SU1107251A1 - СВЧ-генератор - Google Patents

СВЧ-генератор Download PDF

Info

Publication number
SU1107251A1
SU1107251A1 SU833532470A SU3532470A SU1107251A1 SU 1107251 A1 SU1107251 A1 SU 1107251A1 SU 833532470 A SU833532470 A SU 833532470A SU 3532470 A SU3532470 A SU 3532470A SU 1107251 A1 SU1107251 A1 SU 1107251A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
field
effect transistor
common bus
matching element
Prior art date
Application number
SU833532470A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Дмитриевич Животков
Анатолий Андреевич Кулик
Луиза Антоновна Кулик
Валерий Николаевич Маслий
Олег Иванович Дорохов
Original Assignee
Харьковское Высшее Военное Командно-Инженерное Училище Им.Маршала Советского Союза Крылова Н.И.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Харьковское Высшее Военное Командно-Инженерное Училище Им.Маршала Советского Союза Крылова Н.И. filed Critical Харьковское Высшее Военное Командно-Инженерное Училище Им.Маршала Советского Союза Крылова Н.И.
Priority to SU833532470A priority Critical patent/SU1107251A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1107251A1 publication Critical patent/SU1107251A1/ru

Links

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

СВЧ-ГЕНЕРАТОР, содержащий полевой транзистор, к стоку которого подключен первый вывод дроссел , между вторым выводом которого и общей шиной включен резистивный делитиль напр жени , точка соединени  резисторов которого через микрополосковый резонатор подключена к затвору полевого транзистора, исток которого через первый микрополосковый согласующий элемент подключен к общей шине, второй микрополосковый согласующий элемент, один вывод которого подключен к стоку полевого транзистора , первый конденсатор, один вывод которого подключен к второму выводу дроссел , а другой вывод к общей шине, второй конденсатор, один вывод которого подключен к точке соединени  резисторов резистивного делител  напр жени , а другой вывод - к общей шине, а также источник питани , при этом другой вывод второго микрополоскового согласующего элемента подключен к одному из выводов выходного разделительного конденсатора, отличающийс   тем, что, с целью повышени  его стабильности, введен бипол рный транзистор, структура которого противоположна структуре полевого транзистора , коллектор бипол рного транS зистора подключен к точке соединени  резисторов резистивного делител  напр жени , база через дополнительно введенный третий микрополосковый согласующий элемент соединена, с истоком полевого транзистора, а эмиттер бипол рного транзистора через дополнительно введенный диод подключен к общей шине, а второй вывод о О :л дроссел  подключен к источнику питани  через дополнительно введённый балластный резистор. S rs -L« Z« .

