JPH0541627A - 高周波減衰回路 - Google Patents
高周波減衰回路Info
- Publication number
- JPH0541627A JPH0541627A JP3148208A JP14820891A JPH0541627A JP H0541627 A JPH0541627 A JP H0541627A JP 3148208 A JP3148208 A JP 3148208A JP 14820891 A JP14820891 A JP 14820891A JP H0541627 A JPH0541627 A JP H0541627A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- pin diode
- circuit
- attenuation
- frequency
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＰＩＮダイオードに供給する電流が小さくて
も、高域周波数において減衰量を増大できる、ＰＩＮダ
イオードを使用した高周波減衰回路を提供する。 【構成】 ＰＩＮダイオードＤに並列に、ＰＩＮダイオ
ードＤの端子間容量と並列共振するインダクタンス素子
Ｌ１を付加し、希望する高域周波数において並列共振さ
せて、減衰量を増大させ、希望高域周波数において減衰
量のダイナミックレンジを大きくする。ＰＩＮダイオー
ドＤと直列接続した容量Ｃ１は直流阻止用バイパスコン
デンサである。
も、高域周波数において減衰量を増大できる、ＰＩＮダ
イオードを使用した高周波減衰回路を提供する。 【構成】 ＰＩＮダイオードＤに並列に、ＰＩＮダイオ
ードＤの端子間容量と並列共振するインダクタンス素子
Ｌ１を付加し、希望する高域周波数において並列共振さ
せて、減衰量を増大させ、希望高域周波数において減衰
量のダイナミックレンジを大きくする。ＰＩＮダイオー
ドＤと直列接続した容量Ｃ１は直流阻止用バイパスコン
デンサである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＩＮダイオードを利
用した高周波減衰回路に関する。
用した高周波減衰回路に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】ＰＩＮダイオードを用い
た高周波減衰回路は、ＰＩＮダイオードに流す電流によ
ってダイオードの高周波抵抗を変化させて減衰量を変化
させるが、従来はＰＩＮダイオードを単一で用いていた
ため、周波数が高くなるにつれてＰＩＮダイオードの端
子間容量の影響で、ダイオードに電流を流さない時の減
衰量は、周波数が高くなるにつれて大きくとることは困
難であった。
た高周波減衰回路は、ＰＩＮダイオードに流す電流によ
ってダイオードの高周波抵抗を変化させて減衰量を変化
させるが、従来はＰＩＮダイオードを単一で用いていた
ため、周波数が高くなるにつれてＰＩＮダイオードの端
子間容量の影響で、ダイオードに電流を流さない時の減
衰量は、周波数が高くなるにつれて大きくとることは困
難であった。
【０００３】図５は、ＰＩＮダイオードＤを用いた従来
の高周波減衰回路である。図５において、ＤはＰＩＮダ
イオード、Ｃｐは直流阻止用コンデンサ、Ｌｃはチョー
クコイルであって、チョークコイルを介して高周波抵抗
を変化させる電流ＩをＰＩＮダイオードＤのアノードに
供給する。図１のＢに示すように前記高周波減衰回路の
周波数特性は、例えば、ＰＩＮダイオードＤに供給され
る電流Ｉ＝１０ｍＡのときは、その周波数−減衰量特性
はほぼ平坦であるが、電流Ｉ＝０ｍＡのとき（ダイオー
ドがオフのとき）は、点線で示すように周波数が高くな
るにしたがって減衰量が小さくなる。
の高周波減衰回路である。図５において、ＤはＰＩＮダ
イオード、Ｃｐは直流阻止用コンデンサ、Ｌｃはチョー
クコイルであって、チョークコイルを介して高周波抵抗
を変化させる電流ＩをＰＩＮダイオードＤのアノードに
供給する。図１のＢに示すように前記高周波減衰回路の
周波数特性は、例えば、ＰＩＮダイオードＤに供給され
る電流Ｉ＝１０ｍＡのときは、その周波数−減衰量特性
はほぼ平坦であるが、電流Ｉ＝０ｍＡのとき（ダイオー
ドがオフのとき）は、点線で示すように周波数が高くな
るにしたがって減衰量が小さくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＰＩＮダイ
オードを使用した高周波減衰回路において、ＰＩＮダイ
オードに供給する電流が小さくても、希望する高域周波
数において減衰量を増大できる、ＰＩＮダイオードを使
用した高周波減衰回路を提供する点にある。
オードを使用した高周波減衰回路において、ＰＩＮダイ
オードに供給する電流が小さくても、希望する高域周波
数において減衰量を増大できる、ＰＩＮダイオードを使
用した高周波減衰回路を提供する点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ＰＩＮダイオードに並列
にインダクタンス素子を付加し、希望の周波数において
ＰＩＮダイオードの端子間容量と並列共振させることに
より、希望の周波数における減衰量を増大させることを
特徴とするものである。
