KR970031224A - 반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터 - Google Patents

반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터 Download PDF

Info

Publication number
KR970031224A
KR970031224A KR1019950040990A KR19950040990A KR970031224A KR 970031224 A KR970031224 A KR 970031224A KR 1019950040990 A KR1019950040990 A KR 1019950040990A KR 19950040990 A KR19950040990 A KR 19950040990A KR 970031224 A KR970031224 A KR 970031224A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oscillator circuit
temperature
oscillator
change
semiconductor substrate
Prior art date
Application number
KR1019950040990A
Other languages
English (en)
Inventor
박형식
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950040990A priority Critical patent/KR970031224A/ko
Priority to PT96115182T priority patent/PT773626E/pt
Priority to EP96115182A priority patent/EP0773626B1/en
Priority to DE69611151T priority patent/DE69611151T2/de
Priority to JP8302246A priority patent/JPH09191214A/ja
Priority to US08/748,334 priority patent/US5786734A/en
Publication of KR970031224A publication Critical patent/KR970031224A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03—Astable circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01—Details
    • H03K3/011—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. voltage, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03—Astable circuits
    • H03K3/0315—Ring oscillators

Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야: 주변 온도의 변화에 따른 안정된 주파수를 발진하기 위한 반도체 장치의 온도 보상용(temperature compensated) 오실레이터 회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제: 주변 온도 변화에 기인하는 오실레이터 회로의 오실레이션 주파수의 변화를 보상하기 위한 반도체 장치의 온도 보상용 오실레이터 회로를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지: 반도체 기판 상에 형성된 오실레이터 회로에 있어서, 입력단에 연결된 다수개의 인버터들로 이루어진 인버팅수단과, 출력단과 연결되고 상기 입력단 및 출력단의 사이에 연결되는 피이드 백 저항 수단과, 상기 피이드 백 저항 수단과 병렬 연결되고 상기 입출력단의 사이에 연결되어 주파수의 변화를 최소화 하고 온도가 증가함에 따라 저항값이 감소하게 되는 온도 보상용 수단으로 구성되는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도: 반도체 기판 상에 형성된 오실레이터 회로에 적합하다.

Description

반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일 실시예의 따른 오실레이터 회로를 보인 도면.

Claims (3)

  1. 반도체 기판 상에 형성된 오실레이터 회로에 있어서: 입력단에 연결된 다수개의 인버터들로 이루어진 인버팅수단과; 출력단과 연결되고 상기 입력단 및 출력단의 사이에 연결되는 피이드 백 저항 수단과; 상기 피이드 백 저항 수단과 병렬 연결되고 상기 입출력단의 사이에 연결되어 주파수의 변화를 최소화 하고 온도가 증가함에 따라 저항값이 감소하게 되는 온도 보상용 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도 보상용 오실레이터 회로.
  2. 제 1항에 있어서; 상기 온도 보상용 수단은 다이오드 및 저항으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도 보상용 오실레이터 회로.
  3. 제 1항에 있어서; 상기 온도 보상용 수단은 게이트가 접지와 연결된 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도 보상용 오실레이터 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950040990A 1995-11-13 1995-11-13 반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터 KR970031224A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950040990A KR970031224A (ko) 1995-11-13 1995-11-13 반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터
PT96115182T PT773626E (pt) 1995-11-13 1996-09-20 Oscilador para oscilar a uma frequencia estavel formado num substrato semicondutor
EP96115182A EP0773626B1 (en) 1995-11-13 1996-09-20 Oscillator for oscillating stable frequency formed on a semiconductor substrate
DE69611151T DE69611151T2 (de) 1995-11-13 1996-09-20 Auf einem Halbleitersubstrat hergestellter Oszillator stabiler Frequenz
JP8302246A JPH09191214A (ja) 1995-11-13 1996-11-13 発振器
US08/748,334 US5786734A (en) 1995-11-13 1996-11-13 Temperature compensated ring oscillator on a semiconductor substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950040990A KR970031224A (ko) 1995-11-13 1995-11-13 반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970031224A true KR970031224A (ko) 1997-06-26