Description

1 Изобретение относитс  к радиотех нике и может быть использовано в гетеродинах и возбудител х приемнопередающей аппаратуры и в различных радиоизмерительных приборах. Известны СВЧ-генераторы на полев транзисторах с регулировкой амплиту ды колебаний путем включ..чи  в цепи истока и стока переменных резисторо с прютивоположным знаком изменени  их номинала С ЗНедостатком таких СВЧ-генераторо  вл етс  отсутствие автоматической стабилизации амплитуды и частоты колебаний при изменени х температуры окружающей среды и питающих напр жений , вследствие чего такие СВЧ генераторы имеют невысокую стабильность . Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  СВЧ генератор, содержащий полевой транзистор , к стоку которого подключен первый вывод дроссел , между вторым выводом которого и общей шиной вклю чен резистивный делитель напр жени  точка соединени  резисторов которог через микрополосковый резонатор под ключена к затвору полевого транзистора , исток которого через первый микрополосковый согласующий элемент подключен к общей шине, второй микрополосковый согласующий элемент, один вйвод которого подключен к сто ку полевого транзистора, первый кон денсатор, один вывод которого подключен к второму выводу дроссел , а другой вывод которого подключен к общей шине, второй конденсатор, оди вывод которого подключен к точке соединени  резисторов резистивного делител  напр жени , а другой вывод которого подключен к общей шине, а также источник питани , при этом другой вывод второго микрополосковоГо согласующего элемента подключен к одному из выводов выходного разделительного конденсатора Г2. Недостатком известного СВЧ-генератора  вл етс  невысока  стабильность . Целью изобретени   вл етс  повышение стабильности. Цель изобретени  достигаетс  тем что в СВЧ-генератор, содержащий полевой транзистор, к стоку которого подключен перпый вывод дроссел , между вторым выводом которого и об1 щей шиной включен резистивный дели- тель напр жени , точка соединени  резисторов которого через микрополосковый резонатор подключена к затвору полевого транзистора, исток которого через первый микрополосковый согласующий элемент подключен к общей щине, второй микрополосковый согласующий элемент, один вывод которого подключен к стоку полевого транзистора, первый конденсатор, один вывод которого подключен к второму выводу дроссел , а другой вывод - к общей шине, второй конденсатор, один вывод которого подключен к точке соединени  резисторов резистивного делител  напр жени , а другой вывод - к общей шине, а также источник питани , при этом другой вывод второго микрополоскового согласующего элемента подключен к одному из выводов выходного разделительного конденсатора, 1 веден бипол рный транзистор, структура которого противоположна структуре полевого транзистора, коллектор бипол рного транзистора подключен к точке соединени  резисторов резистивного делител  напр жени , база через дополнительно введенный третий микрополосковый согласующий элемент соединена с истоком полевого транзистора , а эмиттер бипол рного транзистора через дополнительно введенный диод-подключен к общей шине, а второй вывод дроссел  подключен к источнику питани  через дополнительно введенный балластный резистор. На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема СВЧ-генератора . СВЧ-генератор содержит полевой транзистор 1, бипол рный транзистор 2, диод 3, первый микрополосковый согласующий элемент 4, дроссель 5, балластный резистор 6, первый и второй конденсаторы 7 и 8, выходной разделительный конденсатор 9, второй и третий микрополосковые согласующие элементы 10 и 11, микрополосковый резонатор 12, резисторы 13 и 14 резистивного делител  напр жени , источник 15 питани . СВЧ-генератор работает следующим образом. Режим работы бипол рного транзистора 2 за счет включени  в цепи эмиттера диода 3 выбран таким обраом , что в начальный момент времени 3 он закрыт и не вли ет на услови  самовозбуждени  СВЧ-генератора. При наличии колебаний посто нна  состав л юща  тока бипол рного транзистора 2, протекающа  от источника 15 пита НИИ через балластный резистор 6 и резистор 13, а следовательно, и напр жени  на стоке и затворе бипол р ного транзистора 1 устанавливаютс  такого уровн , что амплитуда и частота выходных колебаний СВЧ-генератора соответствуют требуемым значени м при заданных напр жении источника питани  и температуре окружающей среды. При изменении напр жени  источника питани  или параметров полевого транзистора 1 измен етс  амплитуда и -частота колебаний, в ре зультате чего измен етс  посто нна  составл юща  тока бипол рного транзистора 2 и за счет падени  напр же ни  на балластном резисторе 6 и резисторе 13 напр жени  на затворе и стоке полевого транзистора 1 измен ютс  таким образом, что компенсируютс  приращени  частоты и амплиту ды колебаний СВЧ-генератора. Быстродействие схемы автоматической стабилизации определ етс  величиной посто нной времени цепочек из балластного резистора 6 и резистора 13 и первого и второго конденсаторов 7 и 8 соответственно. В диапазоне СВЧ величины емкостей пер вого и второго конденсаторов 7 и 8 как правило малы и СВЧ-генератор имеет больщое быстродействие и, кро ме того, подавл етс  паразитна  мо1 дул ци  за счет проникновени  помех по цеп м источника 15 питани , При изменени х температуры окружающей среды измен етс  сопротивление диода 3, в результате чего измен етс  посто нна  составл юща  тока бипол рного транзистора 2 и за счет изменени  напр жений на затворе и стоке полевого транзистора 1 компенсируютс  уходы частоты и амплитуды колебаний. В СВЧ-генераторе уменьшение амплитуды колебаний СВЧ генератора на 7% вызывает уменьшение тока базы стабилизирующего бипол рного транзистора 3 и соответственно тока коллектора в число раз, равное модулю коэффициента передачи тока на высокой частоте, что уменьшает ток через балластный резистор 6 и резистор 14 и компенсирует изменение напр жени  смещени  на затворе полевого транзистора 1. Таким образом, коэффициент стабилизации амплитуды колебаний численно равен модулю коэффициента передачи тока полевого транзистора на высокой частоте. По сравнению с известным СВЧ-генератором выигрьш в стабилизации частоты и амплитуды колебаний при изменени х температуры окружающей среды будет равен статическому коэффициенту передачи стабилизирующего бипол рного транзистора L21I. Стабильность частоты и амплитуды колебаний СВЧ-генератора повышаетс  на пор док при изменении напр жени  питани  и в несколько раз - при изменении температуры окружающей среды.