にインダクタンス素子を付加し、希望の周波数において
ＰＩＮダイオードの端子間容量と並列共振させることに
より、希望の周波数における減衰量を増大させることを
特徴とするものである。
【０００６】
【本発明の技術的背景】本発明高周波減衰回路を必要と
する技術的背景について説明する。自動車電話装置の無
線部分のシステムとして、図６に示すようなＰＩＮダイ
オードを高周波減衰回路に使用したものがある。同図に
おいて、送信系では、送信ベースバンド信号が変調器１
で中間周波数帯の信号に変換され、局部発振器２とミキ
サ３によってＲＦ帯の高周波信号に変換される。その
後、増幅器４で増幅され、ＰＩＮダイオードで構成され
る高周波減衰回路５に入力される。高周波信号は、高周
波減衰回路５で必要なだけ減衰し、その出力は、電力増
幅器６で電力増幅されると共に、電源電圧や温度の変動
に起因する電力の変動を防ぐために、電力増幅器６の出
力をパワー検出部７で検出してパワーコントロール部８
により、前記高周波減衰回路５の減衰量をフィードバッ
ク制御する。そして、前記電力増幅器６の出力は、アン
テナ共用器９を通過しアンテナ１０により空間へ放射さ
れる。
する技術的背景について説明する。自動車電話装置の無
線部分のシステムとして、図６に示すようなＰＩＮダイ
オードを高周波減衰回路に使用したものがある。同図に
おいて、送信系では、送信ベースバンド信号が変調器１
で中間周波数帯の信号に変換され、局部発振器２とミキ
サ３によってＲＦ帯の高周波信号に変換される。その
後、増幅器４で増幅され、ＰＩＮダイオードで構成され
る高周波減衰回路５に入力される。高周波信号は、高周
波減衰回路５で必要なだけ減衰し、その出力は、電力増
幅器６で電力増幅されると共に、電源電圧や温度の変動
に起因する電力の変動を防ぐために、電力増幅器６の出
力をパワー検出部７で検出してパワーコントロール部８
により、前記高周波減衰回路５の減衰量をフィードバッ
ク制御する。そして、前記電力増幅器６の出力は、アン
テナ共用器９を通過しアンテナ１０により空間へ放射さ
れる。
【０００７】一方、受信系では、アンテナ１０に入力し
た高周波信号は、アンテナ共用器９を介して高周波増幅
器１１に導かれ増幅される。次に、局部発振器１２、ミ
キサ１３、増幅器１４からなる第１中間周波数変換段で
周波数変換及び増幅された後、さらに局部発振器１５、
ミキサ１６、増幅器１７からなる第２中間周波数変換段
で周波数変換及び増幅されて復調器１８に入力し、該復
調器１８でベースバンド信号に復調される。
た高周波信号は、アンテナ共用器９を介して高周波増幅
器１１に導かれ増幅される。次に、局部発振器１２、ミ
キサ１３、増幅器１４からなる第１中間周波数変換段で
周波数変換及び増幅された後、さらに局部発振器１５、
ミキサ１６、増幅器１７からなる第２中間周波数変換段
で周波数変換及び増幅されて復調器１８に入力し、該復
調器１８でベースバンド信号に復調される。
【０００８】前記システムにおいて、ＰＩＮダイオード
からなる高周波減衰器５は、入力された高周波信号を減
衰させ、最終的にアンテナ１０より放射される電力が、
要求される規格に合うように調節する機能を有する。具
体的にいえば、北米方式の自動車電話を例にとると、ア
ンテナ１０より放射される高周波信号の電力は＋３６ｄ
Ｂｍから＋８ｄＢｍまで変化することができるよう要求
されている。しかし、電力増幅器６は一定の電力利得で
あるため、高周波減衰回路５は、必要とする周波数（８
００ＭＨｚ帯のキャリア周波数）で減衰量が２８ｄＢ以
上のダイナミックレンジ（ＰＩＮダイオードのオン・オ
フ比）を有していなければならない。本発明は、前記問
題点に鑑み、前記必要とする高い周波数において、ＰＩ
Ｎダイオードに供給される電流が極めて小さいときに十
分な減衰量を有し、前記ダイナミックレンジの大きい高
周波減衰回路を実現しようとするものである。
からなる高周波減衰器５は、入力された高周波信号を減
衰させ、最終的にアンテナ１０より放射される電力が、
要求される規格に合うように調節する機能を有する。具
体的にいえば、北米方式の自動車電話を例にとると、ア
ンテナ１０より放射される高周波信号の電力は＋３６ｄ
Ｂｍから＋８ｄＢｍまで変化することができるよう要求
されている。しかし、電力増幅器６は一定の電力利得で
あるため、高周波減衰回路５は、必要とする周波数（８
００ＭＨｚ帯のキャリア周波数）で減衰量が２８ｄＢ以
上のダイナミックレンジ（ＰＩＮダイオードのオン・オ
フ比）を有していなければならない。本発明は、前記問
題点に鑑み、前記必要とする高い周波数において、ＰＩ
Ｎダイオードに供給される電流が極めて小さいときに十
分な減衰量を有し、前記ダイナミックレンジの大きい高
周波減衰回路を実現しようとするものである。
【０００９】
【実施例】本発明について、以下実施例に基づいて説明
する。図１のＡに示すＰＩＮダイオードＤを使用した高
周波減衰回路は、本発明の基本回路である。この回路
は、図５に示す従来の高周波減衰回路において、ＰＩＮ
ダイオードＤに並列に、インダクタンスコイルＬ１と直
流阻止用バイパスコンデンサＣ１の直列回路を接続して
高周波減衰回路を構成したものである。Ｃｐは直流阻止
用コンデンサ、またＬｃは高周波阻止用のチョークコイ
ルであり、これらコイルは抵抗素子で代用することもで
