JPH09191214A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPH09191214A JPH09191214A JP8302246A JP30224696A JPH09191214A JP H09191214 A JPH09191214 A JP H09191214A JP 8302246 A JP8302246 A JP 8302246A JP 30224696 A JP30224696 A JP 30224696A JP H09191214 A JPH09191214 A JP H09191214A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- oscillator
- input terminal
- resistor
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/03—Astable circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/011—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. voltage, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/03—Astable circuits
- H03K3/0315—Ring oscillators
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板に集積可能で温度に対する安定性
の高い発振器を提供する。 【解決手段】 入力端子６から接続されたインバーティ
ング手段２と、このインバーティング手段２の出力を入
力端子６へ帰還させる帰還抵抗４と、からなる発振器に
おいて、負温度係数をもつ温度補償手段２０を前記帰還
抵抗に並列接続して設ける。温度補償手段２０は、ダイ
オード及び抵抗２２又はトランジスタ２４により構成す
る。
の高い発振器を提供する。 【解決手段】 入力端子６から接続されたインバーティ
ング手段２と、このインバーティング手段２の出力を入
力端子６へ帰還させる帰還抵抗４と、からなる発振器に
おいて、負温度係数をもつ温度補償手段２０を前記帰還
抵抗に並列接続して設ける。温度補償手段２０は、ダイ
オード及び抵抗２２又はトランジスタ２４により構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気・電子回路に使
用される発振器に関し、特に、半導体装置に使用される
発振器に関する。
用される発振器に関し、特に、半導体装置に使用される
発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種電気・電子回路においては、クロッ
ク信号発生のために発振器を使用している。このような
発振器として一般的には、動作環境に対し安定でコンス
タントな周波数のクロックを発生できるため、水晶振動
子(crystal vibrator)を使用した水晶発振器がよく使用
されている。この水晶発振器を半導体装置用に使用する
場合は、半導体基板に集積することができないので、半
導体装置を搭載したプリント基板（ＰＣＢ）に別途実装
することになる。この場合、信号レベルの調整用などに
付加素子が必要とされ、更に半導体基板に集積する場合
に比べ動作時間的に不利という問題がある。また、水晶
発振器はコスト高になるというデメリットももつ。
ク信号発生のために発振器を使用している。このような
発振器として一般的には、動作環境に対し安定でコンス
タントな周波数のクロックを発生できるため、水晶振動
子(crystal vibrator)を使用した水晶発振器がよく使用
されている。この水晶発振器を半導体装置用に使用する
場合は、半導体基板に集積することができないので、半
導体装置を搭載したプリント基板（ＰＣＢ）に別途実装
することになる。この場合、信号レベルの調整用などに
付加素子が必要とされ、更に半導体基板に集積する場合
に比べ動作時間的に不利という問題がある。また、水晶
発振器はコスト高になるというデメリットももつ。
【０００３】従って、半導体基板に発振器を集積して使
用する方が好ましいが、発振器を半導体基板に集積した
場合には、特に動作環境の温度に影響されてしまい、安
定性がよくないという不具合がある。図１に、現在一般
的な半導体基板集積型の発振器の構成について示し、説
明する。
用する方が好ましいが、発振器を半導体基板に集積した
場合には、特に動作環境の温度に影響されてしまい、安
定性がよくないという不具合がある。図１に、現在一般
的な半導体基板集積型の発振器の構成について示し、説
明する。
【０００４】この発振器は、入力端子６から直列接続さ
れたインバータ（或いはＮＡＮＤゲート）１４，１６，
１８からなるインバーティング手段２と、このインバー
ティング手段２の出力端と接続された出力端子８と入力
端子６との間に設けられた帰還抵抗４と、から構成され
る。この回路で温度が上昇すると帰還抵抗４の抵抗値が
上がり、これに従って出力周波数が減少する。
れたインバータ（或いはＮＡＮＤゲート）１４，１６，
１８からなるインバーティング手段２と、このインバー
ティング手段２の出力端と接続された出力端子８と入力
端子６との間に設けられた帰還抵抗４と、から構成され
る。この回路で温度が上昇すると帰還抵抗４の抵抗値が
上がり、これに従って出力周波数が減少する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来技術
に着目して本発明では、半導体基板に集積可能で温度に
対する安定性の高い発振器を提供する。
に着目して本発明では、半導体基板に集積可能で温度に
対する安定性の高い発振器を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的のために本発明
は、入力端子から接続されたインバーティング手段と、
このインバーティング手段の出力を入力端子へ帰還させ
る帰還抵抗と、からなる発振器において、負温度係数を
もつ温度補償手段を前記帰還抵抗に並列接続して設ける
ことを特徴とする。
は、入力端子から接続されたインバーティング手段と、
このインバーティング手段の出力を入力端子へ帰還させ
る帰還抵抗と、からなる発振器において、負温度係数を
もつ温度補償手段を前記帰還抵抗に並列接続して設ける
ことを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき添
付図面を参照して説明する。
付図面を参照して説明する。
【０００８】図２に、発振器の実施回路を示す。入力端
子６には直列接続のインバータ１４，１６，１８が接続
されてインバーティング手段２が構成されており、そし
て、入力端子６と出力端子８との間に、帰還抵抗４及び
これに並列接続された温度補償手段２０が設けられてい
る。温度補償手段２０は、出力周波数の変化を最小化す
るために温度上昇に伴って抵抗値を減少させる機能をも
ち、直列接続したダイオード及び抵抗２２、或いは、ゲ
ート接地のＭＯＳトランジスタ２４から構成される。
子６には直列接続のインバータ１４，１６，１８が接続
されてインバーティング手段２が構成されており、そし
て、入力端子６と出力端子８との間に、帰還抵抗４及び
これに並列接続された温度補償手段２０が設けられてい
る。温度補償手段２０は、出力周波数の変化を最小化す
るために温度上昇に伴って抵抗値を減少させる機能をも
