JPH06169221A - 自己発振型周波数変換器 - Google Patents
自己発振型周波数変換器Info
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- JPH06169221A JPH06169221A JP31978392A JP31978392A JPH06169221A JP H06169221 A JPH06169221 A JP H06169221A JP 31978392 A JP31978392 A JP 31978392A JP 31978392 A JP31978392 A JP 31978392A JP H06169221 A JPH06169221 A JP H06169221A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 帰還回路やイメージ阻止フィルタを省略して
回路構成をより簡略化することができる自己発振型周波
数変換器を提供する。 【構成】 高周波信号が入力されるバンドパスフィルタ
２０と、バンドパスフィルタ２０の出力端にゲート端子
が接続され且つソース端子が接地されているＦＥＴ４
と、ＦＥＴ４のドレイン端子に一端が接続され他端から
中間周波信号を出力するマイクロストリップ線路１５
と、マイクロストリップ線路１５に電磁結合された誘電
体共振器８とを備え、バンドパスフィルタ２０とＦＥＴ
４とで負性抵抗回路を形成し、バンドパスフィルタ２０
とＦＥＴ４とマイクロストリップ線路１５と誘電体共振
器８とで局部発振器１４を構成し、ＦＥＴ４により増幅
器と周波数変換器とを構成する。
回路構成をより簡略化することができる自己発振型周波
数変換器を提供する。 【構成】 高周波信号が入力されるバンドパスフィルタ
２０と、バンドパスフィルタ２０の出力端にゲート端子
が接続され且つソース端子が接地されているＦＥＴ４
と、ＦＥＴ４のドレイン端子に一端が接続され他端から
中間周波信号を出力するマイクロストリップ線路１５
と、マイクロストリップ線路１５に電磁結合された誘電
体共振器８とを備え、バンドパスフィルタ２０とＦＥＴ
４とで負性抵抗回路を形成し、バンドパスフィルタ２０
とＦＥＴ４とマイクロストリップ線路１５と誘電体共振
器８とで局部発振器１４を構成し、ＦＥＴ４により増幅
器と周波数変換器とを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、衛星通信受信機に用い
られる局部発振器，増幅器，周波数変換器を１つのＦＥ
Ｔ（電界効果トランジスタ）で構成した自己発振型周波
数変換器に関するものである。
られる局部発振器，増幅器，周波数変換器を１つのＦＥ
Ｔ（電界効果トランジスタ）で構成した自己発振型周波
数変換器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】衛星通信受信機を低廉価するには、高価
な構成要素であるマイクロ波半導体素子の必要個数を削
減する必要がある。そのためには、１個の半導体素子に
複数の機能をもたせた複合機能回路を用いることが有効
な手段といえる。
な構成要素であるマイクロ波半導体素子の必要個数を削
減する必要がある。そのためには、１個の半導体素子に
複数の機能をもたせた複合機能回路を用いることが有効
な手段といえる。
【０００３】図２は、衛星通信受信機で用いていた従来
の自己発振型周波数変換器を示したものである。図にお
いて、１は高周波信号が入力される高周波入力端子、２
は高周波入力端子１に一端が接続されて該高周波入力端
子１からイメージ周波数が入力されるのを阻止するイメ
ージ阻止フイルタ、３はイメージ阻止フイルタ２の他端
に一端が接続されている高周波整合回路、４は高周波整
合回路３の他端にゲート端子が接続され且つソース端子
が接地されているＦＥＴ、５はＦＥＴ４のドレイン端子
とゲート端子との間に接続されている帰還回路である。
該帰還回路５は、コンデンサ６とコイル７との直列回路
で構成されている。８はＦＥＴ４のドレイン端子に電磁
結合されている誘電体共振器、９はＦＥＴ４のドレイン
端子に一端が接続されているハイパスフィルタ、１０は
ハイパスフィルタ９の他端に一端が接続され他端が接地
されている抵抗器、１１はＦＥＴ４のドレイン端子に一
端が接続されているローパスフィルタ、１２はローパス
フィルタ１１の他端に一端が接続され他端が中間周波出
力端子１３に接続されている中間周波整合回路である。
の自己発振型周波数変換器を示したものである。図にお