きる。
する。図１のＡに示すＰＩＮダイオードＤを使用した高
周波減衰回路は、本発明の基本回路である。この回路
は、図５に示す従来の高周波減衰回路において、ＰＩＮ
ダイオードＤに並列に、インダクタンスコイルＬ１と直
流阻止用バイパスコンデンサＣ１の直列回路を接続して
高周波減衰回路を構成したものである。Ｃｐは直流阻止
用コンデンサ、またＬｃは高周波阻止用のチョークコイ
ルであり、これらコイルは抵抗素子で代用することもで
きる。
【００１０】図１のＢは図１のＡの実施例の周波数特性
を示している。前記図１のＡに示す回路において、ＰＩ
ＮダイオードＤの端子間容量とＰＩＮダイオードに並列
に接続したインダクタンスコイルＬ１による並列共振周
波数ｆｒを必要とする高周波周波数に設定すると、図１
のＢに示すように、ＰＩＮダイオードＤに供給される電
流Ｉが極めて小さい時に（Ｉ＝０ｍＡ）前記共振により
必要とする周波数において十分な減衰量が得られ、従来
の減衰回路に比べて約２０ｄＢ減衰量を多くとることが
できる。
を示している。前記図１のＡに示す回路において、ＰＩ
ＮダイオードＤの端子間容量とＰＩＮダイオードに並列
に接続したインダクタンスコイルＬ１による並列共振周
波数ｆｒを必要とする高周波周波数に設定すると、図１
のＢに示すように、ＰＩＮダイオードＤに供給される電
流Ｉが極めて小さい時に（Ｉ＝０ｍＡ）前記共振により
必要とする周波数において十分な減衰量が得られ、従来
の減衰回路に比べて約２０ｄＢ減衰量を多くとることが
できる。
【００１１】図２は、前記基本回路の変形例を示す高周
波減衰回路である。この高周波減衰回路は、前記基本回
路において、チョークコイルＬｃを抵抗Ｒに置き換えた
ものである。この回路において、入出力部の特性インピ
ーダンスＺｏに対して抵抗Ｒが１０倍程度以上であれば
チョークコイルのように殆ど挿入損失が増加しない。
波減衰回路である。この高周波減衰回路は、前記基本回
路において、チョークコイルＬｃを抵抗Ｒに置き換えた
ものである。この回路において、入出力部の特性インピ
ーダンスＺｏに対して抵抗Ｒが１０倍程度以上であれば
チョークコイルのように殆ど挿入損失が増加しない。
【００１２】逆に、抵抗Ｒを特性インピーダンスＺｏの
２倍程度にすると、挿入損失は増加する。しかしなが
ら、ＰＩＮダイオードＤがオフの時、ダイオードの高周
波抵抗が極めて大きくダイオードは等価的にオープンの
状態になり、周波数特性を有するチョークコイルの場合
入力インピーダンスが変動するが、比較的抵抗値の小さ
い抵抗の場合は高周波的に入力インピーダンスの変動を
防止できるので、ＰＩＮダイオードＤの減衰量を変化さ
せても入出力の定在波比（ＶＳＷＲ）がそれほど悪化せ
ず、この回路を使用するシステムを構成する回路の発振
を防止できる等、システムを構成する回路の安定化に役
立つ。
２倍程度にすると、挿入損失は増加する。しかしなが
ら、ＰＩＮダイオードＤがオフの時、ダイオードの高周
波抵抗が極めて大きくダイオードは等価的にオープンの
状態になり、周波数特性を有するチョークコイルの場合
入力インピーダンスが変動するが、比較的抵抗値の小さ
い抵抗の場合は高周波的に入力インピーダンスの変動を
防止できるので、ＰＩＮダイオードＤの減衰量を変化さ
せても入出力の定在波比（ＶＳＷＲ）がそれほど悪化せ
ず、この回路を使用するシステムを構成する回路の発振
を防止できる等、システムを構成する回路の安定化に役
立つ。
【００１３】図３に示す高周波減衰回路は他の変形例で
あって、図１のＡに示す基本回路を２段直列に接続し
て、より大きなダイナミックレンジを得るようにした回
路である。この回路において、インダクタンスコイルＬ
２及びＬ３のインダクタンス値を異なる値にして１段目
と２段目の共振周波数を異ならせることにより減衰域の
帯域幅を広くとることができる。Ｃ２及びＣ３は直流阻
止用バイパスコンデンサである。
あって、図１のＡに示す基本回路を２段直列に接続し
て、より大きなダイナミックレンジを得るようにした回
路である。この回路において、インダクタンスコイルＬ
２及びＬ３のインダクタンス値を異なる値にして１段目
と２段目の共振周波数を異ならせることにより減衰域の
帯域幅を広くとることができる。Ｃ２及びＣ３は直流阻
止用バイパスコンデンサである。
【００１４】さらに図４に示す高周波減衰回路は、基本
回路がＰＩＮダイオードＤを１個で構成するのに対し、
ＰＩＮダイオードＤを２個直列に接続して構成する。こ
の回路は、２個のＰＩＮダイオードＤに対して１個のイ
ンダクタンスコイルＬ４で共振回路を形成しているの
で、少ない部品点数で大きなダイナミックレンジを得る
ことが可能である。Ｃ４は前記同様直流阻止用バイパス
コンデンサである。前記図３及び図４に示す高周波減衰
回路においても、図２に示す回路と同様、チョークコイ
ルＬｃを抵抗Ｒに代えて実施することができる。
回路がＰＩＮダイオードＤを１個で構成するのに対し、
ＰＩＮダイオードＤを２個直列に接続して構成する。こ
の回路は、２個のＰＩＮダイオードＤに対して１個のイ
ンダクタンスコイルＬ４で共振回路を形成しているの
で、少ない部品点数で大きなダイナミックレンジを得る
ことが可能である。Ｃ４は前記同様直流阻止用バイパス
コンデンサである。前記図３及び図４に示す高周波減衰