Claims (1)

  1. СВЧ-ГЕНЕРАТОР, содержащий полевой транзистор, к стоку которого подключен первый вывод дросселя, между вторым выводом которого и общей шиной включен резистивный делитиль напряжения, точка соединения резисторов которого через микрополосковый резона'тор подключена к затвору полевого транзистора, исток которого через первый микрополосковый согласующий элемент подключен к общей шине, второй микрополосковый согласующий элемент, один вывод которого подключен к стоку полевого транзистора, первый конденсатор, один вывод которого подключен к второму выводу дросселя, а другой вывод к общей шине, второй конденсатор, один вывод которого подключен к точке соединения резисторов резистивного делителя напряжения, а другой вывод - к общей шине, а также источник питания, при этом другой вывод второго микрополоскового согласующего элемента подключен к одному из выводов выходного разделительного конденсатора, отличающийс я тем, что, с целью повышения его стабильности, введен биполярный транзистор, структура которого противоположна структуре полевого транзистора, коллектор биполярного тран- о зистора подключен к точке соедине- ® ния резисторов резистивного делите- I/ ля напряжения, база через дополни- Pj тельно введенный третий микрополос- |С ковый согласующий элемент соединена. · с истоком полевого транзистора, а С эмиттер биполярного транзистора через дополнительно введенный диод подключен к общей шине, а второй вывод дросселя подключен к источнику питания через дополнительно введенный балластный резистор.
SU833532470A 1983-01-03 1983-01-03 СВЧ-генератор SU1107251A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833532470A SU1107251A1 (ru) 1983-01-03 1983-01-03 СВЧ-генератор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833532470A SU1107251A1 (ru) 1983-01-03 1983-01-03 СВЧ-генератор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1107251A1 true SU1107251A1 (ru) 1984-08-07

Family

ID=21042799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833532470A SU1107251A1 (ru) 1983-01-03 1983-01-03 СВЧ-генератор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1107251A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент FR № 2435154, кл. Н 03 В 5/12, 1980. 2. Патент US № 4187476, кл. 331-116, 1980 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2651920B2 (ja) 正確なデューティサイクルを有するデータクロック発振器
US4187476A (en) SHF band oscillator circuit using FET
EP0466388A2 (en) Voltage controlled balanced crystal oscillator circuit
KR870009541A (ko) 온도 응답 발신기
US3725822A (en) Phase shift oscillators using insulated-gate field-effect transistors
KR970031224A (ko) 반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터
GB817268A (en) Improvements in semiconductor networks
SU1107251A1 (ru) СВЧ-генератор
CN112042113B (zh) 振荡器电路
US6043720A (en) Oscillator frequency drift compensated by varying different biassing parameters
KR830002440A (ko) 온도 보상 바이어스 회로
US4454485A (en) Low distortion FET oscillator with feedback loop for amplitude stabilization
US3958190A (en) Low harmonic crystal oscillator
US3997802A (en) Temperature-compensated zener diode arrangement
US4122414A (en) CMOS negative resistance oscillator
EP0140430B1 (en) Frequency multiplying circuit
US4481480A (en) Feedback amplifier having a voltage-controlled compensation circuit
US4255721A (en) Temperature compensated integratable RC oscillator
US3763440A (en) Temperature compensated signal generation circuit employing a single temperature sensing element
US3824497A (en) High-purity, frequency-stable, adjustable, wien-bridge, oscillator
US3815049A (en) Negative resistance oscillator with active bias resistor for preventing spurious oscillations
KR900012373A (ko) 집적된 반도체 장치
JP2827947B2 (ja) 減衰回路
SU1727192A1 (ru) Усилитель-ограничитель СВЧ-мощности
US3478226A (en) Non-reciprocal wave translating network