いて、１は高周波信号が入力される高周波入力端子、２
は高周波入力端子１に一端が接続されて該高周波入力端
子１からイメージ周波数が入力されるのを阻止するイメ
ージ阻止フイルタ、３はイメージ阻止フイルタ２の他端
に一端が接続されている高周波整合回路、４は高周波整
合回路３の他端にゲート端子が接続され且つソース端子
が接地されているＦＥＴ、５はＦＥＴ４のドレイン端子
とゲート端子との間に接続されている帰還回路である。
該帰還回路５は、コンデンサ６とコイル７との直列回路
で構成されている。８はＦＥＴ４のドレイン端子に電磁
結合されている誘電体共振器、９はＦＥＴ４のドレイン
端子に一端が接続されているハイパスフィルタ、１０は
ハイパスフィルタ９の他端に一端が接続され他端が接地
されている抵抗器、１１はＦＥＴ４のドレイン端子に一
端が接続されているローパスフィルタ、１２はローパス
フィルタ１１の他端に一端が接続され他端が中間周波出
力端子１３に接続されている中間周波整合回路である。
【０００４】このような自己発振型周波数変換器では、
ＦＥＴ４，帰還回路５，誘電体共振器８により局部発振
周波数ｆLOで発振する局部発振器１４が構成されてい
る。この局部発振器１４の発振の安定化がローパスフィ
ルタ１１と抵抗器１０とにより図られている。ＦＥＴ４
により増幅器と周波数変換器とが構成されている。
ＦＥＴ４，帰還回路５，誘電体共振器８により局部発振
周波数ｆLOで発振する局部発振器１４が構成されてい
る。この局部発振器１４の発振の安定化がローパスフィ
ルタ１１と抵抗器１０とにより図られている。ＦＥＴ４
により増幅器と周波数変換器とが構成されている。
【０００５】このような構造の自己発振型周波数変換器
では、高周波入力端子１に周波数がｆRFの高周波信号が
入力されると、該高周波信号ｆRFはイメージ阻止フイル
タ２と高周波整合回路３を介してＦＥＴ４のゲート端子
に入力される。この高周波信号がＦＥＴ４に入力される
と、該ＦＥＴ４の非線形特性によって周波数ｆRFと周波
数ｆLOとの混合が行われて周波数差（ｆRF−ｆLO）の中
間周波数IFが得られ、ドレイン端子から出力される。得
られた中間周波数信号は、ローパスフィルタ１１と中間
周波整合回路１２を経て中間周波出力端子１３から出力
される。
では、高周波入力端子１に周波数がｆRFの高周波信号が
入力されると、該高周波信号ｆRFはイメージ阻止フイル
タ２と高周波整合回路３を介してＦＥＴ４のゲート端子
に入力される。この高周波信号がＦＥＴ４に入力される
と、該ＦＥＴ４の非線形特性によって周波数ｆRFと周波
数ｆLOとの混合が行われて周波数差（ｆRF−ｆLO）の中
間周波数IFが得られ、ドレイン端子から出力される。得
られた中間周波数信号は、ローパスフィルタ１１と中間
周波整合回路１２を経て中間周波出力端子１３から出力
される。
【０００６】また、このような自己発振型周波数変換器
では、局部発振周波数ｆLOと中間周波数ｆIFとの差のイ
メージ周波数（ｆLO−ｆIF）が高周波入力端子１から入
力されると、これが中間周波数に変換されて、不要な中
間周波信号が出力されることになる。このイメージ周波
数（ｆLO−ｆIF）の入力を阻止するために、イメージ阻
止フィルタ２を設けている。
では、局部発振周波数ｆLOと中間周波数ｆIFとの差のイ
メージ周波数（ｆLO−ｆIF）が高周波入力端子１から入
力されると、これが中間周波数に変換されて、不要な中
間周波信号が出力されることになる。このイメージ周波
数（ｆLO−ｆIF）の入力を阻止するために、イメージ阻
止フィルタ２を設けている。
【０００７】しかしながら、このような従来の自己発振
型周波数変換器では、入力負荷インピーダンスの影響を
受け易い問題点がある。
型周波数変換器では、入力負荷インピーダンスの影響を
受け易い問題点がある。
【０００８】このような入力負荷インピーダンスの影響
を受け易い点を改善した自己発振型周波数変換器とし
て、図３に示す構造のものが提案されている。なお、前
述した図２と対応する部分には、同一符号を付けて示し
ている。図において、１５は高周波整合回路３の他端と
ＦＥＴ４のゲート端子との間に接続されマイクロストリ
ップ線路、１６は高周波整合回路３の他端とマイクロス
トリップ線路１５との接続点に一端が接続され他端が接
地された発振安定化回路である。該発振安定化回路１６
は、コンデンサ１７とコイル１８との並列回路とこの並
列回路に直列接続された抵抗器１９とで構成されてい
る。この場合、帰還回路５はコンデンサ６とコイル７と
の並列回路からなり、ＦＥＴ４のソース端子とアース間