回路においても、図２に示す回路と同様、チョークコイ
ルＬｃを抵抗Ｒに代えて実施することができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ＰＩＮダイオードに並
列にインダクタンスを付加し、希望の周波数にてＰＩＮ
ダイオードの端子間容量と並列共振させることにより、
希望周波数における減衰量を増大させることができる。
また、高い周波数において、大きな減衰量が得られるた
め、従来の回路のようにＰＩＮダイオードを数段直列接
続していたものの段数を減らすことができ、コストダウ
ン、小型軽量化の効果を有する。さらに、段数が少なく
なるので、挿入損失が小さくなり、結果的に電力消費を
小さくできて自動車電話装置にとって好適な高周波減衰
回路となる。
列にインダクタンスを付加し、希望の周波数にてＰＩＮ
ダイオードの端子間容量と並列共振させることにより、
希望周波数における減衰量を増大させることができる。
また、高い周波数において、大きな減衰量が得られるた
め、従来の回路のようにＰＩＮダイオードを数段直列接
続していたものの段数を減らすことができ、コストダウ
ン、小型軽量化の効果を有する。さらに、段数が少なく
なるので、挿入損失が小さくなり、結果的に電力消費を
小さくできて自動車電話装置にとって好適な高周波減衰
回路となる。
【図１】本発明高周波減衰回路の第１実施例及び周波数
特性を示すである。
特性を示すである。
【図２】本発明高周波減衰回路の第２実施例を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明高周波減衰回路の第３実施例の回路図で
ある。
ある。
【図４】本発明高周波減衰回路の第４実施例の回路図で
ある。
ある。
【図５】従来の高周波減衰回路を示す図である。
【図６】自動車電話装置の送信電力制御に利用した構成
図である。
図である。
Ｄ・・ＰＩＮダイオード Ｌ１・・インダクタンスコイ
ル Ｃ１・・直流阻止用バイパスコンデンサ Ｃｐ・・
直流阻止用コンデンサ Ｌｃ・・チョークコイル
ル Ｃ１・・直流阻止用バイパスコンデンサ Ｃｐ・・
直流阻止用コンデンサ Ｌｃ・・チョークコイル
Claims (1)
- 【請求項１】 ＰＩＮダイオードを利用した高周波減衰
回路において、ＰＩＮダイオードの端子間容量と並列共
振するインダクタンス素子を、ＰＩＮダイオードに並列
に接続したことを特徴とする高周波減衰回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3148208A JPH0541627A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 高周波減衰回路 |
| US07/887,061 US5262741A (en) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | Attenuator for high-frequency signal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3148208A JPH0541627A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 高周波減衰回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541627A true JPH0541627A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=15447685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3148208A Pending JPH0541627A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 高周波減衰回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5262741A (ja) |
| JP (1) | JPH0541627A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020096028A (ko) * | 2002-10-22 | 2002-12-28 | (주)래디오빌 | 자동이득제어 회로 |
| US6985760B2 (en) | 2000-05-29 | 2006-01-10 | Nec Corporation | Foldable portable radio terminal |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2120965A1 (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-15 | Katsumi Uesaka | Distortion generating circuit |
| US5345199A (en) * | 1993-08-12 | 1994-09-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Non-reflective limiter |