Family

ID=19433877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950040990A KR970031224A (ko) 1995-11-13 1995-11-13 반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5786734A (ko)
EP (1) EP0773626B1 (ko)
JP (1) JPH09191214A (ko)
KR (1) KR970031224A (ko)
DE (1) DE69611151T2 (ko)
PT (1) PT773626E (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW392270B (en) * 1998-07-04 2000-06-01 Faraday Tech Corp Input buffer and input/output buffer that totally fulfill the testability of IDDQ
JP4735300B2 (ja) * 2006-02-07 2011-07-27 株式会社デンソー 発振回路
US9106378B2 (en) * 2009-06-10 2015-08-11 Qualcomm Incorporated Systems, apparatus and methods for communicating downlink information
US9144037B2 (en) * 2009-08-11 2015-09-22 Qualcomm Incorporated Interference mitigation by puncturing transmission of interfering cells
US8724563B2 (en) * 2009-08-24 2014-05-13 Qualcomm Incorporated Method and apparatus that facilitates detecting system information blocks in a heterogeneous network
US9277566B2 (en) 2009-09-14 2016-03-01 Qualcomm Incorporated Cross-subframe control channel design
US8942192B2 (en) 2009-09-15 2015-01-27 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for subframe interlacing in heterogeneous networks
US9271167B2 (en) 2010-04-13 2016-02-23 Qualcomm Incorporated Determination of radio link failure with enhanced interference coordination and cancellation
US9125072B2 (en) 2010-04-13 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Heterogeneous network (HetNet) user equipment (UE) radio resource management (RRM) measurements
US9226288B2 (en) 2010-04-13 2015-12-29 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for supporting communications in a heterogeneous network
US9392608B2 (en) 2010-04-13 2016-07-12 Qualcomm Incorporated Resource partitioning information for enhanced interference coordination
US8886190B2 (en) 2010-10-08 2014-11-11 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for measuring cells in the presence of interference
US8638131B2 (en) * 2011-02-23 2014-01-28 Qualcomm Incorporated Dynamic feedback-controlled output driver with minimum slew rate variation from process, temperature and supply
KR102074946B1 (ko) 2013-10-30 2020-02-07 삼성전자 주식회사 온도 보상 저전류 발진기 회로, 및 이를 포함하는 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4223524A (en) * 1978-03-17 1980-09-23 Citizen Watch Co., Ltd. Quartz oscillation circuit for electronic timepieces
JPS5797218A (en) * 1980-12-08 1982-06-16 Citizen Watch Co Ltd Cmos ring oscillator
JPH06169237A (ja) * 1991-09-13 1994-06-14 Mitsubishi Electric Corp リングオシレータ回路
JP2787639B2 (ja) * 1992-08-07 1998-08-20 三菱電機株式会社 パルス信号発生回路および半導体記憶装置
US5331296A (en) * 1992-10-16 1994-07-19 National Semiconductor Corporation Oscillator having controllable frequency compensation for suppressing undesired frequency of oscillation

Also Published As

Publication number Publication date
DE69611151T2 (de) 2001-04-05
EP0773626B1 (en) 2000-12-06
EP0773626A1 (en) 1997-05-14
DE69611151D1 (de) 2001-01-11
JPH09191214A (ja) 1997-07-22
US5786734A (en) 1998-07-28
PT773626E (pt) 2001-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970031224A (ko) 반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터
KR920010900A (ko) 반도체지연회로
KR870009541A (ko) 온도 응답 발신기
KR920015378A (ko) 기판 바이어스 회로
KR960035626A (ko) 파워 온 리셋 회로
KR920005322A (ko) 온도 검출 회로를 갖는 반도체 장치
KR940004806A (ko) 베타 보상을 가지는 온도 보상 전압 조정기
KR900019232A (ko) 발진회로
KR930020847A (ko) 기준전류 발생회로
KR830002440A (ko) 온도 보상 바이어스 회로
JPH03283458A (ja) Ｉｃの温度補償回路
Redman-White et al. A radiation-hard AGC stabilized SOS crystal oscillator
US4048590A (en) Integrated crystal oscillator circuit with few external components
KR950022037A (ko) 저전원 전압용 발진 회로
KR100206707B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 지연회로
US6072306A (en) Variation-compensated bias current generator
KR960039599A (ko) 광대역증폭회로
US4122414A (en) CMOS negative resistance oscillator
JPH11150424A (ja) 電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧印加回路と電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧印加回路が搭載されている半導体装置
KR890001283A (ko) 발생기 회로
JP2750904B2 (ja) 温度補償発振器用の補償電圧発生回路
KR890011189A (ko) 발진기 회로
KR960019713A (ko) 반도체집적회로 및 반도체장치
JP5566583B2 (ja) 電子回路
SU1107251A1 (ru) СВЧ-генератор

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application