に接続されている。また、誘電体共振器１５はマイクロ
ストリップ線路１５に電磁結合されている。
を受け易い点を改善した自己発振型周波数変換器とし
て、図３に示す構造のものが提案されている。なお、前
述した図２と対応する部分には、同一符号を付けて示し
ている。図において、１５は高周波整合回路３の他端と
ＦＥＴ４のゲート端子との間に接続されマイクロストリ
ップ線路、１６は高周波整合回路３の他端とマイクロス
トリップ線路１５との接続点に一端が接続され他端が接
地された発振安定化回路である。該発振安定化回路１６
は、コンデンサ１７とコイル１８との並列回路とこの並
列回路に直列接続された抵抗器１９とで構成されてい
る。この場合、帰還回路５はコンデンサ６とコイル７と
の並列回路からなり、ＦＥＴ４のソース端子とアース間
に接続されている。また、誘電体共振器１５はマイクロ
ストリップ線路１５に電磁結合されている。
【０００９】このような自己発振型周波数変換器では、
マイクロストリップ線路１５，誘電体共振器８，ＦＥＴ
４，帰還回路５により局部発振周波数ｆLOで発振する局
部発振器１４が構成されている。この局部発振器１４の
発振の安定化が発振安定化回路１６により図られてい
る。ＦＥＴ４により増幅器と周波数変換器とが構成され
ている。
マイクロストリップ線路１５，誘電体共振器８，ＦＥＴ
４，帰還回路５により局部発振周波数ｆLOで発振する局
部発振器１４が構成されている。この局部発振器１４の
発振の安定化が発振安定化回路１６により図られてい
る。ＦＥＴ４により増幅器と周波数変換器とが構成され
ている。
【００１０】このような構造の自己発振型周波数変換器
によれば、入力負荷インピーダンスの影響を受け易い点
を改善することができる。
によれば、入力負荷インピーダンスの影響を受け易い点
を改善することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造の自己発振型周波数変換器では、いずれもコン
デンサ６とコイル７とからなる帰還回路５が必要となる
問題点がある。また、イメージ周波数（ｆLO−ｆIF）の
入力を阻止するためのイメージ阻止フィルタ２が必要と
なる問題点がある。
うな構造の自己発振型周波数変換器では、いずれもコン
デンサ６とコイル７とからなる帰還回路５が必要となる
問題点がある。また、イメージ周波数（ｆLO−ｆIF）の
入力を阻止するためのイメージ阻止フィルタ２が必要と
なる問題点がある。
【００１２】本発明の目的は、帰還回路やイメージ阻止
フィルタを省略して回路構成をより簡略化することがで
きる自己発振型周波数変換器を提供することにある。
フィルタを省略して回路構成をより簡略化することがで
きる自己発振型周波数変換器を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の構成を説明すると、本発明に係る自己発振型周波
数変換器は、高周波信号が入力されるバンドパスフィル
タと、該バンドパスフィルタの出力端にゲート端子が接
続され且つソース端子が接地されているＦＥＴと、前記
ＦＥＴのドレイン端子に一端が接続され他端から中間周
波信号を出力するマイクロストリップ線路と、該マイク
ロストリップ線路に電磁結合された誘電体共振器とを備
え、前記バンドパスフィルタと前記ＦＥＴとで負性抵抗
回路が形成され、前記バンドパスフィルタと前記ＦＥＴ
と前記マイクロストリップ線路と前記誘電体共振器とで
局部発振器が構成され、前記ＦＥＴにより増幅器と周波
数変換器とが構成されていることを特徴とする。
発明の構成を説明すると、本発明に係る自己発振型周波
数変換器は、高周波信号が入力されるバンドパスフィル
タと、該バンドパスフィルタの出力端にゲート端子が接
続され且つソース端子が接地されているＦＥＴと、前記
ＦＥＴのドレイン端子に一端が接続され他端から中間周
波信号を出力するマイクロストリップ線路と、該マイク
ロストリップ線路に電磁結合された誘電体共振器とを備
え、前記バンドパスフィルタと前記ＦＥＴとで負性抵抗
回路が形成され、前記バンドパスフィルタと前記ＦＥＴ
と前記マイクロストリップ線路と前記誘電体共振器とで
局部発振器が構成され、前記ＦＥＴにより増幅器と周波
数変換器とが構成されていることを特徴とする。
【００１４】
【作用】このような自己発振型周波数変換器では、ＦＥ
Ｔのゲートにバンドパスフィルタを設けて、このＦＥＴ
のドレイン側反射係数が所望の周波数において負性抵抗
を示すように構成している。また、ＦＥＴのドレイン側