| US5565823A (en) * | 1994-12-21 | 1996-10-15 | Lucent Technologies Inc. | Voltage controlled attenuator using PN diodes |
| JP3438637B2 (ja) * | 1999-03-09 | 2003-08-18 | 株式会社村田製作所 | 可変減衰器、複合可変減衰器及び移動体通信機器 |
| US6297709B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-10-02 | Nokia Telecommunications Oy | Temperature compensated variable attenuator |
| US7317902B2 (en) * | 2001-06-28 | 2008-01-08 | Harris Corporation | Successive log video pad power detector and method |
| GB2368736B (en) * | 2000-11-04 | 2004-05-26 | Alps Electric | RF attenuator |
| JP2006246389A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信器 |
| JP2013069859A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US9995667B2 (en) | 2015-04-22 | 2018-06-12 | TZOA/Clad Innovations Ltd. | Portable device for detecting and measuring particles entrained in the air |
| US10006858B2 (en) | 2015-04-22 | 2018-06-26 | TZOA/Clad Innovations Ltd. | Portable device for monitoring environmental conditions |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3179816A (en) * | 1962-10-29 | 1965-04-20 | Sylvania Electric Prod | Microwave switch |
| US3138768A (en) * | 1962-12-17 | 1964-06-23 | Gary E Evans | Microwave diode switch having by-pass means to cancel signal leak when diode is blocked |
| US3921106A (en) * | 1974-06-28 | 1975-11-18 | Lrc Inc | Attenuator impedance control |
| US4019160A (en) * | 1975-12-05 | 1977-04-19 | Gte Sylvania Incorporated | Signal attenuator circuit for TV tuner |
| US4097827A (en) * | 1977-02-04 | 1978-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Constant impedance, constant phase pin diode with attenuator |
| US4843354A (en) * | 1987-12-28 | 1989-06-27 | Motorola, Inc. | Broad band microwave biasing networks suitable for being provided in monolithic integrated circuit form |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3148208A patent/JPH0541627A/ja active Pending
-
1992
- 1992-05-22 US US07/887,061 patent/US5262741A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
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| KR20020096028A (ko) * | 2002-10-22 | 2002-12-28 | (주)래디오빌 | 자동이득제어 회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5262741A (en) | 1993-11-16 |
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