ち、直列接続したダイオード及び抵抗２２、或いは、ゲ
ート接地のＭＯＳトランジスタ２４から構成される。
【０００９】温度上昇によりインバーティング手段２と
帰還抵抗４の合成抵抗値Ｒ２＋Ｒ４の抵抗値は高くなる
が、正常状態で無限大の抵抗をもつ温度補償手段２０の
抵抗値が温度上昇により低くなるとすると、帰還抵抗４
と温度補償手段２０は並列接続なので帰還系の合成抵抗
がＲ４・Ｒ２０／（Ｒ４＋Ｒ２０）となり、この帰還系
の合成抵抗は低くなる。即ち、温度補償手段２０の抵抗
値は多少大きくても電流を通しさえすれば、温度上昇に
伴い帰還系の抵抗値を小さくすることができる。つま
り、次式１が成り立つ。
帰還抵抗４の合成抵抗値Ｒ２＋Ｒ４の抵抗値は高くなる
が、正常状態で無限大の抵抗をもつ温度補償手段２０の
抵抗値が温度上昇により低くなるとすると、帰還抵抗４
と温度補償手段２０は並列接続なので帰還系の合成抵抗
がＲ４・Ｒ２０／（Ｒ４＋Ｒ２０）となり、この帰還系
の合成抵抗は低くなる。即ち、温度補償手段２０の抵抗
値は多少大きくても電流を通しさえすれば、温度上昇に
伴い帰還系の抵抗値を小さくすることができる。つま
り、次式１が成り立つ。
【数１】 Ｒ２＋Ｒ４＞Ｒ２＋Ｒ４・Ｒ２０／（Ｒ４＋Ｒ２０） 〔∴Ｒ４＞Ｒ４・Ｒ２０／（Ｒ４＋Ｒ２０）〕
【００１０】また、ダイオード及び抵抗２２により温度
補償手段２０を構成すれば、順バイアスと逆バイアスに
対するＩ−Ｖの関係は次式２の通りである。
補償手段２０を構成すれば、順バイアスと逆バイアスに
対するＩ−Ｖの関係は次式２の通りである。
【数２】
【００１１】この式２のように、温度が上昇すると漏れ
電流も増加するので、この働きを利用すれば上記のよう
に帰還系の抵抗値を減らすことができる。この効果につ
いて図３に示す。この図３には、温度に対する周波数特
性の結果が示されている。即ち、半導体基板に形成した
発振器の入力端子６に信号を印加し、出力端子８の出力
周波数をその信号及び温度別に測定したデータが示され
ている。図中、実線２６が順方向、実線２８が逆方向
で、そのときのデータ３０，３２が表されている。
電流も増加するので、この働きを利用すれば上記のよう
に帰還系の抵抗値を減らすことができる。この効果につ
いて図３に示す。この図３には、温度に対する周波数特
性の結果が示されている。即ち、半導体基板に形成した
発振器の入力端子６に信号を印加し、出力端子８の出力
周波数をその信号及び温度別に測定したデータが示され
ている。図中、実線２６が順方向、実線２８が逆方向
で、そのときのデータ３０，３２が表されている。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、温度変化による抵抗値
変化を補償する温度補償手段を設けることにより、安定
したコンスタントな周波数のクロック信号を得られる発
振器を半導体基板に集積して得られるようになる。
変化を補償する温度補償手段を設けることにより、安定
したコンスタントな周波数のクロック信号を得られる発
振器を半導体基板に集積して得られるようになる。
【図１】従来の発振器を示す回路図。
【図２】本発明による発振器を示す回路図。
【図３】図２の発振器の周波数−温度特性を示すグラ
フ。
フ。
２０ 温度補償手段 ２２ ダイオード及び抵抗（温度補償手段） ２４ トランジスタ（温度補償手段）
Claims (3)
- 【請求項１】 入力端子から接続されたインバーティン
グ手段と、このインバーティング手段の出力を入力端子
へ帰還させる帰還抵抗と、からなる発振器において、負
温度係数をもつ温度補償手段を前記帰還抵抗に並列接続
したことを特徴とする発振器。 - 【請求項２】 温度補償手段は、ダイオード及び抵抗か
ら構成される請求項１記載の発振器。 - 【請求項３】 温度補償手段は、ゲート接地のＭＯＳト
ランジスタから構成される請求項１記載の発振器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950040990A KR970031224A (ko) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 반도체 기판상에 형성된 안정한 주파수를 발진하기 위한 오실레이터 |
| KR1995P40990 | 1995-11-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09191214A true JPH09191214A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=19433877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8302246A Pending JPH09191214A (ja) | 1995-11-13 | 1996-11-13 | 発振器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5786734A (ja) |
| EP (1) | EP0773626B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09191214A (ja) |
| KR (1) | KR970031224A (ja) |
| DE (1) | DE69611151T2 (ja) |
| PT (1) | PT773626E (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214645A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Denso Corp | 発振回路 |
| US9438205B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Temperature-compensated oscillator and device including the same |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW392270B (en) * | 1998-07-04 | 2000-06-01 | Faraday Tech Corp | Input buffer and input/output buffer that totally fulfill the testability of IDDQ |
| US9106378B2 (en) * | 2009-06-10 | 2015-08-11 | Qualcomm Incorporated | Systems, apparatus and methods for communicating downlink information |
| US9144037B2 (en) * | 2009-08-11 | 2015-09-22 | Qualcomm Incorporated | Interference mitigation by puncturing transmission of interfering cells |
| US8724563B2 (en) * | 2009-08-24 | 2014-05-13 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus that facilitates detecting system information blocks in a heterogeneous network |
| US9277566B2 (en) * | 2009-09-14 | 2016-03-01 | Qualcomm Incorporated | Cross-subframe control channel design |
| US8942192B2 (en) | 2009-09-15 | 2015-01-27 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus for subframe interlacing in heterogeneous networks |
| US9226288B2 (en) | 2010-04-13 | 2015-12-29 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for supporting communications in a heterogeneous network |
| US9392608B2 (en) | 2010-04-13 | 2016-07-12 | Qualcomm Incorporated | Resource partitioning information for enhanced interference coordination |
| US9125072B2 (en) | 2010-04-13 | 2015-09-01 | Qualcomm Incorporated | Heterogeneous network (HetNet) user equipment (UE) radio resource management (RRM) measurements |
| US9271167B2 (en) | 2010-04-13 | 2016-02-23 | Qualcomm Incorporated | Determination of radio link failure with enhanced interference coordination and cancellation |
| US8886190B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-11-11 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for measuring cells in the presence of interference |
| US8638131B2 (en) * | 2011-02-23 | 2014-01-28 | Qualcomm Incorporated | Dynamic feedback-controlled output driver with minimum slew rate variation from process, temperature and supply |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2018539B (en) * | 1978-03-17 | 1982-06-03 | Citizen Watch Co Ltd | Temperature compensation of quarty oscillators |
| JPS5797218A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-16 | Citizen Watch Co Ltd | Cmos ring oscillator |
| JPH06169237A (ja) * | 1991-09-13 | 1994-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | リングオシレータ回路 |
| JP2787639B2 (ja) * | 1992-08-07 | 1998-08-20 | 三菱電機株式会社 | パルス信号発生回路および半導体記憶装置 |
| US5331296A (en) * | 1992-10-16 | 1994-07-19 | National Semiconductor Corporation | Oscillator having controllable frequency compensation for suppressing undesired frequency of oscillation |
-
1995
- 1995-11-13 KR KR1019950040990A patent/KR970031224A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-09-20 EP EP96115182A patent/EP0773626B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-20 DE DE69611151T patent/DE69611151T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-20 PT PT96115182T patent/PT773626E/pt unknown
- 1996-11-13 JP JP8302246A patent/JPH09191214A/ja active Pending
- 1996-11-13 US US08/748,334 patent/US5786734A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214645A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Denso Corp | 発振回路 |
| JP4735300B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-07-27 | 株式会社デンソー | 発振回路 |
| US9438205B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Temperature-compensated oscillator and device including the same |
| US9900015B2 (en) | 2013-10-30 | 2018-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Temperature-compensated oscillator and device including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0773626A1 (en) | 1997-05-14 |
| EP0773626B1 (en) | 2000-12-06 |
| PT773626E (pt) | 2001-03-30 |
| DE69611151T2 (de) | 2001-04-05 |
| KR970031224A (ko) | 1997-06-26 |
| DE69611151D1 (de) | 2001-01-11 |
| US5786734A (en) | 1998-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040901 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050816 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060207 |