に、誘電体共振器に所望の周波数で電磁結合するマイク
ロストリップ線路を設けているので、前述した負性抵抗
と、誘電体共振器とマイクロストリップ線路との電磁結
合度とに基づいて定まる所望の周波数にて安定な発振を
する。
Ｔのゲートにバンドパスフィルタを設けて、このＦＥＴ
のドレイン側反射係数が所望の周波数において負性抵抗
を示すように構成している。また、ＦＥＴのドレイン側
に、誘電体共振器に所望の周波数で電磁結合するマイク
ロストリップ線路を設けているので、前述した負性抵抗
と、誘電体共振器とマイクロストリップ線路との電磁結
合度とに基づいて定まる所望の周波数にて安定な発振を
する。
【００１５】このため、局部発振器を構成するのに従来
必要とした帰還回路が不要となる。また、本発明では局
部発振器の構成要素としてバンドパスフィルタを使用し
ているので、このバンドパスフィルタがイメージ周波数
の阻止作用をもっているので、イメージ阻止フィルタを
省略できる。
必要とした帰還回路が不要となる。また、本発明では局
部発振器の構成要素としてバンドパスフィルタを使用し
ているので、このバンドパスフィルタがイメージ周波数
の阻止作用をもっているので、イメージ阻止フィルタを
省略できる。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明に係る自己発振型周波数変換
器の一実施例を示したものである。本実施例の自己発振
型周波数変換器では、高周波入力端子１にバンドパスフ
ィルタ２０の一端が接続され、該バンドパスフィルタ２
０の他端にＦＥＴ４のゲート端子が接続されている。Ｆ
ＥＴ４のソース端子は接地されている。ＦＥＴ４のドレ
イン端子にはマイクロストリップ線路１５の一端が接続
され、該マイクロストリップ線路１５の他端にはローパ
スフィルタ１１の一端が接続されている。ローパスフィ
ルタ１１の他端は中間周波出力端子１３に接続されてい
る。マイクロストリップ線路１５には、誘電体共振器８
が電磁結合されている。マイクロストリップ線路１５の
他端には、コンデンサ２１と終端抵抗器２２との直列接
続回路が接続されている。
器の一実施例を示したものである。本実施例の自己発振
型周波数変換器では、高周波入力端子１にバンドパスフ
ィルタ２０の一端が接続され、該バンドパスフィルタ２
０の他端にＦＥＴ４のゲート端子が接続されている。Ｆ
ＥＴ４のソース端子は接地されている。ＦＥＴ４のドレ
イン端子にはマイクロストリップ線路１５の一端が接続
され、該マイクロストリップ線路１５の他端にはローパ
スフィルタ１１の一端が接続されている。ローパスフィ
ルタ１１の他端は中間周波出力端子１３に接続されてい
る。マイクロストリップ線路１５には、誘電体共振器８
が電磁結合されている。マイクロストリップ線路１５の
他端には、コンデンサ２１と終端抵抗器２２との直列接
続回路が接続されている。
【００１７】このような自己発振型周波数変換器では、
バンドパスフィルタ２０，ＦＥＴ４，マイクロストリッ
プ線路１５，誘電体共振器８により局部発振周波数ｆLO
で発振する局部発振器１４が構成されている。また、Ｆ
ＥＴ４により増幅器と周波数変換器とが構成されてい
る。
バンドパスフィルタ２０，ＦＥＴ４，マイクロストリッ
プ線路１５，誘電体共振器８により局部発振周波数ｆLO
で発振する局部発振器１４が構成されている。また、Ｆ
ＥＴ４により増幅器と周波数変換器とが構成されてい
る。
【００１８】更に、このような自己発振型周波数変換器
では、ＦＥＴ４のドレイン側反射係数Γ22´が所望の周
波数において負性抵抗、即ち、｜Γ22´｜≧１となるよ
うにＦＥＴ４とバンドパスフィルタ２０の回路定数が定
められている。
では、ＦＥＴ４のドレイン側反射係数Γ22´が所望の周
波数において負性抵抗、即ち、｜Γ22´｜≧１となるよ
うにＦＥＴ４とバンドパスフィルタ２０の回路定数が定
められている。
【００１９】また、ＦＥＴ４のドレイン側に接続される
回路の反射係数ΓL は、誘電体共振器８を電磁的に結合
させたマイクロストリップ線路１５を用いて構成されて
いる。
回路の反射係数ΓL は、誘電体共振器８を電磁的に結合
させたマイクロストリップ線路１５を用いて構成されて
いる。
【００２０】ここで、所望の周波数において、 Γ22´＊ΓL ≧１∠０° （１） が発振を起こす条件であることが知られている。
【００２１】従って、所望の周波数において、誘電体共
振器８とマイクロストリップ線路１５の結合度を選択
し、式（１）を満足するような反射係数ΓL を構成する
ことで、局部発振器１４は所望の周波数において安定な
