載の温度補償型水晶発振器。 - 【請求項１２】 トランジスタは少なくとも２つ以上を
カスケード接続し、このカスケード接続されたトランジ
スタのうち、最上段のコレクタ端子と最下段のエミッタ
端子との間にコンデンサを接続したことを特徴とする請
求項１、請求項３、請求項６、請求項８または請求項１
０記載の電圧制御型水晶発振器。 - 【請求項１３】 トランジスタは少なくとも２つ以上を
カスケード接続し、このカクケード接続されたトランジ
スタのうち、最上段のコレクタ端子と最下段のエミッタ
端子との間にコンデンサを接続したことを特徴とする請
求項２、請求項４、請求項５、請求項７、請求項９また
は請求項１１記載の温度補償型水晶発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14847091A JPH0522035A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14847091A JPH0522035A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0522035A true JPH0522035A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15453471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14847091A Pending JPH0522035A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電圧制御型水晶発振器および温度補償型水晶発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0522035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100427479C (zh) * | 2004-08-30 | 2008-10-22 | 江西科技师范学院 | 光致变色全氟环戊烯类二芳基乙烯希夫碱化合物及其制备方法 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14847091A patent/JPH0522035A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100427479C (zh) * | 2004-08-30 | 2008-10-22 | 江西科技师范学院 | 光致变色全氟环戊烯类二芳基乙烯希夫碱化合物及其制备方法 |
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