発振動作をする。
振器８とマイクロストリップ線路１５の結合度を選択
し、式（１）を満足するような反射係数ΓL を構成する
ことで、局部発振器１４は所望の周波数において安定な
発振動作をする。
【００２２】また、前述の所望の周波数以外の不要な周
波数で式（１）の条件を満足すると、不要な周波数で発
振を起こすため、マイクロストリップ線路１５の他端を
低域通過素子としてのコンデンサ２１と終端抵抗器２２
を介して接地させて、前述した不要発振を防止するよう
に構成されている。
波数で式（１）の条件を満足すると、不要な周波数で発
振を起こすため、マイクロストリップ線路１５の他端を
低域通過素子としてのコンデンサ２１と終端抵抗器２２
を介して接地させて、前述した不要発振を防止するよう
に構成されている。
【００２３】このような自己発振型周波数変換器では、
局部発振器１４として動作状態にあるＦＥＴ４に、高周
波入力端子１からバンドパスフィルタ２０を介して高周
波信号を入力すると、該ＦＥＴ４は発振器としての非線
形動作状態にあるために、入力した高周波信号の周波数
ｆRFと局部発振周波数ｆLOとの差（ｆRF−ｆLO）の中間
周波数IFの中間周波数信号が発生する。
局部発振器１４として動作状態にあるＦＥＴ４に、高周
波入力端子１からバンドパスフィルタ２０を介して高周
波信号を入力すると、該ＦＥＴ４は発振器としての非線
形動作状態にあるために、入力した高周波信号の周波数
ｆRFと局部発振周波数ｆLOとの差（ｆRF−ｆLO）の中間
周波数IFの中間周波数信号が発生する。
【００２４】更に、ＦＥＴ４の増幅作用により、中間周
波数信号は増幅されて、ローパスフィルタ１１を介して
中間周波出力端子１３から出力される。
波数信号は増幅されて、ローパスフィルタ１１を介して
中間周波出力端子１３から出力される。
【００２５】この場合、バンドパスフィルタ２０は、局
部発振器１４の構成要素のみならず、所望の高周波周波
数ではない周波数成分（例えば局部発振周波数）を遮断
するように構成されているので、局部発振周波数の高周
波入力端子１への漏洩を防ぎ、前段に外部回路を接続す
る場合の発振器に与える影響を防ぐことができる。
部発振器１４の構成要素のみならず、所望の高周波周波
数ではない周波数成分（例えば局部発振周波数）を遮断
するように構成されているので、局部発振周波数の高周
波入力端子１への漏洩を防ぎ、前段に外部回路を接続す
る場合の発振器に与える影響を防ぐことができる。
【００２６】また、従来の自己発振型周波数変換器で
は、局部発振周波数ｆLOと中間周波数ｆIFとの差のイメ
ージ周波数（ｆLO−ｆIF）が高周波入力端子１から入力
されると、これが中間周波数に変換されて、不要な中間
周波信号が中間周波数信号として出力されるのを防止す
るために前述したようにイメージ阻止フイルタ２を高周
波入力端子１の後に接続していたが、本実施例の自己発
振型周波数変換器では前述したように局部発振器１４の
構成要素としてバンドパスフィルタ２０を使用している
ので、このバンドパスフィルタ２０がイメージ周波数
（ｆLO−ｆIF）の阻止機能を持ち、従ってイメージ阻止
フイルタ２を省略することができる。
は、局部発振周波数ｆLOと中間周波数ｆIFとの差のイメ
ージ周波数（ｆLO−ｆIF）が高周波入力端子１から入力
されると、これが中間周波数に変換されて、不要な中間
周波信号が中間周波数信号として出力されるのを防止す
るために前述したようにイメージ阻止フイルタ２を高周
波入力端子１の後に接続していたが、本実施例の自己発
振型周波数変換器では前述したように局部発振器１４の
構成要素としてバンドパスフィルタ２０を使用している
ので、このバンドパスフィルタ２０がイメージ周波数
（ｆLO−ｆIF）の阻止機能を持ち、従ってイメージ阻止
フイルタ２を省略することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る自己発
振型周波数変換器は、ＦＥＴのゲートにバンドパスフィ
ルタを設けて、このＦＥＴのドレイン側反射係数が所望
の周波数において負性抵抗を示すように構成し、また、
ＦＥＴのドレイン側に、誘電体共振器に所望の周波数で
電磁結合するマイクロストリップ線路を設けて、前述し
た負性抵抗と、誘電体共振器とマイクロストリップ線路
との電磁結合度とに基づいて定まる所望の周波数にて安
定な発振をするようにしているので、局部発振器を構成
するのに従来必要とした帰還回路が不要となる利点があ
る。また、本発明では、局部発振器の構成要素としてバ
ンドパスフィルタを使用し、このバンドパスフィルタが
イメージ周波数の阻止作用をもっているので、イメージ
阻止フィルタを省略することができる。
振型周波数変換器は、ＦＥＴのゲートにバンドパスフィ
ルタを設けて、このＦＥＴのドレイン側反射係数が所望
の周波数において負性抵抗を示すように構成し、また、
ＦＥＴのドレイン側に、誘電体共振器に所望の周波数で
電磁結合するマイクロストリップ線路を設けて、前述し
た負性抵抗と、誘電体共振器とマイクロストリップ線路
との電磁結合度とに基づいて定まる所望の周波数にて安
定な発振をするようにしているので、局部発振器を構成
するのに従来必要とした帰還回路が不要となる利点があ
る。また、本発明では、局部発振器の構成要素としてバ
ンドパスフィルタを使用し、このバンドパスフィルタが
イメージ周波数の阻止作用をもっているので、イメージ
阻止フィルタを省略することができる。
【００２８】従って、本発明に係る自己発振型周波数変
換器によれば、従来のこの種のものより回路構成が簡略
化され、小形化，低コスト化，軽量化を図ることができ
る。
換器によれば、従来のこの種のものより回路構成が簡略
化され、小形化，低コスト化，軽量化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る自己発振型周波数変換器の回路図
である。
である。
【図２】従来の自己発振型周波数変換器の回路図であ
る。
る。
【図３】従来の他の自己発振型周波数変換器の回路図で
ある。
ある。
１ 高周波入力端子 ２ イメージ阻止フイルタ ３ 高周波整合回路 ４ ＦＥＴ ５ 帰還回路 ６ コンデンサ ７ コイル ８ 誘電体共振器 ９ ハイパスフィルタ １０ 抵抗器 １１ ローパスフィルタ １２ 中間周波整合回路 １３ 中間周波出力端子 １４ 局部発振器 １５ マイクロストリップ線路 １６ 発振安定化回路 １７ コンデンサ １８ コイル １９ 抵抗器 ２０ バンドパスフィルタ ２１ コンデンサ ２２ 終端抵抗器
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波信号が入力されるバンドパスフィ
ルタと、該バンドパスフィルタの出力端にゲート端子が
接続され且つソース端子が接地されているＦＥＴと、前
記ＦＥＴのドレイン端子に一端が接続され他端から中間
周波信号を出力するマイクロストリップ線路と、該マイ
クロストリップ線路に電磁結合された誘電体共振器とを
備え、前記バンドパスフィルタと前記ＦＥＴとで負性抵
抗回路が形成され、前記バンドパスフィルタと前記ＦＥ
Ｔと前記マイクロストリップ線路と前記誘電体共振器と
で局部発振器が構成され、前記ＦＥＴにより増幅器と周
波数変換器とが構成されていることを特徴とする自己発
振型周波数変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31978392A JPH06169221A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 自己発振型周波数変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31978392A JPH06169221A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 自己発振型周波数変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169221A true JPH06169221A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18114144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31978392A Withdrawn JPH06169221A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 自己発振型周波数変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06169221A (ja) |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP31978392A patent/JPH06169221A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |